JPS5810847A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5810847A JPS5810847A JP56109723A JP10972381A JPS5810847A JP S5810847 A JPS5810847 A JP S5810847A JP 56109723 A JP56109723 A JP 56109723A JP 10972381 A JP10972381 A JP 10972381A JP S5810847 A JPS5810847 A JP S5810847A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- heat sink
- epoxy resin
- support plate
- concave section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
このｉｉ＠は樹脂封止層の牛導体装置Ｃ：関する・ｍ１
ｌｌ及び第１２図は従来の樹脂封止型１例えばトッｙス
ファモールド鳳の牛導体装置である。
ｌｌ及び第１２図は従来の樹脂封止型１例えばトッｙス
ファモールド鳳の牛導体装置である。
同１１１：おいて、１はｍ伝導の良好なＣｕ（鋼）で形
成され麩−ヒートシンクであり、このヒートνｙり１は
半導体素子Ｉを支持すると共ｃ：、このｋＰ４体嵩子２
に斃生する熱の放熱体を兼れてぃＹｌｏこのヒートシン
ク１は上下面が１１２ＷＡに示すようｔ：ｘＦＩｆとな
っており、半導体素子１は上面Ｃ：早ＥＢＪ付けされて
いるＩＩ４は半導体素子ｌを橿うよう舊ニモールド成形
されたエボキＶ１Ｍ脂、６．５・・・は一端がポンディ
ングワイヤ６を介して半導体素子２の電極部１暑に接続
され、他端がエポキシ樹脂４を貫通して外部に導出され
た複数の外部リードである・ ところで、王妃牛導体装置にあっては、モールド成形さ
れたエポキシ樹脂４で覆われているため、エポキシ樹脂
４の収ｓＣ：より半導体素子２に応力（％４＝横方向か
らの応力）が生じる。
成され麩−ヒートシンクであり、このヒートνｙり１は
半導体素子Ｉを支持すると共ｃ：、このｋＰ４体嵩子２
に斃生する熱の放熱体を兼れてぃＹｌｏこのヒートシン
ク１は上下面が１１２ＷＡに示すようｔ：ｘＦＩｆとな
っており、半導体素子１は上面Ｃ：早ＥＢＪ付けされて
いるＩＩ４は半導体素子ｌを橿うよう舊ニモールド成形
されたエボキＶ１Ｍ脂、６．５・・・は一端がポンディ
ングワイヤ６を介して半導体素子２の電極部１暑に接続
され、他端がエポキシ樹脂４を貫通して外部に導出され
た複数の外部リードである・ ところで、王妃牛導体装置にあっては、モールド成形さ
れたエポキシ樹脂４で覆われているため、エポキシ樹脂
４の収ｓＣ：より半導体素子２に応力（％４＝横方向か
らの応力）が生じる。
このため、従来、半導体素子２（＝クラ・ツタが生じ、
破壊Ｃ＝至ることがあった・また、ヒートシンク１の全
体がＣ−で形成されているため、ｌ１品が高価格となる
欠点があった。
破壊Ｃ＝至ることがあった・また、ヒートシンク１の全
体がＣ−で形成されているため、ｌ１品が高価格となる
欠点があった。
この発明は上記夾情（：―みてなされたもので。
その目的は、モールド樹脂の収４１（二よる破壊を防止
できる安価な牛導体装置を提供することζ二ある。
できる安価な牛導体装置を提供することζ二ある。
以下１図面を参照してこの発明の一実施例をｍ明する。
第３図においＣ％１１は放熱体を兼ね、半導体素子１２
を支持するヒートシンクである。このヒー）１／ンク１
１の中央部−二は第４図（＝示すよう（二平面形状が矩
形で半導体素子１ｚを収納できる大きさの凹部ＩＩが形
成されている・この凹部１１の深さは半導体素子１２全
体が沈み込む程度が最も良好である。このビー１’ンク
１１は凸部１１を含む中央の素子取付＠ｌ１ｍと、その
両端部の外部固定部１１ｂ。
を支持するヒートシンクである。このヒー）１／ンク１
１の中央部−二は第４図（＝示すよう（二平面形状が矩
形で半導体素子１ｚを収納できる大きさの凹部ＩＩが形
成されている・この凹部１１の深さは半導体素子１２全
体が沈み込む程度が最も良好である。このビー１’ンク
１１は凸部１１を含む中央の素子取付＠ｌ１ｍと、その
両端部の外部固定部１１ｂ。
１１Ｃとではその形成材料が異なっている。すなわち、
素子取付部１１ｍは熱伝導の良好な倒木、ば Ｃｕで形
成されており、その大きさは半導体素子１２０発熱Ｉ：
耐え得る大きさとなっている。一方、外部固定部１１ｂ
、ｌｌｃはそれぞれ安価な金属、例えばＡＩ （アルミ
二りム）、Ｆｓ（鉄）等で形成され、素子取付部１１暑
の両ＩＩ（二接着固定されている。
素子取付部１１ｍは熱伝導の良好な倒木、ば Ｃｕで形
成されており、その大きさは半導体素子１２０発熱Ｉ：
耐え得る大きさとなっている。一方、外部固定部１１ｂ
、ｌｌｃはそれぞれ安価な金属、例えばＡＩ （アルミ
二りム）、Ｆｓ（鉄）等で形成され、素子取付部１１暑
の両ＩＩ（二接着固定されている。
また、半導体素子１２は凹部ＩＳの底面に半田１４付け
されるｅＪｊは半導体素子１２を囲むようにモールド成
形された樹脂例えはエポキシ樹脂、１６は一燗がボンデ
ィングワイヤ１１を介して半導体素子１２の電極部Ｊ
Ｊ ！ （：、接続され、他晦がエポキシ樹脂１５を貫
通して外部し導出された複数（ここでは、一部のみ図示
）の外部リードである・ この半導体装［１ｍおい工は、半導体素子１２がシート
シンク１１の凹部ＩＳ内に収納されているため、エポキ
シ樹脂１５の収縮による半導体素子１２への応力が従来
Ｃニルべて大幅（＝減少する。従って、半導体素子１２
のククツクの発生を防止し破壊を防止できる。また、ヒ
ートシック１１の素子取付部ＪＪａを熱伝導の良好な金
属、例えばＣｕで形成し、外部固定部１１ｂ。
されるｅＪｊは半導体素子１２を囲むようにモールド成
形された樹脂例えはエポキシ樹脂、１６は一燗がボンデ
ィングワイヤ１１を介して半導体素子１２の電極部Ｊ
Ｊ ！ （：、接続され、他晦がエポキシ樹脂１５を貫
通して外部し導出された複数（ここでは、一部のみ図示
）の外部リードである・ この半導体装［１ｍおい工は、半導体素子１２がシート
シンク１１の凹部ＩＳ内に収納されているため、エポキ
シ樹脂１５の収縮による半導体素子１２への応力が従来
Ｃニルべて大幅（＝減少する。従って、半導体素子１２
のククツクの発生を防止し破壊を防止できる。また、ヒ
ートシック１１の素子取付部ＪＪａを熱伝導の良好な金
属、例えばＣｕで形成し、外部固定部１１ｂ。
１１Ｇを安価な金属、例えばＡｊ、Ｆｅ 等で形成す
るよう（ニジたので、全体として安価（：なる・尚、ヒ
ートシンク１１の凹部１ｓの形状は。
るよう（ニジたので、全体として安価（：なる・尚、ヒ
ートシンク１１の凹部１ｓの形状は。
矩形Ｃ＝限定するものではなく、丸形でも良く、特に方
向性を持たせる必要はない、また、凹部１３の大きさは
、半導体素子１２の大きさく二応１５’（変えることが
でき、このため早出１４を一定の厚さく＝保持できる・ 以上のよ引：この発明によれば、放熱を兼ねる支持板（
ヒートシック）に凹部を設６す、この凹部に半導体素子
を接続載置させるよう６二したので、モールド樹脂の収
縮砿：よる破壊を防止できる・また、支持板の半導体素
子取付部周辺以外の部分を安価な金属材料で形成するよ
う（＝すれは製品価格を低減できる・
向性を持たせる必要はない、また、凹部１３の大きさは
、半導体素子１２の大きさく二応１５’（変えることが
でき、このため早出１４を一定の厚さく＝保持できる・ 以上のよ引：この発明によれば、放熱を兼ねる支持板（
ヒートシック）に凹部を設６す、この凹部に半導体素子
を接続載置させるよう６二したので、モールド樹脂の収
縮砿：よる破壊を防止できる・また、支持板の半導体素
子取付部周辺以外の部分を安価な金属材料で形成するよ
う（＝すれは製品価格を低減できる・
第１図は従来の半導体装置の横断面図、第２図は同じく
縦断面図、第３図はこの発明の一実施例１：係る半導体
装置の縦断面図、第４図会よ上記装置のヒートシンクを
示す斜視図である。 １１・・・ヒー）Ｍンク、１２・・・半導体素子、１３
・・・凹部、１５・・エポキシ樹脂、１６・・・外部リ
− ド。 串願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図
縦断面図、第３図はこの発明の一実施例１：係る半導体
装置の縦断面図、第４図会よ上記装置のヒートシンクを
示す斜視図である。 １１・・・ヒー）Ｍンク、１２・・・半導体素子、１３
・・・凹部、１５・・エポキシ樹脂、１６・・・外部リ
− ド。 串願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 放熱を兼ねる支持板と、この支持板の一方主面に形成さ
れた凹部と、この凹部−二おいて前記支持板に電気的Ｃ
：接続載置された半導体素子と。 この半導体素子を覆うよう域＝前記支持板上ζ：設けら
れた樹脂成形部材と、一端が前記苧導体素子七電気的ζ
二俵絖され、他端が前記樹脂成形部材を貫通して外部Ｃ
二導出されたリードとを真値したことを脣徴とする苧導
体装置・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56109723A JPS5810847A (ja) | 1981-07-14 | 1981-07-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56109723A JPS5810847A (ja) | 1981-07-14 | 1981-07-14 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5810847A true JPS5810847A (ja) | 1983-01-21 |
Family
ID=14517586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56109723A Pending JPS5810847A (ja) | 1981-07-14 | 1981-07-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5810847A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01164643A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-06-28 | Dr Alois Stankiewicz Gmbh | 隔壁用吸音性防音材 |
-
1981
- 1981-07-14 JP JP56109723A patent/JPS5810847A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01164643A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-06-28 | Dr Alois Stankiewicz Gmbh | 隔壁用吸音性防音材 |
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