JPS58107632A - 電子ビ−ム描画装置用材料 - Google Patents
電子ビ−ム描画装置用材料Info
- Publication number
- JPS58107632A JPS58107632A JP56207315A JP20731581A JPS58107632A JP S58107632 A JPS58107632 A JP S58107632A JP 56207315 A JP56207315 A JP 56207315A JP 20731581 A JP20731581 A JP 20731581A JP S58107632 A JPS58107632 A JP S58107632A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- thermal expansion
- alloy
- beam lithography
- drawing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C27/00—Alloys based on rhenium or a refractory metal not mentioned in groups C22C14/00 or C22C16/00
- C22C27/06—Alloys based on chromium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子ビーム描画装置用材料に関するものであ
り、７特に本発明は、高精１度の微細パターンを形成す
る電子ビーム描画装置用材料に関するものである。
り、７特に本発明は、高精１度の微細パターンを形成す
る電子ビーム描画装置用材料に関するものである。
ＩＣの集積度は急速に高密度化し本格的な超ＬＳＩ時代
に向けて発展しつつあり、各種の微細パターン形成技術
の開発が活発になっている。
に向けて発展しつつあり、各種の微細パターン形成技術
の開発が活発になっている。
２これらの技術のなかで電子ビーム描画装置はビームの
最小寸法が小さく、また、描画速度、コス）！７）Ａで
浄他の方法を抜きつつある。
最小寸法が小さく、また、描画速度、コス）！７）Ａで
浄他の方法を抜きつつある。
ところで前記描画装置（、−あっては、パターン線巾へ
〇 ｐｍ以下、描画精度０．１７４ｍ内であることが必
要であり、また温度５よる微小な寸法変化が極めて小さ
く、非磁性であり、さらにワークステージ系の場合には
良導電性の材料であることが一要求されている。前記非
磁性が要求される理由は電子ビーム描画装置内で磁界が
２発生すると磁歪により寸法変化や電子ビームの占、れ
や吸収が生じて使用不能になるためである。
〇 ｐｍ以下、描画精度０．１７４ｍ内であることが必
要であり、また温度５よる微小な寸法変化が極めて小さ
く、非磁性であり、さらにワークステージ系の場合には
良導電性の材料であることが一要求されている。前記非
磁性が要求される理由は電子ビーム描画装置内で磁界が
２発生すると磁歪により寸法変化や電子ビームの占、れ
や吸収が生じて使用不能になるためである。
従来電子ビーム描画装置用材料としては純ムＩに近いム
Ｉ系合金が専ら使用されており、この合金は非磁性を良
導電性を有する点においては好適であるが、しかし熱膨
張係数が２ｊ Ｘ １０Ｆ６と大きい３とから、使用に
当っては温度による微小な寸法変化を避けるため、特に
ワークステージおよびレンズ系にあっては温度制御を±
ｏ、ｉ”ｃと厳格に管理しなければならなかった。しか
しながら如何に厳格に温度制御してもステージ系あるい
はマスクを保持するカセットの場合電子ビームによる描
画の際の発熱による温度上昇を防止することは困難であ
り、甚しい場合にはマスクが破損するに至ることさえあ
る。
Ｉ系合金が専ら使用されており、この合金は非磁性を良
導電性を有する点においては好適であるが、しかし熱膨
張係数が２ｊ Ｘ １０Ｆ６と大きい３とから、使用に
当っては温度による微小な寸法変化を避けるため、特に
ワークステージおよびレンズ系にあっては温度制御を±
ｏ、ｉ”ｃと厳格に管理しなければならなかった。しか
しながら如何に厳格に温度制御してもステージ系あるい
はマスクを保持するカセットの場合電子ビームによる描
画の際の発熱による温度上昇を防止することは困難であ
り、甚しい場合にはマスクが破損するに至ることさえあ
る。
すなわち従来非磁性で、熱膨張係数が小さく、導電性の
良いことの諸条件をすべて満足する電子ビーム描画装置
用材料はなかったので、止むを得ずムＩ系合金が用いら
れているのが今日までの状況である。
良いことの諸条件をすべて満足する電子ビーム描画装置
用材料はなかったので、止むを得ずムＩ系合金が用いら
れているのが今日までの状況である。
本発明は、促−来用いられている電子ビーム描画装置用
材料の有する前記欠点を除央、改醤することのできる材
料を提供することを目的とするものであり、特許請求の
範囲記載の材料を提供することによって前記目的を達成
することができる。
材料の有する前記欠点を除央、改醤することのできる材
料を提供することを目的とするものであり、特許請求の
範囲記載の材料を提供することによって前記目的を達成
することができる。
次に本発明の詳細な説明する。
本発明者らは、前記電子ビーム描画装置用材料として使
用されているＡｊ系合金材料が非磁性ならびに良導電性
であるという優れた特性を具備しながら、一方上記材料
が熱膨張係数が大きいという欠点を有するため、高精度
の微細パターンの形成に限界があり、かつ信頼性にも乏
しく、その結釆超ＬＳＩの開発にあたって大きな障害に
なっているという現状に鑑みて、電子ビーム描画装置用
材料として有すべき前記諸特性をすべて具備する材料の
研究開発に着手し、種々実験を重ねた結果、Ｆ＠Ｊ〜り
−ｅ Ｉｎ Ｏ＠λ〜八！％へ残Ｏｒと不可避的不純物
とからなる成分組成の材料にさらに希土類元素０．００
／ −／、０ ％を添加したことにより、磁化率１０
Ｘ １０ ＠ｍｕ／ＩＴ ＃ ０−４Ｊ”Ｃの温度
範囲における熱膨張係数をＯ〜コ、ｔ ｘ ｔｏ−６／
”Ｃ以下の特性を有する合金が得られ、この合金が電子
ビーム描画装置用として最適な材料であることを新規に
知見して本発明゛を完成した。
用されているＡｊ系合金材料が非磁性ならびに良導電性
であるという優れた特性を具備しながら、一方上記材料
が熱膨張係数が大きいという欠点を有するため、高精度
の微細パターンの形成に限界があり、かつ信頼性にも乏
しく、その結釆超ＬＳＩの開発にあたって大きな障害に
なっているという現状に鑑みて、電子ビーム描画装置用
材料として有すべき前記諸特性をすべて具備する材料の
研究開発に着手し、種々実験を重ねた結果、Ｆ＠Ｊ〜り
−ｅ Ｉｎ Ｏ＠λ〜八！％へ残Ｏｒと不可避的不純物
とからなる成分組成の材料にさらに希土類元素０．００
／ −／、０ ％を添加したことにより、磁化率１０
Ｘ １０ ＠ｍｕ／ＩＴ ＃ ０−４Ｊ”Ｃの温度
範囲における熱膨張係数をＯ〜コ、ｔ ｘ ｔｏ−６／
”Ｃ以下の特性を有する合金が得られ、この合金が電子
ビーム描画装置用として最適な材料であることを新規に
知見して本発明゛を完成した。
次に本発明の材料に想到、するに至った経過とその成分
組成を限定する理由について述べる。
組成を限定する理由について述べる。
Ｏｒは良く知られているように、特殊なスピン配向を有
する反強磁性金属であり、常磁性−反強磁性変態を示す
ネール点は約ｍ℃で、ネール点で物理的性質、特に熱膨
張を弾性、電気抵抗などに 。
する反強磁性金属であり、常磁性−反強磁性変態を示す
ネール点は約ｍ℃で、ネール点で物理的性質、特に熱膨
張を弾性、電気抵抗などに 。
異常な変化が生じる。又、Ｏｒに他元素を添加すると物
理的性質は多様に変化する。第１［は０ｒ−Ｆｅ系−次
面溶体合金の熱膨張曲線を示す図で・あるが、ネール温
度（７Ｍ）付近に熱膨張率が非常に小さくなる温度領域
が存在する。しかしながら前記温度領域はいずれも低温
である。一方０ｒ−Ｉｎ系合金にあって、第一図の熱膨
張曲線に示すように、やはりＴＮ以下で熱膨張率は小さ
くなるが、かかる熱膨張率の小さい温度領域は０ｒ−Ｆ
・系とは逆に高温側である。
理的性質は多様に変化する。第１［は０ｒ−Ｆｅ系−次
面溶体合金の熱膨張曲線を示す図で・あるが、ネール温
度（７Ｍ）付近に熱膨張率が非常に小さくなる温度領域
が存在する。しかしながら前記温度領域はいずれも低温
である。一方０ｒ−Ｉｎ系合金にあって、第一図の熱膨
張曲線に示すように、やはりＴＮ以下で熱膨張率は小さ
くなるが、かかる熱膨張率の小さい温度領域は０ｒ−Ｆ
・系とは逆に高温側である。
本発明は、０ｒ−Ｆ・系とＯｒ −Ｉｎ系合金の成分組
成を組合せ調整することにより、得た０ｒ−１・−Ｍｎ
Ｊ元系合金が室温付近において非常に小さな熱膨張率を
示し、かつ非磁性ならびに導電性の点においても電子ビ
ーム描画装置用材料として従来使用されて来た材料に比
し格段に優れた材料であるという新規な知見に基づくも
のである。
成を組合せ調整することにより、得た０ｒ−１・−Ｍｎ
Ｊ元系合金が室温付近において非常に小さな熱膨張率を
示し、かつ非磁性ならびに導電性の点においても電子ビ
ーム描画装置用材料として従来使用されて来た材料に比
し格段に優れた材料であるという新規な知見に基づくも
のである。
本発明において、材料の成分組成を限定する理由を次に
説明する。
説明する。
Ｆ・が３．０％より少ないか、又は）［ｕが０．コ襲よ
り少ないと材料の熱膨張係数が負の値を示し、特にマス
ク基板カセット等に使用した場合に電子ビ危険性があり
、一方Ｆｅり、０％より多いか又はＭ！Ｌ７．３％より
多いと熱膨張係数がコ、５ｘｔｏ−’／”Ｃ以上となり
、温度上昇による誤差を生じるので、Ｆｅ ｓ Ｍ！に
はそれぞれ３．θ〜７．０ ％ ｔ ｏ、ｘ 〜／、ｚ
％の範囲内にする必要がある。
り少ないと材料の熱膨張係数が負の値を示し、特にマス
ク基板カセット等に使用した場合に電子ビ危険性があり
、一方Ｆｅり、０％より多いか又はＭ！Ｌ７．３％より
多いと熱膨張係数がコ、５ｘｔｏ−’／”Ｃ以上となり
、温度上昇による誤差を生じるので、Ｆｅ ｓ Ｍ！に
はそれぞれ３．θ〜７．０ ％ ｔ ｏ、ｘ 〜／、ｚ
％の範囲内にする必要がある。
希土類元素は強力な脱酸−脱窒作用を有する元素であり
、該元素の添加含有によって加工性が改善されて電子ビ
ーム描画装置の作製を容易にすることができるが、希土
類元素が０．００／ ｆａより少ないと前記加工性の改
善効果が詔められず、一方ｉ、ｏ％より多いと、希土類
元素が単体又は共晶となり、粒界又は粒内に分散し、熱
間加工での割れの起因になるばかりでなく、最表面にな
ると面精度を悪くするので、希土類元素はｏ、ｏｏｉ
−ｉ、ｏ ５ｇの範囲内にする必要がある。
、該元素の添加含有によって加工性が改善されて電子ビ
ーム描画装置の作製を容易にすることができるが、希土
類元素が０．００／ ｆａより少ないと前記加工性の改
善効果が詔められず、一方ｉ、ｏ％より多いと、希土類
元素が単体又は共晶となり、粒界又は粒内に分散し、熱
間加工での割れの起因になるばかりでなく、最表面にな
ると面精度を悪くするので、希土類元素はｏ、ｏｏｉ
−ｉ、ｏ ５ｇの範囲内にする必要がある。
磁化率χはＦｅ、Ｋｎおよび希土類元素の限定範囲内で
あればχは１０ Ｘ １０−”・ｍｕ／ ｊ ｒ以下で
あり通常の非磁性オーステナイト系ステンレス＠（／ｇ
Ｏｒ −ｔ Ｎｉ系）の磁化率！ｒＯＸ １０−” ＠
ｗ、ｕ／Ｉｔの一以下であり、実用的に全（非磁性であ
ることから磁界による磁歪での寸法変化や、電子ビーム
の乱れや吸収を示さない。
あればχは１０ Ｘ １０−”・ｍｕ／ ｊ ｒ以下で
あり通常の非磁性オーステナイト系ステンレス＠（／ｇ
Ｏｒ −ｔ Ｎｉ系）の磁化率！ｒＯＸ １０−” ＠
ｗ、ｕ／Ｉｔの一以下であり、実用的に全（非磁性であ
ることから磁界による磁歪での寸法変化や、電子ビーム
の乱れや吸収を示さない。
また熱膨張係数αは、１・ｔ Ｍｉｘおよび希土類元素
の限定範囲内であれば、Ｏ−コ、ｓ； ｘ ｔｏ−’／
”ｅであり、現在一般的に使用されている電子ビーム
描Ｗｒ装置用基板ＡＩ （ａ ：ｗｘｔｏ−’／”Ｃ）
の約ｐｘ。
の限定範囲内であれば、Ｏ−コ、ｓ； ｘ ｔｏ−’／
”ｅであり、現在一般的に使用されている電子ビーム
描Ｗｒ装置用基板ＡＩ （ａ ：ｗｘｔｏ−’／”Ｃ）
の約ｐｘ。
を示し、マスク精度を改曽することができるという優れ
た特性を有する。
た特性を有する。
次に本発明を実施例について説明する。
実施例
Ｏｒ −ｊ＊ｊ Ｆｓ −０，９ｒＭｎの反強磁性Ｏｒ
基インバー合金をアルゴン雰囲気の誘導溶解炉で１００
〜溶解し重量比Ｊ、ｊ ％の金員Ｌ＆を添加（残留量ｏ
、ｏｚｂ ％ ） Ｌ精錬を行ナイ／１０ ｓａ Ｘ
／ｊａｗｓ Ｘ ’Ｉ ノ鋳塊を得た。この鋳塊を熱間
プレスで、ｌ１ｍｍまで鍛伸した。これから切り出した
サンプルについて熱膨張係数αと磁化率χとを調査した
結果表−／の通りで、熱膨張係数ならびに磁化率の点で
良好な特性を示した。又、マスクカセット用としての形
状まで機械加工で仕上げたが全く問題はなかった。さら
にまた従来材料に比し特性の経時変化の点でも優れてい
ることが判った。
基インバー合金をアルゴン雰囲気の誘導溶解炉で１００
〜溶解し重量比Ｊ、ｊ ％の金員Ｌ＆を添加（残留量ｏ
、ｏｚｂ ％ ） Ｌ精錬を行ナイ／１０ ｓａ Ｘ
／ｊａｗｓ Ｘ ’Ｉ ノ鋳塊を得た。この鋳塊を熱間
プレスで、ｌ１ｍｍまで鍛伸した。これから切り出した
サンプルについて熱膨張係数αと磁化率χとを調査した
結果表−／の通りで、熱膨張係数ならびに磁化率の点で
良好な特性を示した。又、マスクカセット用としての形
状まで機械加工で仕上げたが全く問題はなかった。さら
にまた従来材料に比し特性の経時変化の点でも優れてい
ることが判った。
表−１
以上本発明の材料は、電子ビーム描画装置用材料として
従来の材料に比し側期的な優れた材料であることが判り
５．エレクトロエックス工業の発展に大きく貢献するこ
とができる。
従来の材料に比し側期的な優れた材料であることが判り
５．エレクトロエックス工業の発展に大きく貢献するこ
とができる。
第１図は０ｒ−Ｆｅ系２元１次固溶体合金の熱膨張曲線
を示す図、第２図はＯｒ−Ｍｎ系−元／次固溶体合金の
熱膨張曲線を示す図である。 第Ｅ
を示す図、第２図はＯｒ−Ｍｎ系−元／次固溶体合金の
熱膨張曲線を示す図である。 第Ｅ
Claims (1)
- １、 Ｆ＠ Ｊ、０〜り、Ｏ％ｅ Ｉｎ Ｏｍ−〜／
、ｊ ％ ｅ希土類元素０．００／ −／、０％を含み
、残部Ｏｒと不可避的不純物よりなり、磁化率は１０Ｘ
１０−”ｅｍｕ／ＩＩ以下ｆＯ℃〜ｕ”Ｃにおける熱膨
張係−は０〜Ｊｊ Ｘ １０ ／”Ｃである電子ビー
ム描画装置用材料。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56207315A JPS58107632A (ja) | 1981-12-22 | 1981-12-22 | 電子ビ−ム描画装置用材料 |
| US06/449,623 US4442067A (en) | 1981-12-22 | 1982-12-14 | Material for semiconductor holder in electron beam writing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56207315A JPS58107632A (ja) | 1981-12-22 | 1981-12-22 | 電子ビ−ム描画装置用材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58107632A true JPS58107632A (ja) | 1983-06-27 |
Family
ID=16537730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56207315A Pending JPS58107632A (ja) | 1981-12-22 | 1981-12-22 | 電子ビ−ム描画装置用材料 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4442067A (ja) |
| JP (1) | JPS58107632A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2635378B1 (fr) * | 1988-08-09 | 1993-08-27 | Thomson Brandt Armements | Lance-projectiles a commande par induction |
| JP2607157B2 (ja) * | 1989-11-17 | 1997-05-07 | 株式会社クボタ | 加熱炉内の被加熱鋼材支持部材用耐熱合金 |
| US5288228A (en) * | 1989-11-17 | 1994-02-22 | Kubota Corporation | Heat-resistant materials |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52116078A (en) * | 1976-03-26 | 1977-09-29 | Toshiba Corp | Electron beam-exposing device |
| JPS52120211A (en) * | 1976-04-03 | 1977-10-08 | Tohoku Daigaku Kinzoku Zairyo | Antiiferromagnetic chronium base inber alloy and production of same |
| JPS5413012U (ja) * | 1977-06-29 | 1979-01-27 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3015559A (en) * | 1959-09-25 | 1962-01-02 | Gen Electric | Oxidation resistant chromium alloy |
| US3017265A (en) * | 1959-09-25 | 1962-01-16 | Gen Electric | Oxidation resistant iron-chromium alloy |
| JPS5924657B2 (ja) * | 1977-08-02 | 1984-06-11 | 東京理化器械株式会社 | 気液接触式反応装置 |
-
1981
- 1981-12-22 JP JP56207315A patent/JPS58107632A/ja active Pending
-
1982
- 1982-12-14 US US06/449,623 patent/US4442067A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52116078A (en) * | 1976-03-26 | 1977-09-29 | Toshiba Corp | Electron beam-exposing device |
| JPS52120211A (en) * | 1976-04-03 | 1977-10-08 | Tohoku Daigaku Kinzoku Zairyo | Antiiferromagnetic chronium base inber alloy and production of same |
| JPS5413012U (ja) * | 1977-06-29 | 1979-01-27 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4442067A (en) | 1984-04-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6277212B1 (en) | Amorphous metal alloy strip and method of making such strip | |
| SK161897A3 (en) | Manufacturing process of a soft magnetic iron based alloy components with nanocrystalline structure | |
| Wilhelm et al. | Columbium-vanadium alloy system | |
| JPS5842741A (ja) | 磁気記録再生ヘツド用耐摩耗性高透磁率合金およびその製造法ならびに磁気記録再生ヘツド | |
| JPS58107632A (ja) | 電子ビ−ム描画装置用材料 | |
| Firdosy et al. | Laser-Deposited Soft Magnetic Fe–Ni–Mo Alloy: A Processing—Microstructure Study | |
| JP4836359B2 (ja) | スパッタターゲット、ゲート絶縁膜および電子部品 | |
| Richards et al. | An experimental study of high-permeability nickel-iron alloys | |
| US4259109A (en) | Beryllium-containing iron-boron glassy magnetic alloys | |
| JPS6324047A (ja) | 鉄・クロム・コバルト系合金 | |
| Li et al. | Microstructure of nanostructured Fe40Ni38Mo4B18 alloy | |
| JP2674137B2 (ja) | 高透磁率磁性材料 | |
| Bostanjoglo et al. | Stabilization of amorphous films by stress | |
| JPS62186511A (ja) | タ−ゲツト部材 | |
| JPS64457B2 (ja) | ||
| JP3365886B2 (ja) | 稀土類−鉄系磁歪材料の製造方法 | |
| Bonesteel et al. | Recovery and internal oxidation of columbium and columbium alloys | |
| JPH0364596B2 (ja) | ||
| JPS5964143A (ja) | 鉄心用非晶質合金薄帯の製造方法 | |
| Bohlmann | Manganese-Aluminum for Permanent Magnet Material | |
| Inouye et al. | Boron-induced toughness loss in Ti-6A1-2Nb-1Ta-0. 8Mo | |
| KR910002917B1 (ko) | 특성이 우수한 고자속밀도 일방향성 규소강판의 안정한 제조법 | |
| JPH0587585B2 (ja) | ||
| JPS6130651A (ja) | 半導体封着用の非磁性合金 | |
| Svechnikov et al. | An Investigation of the Chromium-Nickel-Niobium Ternary System |