JPS58106968A - 撮像装置 - Google Patents
撮像装置Info
- Publication number
- JPS58106968A JPS58106968A JP56205782A JP20578281A JPS58106968A JP S58106968 A JPS58106968 A JP S58106968A JP 56205782 A JP56205782 A JP 56205782A JP 20578281 A JP20578281 A JP 20578281A JP S58106968 A JPS58106968 A JP S58106968A
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- JP
- Japan
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/70—Circuitry for compensating brightness variation in the scene
- H04N23/72—Combination of two or more compensation controls
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明社ＣＣＤ等の撮像素子を用いた撮像装置の改良に
関する。
関する。
特に最適な蓄積時間が得られると共に、振れの少ない＃
ｉ像の得られる撮像装置に関するものである。
ｉ像の得られる撮像装置に関するものである。
一般にＣＯＤなどの固体撮像素子においては長藷柚時の
信号電荷に対゛するノイズ成分は暗電流ムシか支配的で
ある。上記暗′＃ｉＬ流ムラＦｉＳ積時間に比Ｎｕして
増加するため、実質的なセンサー感ｉｋ′ｉ着棟時間と
ともに低下してしまうという欠点かある。
信号電荷に対゛するノイズ成分は暗電流ムシか支配的で
ある。上記暗′＃ｉＬ流ムラＦｉＳ積時間に比Ｎｕして
増加するため、実質的なセンサー感ｉｋ′ｉ着棟時間と
ともに低下してしまうという欠点かある。
従って従来の撮９Ｉ素子技術においては予め最反薯槓時
間を少し短か目に固定する事によってこυ；・間組を逃
れようとしている為、撮影隣界が必要以上に低く抑えら
れてしまっていた。
間を少し短か目に固定する事によってこυ；・間組を逃
れようとしている為、撮影隣界が必要以上に低く抑えら
れてしまっていた。
而も比較的高い温度条件下で使用される場合にはやはり
暗電流ムラが無視し得ないノイズ成分として入り込んで
来る欠点があった。
暗電流ムラが無視し得ないノイズ成分として入り込んで
来る欠点があった。
本発明社、上述従来技術の欠点を除去すると同時に１蓄
積時間（撮像スピード）の限界を巌過に決定し得る様に
することにより、手振れ等の少ない撮像装置を提供する
事を目的としたものである。
積時間（撮像スピード）の限界を巌過に決定し得る様に
することにより、手振れ等の少ない撮像装置を提供する
事を目的としたものである。
その為に本発明で祉温度検出手段を設けると共に、撮像
素子における蓄積時間を制御する為の刺御手段に対し、
前記温度検出手段の出力情報を導入し１温度パラメータ
により撮像素子の蓄積時間を制御する様構成している。
素子における蓄積時間を制御する為の刺御手段に対し、
前記温度検出手段の出力情報を導入し１温度パラメータ
により撮像素子の蓄積時間を制御する様構成している。
これにより、環境温度や扱与体＃嵐の変動に対しても冨
に適切な信号レベルが得られる様になるものである。
に適切な信号レベルが得られる様になるものである。
以下本発明を実施例に基づき詐細に欧明する。
第１図は一般的固体撮像素子のＳハの温度依存性を示す
特性−であり、図中１は暗’ａｍムラによる８／Ｎ分、
２ハアンフノイスニヨルＳ／ｒＩＪ分、３＃−ｉ両者の
合成による８／Ｎ 特性を示している。
特性−であり、図中１は暗’ａｍムラによる８／Ｎ分、
２ハアンフノイスニヨルＳ／ｒＩＪ分、３＃−ｉ両者の
合成による８／Ｎ 特性を示している。
図の如く、暗電流ムラによるノイズ成分は蓄積時間ＴＩ
ＮＴＯあたりよりアンプノイズに比べて大きな影響を与
える様になり、蓄積時間が長（なる程８／Ｎを決定する
主な要因となっている。
ＮＴＯあたりよりアンプノイズに比べて大きな影響を与
える様になり、蓄積時間が長（なる程８／Ｎを決定する
主な要因となっている。
一般に感度はＳハに比例するからこの様な長い蓄積時間
においては感＆はかなり低下する。従ってこの様な領域
で所定レベル以上の信号電荷を得る為に蓄積時間を長く
する事社むしろ好ましくない。
においては感＆はかなり低下する。従ってこの様な領域
で所定レベル以上の信号電荷を得る為に蓄積時間を長く
する事社むしろ好ましくない。
本発明では上述の点に鑑みこの様な長蓄積時間領域のあ
る時点からは蓄積時間を延ばさず直接アンプのゲインを
増大させてやる様に構成しているので低輝度被写体に対
しても光分な感度を得るＪ↓ができると共に手振れ等に
よる画ＩＩ！］振れの少ない良質な画壇を得る事ができ
る。
る時点からは蓄積時間を延ばさず直接アンプのゲインを
増大させてやる様に構成しているので低輝度被写体に対
しても光分な感度を得るＪ↓ができると共に手振れ等に
よる画ＩＩ！］振れの少ない良質な画壇を得る事ができ
る。
第２瞼は本発明の実施例を示すブロック凶である。
図中４はサーミスタ等の温度センサー、５は該扁肱セン
サー情報に基づき第６図示の如き特性のＴＩＮＴＯ出力
信号を出力する変換器、６＃１８ＰＣ％の光電変換手段
であって該手段は撮像素子１０に入射すべき光量を検出
する。
サー情報に基づき第６図示の如き特性のＴＩＮＴＯ出力
信号を出力する変換器、６＃１８ＰＣ％の光電変換手段
であって該手段は撮像素子１０に入射すべき光量を検出
する。
尚、該ＳＰＣを用いる代わりに後述の撮＆素子１０の出
力を利用しても良い。７Ｆｉ該８ＰＣの出力等に基づき
適正な露出レベルＥνを出力する＃１元回路、８＃ｉ該
測光回路出力に基づき撮像素子１０における蓄積時間丁
ｌＮＴｈ及び撮像素子１０の出力を増巾するアンプ１１
の増巾率（ゲイン）を後述する様なプログラムに基づき
制御し得る様構成された制御回路である。
力を利用しても良い。７Ｆｉ該８ＰＣの出力等に基づき
適正な露出レベルＥνを出力する＃１元回路、８＃ｉ該
測光回路出力に基づき撮像素子１０における蓄積時間丁
ｌＮＴｈ及び撮像素子１０の出力を増巾するアンプ１１
の増巾率（ゲイン）を後述する様なプログラムに基づき
制御し得る様構成された制御回路である。
１０ｔｉ皺制御回路によりＷｉ像蓄積開始スイッチ９、
をＯＮしてからの１儂の蓄積時間ＴＩＮＴが制御される
撮像素子、１１はその出力アンプ、１２は出力端である
。
をＯＮしてからの１儂の蓄積時間ＴＩＮＴが制御される
撮像素子、１１はその出力アンプ、１２は出力端である
。
第４図は制御回路８におけるＴｏｌＪ御プログラムの一
セリを示すプログラム図で横＠はＴｉ−積時間の対数、
縦軸はアンプ１１のゲインであり、ｇνは測光回路出力
、１３Ｆｉ第６図の温度ＴｌにおけるＴｏＩ制御プログ
ラム曲軸、１４は第３ら示温屓Ｔｓにおける湘」御プロ
グラム曲線を示す。
セリを示すプログラム図で横＠はＴｉ−積時間の対数、
縦軸はアンプ１１のゲインであり、ｇνは測光回路出力
、１３Ｆｉ第６図の温度ＴｌにおけるＴｏＩ制御プログ
ラム曲軸、１４は第３ら示温屓Ｔｓにおける湘」御プロ
グラム曲線を示す。
本発明では第４図示の如＜、ＦＪｙの増大に伴って単に
蓄積時間ＴＩＮＴを増大する制御を行なうのではなく、
アンプゲインをも変化させる事により常に良好な８／Ｖ
特性を得る事ができる。
蓄積時間ＴＩＮＴを増大する制御を行なうのではなく、
アンプゲインをも変化させる事により常に良好な８／Ｖ
特性を得る事ができる。
更に又、本発明で社所足の蓄積時間ＴＩＮＴＯ迄は蓄積
時間を制御し、これを越えると蓄積時間を−１にしアン
プゲインのみを制御する様構成して−・るのでプログラ
ムか非常に単純化され制御回路の構成が容易となる利点
もある。又、本発明では前記蓄積時間ＴＩＮＴ（１を温
度センサー４の出力により変化させているので常に最適
の画像形成が為されノイズ成分が一定比率以下に抑制さ
れるといつ宜れた効果が得られるものである。
時間を制御し、これを越えると蓄積時間を−１にしアン
プゲインのみを制御する様構成して−・るのでプログラ
ムか非常に単純化され制御回路の構成が容易となる利点
もある。又、本発明では前記蓄積時間ＴＩＮＴ（１を温
度センサー４の出力により変化させているので常に最適
の画像形成が為されノイズ成分が一定比率以下に抑制さ
れるといつ宜れた効果が得られるものである。
尚、変換回路出力としてのＴＩＮＴＯ慣釦は例えば電圧
レベルとして勧」御回路８に入力しても良いし鳳コード
パターンとして入力しても団い。又、制御回路８におけ
る第４図示の如きプログラムノくターンは従来公知の適
宜の方法で形成すれば艮い。ν・」えはパターンジェネ
レータ、ＲＯＭ、ＰＬＡ（フログラマプル・ロジック−
アレイ）等を用いる本により形成し得る。又、プログラ
ムｌｌ１ｍとしては第４図示の如きパターンに限るもの
ではない。
レベルとして勧」御回路８に入力しても良いし鳳コード
パターンとして入力しても団い。又、制御回路８におけ
る第４図示の如きプログラムノくターンは従来公知の適
宜の方法で形成すれば艮い。ν・」えはパターンジェネ
レータ、ＲＯＭ、ＰＬＡ（フログラマプル・ロジック−
アレイ）等を用いる本により形成し得る。又、プログラ
ムｌｌ１ｍとしては第４図示の如きパターンに限るもの
ではない。
又、撮像素子としてはＣＯＤだけでな（ＢＢＬ）ヤＭ
０８であっても良いのは当然である。
０８であっても良いのは当然である。
又、本発明の撮影装置性イメージセンサだけでなく、測
距用の２インセンサ等にも充分適用可ｂ′＃：。
距用の２インセンサ等にも充分適用可ｂ′＃：。
であり、低温から高温に到る迄あらゆる温度条件におい
て優れた８／Ｎ特性を得る事ができる。
て優れた８／Ｎ特性を得る事ができる。
又、低輝度の被写体に対して必要以上に蓄積時間を延ば
さな（て良いから撮像装置の振動等による−面振れが生
じ難い。
さな（て良いから撮像装置の振動等による−面振れが生
じ難い。
従って本発明の撮像装置をカメラとして利用した場合に
特にその効果は大きい。
特にその効果は大きい。
ＭＩ図は一般的撮像水子のル今の蓄積時間依存性を示す
模式１、第２１社本発明の構成の一例を示すブロック内
、第３図Ｆｉ第２図示変換回路５の変換特性図、第４図
は被写体輝度と蓄積時間及び出力ゲイン空間におけるプ
ログラム繕出曲籾の一例を示す図、 ４・・・・の温屓検出手段、５・拳・・・変換回路、６
・・・・・被写体輝屓検出手段、７・・・・・＃１元回
路、８・００駆動制御回路、９・・・・・撮像スタート
スイッチ、１０・・・拳・撮ｇＩ！素子、１１・・・・
・出力アンプ。 酔出麩 キャノン株式会社 、ｉ９２丁ＩＮＴＯＪ４丁ＩＮｒ
模式１、第２１社本発明の構成の一例を示すブロック内
、第３図Ｆｉ第２図示変換回路５の変換特性図、第４図
は被写体輝度と蓄積時間及び出力ゲイン空間におけるプ
ログラム繕出曲籾の一例を示す図、 ４・・・・の温屓検出手段、５・拳・・・変換回路、６
・・・・・被写体輝屓検出手段、７・・・・・＃１元回
路、８・００駆動制御回路、９・・・・・撮像スタート
スイッチ、１０・・・拳・撮ｇＩ！素子、１１・・・・
・出力アンプ。 酔出麩 キャノン株式会社 、ｉ９２丁ＩＮＴＯＪ４丁ＩＮｒ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） ｋ度検出手段と、該温度検出手段により得られ
た温度情報に基づき撮ｉ＆素子における画像蓄積時間を
制御する蓄積時間制御手段とを有する撮像装置。 Ｑ）前記蓄積時間制御手段は創１温に検出手段の出力に
より撮像素子における画像蓄積時間の上限を制御される
ものである事を特徴とする特許紬求の範囲第（１）項記
載の撮像装置。 （３） ｍ像素子における画像蓄積時間と該撮像素子出
力の増巾率との間に所定の相関々係を設疋し、被写体輝
屓及び前記相関々係に基づき該撮１＃！素子を制御する
様為した撮像装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56205782A JPS58106968A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 撮像装置 |
| US06/815,793 US4635126A (en) | 1981-12-18 | 1986-01-03 | Image pick-up system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56205782A JPS58106968A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58106968A true JPS58106968A (ja) | 1983-06-25 |
Family
ID=16512577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56205782A Pending JPS58106968A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58106968A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6035883A (ja) * | 1983-08-05 | 1985-02-23 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 電子スチルカメラ |
| FR2552289A1 (fr) * | 1983-09-16 | 1985-03-22 | Rca Corp | Camera de television avec imageur a semi-conducteurs |
| JPS6062784A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-10 | Toshiba Corp | 電子カメラにおける撮像方式 |
| FR2571197A1 (fr) * | 1984-09-28 | 1986-04-04 | Rca Corp | Camera a imageur a semi-conducteurs avec controle de refroidissement |
| US6181219B1 (en) | 1998-12-02 | 2001-01-30 | Teradyne, Inc. | Printed circuit board and method for fabricating such board |
| US7999192B2 (en) | 2007-03-14 | 2011-08-16 | Amphenol Corporation | Adjacent plated through holes with staggered couplings for crosstalk reduction in high speed printed circuit boards |
-
1981
- 1981-12-18 JP JP56205782A patent/JPS58106968A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6035883A (ja) * | 1983-08-05 | 1985-02-23 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 電子スチルカメラ |
| FR2552289A1 (fr) * | 1983-09-16 | 1985-03-22 | Rca Corp | Camera de television avec imageur a semi-conducteurs |
| JPS6062784A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-10 | Toshiba Corp | 電子カメラにおける撮像方式 |
| FR2571197A1 (fr) * | 1984-09-28 | 1986-04-04 | Rca Corp | Camera a imageur a semi-conducteurs avec controle de refroidissement |
| US6181219B1 (en) | 1998-12-02 | 2001-01-30 | Teradyne, Inc. | Printed circuit board and method for fabricating such board |
| US7999192B2 (en) | 2007-03-14 | 2011-08-16 | Amphenol Corporation | Adjacent plated through holes with staggered couplings for crosstalk reduction in high speed printed circuit boards |
| US8481866B2 (en) | 2007-03-14 | 2013-07-09 | Amphenol Corporation | Adjacent plated through holes with staggered couplings for crosstalk reduction in high speed printed circuit boards |
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