JPS58106880A - ジョセフソン回路装置の冷却方法 - Google Patents

ジョセフソン回路装置の冷却方法

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JPS58106880A
JPS58106880A JP56203730A JP20373081A JPS58106880A JP S58106880 A JPS58106880 A JP S58106880A JP 56203730 A JP56203730 A JP 56203730A JP 20373081 A JP20373081 A JP 20373081A JP S58106880 A JPS58106880 A JP S58106880A
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temperature
chip
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cooling
superconducting transition
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Junshi Asano
浅野 純志
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/10Junction-based devices
    • H10N60/12Josephson-effect devices

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  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
  • Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、超電導回路装置およびその冷却方法に係シ、
特にジョセフソン回路への良好な磁気シールドを実現す
ることの可能な回路装置及びその冷却方法に関する。
現在精力的に研究が進められているジョセ7ンン回路チ
シ゛プは、磁気シールド用グランドプレーンにNb材料
(超電導遷移温度約9.2 ’K )を用いその上にp
b合金配線(超電導遷移温度約7.2駒で構成し九ジョ
セフソン回路を設ける構成を取る。
pb金合金配線材料とする理由は、ジョセフソン接合金
安定に作製する上で、厚さ数十人の酸化絶縁膜形成が容
易であるからでるる。またグランドプレーン材料にNb
を湯沢した理由は、滑らかな表面を有する化学的に安定
な超電導材料を必要とした事実に基づく。
このように構成されたチップを液体ヘリウム中に設置し
ジョセフソン回路の特性評価を行なったところ、しばし
ば回路が誤動作を起こすことがわかった。原因を追求し
たところ、誤動作の原因の一つはジョセフソン回路にト
ラップされ九永久電流にあることが判明した。チップを
予め軟磁性体で覆っておくと誤動作の割合は減少する。
しかし完全ではない。
諸実験の結果、チップの冷却方法の改善が誤動作防止に
大きな効果かめることがわかつ九。前記サンプルを用い
た例では、先づNbグランドプレーンの超電導遷移源゛
度以下、Pb合金の超電導遷移温度以上にチップ温度を
設定し、Nbグランドプレーンが超電導状態になること
を確定した後、さらに温度を下げる冷却方法を取ると良
いことがわかった。
本発明はこの新規に発見された事実をもとに成されたも
ので、誤動作の生じる割合を容易に低くできる回路装置
の構成、およびその冷却方法を提供することを目的とす
る。
以下本発明を実施例により説明する。
第1図は本発明の1実施例のチップ断面構造を示し、グ
ランドプレーン2、ペース電極3、カウンタ電極6、コ
ントロール電極5をこの順に積層している。lはBi基
板、6は840.絶縁膜でるる。この上にNb、S n
膜2t−反応性スパッタ法により1μm形成し、これを
磁気シールド用グランドプレーンとした。Nb3Snの
超電導遷移温度は約18Xでめった。この上にStO,
絶縁膜6會介してpb−4u−工nべ一、x、電極3、
Pb−B1カウンタ電極4% Pb−A11−Inコン
トロール電極5を形成した。ジョセフソン回路を構成す
るPb合金の超電導遷移温度は約71でめった。
このチツ゛プを冷却する装置を第2図に示す。チップは
チップホルダー15上に設置されデユワ11内に挿入さ
れる。初期段階では、チップは液体ヘリウム12の液面
上にるる、チップホルダーはロッド13に固定されてお
り、このロッドはモータ14により上下に移動可能でお
る。サンプルホルダー上のサンプル近傍には温度センサ
15、ヒータ16が設けられている。温度センサの入力
は、温度読み取り装置19に入り、温度情報が冷却コン
トロー220に移送される。冷却コントローラには、冷
却過程のシーケンスが予めプログラムさnており、この
プログラムに従ってヒータ16、真空ポンプ18、ロッ
ド駆動モータ14を動作する。
W2B図は本実施例における冷却過程のシーケンスを示
すもので、横軸は時間、縦軸は温度を示す。
本実施例では図中ABCDの冷却過程をとり、BCの過
程で10′Kにて10分間予備冷却を行なった後、装置
使用温度の4.21にまで冷却し九。この予備冷却によ
りNb、Snより成るグランドプレ/が完全に超電導状
態に遷移し、その後ジョセフソン回路を構成するPb合
金が超電導状態に遷移することになる。ぐのような冷却
方法により、永久電流がトラップさnたことに起因する
と思われる誤動作の発生割合が従来ABC’ Dのよう
に冷却した場合に比べ1000分の1程度に減少した。
また他の実施例では、ジョセフソン回路をNbで作製し
、チップのグランドプレンvNbm8nで作製して非常
に良好な結果を得た。一般に磁気シールド材料のTCが
回路のそnより3’に以上高いと、予備冷却を簡便に行
なえる。
以上述べた実施的はいずれもジョセフソン回路が形成さ
れた回路チップに関するものでめったが、この回路チッ
プを複数個マウントしたモジュール基板、もしくはこの
モジュール基板を保持するプラッタ基板、さらに以上に
述べたモジュール基板、プラッタ基板より成る回路装置
全体をシールドする筐体まで含めたものなど、種々の範
囲の回路装置に本発明を適用できる。
このような実施例を第4図にて説明する。
図においてチップは21であり、本チップは第1図と同
構造を有する。22はモジュール基板であり、Nb板(
5μm膜厚)のシールド板を有する。23はプラッタ基
板であり、これもNb板(5μm膜厚)のシールド板を
有する。筐体24は、膜厚50μmのNbシールド板と
膜厚l■のパーマロイ板をはシ合わせ九構造τある。
不装置t−10Wの予備冷却t′lo分、7.5″にの
予備冷却t−5分実施した後、液体Heに浸漬した。
この結果、誤動作発生の割合いは、前実施例の場合と較
べてさらに減少し、シールド効果が不充分な九め、に発
生する誤動作は観測されなかった一本発明の別の実施例
では、主要ジョセフソン回路部をpb金合金Nbで作製
し、これt−M、oRe層をコートしたモジュール板に
設置した。MOReの臨界超電導源[は151である。
予備冷却を111で行なったところ、良好な結果を得た
本発明によれば、永久電流によるジョセフソン回路の誤
動作を防止できるので、安定に動作するジョセフソン回
路実現に多大な効果かめる。
なお、良好な結果を得九回路装置の構成材料を上記した
実施例の順に我にすると表1のようになる。
表    1
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の実施例のジョセフソン回路チップの
断面図、第2図は、上記実施例の冷却装置、第3図は上
記実施例の冷却過程を示すタイムチャート、篤4図は他
の実施Plt−示す斜視図でめる。 1−8轟基板、2−Nb、8nグラ/ドプレン、3・・
・ベース電極、4・・・カウンター電極、5・・・コン
トロール電極、6・・・StO,絶縁膜、lO・・・サ
ンプルホルダ、11・・・デエワー、12・・・液体ヘ
リウム、13・・・ロッド、14・・・モータ、15・
・・温度センサ、16・・・ヒータ、18・・・真空ポ
ンプ、19・・・温度読取り装置、20・・・コントロ
ーラ、21・・・ジョセフン/チップ、22・・・モジ
ュール基板、23・・・プラ¥51 図 12図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、第1の超電導体より成るグランドプレーンを含む基
    板と、該基板上にジョセフソン回路を形成する第2の超
    電導体を含むものにおいて、該第1の超電導体の超電導
    遷移温度は該第2の超電導体の超電導遷移温度より高く
    、かつ該第1゜第2の超電導体の超電導遷移温度の中間
    の温度とされた後に該第2の超電導遷移温度以下の温度
    とさnて用いられるジョセフソン回路装置。 2、特許請求の範囲jI1項記載の第1#第2の超電導
    遷移温度の間に31以上の差がめることを特徴とするジ
    ョセフソン回路装置。 3、特許請求の範囲第1項記載のジョセフソン回路装置
    において、前記基板および前記ジョセフソン回路を含む
    回路チップをさらにシールドする第3の超電導体より成
    るシールド手段を有し、該第3の超電導体の超電導遷移
    温度は前記第2の超電導体の超電導遷移温度より高いこ
    とを特徴とするジョセフソン回路装置。
JP56203730A 1981-12-18 1981-12-18 ジョセフソン回路装置の冷却方法 Granted JPS58106880A (ja)

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JPH0359589B2 JPH0359589B2 (ja) 1991-09-11

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59172297A (ja) * 1983-03-19 1984-09-28 株式会社トーキン 低温および極低温用磁気シ−ルド装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5350986A (en) * 1976-10-20 1978-05-09 Fujitsu Ltd Josephson integrated circuit by multilayer structure

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JPH0365680B2 (ja) * 1983-03-19 1991-10-14

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