JPS58105694A - 音響変換器用振動板 - Google Patents
音響変換器用振動板Info
- Publication number
- JPS58105694A JPS58105694A JP20459281A JP20459281A JPS58105694A JP S58105694 A JPS58105694 A JP S58105694A JP 20459281 A JP20459281 A JP 20459281A JP 20459281 A JP20459281 A JP 20459281A JP S58105694 A JPS58105694 A JP S58105694A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diaphragm
- substrate
- film
- manufacturing
- solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R7/00—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones
- H04R7/02—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones characterised by the construction
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は音響賛換器用振動板、特に金属又は合成樹脂
を用いた振動板の改良とその製造方法に関する。
を用いた振動板の改良とその製造方法に関する。
この発明を音響変換器用振動板、たとえはスヒーカー用
振動板について説明すると、従来のスピーガー用振動板
において特に中高音用スヒーカーの振切板材料として、
金属、又は比較的ヤング率の大きい合成樹脂が用いられ
ており、史にはこれらの材料を基体としその表面に他の
金属又は合欧樹脂等を積層した振動板が現出している。
振動板について説明すると、従来のスピーガー用振動板
において特に中高音用スヒーカーの振切板材料として、
金属、又は比較的ヤング率の大きい合成樹脂が用いられ
ており、史にはこれらの材料を基体としその表面に他の
金属又は合欧樹脂等を積層した振動板が現出している。
このような積層構造を採用する理由はヲvJ板の剛性を
向上せしめる、基体が空気中において腐食しやすめ材料
の場合はその保護をする、基体と積層体の物理的性質を
組み合わせて、振1板として要求きれる特性を得ること
等によるものである。
向上せしめる、基体が空気中において腐食しやすめ材料
の場合はその保護をする、基体と積層体の物理的性質を
組み合わせて、振1板として要求きれる特性を得ること
等によるものである。
しかるに、従来のこのような振動板においては所望する
緒特性を得られないばかりでなく、積層手段に真空蒸着
やスパッタリング等の比較的高価な装置で、かつ長時間
の処理を必要とするため、製品コストの上昇を照いてい
た。
緒特性を得られないばかりでなく、積層手段に真空蒸着
やスパッタリング等の比較的高価な装置で、かつ長時間
の処理を必要とするため、製品コストの上昇を照いてい
た。
この発明は前記#j層体として、比較的低密度(−2,
19?AI ) ティング率の大きイ(E = 7.4
×101ON力)2酸化ケイ素(SiO2)を選定し、
振動板の特性を改善するとともに、前記5i02の被膜
を極めて簡便に形成することかできる製造方法にであっ
て以下詳細に説明する。
19?AI ) ティング率の大きイ(E = 7.4
×101ON力)2酸化ケイ素(SiO2)を選定し、
振動板の特性を改善するとともに、前記5i02の被膜
を極めて簡便に形成することかできる製造方法にであっ
て以下詳細に説明する。
〔実施例1〕
ドーム状に成形した20μm厚のAt振動板基体をその
表面清浄を行うために50°Cに保温したNa OH(
t/l )液中に3分間浸漬し、基体表面の脱脂及び酸
化物の除去を行った後、水洗し、HCtの5 f/を希
釈液中に浸漬して中和を行い、更に水洗いを行った後基
体表面の水分を除去するためC2H50H液に浸漬した
。
表面清浄を行うために50°Cに保温したNa OH(
t/l )液中に3分間浸漬し、基体表面の脱脂及び酸
化物の除去を行った後、水洗し、HCtの5 f/を希
釈液中に浸漬して中和を行い、更に水洗いを行った後基
体表面の水分を除去するためC2H50H液に浸漬した
。
次に、I’RO−)で示されるアルコキシルとケイ素と
の化合物であるアルコキシドの一種であるテトラエトキ
シラン(Si(OC2H5)4:前述のRがアルキル基
の一種であるエチル基である):52fと、加水分解を
行うためのH2O:10.9fn!、、PH調整用にH
C/−ニア、1ml、溶剤としてC2H50H:50−
の混合溶液(以下テトラエトキシランのアルコール溶液
と記す)を調整後24hr放置して微小のゲル化を呈し
て粘性を呈する前記テトラエトキシランのアルコール溶
液中に前記処理を行なった基体を浸漬して引き上げ、余
剰の溶液を滴下して除去し、基体の7ランジ部分を支持
することにより水平支持して約96hr常湛で放置し、
前記テトラエトキシランのアルコール溶液をゲル化せし
めた。
の化合物であるアルコキシドの一種であるテトラエトキ
シラン(Si(OC2H5)4:前述のRがアルキル基
の一種であるエチル基である):52fと、加水分解を
行うためのH2O:10.9fn!、、PH調整用にH
C/−ニア、1ml、溶剤としてC2H50H:50−
の混合溶液(以下テトラエトキシランのアルコール溶液
と記す)を調整後24hr放置して微小のゲル化を呈し
て粘性を呈する前記テトラエトキシランのアルコール溶
液中に前記処理を行なった基体を浸漬して引き上げ、余
剰の溶液を滴下して除去し、基体の7ランジ部分を支持
することにより水平支持して約96hr常湛で放置し、
前記テトラエトキシランのアルコール溶液をゲル化せし
めた。
次に、空気中で常温から約15℃/hr の割合で4
50℃に昇温し、当該温度で約12hr加熱したその後
約45℃/hrの割合で冷却し、基体の両面にそれぞれ
6μm厚のSi Q 2皮膜を形成した。
50℃に昇温し、当該温度で約12hr加熱したその後
約45℃/hrの割合で冷却し、基体の両面にそれぞれ
6μm厚のSi Q 2皮膜を形成した。
〔実施例2〕
ドーム状に成形した20μm厚のM2合金(At: 6
wt%、Zn: 1wt4、残部:M2)振11板基体
をその表面清浄を行うために汎0℃に保温したNa O
H(/L )液中にS分間浸漬し、基体表面の脱脂及び
水酸化物等の除去を行なった後、gwtチのHF水溶液
に浸漬し、水洗い後風乾した。
wt%、Zn: 1wt4、残部:M2)振11板基体
をその表面清浄を行うために汎0℃に保温したNa O
H(/L )液中にS分間浸漬し、基体表面の脱脂及び
水酸化物等の除去を行なった後、gwtチのHF水溶液
に浸漬し、水洗い後風乾した。
次に当該処理を施した基体を未硬化芳香族ポリイミド樹
脂のメチルエチルケトン(又はトルエン等の有機溶剤)
溶液(15wt%)中に浸漬し、引き上げ、余剰の溶液
を滴下して除去した後、約60〜80℃の熱風で乾燥し
、更に150℃で30分間加熱して芳香族ポリイミド樹
1旨を硬化せしめた。
脂のメチルエチルケトン(又はトルエン等の有機溶剤)
溶液(15wt%)中に浸漬し、引き上げ、余剰の溶液
を滴下して除去した後、約60〜80℃の熱風で乾燥し
、更に150℃で30分間加熱して芳香族ポリイミド樹
1旨を硬化せしめた。
上記処理により基体の両面に35μmの芳香族ポリイミ
ド樹脂皮膜が形成された。
ド樹脂皮膜が形成された。
次に実施例1と同様のテトラエトキシランのアルコール
溶液中に浸漬して、引き上げ余剰の溶液を滴下して除去
し、約96hr常温で放置し、ゲル化せしめた。
溶液中に浸漬して、引き上げ余剰の溶液を滴下して除去
し、約96hr常温で放置し、ゲル化せしめた。
当1該処理を施した基体を約10−3Torrの真空中
、又はArガス中等で酸素を遮断した状態で30°C/
hの割合で350℃まで昇温し、当該温度で約17hr
7J]%した仮約50℃/hの割合で常温まで冷却した
。
、又はArガス中等で酸素を遮断した状態で30°C/
hの割合で350℃まで昇温し、当該温度で約17hr
7J]%した仮約50℃/hの割合で常温まで冷却した
。
当該処理により基体の両面にそれぞわ35μm厚の芳香
族ポリイミドm脂と4μ哨厚のSi Q 2皮膜が形成
きれた。
族ポリイミドm脂と4μ哨厚のSi Q 2皮膜が形成
きれた。
〔実施例3〕
半硬化の芳香族ポリイミド樹脂フィルムを加熱プレス成
形により20μm厚のドーム状基体を得、その両側をサ
ンドブラストにより粗面化した後トリクレンで洗浄して
表面の付着物を除去した後、実施例1と同様のテトラエ
トキシランのアルコール溶液に浸漬して引き上げ、余剰
の溶液を滴下して除去した。
形により20μm厚のドーム状基体を得、その両側をサ
ンドブラストにより粗面化した後トリクレンで洗浄して
表面の付着物を除去した後、実施例1と同様のテトラエ
トキシランのアルコール溶液に浸漬して引き上げ、余剰
の溶液を滴下して除去した。
次に約96hr常温で放置し、@記溶液をゲル化した後
、約20℃/hrの割合で約350℃まで昇温し、当該
温度で約15hr加熱した後、約45′c/hrの割合
で常温まで冷却する。
、約20℃/hrの割合で約350℃まで昇温し、当該
温度で約15hr加熱した後、約45′c/hrの割合
で常温まで冷却する。
この処理πよって基体の両面にそれぞれ5μm厚のSi
Q 2皮膜が形成された。
Q 2皮膜が形成された。
上記テトラエトキシランのアルコール溶液によるS i
Q 2の生成は次の化学式によって行なわれる。
Q 2の生成は次の化学式によって行なわれる。
n5i(OC2H5)4+4 H2O−+ n5i(O
H)4+4nC2H50Hnsi(OH)4−+nSi
O2+ 2nH20前記エチル基C2H5の代りにメチ
ル基CH3を有縁 するテトラメトキシランでも同様の反応が待り、S i
02皮膜を生成することができる。
H)4+4nC2H50Hnsi(OH)4−+nSi
O2+ 2nH20前記エチル基C2H5の代りにメチ
ル基CH3を有縁 するテトラメトキシランでも同様の反応が待り、S i
02皮膜を生成することができる。
次に上記実施例1乃至3により得られた振動板と処理前
の振1板のみかけ密度、ヤング率及び比弾性率を測定し
て比奴すると次表のど七き結果が得られた。
の振1板のみかけ密度、ヤング率及び比弾性率を測定し
て比奴すると次表のど七き結果が得られた。
このように、この発明によって得られた振動板は金楕又
は合1’f樹脂の表面を被覆したS i02皮嗅によっ
て、振動板として良好なる特性を得ることができた。
は合1’f樹脂の表面を被覆したS i02皮嗅によっ
て、振動板として良好なる特性を得ることができた。
すなわち実施例1ではみかけ密度、ヤング率と又実施例
2では、M?合金に比べてS i02のlf!il&が
若干大きい為みかけ密度が大きくなるがヤング率の上昇
が太いので、その結果比弾性率は著しく増大する。
2では、M?合金に比べてS i02のlf!il&が
若干大きい為みかけ密度が大きくなるがヤング率の上昇
が太いので、その結果比弾性率は著しく増大する。
更に実施例3においても同様で特に比弾性率は約2倍返
にも達する。
にも達する。
次に、本発明の振動板を用いたスピーカーの周波数特性
を第1− a〜第1−c図に示す。
を第1− a〜第1−c図に示す。
第1−a図において1は実施例1の振動板、2はAt振
動板、第2−b図において3は実施例2の振動板、4は
M2合金振動板、第2−c図において5は実施例3の振
動板、6は芳香族ポリイミド樹脂振動板をそれぞれ具備
したスピーカーの周波数特性である。
動板、第2−b図において3は実施例2の振動板、4は
M2合金振動板、第2−c図において5は実施例3の振
動板、6は芳香族ポリイミド樹脂振動板をそれぞれ具備
したスピーカーの周波数特性である。
図から明らかなように、本発明の振動板を具備したスピ
ーカーは、高域限界量波数が上昇し、再生帯域の拡大を
計ることができた。
ーカーは、高域限界量波数が上昇し、再生帯域の拡大を
計ることができた。
従来このような金属等に他の材料を被覆する手段として
は、真空蒸着やスパッタリング等の物理的処理技術が多
用されているが、このような方法では装置価格が極めて
高い上に、基体表面に必要な厚さの被膜を形成すること
に長時トml必要としたり、又困難な場合が多い。更に
は基体の両面を同時に処理できない欠点を有する。
は、真空蒸着やスパッタリング等の物理的処理技術が多
用されているが、このような方法では装置価格が極めて
高い上に、基体表面に必要な厚さの被膜を形成すること
に長時トml必要としたり、又困難な場合が多い。更に
は基体の両面を同時に処理できない欠点を有する。
しかるに、この発明の製造方法は化学的表面処理技術を
用いているため、特種な装置を必要とせず、極めて簡便
に所望の振動板な得ることができる。
用いているため、特種な装置を必要とせず、極めて簡便
に所望の振動板な得ることができる。
すなわち、本発明による振動板はケイ素とアルコキシル
(RO−)との化合物(Si(OR)X但し、Rはアル
キル基)のアルコール溶液を基体表面にコーテングし、
これをゲル化した後、加熱する時に生成することができ
るので大量生産に極めて適する製造方法である。
(RO−)との化合物(Si(OR)X但し、Rはアル
キル基)のアルコール溶液を基体表面にコーテングし、
これをゲル化した後、加熱する時に生成することができ
るので大量生産に極めて適する製造方法である。
なお、実施例2において、芳香族ポリイミド樹脂を介し
て5i02を形成したか°、これは基体と5i02の熱
膨張によるS i02のひび割れの地検性を防止す0 るものであり、必ず必要であるというものでもない。
て5i02を形成したか°、これは基体と5i02の熱
膨張によるS i02のひび割れの地検性を防止す0 るものであり、必ず必要であるというものでもない。
又真空中又はAr中で加熱する理由はM1合金が特に酸
化きれやすい金縞であるので空気中の酸素を遮断するた
めであり、他の金属では必ずしも必要とするものではな
い。
化きれやすい金縞であるので空気中の酸素を遮断するた
めであり、他の金属では必ずしも必要とするものではな
い。
の周波数特性図である。
←轢沙5 ←−吋桟
8
二
□帯民放へ3
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 金輌叉は合成樹脂を基体とし、その表面に510
2の被膜を形成したことを特徴とするスピーカー用振−
1板。 2 金属又は合11旨を所定の振動板形状に成形する工
程と、当該工程により得られた振動板基体表面を清浄す
る工程と、前記工程により表面に付着した不純物を除去
した振動板基体の表面にケイ素−アルコキシル化合物(
S i (OR) n但しRはアルキル基)のアルコー
ル溶液をコーテングする工程と、前記ケイ素−アルコキ
シル化合物をゲル化する工程と、更に加熱することによ
り振動板基体表面にSi Q 2皮膜を形成する工程と
よりなることを特徴とする音W変換器用振動板の製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20459281A JPS58105694A (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | 音響変換器用振動板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20459281A JPS58105694A (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | 音響変換器用振動板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58105694A true JPS58105694A (ja) | 1983-06-23 |
JPH035720B2 JPH035720B2 (ja) | 1991-01-28 |
Family
ID=16493015
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20459281A Granted JPS58105694A (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | 音響変換器用振動板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58105694A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5072806A (en) * | 1988-11-25 | 1991-12-17 | Mitsubishi Pencil Co., Ltd. | Diaphragm for acoustic equipment |
JP2010034742A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Kazuo Uejima | 電気音響変換ユニット及び電気音響変換装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5638472A (en) * | 1979-09-06 | 1981-04-13 | Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki | Formation of silica coating |
JPS56109096A (en) * | 1980-02-01 | 1981-08-29 | Nippon Gakki Seizo Kk | Diaphragm plate for audio equipment |
-
1981
- 1981-12-17 JP JP20459281A patent/JPS58105694A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5638472A (en) * | 1979-09-06 | 1981-04-13 | Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki | Formation of silica coating |
JPS56109096A (en) * | 1980-02-01 | 1981-08-29 | Nippon Gakki Seizo Kk | Diaphragm plate for audio equipment |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5072806A (en) * | 1988-11-25 | 1991-12-17 | Mitsubishi Pencil Co., Ltd. | Diaphragm for acoustic equipment |
JP2010034742A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Kazuo Uejima | 電気音響変換ユニット及び電気音響変換装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH035720B2 (ja) | 1991-01-28 |
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