JPS58105432A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS58105432A JPS58105432A JP19000181A JP19000181A JPS58105432A JP S58105432 A JPS58105432 A JP S58105432A JP 19000181 A JP19000181 A JP 19000181A JP 19000181 A JP19000181 A JP 19000181A JP S58105432 A JPS58105432 A JP S58105432A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- recording medium
- magnetic recording
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気記録媒体の製造方法に関する。
短波長記録特性の優れた磁気記録方式として、垂直記録
方式がある。この方式においては磁気記録媒体の膜面に
垂直方向が磁化容萬軸である垂直記録媒体が必要となる
。このような磁気記録媒体に信号を記録すると、残留磁
化は媒体の膜面に垂直方向を向き、従って信号が短波長
になる程媒体内反磁界は減少し、優れた再生出力が得ら
れる。
方式がある。この方式においては磁気記録媒体の膜面に
垂直方向が磁化容萬軸である垂直記録媒体が必要となる
。このような磁気記録媒体に信号を記録すると、残留磁
化は媒体の膜面に垂直方向を向き、従って信号が短波長
になる程媒体内反磁界は減少し、優れた再生出力が得ら
れる。
現在用いられている垂直記録媒体は、非磁性基板上に直
接に、あるいはパーマロイ等の軟磁性薄膜を介して、Ｇ
ｏとＯｒを主成分とし、垂直方向に磁化容易軸を有する
磁性層をスパッタリング法により形成したものである。
接に、あるいはパーマロイ等の軟磁性薄膜を介して、Ｇ
ｏとＯｒを主成分とし、垂直方向に磁化容易軸を有する
磁性層をスパッタリング法により形成したものである。
ＣＯとｃｒを主成分としたスパッタ膜は、Ｃｒの量が約
３０重量％以下の範囲では結晶系が稠密六方構造であり
、そのＣ軸を膜面に対して垂直方向に配向させることが
でき、かつ垂直方向の異方性磁界が反磁界よりも大きく
なるまで飽和磁化を低下させることが可能であるので、
垂直磁化膜を実現できる。
３０重量％以下の範囲では結晶系が稠密六方構造であり
、そのＣ軸を膜面に対して垂直方向に配向させることが
でき、かつ垂直方向の異方性磁界が反磁界よりも大きく
なるまで飽和磁化を低下させることが可能であるので、
垂直磁化膜を実現できる。
しかし、スパッタリング法によれば磁性薄膜の形成速度
が遅いので、低コストで垂直磁化膜を生産することが困
難である。
が遅いので、低コストで垂直磁化膜を生産することが困
難である。
このスパッタリング法に対し、真空蒸着法（イオンブレ
ーティング法のように蒸発原子の一部をイオン化する方
法も含む）によれば、数１０００Ｌ秒という速い形成速
度でｃｏ−ｃｒ垂直磁化膜が得られることが発明者によ
シ見い出された。真空蒸着法においては、基板を円筒状
キャンの周側面に沿って移動させつつ、薄膜の形成を行
なうと、テープ状の垂直記録媒体が非常に生産性よく得
られる。
ーティング法のように蒸発原子の一部をイオン化する方
法も含む）によれば、数１０００Ｌ秒という速い形成速
度でｃｏ−ｃｒ垂直磁化膜が得られることが発明者によ
シ見い出された。真空蒸着法においては、基板を円筒状
キャンの周側面に沿って移動させつつ、薄膜の形成を行
なうと、テープ状の垂直記録媒体が非常に生産性よく得
られる。
第１図にこのような真空蒸着装置の内部構造の概略を示
す。高分子材料よりなる基板１は円筒状キャン２に沿っ
て矢印ムの向きに走行する。蒸着源３と円筒状キャン２
との間にはマスク４が配置されておシ、蒸発原子はスリ
ットＳを通って基板１に付着する。６，６はそれぞれ基
板１の供給ロールと巻取りロールである。
す。高分子材料よりなる基板１は円筒状キャン２に沿っ
て矢印ムの向きに走行する。蒸着源３と円筒状キャン２
との間にはマスク４が配置されておシ、蒸発原子はスリ
ットＳを通って基板１に付着する。６，６はそれぞれ基
板１の供給ロールと巻取りロールである。
ｃｏ −Ｏｒ蒸着膜が垂直磁化膜になるためには、稠密
六方構造のＣ軸が膜面に垂直方向に配向し、垂直方向の
異方性磁界が反磁界よりも大きくなることが必要である
。すなわち、垂直異方性エネルギーＫｕ が正になるこ
とが必要である。実験の結果、Ｋｕは蒸着時の基板温度
Ｔｇに依存し、さらに膜面に垂直方向Ｑ保磁力（以下単
にＨａ で表わになうた。
六方構造のＣ軸が膜面に垂直方向に配向し、垂直方向の
異方性磁界が反磁界よりも大きくなることが必要である
。すなわち、垂直異方性エネルギーＫｕ が正になるこ
とが必要である。実験の結果、Ｋｕは蒸着時の基板温度
Ｔｇに依存し、さらに膜面に垂直方向Ｑ保磁力（以下単
にＨａ で表わになうた。
第２図に蒸着時の基板温度Ｔｌｌ とＩＣｕ、 Ｈａと
の関係を示す。図の曲線ムはＫｕとＴｓとの関係を、ま
た曲線ＢはＨａとＴｓとの関係をそれぞれ示す。
の関係を示す。図の曲線ムはＫｕとＴｓとの関係を、ま
た曲線ＢはＨａとＴｓとの関係をそれぞれ示す。
これからＫｕ、ＨＯはいずれもＴＩが高くなると大きく
なることがわかる。
なることがわかる。
第１図の装置を用いてＣｏ−ｃｒ垂直磁化膜を作製する
と、幅方向および長さ方向に特性がばらつき安定な膜が
得られなかった。この原因を調べた結果、基板のキャン
への密着が均一でなく、基板にキャンと密着している部
分と、そうでない部分ができるために、特性のばらつき
が生じることが明らかになった。すなわち、第５図に示
したように、基板１の、キャン２に密着した部分７とキ
ャン２から浮いている部分８とが形成される。蒸着時に
密着部分７については熱がキャン２に拡散するために、
基板２の温度はあまシ上昇しないが、浮いている部分８
では熱が拡散できないために、基板２の温度が上昇する
。その結果、密着部分７のＫｕおよびＨａは浮いている
部分８よシも大きな値となる。
と、幅方向および長さ方向に特性がばらつき安定な膜が
得られなかった。この原因を調べた結果、基板のキャン
への密着が均一でなく、基板にキャンと密着している部
分と、そうでない部分ができるために、特性のばらつき
が生じることが明らかになった。すなわち、第５図に示
したように、基板１の、キャン２に密着した部分７とキ
ャン２から浮いている部分８とが形成される。蒸着時に
密着部分７については熱がキャン２に拡散するために、
基板２の温度はあまシ上昇しないが、浮いている部分８
では熱が拡散できないために、基板２の温度が上昇する
。その結果、密着部分７のＫｕおよびＨａは浮いている
部分８よシも大きな値となる。
本発明は高分子材料よシなる基板のキャンへの密着状態
を均一にすることにより、長手方向および幅方向に特性
のばらつきの少ないＣｏ−０ｒ垂直磁化膜を形成する方
法を提供することを目的とするものである。
を均一にすることにより、長手方向および幅方向に特性
のばらつきの少ないＣｏ−０ｒ垂直磁化膜を形成する方
法を提供することを目的とするものである。
本発明の方法を実施するための装置の基本構成を第４図
に示す。図において、２１は、キャン２２と接する反対
側の表面に導体膜が形成されている、高分子材料よりな
る基板である。金属ローラ２３とキャン２２との間には
電源２４により直流電圧が印加される。金属ローラ２３
に導体膜が接して基板２１が走行するために、導体膜と
キャン２２との間には静電気による引力が発生し、その
ため基板２１はキャン２２に均一に密着する。この状態
でＣｏ−０ｒ膜を形成すると、長手方向および幅方向に
特性のばらつきの少ないＣｏ−０ｒ垂直磁化膜が得られ
る。
に示す。図において、２１は、キャン２２と接する反対
側の表面に導体膜が形成されている、高分子材料よりな
る基板である。金属ローラ２３とキャン２２との間には
電源２４により直流電圧が印加される。金属ローラ２３
に導体膜が接して基板２１が走行するために、導体膜と
キャン２２との間には静電気による引力が発生し、その
ため基板２１はキャン２２に均一に密着する。この状態
でＣｏ−０ｒ膜を形成すると、長手方向および幅方向に
特性のばらつきの少ないＣｏ−０ｒ垂直磁化膜が得られ
る。
なお、図において、２６は蒸発澱、２６はスリブ）、２
７．２８はそれぞれ供給ロール、巻取りロールである。
７．２８はそれぞれ供給ロール、巻取りロールである。
第６図に、金属ローラ２３とキャン２２との間の印加電
圧と、Ｈ６の長手方向の変動との関係の一例を示す。た
だし、Ｈａの長さ１＃Ｉの領域の長手方向における最大
値を［０■ＩＬＸとし、最小値をＨａ ｗｉｎとした場
合に Ｈｃｍａｘ −Ｂａ５ｉｎ Ｈａ■ａＸ をＨａの長手方向の変動と定義する。この図よシ、印加
電圧がＳＯＶ以上になると、Ｈｅの変動が急激に少なく
なっていることがわかる。また、印加電圧が１６０ｖ以
上になると、金属ローラ２２と導体膜が形成された基板
２１との間や、キャン２２と基板２１との間において放
電を生じるために、得られる磁気記録媒体にはピンホー
ルが多数発生する。したがって、印加電圧は３０〜１６
０ｖの範囲内に設定することが好ましい。
圧と、Ｈ６の長手方向の変動との関係の一例を示す。た
だし、Ｈａの長さ１＃Ｉの領域の長手方向における最大
値を［０■ＩＬＸとし、最小値をＨａ ｗｉｎとした場
合に Ｈｃｍａｘ −Ｂａ５ｉｎ Ｈａ■ａＸ をＨａの長手方向の変動と定義する。この図よシ、印加
電圧がＳＯＶ以上になると、Ｈｅの変動が急激に少なく
なっていることがわかる。また、印加電圧が１６０ｖ以
上になると、金属ローラ２２と導体膜が形成された基板
２１との間や、キャン２２と基板２１との間において放
電を生じるために、得られる磁気記録媒体にはピンホー
ルが多数発生する。したがって、印加電圧は３０〜１６
０ｖの範囲内に設定することが好ましい。
以下、本発明の方法の実施例について説明する。
〔実施例１〕
ポリアミド系の耐熱性高分子材料よシなる厚み１０μ重
の基板上に、厚み７００ＸのＣｕ膜を蒸着法によ多形成
し、第４図の装置において、キャンに対して金属ローラ
にｅｏＶの電圧を印加して厚さ１ｅｓｏｏＫのＧｏ −
Ｏｒ膜を蒸着した結果、長手方向および幅方向に特性の
均一なＣｏ−Ｃｊｒ垂直磁化膜が得られた。第６図に上
述のようにして得られた磁気記録媒体の構造を示す。図
において、３１は基板、３２．３３はそれぞれＣｕ膜お
よびＣ０−（ｊｒ垂直磁化膜である。
の基板上に、厚み７００ＸのＣｕ膜を蒸着法によ多形成
し、第４図の装置において、キャンに対して金属ローラ
にｅｏＶの電圧を印加して厚さ１ｅｓｏｏＫのＧｏ −
Ｏｒ膜を蒸着した結果、長手方向および幅方向に特性の
均一なＣｏ−Ｃｊｒ垂直磁化膜が得られた。第６図に上
述のようにして得られた磁気記録媒体の構造を示す。図
において、３１は基板、３２．３３はそれぞれＣｕ膜お
よびＣ０−（ｊｒ垂直磁化膜である。
〔実施例２〕
ポリアミド系の耐熱性高分子材料よりなる厚み１０μ■
の基板上に、厚み１５００にのパーマロイ膜を蒸着法に
よ多形成し、第４図の装置において、キャンに対して金
属ローラにｅｏｖの電圧を印加して厚み１６００ＨのＧ
ｏ−Ｏｒ膜を蒸着した結果、長手方向および幅方向に特
性の均一なＣｏ−０ｒ垂直磁化膜がパーマロイ膜上に得
られた。
の基板上に、厚み１５００にのパーマロイ膜を蒸着法に
よ多形成し、第４図の装置において、キャンに対して金
属ローラにｅｏｖの電圧を印加して厚み１６００ＨのＧ
ｏ−Ｏｒ膜を蒸着した結果、長手方向および幅方向に特
性の均一なＣｏ−０ｒ垂直磁化膜がパーマロイ膜上に得
られた。
以上のように、本発明の方法によれば、一方の面側に導
体膜が形成されている高分子材料よシなせながら、前記
基板の一方の面側に磁化容易軸が膜面に垂直な方向にあ
るＣｏとＯｒを主成分とする、磁性層を真空蒸着法によ
り形成するに際して、前記基板上の導電膜と導電体との
間に電圧を印加するため、前記基板が導電体に均一に接
触する。これによシ、長手方向および幅方向に特性の均
一なＣｏ−０ｒ垂直磁化膜を得ることができる。
体膜が形成されている高分子材料よシなせながら、前記
基板の一方の面側に磁化容易軸が膜面に垂直な方向にあ
るＣｏとＯｒを主成分とする、磁性層を真空蒸着法によ
り形成するに際して、前記基板上の導電膜と導電体との
間に電圧を印加するため、前記基板が導電体に均一に接
触する。これによシ、長手方向および幅方向に特性の均
一なＣｏ−０ｒ垂直磁化膜を得ることができる。
第１図は真空蒸着法により垂直記録媒体を製造するため
の装置の基本的な構成を示す図、第２図はこの装置６に
よって得られた垂直記録媒体の垂直異方性エネルギーＫ
ｕ、垂直方向の保磁力Ｈａと蒸着時の基板温度Ｔｓｓ
との関係を示す図、第３図はこの装置におけるキャンへ
の基板の接触状態を説明するための要部拡大断面図であ
る。第４図は本発明の方法を実施するための装置の構成
の一例を示す図、第６図はこの装置のキャンと基板上の
導電体間に印加した電圧と垂直方向の保磁力Ｈｏの変動
との関係を示す図、第、９図は本発明の方法の実施例に
よシ得られた磁気記録媒体の断面図である。 ２１、・・・・・・高分子材料よりなる基板、２２・・
・・・・キャン屯・２３・・・・・・金属ローラ、２４
・・・・・・電源、２６・・・・・・蒸発源。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｌ 第１図 第２図 嘉１反】１＆丁ｔ （Ｉｔυ 第３図 第４図 園ゴ 手続補正書゛ 昭和６８年 １ 月２Ｓ日 特許庁長官殿 １事件の表示 昭和６６年特許願第１９０００１ 号 ２発明の名称 磁気記録媒体の製造方法 ３補正をする者 事件との関係 特 許 出 願
大佐 所 大阪府門真市大字門真１００６番地名
称 （５８２）松下電器産業株式会社代表者 山
下 俊 彦 ４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 ０） 明細書第３頁第９行の「蒸着源」を「蒸発源」に
補正します。 ＠）同書第６頁第１３行の「印加される。」と「金属ロ
ー２２３」との間に次の文章を挿入します。 「なお印加電圧の極性は図と逆でもよいし、また直流で
はなく交流でもよい。」 （３）同書第６頁第２０行〜第６頁第１行の「スリット
」を「マスク」に補正します。 （４）同書第６頁下から第８行および同じく第４行の［
１５０ＶＪを「２０ｏｖ」にそれぞれ補正します。 （５）同書第９頁第３行の「高分子材料よりなる基板」
を「キャンと接する反対側の表面に導体膜が形成されて
いる高分子材料よりなる基板」に補正します。
の装置の基本的な構成を示す図、第２図はこの装置６に
よって得られた垂直記録媒体の垂直異方性エネルギーＫ
ｕ、垂直方向の保磁力Ｈａと蒸着時の基板温度Ｔｓｓ
との関係を示す図、第３図はこの装置におけるキャンへ
の基板の接触状態を説明するための要部拡大断面図であ
る。第４図は本発明の方法を実施するための装置の構成
の一例を示す図、第６図はこの装置のキャンと基板上の
導電体間に印加した電圧と垂直方向の保磁力Ｈｏの変動
との関係を示す図、第、９図は本発明の方法の実施例に
よシ得られた磁気記録媒体の断面図である。 ２１、・・・・・・高分子材料よりなる基板、２２・・
・・・・キャン屯・２３・・・・・・金属ローラ、２４
・・・・・・電源、２６・・・・・・蒸発源。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｌ 第１図 第２図 嘉１反】１＆丁ｔ （Ｉｔυ 第３図 第４図 園ゴ 手続補正書゛ 昭和６８年 １ 月２Ｓ日 特許庁長官殿 １事件の表示 昭和６６年特許願第１９０００１ 号 ２発明の名称 磁気記録媒体の製造方法 ３補正をする者 事件との関係 特 許 出 願
大佐 所 大阪府門真市大字門真１００６番地名
称 （５８２）松下電器産業株式会社代表者 山
下 俊 彦 ４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 ０） 明細書第３頁第９行の「蒸着源」を「蒸発源」に
補正します。 ＠）同書第６頁第１３行の「印加される。」と「金属ロ
ー２２３」との間に次の文章を挿入します。 「なお印加電圧の極性は図と逆でもよいし、また直流で
はなく交流でもよい。」 （３）同書第６頁第２０行〜第６頁第１行の「スリット
」を「マスク」に補正します。 （４）同書第６頁下から第８行および同じく第４行の［
１５０ＶＪを「２０ｏｖ」にそれぞれ補正します。 （５）同書第９頁第３行の「高分子材料よりなる基板」
を「キャンと接する反対側の表面に導体膜が形成されて
いる高分子材料よりなる基板」に補正します。
Claims (1)
- （１）一方の面側に導体膜が形成されている高分子材料
よりなる基板を、その他方の面側を導電体に接触させて
移動させながら、前記基板の一方の面側に磁化容易軸が
膜面に垂直な方向にあるＣＯとＯｒを主成分とする磁性
層を真空蒸着法によ多形成するに際して、前記基板上の
前記導電膜と前記導電体との間に電圧を印加することを
特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 ＠）導電体が円筒状のキャンであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19000181A JPS58105432A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19000181A JPS58105432A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58105432A true JPS58105432A (ja) | 1983-06-23 |
| JPH0121535B2 JPH0121535B2 (ja) | 1989-04-21 |
Family
ID=16250725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19000181A Granted JPS58105432A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58105432A (ja) |
-
1981
- 1981-11-26 JP JP19000181A patent/JPS58105432A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0121535B2 (ja) | 1989-04-21 |
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