JPS58105156A - 電子写真用感光体及び該感光体に用いる光電性硫化カドミウムの製造法 - Google Patents
電子写真用感光体及び該感光体に用いる光電性硫化カドミウムの製造法Info
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- JPS58105156A JPS58105156A JP13967881A JP13967881A JPS58105156A JP S58105156 A JPS58105156 A JP S58105156A JP 13967881 A JP13967881 A JP 13967881A JP 13967881 A JP13967881 A JP 13967881A JP S58105156 A JPS58105156 A JP S58105156A
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- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/087—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and being incorporated in an organic bonding material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子写真用感光体及び該感光体に用いる光導
電性硫化カドミウムの製造法に関するもので、より詳細
には硫化カドミウム系光導電体を用いた感光体の耐オン
ン性、耐湿性の改讐に関するものである。
電性硫化カドミウムの製造法に関するもので、より詳細
には硫化カドミウム系光導電体を用いた感光体の耐オン
ン性、耐湿性の改讐に関するものである。
従来、電子写真用感光体の1fiとして、光導電性顔料
を電気絶縁性の樹脂媒質中に分散させて成る光導電性組
成物を、導電性基質上に塗布したものが広く使用されて
いる。電子写真複写に際[、では、上記光導電層を一定
極性のコロナ放電に賦して荷電を行い、次いで画像無光
を行うことにより静電像を形成させ、この静電像をトナ
ーで現ml、、トナー像を感光板から複写紙に転写し、
最後に感光板表面のクリーニングを行い、この複写サイ
クルを反復する。
を電気絶縁性の樹脂媒質中に分散させて成る光導電性組
成物を、導電性基質上に塗布したものが広く使用されて
いる。電子写真複写に際[、では、上記光導電層を一定
極性のコロナ放電に賦して荷電を行い、次いで画像無光
を行うことにより静電像を形成させ、この静電像をトナ
ーで現ml、、トナー像を感光板から複写紙に転写し、
最後に感光板表面のクリーニングを行い、この複写サイ
クルを反復する。
この感光体に使用する光導電性顔料の内でも、硫化カド
ミウム系光導電体は特に感度に優れたものであり、高速
複写の目的に特に適し友ものであるが、硫化カドミウム
系光導電体を用いた感光体を、長時間の反復複写に使用
すると、特に高溜度条件下では、著17〈画像濃度が低
下するというトラブルが認められ、感光体の反復使用寿
命、即ち耐刷性が低いという欠点がある。
ミウム系光導電体は特に感度に優れたものであり、高速
複写の目的に特に適し友ものであるが、硫化カドミウム
系光導電体を用いた感光体を、長時間の反復複写に使用
すると、特に高溜度条件下では、著17〈画像濃度が低
下するというトラブルが認められ、感光体の反復使用寿
命、即ち耐刷性が低いという欠点がある。
この原因は、硫化カドミウム系光導電体はrL −型光
導電体であり、従って負極性のコロナ放電を反復l、で
行うことに関連[7,で、感光層は常にオゾンの攻撃を
受け、これにより湿度に敏感となり、初期帯電電位が低
下することにある。1本発明者等は、硫化カドミウム糸
光導電体感光層の耐オゾン性及び耐湿性の向上について
鋭、轢研究を重ねた結果、これらめ特性は、光導電性硫
化カドミウムの結晶型及び粒子形状乃至は粒子サイズに
よっても大きく影譬されること、及びかくして光導電性
硫化カドミウムとしてウルシ鉱型の結晶粒子であって、
粒子形状、が布惣柱形を/、CL Lかも粒子勺イズの
微細で均斉なものを選択すると、オゾンの反復攻撃や高
湿W:条件下に付1.たときにも初期帯電電位が著1.
<高いレベルに紐持されることを見出した。
導電体であり、従って負極性のコロナ放電を反復l、で
行うことに関連[7,で、感光層は常にオゾンの攻撃を
受け、これにより湿度に敏感となり、初期帯電電位が低
下することにある。1本発明者等は、硫化カドミウム糸
光導電体感光層の耐オゾン性及び耐湿性の向上について
鋭、轢研究を重ねた結果、これらめ特性は、光導電性硫
化カドミウムの結晶型及び粒子形状乃至は粒子サイズに
よっても大きく影譬されること、及びかくして光導電性
硫化カドミウムとしてウルシ鉱型の結晶粒子であって、
粒子形状、が布惣柱形を/、CL Lかも粒子勺イズの
微細で均斉なものを選択すると、オゾンの反復攻撃や高
湿W:条件下に付1.たときにも初期帯電電位が著1.
<高いレベルに紐持されることを見出した。
即ち、本発明の目的は、えシンの反復攻撃や高湿度条件
に曝されたときも初期帯電電位が高いレベルに維持され
る耐刷性に優れた硫化カドミウム系電子写真用感光体を
提供するにある。
に曝されたときも初期帯電電位が高いレベルに維持され
る耐刷性に優れた硫化カドミウム系電子写真用感光体を
提供するにある。
本発明の重要な特徴は、上述した粒子形状及び粒度特性
を有するウルシ鉱型硫化カドミウム結晶粒子は、それ以
外の硫化カドミウム光導電体にtま全く認められない耐
オゾン性及び耐湿性を示すという新規知見に基ずくもの
である。例えば、従来光導電体としての用途に市販され
ている硫化カドミウムを用いた感光層を、通常の複写機
の負コロナ放電によるオゾン処理VC2000回付し7
、次いで30C185%RHの湿度条件下に3時間性し
た場合には、この感光層の初期帯電電位は未処理の場合
65%以下に低下する。これに対l〜で本発明で規定t
、fC硫化カドミウムを選択し光導電層に、1 使用すると、同様の処理を行った場合にも、初期帯電、
電位は未処理の場合の70%以トに保持されるのである
。
を有するウルシ鉱型硫化カドミウム結晶粒子は、それ以
外の硫化カドミウム光導電体にtま全く認められない耐
オゾン性及び耐湿性を示すという新規知見に基ずくもの
である。例えば、従来光導電体としての用途に市販され
ている硫化カドミウムを用いた感光層を、通常の複写機
の負コロナ放電によるオゾン処理VC2000回付し7
、次いで30C185%RHの湿度条件下に3時間性し
た場合には、この感光層の初期帯電電位は未処理の場合
65%以下に低下する。これに対l〜で本発明で規定t
、fC硫化カドミウムを選択し光導電層に、1 使用すると、同様の処理を行った場合にも、初期帯電、
電位は未処理の場合の70%以トに保持されるのである
。
硫化カドミウムには、閃曲鉛鉱型構造で等軸晶系のもの
、ウルツ鉱型構造で六方晶系のもの、或いはこれらの混
合形のもの吟糧々の形態のものが知られている。
、ウルツ鉱型構造で六方晶系のもの、或いはこれらの混
合形のもの吟糧々の形態のものが知られている。
本発明においては、これらの種々の結晶形のものの内で
も、少くとも80−はウルツ鉱型構造のものを使用する
ことが、光導電性、耐オゾン性及び耐湿性の点で重要で
ある。
も、少くとも80−はウルツ鉱型構造のものを使用する
ことが、光導電性、耐オゾン性及び耐湿性の点で重要で
ある。
前記従来の耐オゾン性および耐湿性に劣る光導電性硫化
カドミウムは、80チ以上がウルツ鉱型結晶構造を有し
、銅および塩素をそれぞれ50〜500ppmおよび1
0−、=300 ppm含有する点では本発明の硫化カ
ドミウムと同様であるが、平均−次粒径が6〜5μmで
ある点において大きく異なっている。従来、該硫化カド
ミウムの製造工程におけるウルツ鉱型および閃亜鉛鉱型
結晶構造の任意の割合の混合形まfr、は無定形の硫化
カドミウムを出発原料として、これに銅および塩素を添
加してウルツ鉱型結晶構造の光導電性硫化カドミウムと
するいわゆる活性化処理1桿においては、=5− 520〜600Cの温度範囲の焼成工程が、80チ以上
をウルツ鉱型結晶構造に転換するための不可欠の条件で
あったため平均−次粒径6〜5μmの粒成長は避は得な
いと考えられていた。
カドミウムは、80チ以上がウルツ鉱型結晶構造を有し
、銅および塩素をそれぞれ50〜500ppmおよび1
0−、=300 ppm含有する点では本発明の硫化カ
ドミウムと同様であるが、平均−次粒径が6〜5μmで
ある点において大きく異なっている。従来、該硫化カド
ミウムの製造工程におけるウルツ鉱型および閃亜鉛鉱型
結晶構造の任意の割合の混合形まfr、は無定形の硫化
カドミウムを出発原料として、これに銅および塩素を添
加してウルツ鉱型結晶構造の光導電性硫化カドミウムと
するいわゆる活性化処理1桿においては、=5− 520〜600Cの温度範囲の焼成工程が、80チ以上
をウルツ鉱型結晶構造に転換するための不可欠の条件で
あったため平均−次粒径6〜5μmの粒成長は避は得な
いと考えられていた。
また該平均−次籾径6〜5μmの硫化カドミウムを粉砕
して微細化をはかると、ウルツ鉱型結晶構造が再び閃亜
鉛鉱型にもどるため、本発明の硫化カドミウムは入手し
得ないものであった。
して微細化をはかると、ウルツ鉱型結晶構造が再び閃亜
鉛鉱型にもどるため、本発明の硫化カドミウムは入手し
得ないものであった。
これに対し本発明者らは、出発原料を選択し、焼成温度
条件を従来効果が得られないと考えられていた低温領域
に選ぶことにより、従来達成【−得なかった程度に平均
−次粒径を低下させることに成功し、そのようにして得
た硫化カドミウムを用いて製造;、た電子写真用感光体
が著るしい耐オゾン性、耐湿性の改良効果を示すことを
見い出【7て本発明を完成した。
条件を従来効果が得られないと考えられていた低温領域
に選ぶことにより、従来達成【−得なかった程度に平均
−次粒径を低下させることに成功し、そのようにして得
た硫化カドミウムを用いて製造;、た電子写真用感光体
が著るしい耐オゾン性、耐湿性の改良効果を示すことを
見い出【7て本発明を完成した。
本発明によれば、光導電性硫化カドミウムを電気絶縁性
樹脂媒質中に分散させて成る光導電層を導電性基質上に
設けて成る電子写真用感光体において、前記光導電性硫
化カドミウムが、少くとも6− 80係以上がウルツ鉱型結晶構造を有し、平均−次粒径
が1.5〜25μmからなる、銅50〜500Pρmお
よび#A累10〜3 o o ppmを含有する硫化カ
ドミウムであることを特徴とする電子写真感光体が提供
される。
樹脂媒質中に分散させて成る光導電層を導電性基質上に
設けて成る電子写真用感光体において、前記光導電性硫
化カドミウムが、少くとも6− 80係以上がウルツ鉱型結晶構造を有し、平均−次粒径
が1.5〜25μmからなる、銅50〜500Pρmお
よび#A累10〜3 o o ppmを含有する硫化カ
ドミウムであることを特徴とする電子写真感光体が提供
される。
ま九本発明により、60優以十がウルツ鉱型結晶構造を
′4it、、平均−次粒径が16〜2.6μ2nからな
る硫化カドミウム粉末に1銅および塩素を含む化合物を
添加17、不活性ガスy凹気下で400〜500Cにて
焼成することを特徴とする前記光を電性値化カドミウム
の製造法が提供される。
′4it、、平均−次粒径が16〜2.6μ2nからな
る硫化カドミウム粉末に1銅および塩素を含む化合物を
添加17、不活性ガスy凹気下で400〜500Cにて
焼成することを特徴とする前記光を電性値化カドミウム
の製造法が提供される。
本発明に用いる光導電性硫化カドミウムの平均−次粒径
は1.5〜285μm1好ましくは1.8〜2.2μm
の範囲にあることを要し、この平均−次粒径が2.5ミ
クロンよりも大きい光導電性硫化カドミウムに比L7て
、顕著に優れた釦オゾン性、耐湿性を示す。捷た15μ
m以下でに結晶性が低く光導電性が小さく電子写真に適
さない。
は1.5〜285μm1好ましくは1.8〜2.2μm
の範囲にあることを要し、この平均−次粒径が2.5ミ
クロンよりも大きい光導電性硫化カドミウムに比L7て
、顕著に優れた釦オゾン性、耐湿性を示す。捷た15μ
m以下でに結晶性が低く光導電性が小さく電子写真に適
さない。
本発明に用いる光導電性硫化カドミウムの出発原料は、
本出願人の一方で々)る三菱金属株式会社の特公昭54
−12911号公報記載の方法によ1’)製造l、たウ
ルツ鉱型C’ d Sのうち平均−次粒径が1.6〜2
6μm、60%以上がウルツ鉱型のC’ d S粉体を
用いることを第一の特徴とする。出発摩料の平均−次粒
径が上記の範囲をけずれると、その稜の活性化処理のた
めの焼成工程rCおいて、平均−次粒径7fr:i、
5〜2.5μm内に制御することかで^ない。呼たウル
ツ鉱型結晶が6 (1%を下回ると」―記焼戊T稈にお
いて、ウルシ鉱型結晶が80係に達した段階で平均−次
粒径が所要のヒ限2.5amを越えてしまう。硫化カド
ミウムの活性化のための銅および塩素の含冶量は、本発
明のウルツ鉱型CdSにお(^ても、従来同様それぞれ
50〜5 U Oppmおよび10〜50〔)ppmが
好適であって、前記出発原料粉に塩化カドミウムと硫酸
鋼または塩化銅などの銅34Aを添加後、粒成長を避け
るべく、不活性ガス雰囲気下400〜500 Cの温度
範囲で焼成することにより達成される。7従来、活性化
の効果が得られないと考えられていたこのような温度範
囲金兄い出1.たことは、本発明の光導電5性硫化カド
ミウムの製造法の第2の%徴である。焼成i度が40
[3Cを下回ると平均−次粒径が所要の下限1.5μに
至らず、80%のウルツ鉱型結晶構造を達成し得ない。
本出願人の一方で々)る三菱金属株式会社の特公昭54
−12911号公報記載の方法によ1’)製造l、たウ
ルツ鉱型C’ d Sのうち平均−次粒径が1.6〜2
6μm、60%以上がウルツ鉱型のC’ d S粉体を
用いることを第一の特徴とする。出発摩料の平均−次粒
径が上記の範囲をけずれると、その稜の活性化処理のた
めの焼成工程rCおいて、平均−次粒径7fr:i、
5〜2.5μm内に制御することかで^ない。呼たウル
ツ鉱型結晶が6 (1%を下回ると」―記焼戊T稈にお
いて、ウルシ鉱型結晶が80係に達した段階で平均−次
粒径が所要のヒ限2.5amを越えてしまう。硫化カド
ミウムの活性化のための銅および塩素の含冶量は、本発
明のウルツ鉱型CdSにお(^ても、従来同様それぞれ
50〜5 U Oppmおよび10〜50〔)ppmが
好適であって、前記出発原料粉に塩化カドミウムと硫酸
鋼または塩化銅などの銅34Aを添加後、粒成長を避け
るべく、不活性ガス雰囲気下400〜500 Cの温度
範囲で焼成することにより達成される。7従来、活性化
の効果が得られないと考えられていたこのような温度範
囲金兄い出1.たことは、本発明の光導電5性硫化カド
ミウムの製造法の第2の%徴である。焼成i度が40
[3Cを下回ると平均−次粒径が所要の下限1.5μに
至らず、80%のウルツ鉱型結晶構造を達成し得ない。
一方、500Cを越えると粒子成長によりphiの−F
限25μmを越えて成長12てし壕う。
□本発明において、土建1.た光導電性硫化カドミウ
ムを、結着剤とI7ての電気絶縁性樹脂固形分100重
量部当り100乃至500重量部の量で使用する。
限25μmを越えて成長12てし壕う。
□本発明において、土建1.た光導電性硫化カドミウ
ムを、結着剤とI7ての電気絶縁性樹脂固形分100重
量部当り100乃至500重量部の量で使用する。
光導電層の形成に使用する結着剤樹脂としては、エポキ
シ樹脂、ンリコー/樹脂、ウレタノ樹脂、アクリル樹脂
、飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ビニル樹脂等
のこの種の光導電、体を分散させるのに使用されている
結着剤は全て使用できる。。
シ樹脂、ンリコー/樹脂、ウレタノ樹脂、アクリル樹脂
、飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ビニル樹脂等
のこの種の光導電、体を分散させるのに使用されている
結着剤は全て使用できる。。
硫化カドミウムの分散性が良く、本発明の目的に好適な
結着剤樹脂はエポキシ樹脂、シリコ−7樹脂及びアクリ
ル樹脂である。
結着剤樹脂はエポキシ樹脂、シリコ−7樹脂及びアクリ
ル樹脂である。
光導電層形成用の塗布組成物は、1−述した結着剤樹脂
を適邑な溶媒、例えばトルエン、キシレン9− 等の芳香族系溶媒:メチルエチルケトン、メチルイソブ
チルケトン、7クロヘキザノン等のケトン系溶媒、テト
ラヒドロフラン、酢酸ブチル等に溶解し、この溶液中に
CdS系光導電体及び必要により高級飽和脂肪酸を、超
音波照射、ホモミキ現−等の手段で分散させることによ
り得られる。この際、高級飽和脂肪酸の添加順序には特
に問題はなく、例えば、結着剤樹脂溶液に予め添加して
もよく、またCdSと同時に添加しても、或いは後から
添加してもよい。塗布組成物の固形分濃度は、塗布方式
によっても相違するが、一般[20乃至5[3重量%の
範囲が好適である。この塗布用組成物を、それ自体公知
の導電性基質トに塗布し、乾燥して感光板とする。感光
層の塗布は、乾燥後の厚みが10乃至100μ、特に2
0乃至50μとなるように行うのがよい。
を適邑な溶媒、例えばトルエン、キシレン9− 等の芳香族系溶媒:メチルエチルケトン、メチルイソブ
チルケトン、7クロヘキザノン等のケトン系溶媒、テト
ラヒドロフラン、酢酸ブチル等に溶解し、この溶液中に
CdS系光導電体及び必要により高級飽和脂肪酸を、超
音波照射、ホモミキ現−等の手段で分散させることによ
り得られる。この際、高級飽和脂肪酸の添加順序には特
に問題はなく、例えば、結着剤樹脂溶液に予め添加して
もよく、またCdSと同時に添加しても、或いは後から
添加してもよい。塗布組成物の固形分濃度は、塗布方式
によっても相違するが、一般[20乃至5[3重量%の
範囲が好適である。この塗布用組成物を、それ自体公知
の導電性基質トに塗布し、乾燥して感光板とする。感光
層の塗布は、乾燥後の厚みが10乃至100μ、特に2
0乃至50μとなるように行うのがよい。
本発明を次の例で説明する。
実施例1
94%がウルツ鉱型で・帆る一次粒径1.8μ〃1の倣
f1:カトミウム502を塩化カドミウム102、=1
0− (jIt酸銅60〜と共に脱イオン交換水中で充分混合
[7、真空乾燥後粉砕(〜た混合粉体をN!ガス雰囲気
450Cで60分間活性化処理し、光4電性C”dS粉
体45g(収率90%)f得た。
f1:カトミウム502を塩化カドミウム102、=1
0− (jIt酸銅60〜と共に脱イオン交換水中で充分混合
[7、真空乾燥後粉砕(〜た混合粉体をN!ガス雰囲気
450Cで60分間活性化処理し、光4電性C”dS粉
体45g(収率90%)f得た。
この粉体は96%がウルツ鉱型で、銅および塩素の含イ
I歓は各々227 ppmおよび130 ppm、空気
透過法および電子顕微鏡法で測定17た一次粒径は良く
一致し、2.0μmであった。
I歓は各々227 ppmおよび130 ppm、空気
透過法および電子顕微鏡法で測定17た一次粒径は良く
一致し、2.0μmであった。
この硫化カドミウム粉末12fに7りロヘキサノ/8L
iとアクリル樹脂(ロームアントノ・ス社製Δ/” 5
(] 、 固形分50%)96vとエポキシ樹脂(サ
ーモセット社製$ 600 ) 1.2 fを加えて、
超音波分%’l概にて分散を行ない、アルマイト処理厚
約10μ施1.たアルミニつム板上にワイヤーバー、−
1@28VCで塗布した。そして、このプレートをオー
ブン中にて100CI時間の条件で熱硬化を行lcい、
熱処理後の層Nが27μの感光板を作製1、た71次に
この感光板を三田工業社製複写機1)C−15の帯電部
を一部改造しfc槻械で耐久性テストを行なったところ
、常温常湿中に於いて15万枚の良好なコピーが得られ
た。−刃高湿度中(60tll”80L)に於いては8
万枚以上の良好なコピーが得られ、非常に耐オゾン性、
耐湿度性に優れた感光体であった。
iとアクリル樹脂(ロームアントノ・ス社製Δ/” 5
(] 、 固形分50%)96vとエポキシ樹脂(サ
ーモセット社製$ 600 ) 1.2 fを加えて、
超音波分%’l概にて分散を行ない、アルマイト処理厚
約10μ施1.たアルミニつム板上にワイヤーバー、−
1@28VCで塗布した。そして、このプレートをオー
ブン中にて100CI時間の条件で熱硬化を行lcい、
熱処理後の層Nが27μの感光板を作製1、た71次に
この感光板を三田工業社製複写機1)C−15の帯電部
を一部改造しfc槻械で耐久性テストを行なったところ
、常温常湿中に於いて15万枚の良好なコピーが得られ
た。−刃高湿度中(60tll”80L)に於いては8
万枚以上の良好なコピーが得られ、非常に耐オゾン性、
耐湿度性に優れた感光体であった。
笑施例2゜
60%がウルツ鉱型である一次粒径1.6μ〃Lの硫化
カドミウム50rを塩化カドミウム10ノ、硫酸銅20
〜と共に脱イオン交換水中で光分混合し、真空乾燥後粉
砕した混合粉体を、N、カス雰囲気下、500Cで60
分間活性化処理して本発明の光導電性粉体40v(収率
80%)を得た。この粉体は、85%がウルツ鉱型で、
銅および塩素の含有量は各々151 ppmおよび89
ppm空気透過法で測定した一次粒径は1.5μmで
あつ友。
カドミウム50rを塩化カドミウム10ノ、硫酸銅20
〜と共に脱イオン交換水中で光分混合し、真空乾燥後粉
砕した混合粉体を、N、カス雰囲気下、500Cで60
分間活性化処理して本発明の光導電性粉体40v(収率
80%)を得た。この粉体は、85%がウルツ鉱型で、
銅および塩素の含有量は各々151 ppmおよび89
ppm空気透過法で測定した一次粒径は1.5μmで
あつ友。
一方60%がウルツ鉱型である一次粒径0.7μinの
硫化カドミウム50Fを上記と同様に混合、乾燥、粉砕
した後、混、合粉体をへガス雰囲気下520Cで60分
間活性化処理して比較用の光導電性粉体242(収率4
8%ンを得た。この粉体は、90饅がウルツ鉱型で、銅
および塩素の含有量は各々148 ppmおよび87
ppnL、空気透過法で測定した一次粒径は6.5μm
であった。
硫化カドミウム50Fを上記と同様に混合、乾燥、粉砕
した後、混、合粉体をへガス雰囲気下520Cで60分
間活性化処理して比較用の光導電性粉体242(収率4
8%ンを得た。この粉体は、90饅がウルツ鉱型で、銅
および塩素の含有量は各々148 ppmおよび87
ppnL、空気透過法で測定した一次粒径は6.5μm
であった。
次に各々の硫化カドミウム粉末El[テトラヒドロフラ
ン42とエポキシ樹脂(サーモセット社製5600)2
.6rと硬化剤(サーモセット社製$6!5)1.1’
とを添加し1、超音波分散機にて十分分散前・行ない、
80μmアルミニウム板上にワイヤーバー階28にて各
々の塗布液をコーティング17た。さらに、このプレー
トをオーブン中にて1[]Or’1時間の条件で熱硬化
を行ない、熱処理後の層厚が28μm(7)感光板を作
製しまた。
ン42とエポキシ樹脂(サーモセット社製5600)2
.6rと硬化剤(サーモセット社製$6!5)1.1’
とを添加し1、超音波分散機にて十分分散前・行ない、
80μmアルミニウム板上にワイヤーバー階28にて各
々の塗布液をコーティング17た。さらに、このプレー
トをオーブン中にて1[]Or’1時間の条件で熱硬化
を行ない、熱処理後の層厚が28μm(7)感光板を作
製しまた。
次に、これらの感光板を川口電機H1l!!エレクトロ
スタティックペーパーアナライザーを用いて以下の条件
にて帯電量の測定を行った。測定条件5TATfJ測定
、印加電圧C−)6KV、前記測定の結果本発明の硫化
カドミウム粉末を使用した場合、初期帯電(V+ )
1070 voltであり、比較の硫化カドミウム粉末
f使用した場合<V、’)770uoltであった。次
にこれらの感光板にコロナ処理を行なうため、現像ユニ
ット部をとりはずし友16− 三田工業KK製複写機DC,−15にこれらの感光板を
装着し、転写紙を通さないで、帯電→露光→帯1!(転
写用)→除電のプロセスを2000サイクル〈り返えし
た。
スタティックペーパーアナライザーを用いて以下の条件
にて帯電量の測定を行った。測定条件5TATfJ測定
、印加電圧C−)6KV、前記測定の結果本発明の硫化
カドミウム粉末を使用した場合、初期帯電(V+ )
1070 voltであり、比較の硫化カドミウム粉末
f使用した場合<V、’)770uoltであった。次
にこれらの感光板にコロナ処理を行なうため、現像ユニ
ット部をとりはずし友16− 三田工業KK製複写機DC,−15にこれらの感光板を
装着し、転写紙を通さないで、帯電→露光→帯1!(転
写用)→除電のプロセスを2000サイクル〈り返えし
た。
次にこれらのオゾン処理後の感光板を30c。
80%の恒温恒湿槽中に5時間放置し調湿1.た。
調湿後の感光板をl!iI記測定方法とまったく同様の
方法で帝it量の測定を行t(つた。その結果、本発明
の倫化カドミウム粉末を使用した場合、オゾン処理調湿
後の帯電1量(V、)750シoltであり、比較の硫
化カドミウム粉末を使用した場合(V*’)17Q v
oltであッ7’(。’+ 、V21 fC,Vl’
、Ft ’ )帯電状態を比較すると、本発明の硫化カ
ドミウム粉末を使用した感光板は、オゾン処理調湿後の
電位は未処理感光板の電位(Vl) と比M1〜で約
60%低下していたが、比較の硫化カドミウム粉末を使
用した場合は約80%も低下していた。次にこれらの感
光板を、現像機をとり付けたI)C−15!&で実際に
画像を作ったところ、本発明感光板は高コントラストの
画像が得られたが、比較感光板は14− 殆んどiI!II像が得られなかった。
方法で帝it量の測定を行t(つた。その結果、本発明
の倫化カドミウム粉末を使用した場合、オゾン処理調湿
後の帯電1量(V、)750シoltであり、比較の硫
化カドミウム粉末を使用した場合(V*’)17Q v
oltであッ7’(。’+ 、V21 fC,Vl’
、Ft ’ )帯電状態を比較すると、本発明の硫化カ
ドミウム粉末を使用した感光板は、オゾン処理調湿後の
電位は未処理感光板の電位(Vl) と比M1〜で約
60%低下していたが、比較の硫化カドミウム粉末を使
用した場合は約80%も低下していた。次にこれらの感
光板を、現像機をとり付けたI)C−15!&で実際に
画像を作ったところ、本発明感光板は高コントラストの
画像が得られたが、比較感光板は14− 殆んどiI!II像が得られなかった。
実施例6゜
85%がウルツ釦、型である一次粒径2.5μ?nの硫
化カドεウノ、50yを塩化カドミウム1(1゜チ11
化銅2〔1■と共に脱イオン交換水中で充分混合17、
X空乾燥後粉砕し7た混合粉体音、N、ガス雰囲気下、
400 Cで180分間活性化処理17て本発明の光導
電性CdS粉体46v(収率92%)を得た。この粉体
は92%がウルツ鉱型で、銅および塩素の含41量は各
々179 ppm訃Lγし122 ppm市子顕倣鏡法
で測定し7友−欠粒径は2.5μmでありto 一方91%がウルツ鉱型である一次粒径2.5μmの硫
化力ドミウノ、5 [111を上記と同様に混合、乾燥
、粉砕、焼成17て比較用の光導電性C’dS粉体46
)(収率86%)を得た。この粉体は95チがウルツ鉱
型で、電子顕微鏡法で測定!1.た一次粒径は2,61
tmであった3゜ 各々の硫化カドミウム粉末10.8 rにテトラヒドロ
フラン4.62とポリウレタン樹月旨(タクダ薬品工業
社候タケラックU−25)4Vと硬化剤(タケダ薬品工
業社映タケネート/J−110#)4tを添加し超音波
分散aVこて十分分散を行ない、アルマイト処理した8
0μm A L 板上に、ワイヤーバーN1122に
て、各々の塗布液をコーティングした。さらに、これら
のフ”レートをオーフ゛ン中にて101J C11時間
の条件で熱硬化を行ない、熱処理後の層厚が25μmの
感光板を作製した。次にこれらの感光板を実施例2と同
様に、川口電機にlエレクトロスタディツクペーパーア
ナライザーを用いて測定した。その結果、本発明の硫化
カドミウム粉末を使用した場合初期帯電(V、)B 8
0υoltであり、比較の硫化カドミウム粉末を使用し
た場合(K’) 750 voltであった。次にこれ
らの感光板にコロナ処理を行なうため、実施例2と同様
に三田工業KK製複写戟DC−15にて2000サイク
ルくり返した。次にこれらのオゾン処理後の感光板t3
oc、80饅の恒温恒湿槽中に5時間放置し調湿した。
化カドεウノ、50yを塩化カドミウム1(1゜チ11
化銅2〔1■と共に脱イオン交換水中で充分混合17、
X空乾燥後粉砕し7た混合粉体音、N、ガス雰囲気下、
400 Cで180分間活性化処理17て本発明の光導
電性CdS粉体46v(収率92%)を得た。この粉体
は92%がウルツ鉱型で、銅および塩素の含41量は各
々179 ppm訃Lγし122 ppm市子顕倣鏡法
で測定し7友−欠粒径は2.5μmでありto 一方91%がウルツ鉱型である一次粒径2.5μmの硫
化力ドミウノ、5 [111を上記と同様に混合、乾燥
、粉砕、焼成17て比較用の光導電性C’dS粉体46
)(収率86%)を得た。この粉体は95チがウルツ鉱
型で、電子顕微鏡法で測定!1.た一次粒径は2,61
tmであった3゜ 各々の硫化カドミウム粉末10.8 rにテトラヒドロ
フラン4.62とポリウレタン樹月旨(タクダ薬品工業
社候タケラックU−25)4Vと硬化剤(タケダ薬品工
業社映タケネート/J−110#)4tを添加し超音波
分散aVこて十分分散を行ない、アルマイト処理した8
0μm A L 板上に、ワイヤーバーN1122に
て、各々の塗布液をコーティングした。さらに、これら
のフ”レートをオーフ゛ン中にて101J C11時間
の条件で熱硬化を行ない、熱処理後の層厚が25μmの
感光板を作製した。次にこれらの感光板を実施例2と同
様に、川口電機にlエレクトロスタディツクペーパーア
ナライザーを用いて測定した。その結果、本発明の硫化
カドミウム粉末を使用した場合初期帯電(V、)B 8
0υoltであり、比較の硫化カドミウム粉末を使用し
た場合(K’) 750 voltであった。次にこれ
らの感光板にコロナ処理を行なうため、実施例2と同様
に三田工業KK製複写戟DC−15にて2000サイク
ルくり返した。次にこれらのオゾン処理後の感光板t3
oc、80饅の恒温恒湿槽中に5時間放置し調湿した。
調湿後の感光板全実施例2と同様の方法で帯電量の測定
を行なった。その結果、本発明の硫化カドミウム粉末を
使用した場合、オゾン処理調湿後の帯電量(VJ、
792 voltであり、比較の硫化カドミウム粉末を
使用した場合(Vt’) 66 U vat tであっ
た。V、、V2 まfCF+ ’ −V* ’の帯電量
を比較すると、本発明の硫化カドミウム粉末を使用した
感光板は、オシ/処理、調湿後の電位(V、)は未処理
感光板の電位(Vl)と比較して、約10%の低下であ
ったが、比較の硫化カドミウム粉末を使用した場合は約
60%も低下していた。
を行なった。その結果、本発明の硫化カドミウム粉末を
使用した場合、オゾン処理調湿後の帯電量(VJ、
792 voltであり、比較の硫化カドミウム粉末を
使用した場合(Vt’) 66 U vat tであっ
た。V、、V2 まfCF+ ’ −V* ’の帯電量
を比較すると、本発明の硫化カドミウム粉末を使用した
感光板は、オシ/処理、調湿後の電位(V、)は未処理
感光板の電位(Vl)と比較して、約10%の低下であ
ったが、比較の硫化カドミウム粉末を使用した場合は約
60%も低下していた。
次にこれらの感光板を、現像機をとり付けたDC−15
複写機で、実際に画像を出したところ、本発明の感光板
は高コントラストの画像が得られたが比較感光板は低い
コントラストの画像L7か得られなかった。
複写機で、実際に画像を出したところ、本発明の感光板
は高コントラストの画像が得られたが比較感光板は低い
コントラストの画像L7か得られなかった。
特許出願人 三田工業株式会社
同 三菱金属株式会社
代理人 弁計鈴木郁男
17−
第1頁の続き
Q多発 明 者 末廣幸三部
浦和市領家4−6−4
■出 願 人 三菱金属株式会社
東京都千代田区大手町1丁目5
番2号
手続補正書(方式)
昭和58年1月31日
特許庁長官 若 杉 和 夫 殿
1 事件の表示 7
昭和56年特許願第159678号
2 発明の名称
電子写真用感光体及び該感光体に用いる光電性硫化カド
ミウムの製造法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 (JA 大阪市東区玉造1丁目2番28号名称 (
615)三田工業株式会社 4、 代 理 人 〒105 住所 東京都港区愛宕1丁目6番7号愛宕山弁護士
ピル昭和58年1月25日(発送日) 6、補正の対象 明細書の発明の名称の欄 7、補正の内容 (11明細書の発明の名称を次のように訂正する。
ミウムの製造法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 (JA 大阪市東区玉造1丁目2番28号名称 (
615)三田工業株式会社 4、 代 理 人 〒105 住所 東京都港区愛宕1丁目6番7号愛宕山弁護士
ピル昭和58年1月25日(発送日) 6、補正の対象 明細書の発明の名称の欄 7、補正の内容 (11明細書の発明の名称を次のように訂正する。
「電子写真用感光体及び該感光体に用いる光電性硫化カ
ドミウムの製造法」 2−
ドミウムの製造法」 2−
Claims (2)
- (1)光導電性硫化カドミウムを電気絶縁性樹脂媒質中
に分散させて成る光導電層を導電性基質上に設けて成る
電子写真用感光体において、前記光導電性硫化カドミウ
ムが、少くとも80チ以上がウルツ鉱型結晶構造を有し
、平均−次粒径が1.5〜2.5μmからなり且つ銅5
0〜5 (] Oppmおよび塩素10〜300 pp
mf含有する硫化カドミウムであることを特徴とする電
子写真用感光体6 - (2)60%以上がウルツ鉱型結晶構造を治し、平均−
次粒径が1.6〜2.611mからなる硫化カドミウム
粉末に、餉および塩素を含む化合物を添加し、不活性ガ
ス雰囲気下で400〜500UKて焼成することを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の感光体に用いる光導
電性硫化カドミウムの製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13967881A JPS58105156A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | 電子写真用感光体及び該感光体に用いる光電性硫化カドミウムの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13967881A JPS58105156A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | 電子写真用感光体及び該感光体に用いる光電性硫化カドミウムの製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58105156A true JPS58105156A (ja) | 1983-06-22 |
JPH0239788B2 JPH0239788B2 (ja) | 1990-09-07 |
Family
ID=15250868
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13967881A Granted JPS58105156A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | 電子写真用感光体及び該感光体に用いる光電性硫化カドミウムの製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58105156A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4826537A (ja) * | 1971-08-10 | 1973-04-07 | ||
JPS497016A (ja) * | 1972-05-09 | 1974-01-22 |
-
1981
- 1981-09-07 JP JP13967881A patent/JPS58105156A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4826537A (ja) * | 1971-08-10 | 1973-04-07 | ||
JPS497016A (ja) * | 1972-05-09 | 1974-01-22 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0239788B2 (ja) | 1990-09-07 |
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