JPS58104005A - 電子写真感光体用光導電性絶縁性合金の製造方法 - Google Patents
電子写真感光体用光導電性絶縁性合金の製造方法Info
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- JPS58104005A JPS58104005A JP57207492A JP20749282A JPS58104005A JP S58104005 A JPS58104005 A JP S58104005A JP 57207492 A JP57207492 A JP 57207492A JP 20749282 A JP20749282 A JP 20749282A JP S58104005 A JPS58104005 A JP S58104005A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明Fi−一般的に云えば、電子写真に関し、更に詳
しく云えば、光導電性組成物の新規な製造方法に関する
。
しく云えば、光導電性組成物の新規な製造方法に関する
。
電子写真技術においては、光導電性絶縁層を有する電子
・写真プレートt1まずその表面に均一に静電的に帯電
させることによって像を形成する・次に、このプレート
を光の如き活性化電磁放射線、のz?ターンKll光す
ることKよって〜光導電性絶縁体層上の照射された領域
中の電荷を消散させ、一方、非照射領域に静電的潜僚を
残す。次に、この静電IIFgIIは、光導電性層1層
の表面に黴細な検電性トナー粒子を沈着させることによ
り現像してV視菅曖形成させる。得られた可視トナー曽
は、紙の如き受tS材に転写させられる仁とができる。
・写真プレートt1まずその表面に均一に静電的に帯電
させることによって像を形成する・次に、このプレート
を光の如き活性化電磁放射線、のz?ターンKll光す
ることKよって〜光導電性絶縁体層上の照射された領域
中の電荷を消散させ、一方、非照射領域に静電的潜僚を
残す。次に、この静電IIFgIIは、光導電性層1層
の表面に黴細な検電性トナー粒子を沈着させることによ
り現像してV視菅曖形成させる。得られた可視トナー曽
は、紙の如き受tS材に転写させられる仁とができる。
この像形成方法は、再使用可能な光導電性絶縁層を用い
るととkより多数回Iia返すことができる。
るととkより多数回Iia返すことができる。
更に進歩したよ郵高遠の複写機お、よび(I#機が一発
されるに従い、g14品質の劣化が生じる様になりた。
されるに従い、g14品質の劣化が生じる様になりた。
−1えば、セレン合金の感光体を捕捉し九電荷の減衰時
間に比して迅速KM返し使用するときは、持続性の正の
スペース電荷(残留電位)が生じる。もし、この残留電
位が、幾度も電子写真技術成が繰)返される間に増加す
ると、許容で書なり高レベルの残留電位が、生じること
になる・繰返し過椙でこれが増加すると像がひどく劣化
するととになる・持続性の正のスペース電荷が増大する
と、光導電性層のパックグラウンド領域におけるトナー
の沈着が増加し、且つ、ペタ領域のコントラストが減少
し、高品質が要求されるrsi的用途の多くには許容さ
れなくなる。更に、残留電荷すなわち電位の蓄積によ如
生じるサイクルアンプは、ゼロダ2フィー複写像が最初
は明るい#1度の像として表われ、その後は、各像形成
3m1!ことに−しだいに暗くなるととによって特徴づ
けられゐ。
間に比して迅速KM返し使用するときは、持続性の正の
スペース電荷(残留電位)が生じる。もし、この残留電
位が、幾度も電子写真技術成が繰)返される間に増加す
ると、許容で書なり高レベルの残留電位が、生じること
になる・繰返し過椙でこれが増加すると像がひどく劣化
するととになる・持続性の正のスペース電荷が増大する
と、光導電性層のパックグラウンド領域におけるトナー
の沈着が増加し、且つ、ペタ領域のコントラストが減少
し、高品質が要求されるrsi的用途の多くには許容さ
れなくなる。更に、残留電荷すなわち電位の蓄積によ如
生じるサイクルアンプは、ゼロダ2フィー複写像が最初
は明るい#1度の像として表われ、その後は、各像形成
3m1!ことに−しだいに暗くなるととによって特徴づ
けられゐ。
手動装置からマイクロデロセッを一制#装置を含む複雑
な電子装置を複写機および複製−に設置すれば、上記の
ごとき感光体の性質の連続的な変化を補正することもで
きるが、そのような複雑てコスト高な装置を必要としな
い感光体が緊急Kl望されている。また、残留電荷の増
大の大きい感光体は、コピーシートを横切る像の#度が
変化する傾向がある(特に像が大きなベタ領域から成る
場合)ことも鉋められている。この特性は、感光体の残
留電荷性が高くなる性質は、光導電性被複が形成される
方法と関係があるためと考えられる。
な電子装置を複写機および複製−に設置すれば、上記の
ごとき感光体の性質の連続的な変化を補正することもで
きるが、そのような複雑てコスト高な装置を必要としな
い感光体が緊急Kl望されている。また、残留電荷の増
大の大きい感光体は、コピーシートを横切る像の#度が
変化する傾向がある(特に像が大きなベタ領域から成る
場合)ことも鉋められている。この特性は、感光体の残
留電荷性が高くなる性質は、光導電性被複が形成される
方法と関係があるためと考えられる。
しかしながら、残留電位特性の低い感光体では、各コピ
ーシートを横切る1IIIILは更に一定すゐ。
ーシートを横切る1IIIILは更に一定すゐ。
電子写真プレートは、単一の光導電性層から構成でき、
あるいは、多層のうちの1層またはそれ以上が光導電性
である多重層から構成してもよい。
あるいは、多層のうちの1層またはそれ以上が光導電性
である多重層から構成してもよい。
光導電性層がセレンまたはセレン合金を含有する電子写
真プレートは、尚該技術分野において特に周知である・
更に、塩素の如きハロゲンでドーピングしたセレン合金
を含有する電子写真プレートは、従来技術、例えば、米
FiJ特許第3.512.548号(V、Straug
han )、lWI11g3.、973.960号(D
ulk@n 等)および同fm4.286e 055号
(N15hl目m−等)お・よ・び同第4.226.9
29号明細IF(Tesh 1m・等)に記載されてh
る。一般的に云えば、すぐれたgIは、ハロr7′″C
ドーピングしたセレン合金感光体によって得ることがで
會る・上記の米国特許第3,975.960号、111
菖4.226.929号および同第4,286.055
号明細書にもハロゲンをセレン合金K[i加して残留電
位を減少または防止することが記載されている。しかし
ながら、セレン合金感光体に関する特許文献中で請求さ
れている多くは、密封したアンプル中で少量で作成した
サンプルに基づhているものであった。大きな開放性の
fット型製造設備中で作成したセレン合金が示す性質は
、多くの場合、小さな密封アンプル中で作成したセレン
合金の性質とは同一でない。米国特許IE 3.512
.548号明細書(Straughan ) Kは、セ
レン、砒素およびヨー素から成る混合物を密封した一量
イレツタス小ビン中で約525℃の温度に11M炉中で
約3〜4時間加熱する1′□:遵・とが記載されている
。米1141許aXs、867.143号明細書(Ta
naka 等)には、真空石英管中に密封したSe、
Sb およびT・からなる混合物を6時間加熱し、次
いで蒸留水中に投入することkよって、粉末状の固体材
料で形成できることが記載されている。
真プレートは、尚該技術分野において特に周知である・
更に、塩素の如きハロゲンでドーピングしたセレン合金
を含有する電子写真プレートは、従来技術、例えば、米
FiJ特許第3.512.548号(V、Straug
han )、lWI11g3.、973.960号(D
ulk@n 等)および同fm4.286e 055号
(N15hl目m−等)お・よ・び同第4.226.9
29号明細IF(Tesh 1m・等)に記載されてh
る。一般的に云えば、すぐれたgIは、ハロr7′″C
ドーピングしたセレン合金感光体によって得ることがで
會る・上記の米国特許第3,975.960号、111
菖4.226.929号および同第4,286.055
号明細書にもハロゲンをセレン合金K[i加して残留電
位を減少または防止することが記載されている。しかし
ながら、セレン合金感光体に関する特許文献中で請求さ
れている多くは、密封したアンプル中で少量で作成した
サンプルに基づhているものであった。大きな開放性の
fット型製造設備中で作成したセレン合金が示す性質は
、多くの場合、小さな密封アンプル中で作成したセレン
合金の性質とは同一でない。米国特許IE 3.512
.548号明細書(Straughan ) Kは、セ
レン、砒素およびヨー素から成る混合物を密封した一量
イレツタス小ビン中で約525℃の温度に11M炉中で
約3〜4時間加熱する1′□:遵・とが記載されている
。米1141許aXs、867.143号明細書(Ta
naka 等)には、真空石英管中に密封したSe、
Sb およびT・からなる混合物を6時間加熱し、次
いで蒸留水中に投入することkよって、粉末状の固体材
料で形成できることが記載されている。
本発明の1つの目的は、上述の欠点を克服した光導電性
絶縁性組成物を得るための新規な方法を提供することで
ある一 本発明の別の目的は、光導電性絶縁性組成物を大きなパ
ッチ量で製造する新規な方法を提供することである。
絶縁性組成物を得るための新規な方法を提供することで
ある一 本発明の別の目的は、光導電性絶縁性組成物を大きなパ
ッチ量で製造する新規な方法を提供することである。
本発明の別の目的は、高速電子写真像形成装置において
、正のスイース電荷の発生を最小限にする光導電性絶縁
性組成物を製造する新規な方法を提供することであるり 上記の目的および他の目的は、本発明に従い、セレン、
砒素および塩素から成る混合物を約290C〜約300
℃の温度に加熱し、溶m混合物を形成し、該溶融混2合
物を攪拌してその中の成分を混合し、混合物のすべての
攪拌を停止あるいは実質的に停止し、混合物の温度を少
なくとも約420℃に約30分間高め、且つ混合物が固
化するまで皺混合物を冷却する仁とから成る方法を提供
することによ〕達成される。
、正のスイース電荷の発生を最小限にする光導電性絶縁
性組成物を製造する新規な方法を提供することであるり 上記の目的および他の目的は、本発明に従い、セレン、
砒素および塩素から成る混合物を約290C〜約300
℃の温度に加熱し、溶m混合物を形成し、該溶融混2合
物を攪拌してその中の成分を混合し、混合物のすべての
攪拌を停止あるいは実質的に停止し、混合物の温度を少
なくとも約420℃に約30分間高め、且つ混合物が固
化するまで皺混合物を冷却する仁とから成る方法を提供
することによ〕達成される。
一般的には、残留電位の蓄積に対してすぐれた抵抗性を
有する光導電性絶縁層は、本発明の方法の変数をコント
ロールして、セレン、固体合金の総重量の約0.3重量
%〜約0.5重量%の砒素および固体合金製品の総重量
の約50 pp’m〜約t s o ppmから成る含
金製品を形成する仁とKよって得ることができる。
有する光導電性絶縁層は、本発明の方法の変数をコント
ロールして、セレン、固体合金の総重量の約0.3重量
%〜約0.5重量%の砒素および固体合金製品の総重量
の約50 pp’m〜約t s o ppmから成る含
金製品を形成する仁とKよって得ることができる。
更に詳しく云えば、r!1cJLされた硬度とセレンの
結晶化の抑制aS上紀の方法の固体合金生成物が少なく
とも約0.3重量%の砒素を含有する場合に達成される
。合金生成物が約0.4重量%以上の砒素を含有すると
111/i、高速複写機において許容でき“−)い電荷
の蓄積がWt*される。最適な電子写真性質は、固体の
合金生成物が約0・36重量にの砒素を含有するときに
達成される。
結晶化の抑制aS上紀の方法の固体合金生成物が少なく
とも約0.3重量%の砒素を含有する場合に達成される
。合金生成物が約0.4重量%以上の砒素を含有すると
111/i、高速複写機において許容でき“−)い電荷
の蓄積がWt*される。最適な電子写真性質は、固体の
合金生成物が約0・36重量にの砒素を含有するときに
達成される。
最終の固体の合金生成−が、約5 ’Oppm以下の塩
素を含有する場合は、高速複写機および複製機において
望ましくなh電荷の蓄積が生じる場合がある。塩素の量
が約150ppm’を超えると″、砒素の置が増加しな
くても許容できない速度の暗減衰が生じる傾向がある。
素を含有する場合は、高速複写機および複製機において
望ましくなh電荷の蓄積が生じる場合がある。塩素の量
が約150ppm’を超えると″、砒素の置が増加しな
くても許容できない速度の暗減衰が生じる傾向がある。
高速複写機で最適な性卵を得るために#i、約60 p
pm 〜約140 ppmの範囲の塩素が好ましい。
pm 〜約140 ppmの範囲の塩素が好ましい。
本発明方法で使用する出発混合物、す力わちパッチの総
量は、固体の合金生成物中のセレン、砒素および塩素の
所望の比率を達成するプロセス変数の選択に影響する0
例えば、小さなパッチが処理される場合は、砒素および
塩素化合物の如き揮発性成分のかなりの損失が生じる・
この損失を克服するためには、過剰の砒素と塩素を小さ
い出発パッチに加えるべきであることを知見し友。例え
ば、約1−の重量のパッチに約10%過剰の砒素と塩素
を使用することによって、固体の合金生成物中KQr望
のセレン−砒素−塩素の濃度tS成することができる。
量は、固体の合金生成物中のセレン、砒素および塩素の
所望の比率を達成するプロセス変数の選択に影響する0
例えば、小さなパッチが処理される場合は、砒素および
塩素化合物の如き揮発性成分のかなりの損失が生じる・
この損失を克服するためには、過剰の砒素と塩素を小さ
い出発パッチに加えるべきであることを知見し友。例え
ば、約1−の重量のパッチに約10%過剰の砒素と塩素
を使用することによって、固体の合金生成物中KQr望
のセレン−砒素−塩素の濃度tS成することができる。
換言すれば、最終の合金生成物中に口・+oltXの砒
素および1o o ppmの塩素が必要とされる場合は
、出発時の混合智中に約0.44重量%の砒素と約11
09E)mの塩素を使用することになる。しかしながら
、出発時のパッチが約20−より大である場合性、砒素
および塩素化合物の如き揮発分の損失は有意にrj@l
められす、且つ出発時の混合物に過剰の砒素および塩素
轄不要となると考えられる。これIfi完全には明らか
ではないが、合金全体積に対する溶融混合物の露出した
上方表面積の大きさが、砒素および塩素の如き揮発成分
の損失速fK影響することになる・明らかに、混合物が
溶融される一時間および溶融混合物の攪拌の@廖もまた
、揮発性成分の損失の割合に影響することになる。
素および1o o ppmの塩素が必要とされる場合は
、出発時の混合智中に約0.44重量%の砒素と約11
09E)mの塩素を使用することになる。しかしながら
、出発時のパッチが約20−より大である場合性、砒素
および塩素化合物の如き揮発分の損失は有意にrj@l
められす、且つ出発時の混合物に過剰の砒素および塩素
轄不要となると考えられる。これIfi完全には明らか
ではないが、合金全体積に対する溶融混合物の露出した
上方表面積の大きさが、砒素および塩素の如き揮発成分
の損失速fK影響することになる・明らかに、混合物が
溶融される一時間および溶融混合物の攪拌の@廖もまた
、揮発性成分の損失の割合に影響することになる。
約10初以上の出発時のパッチを使用する場合は、出発
時の材料の十分な均一化を確保するえめに機械的に予備
混合するのが望ましい0機械的な予備混合が特FCgま
しい場合は、各成分をショットして導入し、皺シロット
が、異なる成分あるいは異なる比率の成j分から成る種
々のショット粒子、例えば、セレンど砒l/gt−含有
するシ■ットt、セレンと塩素を含有するショットと混
合する場合であシ、且つそのパッチの大きさが約401
に4Iまえはそれ以上である場合である。予備混合は、
1llklkるallの成分を有するシロン)1−順次
導入して形成される混合層を助、ける。轟皺技術分野で
周知の通り、セレン中の高dllIIILの添加剤は、
通常のiスターパッチ技術を使用することにより出発時
の混合物に導入される。大きなパッチの場合には、各成
分tllぼ室温で機械的に予備混合することによって、
混合物を溶融する時の更に激しい混合の必要を無くする
ことができ、その結果、合金化時における砒素および塩
素成分の如き揮発成分の損失を最少限にすることができ
る。いずれの適尚な径のショットも使用することができ
る・約1m〜約5麿のショット径が処理上特に好都合で
ある。予備混合は、いずれか適尚な非反応性の容器中で
行うことができる。非反応性容器の例としては、石英、
dイレツクス、シリカで*Sしたステンレススチール等
を包含する。予備混合用容器は、合金化工程の大部分に
わたって使用することができる′0機械的な混−&は、
攪拌ロッド、う七ン状プレーv1プロペラ、dドル尋の
如t!I%Aずれか適蟲な装置の助けで達成すること、
ができる。
時の材料の十分な均一化を確保するえめに機械的に予備
混合するのが望ましい0機械的な予備混合が特FCgま
しい場合は、各成分をショットして導入し、皺シロット
が、異なる成分あるいは異なる比率の成j分から成る種
々のショット粒子、例えば、セレンど砒l/gt−含有
するシ■ットt、セレンと塩素を含有するショットと混
合する場合であシ、且つそのパッチの大きさが約401
に4Iまえはそれ以上である場合である。予備混合は、
1llklkるallの成分を有するシロン)1−順次
導入して形成される混合層を助、ける。轟皺技術分野で
周知の通り、セレン中の高dllIIILの添加剤は、
通常のiスターパッチ技術を使用することにより出発時
の混合物に導入される。大きなパッチの場合には、各成
分tllぼ室温で機械的に予備混合することによって、
混合物を溶融する時の更に激しい混合の必要を無くする
ことができ、その結果、合金化時における砒素および塩
素成分の如き揮発成分の損失を最少限にすることができ
る。いずれの適尚な径のショットも使用することができ
る・約1m〜約5麿のショット径が処理上特に好都合で
ある。予備混合は、いずれか適尚な非反応性の容器中で
行うことができる。非反応性容器の例としては、石英、
dイレツクス、シリカで*Sしたステンレススチール等
を包含する。予備混合用容器は、合金化工程の大部分に
わたって使用することができる′0機械的な混−&は、
攪拌ロッド、う七ン状プレーv1プロペラ、dドル尋の
如t!I%Aずれか適蟲な装置の助けで達成すること、
ができる。
予備混合音使用する場合は、出発−質を予備混合後、合
金成分を、該混合物が溶融するまで加熱するべきである
。攪拌の如き過蟻な攪拌技術での溶融混合物の混合は、
溶融混合−が高粘性である低温で行うのは困−であるの
で、攪拌工1時は少なくとも約290Cの温度が好まし
い。もし必要であれば、溶融混合物を約550℃という
高い一度に加熱してもよい。それよ如高一温度では、砒
素および塩素成分の如き揮発性成分の損失率が高C〕望
ましくない・上記の通り、溶融混合物の攪拌時には、い
ずれか適幽な非反応性である耐熱極容器が使用できる。
金成分を、該混合物が溶融するまで加熱するべきである
。攪拌の如き過蟻な攪拌技術での溶融混合物の混合は、
溶融混合−が高粘性である低温で行うのは困−であるの
で、攪拌工1時は少なくとも約290Cの温度が好まし
い。もし必要であれば、溶融混合物を約550℃という
高い一度に加熱してもよい。それよ如高一温度では、砒
素および塩素成分の如き揮発性成分の損失率が高C〕望
ましくない・上記の通り、溶融混合物の攪拌時には、い
ずれか適幽な非反応性である耐熱極容器が使用できる。
該容器は、開放型でもよいし、圧力111i11L、た
装置であってもよい。同&K。
装置であってもよい。同&K。
溶融混合物の混合あるいは攪拌には、いずれか周知の非
反応性攪拌手段が使用できる◎少量の溶融混合物の攪拌
は、溶融混合物の表面下に、非反応性のスフ9−ジング
ガス流を単に導入するのみでも行うことができる。
反応性攪拌手段が使用できる◎少量の溶融混合物の攪拌
は、溶融混合物の表面下に、非反応性のスフ9−ジング
ガス流を単に導入するのみでも行うことができる。
溶融混合−の攪拌は、通常は、約30分間〜約1時間3
0分間行うべきである。一般的には、約50分以下の溶
融混合物の攪拌では、小さい/寸ツチの場合であっても
、不均一な合金を生じる結果になる場合がある。更に、
攪拌時間の長さは、パッチの大小にもあるli変依存し
ている◎例えば、大きなノ4ツチに比して小さいパッチ
には、それだけ少ない時間の攪拌が必要となる。攪拌は
、1時間50分以上行ってもよいが、それだけ揮発性成
分の損失が増大する。斐に、エネルギーも不必要に消費
することになる。合金の最適の均一性は、約1時間の攪
拌によって達成される。溶融混合物の攪拌は、不活性雰
囲気中で行って、酸素の如き反応性汚染物の悪影餐を避
けるべきである。窒素、アルゴン、二酸化炭素等の如き
、いずれか適轟擾不活性ス/f−ジガスが、加熱時に1
時に1あるいは周期的にまたは連続的に容器中に導入す
ることができる。過剰のス/f−ジ速度は、砒素および
塩素成分の如き揮発性成分の損失:11が高くなるので
避けるべきである。攪拌は、大気圧でも、あるいは加圧
下ででも行うことができる。その圧力は、開′放口、排
気、圧力解放バルブ等の如き従来の手段で調節すること
ができる。使用する圧力の選択は。
0分間行うべきである。一般的には、約50分以下の溶
融混合物の攪拌では、小さい/寸ツチの場合であっても
、不均一な合金を生じる結果になる場合がある。更に、
攪拌時間の長さは、パッチの大小にもあるli変依存し
ている◎例えば、大きなノ4ツチに比して小さいパッチ
には、それだけ少ない時間の攪拌が必要となる。攪拌は
、1時間50分以上行ってもよいが、それだけ揮発性成
分の損失が増大する。斐に、エネルギーも不必要に消費
することになる。合金の最適の均一性は、約1時間の攪
拌によって達成される。溶融混合物の攪拌は、不活性雰
囲気中で行って、酸素の如き反応性汚染物の悪影餐を避
けるべきである。窒素、アルゴン、二酸化炭素等の如き
、いずれか適轟擾不活性ス/f−ジガスが、加熱時に1
時に1あるいは周期的にまたは連続的に容器中に導入す
ることができる。過剰のス/f−ジ速度は、砒素および
塩素成分の如き揮発性成分の損失:11が高くなるので
避けるべきである。攪拌は、大気圧でも、あるいは加圧
下ででも行うことができる。その圧力は、開′放口、排
気、圧力解放バルブ等の如き従来の手段で調節すること
ができる。使用する圧力の選択は。
オペレーターの安全が第一の条件である0例えば。
約2気圧までの圧力は、書間した重い三ツ口の丸底石英
容器で安全に使用することができる。しかしながら1例
えば、石英容器の少なくとも1個の口が大気に開放され
ているときに満足できる結果が得られる。
容器で安全に使用することができる。しかしながら1例
えば、石英容器の少なくとも1個の口が大気に開放され
ているときに満足できる結果が得られる。
本発明の攪拌工程の最後あるhはその近くでは、溶融混
合物のa度は約り25℃〜約500℃に高められる。い
ずれか適当な従来の手段を使用することによって合金混
合物を加熱することができる。
合物のa度は約り25℃〜約500℃に高められる。い
ずれか適当な従来の手段を使用することによって合金混
合物を加熱することができる。
典型的な加熱装置としては、マントル、炉等を包含する
。加熱の速度は臨界的ではなhと考えられる。パッチの
大小が加熱速度を制限する傾向がある。換言すれば、パ
ッチが大きい程加熱時間がそれだけ長くなるこ、とにな
る、しかしながら、急速、・Ill。
。加熱の速度は臨界的ではなhと考えられる。パッチの
大小が加熱速度を制限する傾向がある。換言すれば、パ
ッチが大きい程加熱時間がそれだけ長くなるこ、とにな
る、しかしながら、急速、・Ill。
な加熱によシ生産性、、が高セなるので急速な加熱が通
常は望ましい、溶融混合物の温度が上昇した後。
常は望ましい、溶融混合物の温度が上昇した後。
あるいは溶融混合物のfi&が上昇したら、溶融混合物
の攪拌を停止あるいは実質的に停止して#I@混合物を
放置し、静止状態にする。攪拌は、溶融混、合物が高い
djA度で静止状態にある間に完全に停止させてもよい
。事実、小さ込パッチでは攪拌は全体的に避けるべきで
ある。約45#Iを超えるような非常に大きなパッチの
場合には、−温和な攪拌や温和なスフ9−ソングの如く
の微かな攪拌を使用することができる。一般的に云えば
、微かな攪拌によっては、溶融混合物の動きは、殆んど
あるいは全く感知されない。しかしながら、がスス/f
−ジングを包含する攪拌を完全に停止することは。
の攪拌を停止あるいは実質的に停止して#I@混合物を
放置し、静止状態にする。攪拌は、溶融混、合物が高い
djA度で静止状態にある間に完全に停止させてもよい
。事実、小さ込パッチでは攪拌は全体的に避けるべきで
ある。約45#Iを超えるような非常に大きなパッチの
場合には、−温和な攪拌や温和なスフ9−ソングの如く
の微かな攪拌を使用することができる。一般的に云えば
、微かな攪拌によっては、溶融混合物の動きは、殆んど
あるいは全く感知されない。しかしながら、がスス/f
−ジングを包含する攪拌を完全に停止することは。
パッチの大小に係わシず好ましいものであシ、それによ
って揮発性成分の損失が少なくなり、エネルギーの消費
が少なくなり、残留電圧の発生に対する抵抗性が、本発
明の゛最終の固体合金生成物−中に達成される。溶融混
合物を高い温度に保持するのに使用する時間の長さは、
パッチ−の大小および使用する特定の高い温度に依存し
ている。満足できる結果は%溶融混合物を約30分間〜
約3時間+Ii6 ram K維持するときに達成する
ことができる。しかしながら、約30分以下の時間を使
用した場合は、スペース電荷発生に対する抵抗性とbう
利点が大いに減少する。約3時間を超える時間では、砒
素および塩素化合物の如き揮発性成分が過剰に失われる
ようになる11例えば、良好な結果轄、静止状態を約4
25℃の温度で約3時間保持するか、あるいは約500
℃の温度を使用し九場合は約1時間保持する場合に達成
される。約500℃よシ高い温度では、砒素および塩素
化合物の如き揮発性材料の損失が過剰になる傾向がある
。最終の合金生成物における持続性の多量のスペース電
荷の発生を最適KIIk少限化すること社、静止溶融混
合物を、約り50℃〜約475℃の温度に約1〜2時間
保持するときく達成される。溶融混合物を高温で静止の
状態に保持する1紀の工程は、低−サイクルアップ挙動
を示す合金製品を製造するうえで本質的である。尚該技
術分野で周知であるように、サイクルアップは、感光体
を電子写真像形成方法で繰返し使用する時、特にその繰
返し使用が高速で行われる時に、持続性の大量の正のス
ペース電荷、すなわち残留電位の発生によシ生じる。
って揮発性成分の損失が少なくなり、エネルギーの消費
が少なくなり、残留電圧の発生に対する抵抗性が、本発
明の゛最終の固体合金生成物−中に達成される。溶融混
合物を高い温度に保持するのに使用する時間の長さは、
パッチ−の大小および使用する特定の高い温度に依存し
ている。満足できる結果は%溶融混合物を約30分間〜
約3時間+Ii6 ram K維持するときに達成する
ことができる。しかしながら、約30分以下の時間を使
用した場合は、スペース電荷発生に対する抵抗性とbう
利点が大いに減少する。約3時間を超える時間では、砒
素および塩素化合物の如き揮発性成分が過剰に失われる
ようになる11例えば、良好な結果轄、静止状態を約4
25℃の温度で約3時間保持するか、あるいは約500
℃の温度を使用し九場合は約1時間保持する場合に達成
される。約500℃よシ高い温度では、砒素および塩素
化合物の如き揮発性材料の損失が過剰になる傾向がある
。最終の合金生成物における持続性の多量のスペース電
荷の発生を最適KIIk少限化すること社、静止溶融混
合物を、約り50℃〜約475℃の温度に約1〜2時間
保持するときく達成される。溶融混合物を高温で静止の
状態に保持する1紀の工程は、低−サイクルアップ挙動
を示す合金製品を製造するうえで本質的である。尚該技
術分野で周知であるように、サイクルアップは、感光体
を電子写真像形成方法で繰返し使用する時、特にその繰
返し使用が高速で行われる時に、持続性の大量の正のス
ペース電荷、すなわち残留電位の発生によシ生じる。
上記の静止状態工程が完了した彼、合金を冷却して固化
させる。冷却は、ショット化、注形化等の叩きいずれか
適当な技術により達成することができる。合金ショット
は、取扱い上好ましいものであるので、例えば、その合
金を300℃に冷却し、その後、ショット化ヘツPの如
き非反ろ性の耐熱性有孔材料中に流して合金の液滴を形
成することができる。これらの液滴は、水の如き冷却用
液体中に4Fさせることができる。約800〜約310
℃の温度でショットを形成することにより、ショット形
成に適当な粘度が得られる。液滴は、いずれか適当な技
術により烏却することができる。典型的な冷却技術とし
ては、冷却用液体中への浸漬、ショットタワー中での自
由落下、冷却した伝熱性表面による衝撃等を包含する。
させる。冷却は、ショット化、注形化等の叩きいずれか
適当な技術により達成することができる。合金ショット
は、取扱い上好ましいものであるので、例えば、その合
金を300℃に冷却し、その後、ショット化ヘツPの如
き非反ろ性の耐熱性有孔材料中に流して合金の液滴を形
成することができる。これらの液滴は、水の如き冷却用
液体中に4Fさせることができる。約800〜約310
℃の温度でショットを形成することにより、ショット形
成に適当な粘度が得られる。液滴は、いずれか適当な技
術により烏却することができる。典型的な冷却技術とし
ては、冷却用液体中への浸漬、ショットタワー中での自
由落下、冷却した伝熱性表面による衝撃等を包含する。
好tしくに、ショツト粒子の形成と冷却は、窒素、アル
□ ボン、二酸化炭素等の如き適当な不活性ガス中で行って
、汚染物との望ましくない反応を防止する。
□ ボン、二酸化炭素等の如き適当な不活性ガス中で行って
、汚染物との望ましくない反応を防止する。
令姉速度は重要ではないようである。例えば、450℃
から約20分間で冷却した1#のパッチからとったサン
プルと、約2時間で冷却した27噌のパッチからとった
サンプルから、同一のサイクルアップ特性の低下が得ら
れる。冷却1楊が重要でないことを更に説明すると、氷
水中で形成したショットと、約20、℃の温[K保持し
た水中で形成したショットとの間では、注形シよびシ曹
ット化合金に関し、電気的性質において差は1められな
かった。
から約20分間で冷却した1#のパッチからとったサン
プルと、約2時間で冷却した27噌のパッチからとった
サンプルから、同一のサイクルアップ特性の低下が得ら
れる。冷却1楊が重要でないことを更に説明すると、氷
水中で形成したショットと、約20、℃の温[K保持し
た水中で形成したショットとの間では、注形シよびシ曹
ット化合金に関し、電気的性質において差は1められな
かった。
一般的には、本発明の改良方法の利点は、以下の本発明
の開示特に添付図面を参照した説明から明らかになるで
あろう。
の開示特に添付図面を参照した説明から明らかになるで
あろう。
第1図は、本発明方法における温度と時間との間の関係
の一実施態様を説明するものである。
の一実施態様を説明するものである。
第2図は、本発明の静止状態を採用した場合と採用しな
い場合で調製した合金のサイクルアップ特性を説明する
ものである。
い場合で調製した合金のサイクルアップ特性を説明する
ものである。
以下の実施−について採用し九第1図および第2図は、
光導電性絶縁性金属の製造方法に関し、本発明を更に特
定的に説明している。I量−セントは特に#シのない限
プ重量−であるう対照実施例以外の上記の説明および下
記の実施例の目的は。
光導電性絶縁性金属の製造方法に関し、本発明を更に特
定的に説明している。I量−セントは特に#シのない限
プ重量−であるう対照実施例以外の上記の説明および下
記の実施例の目的は。
本発明の各種の好ましい実施態様を説明することである
。
。
実施例1
全体のV−一ング剤量として、約0.36重量憾の砒素
と約110 ppmの塩素を有する約1畑のセレンショ
ットからなる溶融混合物をJ三日石英丸底容器中でグラ
スコル(Glasscal ) 加熱用マントルによ
り熱をかけて、混合物の温度を約500℃に高めて形成
した。一温度は、パーパー−コルiン(Barber−
Coleman ) 520コントローラでコントロ
ールし、且つ出来るだけフラスコの中心近くに挿入した
石英シーズ中のオメガ(Om@g・)クロメルーアロメ
ル熱電対を経たトリック中ディジトレンド(Dorlc
C)Igltrvnd ) 200記鎌計により監視
した。混合は、溶融合金混合物中に浸漬したラセン状石
英攪拌器を用いて約300℃で開始した。攪拌器は1分
間あたり約60回転で回転させた。窒素スフ4−ジガス
を、約800〜約1,000cvn’/、111y1の
速度で、溶融混合物中に浸漬した石−英蕾を通して導入
し丸。このスパージIスは、空気の開放口から遍けるよ
うにし丸、約60分後、゛温合とス/f−ジンダを停止
し、且つ#I融湯温合物温度を約45 OCK高めえ、
該溶融合金を、約1嗜間例らの攪拌もせずにこの1度で
静止状膳に保った。#置処理の蝋41&において、溶融
混合物の温度f#5QOCK低下させ丸0次に石英容器
の口を対し、次いで溶融合金の表面に対して窒素により
正圧をかけ、濤−合金中に浸し九一端を有する逆U字形
の石英管中に強制的に61L込み、皺濤融合金を、該1
111411合金を液滴に破断するシ瀦ット化ヘッドを
備えている石英管の他端へ強制的に移動させた。この方
法で使用した温度と時間は硝1−に示し友、シ層ット化
ヘッドからの液滴は、約25℃の温度に保つ丸脱イオン
水の浴中に落下させ九。
と約110 ppmの塩素を有する約1畑のセレンショ
ットからなる溶融混合物をJ三日石英丸底容器中でグラ
スコル(Glasscal ) 加熱用マントルによ
り熱をかけて、混合物の温度を約500℃に高めて形成
した。一温度は、パーパー−コルiン(Barber−
Coleman ) 520コントローラでコントロ
ールし、且つ出来るだけフラスコの中心近くに挿入した
石英シーズ中のオメガ(Om@g・)クロメルーアロメ
ル熱電対を経たトリック中ディジトレンド(Dorlc
C)Igltrvnd ) 200記鎌計により監視
した。混合は、溶融合金混合物中に浸漬したラセン状石
英攪拌器を用いて約300℃で開始した。攪拌器は1分
間あたり約60回転で回転させた。窒素スフ4−ジガス
を、約800〜約1,000cvn’/、111y1の
速度で、溶融混合物中に浸漬した石−英蕾を通して導入
し丸。このスパージIスは、空気の開放口から遍けるよ
うにし丸、約60分後、゛温合とス/f−ジンダを停止
し、且つ#I融湯温合物温度を約45 OCK高めえ、
該溶融合金を、約1嗜間例らの攪拌もせずにこの1度で
静止状膳に保った。#置処理の蝋41&において、溶融
混合物の温度f#5QOCK低下させ丸0次に石英容器
の口を対し、次いで溶融合金の表面に対して窒素により
正圧をかけ、濤−合金中に浸し九一端を有する逆U字形
の石英管中に強制的に61L込み、皺濤融合金を、該1
111411合金を液滴に破断するシ瀦ット化ヘッドを
備えている石英管の他端へ強制的に移動させた。この方
法で使用した温度と時間は硝1−に示し友、シ層ット化
ヘッドからの液滴は、約25℃の温度に保つ丸脱イオン
水の浴中に落下させ九。
次に、得られ九合金ショット粒子をt&燥した。
夷゛施例厘
′lIa@下での静止状l11mを省略したことを除い
て、実施例IK紀−の工程を繰返し丸、得られ九七レン
合金は、約0.55重量悌の砒素および約1100pp
の塩素を含有してい丸、この合金を、45.72ffi
(18インチ)のがラス鐘中で、樹脂接噛層で被覆した
6、 55mx 7e 62511(2,5インチ×5
インチ)のニッケル基体上に真空蒸着させて、約60ミ
クロンの厚さを有する光導電性プレートを形成した0次
に、この感光体に一定電流(感光体を通る)下に正のO
Cコロトロンを通した。電流を関節して、帯電後0.6
秒で蛾初のサイクル中に表面電位が約750Mルトにな
る嫌にした。・奢ルス化レーデ−(波長557nm、/
4ルス巾4 n s@c )を使用して、帯電後0.6
s@c、で感光体を照射し、約200 n see、す
なわちこの場の正電荷の移行時間で感光体を約゛2G#
ルトに放電させた0次に:感光体を、Dtコロト0ンに
よ秒、最初の帯電−流の約0.67倍に漬しい正の一定
電流を与えることにより再帯電させた。感光体の再帯電
時t’Lhて、コロトロンの下方の領域並びK11li
!する領域を、550nm〜1,000nmのすべその
放射線を本質的に除去するようにフィルターをかけた2
00ワット水銀−キセノンランプで照射した。このよう
にして、サンプルは、″再帯電コロトロンで再帯電させ
られる前に、ある残留電圧まで放電させられた。
て、実施例IK紀−の工程を繰返し丸、得られ九七レン
合金は、約0.55重量悌の砒素および約1100pp
の塩素を含有してい丸、この合金を、45.72ffi
(18インチ)のがラス鐘中で、樹脂接噛層で被覆した
6、 55mx 7e 62511(2,5インチ×5
インチ)のニッケル基体上に真空蒸着させて、約60ミ
クロンの厚さを有する光導電性プレートを形成した0次
に、この感光体に一定電流(感光体を通る)下に正のO
Cコロトロンを通した。電流を関節して、帯電後0.6
秒で蛾初のサイクル中に表面電位が約750Mルトにな
る嫌にした。・奢ルス化レーデ−(波長557nm、/
4ルス巾4 n s@c )を使用して、帯電後0.6
s@c、で感光体を照射し、約200 n see、す
なわちこの場の正電荷の移行時間で感光体を約゛2G#
ルトに放電させた0次に:感光体を、Dtコロト0ンに
よ秒、最初の帯電−流の約0.67倍に漬しい正の一定
電流を与えることにより再帯電させた。感光体の再帯電
時t’Lhて、コロトロンの下方の領域並びK11li
!する領域を、550nm〜1,000nmのすべその
放射線を本質的に除去するようにフィルターをかけた2
00ワット水銀−キセノンランプで照射した。このよう
にして、サンプルは、″再帯電コロトロンで再帯電させ
られる前に、ある残留電圧まで放電させられた。
しかして、そのサンプルが再帯電コロトロンを噛れた後
には、おそらく輿なる残留電圧を残していると考えられ
る0次に、感光体を、640nm〜1050 nm の
スペクトル領域における放射線を発生している透間した
、後放電用タングステン−ハライド消去ランプ(色温度
的g、200に)で照射した。各々のサイクルを約3.
1秒で完了した。このサイクルを800回繰返し、モン
ロー(Mo酎耐S ) 静電デp−プで各々のサイク
ルの終点で感光体の表面で残留電位を調定した0次に残
留電位を、ナイクル対電圧としてプロットし、第2図中
の曲線^により示した。
には、おそらく輿なる残留電圧を残していると考えられ
る0次に、感光体を、640nm〜1050 nm の
スペクトル領域における放射線を発生している透間した
、後放電用タングステン−ハライド消去ランプ(色温度
的g、200に)で照射した。各々のサイクルを約3.
1秒で完了した。このサイクルを800回繰返し、モン
ロー(Mo酎耐S ) 静電デp−プで各々のサイク
ルの終点で感光体の表面で残留電位を調定した0次に残
留電位を、ナイクル対電圧としてプロットし、第2図中
の曲線^により示した。
実施例璽 III
□実施例1に記載の条件下でセレン合金を調製し、約o
、ss’重量−の砒素および約1’ OOppmの塩素
でドーピングされたセレン合金を形成した。この合金を
実施例菫Kr戟O方法により、実施倒置で使用した被覆
基体と同一の樹脂で被覆したニッケル基体上に真空蒸着
し、約60tクロンの厚さを有する光導電性層を形成し
た。jl!に2個の感光体を、実質的に同一の方法でs
ol製し、約0.5e重量−の砒素および約1o o
ppmの塩素でドーピングされ友釣60tクロンの厚さ
のセレン合金を形成した。これらの三種の感光体を実施
例璽に記載の方法と正確に同一の方法で帯電、露光およ
び消去した。各々のサイクルの終点でこれらの三種の感
光体の残−電圧をプロットし、且つ第2図に曲線B、C
およびOとして示した。全部の三種の光導電性プレート
のlll11方法、合金組成および感光体の厚さは実質
的に同一であるが、第2図に示す通osesのプレート
11.Cおよび0甲に蓄積し九残留電圧は黴かに変化が
らる。この変化は、実験誤差によるものであると考えら
れている0本発明方法により作成し、曲ll18、Cお
よびOK示し九5櫨の合金は、800サイクシ後で約4
0〜60 z sy )の残留電圧を示し、一方、実施
両層に1戟の如く高温下で静止状態工種を採らないで関
製し、且つ第2図の1縮^として示した合金は、800
サイクル後に約270がルトの残留電圧を示した。−纏
B%CをよびOで表わした合金性能改良の平均は、曲線
Aで表わした合金の性能よりも約5倍大である。
、ss’重量−の砒素および約1’ OOppmの塩素
でドーピングされたセレン合金を形成した。この合金を
実施例菫Kr戟O方法により、実施倒置で使用した被覆
基体と同一の樹脂で被覆したニッケル基体上に真空蒸着
し、約60tクロンの厚さを有する光導電性層を形成し
た。jl!に2個の感光体を、実質的に同一の方法でs
ol製し、約0.5e重量−の砒素および約1o o
ppmの塩素でドーピングされ友釣60tクロンの厚さ
のセレン合金を形成した。これらの三種の感光体を実施
例璽に記載の方法と正確に同一の方法で帯電、露光およ
び消去した。各々のサイクルの終点でこれらの三種の感
光体の残−電圧をプロットし、且つ第2図に曲線B、C
およびOとして示した。全部の三種の光導電性プレート
のlll11方法、合金組成および感光体の厚さは実質
的に同一であるが、第2図に示す通osesのプレート
11.Cおよび0甲に蓄積し九残留電圧は黴かに変化が
らる。この変化は、実験誤差によるものであると考えら
れている0本発明方法により作成し、曲ll18、Cお
よびOK示し九5櫨の合金は、800サイクシ後で約4
0〜60 z sy )の残留電圧を示し、一方、実施
両層に1戟の如く高温下で静止状態工種を採らないで関
製し、且つ第2図の1縮^として示した合金は、800
サイクル後に約270がルトの残留電圧を示した。−纏
B%CをよびOで表わした合金性能改良の平均は、曲線
Aで表わした合金の性能よりも約5倍大である。
実施例y
溶融合金混合物の温度を、実施例1における450℃の
代わ秒に約500℃から約500℃に鳥めたことを除い
て、実施例1に記載の方法を繰返した。得られた合金は
、夷繍例厘に記fIItの如くテストしたとこう、実施
例履に記載の合金の挙動と同様の低残留電圧挙動を示し
た。
代わ秒に約500℃から約500℃に鳥めたことを除い
て、実施例1に記載の方法を繰返した。得られた合金は
、夷繍例厘に記fIItの如くテストしたとこう、実施
例履に記載の合金の挙動と同様の低残留電圧挙動を示し
た。
実施例V
濤融合金温合物の温度を、実施例富の450cの代わb
vcasoocから約425℃に高めたことを除いて実
施例!に記IEO方法を繰返した。得られた合金は、実
施両層に記載の如くテストすると、l!論例厘に記載の
合金と同様な低い残留電位挙動を示、しえ。
vcasoocから約425℃に高めたことを除いて実
施例!に記IEO方法を繰返した。得られた合金は、実
施両層に記載の如くテストすると、l!論例厘に記載の
合金と同様な低い残留電位挙動を示、しえ。
実m例■
約0.56重量−の砒素と約110 ppmの塩素とか
らなる全ドーピング削含有量を有する約1麺のセレンシ
ョットからなる1lll#A滉合物を実施例1に記載の
装置中で逃場し九、1合物を約500℃に加熱した。混
合物が約500℃に遍した時に混合を開始し、且つ約2
時間続は九・混合処理の終点において、S−合金0*d
lK対して二酸化炭素ブスにより正圧をかけ、実施例I
K記載の如き逆U字形石英管中に強制的に通した。著し
い揮発性成分が失われ、且つこの実施例の合金を感光体
として実施例璽の方法を用いてテストしたとこう、^い
残留電位がl!察された。
らなる全ドーピング削含有量を有する約1麺のセレンシ
ョットからなる1lll#A滉合物を実施例1に記載の
装置中で逃場し九、1合物を約500℃に加熱した。混
合物が約500℃に遍した時に混合を開始し、且つ約2
時間続は九・混合処理の終点において、S−合金0*d
lK対して二酸化炭素ブスにより正圧をかけ、実施例I
K記載の如き逆U字形石英管中に強制的に通した。著し
い揮発性成分が失われ、且つこの実施例の合金を感光体
として実施例璽の方法を用いてテストしたとこう、^い
残留電位がl!察された。
*lsHm
約0.57重量−の砒素セよび約150 Pg)ffl
の塩素からなる全ドーピング含有量を有する約27−の
七しンジ四ットからな暮溶融1合物を、実施例1に記載
の装置中で処理した。混合物をまず約500℃に加熱し
友、温度が約300℃に達し九ら混合を開始し、且つ約
60分間何は九、4合後、溶融混合物の温度を約450
℃に高めた。*m混金物を、約60分間何らの攪拌もせ
ずに上記の高温での静止状態に維持し九、静止状態処理
の終点において、廖−混合物の温度を約!s00℃に低
下させた。溶融合金表面に対して二酸化炭素がスにより
正圧をかけ、該合金を実施例IK記載の如き逆U字形石
英管中に強制的に通しえ、この実施例の合金を感光体と
して実施装置の方法を使用してテストしたとこう、低v
h残流電位が観察され九。
の塩素からなる全ドーピング含有量を有する約27−の
七しンジ四ットからな暮溶融1合物を、実施例1に記載
の装置中で処理した。混合物をまず約500℃に加熱し
友、温度が約300℃に達し九ら混合を開始し、且つ約
60分間何は九、4合後、溶融混合物の温度を約450
℃に高めた。*m混金物を、約60分間何らの攪拌もせ
ずに上記の高温での静止状態に維持し九、静止状態処理
の終点において、廖−混合物の温度を約!s00℃に低
下させた。溶融合金表面に対して二酸化炭素がスにより
正圧をかけ、該合金を実施例IK記載の如き逆U字形石
英管中に強制的に通しえ、この実施例の合金を感光体と
して実施装置の方法を使用してテストしたとこう、低v
h残流電位が観察され九。
実施例■
約t sho高ts度セレンVWット粒子、約10重を
−の砒素から成るドーCンダ剤含量を有する約[1,6
KFの七しンジ冒ット、および約s、 sonppm塩
素Or−ビンダ含有量を有する約0.6・−のセレンシ
ョットから成るsome、ステンL/Xスチールビー々
=中で室温で約10分間攪拌してき リ1 予備混合した。予備混合が完了したら、線温合物を、7
Jの石英フラスコに移し、且つ約!5OOCK加熱した
。1合物が5oocに適し九ときに温合を開始し、且つ
60分間続けえ0次Kfi合を停止し、且つ溶融混合物
の温度を約450 CK高め九、111融合金を約60
分間この嶌晶に静止状1g1K保持した。静止状態処理
の終点において、溶融1合物の温度を約3000に:低
下させ丸0次に石英容器を密封し、且つ溶融合金の表面
に対して二酸化炭素fスで正圧をかけ、該合金を、実開
1に記載の如き逆U字形石英管中に強制的に通した。
−の砒素から成るドーCンダ剤含量を有する約[1,6
KFの七しンジ冒ット、および約s、 sonppm塩
素Or−ビンダ含有量を有する約0.6・−のセレンシ
ョットから成るsome、ステンL/Xスチールビー々
=中で室温で約10分間攪拌してき リ1 予備混合した。予備混合が完了したら、線温合物を、7
Jの石英フラスコに移し、且つ約!5OOCK加熱した
。1合物が5oocに適し九ときに温合を開始し、且つ
60分間続けえ0次Kfi合を停止し、且つ溶融混合物
の温度を約450 CK高め九、111融合金を約60
分間この嶌晶に静止状1g1K保持した。静止状態処理
の終点において、溶融1合物の温度を約3000に:低
下させ丸0次に石英容器を密封し、且つ溶融合金の表面
に対して二酸化炭素fスで正圧をかけ、該合金を、実開
1に記載の如き逆U字形石英管中に強制的に通した。
得られ九合金を、樹脂接着ノーで被覆したニッケルベル
ト上に真空蒸着し、ぜ日ツクス9500複写機中で数百
回の像形成!イクルで使用し九ところ、すぐれえ!イク
ルアツデコントロールを示シタ。
ト上に真空蒸着し、ぜ日ツクス9500複写機中で数百
回の像形成!イクルで使用し九ところ、すぐれえ!イク
ルアツデコントロールを示シタ。
本発明は、本発明の好ましい実施圃様を特に参照して詳
細K1m明し九が、変形および修正は上述のおよび特許
請求の範囲で定義し九本発明の要旨とIlv!A内でe
q癲であると解すべきである。
細K1m明し九が、変形および修正は上述のおよび特許
請求の範囲で定義し九本発明の要旨とIlv!A内でe
q癲であると解すべきである。
411図は、本発明方法における温度と時間との間の関
係の1夷SO様を示すもので69、且つ纂2図は、本発
明の静止状態処理のある場合となi場合で四側したそれ
ヤれの合金のサイクルアップ%性を示す。
係の1夷SO様を示すもので69、且つ纂2図は、本発
明の静止状態処理のある場合となi場合で四側したそれ
ヤれの合金のサイクルアップ%性を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1) セレン、合金の総重量の約0.5重量憾〜約
0.5重量畳の砒素および合金の総重量の約50 pp
m〜約1501mの塩素から成る光導電性絶縁性合金の
製造方法であって、十分産量のセレン、砒素および塩素
から成る混合物を約り90℃〜約330℃の温度に加熱
して溶融混合物を形成し、該゛溶融混合物を攪拌してセ
レン。 砒素および塩素を混合し、該溶融混合物のすべての攪拌
を停止または1!質的に停止し、該溶融混合物を少なく
とも約420℃の温度に少なくとも約30分間加熱し、
および、該混合物が固化するまで該混合物を冷却するこ
とから成る光導電性絶縁性合金の製造方法。 (2) 混合物を、約り90℃〜約!h60℃の温度
に、大気に開放された容器中で加熱することを包含する
特許請求の範囲第(1)項に記載の方法。 +3)#線混合物の攪拌を停止あるいは実質的に停止し
九*、該溶融混合物を、約り25℃〜約500℃の温度
に約30分間加熱時間加熱することから成る特許請求の
範囲第(1)墳に記載の方法0 (4) 溶融混合物の攪拌を停止または実質的に停止
し喪後、該混合物を約450℃の温度に約1時間〜約2
時間加熱する特許請求の範−第(3)寝に記載の方法。 (6) 溶融混合物を約30分間加熱時間30分間攪
拌することKよってセレン、砒素および塩素を混合する
ことを包含する特許請求の#!8第(1)項に記載の方
法働 (6)実質的に不活性な雰囲気中で光導電性杷嶽性合金
を□調製することを包含する特許請求の”as第(1)
項に記載の方法。 (7) 溶融混合物を約り90℃〜約310℃の温度
に冷却して、該溶融混合物を液滴に形成し且つ該液滴を
冷却して固体ショットを形成することを包含する特許請
求の範1ffl l@ (1)項に記載の方法。 (8)約り90℃〜約550℃の温度に加熱された混合
物が、最初は約10ij量%までの過剰の砒素および約
10重量%着での過剰の塩素から成る特許請求の範曲部
(1)項に記載の方法・(9) 混合@を約り90℃
〜約300℃の温度に加熱する萌に、高純度のセレンか
ら成るショツト粒子と、セレンと砒素とから成るショツ
ト粒子と、セレンと塩素とから成るショツト粒子と全撹
拌することによって、M混合物を予備混合する%fFr
a求の範囲纂+1)項に記載の方法。 II・ セレン、合金の総重量の約0.5重重%〜約0
.5重Jii3+6の砒素および合金の#g重皺の約5
0 ppm〜約150 ppmの塩素から成る光導電性
絶縁性合金の製造方法でめ一ンて、十分な量のセレン、
砒素および塩素から成る混合物を、約290C〜約33
0℃の温度、に加熱してIV1融混融物合物成し、該治
融混合*t−約30分〜約5時曲撹拌して上記のセレン
、砒素および塩Xを混合し、該溶融混合物のすべての撹
拌を停止また(i実簀的に停止し、該溶融混合物を少な
くと本釣420℃の温度に少なくとも約30分〜約3時
翻加熱し、且つ該混合物が固化するまで該混合物を冷却
することから成る上記光導電性層−縁性合金の製造方法
。 −) 、1゛
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/326,997 US4414179A (en) | 1981-12-03 | 1981-12-03 | Process for making photoreceptors |
US326997 | 1981-12-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58104005A true JPS58104005A (ja) | 1983-06-21 |
JPH0450582B2 JPH0450582B2 (ja) | 1992-08-14 |
Family
ID=23274686
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57207492A Granted JPS58104005A (ja) | 1981-12-03 | 1982-11-26 | 電子写真感光体用光導電性絶縁性合金の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4414179A (ja) |
EP (1) | EP0081350B1 (ja) |
JP (1) | JPS58104005A (ja) |
CA (1) | CA1192390A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US4842973A (en) * | 1988-04-08 | 1989-06-27 | Xerox Corporation | Vacuum deposition of selenium alloy |
US4859411A (en) * | 1988-04-08 | 1989-08-22 | Xerox Corporation | Control of selenium alloy fractionation |
US4894307A (en) * | 1988-11-04 | 1990-01-16 | Xerox Corporation | Processes for preparing and controlling the fractionation of chalcogenide alloys |
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US5084301A (en) * | 1990-09-04 | 1992-01-28 | Xerox Corporation | Alloying and coating process |
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DE1250737B (ja) * | 1963-07-08 | |||
US3867143A (en) * | 1969-01-17 | 1975-02-18 | Canon Kk | Electrophotographic photosensitive material |
SE356223B (ja) * | 1971-03-12 | 1973-05-21 | Boliden Ab | |
JPS49112623A (ja) * | 1973-02-03 | 1974-10-26 | ||
US4126457A (en) * | 1973-05-30 | 1978-11-21 | Xerox Corporation | Evaporation technique for producing high temperature photoreceptor alloys |
DE2425286B2 (de) * | 1974-05-24 | 1976-10-14 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zum herstellen eines elektrophotographischen aufzeichnungsmaterials |
JPS5470041A (en) * | 1977-11-15 | 1979-06-05 | Stanley Electric Co Ltd | Flexible multilayer xerographic photosensitive member |
JPS55159445A (en) * | 1979-05-31 | 1980-12-11 | Ricoh Co Ltd | Electrophotographic receptor |
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US4286033A (en) * | 1980-03-05 | 1981-08-25 | Xerox Corporation | Trapping layer overcoated inorganic photoresponsive device |
US4338387A (en) * | 1981-03-02 | 1982-07-06 | Xerox Corporation | Overcoated photoreceptor containing inorganic electron trapping and hole trapping layers |
-
1981
- 1981-12-03 US US06/326,997 patent/US4414179A/en not_active Expired - Lifetime
-
1982
- 1982-10-27 CA CA000414334A patent/CA1192390A/en not_active Expired
- 1982-11-26 JP JP57207492A patent/JPS58104005A/ja active Granted
- 1982-12-03 EP EP82306440A patent/EP0081350B1/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4414179A (en) | 1983-11-08 |
CA1192390A (en) | 1985-08-27 |
EP0081350B1 (en) | 1986-11-20 |
EP0081350A1 (en) | 1983-06-15 |
JPH0450582B2 (ja) | 1992-08-14 |
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