JPS58102589A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPS58102589A JPS58102589A JP56201234A JP20123481A JPS58102589A JP S58102589 A JPS58102589 A JP S58102589A JP 56201234 A JP56201234 A JP 56201234A JP 20123481 A JP20123481 A JP 20123481A JP S58102589 A JPS58102589 A JP S58102589A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
- H01S5/0422—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2238—Buried stripe structure with a terraced structure
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１） 発明のｆｊｔ＃分野
本発明は半導体尭光鋏直に係夛、時に安定な儀モードを
祷るための牛尋俸レーザの構造に関するＯ ｌ 亀明の背型 半導体レーザは他のレーザ系に比べて小蚕軽瀘で、＾効
率動作・長埒命ｌｌｌｌ１６運直−質脚が可屈となる利
点を有し、光伝送・元情報地場の要用システムの光源と
して用いられている。
祷るための牛尋俸レーザの構造に関するＯ ｌ 亀明の背型 半導体レーザは他のレーザ系に比べて小蚕軽瀘で、＾効
率動作・長埒命ｌｌｌｌ１６運直−質脚が可屈となる利
点を有し、光伝送・元情報地場の要用システムの光源と
して用いられている。
牛４体レーザの発振基本モード化は元ファイバー通信に
おける広帯域、長距離伝送やは歪アナログＲＩＩ１１等
【実用化するために時に必賛なことである◎ （３）従来技術と問題点 本発明の従来技術として蕪叡に獣差刀Ｕ工を廊１図はこ
の千尋体レーザのレーザ尭秦方向に対してＩ１１直な＃
Ｒ肉図である。
おける広帯域、長距離伝送やは歪アナログＲＩＩ１１等
【実用化するために時に必賛なことである◎ （３）従来技術と問題点 本発明の従来技術として蕪叡に獣差刀Ｕ工を廊１図はこ
の千尋体レーザのレーザ尭秦方向に対してＩ１１直な＃
Ｒ肉図である。
Ｊｌｌ聞において、ｌはｎ形ガリウム・ヒＪｌ（Ｇａム
Ｓ）鼻板％ＳＩＩ′ｉ屯Ｊｌ狭窄領域、８はｎ形ガリク
ム・アルン二つム・ヒ素（Ｇａ ＡＡム＄）クラッド層
、４はＰ形ＧａＡｔＡａ活性層、６はｐ形Ｇ１ムムＳ層
、６はｏ ｊｉｇ ＧａＡ一層、７は！ｄ（Ｚａ）にす
るｐａｔ、畝憤砿、８はｐ＠電憔、９はｎｌ＠電儒【そ
れぞれ示している・仁こで活性層重における活性領域の
暢Ｗは傾斜部の一約ｊｉ−４１ｍＫはぼ等しく％仁の部
分での活性層６０層厚は他の部分に比べて厚い０−作は
ｓ ｐｉＭＩｌ亀他８に正、ｎ稠電憔９に負を壷轢員電
圧を印加し、口形（ｊａＡ１層７０表−からＺａ會拡散
したｐ形拡ｌｋ懺域７及び麺叡ｌに形成し九電ｌＬ狭窄
懺域Ｓに１シ電流を狭窄し、活性領域にのみ電Ｒｔ−注
入し、８輌曾に１９発元を侍る０この光は、クラッド層
ｇ、６と活性層重の層厚差ＫＬりて／８性憤域内に閉じ
込められるＯ半導体レーザの発振横モードを十分に安定
化させ、かつ発掘開直＃ＬＲを低酸する友めＫは、活性
領域ｆトＩｐｍ以下に狭くするとともに活性領域に効皐
よく電ｇを注入する工うに活性置載近傍での屯ｔＩｔ狭
窄を十分く行なう必賛があるりしかしながら、第１図の
構造を有する半導体レーザでは、１ｔｉ性懺域の＠Ｗが
蘭斜鄭の−にほぼ寺しくなる友め、活性領域の−をＳ声
ｍ以下にすることは−しく、またｔｆＩ性懺城近傍での
鴫流伏窄の暢をＳ〆ｍ以下にすることが幽−であるとｉ
う欠点がある０（４） 発明の目的 本発明は活性領域の暢及び電流扶貨の−を２μｍ以下に
することＫＬり従来りりも始ａｉ陶値域−流が低く、か
つ安定な発振横モード脅性を示す半導体レーザを再視性
良く製造することｔｌ的としたものである。
Ｓ）鼻板％ＳＩＩ′ｉ屯Ｊｌ狭窄領域、８はｎ形ガリク
ム・アルン二つム・ヒ素（Ｇａ ＡＡム＄）クラッド層
、４はＰ形ＧａＡｔＡａ活性層、６はｐ形Ｇ１ムムＳ層
、６はｏ ｊｉｇ ＧａＡ一層、７は！ｄ（Ｚａ）にす
るｐａｔ、畝憤砿、８はｐ＠電憔、９はｎｌ＠電儒【そ
れぞれ示している・仁こで活性層重における活性領域の
暢Ｗは傾斜部の一約ｊｉ−４１ｍＫはぼ等しく％仁の部
分での活性層６０層厚は他の部分に比べて厚い０−作は
ｓ ｐｉＭＩｌ亀他８に正、ｎ稠電憔９に負を壷轢員電
圧を印加し、口形（ｊａＡ１層７０表−からＺａ會拡散
したｐ形拡ｌｋ懺域７及び麺叡ｌに形成し九電ｌＬ狭窄
懺域Ｓに１シ電流を狭窄し、活性領域にのみ電Ｒｔ−注
入し、８輌曾に１９発元を侍る０この光は、クラッド層
ｇ、６と活性層重の層厚差ＫＬりて／８性憤域内に閉じ
込められるＯ半導体レーザの発振横モードを十分に安定
化させ、かつ発掘開直＃ＬＲを低酸する友めＫは、活性
領域ｆトＩｐｍ以下に狭くするとともに活性領域に効皐
よく電ｇを注入する工うに活性置載近傍での屯ｔＩｔ狭
窄を十分く行なう必賛があるりしかしながら、第１図の
構造を有する半導体レーザでは、１ｔｉ性懺域の＠Ｗが
蘭斜鄭の−にほぼ寺しくなる友め、活性領域の−をＳ声
ｍ以下にすることは−しく、またｔｆＩ性懺城近傍での
鴫流伏窄の暢をＳ〆ｍ以下にすることが幽−であるとｉ
う欠点がある０（４） 発明の目的 本発明は活性領域の暢及び電流扶貨の−を２μｍ以下に
することＫＬり従来りりも始ａｉ陶値域−流が低く、か
つ安定な発振横モード脅性を示す半導体レーザを再視性
良く製造することｔｌ的としたものである。
（５）発明の構成
本発明は、基板上に第１の多層半導体層を積層し、該第
１の多層半導体層の一部の層ｒｉｇ流を導く・蝋流路層
とし、前記＠１の多層半導体層に前記基板に運する深さ
の傾斜状の１Ｒ１ｔ、＆け％該戚差の傾斜Ｓ表ｔｈｉＫ
旙出した前記鴫訛路層を該傾斜向において−ませて凹部
を設け、活性層と咳活性層を挾んだクラッド層とから成
るダブルへテロ像合構造の第急の多層牛導体虐ｔ−ｍ紀
獣差の酌記凸部を含む鵠斜面上に積層し、＋Ｉｌｌ配第
３の多層半導体層の前記凹部に対応した置載ｔレーザが
発光すとにＬシＩｖｉＦｔｌ／Ｌｖｊｊ４職の４１１１
１１１小Ｌ、カッｍ處踏ｔｔ＊ｗ定する半導体層を活性
領域の近傍に配置することによ）、活性買域の近傍で４
欠狭窄がｂ」龍となる工うにし友ものである。
１の多層半導体層の一部の層ｒｉｇ流を導く・蝋流路層
とし、前記＠１の多層半導体層に前記基板に運する深さ
の傾斜状の１Ｒ１ｔ、＆け％該戚差の傾斜Ｓ表ｔｈｉＫ
旙出した前記鴫訛路層を該傾斜向において−ませて凹部
を設け、活性層と咳活性層を挾んだクラッド層とから成
るダブルへテロ像合構造の第急の多層牛導体虐ｔ−ｍ紀
獣差の酌記凸部を含む鵠斜面上に積層し、＋Ｉｌｌ配第
３の多層半導体層の前記凹部に対応した置載ｔレーザが
発光すとにＬシＩｖｉＦｔｌ／Ｌｖｊｊ４職の４１１１
１１１小Ｌ、カッｍ處踏ｔｔ＊ｗ定する半導体層を活性
領域の近傍に配置することによ）、活性買域の近傍で４
欠狭窄がｂ」龍となる工うにし友ものである。
１６７ 発明の実ＩＩＩ例
不発明の一笑ＩＩＩＡガを用いて不発明の基不慮場を＃
ｉ明することにする。 Ｊｇ ８図は本発明−実画例の
―々の捩造工根を示し次子導体レーザの断面図であるＯ ｎ形ＧａＡａム叡１０上に猷相エピタキシャル成長ｆｆ
１Ｋ工９．ｐ形ＧＩＩＡｔＡＳ層１１．口形（ｉａＡｉ
層ＩＩ、ｐ形ＧａＡｊム畠層１８、口形ＧａＡｓ ｌ＠
ｌ会を順次結晶成員する（ ｌ１１ｇ ｓ ｇｌｔａ
Ｊ ） ｏここで、ｎ形ＧＪＩＡＩ層１ｍ（Ｄ層厚は０
．６− ｍ ｐ ｍで、電流通路として用いるＯｎ形Ｇ
ａＡｍ ４１６は１次の結晶成長時に成兼潜猷との濶れ
ｔ蔑くし、祠晶成長の再塊性を向上するために設けてｂ
る。エピタキシャル層１１．１１１８．１４の一部を化
学エツチングすることにニジ、鍋ｌＩ＋状の緻差刀Ｕ工
を應し、段差の深さが４＠ｉ ｏに通する工うにする０
史にＧａＡｓ層１１、Ｈｌとの組成の這いにするエラ１
ング進度の差を利用して、傾斜状段差部のＧａＡｓ層Ｉ
ＢＫ傾斜した肉からの保さ約ＯＪ〜０．すｍのＦ４＋１
１Ｓｉ形成する（＃Ｉ１図１ｂｌ ） ｏ続いて何嵐献
相エピタキシャル成長法によりｓ”形ＧａＡＬム易クラ
ッド層１Ｂ。
ｉ明することにする。 Ｊｇ ８図は本発明−実画例の
―々の捩造工根を示し次子導体レーザの断面図であるＯ ｎ形ＧａＡａム叡１０上に猷相エピタキシャル成長ｆｆ
１Ｋ工９．ｐ形ＧＩＩＡｔＡＳ層１１．口形（ｉａＡｉ
層ＩＩ、ｐ形ＧａＡｊム畠層１８、口形ＧａＡｓ ｌ＠
ｌ会を順次結晶成員する（ ｌ１１ｇ ｓ ｇｌｔａ
Ｊ ） ｏここで、ｎ形ＧＪＩＡＩ層１ｍ（Ｄ層厚は０
．６− ｍ ｐ ｍで、電流通路として用いるＯｎ形Ｇ
ａＡｍ ４１６は１次の結晶成長時に成兼潜猷との濶れ
ｔ蔑くし、祠晶成長の再塊性を向上するために設けてｂ
る。エピタキシャル層１１．１１１８．１４の一部を化
学エツチングすることにニジ、鍋ｌＩ＋状の緻差刀Ｕ工
を應し、段差の深さが４＠ｉ ｏに通する工うにする０
史にＧａＡｓ層１１、Ｈｌとの組成の這いにするエラ１
ング進度の差を利用して、傾斜状段差部のＧａＡｓ層Ｉ
ＢＫ傾斜した肉からの保さ約ＯＪ〜０．すｍのＦ４＋１
１Ｓｉ形成する（＃Ｉ１図１ｂｌ ） ｏ続いて何嵐献
相エピタキシャル成長法によりｓ”形ＧａＡＬム易クラ
ッド層１Ｂ。
ｐ形ＧａＡｔム−活性Ｊｄ１７％ ｐ形ＧａＡｔＡｓク
ツツド層１８、口形ＧａＡｓ ４１１９ ｔｒｉｌ１次
績ｉ成兼する（ｊｇｌ ｅｔＪ（Ｃ３） ｏ ココで活
性層１７（Ｄ）１ｍ犀ｔｉｉａみ１６のところで最も厚
くなり、リプ形状及びレンズ形状をとるので、この部分
が活性領域となるＯ本大施例では、活性層１７０層厚は
績みｌＳのところで０．１〜ｕ−ｓ ｐｉ ｍ％ｓｉみ
以外の傾斜部で０．ＯＩ 〜０１ｐｍでめりた０この恢
、ｎ形Ｇ１ム一層１９側からＺｎを適訳的に拡散し、拡
散フロントがｐ廖りラッド層１８に達するｐ形拡散慣域
ＩＱｔ−形成する０の上ｒ１ｊＪまでメサ加工した後、
１ＩＩＥｎ形ＧｍＡｓ層ＩＳ上に設ける（第３図−））
ｏこれよｐ不実１カのレーザか得られる。
ツツド層１８、口形ＧａＡｓ ４１１９ ｔｒｉｌ１次
績ｉ成兼する（ｊｇｌ ｅｔＪ（Ｃ３） ｏ ココで活
性層１７（Ｄ）１ｍ犀ｔｉｉａみ１６のところで最も厚
くなり、リプ形状及びレンズ形状をとるので、この部分
が活性領域となるＯ本大施例では、活性層１７０層厚は
績みｌＳのところで０．１〜ｕ−ｓ ｐｉ ｍ％ｓｉみ
以外の傾斜部で０．ＯＩ 〜０１ｐｍでめりた０この恢
、ｎ形Ｇ１ム一層１９側からＺｎを適訳的に拡散し、拡
散フロントがｐ廖りラッド層１８に達するｐ形拡散慣域
ＩＱｔ−形成する０の上ｒ１ｊＪまでメサ加工した後、
１ＩＩＥｎ形ＧｍＡｓ層ＩＳ上に設ける（第３図−））
ｏこれよｐ不実１カのレーザか得られる。
動作はｐ＠電傷ｊｌｌに正ｓ ｎ＠電砺８Ｓに負電圧を
印加するとエピタキシャル／＠ｉｌｌがｎ形なのに対し
てエビタ中シャル層１１及び１８かｐ形であるのでｐ−
ｎ逆バイアスにＬって電流はｎ形ＵａＡａ Ｎ１１ ｍ
ノみＩ／ｃ狭窄されながら、活性層１７のリプ形状の
活性領域にのみ江入され、丹１１＃會により咳活性懺域
で軸元を得る。十分な注入域流によって損失に利得かう
ち勝った時、活性領域からレーザ元か生じる０この元は
クラッド層１６及びＩＩと活性領域両層の活性層１７の
層厚差にＬ９鍍活性懺域に閉じ込められ、削紀農厚差に
よる元の横方向閉じ込め作用ＫＬＤ安定した着率モード
を発振する◎ 本夫ｍｅ’ｍに工れば、鴫流遥路層１１＊１ｊｌｓｌ”
と自み１５を設けることにＬプ活性憤域の暢及び電Ｒ狭
窄の幅をＳｓｍ以内に抑えることかで自るので１発ｔＡ
−値′＠訛が駄〈、かつ安定な発振機モードが得られる
という幼乗がある〇 ＠Ｓ図は本発明の応用力における半導体レーザのＩｔｈ
−図であるＯｓ８図に関して説明した部分と１Ｗｌｓ分
はＩＷｌ配号で指示しである。
印加するとエピタキシャル／＠ｉｌｌがｎ形なのに対し
てエビタ中シャル層１１及び１８かｐ形であるのでｐ−
ｎ逆バイアスにＬって電流はｎ形ＵａＡａ Ｎ１１ ｍ
ノみＩ／ｃ狭窄されながら、活性層１７のリプ形状の
活性領域にのみ江入され、丹１１＃會により咳活性懺域
で軸元を得る。十分な注入域流によって損失に利得かう
ち勝った時、活性領域からレーザ元か生じる０この元は
クラッド層１６及びＩＩと活性領域両層の活性層１７の
層厚差にＬ９鍍活性懺域に閉じ込められ、削紀農厚差に
よる元の横方向閉じ込め作用ＫＬＤ安定した着率モード
を発振する◎ 本夫ｍｅ’ｍに工れば、鴫流遥路層１１＊１ｊｌｓｌ”
と自み１５を設けることにＬプ活性憤域の暢及び電Ｒ狭
窄の幅をＳｓｍ以内に抑えることかで自るので１発ｔＡ
−値′＠訛が駄〈、かつ安定な発振機モードが得られる
という幼乗がある〇 ＠Ｓ図は本発明の応用力における半導体レーザのＩｔｈ
−図であるＯｓ８図に関して説明した部分と１Ｗｌｓ分
はＩＷｌ配号で指示しである。
本変形例が第３図実施例と相違する点は基板１Ｇ上にｐ
形ＧａＡｔＡａ層ｓ８とｐ形Ｇ１ム＄層ｍ４ｉ刀Ω兄た
ことである０この牛導体増８８及びＩＡ番ｔ−設けるこ
とＫＬシ、Ｊｇ ｌ ｌ１ｉｉ２（−の段走澗工の友め
〇−択エッデングを行なう１Ｍ１工、テング戚圓１６ｉ
基叡１Ｇの上端に榴度艮〈−放させ捩趙随斜部の形状の
再挑性を同上させるとともに活性層１丁の活性領域の形
状制御を行ないやすくで龜るという効果がある。
形ＧａＡｔＡａ層ｓ８とｐ形Ｇ１ム＄層ｍ４ｉ刀Ω兄た
ことである０この牛導体増８８及びＩＡ番ｔ−設けるこ
とＫＬシ、Ｊｇ ｌ ｌ１ｉｉ２（−の段走澗工の友め
〇−択エッデングを行なう１Ｍ１工、テング戚圓１６ｉ
基叡１Ｇの上端に榴度艮〈−放させ捩趙随斜部の形状の
再挑性を同上させるとともに活性層１丁の活性領域の形
状制御を行ないやすくで龜るという効果がある。
＃１番図も本発明の応用例における午尋俸レーザの断ｒ
ｋＪｗＪであるｏ Ｊｌ １図及び第８図に関して説明
した部分と同部分はｌＷｌ記号で指示して６る０本変形
例が第８図実施例及び第８図賦形例と相違する点は層厚
の薄いｐ形ＧａＡｔＡｓ層１１．１ｍ。
ｋＪｗＪであるｏ Ｊｌ １図及び第８図に関して説明
した部分と同部分はｌＷｌ記号で指示して６る０本変形
例が第８図実施例及び第８図賦形例と相違する点は層厚
の薄いｐ形ＧａＡｔＡｓ層１１．１ｍ。
Ｎ８の端部がｎ４ＧａＡｓ層のそれよ５も突起している
ことである◎増部が突起している）曽ｔ−設けることＫ
Ｌシ、活性領域の両４１６ ｍ ｌ ？での層厚が滓く
な夛、活性領域の形状制御性か同上できるとともに活性
層１７内のキャリアの区数による活惟憤域外への電流の
広がルが抑制できるので発振−値域流の低減が可能とな
る。
ことである◎増部が突起している）曽ｔ−設けることＫ
Ｌシ、活性領域の両４１６ ｍ ｌ ？での層厚が滓く
な夛、活性領域の形状制御性か同上できるとともに活性
層１７内のキャリアの区数による活惟憤域外への電流の
広がルが抑制できるので発振−値域流の低減が可能とな
る。
（８）発明の効果
本発明に１れば活性ｗｎｉｃの暢及び゛−流扶窄の４１
１１を８μ０１以下にすることができるので、従来よシ
も発振閑値域訛が低く、かつ安屋な釦振慣モード伸性を
示す牛４体し−ザｔ−丹塊性艮く一造することかできる
〇
１１を８μ０１以下にすることができるので、従来よシ
も発振閑値域訛が低く、かつ安屋な釦振慣モード伸性を
示す牛４体し−ザｔ−丹塊性艮く一造することかできる
〇
繭１図は従来の牛４体し−サの断面図、第３図は本発明
−犬農例の楕々の製遺工報を示した半導体レーザの断ｖ
ＩＪ図、＃Ｉ８図及び＃Ｉ舎図は不発明の応用ｆＩＫお
ける半導体レープの新閣図である０ｓ−−・−・ｍ訛扶
窄餉械、 Ｍ ＃ ６−１６− ｉ ８−・−ＧａＡ
ｔＡｓクラッド層％４・１７・・・・・・（ｊ ａＡ
ｔＡ−活性層、７゜ｓ ｏ−−・−・−ｐ形拡斂懺域、
ｓ＊ｕ、ｙｂｌａｍｙｈ −・・・・・電極、１ｉ、ｌ
ｌｌｅｌＭ−””ＩＰｐ形ａｋＬＡ１曽、 ｌ ３
１ ＝ −ｎ形ＧａＡａ電ｔｉｔ造路層、！ ４−−−
−・・ｐ形Ｇ１ムー膚。 第１図 第２図 （α） （ｂ） （Ｃ）
−犬農例の楕々の製遺工報を示した半導体レーザの断ｖ
ＩＪ図、＃Ｉ８図及び＃Ｉ舎図は不発明の応用ｆＩＫお
ける半導体レープの新閣図である０ｓ−−・−・ｍ訛扶
窄餉械、 Ｍ ＃ ６−１６− ｉ ８−・−ＧａＡ
ｔＡｓクラッド層％４・１７・・・・・・（ｊ ａＡ
ｔＡ−活性層、７゜ｓ ｏ−−・−・−ｐ形拡斂懺域、
ｓ＊ｕ、ｙｂｌａｍｙｈ −・・・・・電極、１ｉ、ｌ
ｌｌｅｌＭ−””ＩＰｐ形ａｋＬＡ１曽、 ｌ ３
１ ＝ −ｎ形ＧａＡａ電ｔｉｔ造路層、！ ４−−−
−・・ｐ形Ｇ１ムー膚。 第１図 第２図 （α） （ｂ） （Ｃ）
Claims (1)
- −ＪＩＩ４ｉｌＥ上ＫＪＩＩの多膚牛尋体層を積層し、
該第１の多層千尋体層の一部の層ｔ−ＩＩＩＬ流ｔ−尋
〈電眞路層とし、萌紀ａｌｉｏ多層牛導体増に１紀基板
に達する深さの傾斜状の設差を設け、咳緻差の鵠斜部表
ｍｖｃｉｍ出し７ｔｆＩｌ記亀流路増を威鎖料聞におい
て窪ませてｌ！ＩＩ都を設け、活性層とｄ活性層を挾ん
だり２ラド層と力為ら成るダブルへテロ接合構造のＩＸ
Ｓの多層＃Ｐ４体層を＃紀獣差の萌紀凹部を含む訓斜幽
上に横増し％繭配ｇｓｏ多層牛尋体虐の胸紀凹郁に対応
した領域をレーザが発光する活性撫域としたことｆ：彎
倣とする牛尋体晃光装置Ｏ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56201234A JPS58102589A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56201234A JPS58102589A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58102589A true JPS58102589A (ja) | 1983-06-18 |
Family
ID=16437554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56201234A Pending JPS58102589A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58102589A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6136986A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
| JPS62296591A (ja) * | 1986-06-17 | 1987-12-23 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
| US4912533A (en) * | 1986-10-09 | 1990-03-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | End face light emitting element |
-
1981
- 1981-12-14 JP JP56201234A patent/JPS58102589A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6136986A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
| JPS62296591A (ja) * | 1986-06-17 | 1987-12-23 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
| JPH0543309B2 (ja) * | 1986-06-17 | 1993-07-01 | Nippon Electric Co | |
| US4912533A (en) * | 1986-10-09 | 1990-03-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | End face light emitting element |
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