JPS58100807A - 焦点合せ装置 - Google Patents
焦点合せ装置Info
- Publication number
- JPS58100807A JPS58100807A JP56199767A JP19976781A JPS58100807A JP S58100807 A JPS58100807 A JP S58100807A JP 56199767 A JP56199767 A JP 56199767A JP 19976781 A JP19976781 A JP 19976781A JP S58100807 A JPS58100807 A JP S58100807A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- infrared light
- photographed
- subject
- image sensor
- conductivity type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000005375 photometry Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
- G02B7/28—Systems for automatic generation of focusing signals
- G02B7/30—Systems for automatic generation of focusing signals using parallactic triangle with a base line
- G02B7/32—Systems for automatic generation of focusing signals using parallactic triangle with a base line using active means, e.g. light emitter
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Measurement Of Optical Distance (AREA)
- Focusing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は固体イメージセンサ全使用した焦点合せ装置に
関する。
関する。
発明の技術的背景
最近、写真用カメラやTVカメラにおいては電子的な測
距システムを内蔵させ、被写体に対して自動的に焦点を
合せることが行なわれている。かかる測距システムとし
ては従来、第1図に示す構造のものが知られている。図
中の1は光遮蔽の〆ックスであり、この♂ツクスフの前
面開口部には結像光学系の一構成部材である2つの凸レ
ンズ2*、2bi:設けられている。これら凸レンズI
s、1b(D後方には夫々第1のミラー3m 、3bが
配置されている。これら第1のミラー3h 、3bの反
射方向には三角筒体状の第2のミラー4が配置され、か
つこの第2のミラー40反射方向には固体イメージセン
サ5が配置されている。この固体イメージセンサ5には
該センサ5を駆動するための駆動回路6が接続されてい
ると共に信号処理回路2に接続されている。
距システムを内蔵させ、被写体に対して自動的に焦点を
合せることが行なわれている。かかる測距システムとし
ては従来、第1図に示す構造のものが知られている。図
中の1は光遮蔽の〆ックスであり、この♂ツクスフの前
面開口部には結像光学系の一構成部材である2つの凸レ
ンズ2*、2bi:設けられている。これら凸レンズI
s、1b(D後方には夫々第1のミラー3m 、3bが
配置されている。これら第1のミラー3h 、3bの反
射方向には三角筒体状の第2のミラー4が配置され、か
つこの第2のミラー40反射方向には固体イメージセン
サ5が配置されている。この固体イメージセンサ5には
該センサ5を駆動するための駆動回路6が接続されてい
ると共に信号処理回路2に接続されている。
上記構成の測距システムの動作を説明すると、ゲックス
1をその凸レンズ2m、2bを被写体8に対向するよう
に移動させることにより、被写体8t−凸レンズ2m、
2b、第1のミラーjm。
1をその凸レンズ2m、2bを被写体8に対向するよう
に移動させることにより、被写体8t−凸レンズ2m、
2b、第1のミラーjm。
3b及び第2のミラー4を介して固体イメージセンサ5
に結像させ、この2つの被写体像を固体イメージセンサ
5により電気信号に変換される。なお、2つの被写体像
の間隙は被写体80位置によって変化する。したがって
、これら被写体像間の変化it全信号処理回路7により
計算し、更にこの計算値に基づいてレンズ系から決定さ
れる距離の算出式により距離を算出する。
に結像させ、この2つの被写体像を固体イメージセンサ
5により電気信号に変換される。なお、2つの被写体像
の間隙は被写体80位置によって変化する。したがって
、これら被写体像間の変化it全信号処理回路7により
計算し、更にこの計算値に基づいてレンズ系から決定さ
れる距離の算出式により距離を算出する。
背景技術の問題点
しかしながら、第1図図示の測距システムからなる焦点
合せ装置は次のような欠点を有する。
合せ装置は次のような欠点を有する。
(1) 被写体8の照度が小さい時には、固体イメー
ジセンサ5の出力が小さくな9、fm号処理に十分な出
力レベルに達せず、誤測距が起きる。
ジセンサ5の出力が小さくな9、fm号処理に十分な出
力レベルに達せず、誤測距が起きる。
(2) 上記(1)の解決策として補助光により被¥
体に照射することが考えられる。この補助光が可視光で
ある−と、被写体が局部的に明るくなり、これら写真や
TV噛像に出てしまうので赤外光を使用することになる
。しかしながら、固体イメージセンサ全赤外光に対して
感度を大きくすると、解像度が低下して明るい被¥体に
対しての測距精度が低下する。
体に照射することが考えられる。この補助光が可視光で
ある−と、被写体が局部的に明るくなり、これら写真や
TV噛像に出てしまうので赤外光を使用することになる
。しかしながら、固体イメージセンサ全赤外光に対して
感度を大きくすると、解像度が低下して明るい被¥体に
対しての測距精度が低下する。
発明の目的
本発明は被写体が明るい状独でも、暗い状態でも精度よ
〈測距でき、焦点合せを行なうこと ′が可能な焦
点合せ装置を提供しようとするものである。
〈測距でき、焦点合せを行なうこと ′が可能な焦
点合せ装置を提供しようとするものである。
発明の概萱
本発明は0I視光に感度が大きい感光画素列及び赤外光
に感度が大きい感光画素列を有する固体イメージセンサ
と少なくとも被写体の明るさが所定以下のときM被写体
に照射するための赤外光源と′を備え、前記被写体の明
るさが所定以上の時、前記イメージセンサ中の可視光に
感度の大きい感光画素列の出力信号を、前記被写体の明
るさが所定以下の時、前記赤外光源から赤外光を該被写
体に照射し前記赤外光に感度の大きい感光画素列の出力
信号音、夫々用いて信号処理することによって既述した
高精度の測距、ひいては高精度の焦点合せ全行なうこと
ができる焦点合せ装Mを得るに至ったものである。
に感度が大きい感光画素列を有する固体イメージセンサ
と少なくとも被写体の明るさが所定以下のときM被写体
に照射するための赤外光源と′を備え、前記被写体の明
るさが所定以上の時、前記イメージセンサ中の可視光に
感度の大きい感光画素列の出力信号を、前記被写体の明
るさが所定以下の時、前記赤外光源から赤外光を該被写
体に照射し前記赤外光に感度の大きい感光画素列の出力
信号音、夫々用いて信号処理することによって既述した
高精度の測距、ひいては高精度の焦点合せ全行なうこと
ができる焦点合せ装Mを得るに至ったものである。
発明の実施例
本発明の実施例を第2図〜第4図を参照して説明する。
なお、第1図図示の部材と同様のものけ則付号を付して
説明を省略する。
説明を省略する。
図中9は凸レンズj)a 、 2b間の?、り8ノ商に
取付けられた例えばLgDからなる赤外光源であり、こ
の赤外光源9の前方には集光用凸レンズ10が配置され
ている。また、第2のミラー40反射方向には第3図及
び第4図図示のりニアCCDセンサ11が配設されてい
る。このCCDセンサ11はp型半導体基板12と、こ
の基板12上に2つの凸レンズ2*、2bk結ぶ軸と平
行に延びるように設けられた可視光に大きな感度をもつ
例えば8つ感光画素13a〜13番からなる感光画素列
と、同基板12上に該感光画素列と平行に設けられた赤
外光に大きな感度tもつ例えば8つの感光画素14a〜
14iからなる感光画素列と、これら各感光画素列から
の電荷を読み出し、出力端子15.16から出力する読
出し用CCDレジスタ17.18と全備えている。前記
可視光に大きな感度をもつ感光画素13a〜13gは第
4図に示す如く基板12表面に設けられフォトダイオー
ドとして作用する島状のn型半導体領域19と、前記基
板12内に該II型半導体領域19下に位置するように
設けられ電源vDDにより逆バイアス電圧が印加される
n型半導体層20とから構成されている。n型半導体層
20は例えば基板12表面から2μm〜30μmの深さ
の基板12内部に埋設される。また、前記赤外光に大き
な感度tもつ感光画素14&〜144は基板12表面に
設けられフォトダイオードとして性用する島状のn型半
導体領域19′のみから構成される。つまり、この感光
画素141〜14表全構成する島状のn型半導体領域1
9′下の基板12内部には前記可視光に大きな感度をも
つ感光画素13h〜13gのようにn型半導体層は存在
しない、更に、前記読み出し用CCDレジスタ17.1
8は夫々基板12上の絶縁@21に設けられたシフトデ
ート電極22.22’と、同絶縁膜19に設けられた転
送電極23.23’等から構成されている。この絶縁$
19上には前記n型半導体領域19 、19’に対応す
る部分に窓24.24’全開口したAtalからなるシ
ールド膜25が被楓されている。なお、図中の26・・
・は基板12に設けられたp型チャンネルストツノ′?
領域である。
取付けられた例えばLgDからなる赤外光源であり、こ
の赤外光源9の前方には集光用凸レンズ10が配置され
ている。また、第2のミラー40反射方向には第3図及
び第4図図示のりニアCCDセンサ11が配設されてい
る。このCCDセンサ11はp型半導体基板12と、こ
の基板12上に2つの凸レンズ2*、2bk結ぶ軸と平
行に延びるように設けられた可視光に大きな感度をもつ
例えば8つ感光画素13a〜13番からなる感光画素列
と、同基板12上に該感光画素列と平行に設けられた赤
外光に大きな感度tもつ例えば8つの感光画素14a〜
14iからなる感光画素列と、これら各感光画素列から
の電荷を読み出し、出力端子15.16から出力する読
出し用CCDレジスタ17.18と全備えている。前記
可視光に大きな感度をもつ感光画素13a〜13gは第
4図に示す如く基板12表面に設けられフォトダイオー
ドとして作用する島状のn型半導体領域19と、前記基
板12内に該II型半導体領域19下に位置するように
設けられ電源vDDにより逆バイアス電圧が印加される
n型半導体層20とから構成されている。n型半導体層
20は例えば基板12表面から2μm〜30μmの深さ
の基板12内部に埋設される。また、前記赤外光に大き
な感度tもつ感光画素14&〜144は基板12表面に
設けられフォトダイオードとして性用する島状のn型半
導体領域19′のみから構成される。つまり、この感光
画素141〜14表全構成する島状のn型半導体領域1
9′下の基板12内部には前記可視光に大きな感度をも
つ感光画素13h〜13gのようにn型半導体層は存在
しない、更に、前記読み出し用CCDレジスタ17.1
8は夫々基板12上の絶縁@21に設けられたシフトデ
ート電極22.22’と、同絶縁膜19に設けられた転
送電極23.23’等から構成されている。この絶縁$
19上には前記n型半導体領域19 、19’に対応す
る部分に窓24.24’全開口したAtalからなるシ
ールド膜25が被楓されている。なお、図中の26・・
・は基板12に設けられたp型チャンネルストツノ′?
領域である。
上記構成の測距システムを有する焦点合せ装置による被
写体が明るい場合、被4体が暗い場合の動作を以下に説
明する。
写体が明るい場合、被4体が暗い場合の動作を以下に説
明する。
〔1〕 被写体が明るい場合
♂ツクスフをその凸レンズ2**2bが被写体8に対向
するように移動させると、被4体8が凸レンズJ a
g 2 b s第1のミラー3m、3b及び第2のミラ
ー4を介してCODセンサ月の各感光画素13a〜13
h。
するように移動させると、被4体8が凸レンズJ a
g 2 b s第1のミラー3m、3b及び第2のミラ
ー4を介してCODセンサ月の各感光画素13a〜13
h。
141〜14bの所定箇所に2つの被写体像としてか結
像される。こうして2つの被写体像の光が例え、ば感光
画素13b、14bと13・、14・に入射されると、
感光画素13bにおいてはそのn型半導体領域19にシ
ールド膜25の窓24t″通して入射した短波長の光(
可視光)は該領域19で光電変換されて信号電荷が蓄積
される。この場合、n型半導体領域19に長波長の光(
赤外光)が入射されると、基板12に埋込まれたn型子
4体層20内またはそれより深い基板12部分で電子−
正孔対を発生するが、該ng半導体層20とp型半導体
基板120間に逆バイアスとなる正の直流電圧を電源V
DDから印加することにより、前記発生した電子はn型
半導体層20に排出され、n型半導体領域19には集積
されない。つまり、感光画素131〜13bは可視光に
対して感度が大きく、赤外光に対して感度が小さい。し
かるに駆動回路6に設けた図示しない切換スイッチによ
りnI視側のCODレジスメ17を選択的に動作させる
ことによって、前記可視光に対して大きな感度全もつ感
光画素(例えば13b、13・)でS槓した信号電荷が
該CCDレジスタ17により順次転送され、出力端子1
5より出力される。したがりて出力端子15より出力さ
れた位相差のある信号全信号処理回路7により処理し、
被写体8の距離に相関する2つの被写体像間の間9Ii
(変化量)を計算し、更にこの計算値に基づいてレンズ
系から決定される距離の算出式より被写体8の距離を算
出する。
像される。こうして2つの被写体像の光が例え、ば感光
画素13b、14bと13・、14・に入射されると、
感光画素13bにおいてはそのn型半導体領域19にシ
ールド膜25の窓24t″通して入射した短波長の光(
可視光)は該領域19で光電変換されて信号電荷が蓄積
される。この場合、n型半導体領域19に長波長の光(
赤外光)が入射されると、基板12に埋込まれたn型子
4体層20内またはそれより深い基板12部分で電子−
正孔対を発生するが、該ng半導体層20とp型半導体
基板120間に逆バイアスとなる正の直流電圧を電源V
DDから印加することにより、前記発生した電子はn型
半導体層20に排出され、n型半導体領域19には集積
されない。つまり、感光画素131〜13bは可視光に
対して感度が大きく、赤外光に対して感度が小さい。し
かるに駆動回路6に設けた図示しない切換スイッチによ
りnI視側のCODレジスメ17を選択的に動作させる
ことによって、前記可視光に対して大きな感度全もつ感
光画素(例えば13b、13・)でS槓した信号電荷が
該CCDレジスタ17により順次転送され、出力端子1
5より出力される。したがりて出力端子15より出力さ
れた位相差のある信号全信号処理回路7により処理し、
被写体8の距離に相関する2つの被写体像間の間9Ii
(変化量)を計算し、更にこの計算値に基づいてレンズ
系から決定される距離の算出式より被写体8の距離を算
出する。
その結果、被4体8が明るい時は解像度の高い可視光に
感度全もつ感光画素131〜13bの出力信号で測距す
るので、高精度の自1EII測距が可能となる。
感度全もつ感光画素131〜13bの出力信号で測距す
るので、高精度の自1EII測距が可能となる。
〔11〕 被4体が暗い場合
上記〔1〕の操作でciJ視光測光側ODレジスタ17
からの出力が低くい場合、つまり被4体8が暗い場合に
は、赤外光源9t一点灯し、集光レンズ10全通して被
写体8に赤外光を照射する。このように赤外光を照射す
ると、その被写体8は前述と同様な経路を通りてCCD
センサ11の各感光画素13a〜13h。
からの出力が低くい場合、つまり被4体8が暗い場合に
は、赤外光源9t一点灯し、集光レンズ10全通して被
写体8に赤外光を照射する。このように赤外光を照射す
ると、その被写体8は前述と同様な経路を通りてCCD
センサ11の各感光画素13a〜13h。
141〜14bの所定箇所に2つの被写体像として結像
される。こうして、2つの被写体像の光が例えば感光画
素13b、1−4bと131.14fに入射されると、
感光画素14bにおいては、p型半導体基板120表面
に設けられた]型半導体領域19′のみからなるため、
該半導体領域19′にシールド膜25の窓−24′を通
して入射した長波長の光(赤外光)は半導体基板12内
部の深い位置で電子−正孔対音発生し、その電子は拡散
効果によりかなりの数がn型半導体領域19′に集積さ
れる。
される。こうして、2つの被写体像の光が例えば感光画
素13b、1−4bと131.14fに入射されると、
感光画素14bにおいては、p型半導体基板120表面
に設けられた]型半導体領域19′のみからなるため、
該半導体領域19′にシールド膜25の窓−24′を通
して入射した長波長の光(赤外光)は半導体基板12内
部の深い位置で電子−正孔対音発生し、その電子は拡散
効果によりかなりの数がn型半導体領域19′に集積さ
れる。
つま9、感光画素J4a〜14bは赤外光に対して大き
な感度をもつ。しかるに、駆動回路6に設けた図示しな
い切換スイッチを赤外光源90点灯と同期して切換え、
赤外光側のCCDし・ノスタI8を選択的に動作させる
ことによって、前記赤外光に対して大きな感度全もつ感
光画素(例えばz4b、14r)で蓄積した信号電荷が
該CODレジスタ18によ抄順次転送され、出力端子1
6より出力される。
な感度をもつ。しかるに、駆動回路6に設けた図示しな
い切換スイッチを赤外光源90点灯と同期して切換え、
赤外光側のCCDし・ノスタI8を選択的に動作させる
ことによって、前記赤外光に対して大きな感度全もつ感
光画素(例えばz4b、14r)で蓄積した信号電荷が
該CODレジスタ18によ抄順次転送され、出力端子1
6より出力される。
したがって、出力端子16より出力された位相差のある
信号を信号処理回路7により前述したのと同様に処理す
ることによって、暗い被写体8の距離を高推度で自動測
定できる。
信号を信号処理回路7により前述したのと同様に処理す
ることによって、暗い被写体8の距離を高推度で自動測
定できる。
しかして、本発明の焦・点合せ装置によれば上記〔l)
、 (it)の動作により被写体が明るい状態でも、
暗い状態でも高精度で自動焦点合せを行なうことができ
る。
、 (it)の動作により被写体が明るい状態でも、
暗い状態でも高精度で自動焦点合せを行なうことができ
る。
なお、本発明に係る焦点合せ装置は上記実施例の構造に
限定されない。例えば第5図に示す如くがックス1の前
面に信号処理回路7により移動可能な可動レンズ27′
に設け、このレンズ21の後方に既述°したリニアCC
Dセンサ」を配置すると共にミラー28t−介して赤外
光源9Yt設けて焦点合せ装置を構成してもよい、この
ような構成によれはボックス1を1、その可動レンズ2
7を被写体8に対向させるように移動させ、可動レンズ
27全通してリニアCCDセンサ11に被写体像を結像
させ、該センサL」からの出力、6゜1分。絶対値。、
又2、イ波A、ヶ情報として算出し、可動レンズ27會
移動してzヶ情報が最大となるレンズ27の位置を求め
ることによって、被写体8の距離を測定で色る。
限定されない。例えば第5図に示す如くがックス1の前
面に信号処理回路7により移動可能な可動レンズ27′
に設け、このレンズ21の後方に既述°したリニアCC
Dセンサ」を配置すると共にミラー28t−介して赤外
光源9Yt設けて焦点合せ装置を構成してもよい、この
ような構成によれはボックス1を1、その可動レンズ2
7を被写体8に対向させるように移動させ、可動レンズ
27全通してリニアCCDセンサ11に被写体像を結像
させ、該センサL」からの出力、6゜1分。絶対値。、
又2、イ波A、ヶ情報として算出し、可動レンズ27會
移動してzヶ情報が最大となるレンズ27の位置を求め
ることによって、被写体8の距離を測定で色る。
また、こうした構成では可動レンズ27をTV ’
カメラまたは光学カメラのレンズとして兼用すれば、距
11iを算出しなくともそのレンズの位置が被写体と合
焦した位置となる。
カメラまたは光学カメラのレンズとして兼用すれば、距
11iを算出しなくともそのレンズの位置が被写体と合
焦した位置となる。
また、上記実施例では可視光に大きい感度をもつ感光画
素、赤外光に大きい感度をもつ感光画素を夫々−次元的
に配列したリニアCCDセンサを用いたが、これら各感
光画素を二次元的に配列したリニアCCD七ンサ全用い
てもよい。この場合、可視光に大きい感度tもつ感光画
素と赤外光に大きい感度をもつ感光画素とを分けて配列
してもよく、或いはそれら感光画素を交互に配列しても
よい。
素、赤外光に大きい感度をもつ感光画素を夫々−次元的
に配列したリニアCCDセンサを用いたが、これら各感
光画素を二次元的に配列したリニアCCD七ンサ全用い
てもよい。この場合、可視光に大きい感度tもつ感光画
素と赤外光に大きい感度をもつ感光画素とを分けて配列
してもよく、或いはそれら感光画素を交互に配列しても
よい。
上記実施例では固体イメージセンサとしてリニアCCD
センサを用いたが、これに限らずMO8型スイ、子回路
とフォトダイオードを組合わせたセンサ等でもよい。
センサを用いたが、これに限らずMO8型スイ、子回路
とフォトダイオードを組合わせたセンサ等でもよい。
上記実施例では被写体が暗い時に赤外光全点灯させるよ
うにしたが、可視光に大きい感度をもつ感光画素は前記
第3図で説明した如く赤外光による解像度低下を起こさ
ない構成にな、、−Cいるため、被写体の明暗に依存せ
ず、常に点灯させてもよい。
うにしたが、可視光に大きい感度をもつ感光画素は前記
第3図で説明した如く赤外光による解像度低下を起こさ
ない構成にな、、−Cいるため、被写体の明暗に依存せ
ず、常に点灯させてもよい。
上記第2図図示の実施例では赤外光源からの赤外光の指
向性をもなせるために、別のレンズ10f設けたが、被
写体を固体イメージセンサに結像させるための凸レンズ
2a又は2bで兼用してもよい。
向性をもなせるために、別のレンズ10f設けたが、被
写体を固体イメージセンサに結像させるための凸レンズ
2a又は2bで兼用してもよい。
発明の効果
以上詳述した如く、本発明によれば被写体が明るい状態
でも、暗い状態でも精度よくその被写体の距離を測定で
き、ひいては高1!IIIfの自動焦点合せを行なうこ
とができる焦点合せ装置t−提供できるものである。
でも、暗い状態でも精度よくその被写体の距離を測定で
き、ひいては高1!IIIfの自動焦点合せを行なうこ
とができる焦点合せ装置t−提供できるものである。
第1図は従来の焦点合せ装置に組込まれる測距システム
の説明図、第2図は本発明の一夾施例全示す焦点合せ装
置に組込まれる測距システムの説明図、第3図は第2図
のリニアCCDセンサの平面図、第4図は第3図のIV
−IV線に沿う断面図、第5図は本発明の他の実施例を
示す焦点合せ装置に組込まれる測距システムの説明図で
ある。 1・・・光遮蔽が、クス、2m、2b・・・凸レンズ、
3 a e 3 b・・・第1のミラー、4・・パ第2
のミラー、?・・・信号処理回路、8・・・被写体、9
・・・赤外光源、11・・・リニアCCDセンサ、12
・・・p型半導体基板、131〜13b・・・可視光に
大きな感度をもつ感光画素、14 m−14h・・・赤
外光に大きな感度全もつ感光画素、17.18・・・読
み出し用CCDレジスタ、19.19’・・・n型半導
体領域、20・・・nJjjl半導体層、22e22’
・・・シフトダート、23.23’・・・転送電極。
の説明図、第2図は本発明の一夾施例全示す焦点合せ装
置に組込まれる測距システムの説明図、第3図は第2図
のリニアCCDセンサの平面図、第4図は第3図のIV
−IV線に沿う断面図、第5図は本発明の他の実施例を
示す焦点合せ装置に組込まれる測距システムの説明図で
ある。 1・・・光遮蔽が、クス、2m、2b・・・凸レンズ、
3 a e 3 b・・・第1のミラー、4・・パ第2
のミラー、?・・・信号処理回路、8・・・被写体、9
・・・赤外光源、11・・・リニアCCDセンサ、12
・・・p型半導体基板、131〜13b・・・可視光に
大きな感度をもつ感光画素、14 m−14h・・・赤
外光に大きな感度全もつ感光画素、17.18・・・読
み出し用CCDレジスタ、19.19’・・・n型半導
体領域、20・・・nJjjl半導体層、22e22’
・・・シフトダート、23.23’・・・転送電極。
Claims (3)
- (1)被¥体が光学系により結像され、可視光に感度が
大きい感光画素列及び赤外光に感度が大きい感光画素列
を有する固体イメージセンサと、少なくとも前記被写体
の明るさが所定以下のとき該被写体に照射するための赤
外光源と、前記固体イメージセンサの出力信号により被
写体との距離全測定する距離測定機構とを具備したこと
全特鍛とする焦点合せ装置1a - (2) 固体イメージセンサにおいて、可視光に感度
が大きい感光画素は第1導電型の半導体基板の表面に設
けられた第2導電型の半導体領域と、前記基板内に該半
導体領域下に位置するように埋設され、逆・々イアスミ
圧が印加される第2導it型の半導体層とから構成さπ
、赤外光に感度が大きい感光画素は前記半導体基板の表
面に設けられた第2導電型の半導体領域のみから構成さ
れることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の焦点
合せ装置。 - (3)第2導電型の半導体層が第1導電型の半導体基板
表面より2μm〜30μmの深さに埋設されていること
を特徴とする特許請求の範囲第2項記載の焦点合せ装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56199767A JPS58100807A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | 焦点合せ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56199767A JPS58100807A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | 焦点合せ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58100807A true JPS58100807A (ja) | 1983-06-15 |
Family
ID=16413273
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56199767A Pending JPS58100807A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | 焦点合せ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58100807A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6018073A (ja) * | 1983-07-11 | 1985-01-30 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
JPH01108877A (ja) * | 1987-10-21 | 1989-04-26 | Canon Inc | 撮像装置 |
JPH01108876A (ja) * | 1987-10-21 | 1989-04-26 | Canon Inc | スチルビデオカメラ |
JP2017078315A (ja) * | 2015-10-22 | 2017-04-27 | 株式会社神戸製鋼所 | 建設機械の干渉防止装置 |
-
1981
- 1981-12-11 JP JP56199767A patent/JPS58100807A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6018073A (ja) * | 1983-07-11 | 1985-01-30 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
JPH01108877A (ja) * | 1987-10-21 | 1989-04-26 | Canon Inc | 撮像装置 |
JPH01108876A (ja) * | 1987-10-21 | 1989-04-26 | Canon Inc | スチルビデオカメラ |
JP2017078315A (ja) * | 2015-10-22 | 2017-04-27 | 株式会社神戸製鋼所 | 建設機械の干渉防止装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4388226B2 (ja) | センサ装置 | |
US10419664B2 (en) | Image sensors with phase detection pixels and a variable aperture | |
US4352545A (en) | Camera focus detecting device | |
WO2002049366A1 (en) | 3d camera | |
US4408853A (en) | Focus detecting device | |
US11056528B2 (en) | Image sensor with phase-sensitive pixels | |
JPS58100807A (ja) | 焦点合せ装置 | |
US20060244852A1 (en) | Image sensors | |
US3748485A (en) | Optical-to-electrical signal transducer apparatus | |
US7016604B2 (en) | Autofocus using a holographic aperture element | |
US7236198B2 (en) | Image-capturing device with light detection capability | |
JPS5846181B2 (ja) | 密着形イメ−ジセンサ | |
US4826312A (en) | Large area, low capacitance photodiode and range finder device using same | |
JPS5943869B2 (ja) | センサ装置のための原稿の照明及び結像のための機構 | |
US6812963B1 (en) | Focus and exposure measurement in digital camera using charge binning | |
JP2871760B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JPS62174710A (ja) | 焦点検出装置 | |
JPH0572470A (ja) | 位相差検出型焦点検出装置 | |
JPS6111505B2 (ja) | ||
JPH06249628A (ja) | 立体視覚センサ | |
Carvalho et al. | Hybrid grated pixel cluster for local light angle and intensity detection | |
Moser et al. | Photographic speed of solid-state sensor arrays | |
TW202230759A (zh) | 具有增強感光效果之聚光結構 | |
SU886317A1 (ru) | Устройство дл однострочного считывани изображени | |
JPS5842366A (ja) | 固体撮像装置 |