JPS58100745A - 核磁気共嗚測定方法 - Google Patents
核磁気共嗚測定方法Info
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- JPS58100745A JPS58100745A JP19970381A JP19970381A JPS58100745A JP S58100745 A JPS58100745 A JP S58100745A JP 19970381 A JP19970381 A JP 19970381A JP 19970381 A JP19970381 A JP 19970381A JP S58100745 A JPS58100745 A JP S58100745A
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- Japan
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- nucleus
- frequency
- sample
- observation
- decoupling
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/20—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
- G01R33/62—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance using double resonance
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は固体と液体の中間の性質を持つ試料の測定に用
いて好適な核磁気共鳴測定方法に関するものである。
いて好適な核磁気共鳴測定方法に関するものである。
多重核磁気共鳴装置では観測ＩＩＣ（例えば Ｃ）憂ζ
共鳴を起こさせると同時身ζ他の特定核（例えばＩｎ
）についても共鳴状態となし、観測核と特定核との間の
スピン−スピン結合を切断する所謂デカップリングが行
われるが、近時このデカップリング法の一つとしてクロ
スボラリゼーションデカップリング法（ＣＰ法）が提案
されている０このＣＰ法はデカップリングｒる核を前も
って分極させこれを観測核にトランスファーするもので
、特に固体試料の測定薯ζ用いて感度陶土の点から有効
であり現在では固体の物性研究に不可欠なものとなって
きている。
共鳴を起こさせると同時身ζ他の特定核（例えばＩｎ
）についても共鳴状態となし、観測核と特定核との間の
スピン−スピン結合を切断する所謂デカップリングが行
われるが、近時このデカップリング法の一つとしてクロ
スボラリゼーションデカップリング法（ＣＰ法）が提案
されている０このＣＰ法はデカップリングｒる核を前も
って分極させこれを観測核にトランスファーするもので
、特に固体試料の測定薯ζ用いて感度陶土の点から有効
であり現在では固体の物性研究に不可欠なものとなって
きている。
本発明者が（のＣＰ法を用いて各種試料について測定を
行ったところ、ＯＦ法では非常に弱い共鳴信号しか得ら
れない試料があることが見出された０それは加硫ゴム類
、高分子の非晶成分等であり、これらの試料は固体と液
体の中間的な性質を持つ０これらの試料では１Ｈ核から
５ＤＣ核へのクロスボラリゼーションの移動に要する時
間Ｔ２ ＣＨｄζ比べ ＳＨの回転系５ｃｓｉける縦緩
和時間Ｔ１ｐが十九くないという共通点があり、そのた
めｔａｌ ）Ｉの分極が”Ｃヘトランスフアされないう
ら疹ζ Ｈのスピンが減衰してしまう、（ロ）数ＫＨｚ
もの高速回転を行っているので Ｈ系のエネルギーが回
転運動を通して格子へ逃げてしまって Ｈので１ρが短
（なり、結果的暑ζｆｉｌと同じｌこなってしまう等の
原因により非常−こ弱い共鳴信号しか得られないものと
思われる。
行ったところ、ＯＦ法では非常に弱い共鳴信号しか得ら
れない試料があることが見出された０それは加硫ゴム類
、高分子の非晶成分等であり、これらの試料は固体と液
体の中間的な性質を持つ０これらの試料では１Ｈ核から
５ＤＣ核へのクロスボラリゼーションの移動に要する時
間Ｔ２ ＣＨｄζ比べ ＳＨの回転系５ｃｓｉける縦緩
和時間Ｔ１ｐが十九くないという共通点があり、そのた
めｔａｌ ）Ｉの分極が”Ｃヘトランスフアされないう
ら疹ζ Ｈのスピンが減衰してしまう、（ロ）数ＫＨｚ
もの高速回転を行っているので Ｈ系のエネルギーが回
転運動を通して格子へ逃げてしまって Ｈので１ρが短
（なり、結果的暑ζｆｉｌと同じｌこなってしまう等の
原因により非常−こ弱い共鳴信号しか得られないものと
思われる。
従ってこれらの試料ｌζ対してはＣＰ法屈こ代って溶液
試料で行われている完全デカップリング法（デカップリ
ング用高周波を連続的に試料−こ照射する）か、ＦＩＤ
信号観測時（データサンプリングかｔいが、前者は固体
試料の場＆極めて大きな強度のデカップリング用高周波
を照射しなければならず発熱の面で採用できず、後者は
デカップリングの目的はｆ分遣せられるが信号観副時以
外ｌζデカップリング用高局波が照射されないので、ニ
ュークリアへ−バー八ウザー効果（ＮｕｃｌｅａｒＯｖ
ｅｒｈｏａｓｅｒ ｇｆｆｅｃｔ ＝ ＮＯｇ） ｌ
こよるＦＩＤ信号の増強（約３倍）が得られず、感度が
十分でないという欠点がある０ 本発明は上述した諸点ｌζ鑑みてなされたものであり、
デカップリングすべき核の９Ｑ／’ｅ／レスをＦＩＤ信
号観測時以外の期間にくり返し照射することにより、Ｃ
Ｐ法で測定しＩζくい試料であってもｓｏｎによる感度
の向上のため十分強い共鳴信号を得ることができしかも
検出器の発熱をさけることのできる核磁気共鳴測定方法
を提供するものである。
試料で行われている完全デカップリング法（デカップリ
ング用高周波を連続的に試料−こ照射する）か、ＦＩＤ
信号観測時（データサンプリングかｔいが、前者は固体
試料の場＆極めて大きな強度のデカップリング用高周波
を照射しなければならず発熱の面で採用できず、後者は
デカップリングの目的はｆ分遣せられるが信号観副時以
外ｌζデカップリング用高局波が照射されないので、ニ
ュークリアへ−バー八ウザー効果（ＮｕｃｌｅａｒＯｖ
ｅｒｈｏａｓｅｒ ｇｆｆｅｃｔ ＝ ＮＯｇ） ｌ
こよるＦＩＤ信号の増強（約３倍）が得られず、感度が
十分でないという欠点がある０ 本発明は上述した諸点ｌζ鑑みてなされたものであり、
デカップリングすべき核の９Ｑ／’ｅ／レスをＦＩＤ信
号観測時以外の期間にくり返し照射することにより、Ｃ
Ｐ法で測定しＩζくい試料であってもｓｏｎによる感度
の向上のため十分強い共鳴信号を得ることができしかも
検出器の発熱をさけることのできる核磁気共鳴測定方法
を提供するものである。
以下図面を用いて本発明を詳説する０
第１図は本発ｄＡＩζかかる方法を実施するための装置
の一例を示し、同図において１は観測用２はデカップリ
ング用の高周波発振器である０該発振器１，２から発生
した観測用高周波及びデカップリング用高周波は、デー
ト３，４及び増幅器５゜６を介して靜磁場中奢こ配置さ
れた観測用照射コイル７、デカップリング用照射コイル
８へ夫々送られ、試料管９中の試料１ζ照射されるｏｌ
ｏは上記デート３．４を任意に０Ｎ−ＯＦＦするための
制御 ・回路である〇 今観測核を ０１デカツプリングする核を Ｈとすると
、発振器１の周波数は Ｃの共鳴周波数に設定され、発
振器２の周波数はＨの共鳴周波数に設定される。第２図
＋１）、向は制御回路１０によって０Ｎ−ＯＦＦされる
デート４．ゲート６のタイミング図を夫々示す。同図１
ｂｌ ｌこおけるｔｗ２は Ｃ核の９０’″／くシス（
磁化を９０回転させる一ｆルシスとなる時間幅が与えら
れ、この Ｃ核の９０パルスの後に現れるＴ４２図（ｅ
ｌ ｌ（示す様な自由誘導減衰信号（ＦＩＤ信号）が１
示しない受信系１ζよって観測され、サンプリングされ
てフーリエ変換される。このサンプリング期間をカバー
する様Ｉこデート４はＯＮとなり発振器２から発生した
デカップリング用ｉｌ＃１ｔＩＲ波が試料ｌζ照射され
る。
の一例を示し、同図において１は観測用２はデカップリ
ング用の高周波発振器である０該発振器１，２から発生
した観測用高周波及びデカップリング用高周波は、デー
ト３，４及び増幅器５゜６を介して靜磁場中奢こ配置さ
れた観測用照射コイル７、デカップリング用照射コイル
８へ夫々送られ、試料管９中の試料１ζ照射されるｏｌ
ｏは上記デート３．４を任意に０Ｎ−ＯＦＦするための
制御 ・回路である〇 今観測核を ０１デカツプリングする核を Ｈとすると
、発振器１の周波数は Ｃの共鳴周波数に設定され、発
振器２の周波数はＨの共鳴周波数に設定される。第２図
＋１）、向は制御回路１０によって０Ｎ−ＯＦＦされる
デート４．ゲート６のタイミング図を夫々示す。同図１
ｂｌ ｌこおけるｔｗ２は Ｃ核の９０’″／くシス（
磁化を９０回転させる一ｆルシスとなる時間幅が与えら
れ、この Ｃ核の９０パルスの後に現れるＴ４２図（ｅ
ｌ ｌ（示す様な自由誘導減衰信号（ＦＩＤ信号）が１
示しない受信系１ζよって観測され、サンプリングされ
てフーリエ変換される。このサンプリング期間をカバー
する様Ｉこデート４はＯＮとなり発振器２から発生した
デカップリング用ｉｌ＃１ｔＩＲ波が試料ｌζ照射され
る。
ここまではＧＤ法と同じであるが、本発明では＠２図＜
１）ｌのタイミングでの観測用高周波／寸シス照射に先
立らデカップリングすべきＨ核の９０パルスを繰返し試
料ｌζ照射することを特徴としている〇即ち縞２ ｄＱ
ｌ帽Ｃおけるｔ町は１Ｈ核の９０°−寸シスとなる時
間幅が与えられ、それ身ζより Ｈ核の９０−イシスが
繰返し照射されるため、この９ＱＩ（シスにより１Ｈの
磁化は常に９００倒された状態（所曙飽和状１Ｍ）Ｊζ
保たれる。この様に観測用高周波パルスの照射Ｉζ先立
らＨ核の９０パルスをくり返し照射して飽和状態として
いる本発明では紡速したＮＯｇ＋こより信号の増大を得
ることができ、しかも、その照射が間歇的であるため連
続的に照射される完全デカップリング法に比べ照射電力
が桁違いに少なくて良いのでプローブにおける発熱を大
幅に減少させることが可能となる０尚、Ｈ核の９０Ｉく
シスの間隔ｔ１はＨ核の縦緩和時間Ｉｆ ｔと横緩和時
間Ｔ２の間（ＴＩ ＜ ｔｘ ＜ＴＩ ） ｉごあるよ
うに設定する必要がある。即ち最初の９０パルスで９０
倒れた磁化は縦磁化と横磁化に分けて考えれば夫々Ｔ
１ ｅ Ｔ Ｒで元ＩＣ戻ってゆくが、次の９０パルス
はＴ２が経過して横磁化がランダムな方向を向いて存在
し、且つ縦磁化が元に戻る前（Ｔｔが経過しないうち）
に照射する必要がある。畳通固体ではＴ１は数ｌ￥ｔＢ
ｓｅｃからｓｅｃオーｒ−ＸＴｚはμｓｅｃオーダーで
あり％１１はその間のａｍｓｅｃｌｉ度Ｃζ設定すれば
良い〇 第５ｃＩｉＩは加硫した天然ゴムＥζついて測定した
Ｃスペクトルを示し、（ａ）はＣＰ法、（ｂ）はデーテ
ッドデカップル法、（Ｃ）は本発明を夫々用いている。
１）ｌのタイミングでの観測用高周波／寸シス照射に先
立らデカップリングすべきＨ核の９０パルスを繰返し試
料ｌζ照射することを特徴としている〇即ち縞２ ｄＱ
ｌ帽Ｃおけるｔ町は１Ｈ核の９０°−寸シスとなる時
間幅が与えられ、それ身ζより Ｈ核の９０−イシスが
繰返し照射されるため、この９ＱＩ（シスにより１Ｈの
磁化は常に９００倒された状態（所曙飽和状１Ｍ）Ｊζ
保たれる。この様に観測用高周波パルスの照射Ｉζ先立
らＨ核の９０パルスをくり返し照射して飽和状態として
いる本発明では紡速したＮＯｇ＋こより信号の増大を得
ることができ、しかも、その照射が間歇的であるため連
続的に照射される完全デカップリング法に比べ照射電力
が桁違いに少なくて良いのでプローブにおける発熱を大
幅に減少させることが可能となる０尚、Ｈ核の９０Ｉく
シスの間隔ｔ１はＨ核の縦緩和時間Ｉｆ ｔと横緩和時
間Ｔ２の間（ＴＩ ＜ ｔｘ ＜ＴＩ ） ｉごあるよ
うに設定する必要がある。即ち最初の９０パルスで９０
倒れた磁化は縦磁化と横磁化に分けて考えれば夫々Ｔ
１ ｅ Ｔ Ｒで元ＩＣ戻ってゆくが、次の９０パルス
はＴ２が経過して横磁化がランダムな方向を向いて存在
し、且つ縦磁化が元に戻る前（Ｔｔが経過しないうち）
に照射する必要がある。畳通固体ではＴ１は数ｌ￥ｔＢ
ｓｅｃからｓｅｃオーｒ−ＸＴｚはμｓｅｃオーダーで
あり％１１はその間のａｍｓｅｃｌｉ度Ｃζ設定すれば
良い〇 第５ｃＩｉＩは加硫した天然ゴムＥζついて測定した
Ｃスペクトルを示し、（ａ）はＣＰ法、（ｂ）はデーテ
ッドデカップル法、（Ｃ）は本発明を夫々用いている。
いずれも繰返しは１０秒、観測局波数は２５ＭＨｚであ
り、積算回数はｉａ）が２０００回、 ｔｂ） 、 ｌ
ｃｌが４００回である。本発明を用いて得られたスペク
トルはＣＰ法ｉこよるものよりも桁違いＩこ強度が大き
く、父、デーテッドデカップリング法と比べても２倍程
度の強度が得られていることがわかる。
り、積算回数はｉａ）が２０００回、 ｔｂ） 、 ｌ
ｃｌが４００回である。本発明を用いて得られたスペク
トルはＣＰ法ｉこよるものよりも桁違いＩこ強度が大き
く、父、デーテッドデカップリング法と比べても２倍程
度の強度が得られていることがわかる。
尚と述した実施例は観測用高周波パルスが単一の場合で
あうなか％ＴＩ測定のように複数の／寸シスを組会わせ
て照射する場合擾ζも適用することができ、その時もＦ
ＩＤ信号をサンプリングする期間を除（期間−こデカッ
プリングする核の９０パルスをくり返し照射するようＥ
ζすることに変わりない〇又９０パルスの間隔ｔ１はＴ
２＜ｔｉ＜Ｔ’１の関係さえ満足すれば常蚤ζ一定であ
る必要は必ずしもないＯ 以上詳述した如く本発明によればＣＰ法で検出し憂ζく
い試料であっても、デーテッドデカップル法よりも感度
良く簡単ｌζ測定することが可能となるＯ
あうなか％ＴＩ測定のように複数の／寸シスを組会わせ
て照射する場合擾ζも適用することができ、その時もＦ
ＩＤ信号をサンプリングする期間を除（期間−こデカッ
プリングする核の９０パルスをくり返し照射するようＥ
ζすることに変わりない〇又９０パルスの間隔ｔ１はＴ
２＜ｔｉ＜Ｔ’１の関係さえ満足すれば常蚤ζ一定であ
る必要は必ずしもないＯ 以上詳述した如く本発明によればＣＰ法で検出し憂ζく
い試料であっても、デーテッドデカップル法よりも感度
良く簡単ｌζ測定することが可能となるＯ
第１図は本発明を実施するための装置の一列を示す図、
第２図はその動作を説明するためのタイミング図、第３
図は本発明と他法を用いた測定結果の比較を示す図であ
る。 １．２：高周波発振器、６．４：デート、７：観測用照
射コイル、８：デカップリング用照射コイル、１０：制
御回路０ 特許出願人 日本電子株式会社 代表者 加 勢 忠 雄 「 ｒ３図
第２図はその動作を説明するためのタイミング図、第３
図は本発明と他法を用いた測定結果の比較を示す図であ
る。 １．２：高周波発振器、６．４：デート、７：観測用照
射コイル、８：デカップリング用照射コイル、１０：制
御回路０ 特許出願人 日本電子株式会社 代表者 加 勢 忠 雄 「 ｒ３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｌ 試料に観測用高周波と共−ζデカップリング用高周
波を照射する核磁気共鳴測定方法１こおいて、ＦＩＤ信
号観測期間以外の期間デカップルする核ｇこついでの９
０パルスを繰返し照射するようｌζしたことを特徴とす
る核磁気共鳴測定方法。 ｊｉＬｅｉｊ記９０７ずシス照射の間隔ｔが試料中のデ
カップルする核の縦緩和時間ＴＩより短かく、横緩和時
間Ｔ２よりも長くなるように設定した特許請求の範囲第
１項記載の核磁気共鳴測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19970381A JPS58100745A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | 核磁気共嗚測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19970381A JPS58100745A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | 核磁気共嗚測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58100745A true JPS58100745A (ja) | 1983-06-15 |
| JPS6258455B2 JPS6258455B2 (ja) | 1987-12-05 |
Family
ID=16412203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19970381A Granted JPS58100745A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | 核磁気共嗚測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58100745A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020095890A1 (ja) * | 2018-11-09 | 2020-05-14 | Thk株式会社 | 案内装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6454044U (ja) * | 1987-09-30 | 1989-04-04 |
-
1981
- 1981-12-11 JP JP19970381A patent/JPS58100745A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020095890A1 (ja) * | 2018-11-09 | 2020-05-14 | Thk株式会社 | 案内装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6258455B2 (ja) | 1987-12-05 |
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