JPH1197962A - High-frequency component - Google Patents

High-frequency component

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Publication number
JPH1197962A
JPH1197962A JP25530397A JP25530397A JPH1197962A JP H1197962 A JPH1197962 A JP H1197962A JP 25530397 A JP25530397 A JP 25530397A JP 25530397 A JP25530397 A JP 25530397A JP H1197962 A JPH1197962 A JP H1197962A
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JP
Japan
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transmission line
frequency component
port
frequency
pass filter
Prior art date
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Application number
JP25530397A
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Japanese (ja)
Inventor
Takahiro Watanabe
貴洋 渡辺
Norio Nakajima
規巨 中島
Miyuki Kakinuki
みゆき 垣貫
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/10Auxiliary devices for switching or interrupting
    • H01P1/12Auxiliary devices for switching or interrupting by mechanical chopper
    • H01P1/127Strip line switches
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/213Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies
    • H01P1/2135Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies using strip line filters

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-frequency component which can be made small-sized and has superior frequency characteristics, while easily making high the characteristic impedance of a transmission line constituting an impedance element. SOLUTION: A high-frequency component 10 is constituted by connecting a high-pass filter F1 composed of a transmission line L1 and capacitors C1 to C3 between a 1st port P1 and a 2nd port P2 and also connecting a low-pass filter F2 composed of a transmission line L2 as an inductance element and capacitors C4 and C5 as capacitance elements between the 1st port P1 and a 3rd port P3.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信機、例
えば携帯電話機等の高周波回路において、2つの異なる
周波数領域の高周波信号を分配、結合する高周波部品に
関する。
The present invention relates to a high-frequency component for distributing and coupling high-frequency signals in two different frequency ranges in a high-frequency circuit of a mobile communication device, for example, a mobile phone.

【0002】[0002]

【従来の技術】図6に、高周波信号を分配、結合する高
周波部品の一例であるデュプレクサの透視斜視図を示
す。デュプレクサ50は、図示していないが、高域通過
フィルタ(High Pass Filter : HPF)及び低域通過フィ
ルタ(Low Pass Filter : LPF)を同一の多層基板50
aに内蔵することにより構成される。そして、多層基板
50aの裏面の一方の長辺近傍から一方の長辺が近接す
る側面に架けて外部端子Ta〜Tcが設けられる。ま
た、多層基板50aの裏面の他方の長辺近傍から他方の
長辺が近接する側面に架けて外部端子Td〜Tfが設け
られる。
2. Description of the Related Art FIG. 6 shows a perspective view of a duplexer which is an example of a high-frequency component for distributing and coupling a high-frequency signal. Although not shown, the duplexer 50 includes a high-pass filter (High Pass Filter: HPF) and a low-pass filter (Low Pass Filter: LPF) on the same multilayer substrate 50.
a. Then, external terminals Ta to Tc are provided from the vicinity of one long side of the back surface of the multilayer substrate 50a to the side surface to which one long side is close. Further, external terminals Td to Tf are provided from the vicinity of the other long side on the back surface of the multilayer substrate 50a to the side surface to which the other long side is close.

【0003】図7(a)〜図7(f)、図8(a)〜図
8(b)に、図6のデュプレクサ50を構成する各誘電
体層の上面図及び下面図を示す。デュプレクサ50は、
第1〜第9の誘電体層51〜59を上から順次積層する
ことによって形成される。
FIGS. 7 (a) to 7 (f) and FIGS. 8 (a) to 8 (b) show a top view and a bottom view of each dielectric layer constituting the duplexer 50 of FIG. The duplexer 50
It is formed by sequentially laminating the first to ninth dielectric layers 51 to 59 from above.

【0004】そして、第2、第3、第4及び第8の誘電
体層52,53,54,58の上面にはコンデンサ電極
C51,C52,C53,C54,C55,C56,C
57,C58,C59,C60がそれぞれ形成される。
また、第5の誘電体層55の上面には伝送線路L51,
L52がそれぞれ形成される。
[0004] Capacitor electrodes C51, C52, C53, C54, C55, C56, and C are provided on the upper surfaces of the second, third, fourth, and eighth dielectric layers 52, 53, 54, and 58, respectively.
57, C58, C59 and C60 are respectively formed.
Further, on the upper surface of the fifth dielectric layer 55, the transmission line L51,
L52 are respectively formed.

【0005】さらに、第7及び第9の誘電体層57、5
9の上面にはグランド電極G51,G52がそれぞれ形
成される。また、第9の誘電体層59の下面(図7
(d))には外部端子Ta〜Tfが形成される。
Further, seventh and ninth dielectric layers 57, 5
The ground electrodes G51 and G52 are formed on the upper surface of 9, respectively. The lower surface of the ninth dielectric layer 59 (FIG. 7)
In (d)), external terminals Ta to Tf are formed.

【0006】また、第2〜第7の誘電体層52〜57に
は、所定の位置にビアホールVHb’〜VHg’が設け
られる。
The second to seventh dielectric layers 52 to 57 have via holes VHb 'to VHg' at predetermined positions.

【0007】そして、コンデンサ電極C51,C53,
C56、コンデンサ電極C52,C54,C57、及び
コンデンサ電極C59,グランド電極G51,G52で
HPFを構成する3つのコンデンサを、コンデンサ電極
C55,C58、及びコンデンサ電極C60,グランド
電極G51,G52でLPFを構成する2つのコンデン
サをそれぞれ形成する。また、伝送線路L51でHPF
を構成するインダクタンス素子を、伝送線路L52でL
PFを構成するインダクタンス素子をそれぞれ形成す
る。以上のような構成で、高周波部品50が1つの多層
基板50aに構成される。
The capacitor electrodes C51, C53,
C56, capacitor electrodes C52, C54, and C57, and capacitor electrode C59, and ground electrodes G51 and G52 form three capacitors that constitute an HPF, and capacitor electrodes C55 and C58, and capacitor electrode C60 and an LPF that constitute ground electrodes G51 and G52. Are formed, respectively. The transmission line L51 uses an HPF.
Is connected to the transmission line L52 by L
Inductance elements constituting the PF are respectively formed. With the above configuration, the high-frequency component 50 is configured on one multilayer substrate 50a.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
高周波部品であるデュプレクサにおいては、HPF及び
LPFのインダクタンス素子を構成する伝送線路が1つ
の誘電体層上に形成されるものであったため、1層あた
りの伝送線路の長さが長くなり、高周波部品(デュプレ
クサ)が大型化するという問題があった。
However, in the conventional duplexer, which is a high-frequency component, the transmission lines constituting the inductance elements of the HPF and the LPF are formed on one dielectric layer, so that one layer is formed. There is a problem that the length of the transmission line per unit becomes long and the high-frequency component (duplexer) becomes large.

【0009】また、外部からの電磁界ノイズから伝送線
路を遮蔽するため、2つのグランド電極の間に伝送線路
を配置するが、伝送線路とグランド電極との間に発生す
る浮遊容量の影響により、伝送線路の特性インピーダン
スが低くなる。したがって、この伝送線路をインダクタ
ンスとして用いる高周波部品の挿入損失が大きくなり、
その結果、高周波部品の帯域幅が狭くなるという問題も
あった。
In order to shield the transmission line from external electromagnetic field noise, the transmission line is disposed between the two ground electrodes. However, due to the effect of stray capacitance generated between the transmission line and the ground electrode, The characteristic impedance of the transmission line decreases. Therefore, the insertion loss of a high-frequency component using this transmission line as an inductance increases,
As a result, there is a problem that the bandwidth of the high-frequency component is reduced.

【0010】さらに、伝送線路の特性インピーダンスの
高インピーダンス化には、伝送線路とグランド電極との
間隔を大きくする方法もあるが、この場合には、高周波
部品の小型化が困難であるという問題もある。
In order to increase the characteristic impedance of the transmission line, there is a method of increasing the distance between the transmission line and the ground electrode. However, in this case, it is difficult to reduce the size of the high-frequency component. is there.

【0011】本発明は、このような問題点を解消するた
めになされたものであり、インダクタンス素子を構成す
る伝送線路の特性インピーダンスの高インピーダンス化
が容易に実現でき、かつ小型化が可能で周波数特性が優
れている高周波部品を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a problem, and it is possible to easily realize a high characteristic impedance of a transmission line constituting an inductance element, and it is possible to reduce the size and the frequency. An object is to provide a high-frequency component having excellent characteristics.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上述する問題点を解決す
るため本発明は、複数の誘電体層を積層してなる積層体
と、該積層体に内蔵されるとともに、中心周波数が異な
る帯域を有するインダクタンス素子及びキャパシタンス
素子からなる少なくとも2つのフィルタと、で構成され
る高周波部品であって、前記フィルタを構成するインダ
クタンス素子が、複数の伝送線路導体を前記積層体の積
層方向に誘電体層を介して略対向させるとともに、前記
複数の伝送線路導体のうち隣り合う2つの伝送線路導体
を伝播する高周波信号の進行方向が互いに同方向になる
ように電気的に直列接続してなる少なくとも1つの伝送
線路からなることを特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a laminate comprising a plurality of dielectric layers laminated, and a band built in the laminate and having a different center frequency. A high-frequency component comprising at least two filters each having an inductance element and a capacitance element, wherein the inductance element forming the filter includes a plurality of transmission line conductors each having a dielectric layer in a stacking direction of the stack. And at least one transmission line which is electrically connected in series so that traveling directions of high-frequency signals propagating through two adjacent transmission line conductors of the plurality of transmission line conductors are the same as each other. It is characterized by consisting of tracks.

【0013】また、前記フィルタの組み合わせが、高域
通過フィルタと低域通過フィルタとであることを特徴と
する。
Further, the combination of the filters is a high-pass filter and a low-pass filter.

【0014】本発明の高周波部品によれば、インダクタ
ンス素子を構成する伝送線路が複数層の伝送線路導体で
構成されるため、伝送線路の特性インピーダンスが一定
であれば、1層当たりの伝送線路導体の長さを従来より
も短くすることができる。
According to the high-frequency component of the present invention, the transmission line constituting the inductance element is composed of a plurality of transmission line conductors. Therefore, if the characteristic impedance of the transmission line is constant, the transmission line conductor per layer is constant. Can be made shorter than before.

【0015】また、誘電体層を介して隣り合う2つの伝
送線路導体を伝播する高周波信号の進行方向が互いに同
方向であるため、伝送線路導体のそれぞれの周囲に発生
する磁束の周回方向が同方向となる。したがって、隣り
合う2つの伝送線路導体の間隔を近接させることによ
り、伝送線路導体間の結合を大きくすることができる。
Further, since the traveling directions of the high-frequency signals propagating through the two adjacent transmission line conductors via the dielectric layer are the same, the circulating directions of the magnetic flux generated around each of the transmission line conductors are the same. Direction. Therefore, the coupling between the transmission line conductors can be increased by reducing the distance between two adjacent transmission line conductors.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図1に、本発明に係る高周波部品の一
実施例の回路図を示す。高周波部品10は、第1のポー
トP1と第2のポートP2との間に、高域通過フィルタ
(HighPass Filter : HPF)F1が接続され、第1のポー
トP1と第3のポートP3との間に、低域通過フィルタ
(Low Pass Filter : LPF)F2が接続される。この
際、HPFF1は、インダクタンス素子である伝送線路
L1及びキャパシタンス素子であるコンデンサC1〜C
3で構成され、LPFF2は、インダクタンス素子であ
る伝送線路L2及びキャパシタンス素子であるコンデン
サC4,C5で構成される。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a circuit diagram of one embodiment of the high-frequency component according to the present invention. In the high-frequency component 10, a high-pass filter (HighPass Filter: HPF) F1 is connected between the first port P1 and the second port P2, and between the first port P1 and the third port P3. Is connected to a low pass filter (Low Pass Filter: LPF) F2. At this time, the HPFF 1 includes a transmission line L1 as an inductance element and capacitors C1 to C as capacitance elements.
LPFF2 is composed of a transmission line L2 as an inductance element and capacitors C4 and C5 as capacitance elements.

【0017】具体的には、HPFF1は、第1のポート
P1と第2のポートP2との間にコンデンサC1とコン
デンサC2とからなる直列回路が接続され、コンデンサ
C1とコンデンサC2との接続点は、伝送線路L1とコ
ンデンサC3とからなる直列回路を介して接地される。
Specifically, in the HPFF1, a series circuit including a capacitor C1 and a capacitor C2 is connected between a first port P1 and a second port P2, and a connection point between the capacitor C1 and the capacitor C2 is , Is grounded via a series circuit including a transmission line L1 and a capacitor C3.

【0018】また、LPFF2は、第1のポートP1と
第3のポートP3との間に伝送線路L2とコンデンサC
4とからなる並列回路が接続され、伝送線路L2とコン
デンサC4との第3のポートP3側の接続点は、コンデ
ンサC5を介して接地される。
The LPFF 2 has a transmission line L 2 and a capacitor C between the first port P 1 and the third port P 3.
4 is connected, and the connection point on the third port P3 side between the transmission line L2 and the capacitor C4 is grounded via the capacitor C5.

【0019】この構成により、高い周波数領域の高周波
信号が、第1のポートP1と第2のポートP2との間を
通過し、低い周波数領域の高周波信号が、第1のポート
P1と第3のポートP3との間を通過することができ
る。この際、HPFF1の通過領域とLPFF2の通過
領域とは、互いの通過領域が重ならないように選択され
る。
With this configuration, a high-frequency signal in a high frequency range passes between the first port P1 and the second port P2, and a high-frequency signal in a low frequency range passes through the first port P1 and the third port. It can pass between the port P3. At this time, the pass area of the HPFF1 and the pass area of the LPFF2 are selected such that the pass areas do not overlap each other.

【0020】例えば、第1のポートP1にアンテナ、第
2のポートP2に送信回路、第3のポートP3に受信回
路をそれぞれ接続して、PDC800(Personal Digita
lCellular 800)に使用した場合には、送信回路から出力
された950MHzの送信信号は、HPFF1を通過し
て、アンテナから送信される。一方、アンテナが受信し
た820MHzの受信信号は、LPFF2を通過して、
受信回路に出力される。
For example, an antenna is connected to the first port P1, a transmitting circuit is connected to the second port P2, and a receiving circuit is connected to the third port P3.
In the case where the transmission signal of 950 MHz is used for the lcellular 800), the transmission signal of 950 MHz output from the transmission circuit passes through the HPFF 1 and is transmitted from the antenna. On the other hand, the received signal of 820 MHz received by the antenna passes through LPFF2,
Output to the receiving circuit.

【0021】また、別の例として、第1のポートP1に
アンテナ、第2のポートP2に1.9GHzに対応した
送・受信回路、第3のポートP3に800MHzに対応
した送・受信回路をそれぞれ接続して、複数の異なる周
波数領域の高周波信号、例えば1.9GHzのPCS(P
ersonal Communication Service)の高周波信号と800
MHzのAMPS(Advanced Mobile Phone Service)の
高周波信号とを分配あるいは結合する場合には、アンテ
ナが受信した1.9GHzの受信信号は、HPFF1を
通過して、1.9GHzの受信回路に出力され、アンテ
ナが受信した800MHzの受信信号は、LPFF2を
通過して、800MHzの受信回路に出力される。逆
に、1.9GHzの送信回路から出力された送信信号
は、HPFF1を通過して、アンテナから送信され、8
00MHzの送信回路から出力された送信信号は、LP
FF2を通過して、アンテナから送信される。この場合
には、デュアルバンド用の高周波分配器あるいは高周波
結合器として用いることができる。従って、デュアルバ
ンド用の移動体通信機の小型化を図ることができる。
As another example, an antenna is provided for the first port P1, a transmitting / receiving circuit corresponding to 1.9 GHz is provided for the second port P2, and a transmitting / receiving circuit corresponding to 800 MHz is provided for the third port P3. Each is connected to a plurality of high frequency signals in different frequency ranges, for example, 1.9 GHz PCS (P
Personal Communication Service) high frequency signal and 800
In the case of distributing or coupling with a high frequency signal of AMPS (Advanced Mobile Phone Service) of MHz, the received signal of 1.9 GHz received by the antenna passes through the HPFF 1 and is output to the 1.9 GHz receiving circuit. The 800 MHz received signal received by the antenna passes through the LPFF 2 and is output to the 800 MHz receiving circuit. Conversely, the transmission signal output from the 1.9 GHz transmission circuit passes through the HPFF 1 and is transmitted from the antenna,
The transmission signal output from the 00 MHz transmission circuit is LP
The signal passes through the FF2 and is transmitted from the antenna. In this case, it can be used as a dual band high frequency distributor or high frequency coupler. Therefore, the size of the dual band mobile communication device can be reduced.

【0022】図2に、図1の高周波部品10の斜視図を
示す。図2に示すように、高周波部品10は、HPFF
1及びLPFF2(図示せず)を内蔵する多層基板10
aを含み、この多層基板10aの裏面の一方の長辺近傍
から一方の長辺が近接する側面に架けて外部端子Ta〜
Tcが設けられ、裏面の他方の長辺近傍から他方の長辺
が近接する側面に架けて外部端子Td〜Tfが設けられ
る。
FIG. 2 is a perspective view of the high-frequency component 10 shown in FIG. As shown in FIG. 2, the high-frequency component 10 is
1 and a multi-layer substrate 10 incorporating LPFF2 (not shown)
a from the vicinity of one long side of the back surface of the multilayer substrate 10a to the side surface to which one long side is close.
Tc is provided, and external terminals Td to Tf are provided from the vicinity of the other long side of the back surface to the side surface to which the other long side is close.

【0023】図3(a)〜図3(h)、図4(a)〜図
4(e)に、図2の高周波部品10を構成する各誘電体
層の上面図及び下面図を示す。高周波部品10は、第1
〜第12の誘電体層11〜22を上から順次積層するこ
とにより形成される。
FIGS. 3 (a) to 3 (h) and FIGS. 4 (a) to 4 (e) show a top view and a bottom view of each dielectric layer constituting the high frequency component 10 of FIG. The high-frequency component 10 has a first
To the twelfth dielectric layers 11 to 22 sequentially from the top.

【0024】第2、第3、第4、第9及び第11の誘電
体層12,13,14,19,21の上面には、キャパ
シタンス素子形成用電極であるコンデンサ電極C11,
C12,C13,C14,C15,C16,C17,C
18,C19,C20がそれぞれ印刷され、形成され
る。
On the upper surfaces of the second, third, fourth, ninth, and eleventh dielectric layers 12, 13, 14, 19, and 21, a capacitor electrode C11, which is an electrode for forming a capacitance element, is provided.
C12, C13, C14, C15, C16, C17, C
18, C19 and C20 are printed and formed, respectively.

【0025】また、第5及び第6の誘電体層15,16
の上面には、略螺旋形状をした伝送線路導体L11,L
12,L13,L14がそれぞれ印刷され、形成され
る。この際、伝送線路導体L11,L13、及び伝送線
路導体L12,L14は、それぞれ、第5の誘電体層1
5を挟んで対向している。
The fifth and sixth dielectric layers 15, 16
On the upper surface of the transmission line conductors L11, L
12, L13 and L14 are printed and formed, respectively. At this time, the transmission line conductors L11 and L13 and the transmission line conductors L12 and L14 are respectively connected to the fifth dielectric layer 1
5 are opposed to each other.

【0026】さらに、第8、第10及び第12の誘電体
層18,20,22の上面には、グランド電極G11,
G12,G13がそれぞれ印刷され、形成される。ま
た、第12の誘電体層22の下面(図4(e))には、
第1〜第3のポートP1〜P3となる外部端子Ta,T
c,Te及び接地端子となる外部端子Tb,Td,Tf
が形成される。
Further, on the upper surfaces of the eighth, tenth, and twelfth dielectric layers 18, 20, 22, a ground electrode G11,
G12 and G13 are printed and formed, respectively. Further, on the lower surface of the twelfth dielectric layer 22 (FIG. 4E),
External terminals Ta, T serving as first to third ports P1 to P3
c, Te and external terminals Tb, Td, Tf serving as ground terminals
Is formed.

【0027】さらに、第2〜第8の誘電体層12〜18
には、所定の位置にビアホールVHb〜VHhが設けら
れる。
Further, the second to eighth dielectric layers 12 to 18
Are provided with via holes VHb to VHh at predetermined positions.

【0028】そして、コンデンサ電極C11,C14,
C16でHPFF1のコンデンサC1を、コンデンサ電
極C12,C15,C17でHPFF1のコンデンサC
2を、コンデンサ電極C19とグランド電極G11,G
12とでHPFF1のコンデンサC3をそれぞれ形成
し、コンデンサ電極C13,C18でLPFF2のコン
デンサC4を、コンデンサ電極C20とグランド電極G
12,G13とでLPFF2のコンデンサC5をそれぞ
れ形成する。
The capacitor electrodes C11, C14,
The capacitor C1 of the HPFF1 is connected to the capacitor C16, and the capacitor C1 of the HPFF1 is connected to the capacitor electrodes C12, C15 and C17.
2 with the capacitor electrode C19 and the ground electrodes G11, G
12, the capacitor C3 of the HPFF1 is formed, and the capacitor C4 of the LPFF2 is formed by the capacitor electrodes C13 and C18, and the capacitor electrode C20 and the ground electrode G are formed.
12, G13 form the capacitor C5 of the LPFF2.

【0029】また、伝送線路導体L11,L13及び伝
送線路導体L12,L14は、それぞれ、第5の誘電体
層15に設けたビアホールVHeを介して、伝播する高
周波信号の進行方向が互いに同方向となるように電気的
に直列に接続され(図3(e)、図3(f))、HPF
F1を構成する1本の伝送線路L1、及びLPFF2を
構成する1本の伝送線路L2をそれぞれ形成する。
The transmission line conductors L11 and L13 and the transmission line conductors L12 and L14 have the same traveling direction of the high-frequency signal propagating through the via hole VHe provided in the fifth dielectric layer 15, respectively. 3 (e) and 3 (f), and are electrically connected in series.
One transmission line L1 forming F1 and one transmission line L2 forming LPFF2 are formed.

【0030】ここで、上記の1.9GHzのPCSと8
00MHzのAMPSとに用いるデュアルバンド用高周
波部品における第1のポートP1と第2のポートP2と
の間、及び第1のポートP1と第3のポートP3との間
の通過特性の周波数依存性を図5に示す。図5におい
て、実線が第1のポートP1−第2のポートP2間、破
線が第1のポートP1−第3のポートP3間である。
Here, the 1.9 GHz PCS and 8
The frequency dependency of the pass characteristics between the first port P1 and the second port P2 and between the first port P1 and the third port P3 in the dual-band high-frequency component used for the 00 MHz AMPS is described. As shown in FIG. In FIG. 5, the solid line is between the first port P1 and the second port P2, and the broken line is between the first port P1 and the third port P3.

【0031】この図から、第1のポートP1−第2のポ
ートP2間では1.9GHz付近でほぼゼロ(dB)を
示し、第1のポートP1−第3のポートP3間では80
0MHz付近でほぼゼロ(dB)を示していることが理
解される。これは、上記の構成で、1.9GHzの高周
波信号と800MHzの高周波信号との間の互いの干渉
が十分に抑えられていることを示している。
From this drawing, it can be seen that almost zero (dB) is shown around 1.9 GHz between the first port P1 and the second port P2, and 80 between the first port P1 and the third port P3.
It is understood that the signal shows almost zero (dB) around 0 MHz. This indicates that in the above configuration, mutual interference between the 1.9 GHz high frequency signal and the 800 MHz high frequency signal is sufficiently suppressed.

【0032】上記のように、上述の実施例の高周波部品
によれば、第1のポートと第2のポートとの間に接続さ
れる高域通過フィルタの伝送線路、及び第1のポートと
第3のポートとの間に接続される低域通過フィルタの伝
送線路を、誘電体層を介して隣り合う2つの伝送線路導
体で形成しているため、伝送線路の特性インピーダンス
が一定であれば、1層当たりの伝送線路導体の長さを、
従来の約1/2にすることができる。
As described above, according to the high-frequency component of the above embodiment, the transmission line of the high-pass filter connected between the first port and the second port, and the first port and the second Since the transmission line of the low-pass filter connected to the third port is formed of two transmission line conductors adjacent to each other via the dielectric layer, if the characteristic impedance of the transmission line is constant, The length of the transmission line conductor per layer is
It can be reduced to about half of the conventional value.

【0033】したがって、本実施例の高周波部品は、従
来の高周波部品と比較して、小さい部品サイズで伝送線
路の特定インピーダンスを所定の値に確保することがで
き、高周波部品の小型化が実現する。具体的には、ほぼ
同一の特性インピーダンスを有する伝送線路を備えた本
実施例の高周波部品の外形の寸法と、従来例の高周波部
品の外形の寸法とを比較すると、従来例の高周波部品の
4.5mm(L)×3.2mm(W)×1.0mm
(H)に比べ、本実施例の高周波部品は、3.2mm
(L)×2.5mm(W)×1.1mm(H)となり、
容積にして、2/3以下になっている。
Therefore, the high-frequency component of the present embodiment can ensure a specific impedance of the transmission line at a predetermined value with a small component size as compared with the conventional high-frequency component, thereby realizing the miniaturization of the high-frequency component. . More specifically, comparing the external dimensions of the high-frequency component of the present embodiment with transmission lines having substantially the same characteristic impedance and the external dimensions of the high-frequency component of the conventional example, it is found that 0.5mm (L) × 3.2mm (W) × 1.0mm
Compared with (H), the high-frequency component of the present embodiment is 3.2 mm
(L) x 2.5 mm (W) x 1.1 mm (H),
The volume is less than 2/3.

【0034】また、誘電体層を介して隣り合う2つの伝
送線路導体を伝播する高周波信号の進行方向が互いに同
方向であるため、伝送線路導体のそれぞれの周囲に発生
する磁束の周回方向が同方向となる。したがって、誘電
体層を介して隣り合う2つの伝送線路導体が、同方向に
周回する磁束によって電磁気的に結合することとなり、
隣り合う2つの伝送線路導体が近接して重なり合う部分
において、隣り合う2つの伝送線路導体を中心として周
回する磁束が発生する。
Further, since the traveling directions of the high-frequency signals propagating in the two adjacent transmission line conductors via the dielectric layer are the same, the circumferential direction of the magnetic flux generated around each of the transmission line conductors is the same. Direction. Therefore, two transmission line conductors adjacent to each other via the dielectric layer are electromagnetically coupled by the magnetic flux circling in the same direction,
In a portion where two adjacent transmission line conductors are adjacent to each other and overlap, a magnetic flux circulating around the two adjacent transmission line conductors is generated.

【0035】この結果、隣り合う2つの伝送線路導体の
間隔を狭めることにより、隣り合う2つの伝送線路導体
間の結合を大きくすることができ、所望の特性インピー
ダンスを容易に得ることができる。したがって、外部か
らの電磁界ノイズから伝送線路を遮断するために、2つ
のグランド電極の間に伝送線路を配置して構成しても、
伝送線路とグランド電極との間に発生する浮遊容量の影
響による伝送線路の特性インピーダンスの低下を補償し
て、伝送線路の特性インピーダンスの高インピーダンス
化を実現できる。これに伴い、この高周波部品の挿入損
失の低下及び帯域幅縮小を抑えることができる。すなわ
ち、周波数特性の優れた高周波部品を実現できる。
As a result, by reducing the distance between two adjacent transmission line conductors, the coupling between the two adjacent transmission line conductors can be increased, and a desired characteristic impedance can be easily obtained. Therefore, even if the transmission line is arranged between the two ground electrodes in order to block the transmission line from external electromagnetic field noise,
By compensating for a decrease in the characteristic impedance of the transmission line due to the effect of stray capacitance generated between the transmission line and the ground electrode, it is possible to increase the characteristic impedance of the transmission line. Accordingly, it is possible to suppress a reduction in insertion loss and a reduction in bandwidth of the high-frequency component. That is, a high-frequency component having excellent frequency characteristics can be realized.

【0036】さらに、高周波部品が、高域通過フィルタ
と低域通過フィルタとからなるため、各フィルタを構成
する伝送線路及びコンデンサの点数を少なくすることが
できる。したがって、高周波部品をさらに小型化するこ
とができる。
Further, since the high-frequency component is composed of a high-pass filter and a low-pass filter, the number of transmission lines and capacitors constituting each filter can be reduced. Therefore, the high-frequency component can be further downsized.

【0037】なお、上記の実施例において、図1及び図
3〜図4に示した高周波部品の回路図、並びに高周波部
品を構成する各誘電体層の上面図及び下面図は、一例で
あり、インダクタン素子を構成する伝送線路を、積層方
向に誘電体層を介して略対向させるとともに、隣り合う
2つを伝播する高周波信号の進行方向が互いに同方向と
なるように電気的に直列接続した複数の伝送線路導体で
形成したものであれば、本発明の範囲内にあるといえ
る。
In the above embodiment, the circuit diagrams of the high-frequency components shown in FIGS. 1 and 3 to 4 and the top and bottom views of each dielectric layer constituting the high-frequency components are examples. The transmission lines constituting the inductive element were substantially opposed to each other via the dielectric layer in the laminating direction, and were electrically connected in series so that the traveling directions of the high-frequency signals propagating in two adjacent ones became the same direction. Anything formed by a plurality of transmission line conductors is considered to be within the scope of the present invention.

【0038】また、伝送線路導体が略螺旋形状をなす場
合について説明したが、占有面積や所望の特性インピー
ダンスの仕様によって螺旋形状の他に、スパイラル形状
のもの、ミアンダ形状のもの、あるいはそれらを組み合
わせたもの等であってもよい。
The case where the transmission line conductor has a substantially spiral shape has been described. However, in addition to the spiral shape, a spiral shape, a meander shape, or a combination thereof may be used depending on the occupied area and the specification of the desired characteristic impedance. May be used.

【0039】さらに、複数のフィルタの組み合わせが、
高域通過フィルタと低域通過フィルタの場合について説
明したが、例えば、帯域通過フィルタと帯域阻止フィル
タ、帯域通過フィルタと帯域通過フィルタ、帯域阻止フ
ィルタと帯域阻止フィルタ等のように他の組み合わせで
あってもよい。
Further, a combination of a plurality of filters is
Although the case of the high-pass filter and the low-pass filter has been described, other combinations such as a band-pass filter and a band-reject filter, a band-pass filter and a band-pass filter, a band-reject filter and a band-reject filter, etc. You may.

【0040】[0040]

【発明の効果】請求項1の高周波部品によれば、中心周
波数が異なる帯域を有する少なくとも2つのフィルタの
インダクタンス素子を構成する伝送線路を、複数層の伝
送線路導体で形成しているため、伝送線路の特性インピ
ーダンスが一定であれば、1層当たりの伝送線路導体の
長さを、従来よりも短くすることができる。したがっ
て、高周波部品の小型化を実現することができる。
According to the high frequency component of the present invention, since the transmission lines forming the inductance elements of at least two filters having different bands of the center frequency are formed by the transmission line conductors of a plurality of layers, the transmission is performed. If the characteristic impedance of the line is constant, the length of the transmission line conductor per layer can be made shorter than before. Therefore, downsizing of the high-frequency component can be realized.

【0041】また、誘電体層を介して隣り合う2つの伝
送線路導体を伝播する高周波信号の進行方向が互いに同
方向であるため、伝送線路導体のそれぞれの周囲に発生
する磁束の周回方向を同方向とすることができる。した
がって、誘電体層を介して隣り合う2つの伝送線路導体
の間隔を狭めることにより、隣り合う2つの伝送線路導
体間の結合を大きくすることができ、所望の特性インピ
ーダンスを容易に得ることができる。
Further, since the traveling directions of the high-frequency signals propagating in the two adjacent transmission line conductors via the dielectric layer are the same, the circulating directions of the magnetic flux generated around each of the transmission line conductors are the same. Direction. Therefore, by narrowing the distance between two adjacent transmission line conductors via the dielectric layer, the coupling between the two adjacent transmission line conductors can be increased, and a desired characteristic impedance can be easily obtained. .

【0042】この結果、外部からの電磁界ノイズから伝
送線路を遮断するために、2つのグランド電極の間に伝
送線路を配置して構成しても、伝送線路とグランド電極
との間に発生する浮遊容量の影響による伝送線路の特性
インピーダンスの低下を補償して、伝送線路の特性イン
ピーダンスの高インピーダンス化を実現できる。これに
伴い、この高周波部品の挿入損失の低下及び帯域幅縮小
を抑えることができる。すなわち、周波数特性の優れた
高周波部品を実現することができる。
As a result, even if a transmission line is arranged between two ground electrodes in order to block the transmission line from external electromagnetic field noise, the transmission line is generated between the transmission line and the ground electrode. A decrease in the characteristic impedance of the transmission line due to the influence of the stray capacitance can be compensated, and the characteristic impedance of the transmission line can be increased. Accordingly, it is possible to suppress a reduction in insertion loss and a reduction in bandwidth of the high-frequency component. That is, a high-frequency component having excellent frequency characteristics can be realized.

【0043】請求項2の高周波部品によれば、低域通過
フィルタと高域通過フィルタとからなるため、各フィル
タを構成するインダクタンス素子及びキャパシタンス素
子の個数を少なくすることができる。したがって、高周
波部品をさらに小型化することができる。
According to the high frequency component of the second aspect, since the high frequency component includes the low pass filter and the high pass filter, the number of inductance elements and capacitance elements constituting each filter can be reduced. Therefore, the high-frequency component can be further downsized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る高周波部品の一実施例の回路図で
ある。
FIG. 1 is a circuit diagram of one embodiment of a high-frequency component according to the present invention.

【図2】図1の高周波部品の透視斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of the high-frequency component of FIG. 1;

【図3】図2の高周波部品を構成する(a)第1の誘電
体層〜(h)第8の誘電体層の上面図である。
FIG. 3 is a top view of (a) a first dielectric layer to (h) an eighth dielectric layer constituting the high-frequency component of FIG. 2;

【図4】図2の高周波部品を構成する(a)第9の誘電
体層〜(d)第12の誘電体層の上面図及び(e)第1
2の誘電体層の下面図である。
FIG. 4 is a top view of (a) a ninth dielectric layer to (d) a twelfth dielectric layer constituting the high-frequency component of FIG. 2 and (e) a first dielectric layer.
FIG. 4 is a bottom view of a second dielectric layer.

【図5】図2の高周波部品を800MHzと1.9GH
zのデュアルバンドに用いた場合の周波数特性を示す図
である。
FIG. 5 shows a high-frequency component of FIG.
FIG. 9 is a diagram illustrating frequency characteristics when used in a dual band of z.

【図6】従来の高周波部品の一例を示す概略側面図であ
る。
FIG. 6 is a schematic side view showing an example of a conventional high-frequency component.

【図7】図6の高周波部品を構成する(a)第1の誘電
体層〜(h)第8の誘電体層の上面図である。
FIG. 7 is a top view of (a) a first dielectric layer to (h) an eighth dielectric layer constituting the high-frequency component of FIG. 6;

【図8】図6の高周波部品を構成する第9の誘電体層の
(a)上面図及び(b)下面図である。
8A is a top view and FIG. 8B is a bottom view of a ninth dielectric layer included in the high-frequency component of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 高周波部品 10a 積層体 11〜22 誘電体層 C1〜C5 キャパシタンス素子(コンデンサ) F1 高域通過フィルタ(HPF) F2 低域通過フィルタ(LPF) L1,L2 インダクタンス素子(伝送線路) L11〜L14 伝送線路導体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 High frequency component 10a Laminated body 11-22 Dielectric layer C1-C5 Capacitance element (capacitor) F1 High-pass filter (HPF) F2 Low-pass filter (LPF) L1, L2 Inductance element (transmission line) L11-L14 Transmission line conductor

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の誘電体層を積層してなる積層体
と、該積層体に内蔵されるとともに、中心周波数が異な
る帯域を有するインダクタンス素子及びキャパシタンス
素子からなる少なくとも2つのフィルタと、で構成され
る高周波部品であって、 前記フィルタを構成するインダクタンス素子が、複数の
伝送線路導体を前記積層体の積層方向に誘電体層を介し
て略対向させるとともに、前記複数の伝送線路導体のう
ち隣り合う2つの伝送線路導体を伝播する高周波信号の
進行方向が互いに同方向になるように電気的に直列接続
してなる少なくとも1つの伝送線路からなることを特徴
とする高周波部品。
1. A laminated body comprising a plurality of dielectric layers laminated, and at least two filters including an inductance element and a capacitance element which are built in the laminated body and have bands having different center frequencies. An inductance element constituting the filter, a plurality of transmission line conductors are substantially opposed to each other via a dielectric layer in a stacking direction of the multilayer body, and an adjacent one of the plurality of transmission line conductors A high-frequency component comprising at least one transmission line electrically connected in series so that traveling directions of high-frequency signals propagating through two matching transmission line conductors are the same.
【請求項2】 前記フィルタの組み合わせが、高域通過
フィルタと低域通過フィルタとであることを特徴とする
請求項1に記載の高周波部品。
2. The high-frequency component according to claim 1, wherein the combination of the filters is a high-pass filter and a low-pass filter.
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