JPH1197818A - 実装配線基板 - Google Patents
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ベースと導通する導体と非導通の導体との間
で電気的にショートすることなく、電子部品の発する熱
を金属製ベースへ速やかに放散させることにより放熱性
を向上する。 【解決手段】 導電性を有する金属製ベース２０と、ベ
ース２０上に層状に設けた絶縁層３０と、絶縁層３０上
に形成した導電性を有しかつ異なる電位で通電される複
数の導体４１，１４１，１５０，１６０とから基板本体
１０を構成する。基板本体１０上に通電によって発熱す
る電子部品（５０，６０）が実装される。ベース２０と
導通する導体１５０，１６０と、ベース２０と非導通の
導体４１，１４１とを熱伝導性を有する熱伝導性部品
１，２で接続する。
で電気的にショートすることなく、電子部品の発する熱
を金属製ベースへ速やかに放散させることにより放熱性
を向上する。 【解決手段】 導電性を有する金属製ベース２０と、ベ
ース２０上に層状に設けた絶縁層３０と、絶縁層３０上
に形成した導電性を有しかつ異なる電位で通電される複
数の導体４１，１４１，１５０，１６０とから基板本体
１０を構成する。基板本体１０上に通電によって発熱す
る電子部品（５０，６０）が実装される。ベース２０と
導通する導体１５０，１６０と、ベース２０と非導通の
導体４１，１４１とを熱伝導性を有する熱伝導性部品
１，２で接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、実装配線基板に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】従来の実装配線基板には、導電性を有す
る金属製ベースと、前記ベース上に層状に設けた絶縁層
と、前記絶縁層上に形成した導電性を有しかつ異なる電
位で通電される複数の導体とから基板本体を構成し、前
記基板本体上に通電によって発熱する電子部品が実装さ
れたものがある（例えば、特開平１−１３２１４７号公
報、特開平４−６８９３号公報参照）。
る金属製ベースと、前記ベース上に層状に設けた絶縁層
と、前記絶縁層上に形成した導電性を有しかつ異なる電
位で通電される複数の導体とから基板本体を構成し、前
記基板本体上に通電によって発熱する電子部品が実装さ
れたものがある（例えば、特開平１−１３２１４７号公
報、特開平４−６８９３号公報参照）。
【０００３】前記した実装配線基板は、電子部品の発す
る熱が絶縁層を通じて金属製ベースへと放散される為、
絶縁層の熱伝導率および絶縁層の厚さによって放熱性が
大きく影響を受け、所望の放熱性を確保することが難し
い場合がある。
る熱が絶縁層を通じて金属製ベースへと放散される為、
絶縁層の熱伝導率および絶縁層の厚さによって放熱性が
大きく影響を受け、所望の放熱性を確保することが難し
い場合がある。
【０００４】そこで、このような場合の放熱性を向上す
るために、図３に部分断面図で示す実装配線基板が提案
される。図３において、実装配線基板は、導電性を有す
る金属製ベース２０と、前記ベース２０上に層状に設け
た絶縁層３０と、前記絶縁層３０上に形成した導電性を
有する複数の導体４０，４１，１４０とから基板本体１
０を構成し、前記基板本体１０上に通電によって発熱す
る電子部品に相当する第１の半導体装置５０および第２
の半導体装置６０が実装されている。前記絶縁層３０に
は開口孔３１が形成されており、その開口孔３１におい
て導体４０，１４０をベース２０に接触させている。
るために、図３に部分断面図で示す実装配線基板が提案
される。図３において、実装配線基板は、導電性を有す
る金属製ベース２０と、前記ベース２０上に層状に設け
た絶縁層３０と、前記絶縁層３０上に形成した導電性を
有する複数の導体４０，４１，１４０とから基板本体１
０を構成し、前記基板本体１０上に通電によって発熱す
る電子部品に相当する第１の半導体装置５０および第２
の半導体装置６０が実装されている。前記絶縁層３０に
は開口孔３１が形成されており、その開口孔３１におい
て導体４０，１４０をベース２０に接触させている。
【０００５】前記第１の半導体装置５０は、前記絶縁層
３０の開口孔３１におけるベース２０と接触した導体４
０の接触部分上に設置されている。なお第１の半導体装
置５０は、例えば、ベアチップの半導体素子等であっ
て、ボンディングワイヤ５１によって導体４０，４１と
導通接続されている。また第２の半導体装置６０は、例
えば、スモールアウトラインパッケージであって、リー
ド端子６１がハンダ付けによって導体１４０と導通接続
されている。またベース２０には、例えば、鉄板、銅、
ステンレス等が使用される。また絶縁層３０には、例え
ば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等が使用される。ま
た導体４０，４１，１４０には、例えば、銅箔が使用さ
れる。
３０の開口孔３１におけるベース２０と接触した導体４
０の接触部分上に設置されている。なお第１の半導体装
置５０は、例えば、ベアチップの半導体素子等であっ
て、ボンディングワイヤ５１によって導体４０，４１と
導通接続されている。また第２の半導体装置６０は、例
えば、スモールアウトラインパッケージであって、リー
ド端子６１がハンダ付けによって導体１４０と導通接続
されている。またベース２０には、例えば、鉄板、銅、
ステンレス等が使用される。また絶縁層３０には、例え
ば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等が使用される。ま
た導体４０，４１，１４０には、例えば、銅箔が使用さ
れる。
【０００６】前記した実装配線基板によると、絶縁層３
０に形成した開口孔３１において金属製ベース２０と導
体（ベース導通導体ともいう。）４０，１４０とを接触
させているため、その接触部分における熱伝導性が良好
となる。従って、第１の半導体装置５０及び第２の半導
体装置６０の発する熱を、ベース導通導体４０，１４０
から金属製ベース２０に効果的に放散することができ
る。
０に形成した開口孔３１において金属製ベース２０と導
体（ベース導通導体ともいう。）４０，１４０とを接触
させているため、その接触部分における熱伝導性が良好
となる。従って、第１の半導体装置５０及び第２の半導
体装置６０の発する熱を、ベース導通導体４０，１４０
から金属製ベース２０に効果的に放散することができ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記実装
配線基板によると、ベース２０とベース導通導体４０，
１４０とを接触させるということは、電気的にも接続す
るすなわち導通することになる。このため、ベース２０
と接触する各ベース導通導体４０，１４０に通電する電
位が異なると、電気的にショートすることから、各ベー
ス導通導体４０，１４０に通電する電位は等しい大きさ
である必要がある。しかしながら、一般的に、各ベース
導通導体４０，１４０に通電する電位は異なっているた
め、現実的な実施が限られるといった問題が残る。また
仮に、通電する電位が等しいベース導通導体４０，１４
０だけをベース２０と接触させるものとしても、ベース
２０と接触するベース導通導体の本数および面積が少な
いため、放熱性の効果は小さいものとなる。
配線基板によると、ベース２０とベース導通導体４０，
１４０とを接触させるということは、電気的にも接続す
るすなわち導通することになる。このため、ベース２０
と接触する各ベース導通導体４０，１４０に通電する電
位が異なると、電気的にショートすることから、各ベー
ス導通導体４０，１４０に通電する電位は等しい大きさ
である必要がある。しかしながら、一般的に、各ベース
導通導体４０，１４０に通電する電位は異なっているた
め、現実的な実施が限られるといった問題が残る。また
仮に、通電する電位が等しいベース導通導体４０，１４
０だけをベース２０と接触させるものとしても、ベース
２０と接触するベース導通導体の本数および面積が少な
いため、放熱性の効果は小さいものとなる。
【０００８】本発明は上記した問題点を解決するために
なされたものであって、本発明が解決しようとする課題
は、ベースと導通する導体と非導通の導体との間で電気
的にショートすることなく、電子部品の発する熱を金属
製ベースへ速やかに放散させることにより放熱性を向上
することのできる実装配線基板を提供することにある。
なされたものであって、本発明が解決しようとする課題
は、ベースと導通する導体と非導通の導体との間で電気
的にショートすることなく、電子部品の発する熱を金属
製ベースへ速やかに放散させることにより放熱性を向上
することのできる実装配線基板を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する請求
項１の発明は、導電性を有する金属製ベースと、前記ベ
ース上に層状に設けた絶縁層と、前記絶縁層上に少なく
ともその一部を形成した導電性を有しかつ異なる電位で
通電される複数の導体とから基板本体を構成し、前記基
板本体上に通電によって発熱する電子部品が実装された
実装配線基板であって、前記ベースと導通する導体と、
前記ベースと非導通の導体とを、電気絶縁性および熱伝
導性を有する熱伝導性部品で接続したことを特徴とす
る。前記請求項１記載の実装配線基板によると、電子部
品の発する熱は、金属ベースと導通する導体からは金属
ベースへ直接的に放散されるとともに、金属ベースと非
導通の導体からは熱伝導性部品を介して、金属ベースと
導通する導体に放散しその導体を通じて金属製ベースへ
間接的に放散される。また、ベースと導通する導体と非
導通の導体との間に接続した熱伝導性部品は、電気絶縁
性を有しているため、その導体間で電気的にショートす
ることがない。従って、ベースと導通する導体と非導通
の導体との間で電気的にショートすることなく、電子部
品の発する熱が金属製ベースへ速やかに放散されること
により放熱性が向上する。
項１の発明は、導電性を有する金属製ベースと、前記ベ
ース上に層状に設けた絶縁層と、前記絶縁層上に少なく
ともその一部を形成した導電性を有しかつ異なる電位で
通電される複数の導体とから基板本体を構成し、前記基
板本体上に通電によって発熱する電子部品が実装された
実装配線基板であって、前記ベースと導通する導体と、
前記ベースと非導通の導体とを、電気絶縁性および熱伝
導性を有する熱伝導性部品で接続したことを特徴とす
る。前記請求項１記載の実装配線基板によると、電子部
品の発する熱は、金属ベースと導通する導体からは金属
ベースへ直接的に放散されるとともに、金属ベースと非
導通の導体からは熱伝導性部品を介して、金属ベースと
導通する導体に放散しその導体を通じて金属製ベースへ
間接的に放散される。また、ベースと導通する導体と非
導通の導体との間に接続した熱伝導性部品は、電気絶縁
性を有しているため、その導体間で電気的にショートす
ることがない。従って、ベースと導通する導体と非導通
の導体との間で電気的にショートすることなく、電子部
品の発する熱が金属製ベースへ速やかに放散されること
により放熱性が向上する。
【００１０】請求項２の発明は、導電性を有する金属製
ベースと、前記ベース上に層状に設けた絶縁層と、前記
絶縁層上に少なくともその一部を形成した導電性を有し
かつ異なる電位で通電される複数の導体とから基板本体
を構成し、前記基板本体上に通電によって発熱する電子
部品が実装された実装配線基板であって、前記ベースと
導通する導体と、前記ベースと非導通の導体とを、両導
体間に電圧をかけることができかつ熱伝導性を有する電
子部品で接続したことを特徴とする。前記請求項２記載
の実装配線基板によると、通電によって発熱する電子部
品の発する熱は、金属ベースと導通する導体からは金属
ベースへ直接的に放散されるとともに、金属ベースと非
導通の導体からは熱伝導性を有する電子部品を介して、
金属ベースと導通する導体に放散しその導体を通じて金
属製ベースへ間接的に放散される。また、ベースと導通
する導体と非導通の導体との間に接続した電子部品は、
両導体間に電圧をかけることができるため、その導体間
で電気的にショートすることがない。従って、ベースと
導通する導体と非導通の導体との間で電気的にショート
することなく、電子部品の発する熱が金属製ベースへ速
やかに放散されることにより放熱性が向上する。また、
電子部品で熱伝導性部品を兼用することによって、専用
の熱伝導性部品を余計に使用しなくて済む。
ベースと、前記ベース上に層状に設けた絶縁層と、前記
絶縁層上に少なくともその一部を形成した導電性を有し
かつ異なる電位で通電される複数の導体とから基板本体
を構成し、前記基板本体上に通電によって発熱する電子
部品が実装された実装配線基板であって、前記ベースと
導通する導体と、前記ベースと非導通の導体とを、両導
体間に電圧をかけることができかつ熱伝導性を有する電
子部品で接続したことを特徴とする。前記請求項２記載
の実装配線基板によると、通電によって発熱する電子部
品の発する熱は、金属ベースと導通する導体からは金属
ベースへ直接的に放散されるとともに、金属ベースと非
導通の導体からは熱伝導性を有する電子部品を介して、
金属ベースと導通する導体に放散しその導体を通じて金
属製ベースへ間接的に放散される。また、ベースと導通
する導体と非導通の導体との間に接続した電子部品は、
両導体間に電圧をかけることができるため、その導体間
で電気的にショートすることがない。従って、ベースと
導通する導体と非導通の導体との間で電気的にショート
することなく、電子部品の発する熱が金属製ベースへ速
やかに放散されることにより放熱性が向上する。また、
電子部品で熱伝導性部品を兼用することによって、専用
の熱伝導性部品を余計に使用しなくて済む。
【００１１】
〔実施の形態１〕実施の形態１について図１の部分断面
図を参照して説明する。実施の形態１は従来例の一部を
変更したものであるからその変更部分について詳述し、
従来例と同一もしくは実質的に同一構成と考えられる部
分には同一符号を付して重複する説明は省略する。ま
た、次の実施の形態２についても同様の考えで重複する
説明は省略する。
図を参照して説明する。実施の形態１は従来例の一部を
変更したものであるからその変更部分について詳述し、
従来例と同一もしくは実質的に同一構成と考えられる部
分には同一符号を付して重複する説明は省略する。ま
た、次の実施の形態２についても同様の考えで重複する
説明は省略する。
【００１２】図１において、第１の半導体装置５０にボ
ンディングワイヤ５１を介して導通接続された導体４１
は、絶縁層３０を介して金属製ベース２０と絶縁されて
いる。この導体（第１のベース非導通導体ともいう。）
４１上に第１の半導体装置５０が設置されている。ま
た、第２の半導体装置６０のリード端子６１にハンダ付
けによって導通接続される導体１４１も、絶縁層３０を
介して金属製ベース２０とは絶縁されている。この導体
（第２のベース非導通導体ともいう。）１４１上に第２
の半導体装置６０が設置されている。
ンディングワイヤ５１を介して導通接続された導体４１
は、絶縁層３０を介して金属製ベース２０と絶縁されて
いる。この導体（第１のベース非導通導体ともいう。）
４１上に第１の半導体装置５０が設置されている。ま
た、第２の半導体装置６０のリード端子６１にハンダ付
けによって導通接続される導体１４１も、絶縁層３０を
介して金属製ベース２０とは絶縁されている。この導体
（第２のベース非導通導体ともいう。）１４１上に第２
の半導体装置６０が設置されている。
【００１３】また、絶縁層３０上に設けられている左右
２本の導体１５０，１６０は、それぞれ絶縁層３０に形
成した開口孔３２，３３においてベース２０と接触され
て導通接続されている。左右の導体（ベース導通導体と
もいう。）１５０，１６０は、金属製ベース２０と同電
位で通電される。また、第１のベース非導通導体４１お
よび第２のベース非導通導体１４１は、ベース導通導体
１５０，１６０と異なる電位で通電される。なお、第１
のベース非導通導体４１および第２のベース非導通導体
１４１は、相互に同電位あるいは異なる電位で通電され
る。
２本の導体１５０，１６０は、それぞれ絶縁層３０に形
成した開口孔３２，３３においてベース２０と接触され
て導通接続されている。左右の導体（ベース導通導体と
もいう。）１５０，１６０は、金属製ベース２０と同電
位で通電される。また、第１のベース非導通導体４１お
よび第２のベース非導通導体１４１は、ベース導通導体
１５０，１６０と異なる電位で通電される。なお、第１
のベース非導通導体４１および第２のベース非導通導体
１４１は、相互に同電位あるいは異なる電位で通電され
る。
【００１４】前記左側のベース導通導体１５０と第１の
ベース非導通導体４１は、熱伝導性および電気絶縁性を
有する第１の熱伝導性部品１で接続されている。また、
右側のベース導通導体１６０と第２のベース非導通導体
１４１は、熱伝導性および電気絶縁性を有する第２の熱
伝導性部品２で接続されている。第１および第２の熱伝
導性部品１，２は、例えばアルミナ、窒化珪素等のセラ
ミックス製であり、当該導体４０，１４０，１５０，１
６０に対し接着剤によって接着されている。なお接着剤
には、熱伝導性の良い接着剤を使用することが望まし
い。
ベース非導通導体４１は、熱伝導性および電気絶縁性を
有する第１の熱伝導性部品１で接続されている。また、
右側のベース導通導体１６０と第２のベース非導通導体
１４１は、熱伝導性および電気絶縁性を有する第２の熱
伝導性部品２で接続されている。第１および第２の熱伝
導性部品１，２は、例えばアルミナ、窒化珪素等のセラ
ミックス製であり、当該導体４０，１４０，１５０，１
６０に対し接着剤によって接着されている。なお接着剤
には、熱伝導性の良い接着剤を使用することが望まし
い。
【００１５】前記実装配線基板によると、第１の半導体
装置５０の発する熱は、第１のベース非導通導体４１か
ら第１の熱伝導性部品１を介して左側のベース導通導体
１５０に放散し、その導体１５０を通じて金属製ベース
２０へ間接的に放散される。また、第２の半導体装置６
０の発する熱は、第２のベース非導通導体１４１から第
２の熱伝導性部品２を介して右側のベース導通導体１６
０に放散し、その導体１６０を通じて金属製ベース２０
へ間接的に放散される。また、ベース２０と導通するベ
ース導通導体１５０，１６０と非導通の第１および第２
のベース非導通導体４１，１４１との間に接続した第１
および第２の熱伝導性部品１，２は、電気絶縁性を有し
ているため、その導体４１，１５０、１４１，１６０間
で電気的にショートすることがない。従って、ベース導
通導体１５０，１６０とベース非導通導体４１，１４１
との間で電気的にショートすることなく、第１および第
２の半導体装置５０，６０の発する熱が金属製ベース２
０へ速やかに放散されることにより放熱性が向上する。
装置５０の発する熱は、第１のベース非導通導体４１か
ら第１の熱伝導性部品１を介して左側のベース導通導体
１５０に放散し、その導体１５０を通じて金属製ベース
２０へ間接的に放散される。また、第２の半導体装置６
０の発する熱は、第２のベース非導通導体１４１から第
２の熱伝導性部品２を介して右側のベース導通導体１６
０に放散し、その導体１６０を通じて金属製ベース２０
へ間接的に放散される。また、ベース２０と導通するベ
ース導通導体１５０，１６０と非導通の第１および第２
のベース非導通導体４１，１４１との間に接続した第１
および第２の熱伝導性部品１，２は、電気絶縁性を有し
ているため、その導体４１，１５０、１４１，１６０間
で電気的にショートすることがない。従って、ベース導
通導体１５０，１６０とベース非導通導体４１，１４１
との間で電気的にショートすることなく、第１および第
２の半導体装置５０，６０の発する熱が金属製ベース２
０へ速やかに放散されることにより放熱性が向上する。
【００１６】また例えば、ベース導通導体１５０，１６
０が例えばグランド回路を形成している場合、第１の熱
伝導性部品１および／または第２の熱伝導性部品２とし
て、両導体４１，１５０、１４１，１６０間に電圧をか
けることができかつ熱伝導性を有するチップコンデン
サ、チップ抵抗器等の電子部品を使用することができ
る。この場合、通電によって半導体装置５０，６０の発
する熱は、前にも述べたように、ベース非導通導体４
１，１４１から熱伝導性部品１，２である電子部品を介
してベース導通導体１５０，１６０に放散し、その導体
１５０，１６０を通じて金属製ベース２０へ間接的に放
散される。また、ベース導通導体１５０，１６０とベー
ス非導通導体４１，１４１との間に接続した電子部品
は、両導体４１，１５０、１４１，１６０間に電圧をか
けることができるため、その導体間で電気的にショート
することがない。従って、ベース導通導体１５０，１６
０とベース非導通導体４１，１４１との間で電気的にシ
ョートすることなく、第１および第２の半導体装置５
０，６０の発する熱が金属製ベース２０へ速やかに放散
されることにより放熱性が向上する。また、電子部品で
熱伝導性部品１，２を兼用することによって、専用の熱
伝導性部品を余計に使用しなくて済む。
０が例えばグランド回路を形成している場合、第１の熱
伝導性部品１および／または第２の熱伝導性部品２とし
て、両導体４１，１５０、１４１，１６０間に電圧をか
けることができかつ熱伝導性を有するチップコンデン
サ、チップ抵抗器等の電子部品を使用することができ
る。この場合、通電によって半導体装置５０，６０の発
する熱は、前にも述べたように、ベース非導通導体４
１，１４１から熱伝導性部品１，２である電子部品を介
してベース導通導体１５０，１６０に放散し、その導体
１５０，１６０を通じて金属製ベース２０へ間接的に放
散される。また、ベース導通導体１５０，１６０とベー
ス非導通導体４１，１４１との間に接続した電子部品
は、両導体４１，１５０、１４１，１６０間に電圧をか
けることができるため、その導体間で電気的にショート
することがない。従って、ベース導通導体１５０，１６
０とベース非導通導体４１，１４１との間で電気的にシ
ョートすることなく、第１および第２の半導体装置５
０，６０の発する熱が金属製ベース２０へ速やかに放散
されることにより放熱性が向上する。また、電子部品で
熱伝導性部品１，２を兼用することによって、専用の熱
伝導性部品を余計に使用しなくて済む。
【００１７】〔実施の形態２〕実施の形態２について図
２の部分断面図を参照して説明する。実施の形態２は従
来例の一部を変更したものである。図２において、第１
の半導体装置５０は、従来例の場合と同様に、絶縁層３
０の開口孔３１におけるベース２０と接触したベース導
通導体４０の接触部分上に設置されている。一方、第２
の半導体装置６０のリード端子６１は、実施の形態１と
同様に、金属製ベース２０と絶縁層３０を介して絶縁し
た第２のベース非導通導体１４１にハンダ付けによって
導通接続されている。その第２のベース非導通導体１４
１とそれに隣接するベース導通導体１６０とは、熱伝導
性および電気絶縁性を有する第２の熱伝導性部品２で接
続されている。
２の部分断面図を参照して説明する。実施の形態２は従
来例の一部を変更したものである。図２において、第１
の半導体装置５０は、従来例の場合と同様に、絶縁層３
０の開口孔３１におけるベース２０と接触したベース導
通導体４０の接触部分上に設置されている。一方、第２
の半導体装置６０のリード端子６１は、実施の形態１と
同様に、金属製ベース２０と絶縁層３０を介して絶縁し
た第２のベース非導通導体１４１にハンダ付けによって
導通接続されている。その第２のベース非導通導体１４
１とそれに隣接するベース導通導体１６０とは、熱伝導
性および電気絶縁性を有する第２の熱伝導性部品２で接
続されている。
【００１８】前記実装配線基板によると、第１の半導体
装置５０の発する熱は、ベース導通導体４０から金属製
ベース２０へ直接的に放散される。また、第２の半導体
装置６０の発する熱は、第２のベース非導通導体１４１
から第２の熱伝導性部品２を介してベース導通導体１６
０に放散し、その導体１６０を通じて金属製ベース２０
へ間接的に放散される。また、ベース２０と導通するベ
ース導通導体１６０と非導通の第２のベース非導通導体
１４１との間に接続した第２の熱伝導性部品２は、電気
絶縁性を有しているため、その導体１６０，１４１間で
電気的にショートすることがない。なお本形態において
も、実施の形態１で述べたように、第２の熱伝導性部品
２として、両導体１４１，１６０間に電圧をかけること
ができかつ熱伝導性を有するチップコンデンサ、チップ
抵抗器等の電子部品を使用することができる。
装置５０の発する熱は、ベース導通導体４０から金属製
ベース２０へ直接的に放散される。また、第２の半導体
装置６０の発する熱は、第２のベース非導通導体１４１
から第２の熱伝導性部品２を介してベース導通導体１６
０に放散し、その導体１６０を通じて金属製ベース２０
へ間接的に放散される。また、ベース２０と導通するベ
ース導通導体１６０と非導通の第２のベース非導通導体
１４１との間に接続した第２の熱伝導性部品２は、電気
絶縁性を有しているため、その導体１６０，１４１間で
電気的にショートすることがない。なお本形態において
も、実施の形態１で述べたように、第２の熱伝導性部品
２として、両導体１４１，１６０間に電圧をかけること
ができかつ熱伝導性を有するチップコンデンサ、チップ
抵抗器等の電子部品を使用することができる。
【００１９】本発明は前記実施の形態に限定されるもの
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲における変更
が可能である。例えば、半導体装置５０，６０に代え
て、半導体を使用しない発熱素子を電子部品として使用
することができる。また導体は、回路を形成するものに
代えて放熱専用のものとしてもよい。
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲における変更
が可能である。例えば、半導体装置５０，６０に代え
て、半導体を使用しない発熱素子を電子部品として使用
することができる。また導体は、回路を形成するものに
代えて放熱専用のものとしてもよい。
【００２０】
【発明の効果】本発明の実装配線基板によれば、ベース
と導通する導体と非導通の導体との間で電気的にショー
トすることなく、電子部品の発する熱が金属製ベースへ
速やかに放散されることにより放熱性が向上する。
と導通する導体と非導通の導体との間で電気的にショー
トすることなく、電子部品の発する熱が金属製ベースへ
速やかに放散されることにより放熱性が向上する。
【図１】実施の形態１を示す部分断面図である。
【図２】実施の形態２を示す部分断面図である。
【図３】従来例を示す部分断面図である。
１ 第１の熱伝導性部品 ２ 第２の熱伝導性部品 １０ 基板本体 ２０ 金属製ベース ３０ 絶縁層 ４０，１４０，１５０，１６０ ベース導通導体 ４１，１４１ ベース非導通導体 ５０ 第１の半導体装置（電子部品） ６０ 第２の半導体装置（電子部品）
Claims (2)
- 【請求項１】 導電性を有する金属製ベースと、前記ベ
ース上に層状に設けた絶縁層と、前記絶縁層上に少なく
ともその一部を形成した導電性を有しかつ異なる電位で
通電される複数の導体とから基板本体を構成し、前記基
板本体上に通電によって発熱する電子部品が実装された
実装配線基板であって、前記ベースと導通する導体と、
前記ベースと非導通の導体とを、電気絶縁性および熱伝
導性を有する熱伝導性部品で接続したことを特徴とする
実装配線基板。 - 【請求項２】 導電性を有する金属製ベースと、前記ベ
ース上に層状に設けた絶縁層と、前記絶縁層上に少なく
ともその一部を形成した導電性を有しかつ異なる電位で
通電される複数の導体とから基板本体を構成し、前記基
板本体上に通電によって発熱する電子部品が実装された
実装配線基板であって、前記ベースと導通する導体と、
前記ベースと非導通の導体とを、両導体間に電圧をかけ
ることができかつ熱伝導性を有する電子部品で接続した
ことを特徴とする実装配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25078697A JPH1197818A (ja) | 1997-09-16 | 1997-09-16 | 実装配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25078697A JPH1197818A (ja) | 1997-09-16 | 1997-09-16 | 実装配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1197818A true JPH1197818A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=17213035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25078697A Pending JPH1197818A (ja) | 1997-09-16 | 1997-09-16 | 実装配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1197818A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6752645B2 (en) | 2001-08-08 | 2004-06-22 | Yamaichi Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device-socket having rotationally movable heat sinks |
| JP2006156979A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-06-15 | Brother Ind Ltd | 電子部品搭載基板、電子部品搭載基板用の伝熱部材、及び、液体噴射ヘッド |
| US7118386B2 (en) | 2002-12-17 | 2006-10-10 | Yamaichi Electronics Co., Ltd. | Socket for semiconductor device |
| US7230830B2 (en) | 2004-04-16 | 2007-06-12 | Yamaichi Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device socket |
| US7271347B2 (en) | 2004-12-21 | 2007-09-18 | Nitto Denko Corporation | Wired circuit board |
| US7286354B2 (en) | 2004-10-27 | 2007-10-23 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Electronic part-mounted substrate, thermal conductive member for electronic part-mounted substrate and liquid-jetting head |
| US7335030B2 (en) | 2005-03-10 | 2008-02-26 | Yamaichi Electronics Co., Ltd. | Cartridge for contact terminals and semiconductor device socket provided with the same |
| US7618277B2 (en) | 2004-08-31 | 2009-11-17 | Yamaichi Electronics Co., Ltd. | Method of mounting and demounting a semiconductor device, device for mounting and demounting a semiconductor device using the same, and socket for a semiconductor device |
| CN108650778A (zh) * | 2018-05-17 | 2018-10-12 | 中国科学院电工研究所 | 一种pcb散热方法及装置 |
-
1997
- 1997-09-16 JP JP25078697A patent/JPH1197818A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6752645B2 (en) | 2001-08-08 | 2004-06-22 | Yamaichi Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device-socket having rotationally movable heat sinks |
| US7118386B2 (en) | 2002-12-17 | 2006-10-10 | Yamaichi Electronics Co., Ltd. | Socket for semiconductor device |
| US7165978B2 (en) | 2002-12-17 | 2007-01-23 | Yamichi Electronics Co., Ltd. | Socket for semiconductor device |
| US7204708B2 (en) | 2002-12-17 | 2007-04-17 | Yamaichi Electronics Co., Ltd. | Socket for semiconductor device |
| US7278868B2 (en) | 2002-12-17 | 2007-10-09 | Yamaichi Electronics Co., Ltd. | Socket for semiconductor device |
| US7230830B2 (en) | 2004-04-16 | 2007-06-12 | Yamaichi Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device socket |
| US7618277B2 (en) | 2004-08-31 | 2009-11-17 | Yamaichi Electronics Co., Ltd. | Method of mounting and demounting a semiconductor device, device for mounting and demounting a semiconductor device using the same, and socket for a semiconductor device |
| JP2006156979A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-06-15 | Brother Ind Ltd | 電子部品搭載基板、電子部品搭載基板用の伝熱部材、及び、液体噴射ヘッド |
| US7286354B2 (en) | 2004-10-27 | 2007-10-23 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Electronic part-mounted substrate, thermal conductive member for electronic part-mounted substrate and liquid-jetting head |
| US7271347B2 (en) | 2004-12-21 | 2007-09-18 | Nitto Denko Corporation | Wired circuit board |
| US7335030B2 (en) | 2005-03-10 | 2008-02-26 | Yamaichi Electronics Co., Ltd. | Cartridge for contact terminals and semiconductor device socket provided with the same |
| CN108650778A (zh) * | 2018-05-17 | 2018-10-12 | 中国科学院电工研究所 | 一种pcb散热方法及装置 |
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