JPH1197709A - Ｍｏｓトランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
Ｍｏｓトランジスタおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH1197709A JPH1197709A JP10195720A JP19572098A JPH1197709A JP H1197709 A JPH1197709 A JP H1197709A JP 10195720 A JP10195720 A JP 10195720A JP 19572098 A JP19572098 A JP 19572098A JP H1197709 A JPH1197709 A JP H1197709A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- drain
- region
- source
- gate electrode
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 64
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 26
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 claims description 141
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 140
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 140
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 131
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 93
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 66
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 23
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 21
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 21
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 claims description 6
- 102000004129 N-Type Calcium Channels Human genes 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 claims description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 2
- 230000008030 elimination Effects 0.000 abstract 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 27
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- SDTHIDMOBRXVOQ-UHFFFAOYSA-N 5-[bis(2-chloroethyl)amino]-6-methyl-1h-pyrimidine-2,4-dione Chemical compound CC=1NC(=O)NC(=O)C=1N(CCCl)CCCl SDTHIDMOBRXVOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001532039 Camassia Species 0.000 description 1
- 235000000459 Camassia leichtlinii Nutrition 0.000 description 1
- 241000277331 Salmonidae Species 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010237 hybrid technique Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
- H01L29/78621—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure with LDD structure or an extension or an offset region or characterised by the doping profile
- H01L29/78624—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure with LDD structure or an extension or an offset region or characterised by the doping profile the source and the drain regions being asymmetrical
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
- H01L29/66772—Monocristalline silicon transistors on insulating substrates, e.g. quartz substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 チャネル領域とドレインとの間に低濃度ドー
プされたドレイン(LDD)領域を有さないMOSトランジスタ
を形成する方法の提供。 【解決手段】 ゲート酸化層の堆積後、斜めイオン注入
によってチャネル領域が形成される。ゲート電極の長さ
に対して短いチャネル長が形成される。チャネルの位置
はオフセットされており、ソースに直接隣接している。
ゲート下においてドレインに隣接する非チャネル領域
は、チャネルとドレインの間に設けられるLDD領域の代
わりとなるものであり、ドレイン拡張部６４は、電界を
均一に分布させることにより、高いブレイクダウン電圧
が得られる。チャネル長が小さいことおよびソースに隣
接するLDD領域の排除により、ソースおよびドレイン間
の抵抗が減少し、より大きな電流Ｉdおよびより高速な
スイッチング速度が得られる。
プされたドレイン(LDD)領域を有さないMOSトランジスタ
を形成する方法の提供。 【解決手段】 ゲート酸化層の堆積後、斜めイオン注入
によってチャネル領域が形成される。ゲート電極の長さ
に対して短いチャネル長が形成される。チャネルの位置
はオフセットされており、ソースに直接隣接している。
ゲート下においてドレインに隣接する非チャネル領域
は、チャネルとドレインの間に設けられるLDD領域の代
わりとなるものであり、ドレイン拡張部６４は、電界を
均一に分布させることにより、高いブレイクダウン電圧
が得られる。チャネル長が小さいことおよびソースに隣
接するLDD領域の排除により、ソースおよびドレイン間
の抵抗が減少し、より大きな電流Ｉdおよびより高速な
スイッチング速度が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般に半導体技術に
関する。より詳細には、MOSトランジスタおよびそのの
製造方法に関し、特に、MOSトランジスタにおける、短
く非対称なチャネル領域の形成に関する。
関する。より詳細には、MOSトランジスタおよびそのの
製造方法に関し、特に、MOSトランジスタにおける、短
く非対称なチャネル領域の形成に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体産業での研究における重要な主題
の１つは、集積回路に用いられる素子の寸法の縮小であ
る。金属酸化物半導体（MOS）トランジスタなどの平面
トランジスタは、高密度集積回路での使用に特に適して
いる。MOSトランジスタその他のアクティブ素子のサイ
ズが減少するにつれ、各素子のソース／ドレイン／ゲー
ト電極およびチャネル領域の寸法も対応して減少しなけ
ればならない。
の１つは、集積回路に用いられる素子の寸法の縮小であ
る。金属酸化物半導体（MOS）トランジスタなどの平面
トランジスタは、高密度集積回路での使用に特に適して
いる。MOSトランジスタその他のアクティブ素子のサイ
ズが減少するにつれ、各素子のソース／ドレイン／ゲー
ト電極およびチャネル領域の寸法も対応して減少しなけ
ればならない。
【０００３】図１〜図３は、従来技術のMOSトランジス
タ１０を完成させる工程を示す部分断面図である。図１
において、酸化物層１２およびその上に位置するシリコ
ン層１４を有するSIMOX（separation by implantation
of oxgen；酸素注入分離）基板から、トランジスタ１０
を製造している。シリコン層１４には予めｐ型不純物が
ドープされている。シリコン層１４はマスキングされて
エッチングされることにより、集積回路（IC）のその他
のシリコン領域から分離されている。次に、ソース１
６、ドレイン１８、およびチャネル２０を形成する。
タ１０を完成させる工程を示す部分断面図である。図１
において、酸化物層１２およびその上に位置するシリコ
ン層１４を有するSIMOX（separation by implantation
of oxgen；酸素注入分離）基板から、トランジスタ１０
を製造している。シリコン層１４には予めｐ型不純物が
ドープされている。シリコン層１４はマスキングされて
エッチングされることにより、集積回路（IC）のその他
のシリコン領域から分離されている。次に、ソース１
６、ドレイン１８、およびチャネル２０を形成する。
【０００４】図１〜図３は、NMOS型トランジスタ１０を
示している。PMOS型トランジスタの製造も実質的に同様
なプロセスによって説明され得る。NMOSトランジスタお
よびPMOSトランジスタの両方とも、SIMOXの代わりに、
バルクのシリコンからも形成され得る。バルクシリコン
からNMOSトランジスタを形成する際には、ｐ型ドーピン
グされたシリコンのウェルをｎ型のシリコン材料の基板
中に形成し、ここからチャネル、ソース、およびドレイ
ンを形成していく。ゲートの形成後は、バルクシリコン
トランジスタは図２に示すトランジスタ１０と実質的に
同様になる。その後の工程はバルクシリコン法およびSI
MOX法において実質的に同じである。図の簡潔さのた
め、PMOSトランジスタの形成方法およびバルクシリコン
から製造されるMOSトランジスタの形成の従来技術によ
る方法は図示していない。
示している。PMOS型トランジスタの製造も実質的に同様
なプロセスによって説明され得る。NMOSトランジスタお
よびPMOSトランジスタの両方とも、SIMOXの代わりに、
バルクのシリコンからも形成され得る。バルクシリコン
からNMOSトランジスタを形成する際には、ｐ型ドーピン
グされたシリコンのウェルをｎ型のシリコン材料の基板
中に形成し、ここからチャネル、ソース、およびドレイ
ンを形成していく。ゲートの形成後は、バルクシリコン
トランジスタは図２に示すトランジスタ１０と実質的に
同様になる。その後の工程はバルクシリコン法およびSI
MOX法において実質的に同じである。図の簡潔さのた
め、PMOSトランジスタの形成方法およびバルクシリコン
から製造されるMOSトランジスタの形成の従来技術によ
る方法は図示していない。
【０００５】図２は、ゲート酸化物層２２の堆積および
エッチング、ならびに半導体材料を堆積してゲート電極
２４を形成した後の、図１のトランジスタ１０の断面図
である。ゲート電極は高濃度でｎ+型ドーピングされ
る。ゲート２４の形成の後に、低濃度ドープされたドレ
イン(LDD)の注入が行われる。ソース１６およびドレイ
ン１８に向けた矢印２６によってLDD注入を表してい
る。ゲート２４は、チャネル領域２０を注入２６からシ
ールドしている。
エッチング、ならびに半導体材料を堆積してゲート電極
２４を形成した後の、図１のトランジスタ１０の断面図
である。ゲート電極は高濃度でｎ+型ドーピングされ
る。ゲート２４の形成の後に、低濃度ドープされたドレ
イン(LDD)の注入が行われる。ソース１６およびドレイ
ン１８に向けた矢印２６によってLDD注入を表してい
る。ゲート２４は、チャネル領域２０を注入２６からシ
ールドしている。
【０００６】図３は、ゲート側壁部２８を形成した後
の、図２のトランジスタ１０の断面図である。矢印３０
によって表されるｎ+型イオン注入がソース１６および
ドレイン１８に向かってなされることによりこれらのｎ
+領域を形成する。側壁部２８は、ソース１６およびド
レイン１８のチャネル２０に隣接する部分をｎ+注入３
０からシールドすることにより、LDD領域３２を形成す
る。従来周知のように、LDD領域３２は、ｐ領域および
ｎ+領域の間に形成される電界を分配することによりチ
ャネル２０およびドレイン１８間のブレイクダウン電圧
を増大させる作用を有する。チャネル２０およびゲート
電極２４は実質的に同じ長さ（参照符号３４）を有す
る。LDD領域３２は、高いブレイクダウン電圧を維持す
るためには重要であるが、ソース１６とドレイン１８と
の間の電流経路に抵抗を与える結果、トランジスタのス
イッチングにおける時定数を増大させてしまう。
の、図２のトランジスタ１０の断面図である。矢印３０
によって表されるｎ+型イオン注入がソース１６および
ドレイン１８に向かってなされることによりこれらのｎ
+領域を形成する。側壁部２８は、ソース１６およびド
レイン１８のチャネル２０に隣接する部分をｎ+注入３
０からシールドすることにより、LDD領域３２を形成す
る。従来周知のように、LDD領域３２は、ｐ領域および
ｎ+領域の間に形成される電界を分配することによりチ
ャネル２０およびドレイン１８間のブレイクダウン電圧
を増大させる作用を有する。チャネル２０およびゲート
電極２４は実質的に同じ長さ（参照符号３４）を有す
る。LDD領域３２は、高いブレイクダウン電圧を維持す
るためには重要であるが、ソース１６とドレイン１８と
の間の電流経路に抵抗を与える結果、トランジスタのス
イッチングにおける時定数を増大させてしまう。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】MOSトランジスタの製
造において、素子の寄生抵抗を減少させるために、ソー
ス及びドレイン電極は典型的には高濃度ドープされる。
ドーピングは導電性を改善する一方で、寄生容量を増加
させ、ブレイクダウン電圧を低下させる。従来技術にお
ける素子の多くは、チャネル領域のいずれか一方の側に
おいて、低濃度ドープされたドレイン(LDD)領域をチャ
ネル領域とソース／ドレイン電極との間に設けている。
これらのLDD領域により、MOS素子は適切なブレイクダウ
ン電圧を有することが可能になる。しかし、これらのLD
D領域はまた、トランジスタがオンにされた際のソース
およびドレインの間の抵抗を増加させる。このように寄
生抵抗が増加することにより、トランジスタのスイッチ
ング速度および電流伝送能力が劣化する。また、LDD領
域の必要性により製造工程が増え、コストおよび信頼性
に悪影響をおよぼす。
造において、素子の寄生抵抗を減少させるために、ソー
ス及びドレイン電極は典型的には高濃度ドープされる。
ドーピングは導電性を改善する一方で、寄生容量を増加
させ、ブレイクダウン電圧を低下させる。従来技術にお
ける素子の多くは、チャネル領域のいずれか一方の側に
おいて、低濃度ドープされたドレイン(LDD)領域をチャ
ネル領域とソース／ドレイン電極との間に設けている。
これらのLDD領域により、MOS素子は適切なブレイクダウ
ン電圧を有することが可能になる。しかし、これらのLD
D領域はまた、トランジスタがオンにされた際のソース
およびドレインの間の抵抗を増加させる。このように寄
生抵抗が増加することにより、トランジスタのスイッチ
ング速度および電流伝送能力が劣化する。また、LDD領
域の必要性により製造工程が増え、コストおよび信頼性
に悪影響をおよぼす。
【０００８】高速信号のゲート動作および増幅を制御す
るために適したMOSトランジスタとは、低い寄生容量、
低い寄生抵抗、および伝送する信号よりも大きなブレイ
クダウン電圧を有するMOSトランジスタである。MOSトラ
ンジスタ製造の当業者に周知のように、これらの性能パ
ラメータは設計上トレードオフ関係にある。
るために適したMOSトランジスタとは、低い寄生容量、
低い寄生抵抗、および伝送する信号よりも大きなブレイ
クダウン電圧を有するMOSトランジスタである。MOSトラ
ンジスタ製造の当業者に周知のように、これらの性能パ
ラメータは設計上トレードオフ関係にある。
【０００９】従来技術のMOSトランジスタの大部分にお
いて、チャネル領域は、その上に位置するゲート電極と
実質的に同じサイズを有している。チャネル領域のサイ
ズおよび形状は、ゲート電極の堆積後にゲート電極の下
に位置するシリコンにドーパントを注入してソース／ド
レイン電極およびLDD領域を形成することの、直接的な
結果である。このようなプロセスによって形成される幅
広なチャネル領域は、トランジスタ性能に望ましくない
特性をもたらす。一般に、ドレイン電流はチャネルの長
さに対して反比例することが認識されている。
いて、チャネル領域は、その上に位置するゲート電極と
実質的に同じサイズを有している。チャネル領域のサイ
ズおよび形状は、ゲート電極の堆積後にゲート電極の下
に位置するシリコンにドーパントを注入してソース／ド
レイン電極およびLDD領域を形成することの、直接的な
結果である。このようなプロセスによって形成される幅
広なチャネル領域は、トランジスタ性能に望ましくない
特性をもたらす。一般に、ドレイン電流はチャネルの長
さに対して反比例することが認識されている。
【００１０】従来技術において、ゲート電極下の領域に
ドーパントを注入することによりトランジスタの性能特
性を変化させるための手順が知られている。斜めイオン
注入(tilted ion implant)を行うことにより、ゲート電
極およびソース電極の間に十分な重なり部分を設ける
（すなわち、ソース電極の一部がゲートの下に位置する
ようにする）。典型的には、ゲート電極を囲む８辺にハ
ロー注入を行うことによりLDD領域を形成し、短チャネ
ル効果あるいはリーク電流の発生を防ぐ。しかし、これ
らの技術は、ゲート電極の下に位置するチャネル領域の
サイズおよび位置を実質的に変化させるためには用いら
れていない。
ドーパントを注入することによりトランジスタの性能特
性を変化させるための手順が知られている。斜めイオン
注入(tilted ion implant)を行うことにより、ゲート電
極およびソース電極の間に十分な重なり部分を設ける
（すなわち、ソース電極の一部がゲートの下に位置する
ようにする）。典型的には、ゲート電極を囲む８辺にハ
ロー注入を行うことによりLDD領域を形成し、短チャネ
ル効果あるいはリーク電流の発生を防ぐ。しかし、これ
らの技術は、ゲート電極の下に位置するチャネル領域の
サイズおよび位置を実質的に変化させるためには用いら
れていない。
【００１１】本発明は上記課題を解決するためになされ
たものであり、その目的とするところは、チャネル領域
とソース電極およびドレイン電極との間にLDD領域を設
けることなしに製造され、トランジスタの寄生抵抗を低
減し、大きなブレイクダウン電圧を有するMOSトランジ
スタを提供することにある。
たものであり、その目的とするところは、チャネル領域
とソース電極およびドレイン電極との間にLDD領域を設
けることなしに製造され、トランジスタの寄生抵抗を低
減し、大きなブレイクダウン電圧を有するMOSトランジ
スタを提供することにある。
【００１２】本発明の別の目的は、短いチャネル長を有
していることにより、より大きなドレイン電流の導通を
可能にするMOSトランジスタを提供することにある。本
発明のさらに別の目的は、より高いスイッチング速度お
よびドレイン電流伝送能力を有するMOSトランジスタを
提供することにある。本発明のさらに別の目的は、製造
工程数が少なく、ドーパントの注入回数が少なく、バリ
ヤ構造が少ないことにより、信頼性が改善されコストが
減少したMOSトランジスタを提供することにある。
していることにより、より大きなドレイン電流の導通を
可能にするMOSトランジスタを提供することにある。本
発明のさらに別の目的は、より高いスイッチング速度お
よびドレイン電流伝送能力を有するMOSトランジスタを
提供することにある。本発明のさらに別の目的は、製造
工程数が少なく、ドーパントの注入回数が少なく、バリ
ヤ構造が少ないことにより、信頼性が改善されコストが
減少したMOSトランジスタを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の１局面におい
て、NMOSトランジスタおよびPMOSトランジスタからなる
群より選択されるMOSトランジスタの製造において、短
く非対称なチャネル領域を形成するための方法が提供さ
れる。該方法は、 ａ）後にソース、ドレイン、および該ソースと該ドレイ
ンとの間に位置するチャネル領域を形成するためのシリ
コンの所定領域を分離し、該所定領域をドーピングする
工程と、 ｂ）該ソースから該ドレインに延びる長さを有し、該ソ
ースおよび該ドレインにそれぞれ隣接する実質的に垂直
な側壁部を有するゲート電極を、該シリコンの所定領域
の上に位置するように形成する工程と、 ｃ）ドーパントのイオンを、該ゲート電極の該ソースに
隣接する実質的に垂直な側壁部から規定される所定の角
度で、該ゲートの下に位置する該シリコンの所定領域中
に注入することにより該ゲート長未満の長さを有するチ
ャネル領域を形成する工程であって、該チャネル領域
は、該ゲート電極の該ソースに隣接する実質的に垂直な
側壁部の下から該ドレインに向かって延びるように形成
される工程と、を包含し、短いチャネル長が形成される
ことにより該トランジスタのスイッチング速度が最大に
向上されるMOSトランジスタの製造方法であり、そのこ
とにより上記目的が達成される。短いチャネル長の形成
により、トランジスタのスイッチング速度が最大に向上
される。
て、NMOSトランジスタおよびPMOSトランジスタからなる
群より選択されるMOSトランジスタの製造において、短
く非対称なチャネル領域を形成するための方法が提供さ
れる。該方法は、 ａ）後にソース、ドレイン、および該ソースと該ドレイ
ンとの間に位置するチャネル領域を形成するためのシリ
コンの所定領域を分離し、該所定領域をドーピングする
工程と、 ｂ）該ソースから該ドレインに延びる長さを有し、該ソ
ースおよび該ドレインにそれぞれ隣接する実質的に垂直
な側壁部を有するゲート電極を、該シリコンの所定領域
の上に位置するように形成する工程と、 ｃ）ドーパントのイオンを、該ゲート電極の該ソースに
隣接する実質的に垂直な側壁部から規定される所定の角
度で、該ゲートの下に位置する該シリコンの所定領域中
に注入することにより該ゲート長未満の長さを有するチ
ャネル領域を形成する工程であって、該チャネル領域
は、該ゲート電極の該ソースに隣接する実質的に垂直な
側壁部の下から該ドレインに向かって延びるように形成
される工程と、を包含し、短いチャネル長が形成される
ことにより該トランジスタのスイッチング速度が最大に
向上されるMOSトランジスタの製造方法であり、そのこ
とにより上記目的が達成される。短いチャネル長の形成
により、トランジスタのスイッチング速度が最大に向上
される。
【００１４】前記工程ａ）におけるドーピングは、第１
のドーパントのイオンを第１のドーピング濃度で注入す
ることを含み、前記工程ｃ）におけるドーピングは、第
２のドーパントを第２のイオン量および第２のイオンエ
ネルギーレベルで注入することを含み、前記工程ｃ）後
にさらなる工程として、 ｄ）第３のドーパントを第３のイオン量および第３のイ
オンエネルギーレベルで注入することによりソース領域
およびドレイン領域を形成する工程と、 ｅ）該トランジスタの該ソース領域、該ドレイン領域、
および該ゲート領域上に酸化層を堆積する工程と、 ｆ）該工程ｅ）において堆積された該酸化物を通って該
ソース領域、該ドレイン領域、および該ゲート領域に達
するコンタクトホールを形成する工程と、 ｇ）独立に該ソース、該ドレイン、および該ゲートと電
気的接続を形成するための金属を該コンタクトホール中
に堆積する工程と、を包含してもよい。
のドーパントのイオンを第１のドーピング濃度で注入す
ることを含み、前記工程ｃ）におけるドーピングは、第
２のドーパントを第２のイオン量および第２のイオンエ
ネルギーレベルで注入することを含み、前記工程ｃ）後
にさらなる工程として、 ｄ）第３のドーパントを第３のイオン量および第３のイ
オンエネルギーレベルで注入することによりソース領域
およびドレイン領域を形成する工程と、 ｅ）該トランジスタの該ソース領域、該ドレイン領域、
および該ゲート領域上に酸化層を堆積する工程と、 ｆ）該工程ｅ）において堆積された該酸化物を通って該
ソース領域、該ドレイン領域、および該ゲート領域に達
するコンタクトホールを形成する工程と、 ｇ）独立に該ソース、該ドレイン、および該ゲートと電
気的接続を形成するための金属を該コンタクトホール中
に堆積する工程と、を包含してもよい。
【００１５】前記工程ｂ）の後に追加的な工程として、 ｈ）前記工程ｃ）中においてドーパントイオンの注入を
防ぐために前記ドレイン領域をマスキングする工程を包
含してもよい。
防ぐために前記ドレイン領域をマスキングする工程を包
含してもよい。
【００１６】前記工程ｃ）は、前記ゲート電極の前記ソ
ースに隣接する実質的に垂直な側壁部から30°から70°
の間のイオン注入角度を用いることを包含してもよい。
ースに隣接する実質的に垂直な側壁部から30°から70°
の間のイオン注入角度を用いることを包含してもよい。
【００１７】前記イオン注入角度は約60°であってもよ
い。
い。
【００１８】前記MOSトランジスタはNMOSトランジスタ
であり、前記工程ａ）は、リンおよびヒ素からなる群よ
り選択される第１のドーパントを用いることを包含し、
前記第１のドーピング濃度は、１×1015/cm3から１×10
17/cm3の間であることにより、ｎ型ドーピングされたシ
リコン領域を形成することを包含してもよい。
であり、前記工程ａ）は、リンおよびヒ素からなる群よ
り選択される第１のドーパントを用いることを包含し、
前記第１のドーピング濃度は、１×1015/cm3から１×10
17/cm3の間であることにより、ｎ型ドーピングされたシ
リコン領域を形成することを包含してもよい。
【００１９】前記工程ｃ）は、ホウ素およびＢＦ2から
なる群より選択される第２のドーパントを用いることを
包含することを包含し、前記第２のイオン量は１×1013
/cm2から１×1014/cm2の間であり、前記第２のイオンエ
ネルギーレベルは、該第２のドーパントがホウ素の場合
は２ keVから30 keVの間であり、該第２のドーパントが
ＢＦ2の場合は10 keVから150 keVの間であることによ
り、短いｐ型チャネル領域を形成することを包含しても
よい。
なる群より選択される第２のドーパントを用いることを
包含することを包含し、前記第２のイオン量は１×1013
/cm2から１×1014/cm2の間であり、前記第２のイオンエ
ネルギーレベルは、該第２のドーパントがホウ素の場合
は２ keVから30 keVの間であり、該第２のドーパントが
ＢＦ2の場合は10 keVから150 keVの間であることによ
り、短いｐ型チャネル領域を形成することを包含しても
よい。
【００２０】前記工程ｄ）は、リンおよびヒ素からなる
群より選択される第３のドーパントを用いることを包含
し、前記第３のイオン量は１×1015/cm2から１×1016/c
m2の間であり、前記第３のイオンエネルギーレベルは、
該第３のドーパントがリンの場合は５ keVから20 keVの
間であり、該第３のドーパントがヒ素の場合は10 keVか
ら40keVの間であることにより、ｎ+型ソース領域および
ドレイン領域を形成することを包含してもよい。
群より選択される第３のドーパントを用いることを包含
し、前記第３のイオン量は１×1015/cm2から１×1016/c
m2の間であり、前記第３のイオンエネルギーレベルは、
該第３のドーパントがリンの場合は５ keVから20 keVの
間であり、該第３のドーパントがヒ素の場合は10 keVか
ら40keVの間であることにより、ｎ+型ソース領域および
ドレイン領域を形成することを包含してもよい。
【００２１】前記MOSトランジスタはPMOSトランジスタ
であり、前記工程ａ）は、ホウ素を前記第１のドーパン
トとして１×1015/cm3から１×1017/cm3の間の第１のド
ーピング濃度で用いることにより、ｐ型ドーピングされ
たシリコン領域を形成することを包含してもよい。
であり、前記工程ａ）は、ホウ素を前記第１のドーパン
トとして１×1015/cm3から１×1017/cm3の間の第１のド
ーピング濃度で用いることにより、ｐ型ドーピングされ
たシリコン領域を形成することを包含してもよい。
【００２２】前記工程ｃ）は、リンおよびヒ素からなる
群より選択される第２のドーパントを用いることを包含
し、前記第２のイオン量は１×1013/cm2から１×1014/c
m2の間であり、前記第２のイオンエネルギーレベルは、
該第２のドーパントがリンの場合は10 keVから100 keV
の間であり、該第２のドーパントがヒ素の場合は20 keV
から200 keVの間であることにより、短いｎ型チャネル
領域を形成することを包含してもよい。
群より選択される第２のドーパントを用いることを包含
し、前記第２のイオン量は１×1013/cm2から１×1014/c
m2の間であり、前記第２のイオンエネルギーレベルは、
該第２のドーパントがリンの場合は10 keVから100 keV
の間であり、該第２のドーパントがヒ素の場合は20 keV
から200 keVの間であることにより、短いｎ型チャネル
領域を形成することを包含してもよい。
【００２３】前記工程ｄ）は、ＢＦ2およびホウ素から
なる群より選択される第３のドーパントを用いることを
包含し、前記第３のイオン量は１×1015/cm2から１×10
16/cm2の間であり、前記第３のイオンエネルギーレベル
は、第３のドーパントがＢＦ 2の場合は10 keVから50 ke
Vの間であり、第３のドーパントがホウ素の場合は２keV
から10 keVの間であることにより、ｐ+型ソース領域お
よびドレイン領域を形成することを包含してもよい。
なる群より選択される第３のドーパントを用いることを
包含し、前記第３のイオン量は１×1015/cm2から１×10
16/cm2の間であり、前記第３のイオンエネルギーレベル
は、第３のドーパントがＢＦ 2の場合は10 keVから50 ke
Vの間であり、第３のドーパントがホウ素の場合は２keV
から10 keVの間であることにより、ｐ+型ソース領域お
よびドレイン領域を形成することを包含してもよい。
【００２４】前記工程ａ）は、バルクシリコンおよびSI
MOXからなる群よりドーピングすることにより前記シリ
コン領域を形成することを包含してもよい。
MOXからなる群よりドーピングすることにより前記シリ
コン領域を形成することを包含してもよい。
【００２５】前記工程ｃ）の後にさらなる工程として、 ｉ）前記トランジスタを850℃から1100℃の間の温度で3
0から60分間加熱することによって該工程ｃ）において
注入される前記ドーパントを拡散させることにより、前
記注入角度が浅い場合に非対称チャネル領域が形成され
る工程を包含してもよい。
0から60分間加熱することによって該工程ｃ）において
注入される前記ドーパントを拡散させることにより、前
記注入角度が浅い場合に非対称チャネル領域が形成され
る工程を包含してもよい。
【００２６】前記工程ｂ）は、約0.5ミクロン未満の長
さを有するゲート電極を形成することを包含してもよ
い。
さを有するゲート電極を形成することを包含してもよ
い。
【００２７】本発明の別の局面において、シリコン領域
を有し、該シリコン領域はソースおよびドレインならび
に該シリコン領域上に位置するゲート電極を形成するた
めに分離された領域であって、該ゲート電極は該ソース
から該ドレインに延びる長さを有し、該ゲート電極は該
ソースおよび該ドレインにそれぞれ隣接する実質的に垂
直な側壁部を有するMOSトランジスタの製造において、
該ゲート電極下に位置する短く非対称なチャネル領域を
形成するための方法が提供される。該方法は、 ａ）該ソース領域に隣接する該ゲート電極の実質的に垂
直な側壁部から規定される角度を選択する工程と、 ｂ）該工程ａ）で定義された角度で、該ゲート電極下の
該ソースに隣接する該シリコン領域中にドーパントのイ
オンを注入することにより、ゲート電極長未満の長さを
有するチャネル領域を形成する工程であって、該チャネ
ル領域長は、該ゲート電極の該ソース領域に隣接する実
質的に垂直な側壁部の下から該ドレイン領域に向かって
延びている工程と、を包含し、短いチャネル長のために
該トランジスタのスイッチング速度が最大に向上される
MOSトランジスタの製造方法であり、そのことにより上
記目的が達成される。
を有し、該シリコン領域はソースおよびドレインならび
に該シリコン領域上に位置するゲート電極を形成するた
めに分離された領域であって、該ゲート電極は該ソース
から該ドレインに延びる長さを有し、該ゲート電極は該
ソースおよび該ドレインにそれぞれ隣接する実質的に垂
直な側壁部を有するMOSトランジスタの製造において、
該ゲート電極下に位置する短く非対称なチャネル領域を
形成するための方法が提供される。該方法は、 ａ）該ソース領域に隣接する該ゲート電極の実質的に垂
直な側壁部から規定される角度を選択する工程と、 ｂ）該工程ａ）で定義された角度で、該ゲート電極下の
該ソースに隣接する該シリコン領域中にドーパントのイ
オンを注入することにより、ゲート電極長未満の長さを
有するチャネル領域を形成する工程であって、該チャネ
ル領域長は、該ゲート電極の該ソース領域に隣接する実
質的に垂直な側壁部の下から該ドレイン領域に向かって
延びている工程と、を包含し、短いチャネル長のために
該トランジスタのスイッチング速度が最大に向上される
MOSトランジスタの製造方法であり、そのことにより上
記目的が達成される。
【００２８】前記工程ａ）は、前記ゲート電極の前記ソ
ース領域に隣接する実質的に垂直な側壁部から30°から
70°の間の角度を選択することを包含してもよい。
ース領域に隣接する実質的に垂直な側壁部から30°から
70°の間の角度を選択することを包含してもよい。
【００２９】本発明の別の局面において、短く非対称な
チャネル領域を有するNMOSトランジスタであって、ｎ+
ソースおよびｎ+ドレインを有する分離されたシリコン
領域と、該シリコン領域の上に位置するゲート電極であ
って、該ソースから該ドレインに延びる長さを有し、該
ソースおよび該ドレインにそれぞれ隣接する実質的に垂
直な側壁部を有するゲート電極と、該ゲート長未満のチ
ャネル長を有し、該ゲートの下に位置し、該ゲート電極
の該ソースに隣接する実質的に垂直な側壁部の下から該
ドレインに向かって延びるｐシリコンチャネル領域と、
該ゲートの下において、該ｐチャネル領域から該ドレイ
ンまで延びるｎシリコンドレイン拡張領域と、を有する
ことにより、短いｐチャネル領域が該ソースと該ドレイ
ンとの間に形成されることによりドレイン容量が最小化
される、NMOSトランジスタが提供され、そのことにより
上記目的が達成される。
チャネル領域を有するNMOSトランジスタであって、ｎ+
ソースおよびｎ+ドレインを有する分離されたシリコン
領域と、該シリコン領域の上に位置するゲート電極であ
って、該ソースから該ドレインに延びる長さを有し、該
ソースおよび該ドレインにそれぞれ隣接する実質的に垂
直な側壁部を有するゲート電極と、該ゲート長未満のチ
ャネル長を有し、該ゲートの下に位置し、該ゲート電極
の該ソースに隣接する実質的に垂直な側壁部の下から該
ドレインに向かって延びるｐシリコンチャネル領域と、
該ゲートの下において、該ｐチャネル領域から該ドレイ
ンまで延びるｎシリコンドレイン拡張領域と、を有する
ことにより、短いｐチャネル領域が該ソースと該ドレイ
ンとの間に形成されることによりドレイン容量が最小化
される、NMOSトランジスタが提供され、そのことにより
上記目的が達成される。
【００３０】前記ソース領域、前記ドレイン領域、前記
チャネル領域、および前記ドレイン拡張領域は、バルク
シリコンおよびSIMOXからなる群より選択されたシリコ
ン上に形成されてもよい。
チャネル領域、および前記ドレイン拡張領域は、バルク
シリコンおよびSIMOXからなる群より選択されたシリコ
ン上に形成されてもよい。
【００３１】前記ゲート電極長は約0.5ミクロン未満で
あってもよい。
あってもよい。
【００３２】本発明の別の局面において、短く非対称な
チャネル領域を有するPMOSトランジスタであって、ｐ+
ソースおよびｐ+ドレインを有する分離されたシリコン
領域と、該シリコン領域の上に位置するゲート電極であ
って、該ソースから該ドレインに延びる長さを有し、該
ソースおよび該ドレインにそれぞれ隣接する実質的に垂
直な側壁部を有するゲート電極と、該ゲート長未満のチ
ャネル長を有し、該ゲートの下に位置し、該ゲート電極
の該ソースに隣接する実質的に垂直な側壁部の下から該
ドレインに向かって延びるｎシリコンチャネル領域と、
該ゲートの下において、該ｎチャネル領域から該ドレイ
ンまで延びるｐシリコンドレイン拡張領域と、を有する
ことにより、短いｎチャネル領域が該ソースと該ドレイ
ンとの間に形成されることによりドレイン容量が最小化
される、PMOSトランジスタが提供され、そのことにより
上記目的が達成される。
チャネル領域を有するPMOSトランジスタであって、ｐ+
ソースおよびｐ+ドレインを有する分離されたシリコン
領域と、該シリコン領域の上に位置するゲート電極であ
って、該ソースから該ドレインに延びる長さを有し、該
ソースおよび該ドレインにそれぞれ隣接する実質的に垂
直な側壁部を有するゲート電極と、該ゲート長未満のチ
ャネル長を有し、該ゲートの下に位置し、該ゲート電極
の該ソースに隣接する実質的に垂直な側壁部の下から該
ドレインに向かって延びるｎシリコンチャネル領域と、
該ゲートの下において、該ｎチャネル領域から該ドレイ
ンまで延びるｐシリコンドレイン拡張領域と、を有する
ことにより、短いｎチャネル領域が該ソースと該ドレイ
ンとの間に形成されることによりドレイン容量が最小化
される、PMOSトランジスタが提供され、そのことにより
上記目的が達成される。
【００３３】前記ソース領域、前記ドレイン領域、前記
チャネル領域、および前記ドレイン拡張領域は、バルク
シリコンおよびSIMOXからなる群より選択されたシリコ
ン上に形成されてもよい。
チャネル領域、および前記ドレイン拡張領域は、バルク
シリコンおよびSIMOXからなる群より選択されたシリコ
ン上に形成されてもよい。
【００３４】前記ゲート電極長は約0.5ミクロン未満で
あってもよい。
あってもよい。
【００３５】本発明の別の局面において、短く非対称な
チャネル領域を有するMOSトランジスタであって、該MOS
トランジスタはNMOSトランジスタおよびPMOSトランジス
タからなる群より選択され、該MOSトランジスタは、ソ
ースおよびドレインを有する分離されたシリコン領域
と、該シリコン領域の上に位置するゲート電極であっ
て、該ソースから該ドレインに延びる長さを有し、該ソ
ースおよび該ドレインにそれぞれ隣接する実質的に垂直
な側壁部を有するゲート電極と、該ゲート長未満のチャ
ネル長を有し、該ゲートの下に位置し、該ゲート電極の
該ソースに隣接する実質的に垂直な側壁部の下から該ド
レインに向かって延びるシリコンチャネル領域であっ
て、該ゲート電極の該ソースに隣接する実質的に垂直な
側壁部から規定される所定の角度でドーパントのイオン
を該チャネル領域中に注入することによって形成される
チャネル領域と、該ゲートの下において、該チャネル領
域から該ドレインまで延びるシリコンドレイン拡張領域
と、を有することにより、短いチャネル領域が該ソース
と該ドレインとの間に形成されることによりドレイン容
量が最小化される、MOSトランジスタが提供され、その
ことにより上記目的が達成される。
チャネル領域を有するMOSトランジスタであって、該MOS
トランジスタはNMOSトランジスタおよびPMOSトランジス
タからなる群より選択され、該MOSトランジスタは、ソ
ースおよびドレインを有する分離されたシリコン領域
と、該シリコン領域の上に位置するゲート電極であっ
て、該ソースから該ドレインに延びる長さを有し、該ソ
ースおよび該ドレインにそれぞれ隣接する実質的に垂直
な側壁部を有するゲート電極と、該ゲート長未満のチャ
ネル長を有し、該ゲートの下に位置し、該ゲート電極の
該ソースに隣接する実質的に垂直な側壁部の下から該ド
レインに向かって延びるシリコンチャネル領域であっ
て、該ゲート電極の該ソースに隣接する実質的に垂直な
側壁部から規定される所定の角度でドーパントのイオン
を該チャネル領域中に注入することによって形成される
チャネル領域と、該ゲートの下において、該チャネル領
域から該ドレインまで延びるシリコンドレイン拡張領域
と、を有することにより、短いチャネル領域が該ソース
と該ドレインとの間に形成されることによりドレイン容
量が最小化される、MOSトランジスタが提供され、その
ことにより上記目的が達成される。
【００３６】前記トランジスタの該ソース領域、該ドレ
イン領域、および該ゲート領域上に位置する酸化層であ
って、該酸化物を通って該ソース領域、該ドレイン領
域、および該ゲート領域に達するコンタクトホールを有
する酸化物層と、独立に該ソース、該ドレイン、および
該ゲートと電気的接続を形成するための、該コンタクト
ホール中に位置する金属と、をさらに有することによ
り、該トランジスタが他の電気回路と連絡されてもよ
い。
イン領域、および該ゲート領域上に位置する酸化層であ
って、該酸化物を通って該ソース領域、該ドレイン領
域、および該ゲート領域に達するコンタクトホールを有
する酸化物層と、独立に該ソース、該ドレイン、および
該ゲートと電気的接続を形成するための、該コンタクト
ホール中に位置する金属と、をさらに有することによ
り、該トランジスタが他の電気回路と連絡されてもよ
い。
【００３７】前記MOSトランジスタはNMOSトランジスタ
であり、前記チャネル領域は、ホウ素およびＢＦ2から
なる群より選択されるドーパントを注入することによっ
て形成され、イオン量は１×1013/cm2から１×1014/cm2
の間であり、イオンエネルギーレベルは、該ドーパント
がホウ素の場合は２ keVから30 keVの間であり、該ドー
パントがＢＦ2の場合は10 keVから150 keVの間であるこ
とにより、短いｐ型チャネル領域を形成されてもよい。
であり、前記チャネル領域は、ホウ素およびＢＦ2から
なる群より選択されるドーパントを注入することによっ
て形成され、イオン量は１×1013/cm2から１×1014/cm2
の間であり、イオンエネルギーレベルは、該ドーパント
がホウ素の場合は２ keVから30 keVの間であり、該ドー
パントがＢＦ2の場合は10 keVから150 keVの間であるこ
とにより、短いｐ型チャネル領域を形成されてもよい。
【００３８】前記ドレイン領域は、前記チャネル領域を
形成するための斜めイオン注入中においてマスキングさ
れることにより、前記ドレインへのドーパントイオンの
注入を防いでもよい。
形成するための斜めイオン注入中においてマスキングさ
れることにより、前記ドレインへのドーパントイオンの
注入を防いでもよい。
【００３９】前記イオン注入角度は、前記ゲート電極の
前記ソースに隣接する実質的に垂直な側壁部から30°か
ら70°の間であってもよい。
前記ソースに隣接する実質的に垂直な側壁部から30°か
ら70°の間であってもよい。
【００４０】前記角度は約60°であってもよい。
【００４１】前記MOSトランジスタはPMOSトランジスタ
であり、前記チャネル領域はリンおよびヒ素からなる群
より選択されるドーパントを用いて形成され、イオン量
は１×1013/cm2から１×1014/cm2の間の範囲であり、イ
オンエネルギーレベルは、該ドーパントがリンの場合は
10 keVから100 keVの間の範囲であり、該ドーパントが
ヒ素の場合は20 keVから200 keVの間の範囲であること
により、短いｎ型チャネル領域が形成されてもよい。
であり、前記チャネル領域はリンおよびヒ素からなる群
より選択されるドーパントを用いて形成され、イオン量
は１×1013/cm2から１×1014/cm2の間の範囲であり、イ
オンエネルギーレベルは、該ドーパントがリンの場合は
10 keVから100 keVの間の範囲であり、該ドーパントが
ヒ素の場合は20 keVから200 keVの間の範囲であること
により、短いｎ型チャネル領域が形成されてもよい。
【００４２】前記ソース領域、前記ドレイン領域、前記
チャネル領域、および前記ドレイン拡張領域は、バルク
シリコンおよびSIMOXからなる群より選択されたシリコ
ン上に形成されてもよい。
チャネル領域、および前記ドレイン拡張領域は、バルク
シリコンおよびSIMOXからなる群より選択されたシリコ
ン上に形成されてもよい。
【００４３】前記トランジスタを850℃から1100℃の間
の温度で30から60分間加熱することによって注入される
前記ドーパントを拡散させることにより、前記イオン注
入角度が浅い場合に非対称チャネル領域が形成されても
よい。
の温度で30から60分間加熱することによって注入される
前記ドーパントを拡散させることにより、前記イオン注
入角度が浅い場合に非対称チャネル領域が形成されても
よい。
【００４４】
【発明の実施の形態】図４は、本発明による短く非対称
なチャネル領域を有するNMOSトランジスタ４０を示す部
分断面図である。トランジスタ４０は、酸化物層４２
と、その上に位置する分離されたシリコン領域４４とを
有している。シリコン領域４４は、ｎ+ソース４６およ
びｎ+ドレイン４８を有している。ゲート電極５０がゲ
ート酸化物層５２およびシリコン領域４４の上に位置し
ており、ソース４６からドレイン４８にわたって長さ
（Ｌg）５４を有している。本発明の１局面において、
ゲート電極長５４は、約0.5ミクロン未満である。ゲー
ト電極５０はまた、ソース４６およびドレイン４８にそ
れぞれ隣接する垂直な側壁部５６および５８を有してい
る。
なチャネル領域を有するNMOSトランジスタ４０を示す部
分断面図である。トランジスタ４０は、酸化物層４２
と、その上に位置する分離されたシリコン領域４４とを
有している。シリコン領域４４は、ｎ+ソース４６およ
びｎ+ドレイン４８を有している。ゲート電極５０がゲ
ート酸化物層５２およびシリコン領域４４の上に位置し
ており、ソース４６からドレイン４８にわたって長さ
（Ｌg）５４を有している。本発明の１局面において、
ゲート電極長５４は、約0.5ミクロン未満である。ゲー
ト電極５０はまた、ソース４６およびドレイン４８にそ
れぞれ隣接する垂直な側壁部５６および５８を有してい
る。
【００４５】ゲート長５４未満の長さ（Ｌc）６２を有
するｐシリコンチャネル６０が、ゲート５０の下に位置
し、ソース４６に隣接するゲート電極垂直側壁部５６の
下からドレイン４８に向かって延びている。ｎシリコン
ドレイン拡張領域６４が、ゲート５０下において、ｐチ
ャネル領域６０からドレイン４８に向かって延びてい
る。短いチャネル領域６０がソース４６およびドレイン
４８の間に形成されることにより、ドレイン４８の容量
を最小にする。チャネル領域６０とドレイン４８との間
のドレイン拡張部６４は、大きなブレイクダウン電圧を
得ることを可能にする。本発明の特定の局面において、
ドレイン拡張部６４は、図３に示す従来技術のトランジ
スタ１０でチャネル２０とドレイン１８との間に設けら
れたLDD領域３２よりも、実質的に長い。従って、本発
明のトランジスタにおいて発生するブレイクダウン電圧
は、従来技術のトランジスタにおけるブレイクダウン電
圧よりも実質的に高くなる。図４を再び参照して、本発
明ではチャネル６０とソース４６との間のLDD領域を完
全に排除することにより、ソース４６とドレイン４８と
の間の抵抗を減少し、トランジスタ４０のスイッチング
速度に関連する時定数を改善する。
するｐシリコンチャネル６０が、ゲート５０の下に位置
し、ソース４６に隣接するゲート電極垂直側壁部５６の
下からドレイン４８に向かって延びている。ｎシリコン
ドレイン拡張領域６４が、ゲート５０下において、ｐチ
ャネル領域６０からドレイン４８に向かって延びてい
る。短いチャネル領域６０がソース４６およびドレイン
４８の間に形成されることにより、ドレイン４８の容量
を最小にする。チャネル領域６０とドレイン４８との間
のドレイン拡張部６４は、大きなブレイクダウン電圧を
得ることを可能にする。本発明の特定の局面において、
ドレイン拡張部６４は、図３に示す従来技術のトランジ
スタ１０でチャネル２０とドレイン１８との間に設けら
れたLDD領域３２よりも、実質的に長い。従って、本発
明のトランジスタにおいて発生するブレイクダウン電圧
は、従来技術のトランジスタにおけるブレイクダウン電
圧よりも実質的に高くなる。図４を再び参照して、本発
明ではチャネル６０とソース４６との間のLDD領域を完
全に排除することにより、ソース４６とドレイン４８と
の間の抵抗を減少し、トランジスタ４０のスイッチング
速度に関連する時定数を改善する。
【００４６】図示のトランジスタ４０は、SIMOXシリコ
ン層上に形成されたソース４６、ドレイン４８、チャネ
ル６０、およびドレイン拡張部６４を有している。シリ
コン層はマスキングおよびエッチングされることによ
り、領域４４を分離して残す。または、ソース４６、ド
レイン４８、チャネル６０およびドレイン拡張部６４は
バルクシリコン基板（図示せず）のシリコン上に形成さ
れてもよい。バルクシリコンからNMOSトランジスタを形
成する場合は、ｐ型ウェルをｎ型バルクシリコン中に形
成し、シリコンの薄い表面層をｎ型ドーピングする。ま
たは、ｐ型バルクシリコン中において所定のシリコン領
域を分離し、薄いｎ型ドーピングされた表面層を形成す
る。このようなｎ型ドーピング層は、図４における分離
されたシリコン領域４４と実質的に同じである。分離さ
れたシリコン領域４４が形成された後のプロセス工程
は、バルクシリコンについてもSIMOXについても実質的
に同様である。上記説明および図４に示す構造は、トラ
ンジスタ４０をバルクシリコンから形成した場合におい
ても同様である。
ン層上に形成されたソース４６、ドレイン４８、チャネ
ル６０、およびドレイン拡張部６４を有している。シリ
コン層はマスキングおよびエッチングされることによ
り、領域４４を分離して残す。または、ソース４６、ド
レイン４８、チャネル６０およびドレイン拡張部６４は
バルクシリコン基板（図示せず）のシリコン上に形成さ
れてもよい。バルクシリコンからNMOSトランジスタを形
成する場合は、ｐ型ウェルをｎ型バルクシリコン中に形
成し、シリコンの薄い表面層をｎ型ドーピングする。ま
たは、ｐ型バルクシリコン中において所定のシリコン領
域を分離し、薄いｎ型ドーピングされた表面層を形成す
る。このようなｎ型ドーピング層は、図４における分離
されたシリコン領域４４と実質的に同じである。分離さ
れたシリコン領域４４が形成された後のプロセス工程
は、バルクシリコンについてもSIMOXについても実質的
に同様である。上記説明および図４に示す構造は、トラ
ンジスタ４０をバルクシリコンから形成した場合におい
ても同様である。
【００４７】図５は、本発明による短く非対称なチャネ
ル領域を有するPMOSトランジスタを示す部分断面図であ
る。トランジスタ７０は、酸化物層７２と、その上に位
置する分離されたシリコン領域７４とを有している。シ
リコン領域７４は、ｐ+ソース７６およびｐ+ドレイン７
８を有している。ゲート電極８０がゲート酸化物層８２
およびシリコン領域７４の上に位置しており、ソース７
６からドレイン７８にわたって長さ（Ｌg）８４を有し
ている。本発明の１局面において、ゲート電極長８４
は、約0.5ミクロン未満である。ゲート電極８０はま
た、ソース７６およびドレイン７８にそれぞれ隣接する
垂直な側壁部８６および８８を有している。当該分野に
おいて周知のように、ゲート電極８０はポリシリコンそ
の他の適切な材料から製造される。PMOSトランジスタ７
０は、ｐ+ドーピングされたゲート８０を有するように
形成される。または、ゲート８０はｎ+ドーピングされ
てもよい。
ル領域を有するPMOSトランジスタを示す部分断面図であ
る。トランジスタ７０は、酸化物層７２と、その上に位
置する分離されたシリコン領域７４とを有している。シ
リコン領域７４は、ｐ+ソース７６およびｐ+ドレイン７
８を有している。ゲート電極８０がゲート酸化物層８２
およびシリコン領域７４の上に位置しており、ソース７
６からドレイン７８にわたって長さ（Ｌg）８４を有し
ている。本発明の１局面において、ゲート電極長８４
は、約0.5ミクロン未満である。ゲート電極８０はま
た、ソース７６およびドレイン７８にそれぞれ隣接する
垂直な側壁部８６および８８を有している。当該分野に
おいて周知のように、ゲート電極８０はポリシリコンそ
の他の適切な材料から製造される。PMOSトランジスタ７
０は、ｐ+ドーピングされたゲート８０を有するように
形成される。または、ゲート８０はｎ+ドーピングされ
てもよい。
【００４８】ゲート長８４未満の長さ（Ｌc）９２を有
するｎシリコンチャネル９０が、ゲート８０の下に位置
し、ソース７６に隣接するゲート電極垂直側壁部８６の
下からドレイン７８に向かって延びている。ｐシリコン
ドレイン拡張領域９４が、ゲート８０下において、ｎチ
ャネル領域９０からドレイン７８に向かって延びてい
る。短いチャネル領域９０がソース７６およびドレイン
７８の間に形成されることにより、ドレイン７８の容量
を最小にする。チャネル領域９０およびドレイン拡張部
９４の厳密なドーピング濃度を変化させることにより、
ゲート電極８０がｐ+でドーピングされるかｎ+でドーピ
ングされるかに応じて、適切なしきい値電圧およびドレ
イン拡張部導電性を得ることができる。
するｎシリコンチャネル９０が、ゲート８０の下に位置
し、ソース７６に隣接するゲート電極垂直側壁部８６の
下からドレイン７８に向かって延びている。ｐシリコン
ドレイン拡張領域９４が、ゲート８０下において、ｎチ
ャネル領域９０からドレイン７８に向かって延びてい
る。短いチャネル領域９０がソース７６およびドレイン
７８の間に形成されることにより、ドレイン７８の容量
を最小にする。チャネル領域９０およびドレイン拡張部
９４の厳密なドーピング濃度を変化させることにより、
ゲート電極８０がｐ+でドーピングされるかｎ+でドーピ
ングされるかに応じて、適切なしきい値電圧およびドレ
イン拡張部導電性を得ることができる。
【００４９】図示のトランジスタ７０は、SIMOX層上に
形成されたソース７６、ドレイン７８、チャネル９０、
およびドレイン拡張部９４を有している。シリコン層は
マスキングおよびエッチングされることにより、領域７
４を分離して残す。または、ソース７６、ドレイン７
８、チャネル９０およびドレイン拡張部９４はバルクシ
リコン（図示せず）のシリコン上に形成されてもよい。
すなわち、ｐ型バルクシリコン中に形成されたｎ型ウェ
ルの上に位置するシリコンの領域をｐ型ドーピングする
ことにより、シリコン領域７４を形成してもよい。また
は、ｎ型バルクシリコン中の１層を分離してｐ型ドーピ
ングする。このようなｐ型ドーピング層は、図５におけ
る分離されたシリコン領域７４と実質的に同じである。
分離されたシリコン領域７４が形成された後のプロセス
工程は、バルクシリコンについてもSIMOXについても実
質的に同様である。上記説明および図５に示す構造は、
トランジスタ７０をバルクシリコンから形成した場合に
おいても同様である。
形成されたソース７６、ドレイン７８、チャネル９０、
およびドレイン拡張部９４を有している。シリコン層は
マスキングおよびエッチングされることにより、領域７
４を分離して残す。または、ソース７６、ドレイン７
８、チャネル９０およびドレイン拡張部９４はバルクシ
リコン（図示せず）のシリコン上に形成されてもよい。
すなわち、ｐ型バルクシリコン中に形成されたｎ型ウェ
ルの上に位置するシリコンの領域をｐ型ドーピングする
ことにより、シリコン領域７４を形成してもよい。また
は、ｎ型バルクシリコン中の１層を分離してｐ型ドーピ
ングする。このようなｐ型ドーピング層は、図５におけ
る分離されたシリコン領域７４と実質的に同じである。
分離されたシリコン領域７４が形成された後のプロセス
工程は、バルクシリコンについてもSIMOXについても実
質的に同様である。上記説明および図５に示す構造は、
トランジスタ７０をバルクシリコンから形成した場合に
おいても同様である。
【００５０】図６〜図１０は、本発明による短く非対称
なチャネル領域を有するMOSトランジスタの形成方法を
示す部分断面図である。MOSトランジスタは、NMOSトラ
ンジスタおよびPMOSトランジスタからなる群より選択さ
れる。図６は、PMOSトランジスタ１００の部分断面図で
ある。トランジスタ１００は、酸化物層１０２およびそ
の上に位置する分離されたシリコン領域１０４を含む、
SIMOX基板上に形成される。分離されたシリコン領域１
０４に不純物を注入してｐ型シリコンを形成する。
なチャネル領域を有するMOSトランジスタの形成方法を
示す部分断面図である。MOSトランジスタは、NMOSトラ
ンジスタおよびPMOSトランジスタからなる群より選択さ
れる。図６は、PMOSトランジスタ１００の部分断面図で
ある。トランジスタ１００は、酸化物層１０２およびそ
の上に位置する分離されたシリコン領域１０４を含む、
SIMOX基板上に形成される。分離されたシリコン領域１
０４に不純物を注入してｐ型シリコンを形成する。
【００５１】または、図５の説明で上述したように、PM
OSトランジスタ１００を、ｐ型バルクシリコンのｎ型ウ
ェル上、またはｎ型バルクシリコン上に形成してもよ
い。ｎ型シリコンの薄層にホウ素を注入することによ
り、シリコン領域１０４と実質的に同じｐ型層を形成す
る。または、ＢＦ2を用いてｐ型層１０４を形成しても
よい。
OSトランジスタ１００を、ｐ型バルクシリコンのｎ型ウ
ェル上、またはｎ型バルクシリコン上に形成してもよ
い。ｎ型シリコンの薄層にホウ素を注入することによ
り、シリコン領域１０４と実質的に同じｐ型層を形成す
る。または、ＢＦ2を用いてｐ型層１０４を形成しても
よい。
【００５２】図７は、図６のトランジスタ１００におい
てシリコン領域１０４の上にゲート電極１０６およびゲ
ート酸化物層１０８を形成した状態を示す、部分断面図
である。ゲート電極１０６は、後に形成されるソースか
ら後に形成されるドレインまで延びる長さ（Ｌg）１１
０を有する。ゲート電極１０６はまた、後に形成される
ソースに隣接する垂直側壁部１１２および、後に形成さ
れるドレインに隣接する垂直側壁部１１４を有する。
てシリコン領域１０４の上にゲート電極１０６およびゲ
ート酸化物層１０８を形成した状態を示す、部分断面図
である。ゲート電極１０６は、後に形成されるソースか
ら後に形成されるドレインまで延びる長さ（Ｌg）１１
０を有する。ゲート電極１０６はまた、後に形成される
ソースに隣接する垂直側壁部１１２および、後に形成さ
れるドレインに隣接する垂直側壁部１１４を有する。
【００５３】図８は、図７のトランジスタ１１０におい
て、ゲート長１１０未満の長さ（Ｌ c）１１８を有する
シリコンチャネル領域１１６が、ゲート１０６の下に形
成され、ソース１２０に隣接するゲート電極垂直側壁部
１１２の下からドレイン１２２に向かって延びている様
子を示す、部分断面図である。チャネル領域１１６は、
ドーパントのイオンを（矢印１２３で表す）ソース１２
０に隣接するゲート電極垂直側壁部１１２から規定され
る所定の角度（θ）１２４でチャネル領域１１６中に注
入することにより形成される。
て、ゲート長１１０未満の長さ（Ｌ c）１１８を有する
シリコンチャネル領域１１６が、ゲート１０６の下に形
成され、ソース１２０に隣接するゲート電極垂直側壁部
１１２の下からドレイン１２２に向かって延びている様
子を示す、部分断面図である。チャネル領域１１６は、
ドーパントのイオンを（矢印１２３で表す）ソース１２
０に隣接するゲート電極垂直側壁部１１２から規定され
る所定の角度（θ）１２４でチャネル領域１１６中に注
入することにより形成される。
【００５４】斜め注入１２３は、ゲート電極１０６が形
成された後にチャネル領域１１６にドーピングすること
を可能にする。ドーパントイオン注入１２３の角度１２
４は、ゲート電極１０６のソース１２０に隣接する方の
垂直側壁部１１２から30°〜70°の範囲である。好まし
くは、角度１２４は約60°である。シリコン領域１０４
のうちゲート１０６の下に位置する部分が注入中にゲー
ト１０６によってシールドされるので、チャネル領域１
１６は、ゲート長１１０未満の長さ１１８を有してい
る。また、ゲート１０６によるシールドのため、チャネ
ル領域１１６がドレイン１２２よりもソース１２０に近
く非対称に位置することになる。ドレイン領域１２２が
イオン注入１２３中にレジスト１２５でマスキングされ
ていることにより、不純物がドレイン１２２中にドーピ
ングされることを防止できる。
成された後にチャネル領域１１６にドーピングすること
を可能にする。ドーパントイオン注入１２３の角度１２
４は、ゲート電極１０６のソース１２０に隣接する方の
垂直側壁部１１２から30°〜70°の範囲である。好まし
くは、角度１２４は約60°である。シリコン領域１０４
のうちゲート１０６の下に位置する部分が注入中にゲー
ト１０６によってシールドされるので、チャネル領域１
１６は、ゲート長１１０未満の長さ１１８を有してい
る。また、ゲート１０６によるシールドのため、チャネ
ル領域１１６がドレイン１２２よりもソース１２０に近
く非対称に位置することになる。ドレイン領域１２２が
イオン注入１２３中にレジスト１２５でマスキングされ
ていることにより、不純物がドレイン１２２中にドーピ
ングされることを防止できる。
【００５５】チャネル領域１１６は、リンおよびヒ素か
らなる群より選択されるドーパントを注入することによ
り形成される。イオン量は１×1013/cm2から１×1014/c
m2の間の範囲である。ドーパントがリンの場合はイオン
エネルギーレベルは10 keVから100 keVの間の範囲であ
り、ドーパントがヒ素の場合はイオンエネルギーレベル
は20 keVから200 keVの間の範囲である。ｎ型チャネル
領域１１６が形成される。
らなる群より選択されるドーパントを注入することによ
り形成される。イオン量は１×1013/cm2から１×1014/c
m2の間の範囲である。ドーパントがリンの場合はイオン
エネルギーレベルは10 keVから100 keVの間の範囲であ
り、ドーパントがヒ素の場合はイオンエネルギーレベル
は20 keVから200 keVの間の範囲である。ｎ型チャネル
領域１１６が形成される。
【００５６】または、本発明の特徴とドーパント拡散技
術の特徴を組み合わせたハイブリッド技術によってチャ
ネル領域１１６を形成してもよい。斜め注入１２３は、
角度１２４がゲート電極１０６の垂直側壁部１１２から
約30°未満になるように行われることにより、ソース１
２０をドーピングする一方、チャネル１１６は部分的に
しかドーピングされないようにする。すなわち、図８に
示すように、ドーパント注入１２３はチャネル領域１１
６中に完全には拡がらない。次に、トランジスタ１００
を850〜1100℃の範囲の温度で30〜60分間加熱すること
により、ドーパントをチャネル領域１１６中に拡散させ
る。このように、イオン注入１２３の角度１２４が浅い
場合に、非対称チャネル領域１１６が得られる。
術の特徴を組み合わせたハイブリッド技術によってチャ
ネル領域１１６を形成してもよい。斜め注入１２３は、
角度１２４がゲート電極１０６の垂直側壁部１１２から
約30°未満になるように行われることにより、ソース１
２０をドーピングする一方、チャネル１１６は部分的に
しかドーピングされないようにする。すなわち、図８に
示すように、ドーパント注入１２３はチャネル領域１１
６中に完全には拡がらない。次に、トランジスタ１００
を850〜1100℃の範囲の温度で30〜60分間加熱すること
により、ドーパントをチャネル領域１１６中に拡散させ
る。このように、イオン注入１２３の角度１２４が浅い
場合に、非対称チャネル領域１１６が得られる。
【００５７】図９は、図８のトランジスタ１００のドー
パントのイオン注入（矢印１２６）を行うことによりソ
ース１２０およびドレイン１２２を形成する様子を示
す、部分断面図である。ｐ+注入１２６は、ｐ+ソース領
域１２０およびドレイン領域１２２を形成する。ｐ型シ
リコンドレイン拡張部１２８が、ゲート１０６の下にお
いてチャネル領域１１６からドレイン１２２まで延びて
いる。ドレイン拡張部１２８は、ゲート１０６の下の、
従来技術によるトランジスタであれば典型的にはチャネ
ル領域の一部を構成していた領域に形成される。ゲート
電極１０６は、ドレイン拡張部１２８を、チャネル領域
１１６を形成する際（図８）に斜めイオン注入からシー
ルドする。ゲート電極１０６はまた、ソース１２０およ
びドレイン１２２をｐ+ドーピングする際に、ドレイン
拡張部１２８をイオン注入からシールドする。ドレイン
拡張部１２８により、従来技術のトランジスタにおける
ようにLDD領域を形成する必要なく（図３のLDD領域３２
を参照せよ）、チャネル１１６とドレイン１２２との間
に高いブレイクダウン電圧を得ることが可能になる。
パントのイオン注入（矢印１２６）を行うことによりソ
ース１２０およびドレイン１２２を形成する様子を示
す、部分断面図である。ｐ+注入１２６は、ｐ+ソース領
域１２０およびドレイン領域１２２を形成する。ｐ型シ
リコンドレイン拡張部１２８が、ゲート１０６の下にお
いてチャネル領域１１６からドレイン１２２まで延びて
いる。ドレイン拡張部１２８は、ゲート１０６の下の、
従来技術によるトランジスタであれば典型的にはチャネ
ル領域の一部を構成していた領域に形成される。ゲート
電極１０６は、ドレイン拡張部１２８を、チャネル領域
１１６を形成する際（図８）に斜めイオン注入からシー
ルドする。ゲート電極１０６はまた、ソース１２０およ
びドレイン１２２をｐ+ドーピングする際に、ドレイン
拡張部１２８をイオン注入からシールドする。ドレイン
拡張部１２８により、従来技術のトランジスタにおける
ようにLDD領域を形成する必要なく（図３のLDD領域３２
を参照せよ）、チャネル１１６とドレイン１２２との間
に高いブレイクダウン電圧を得ることが可能になる。
【００５８】図を簡潔にするために、同等なNMOSトラン
ジスタは示していないが、その構造および製造プロセス
は図６〜１０を参照して説明したPMOSトランジスタ１０
０の構造および製造プロセスと実質的に同じである。NM
OSトランジスタにおいてはｎ +ゲート電極を形成する。
斜めイオン注入により、短く非対称なｐ型チャネル領域
が形成される。チャネル領域は、ホウ素およびＢＦ2か
らなる群より選択されるドーパントを注入することによ
り形成される。イオン量は１×1013/cm2から１×1014/c
m2間の範囲である。ドーパントがホウ素の場合はイオン
エネルギーレベルは２keVから30 keVの間の範囲であ
り、ドーパントがＢＦ2の場合はイオンエネルギーレベ
ルは10 keVから150 keVの間の範囲である。ドレイン拡
張領域はｎ型のままであるが、ソースおよびドレインは
後にドーピングされてｎ+型とする。
ジスタは示していないが、その構造および製造プロセス
は図６〜１０を参照して説明したPMOSトランジスタ１０
０の構造および製造プロセスと実質的に同じである。NM
OSトランジスタにおいてはｎ +ゲート電極を形成する。
斜めイオン注入により、短く非対称なｐ型チャネル領域
が形成される。チャネル領域は、ホウ素およびＢＦ2か
らなる群より選択されるドーパントを注入することによ
り形成される。イオン量は１×1013/cm2から１×1014/c
m2間の範囲である。ドーパントがホウ素の場合はイオン
エネルギーレベルは２keVから30 keVの間の範囲であ
り、ドーパントがＢＦ2の場合はイオンエネルギーレベ
ルは10 keVから150 keVの間の範囲である。ドレイン拡
張領域はｎ型のままであるが、ソースおよびドレインは
後にドーピングされてｎ+型とする。
【００５９】図４を参照してNMOSトランジスタ４０につ
いて説明したように、ソース１２０、ドレイン１２２、
チャネル１１６およびドレイン拡張部１２８は、SIMOX
およびバルクシリコンからなる群より選択されるシリコ
ン中に形成される。基本的なバルクシリコンにおける数
個のプロセス工程以下は、これら異なるタイプのシリコ
ンから形成されるトランジスタは実質的に同じ方法で製
造される。
いて説明したように、ソース１２０、ドレイン１２２、
チャネル１１６およびドレイン拡張部１２８は、SIMOX
およびバルクシリコンからなる群より選択されるシリコ
ン中に形成される。基本的なバルクシリコンにおける数
個のプロセス工程以下は、これら異なるタイプのシリコ
ンから形成されるトランジスタは実質的に同じ方法で製
造される。
【００６０】図１０は、図９のトランジスタ１００にお
いて、上記ソース領域１２０、ドレイン領域１２２、お
よびゲート領域１０６上にさらに酸化物層１３０を設
け、酸化物１３０を通ってソース領域１２０、ドレイン
領域１２２、およびゲート領域１０６に達するコンタク
トホール１３２を設けた様子を示す、部分断面図であ
る。さらに各コンタクトホール１３２中に、独立にソー
ス１２０、ドレイン１２２、およびゲート１０６と電気
的接続を形成するための金属１３４を有している。この
ようにして、トランジスタ１００は他の電気回路（図示
せず）と連絡を行う。
いて、上記ソース領域１２０、ドレイン領域１２２、お
よびゲート領域１０６上にさらに酸化物層１３０を設
け、酸化物１３０を通ってソース領域１２０、ドレイン
領域１２２、およびゲート領域１０６に達するコンタク
トホール１３２を設けた様子を示す、部分断面図であ
る。さらに各コンタクトホール１３２中に、独立にソー
ス１２０、ドレイン１２２、およびゲート１０６と電気
的接続を形成するための金属１３４を有している。この
ようにして、トランジスタ１００は他の電気回路（図示
せず）と連絡を行う。
【００６１】図１１は、本発明によるMOSトランジスタ
の製造において、短く非対称なチャネル領域をゲート電
極下に形成するための方法の工程を示すフローチャート
である。ステップ１４０において、シリコン領域を有す
るMOSトランジスタを用意する。シリコン領域は、ソー
ス、ドレインを形成し、シリコン領域上にゲート電極を
形成するために分離された領域である。ゲート電極は、
ソースからドレインに延びる長さを有する。ゲート電極
は、ソースおよびドレインにそれぞれ隣接する垂直な側
壁部を有する。ステップ１４２において、ソース領域に
隣接するゲート電極の垂直側壁部から規定される角度を
選択する。発明の１局面において、ステップ１４２は、
選択される角度がゲート電極の垂直側壁部から30°〜70
°の範囲であることを包含する。垂直側壁部に対しての
イオン注入角度の定義は任意であり、ゲートのゲート側
壁部は典型的にはソースの水平面に対して垂直であると
いう知見に基づいている。または、イオン注入角度は、
ソースまたはその他の基準面から適宜規定してもよい。
の製造において、短く非対称なチャネル領域をゲート電
極下に形成するための方法の工程を示すフローチャート
である。ステップ１４０において、シリコン領域を有す
るMOSトランジスタを用意する。シリコン領域は、ソー
ス、ドレインを形成し、シリコン領域上にゲート電極を
形成するために分離された領域である。ゲート電極は、
ソースからドレインに延びる長さを有する。ゲート電極
は、ソースおよびドレインにそれぞれ隣接する垂直な側
壁部を有する。ステップ１４２において、ソース領域に
隣接するゲート電極の垂直側壁部から規定される角度を
選択する。発明の１局面において、ステップ１４２は、
選択される角度がゲート電極の垂直側壁部から30°〜70
°の範囲であることを包含する。垂直側壁部に対しての
イオン注入角度の定義は任意であり、ゲートのゲート側
壁部は典型的にはソースの水平面に対して垂直であると
いう知見に基づいている。または、イオン注入角度は、
ソースまたはその他の基準面から適宜規定してもよい。
【００６２】ステップ１４４において、ステップ１４２
で定義された角度で、ゲート電極下のソースに隣接する
シリコン領域中にドーパントのイオンを注入することに
より、ゲート電極長未満の長さを有するチャネル領域を
形成する。チャネル領域は、ゲート電極のソースに隣接
する方の垂直側壁部の下からドレイン領域に向かって延
びる。ステップ１４６は、完成品としての、短く非対称
なチャネル領域をゲート電極下に有するMOSトランジス
タを示す。短いチャネル長のため、トランジスタのスイ
ッチング速度が最大に向上される。図１１に示す方法
は、図８のトランジスタ１００におおよそ対応するもの
である。
で定義された角度で、ゲート電極下のソースに隣接する
シリコン領域中にドーパントのイオンを注入することに
より、ゲート電極長未満の長さを有するチャネル領域を
形成する。チャネル領域は、ゲート電極のソースに隣接
する方の垂直側壁部の下からドレイン領域に向かって延
びる。ステップ１４６は、完成品としての、短く非対称
なチャネル領域をゲート電極下に有するMOSトランジス
タを示す。短いチャネル長のため、トランジスタのスイ
ッチング速度が最大に向上される。図１１に示す方法
は、図８のトランジスタ１００におおよそ対応するもの
である。
【００６３】図１２は、図１１のフローチャートをより
詳細に示すものであり、短く非対称なチャネル領域を形
成するための本発明の方法を説明している。ステップ１
５０において、NMOSトランジスタおよびPMOSトランジス
タからなる群より選択されるMOSトランジスタを用意す
る。ステップ１５２において、ソース、ドレインおよび
ソースとドレインとの間に位置するチャネル領域を後に
形成するためのシリコン領域を分離し、この領域をドー
ピングする。NMOSトランジスタを形成する場合は、浅い
ｎ型接合が形成されるようにこの領域をドーピングす
る。PMOSトランジスタを形成する場合は、浅いｐ型接合
が形成されるようにこの領域をドーピングする。本発明
の１局面において、シリコン領域に、第１のドーパント
のイオンを第１のドーピング濃度で注入する。ステップ
１５４において、シリコン領域の上に位置するゲート電
極を形成する。ゲート電極はソースからドレインに延び
る長さを有し、ソースおよびドレインにそれぞれ隣接す
る垂直側壁部を有している。本発明の１局面において、
ステップ１５４は、約0.5ミクロン未満の長さを有する
ゲート電極を形成することを包含する。
詳細に示すものであり、短く非対称なチャネル領域を形
成するための本発明の方法を説明している。ステップ１
５０において、NMOSトランジスタおよびPMOSトランジス
タからなる群より選択されるMOSトランジスタを用意す
る。ステップ１５２において、ソース、ドレインおよび
ソースとドレインとの間に位置するチャネル領域を後に
形成するためのシリコン領域を分離し、この領域をドー
ピングする。NMOSトランジスタを形成する場合は、浅い
ｎ型接合が形成されるようにこの領域をドーピングす
る。PMOSトランジスタを形成する場合は、浅いｐ型接合
が形成されるようにこの領域をドーピングする。本発明
の１局面において、シリコン領域に、第１のドーパント
のイオンを第１のドーピング濃度で注入する。ステップ
１５４において、シリコン領域の上に位置するゲート電
極を形成する。ゲート電極はソースからドレインに延び
る長さを有し、ソースおよびドレインにそれぞれ隣接す
る垂直側壁部を有している。本発明の１局面において、
ステップ１５４は、約0.5ミクロン未満の長さを有する
ゲート電極を形成することを包含する。
【００６４】ステップ１５６において、ドーパントのイ
オンを、ゲート電極のソースに隣接する方の垂直側壁部
から規定される所定の角度でゲート電極下のシリコン領
域中に注入することにより、ゲート長未満の長さを有す
るチャネル領域を形成する。チャネル領域は、ゲート電
極のソースに隣接する方の垂直側壁部の下からドレイン
に向かって延びる。ステップ１５６は、第２のドーパン
トのイオンを第２のドーピング濃度および第２のイオン
エネルギーレベルで注入することを包含する。本発明の
別の局面において、ステップ１５６は、ゲート電極の垂
直側壁部から30°〜70°の間の角度のイオン注入角度を
用いることを包含する。約60°の角度が好ましい。ステ
ップ１５８は、完成品としての、短く非対称なチャネル
領域を有するMOSトランジスタを示す。短いチャネル長
のため、トランジスタのスイッチング速度が最大に向上
される。
オンを、ゲート電極のソースに隣接する方の垂直側壁部
から規定される所定の角度でゲート電極下のシリコン領
域中に注入することにより、ゲート長未満の長さを有す
るチャネル領域を形成する。チャネル領域は、ゲート電
極のソースに隣接する方の垂直側壁部の下からドレイン
に向かって延びる。ステップ１５６は、第２のドーパン
トのイオンを第２のドーピング濃度および第２のイオン
エネルギーレベルで注入することを包含する。本発明の
別の局面において、ステップ１５６は、ゲート電極の垂
直側壁部から30°〜70°の間の角度のイオン注入角度を
用いることを包含する。約60°の角度が好ましい。ステ
ップ１５８は、完成品としての、短く非対称なチャネル
領域を有するMOSトランジスタを示す。短いチャネル長
のため、トランジスタのスイッチング速度が最大に向上
される。
【００６５】または、ステップ１５６において、上記定
義による約30°よりも小さいような浅い注入角度を用い
てもよい。この場合、本方法は、トランジスタを850〜1
100℃の範囲の温度で30〜60分間加熱することにより、
注入されたドーパントを拡散させる追加的な工程をステ
ップ１５６において包含する。イオン注入角度が浅い場
合に、非対称チャネル領域が得られる。
義による約30°よりも小さいような浅い注入角度を用い
てもよい。この場合、本方法は、トランジスタを850〜1
100℃の範囲の温度で30〜60分間加熱することにより、
注入されたドーパントを拡散させる追加的な工程をステ
ップ１５６において包含する。イオン注入角度が浅い場
合に、非対称チャネル領域が得られる。
【００６６】本発明の１局面においては、追加的な工程
を含む。ステップ１５６に続くステップ１６０におい
て、第３のドーパントのイオンを第３のドーピング濃度
および第３のイオンエネルギーレベルで注入することに
より、ソース領域およびドレイン領域を形成する。ステ
ップ１６２において、酸化物層をトランジスタのソース
領域、ドレイン領域、およびゲート領域上に堆積する。
このステップにおいて、酸化物層を通ってソース領域、
ドレイン領域、およびゲート領域に達するコンタクトホ
ールを形成し、コンタクトホール中に、独立にソース、
ドレイン、およびゲートと電気的接続を形成するための
金属を堆積する。または、ステップ１６２を、酸化物を
堆積する小工程と、コンタクトホールを形成する小工程
と、金属を堆積する小工程とに分割してもよい。
を含む。ステップ１５６に続くステップ１６０におい
て、第３のドーパントのイオンを第３のドーピング濃度
および第３のイオンエネルギーレベルで注入することに
より、ソース領域およびドレイン領域を形成する。ステ
ップ１６２において、酸化物層をトランジスタのソース
領域、ドレイン領域、およびゲート領域上に堆積する。
このステップにおいて、酸化物層を通ってソース領域、
ドレイン領域、およびゲート領域に達するコンタクトホ
ールを形成し、コンタクトホール中に、独立にソース、
ドレイン、およびゲートと電気的接続を形成するための
金属を堆積する。または、ステップ１６２を、酸化物を
堆積する小工程と、コンタクトホールを形成する小工程
と、金属を堆積する小工程とに分割してもよい。
【００６７】本発明の１局面において、ステップ１５４
の後に追加的なステップとして、ステップ１５６中にお
けるドーパントイオンの注入を防ぐためにドレイン領域
をマスキングするステップ１６４を包含する。レジスト
またはその他のマスキング剤の置き方および厚さは、ス
テップ１５６で選択される注入角、ドレインのドーパン
トに対する感度、および周囲の構造を含む、様々な要因
に依存する。本発明のある局面において、マスクはドレ
インを完全に覆い、ゲート電極を少なくとも部分的に覆
うことにより、斜め注入イオンがドレインおよびドレイ
ン拡張部に貫通しないようにしてもよい。他の変形例に
おいて、注入角度およびドレインの寸法によりイオンが
ゲートを通ってドレイン拡張領域まで貫通しないことが
確実なときは、ドレインを部分的にマスキングするだけ
でよい。
の後に追加的なステップとして、ステップ１５６中にお
けるドーパントイオンの注入を防ぐためにドレイン領域
をマスキングするステップ１６４を包含する。レジスト
またはその他のマスキング剤の置き方および厚さは、ス
テップ１５６で選択される注入角、ドレインのドーパン
トに対する感度、および周囲の構造を含む、様々な要因
に依存する。本発明のある局面において、マスクはドレ
インを完全に覆い、ゲート電極を少なくとも部分的に覆
うことにより、斜め注入イオンがドレインおよびドレイ
ン拡張部に貫通しないようにしてもよい。他の変形例に
おいて、注入角度およびドレインの寸法によりイオンが
ゲートを通ってドレイン拡張領域まで貫通しないことが
確実なときは、ドレインを部分的にマスキングするだけ
でよい。
【００６８】本発明の１局面において、ステップ１５０
で用意されるMOSトランジスタは、NMOSトランジスタの
群から選択される。この場合、ステップ１５２は、リン
およびヒ素からなる群より選択される第１のドーパント
を用いることを包含する。第１のドーピング濃度は、１
×1015/cm3から１×1017/cm3の間の範囲である。このよ
うにして、ｎ型ドーピングされたシリコン領域が形成さ
れる。同様に、ステップ１５６は、ホウ素およびＢＦ2
からなる群より選択される第２のドーパントを用いるこ
とを包含する。第２のイオン量は、１×1013/cm2から１
×1014/cm2の間の範囲である。第２のイオンエネルギー
レベルは、第２のドーパントがホウ素の場合は２keVか
ら30 keVの間の範囲であり、第２のドーパントがＢＦ2
の場合は10keVから150 keVの間の範囲である。このよう
にして、短いｐ型チャネル領域が形成される。最後に、
ステップ１６０は、リンおよびヒ素からなる群より選択
される第３のドーパントを用いることを包含する。第３
のイオン量は、１×1015/cm2から１×1016/cm2の間の範
囲である。第３のイオンエネルギーレベルは、第３のド
ーパントがリンの場合は５ keVから20 keVの間の範囲で
あり、第３のドーパントがヒ素の場合は10 keVから40ke
Vの間の範囲である。このようにして、短いｎ+型ソース
領域およびドレイン領域が形成される。
で用意されるMOSトランジスタは、NMOSトランジスタの
群から選択される。この場合、ステップ１５２は、リン
およびヒ素からなる群より選択される第１のドーパント
を用いることを包含する。第１のドーピング濃度は、１
×1015/cm3から１×1017/cm3の間の範囲である。このよ
うにして、ｎ型ドーピングされたシリコン領域が形成さ
れる。同様に、ステップ１５６は、ホウ素およびＢＦ2
からなる群より選択される第２のドーパントを用いるこ
とを包含する。第２のイオン量は、１×1013/cm2から１
×1014/cm2の間の範囲である。第２のイオンエネルギー
レベルは、第２のドーパントがホウ素の場合は２keVか
ら30 keVの間の範囲であり、第２のドーパントがＢＦ2
の場合は10keVから150 keVの間の範囲である。このよう
にして、短いｐ型チャネル領域が形成される。最後に、
ステップ１６０は、リンおよびヒ素からなる群より選択
される第３のドーパントを用いることを包含する。第３
のイオン量は、１×1015/cm2から１×1016/cm2の間の範
囲である。第３のイオンエネルギーレベルは、第３のド
ーパントがリンの場合は５ keVから20 keVの間の範囲で
あり、第３のドーパントがヒ素の場合は10 keVから40ke
Vの間の範囲である。このようにして、短いｎ+型ソース
領域およびドレイン領域が形成される。
【００６９】本発明の別の局面においては、ステップ１
５０にて（ｐ+型ゲートおよびｎ+型ゲート）PMOSトラン
ジスタを用意する。ステップ１５２は、ホウ素を第１の
ドーパントとして、第１のイオンドーピング濃度は１×
1015/cm3から１×1017/cm3の間の範囲で用いることを包
含する。ｐ型ドーピングされたシリコン領域が形成され
る。同様に、ステップ１５６は、リンおよびヒ素からな
る群より選択される第２のドーパントを用いることを包
含する。第２のイオン量は、１×1013/cm2から１×1014
/cm2の間の範囲である。第２のイオンエネルギーレベル
は、第２のドーパントがリンの場合は10 keVから100 ke
Vの間の範囲であり、第２のドーパントがヒ素の場合は2
0 keVから200 keVの間の範囲である。短いｎ型チャネル
領域が形成される。最後に、ステップ１６０は、ＢＦ2
およびホウ素からなる群より選択される第３のドーパン
トを用いることを包含する。第３のイオン量は、１×10
15/cm2から１×1016/cm2の間の範囲である。第３のイオ
ンエネルギーレベルは、第３のドーパントがＢＦ2の場
合は10keVから50 keVの間の範囲であり、第３のドーパ
ントがホウ素の場合は２keVから10keVの間の範囲であ
る。ｐ+型ソース領域およびドレイン領域が形成され
る。
５０にて（ｐ+型ゲートおよびｎ+型ゲート）PMOSトラン
ジスタを用意する。ステップ１５２は、ホウ素を第１の
ドーパントとして、第１のイオンドーピング濃度は１×
1015/cm3から１×1017/cm3の間の範囲で用いることを包
含する。ｐ型ドーピングされたシリコン領域が形成され
る。同様に、ステップ１５６は、リンおよびヒ素からな
る群より選択される第２のドーパントを用いることを包
含する。第２のイオン量は、１×1013/cm2から１×1014
/cm2の間の範囲である。第２のイオンエネルギーレベル
は、第２のドーパントがリンの場合は10 keVから100 ke
Vの間の範囲であり、第２のドーパントがヒ素の場合は2
0 keVから200 keVの間の範囲である。短いｎ型チャネル
領域が形成される。最後に、ステップ１６０は、ＢＦ2
およびホウ素からなる群より選択される第３のドーパン
トを用いることを包含する。第３のイオン量は、１×10
15/cm2から１×1016/cm2の間の範囲である。第３のイオ
ンエネルギーレベルは、第３のドーパントがＢＦ2の場
合は10keVから50 keVの間の範囲であり、第３のドーパ
ントがホウ素の場合は２keVから10keVの間の範囲であ
る。ｐ+型ソース領域およびドレイン領域が形成され
る。
【００７０】図４および図５の説明で述べたように、ス
テップ１５２は、バルクシリコンおよびSIMOXからなる
群より選択してドーピングすることによりシリコン領域
を形成することを包含する。簡潔さのために、２つの方
法のあいだの差は繰り返さないが、当業者には、本発明
の方法はバルクシリコンおよびSIMOXから形成されるト
ランジスタの両方に適応することが理解されるであろ
う。すなわち、PMOSトランジスタを形成する場合、ステ
ップ１５２は、ｐ型バルクシリコン中に形成されたｎ型
ウェルの上に位置するシリコンの領域を分離しｐ型ドー
ピングすることを包含する。または、ｎ型バルクシリコ
ン中の１領域を分離しドーピングする。NMOSトランジス
タを形成する場合、ステップ１５２は、ｎ型バルクシリ
コン中に形成されたｐ型ウェルの上に位置するシリコン
の領域を分離しｎ型ドーピングすることを包含する。ま
たは、ｐ型バルクシリコン中の１領域を分離しドーピン
グする。ソース領域、ドレイン領域、チャネル領域、お
よびドレイン拡張領域を形成するためのシリコン領域が
分離されれば、本発明は、プロセス工程または構造に若
干の変化がある点を除き、いずれのシリコン源に対して
も同様に適用され得る。
テップ１５２は、バルクシリコンおよびSIMOXからなる
群より選択してドーピングすることによりシリコン領域
を形成することを包含する。簡潔さのために、２つの方
法のあいだの差は繰り返さないが、当業者には、本発明
の方法はバルクシリコンおよびSIMOXから形成されるト
ランジスタの両方に適応することが理解されるであろ
う。すなわち、PMOSトランジスタを形成する場合、ステ
ップ１５２は、ｐ型バルクシリコン中に形成されたｎ型
ウェルの上に位置するシリコンの領域を分離しｐ型ドー
ピングすることを包含する。または、ｎ型バルクシリコ
ン中の１領域を分離しドーピングする。NMOSトランジス
タを形成する場合、ステップ１５２は、ｎ型バルクシリ
コン中に形成されたｐ型ウェルの上に位置するシリコン
の領域を分離しｎ型ドーピングすることを包含する。ま
たは、ｐ型バルクシリコン中の１領域を分離しドーピン
グする。ソース領域、ドレイン領域、チャネル領域、お
よびドレイン拡張領域を形成するためのシリコン領域が
分離されれば、本発明は、プロセス工程または構造に若
干の変化がある点を除き、いずれのシリコン源に対して
も同様に適用され得る。
【００７１】本発明による斜めイオン注入法により、ソ
ース領域とチャネル領域との間にLDD領域を設ける必要
がない。このことにより、本発明のプロセスによって形
成されたトランジスタは、より小さなドレイン−ソース
抵抗を有する。ドレイン拡張部面積を大きくすることで
より高いブレイクダウン電圧が可能になり、チャネルを
短くすることでより大きなドレイン電流が可能になる。
このような小さな抵抗および大きなドレイン電流によ
り、装置のスイッチング速度が高速になる。さらに、LD
D領域を排除することにより、少なくともドーピングの
１工程を省略することができ、LDD領域の上に位置する
ゲート壁部を形成する必要がなくなる。プロセス工程の
減少により、製造スループットが増大し、製造コストが
減少する。傾斜角度注入によってチャネル領域を形成す
るための本発明のその他の実施態様および変形例がま
た、当業者には想到可能であろう。
ース領域とチャネル領域との間にLDD領域を設ける必要
がない。このことにより、本発明のプロセスによって形
成されたトランジスタは、より小さなドレイン−ソース
抵抗を有する。ドレイン拡張部面積を大きくすることで
より高いブレイクダウン電圧が可能になり、チャネルを
短くすることでより大きなドレイン電流が可能になる。
このような小さな抵抗および大きなドレイン電流によ
り、装置のスイッチング速度が高速になる。さらに、LD
D領域を排除することにより、少なくともドーピングの
１工程を省略することができ、LDD領域の上に位置する
ゲート壁部を形成する必要がなくなる。プロセス工程の
減少により、製造スループットが増大し、製造コストが
減少する。傾斜角度注入によってチャネル領域を形成す
るための本発明のその他の実施態様および変形例がま
た、当業者には想到可能であろう。
【００７２】
【発明の効果】本発明によれば、少なくとも以下の効果
が得られる。
が得られる。
【００７３】チャネル領域とソース電極およびドレイン
電極との間にLDD領域を設けることなしに製造され、ト
ランジスタの寄生抵抗を低減し、大きなブレイクダウン
電圧を有するMOSトランジスタが提供できる。
電極との間にLDD領域を設けることなしに製造され、ト
ランジスタの寄生抵抗を低減し、大きなブレイクダウン
電圧を有するMOSトランジスタが提供できる。
【００７４】さらに、短いチャネル長を有していること
により、より大きなドレイン電流の導通を可能にするMO
Sトランジスタが提供できる。さらに、より高いスイッ
チング速度およびドレイン電流伝送能力を有するMOSト
ランジスタを提供できる。さらに、製造工程数が少な
く、ドーパントの注入回数が少なく、バリヤ構造が少な
いことにより、信頼性が改善されコストが減少したMOS
トランジスタを提供できる。
により、より大きなドレイン電流の導通を可能にするMO
Sトランジスタが提供できる。さらに、より高いスイッ
チング速度およびドレイン電流伝送能力を有するMOSト
ランジスタを提供できる。さらに、製造工程数が少な
く、ドーパントの注入回数が少なく、バリヤ構造が少な
いことにより、信頼性が改善されコストが減少したMOS
トランジスタを提供できる。
【図１】図１は、従来技術のMOSトランジスタを完成さ
せる工程を示す部分断面図である。
せる工程を示す部分断面図である。
【図２】図２は、従来技術のMOSトランジスタを完成さ
せる工程を示す部分断面図である。
せる工程を示す部分断面図である。
【図３】図３は、従来技術のMOSトランジスタを完成さ
せる工程を示す部分断面図である。
せる工程を示す部分断面図である。
【図４】図４は、本発明による短く非対称なチャネル領
域を有するNMOSトランジスタを示す部分断面図である。
域を有するNMOSトランジスタを示す部分断面図である。
【図５】図５は、本発明による短く非対称なチャネル領
域を有するPMOSトランジスタを示す部分断面図である。
域を有するPMOSトランジスタを示す部分断面図である。
【図６】図６は、本発明による短く非対称なチャネル領
域を有するMOSトランジスタ４０の形成方法における１
工程を示す部分断面図である。
域を有するMOSトランジスタ４０の形成方法における１
工程を示す部分断面図である。
【図７】図７は、本発明による短く非対称なチャネル領
域を有するMOSトランジスタ４０の形成方法における１
工程を示す部分断面図である。
域を有するMOSトランジスタ４０の形成方法における１
工程を示す部分断面図である。
【図８】図８は、本発明による短く非対称なチャネル領
域を有するMOSトランジスタ４０の形成方法における１
工程を示す部分断面図である。
域を有するMOSトランジスタ４０の形成方法における１
工程を示す部分断面図である。
【図９】図９は、本発明による短く非対称なチャネル領
域を有するMOSトランジスタ４０の形成方法における１
工程を示す部分断面図である。
域を有するMOSトランジスタ４０の形成方法における１
工程を示す部分断面図である。
【図１０】図１０は、本発明による短く非対称なチャネ
ル領域を有するMOSトランジスタ４０の形成方法におけ
る１工程を示す部分断面図である。
ル領域を有するMOSトランジスタ４０の形成方法におけ
る１工程を示す部分断面図である。
【図１１】図１１は、本発明によるMOSトランジスタの
製造において、短く非対称なチャネル領域を形成するた
めの方法の工程を示すフローチャートである。
製造において、短く非対称なチャネル領域を形成するた
めの方法の工程を示すフローチャートである。
【図１２】図１２は、図１１のフローチャートをより詳
細に示すものであり、短く非対称なチャネル領域を形成
するための本発明の方法を説明している。
細に示すものであり、短く非対称なチャネル領域を形成
するための本発明の方法を説明している。
４０ トランジスタ ４２ 酸化物層 ４４ シリコン領域 ４６ ｎ+ソース ４８ ｎ+ドレイン ５０ ゲート電極 ５２ 酸化物層 ５４ ゲート電極長 ５６ 側壁部 ５８ 側壁部 ６０ ｐシリコンチャネル ６２ 長さ（ＬC） ６４ ドレイン拡張部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１８Ｆ (72)発明者 エス． ティ． スー アメリカ合衆国 ワシントン 98607， カマス， エヌダブリュー トラウト コ ート 2216 (72)発明者 ジェー． ジェー． リー アメリカ合衆国 ワシントン 98607， カマス， エヌダブリュー バリー スト リート 4635
Claims (31)
- 【請求項１】 NMOSトランジスタおよびPMOSトランジス
タからなる群より選択されるMOSトランジスタの製造に
おいて、短く非対称なチャネル領域を形成するための方
法であって、 ａ）後にソース、ドレイン、および該ソースと該ドレイ
ンとの間に位置するチャネル領域を形成するためのシリ
コンの所定領域を分離し、該所定領域をドーピングする
工程と、 ｂ）該ソースから該ドレインに延びる長さを有し、該ソ
ースおよび該ドレインにそれぞれ隣接する実質的に垂直
な側壁部を有するゲート電極を、該シリコンの所定領域
の上に位置するように形成する工程と、 ｃ）ドーパントのイオンを、該ゲート電極の該ソースに
隣接する実質的に垂直な側壁部から規定される所定の角
度で、該ゲートの下に位置する該シリコンの所定領域中
に注入することにより該ゲート長未満の長さを有するチ
ャネル領域を形成する工程であって、該チャネル領域
は、該ゲート電極の該ソースに隣接する実質的に垂直な
側壁部の下から該ドレインに向かって延びるように形成
される工程と、を包含し、短いチャネル長が形成される
ことにより該トランジスタのスイッチング速度が最大に
向上される、MOSトランジスタの製造方法。 - 【請求項２】 前記工程ａ）におけるドーピングは、第
１のドーパントのイオンを第１のドーピング濃度で注入
することを含み、前記工程ｃ）におけるドーピングは、
第２のドーパントを第２のイオン量および第２のイオン
エネルギーレベルで注入することを含み、前記工程ｃ）
後にさらなる工程として、 ｄ）第３のドーパントを第３のイオン量および第３のイ
オンエネルギーレベルで注入することによりソース領域
およびドレイン領域を形成する工程と、 ｅ）該トランジスタの該ソース領域、該ドレイン領域、
および該ゲート領域上に酸化層を堆積する工程と、 ｆ）該工程ｅ）において堆積された該酸化物を通って該
ソース領域、該ドレイン領域、および該ゲート領域に達
するコンタクトホールを形成する工程と、 ｇ）独立に該ソース、該ドレイン、および該ゲートと電
気的接続を形成するための金属を該コンタクトホール中
に堆積する工程と、を包含する、請求項１に記載のMOS
トランジスタの製造方法。 - 【請求項３】 前記工程ｂ）の後に追加的な工程とし
て、 ｈ）前記工程ｃ）中においてドーパントイオンの注入を
防ぐために前記ドレイン領域をマスキングする工程を包
含する、請求項１に記載のMOSトランジスタの製造方
法。 - 【請求項４】 前記工程ｃ）は、前記ゲート電極の前記
ソースに隣接する実質的に垂直な側壁部から30°から70
°の間のイオン注入角度を用いることを包含する、請求
項１に記載のMOSトランジスタの製造方法。 - 【請求項５】 前記イオン注入角度は約60°である、請
求項４に記載のMOSトランジスタの製造方法。 - 【請求項６】 前記MOSトランジスタはNMOSトランジス
タであり、前記工程ａ）は、リンおよびヒ素からなる群
より選択される第１のドーパントを用いることを包含
し、前記第１のドーピング濃度は、１×1015/cm3から１
×1017/cm3の間であることにより、ｎ型ドーピングされ
たシリコン領域を形成することを包含する、請求項２に
記載のMOSトランジスタの製造方法。 - 【請求項７】 前記工程ｃ）は、ホウ素およびＢＦ2か
らなる群より選択される第２のドーパントを用いること
を包含することを包含し、前記第２のイオン量は１×10
13/cm2から１×1014/cm2の間であり、前記第２のイオン
エネルギーレベルは、該第２のドーパントがホウ素の場
合は２ keVから30 keVの間であり、該第２のドーパント
がＢＦ2の場合は10 keVから150 keVの間であることによ
り、短いｐ型チャネル領域を形成することを包含する、
請求項６に記載のMOSトランジスタの製造方法。 - 【請求項８】 前記工程ｄ）は、リンおよびヒ素からな
る群より選択される第３のドーパントを用いることを包
含し、前記第３のイオン量は１×1015/cm2から１×1016
/cm2の間であり、前記第３のイオンエネルギーレベル
は、該第３のドーパントがリンの場合は５ keVから20 k
eVの間であり、該第３のドーパントがヒ素の場合は10 k
eVから40keVの間であることにより、ｎ+ソース領域およ
びドレイン領域を形成することを包含する、請求項７に
記載のMOSトランジスタの製造方法。 - 【請求項９】 前記MOSトランジスタはPMOSトランジス
タであり、前記工程ａ）は、ホウ素を前記第１のドーパ
ントとして１×1015/cm3から１×1017/cm3の間の第１の
ドーピング濃度で用いることにより、ｐ型ドーピングさ
れたシリコン領域を形成することを包含する、請求項２
に記載のMOSトランジスタの製造方法。 - 【請求項１０】 前記工程ｃ）は、リンおよびヒ素から
なる群より選択される第２のドーパントを用いることを
包含し、前記第２のイオン量は１×1013/cm2から１×10
14/cm2の間であり、前記第２のイオンエネルギーレベル
は、該第２のドーパントがリンの場合は10 keVから100
keVの間であり、該第２のドーパントがヒ素の場合は20
keVから200 keVの間であることにより、短いｎ型チャネ
ル領域を形成することを包含する、請求項９に記載のMO
Sトランジスタの製造方法。 - 【請求項１１】 前記工程ｄ）は、ＢＦ2およびホウ素
からなる群より選択される第３のドーパントを用いるこ
とを包含し、前記第３のイオン量は１×1015/cm2から１
×1016/cm2の間であり、前記第３のイオンエネルギーレ
ベルは、第３のドーパントがＢＦ2の場合は10 keVから5
0 keVの間であり、第３のドーパントがホウ素の場合は
２ keVから10 keVの間であることにより、ｐ+ソース領
域およびドレイン領域を形成することを包含する、請求
項１０に記載のMOSトランジスタの製造方法。 - 【請求項１２】 前記工程ａ）は、バルクシリコンおよ
びSIMOXからなる群よりドーピングすることにより前記
シリコン領域を形成することを包含する、請求項１に記
載のMOSトランジスタの製造方法。 - 【請求項１３】 前記工程ｃ）の後にさらなる工程とし
て、 ｉ）前記トランジスタを850℃から1100℃の間の温度で3
0から60分間加熱することによって該工程ｃ）において
注入される前記ドーパントを拡散させることにより、前
記注入角度が浅い場合に非対称チャネル領域が形成され
る工程を包含する、請求項１に記載のMOSトランジスタ
の製造方法。 - 【請求項１４】 前記工程ｂ）は、約0.5ミクロン未満
の長さを有するゲート電極を形成することを包含する、
請求項１に記載のMOSトランジスタの製造方法。 - 【請求項１５】 シリコン領域を有し、該シリコン領域
はソースおよびドレインならびに該シリコン領域上に位
置するゲート電極を形成するために分離された領域であ
って、該ゲート電極は該ソースから該ドレインに延びる
長さを有し、該ゲート電極は該ソースおよび該ドレイン
にそれぞれ隣接する実質的に垂直な側壁部を有するMOS
トランジスタの製造において、該ゲート電極下に位置す
る短く非対称なチャネル領域を形成するための方法であ
って、 ａ）該ソース領域に隣接する該ゲート電極の実質的に垂
直な側壁部から規定される角度を選択する工程と、 ｂ）該工程ａ）で定義された角度で、該ゲート電極下の
該ソースに隣接する該シリコン領域中にドーパントのイ
オンを注入することにより、ゲート電極長未満の長さを
有するチャネル領域を形成する工程であって、該チャネ
ル領域長は、該ゲート電極の該ソース領域に隣接する実
質的に垂直な側壁部の下から該ドレイン領域に向かって
延びている工程と、を包含し、短いチャネル長のために
該トランジスタのスイッチング速度が最大に向上され
る、MOSトランジスタの製造方法。 - 【請求項１６】 前記工程ａ）は、前記ゲート電極の前
記ソース領域に隣接する実質的に垂直な側壁部から30°
から70°の間の角度を選択することを包含する、請求項
１５に記載のMOSトランジスタの製造方法。 - 【請求項１７】 短く非対称なチャネル領域を有するNM
OSトランジスタであって、 ｎ+ソースおよびｎ+ドレインを有する分離されたシリコ
ン領域と、 該シリコン領域の上に位置するゲート電極であって、該
ソースから該ドレインに延びる長さを有し、該ソースお
よび該ドレインにそれぞれ隣接する実質的に垂直な側壁
部を有するゲート電極と、 該ゲート長未満のチャネル長を有し、該ゲートの下に位
置し、該ゲート電極の該ソースに隣接する実質的に垂直
な側壁部の下から該ドレインに向かって延びるｐシリコ
ンチャネルと、 該ゲートの下において、該ｐチャネル領域から該ドレイ
ンまで延びるｎシリコンドレイン拡張領域と、 を有することにより、短いｐチャネル領域が該ソースと
該ドレインとの間に形成されることによりドレイン容量
が最小化される、NMOSトランジスタ。 - 【請求項１８】 前記ソース領域、前記ドレイン領域、
前記チャネル領域、および前記ドレイン拡張領域は、バ
ルクシリコンおよびSIMOXからなる群より選択されたシ
リコン上に形成される、請求項１７に記載のNMOSトラン
ジスタ。 - 【請求項１９】 前記ゲート電極長は約0.5ミクロン未
満である、請求項１７に記載のNMOSトランジスタ。 - 【請求項２０】 短く非対称なチャネル領域を有するPM
OSトランジスタであって、 ｐ+ソースおよびｐ+ドレインを有する分離されたシリコ
ン領域と、 該シリコン領域の上に位置するゲート電極であって、該
ソースから該ドレインに延びる長さを有し、該ソースお
よび該ドレインにそれぞれ隣接する実質的に垂直な側壁
部を有するゲート電極と、 該ゲート長未満のチャネル長を有し、該ゲートの下に位
置し、該ゲート電極の該ソースに隣接する実質的に垂直
な側壁部の下から該ドレインに向かって延びるｎシリコ
ンチャネル領域と、 該ゲートの下において、該ｎチャネル領域から該ドレイ
ンまで延びるｐシリコンドレイン拡張領域と、 を有することにより、短いｎチャネル領域が該ソースと
該ドレインとの間に形成されることによりドレイン容量
が最小化される、PMOSトランジスタ。 - 【請求項２１】 前記ソース領域、前記ドレイン領域、
前記チャネル領域、および前記ドレイン拡張領域は、バ
ルクシリコンおよびSIMOXからなる群より選択されたシ
リコン上に形成される、請求項２０に記載のPMOSトラン
ジスタ。 - 【請求項２２】 前記ゲート電極長は約0.5ミクロン未
満である、請求項２０に記載のPMOSトランジスタ。 - 【請求項２３】 短く非対称なチャネル領域を有するMO
Sトランジスタであって、該MOSトランジスタはNMOSトラ
ンジスタおよびPMOSトランジスタからなる群より選択さ
れ、該MOSトランジスタは、 ソースおよびドレインを有する分離されたシリコン領域
と、 該シリコン領域の上に位置するゲート電極であって、該
ソースから該ドレインに延びる長さを有し、該ソースお
よび該ドレインにそれぞれ隣接する実質的に垂直な側壁
部を有するゲート電極と、 該ゲート長未満のチャネル長を有し、該ゲートの下に位
置し、該ゲート電極の該ソースに隣接する実質的に垂直
な側壁部の下から該ドレインに向かって延びるシリコン
チャネル領域であって、該ゲート電極の該ソースに隣接
する実質的に垂直な側壁部から規定される所定の角度で
ドーパントのイオンを該チャネル領域中に注入すること
によって形成されるチャネル領域と、 該ゲートの下において、該チャネル領域から該ドレイン
まで延びるシリコンドレイン拡張領域と、 を有することにより、短いチャネル領域が該ソースと該
ドレインとの間に形成されることによりドレイン容量が
最小化される、MOSトランジスタ。 - 【請求項２４】 前記トランジスタの該ソース領域、該
ドレイン領域、および該ゲート領域上に位置する酸化層
であって、該酸化物を通って該ソース領域、該ドレイン
領域、および該ゲート領域に達するコンタクトホールを
有する酸化物層と、 独立に該ソース、該ドレイン、および該ゲートと電気的
接続を形成するための、該コンタクトホール中に位置す
る金属と、 をさらに有することにより、該トランジスタが他の電気
回路と連絡される、請求項２３に記載のMOSトランジス
タ。 - 【請求項２５】 前記MOSトランジスタはNMOSトランジ
スタであり、前記チャネル領域は、ホウ素およびＢＦ2
からなる群より選択されるドーパントを注入することに
よって形成され、イオン量は１×1013/cm2から１×1014
/cm2の間であり、イオンエネルギーレベルは、該ドーパ
ントがホウ素の場合は２ keVから30 keVの間であり、該
ドーパントがＢＦ2の場合は10 keVから150 keVの間であ
ることにより、短いｐ型チャネル領域を形成された、請
求項２３に記載のMOSトランジスタ。 - 【請求項２６】 前記ドレイン領域は、前記チャネル領
域を形成するための斜めイオン注入中においてマスキン
グされることにより、前記ドレインへのドーパントイオ
ンの注入を防ぐ、請求項２３に記載のMOSトランジス
タ。 - 【請求項２７】 前記イオン注入角度は、前記ゲート電
極の前記ソースに隣接する実質的に垂直な側壁部から30
°から70°の間である、請求項２３に記載のMOSトラン
ジスタ。 - 【請求項２８】 前記角度は約60°である、請求項２７
に記載のMOSトランジスタ。 - 【請求項２９】 前記MOSトランジスタはPMOSトランジ
スタであり、前記チャネル領域はリンおよびヒ素からな
る群より選択されるドーパントを用いて形成され、イオ
ン量は１×1013/cm2から１×1014/cm2の間の範囲であ
り、イオンエネルギーレベルは、該ドーパントがリンの
場合は10 keVから100 keVの間の範囲であり、該ドーパ
ントがヒ素の場合は20 keVから200 keVの間の範囲であ
ることにより、短いｎ型チャネル領域が形成される、請
求項２３に記載のMOSトランジスタ。 - 【請求項３０】 前記ソース領域、前記ドレイン領域、
前記チャネル領域、および前記ドレイン拡張領域は、バ
ルクシリコンおよびSIMOXからなる群より選択されたシ
リコン上に形成される、請求項２３に記載のMOSトラン
ジスタ。 - 【請求項３１】 前記トランジスタを850℃から1100℃
の間の温度で30から60分間加熱することによって注入さ
れる前記ドーパントを拡散させることにより、前記イオ
ン注入角度が浅い場合に非対称チャネル領域が形成され
る、請求項２３に記載のMOSトランジスタ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/918.678 | 1997-08-21 | ||
| US08/918,678 US5891782A (en) | 1997-08-21 | 1997-08-21 | Method for fabricating an asymmetric channel doped MOS structure |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1197709A true JPH1197709A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=25440770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10195720A Pending JPH1197709A (ja) | 1997-08-21 | 1998-07-10 | Ｍｏｓトランジスタおよびその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5891782A (ja) |
| EP (2) | EP1605501A1 (ja) |
| JP (1) | JPH1197709A (ja) |
| KR (1) | KR100276775B1 (ja) |
| DE (1) | DE69836941T2 (ja) |
| TW (1) | TW447024B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113066857A (zh) * | 2021-03-24 | 2021-07-02 | 中国科学技术大学 | 高品质因数氧化镓晶体管及其制备方法 |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6027978A (en) * | 1997-01-28 | 2000-02-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of making an IGFET with a non-uniform lateral doping profile in the channel region |
| JP4242461B2 (ja) * | 1997-02-24 | 2009-03-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US6605845B1 (en) * | 1997-09-30 | 2003-08-12 | Intel Corporation | Asymmetric MOSFET using spacer gate technique |
| US6180983B1 (en) * | 1998-07-17 | 2001-01-30 | National Semiconductor Corporation | High-voltage MOS transistor on a silicon on insulator wafer |
| US6291325B1 (en) * | 1998-11-18 | 2001-09-18 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Asymmetric MOS channel structure with drain extension and method for same |
| US6482724B1 (en) * | 1999-09-07 | 2002-11-19 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit asymmetric transistors |
| KR100374551B1 (ko) * | 2000-01-27 | 2003-03-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 및 그 제조방법 |
| US6667512B1 (en) | 2000-01-28 | 2003-12-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Asymmetric retrograde halo metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) |
| US6274441B1 (en) | 2000-04-27 | 2001-08-14 | International Business Machines Corporation | Method of forming bitline diffusion halo under gate conductor ledge |
| US7217977B2 (en) * | 2004-04-19 | 2007-05-15 | Hrl Laboratories, Llc | Covert transformation of transistor properties as a circuit protection method |
| SE519382C2 (sv) | 2000-11-03 | 2003-02-25 | Ericsson Telefon Ab L M | Integrering av självinriktade MOS-högspänningskomponenter samt halvledarstruktur innefattande sådana |
| US6803317B2 (en) * | 2002-08-16 | 2004-10-12 | Semiconductor Components Industries, L.L.C. | Method of making a vertical gate semiconductor device |
| US7049667B2 (en) | 2002-09-27 | 2006-05-23 | Hrl Laboratories, Llc | Conductive channel pseudo block process and circuit to inhibit reverse engineering |
| AU2003293540A1 (en) * | 2002-12-13 | 2004-07-09 | Raytheon Company | Integrated circuit modification using well implants |
| US7242063B1 (en) | 2004-06-29 | 2007-07-10 | Hrl Laboratories, Llc | Symmetric non-intrusive and covert technique to render a transistor permanently non-operable |
| US8168487B2 (en) * | 2006-09-28 | 2012-05-01 | Hrl Laboratories, Llc | Programmable connection and isolation of active regions in an integrated circuit using ambiguous features to confuse a reverse engineer |
| WO2010085241A1 (en) * | 2009-01-20 | 2010-07-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Multilayer memristive devices |
| US8895327B1 (en) | 2011-12-09 | 2014-11-25 | Suvolta, Inc. | Tipless transistors, short-tip transistors, and methods and circuits therefor |
| US9653617B2 (en) | 2015-05-27 | 2017-05-16 | Sandisk Technologies Llc | Multiple junction thin film transistor |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0479424U (ja) * | 1990-11-23 | 1992-07-10 | ||
| EP0588370A3 (en) * | 1992-09-18 | 1994-06-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacturing method of thin film transistor and semiconductor device utilized for liquid crystal display |
| JP3343968B2 (ja) * | 1992-12-14 | 2002-11-11 | ソニー株式会社 | バイポーラ型半導体装置およびその製造方法 |
| JPH07106512A (ja) * | 1993-10-04 | 1995-04-21 | Sharp Corp | 分子イオン注入を用いたｓｉｍｏｘ処理方法 |
| US5401982A (en) * | 1994-03-03 | 1995-03-28 | Xerox Corporation | Reducing leakage current in a thin-film transistor with charge carrier densities that vary in two dimensions |
| TW304301B (ja) * | 1994-12-01 | 1997-05-01 | At & T Corp | |
| US5510279A (en) * | 1995-01-06 | 1996-04-23 | United Microelectronics Corp. | Method of fabricating an asymmetric lightly doped drain transistor device |
| JP3193845B2 (ja) * | 1995-05-24 | 2001-07-30 | シャープ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| DE19710487A1 (de) * | 1996-03-13 | 1997-09-18 | Toshiba Kawasaki Kk | Halbleitervorrichtung |
-
1997
- 1997-08-21 US US08/918,678 patent/US5891782A/en not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-07-10 JP JP10195720A patent/JPH1197709A/ja active Pending
- 1998-07-31 TW TW087112634A patent/TW447024B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-08-05 DE DE69836941T patent/DE69836941T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-08-05 EP EP05016748A patent/EP1605501A1/en not_active Ceased
- 1998-08-05 EP EP98306253A patent/EP0898304B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-21 KR KR1019980033933A patent/KR100276775B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113066857A (zh) * | 2021-03-24 | 2021-07-02 | 中国科学技术大学 | 高品质因数氧化镓晶体管及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0898304A3 (en) | 2000-06-14 |
| US5891782A (en) | 1999-04-06 |
| DE69836941D1 (de) | 2007-03-15 |
| TW447024B (en) | 2001-07-21 |
| EP0898304A2 (en) | 1999-02-24 |
| EP0898304B1 (en) | 2007-01-24 |
| EP1605501A1 (en) | 2005-12-14 |
| KR19990023765A (ko) | 1999-03-25 |
| KR100276775B1 (ko) | 2001-03-02 |
| DE69836941T2 (de) | 2007-10-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6291325B1 (en) | Asymmetric MOS channel structure with drain extension and method for same | |
| KR100230610B1 (ko) | 자기정렬된 웰탭을 지니는 bicmos 디바이스 및 그 제조방법 | |
| US5510279A (en) | Method of fabricating an asymmetric lightly doped drain transistor device | |
| US6022778A (en) | Process for the manufacturing of integrated circuits comprising low-voltage and high-voltage DMOS-technology power devices and non-volatile memory cells | |
| US6391723B1 (en) | Fabrication of VDMOS structure with reduced parasitic effects | |
| JPH1197709A (ja) | Ｍｏｓトランジスタおよびその製造方法 | |
| US4908327A (en) | Counter-doped transistor | |
| KR20000022709A (ko) | 전계 효과 트랜지스터와 반도체 구조물 및 그의 제조 방법 | |
| JPH04226066A (ja) | Ｂｉｃｍｏｓ装置及びその製造方法 | |
| US5244823A (en) | Process for fabricating a semiconductor device | |
| US20030052347A1 (en) | Method of reducing the extrinsic body resistance in a silicon-on-insulator body contacted MOSFET | |
| JPH06204484A (ja) | 高速低ゲ−ト／ドレイン容量ｄｍｏｓデバイス | |
| JPH04276653A (ja) | 集積回路デバイスの製造プロセス | |
| US5389553A (en) | Methods for fabrication of transistors | |
| JPH04226064A (ja) | 半導体装置用の相互接続体及びその製造方法 | |
| KR100223600B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20010076661A (ko) | 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
| US4966858A (en) | Method of fabricating a lateral semiconductor structure including field plates for self-alignment | |
| US20010002058A1 (en) | Semiconductor apparatus and method of manufacture | |
| US6440788B2 (en) | Implant sequence for multi-function semiconductor structure and method | |
| US6362025B1 (en) | Method of manufacturing a vertical-channel MOSFET | |
| US6261885B1 (en) | Method for forming integrated circuit gate conductors from dual layers of polysilicon | |
| KR100276744B1 (ko) | Ldd구조를 갖는 반도체 장치와 그 제조방법 | |
| US6576521B1 (en) | Method of forming semiconductor device with LDD structure | |
| JP2836515B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050401 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050628 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20050928 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050928 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050928 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20051004 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051108 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060620 |