JPH1197398A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JPH1197398A
JPH1197398A JP25848197A JP25848197A JPH1197398A JP H1197398 A JPH1197398 A JP H1197398A JP 25848197 A JP25848197 A JP 25848197A JP 25848197 A JP25848197 A JP 25848197A JP H1197398 A JPH1197398 A JP H1197398A
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JP
Japan
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substrate
processing liquid
processing
horizontal direction
guide member
Prior art date
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JP25848197A
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English (en)
Inventor
Koji Kizaki
幸治 木▲崎▼
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の表面全体に対して均一に処理液を供給
することにより、基板に処理ムラを生じさせないこと。 【解決手段】 処理槽21の内部には、複数のノズル2
2a,22b,22cと、それぞれのノズルに対応して
処理液案内部材23a,23b,23cが設けられてい
る。処理液案内部材23a,23b,23cの上部に
は、樋状部231a,231b,231cが設けられて
おり、各ノズル22a,22b,22cから供給される
処理液を水平方向(Y方向)に均一な状態とする。ま
た、処理液案内部材23a,23b,23cの下部は、
基板Wの表面と略平行かつ一定間隔を有するように近接
した状態に設けられている。各ノズルより供給される処
理液は、処理液案内部材の樋状部に溜まり、そして処理
液案内部材の下部と基板Wとの隙間に水平方向について
の均一性を維持しつつ流れ込む。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体基板,液
晶表示装置またはプラズマ表示装置用ガラス基板などの
薄板状の精密基板(以下、単に「基板」という)を製造
する際に、基板に対して処理液を用いて所定の処理を施
す基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年における基板の大型化に伴い、基板
処理装置においては、処理対象の基板を略鉛直または傾
斜して立てた状態(本明細書では「縦姿勢」と総称す
る)で搬送および処理を行うようになっている。
【0003】このような従来の基板処理装置において、
基板に対して所定の処理液で処理を行う際、処理槽の中
に基板を縦姿勢で保持し、現像液、エッチング液、剥離
液、リンス液等の所定の処理液をスプレーノズル又はス
リットノズルにより基板面に対して吐出することによ
り、所定の処理を行う装置があった。
【0004】図11は、このような従来の基板処理装置
を示す概略側面図である。図11に示すように、吸着プ
レート312が基板Wを縦姿勢で保持し、吸着プレート
312に接続された搬送アーム311が鉛直方向である
Z軸方向に沿って上下駆動することにより、基板Wを処
理槽301の内部に搬入したり搬出したりすることがで
きる。処理槽301の内部には、基板Wに対して処理液
を供給するための複数のノズル302a,302b,3
02cが設けられている。
【0005】このような構成において、搬送アーム31
1が処理対象の基板Wを処理槽301の内部に搬入し、
図11に示す位置で停止する。その後、各ノズル302
a,302b,302cから処理液が基板Wの表面に吐
出されて処理が開始される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図11に示
すような従来の基板処理装置で基板Wに対する処理を行
うと、基板Wの表面全体に対して均一な処理を行うこと
ができない。図12は、従来の基板処理装置の処理液の
流れを示す説明図であり、斜線領域は基板Wに供給され
た処理液を示している。図12に示すように、基板Wに
対して各ノズル302a,302b,302cから供給
された処理液が基板面に沿って流下する過程において、
処理液が基板Wの下方に流れるのに従って次第に流れの
幅が狭くなり、基板Wの表面に処理液が十分に流れない
部分が生じる。従って、上記のように基板Wの表面全体
に対して均一な処理を施すことができず、基板Wに処理
ムラが発生するという問題が生じていた。
【0007】この発明は、上記課題に鑑みてなされたも
のであって、基板の表面全体に対して均一に処理液を供
給することができ、処理ムラを生じさせない基板処理装
置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1に記載の発明は、処理対象の基板を略鉛直
または傾斜して立てた縦姿勢で処理液による所定の処理
を行う装置であって、(a) 前記基板を前記縦姿勢で保持
する基板保持手段と、(b) 前記基板の表面に対して前記
処理液を供給する処理液供給手段と、(c) 前記処理液供
給手段の下方において前記基板の表面と近接した位置に
設けられ、前記基板に対して供給された前記処理液を基
板表面に案内する処理液案内部材とを備えている。
【0009】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の装置において、前記処理液供給手段は、略水平方向に
沿って基板表面に処理液を供給することを特徴としてい
る。
【0010】請求項3に記載の発明は、請求項1又は2
に記載の装置において、前記処理液案内部材は、前記処
理液供給手段によって供給された処理液を受けるととも
に、前記処理液を基板表面に沿って略水平方向に流動さ
せる樋状部を有することを特徴としている。
【0011】請求項4に記載の発明は、請求項1乃至3
のいずれかに記載の装置において、前記処理液供給手段
と前記処理液案内部材との組を前記縦姿勢における上下
方向に沿って複数組備えている。
【0012】
【発明の実施の形態】
<1.装置の全体構成>まず、この発明の実施の形態に
おける基板処理装置の全体構成について説明する。図1
は、この発明の実施の形態における基板処理装置100
の全体構成図である。図1に示すように、カセット載置
台101の上に複数枚の基板Wが収納されたカセットC
が複数個が載置される。そして、インデクサロボットI
Rが基板Wを1枚ずつ取り出し、基板搬送ロボットTR
との受け渡しを行う受渡部102に搬送する。基板搬送
ロボットTRは、受渡部102から基板Wを1枚ずつ受
け取り、複数の処理槽で構成される処理部110に基板
Wを順次に搬送する。複数の処理槽には、現像液や洗浄
液などの種々の処理液が収容されており、各処理槽で基
板Wに対する浸漬処理が行われる。そして、処理部11
0の全ての処理槽で所定の浸漬処理が終了すると、基板
搬送ロボットTRは、図示しない後段の処理部等とのイ
ンターフェイス部分となる受渡部103に基板Wを搬送
する。
【0013】<2.基板搬送ロボットの構成>次に、基
板搬送ロボットTRについて説明する。図2は、基板搬
送ロボットTRを示す斜視図である。
【0014】図2の基板搬送ロボットTRは、搬送アー
ム11をX軸およびZ軸に沿って移動させることが可能
なように構成されている。X軸方向の移動は、ボールネ
ジ16を回転させることにより行われ、X軸方向に設け
られたガイドレール17に沿って基台19が移動する。
また、Z軸方向の移動は、基台19上のモータ18の駆
動によりボールネジ15が回転し、このボールネジ15
の回転に伴って搬送アーム11がY軸方向に伸びた状態
で上昇又は下降することが可能なように構成されてい
る。
【0015】搬送アーム11には基板Wを吸着保持する
ための吸着プレート12が設けられている。この吸着プ
レート12には、基板Wを吸着するための複数の吸着口
121が設けられており、これら複数の吸着口121に
よって基板Wを真空吸着することにより、基板Wを縦姿
勢で保持することが可能となっている。
【0016】<3.処理槽の構成および基板の処理>次
に、処理対象の基板を処理液中に浸漬させる処理槽につ
いて説明する。図3は、処理槽の構成を示す図である。
【0017】図3に示すように処理槽21には、基板W
に処理液を供給するための処理液供給手段として機能す
るノズル22a,22b,22cが設けられている。ノ
ズル22a,22b,22cとしては、図4(b)にそ
の一部を拡大して示すように水平方向にスリット状の孔
が設けられたスリットノズル、同じく図4(c)に示す
ように水平方向に配列した複数の噴出口から処理液を霧
状又はシャワー状に噴出するスプレーノズル、又は一般
的な吐出口より処理液を供給する直水ノズル等が適用で
きる。
【0018】また、処理槽21の下部には、処理液を回
収するための管24が設けられている。さらに、処理槽
21の内部には、ノズル22a,22b,22cのそれ
ぞれから供給される処理液を基板Wの表面に対して略均
一に接触させるための処理液案内部材23a,23b,
23cが設けられている。なお、各ノズルや各処理液案
内部材は、図示しない支持部材によって処理槽21の内
部に固定されている。
【0019】処理対象の基板Wは、上記の基板搬送ロボ
ットTRの搬送アーム11に固着された吸着プレート1
2によって縦姿勢で吸着された状態で処理槽21内に搬
入され、所定の処理位置で停止する。吸着プレート12
は、所定の処理液による基板Wに対する処理が終了する
まで基板Wを所定位置で保持することにより、基板保持
手段として機能する。
【0020】図4(a)は、処理槽21の内部のノズル
22a,22b,22cと処理液案内部材23a,23
b,23cと基板Wを示す図である。図4(a)に示す
ように、処理液案内部材23a,23b,23cの幅
(Y方向の長さ)は、基板Wの幅よりも大きく構成され
ている。ノズル22a,22b,22cの幅についても
基板Wの幅よりも大きく構成されている。従って、スリ
ットノズルなどを使用すると水平方向に沿って基板表面
に処理液を供給することができ、処理液の供給ムラが生
じない。また、各ノズル22a,22b,22cには、
それぞれ処理液が供給されるための管221a,221
b,221cが設けられている。
【0021】なお、ノズル22a,22b,22cは、
スリットノズルやスプレーノズルである場合は、図4
(a)に示すように基板Wの表面に略平行に、かつ、水
平方向(Y軸方向)に沿って設けられる。
【0022】処理液案内部材23a,23b,23c
は、断面が「く」の字状の形状をしており、折曲部より
上部は、ノズル22a,22b,22cのそれぞれから
供給される処理液を受けるとともに処理液を基板表面に
沿って略水平方向に流動させる樋状部231a,231
b,231cを形成する。従って、ノズル22a,22
b,22cのそれぞれから供給される処理液の供給ムラ
が水平方向について生じていても、樋状部231a,2
31b,231cを有することにより水平方向に均一な
処理液の分布を得ることができる。また、折曲部より下
部は、基板Wと近接した状態で基板面に略平行となるよ
うに設けられ、処理液を基板表面の全域に亘って均一に
接触するように機能する。
【0023】このような構成で、基板Wに対して処理液
を供給する場合について説明する。図5および図6は、
この発明の実施の形態における基板の処理状況を示す説
明図である。図5に示すように、ノズル22a,22
b,22cから処理液が処理液案内部材23a,23
b,23cの上部の樋状部231a,231b,231
cに供給される。そして樋状部231aにおいては、図
6に示すように、処理液が水平方向(Y方向)に沿って
流動する。そして、水平方向において均一に処理液が処
理液案内部材23a,23b,23cと基板Wとの間に
流れ込む。そして、処理液案内部材23と基板Wとは近
接した位置において略一定の間隔であるため、処理液は
処理液案内部材23と基板Wとの間を表面張力で処理液
がムラ無く広がった状態で流下する。
【0024】処理液案内部材23と基板Wとの間隔は、
使用する処理液に応じて適切となる間隔とすれば良い。
例えば、フォトレジストの現像液の場合では、現像液の
消費量を極端に多くしないようにするためには3mm程
度以下が適当である。また、処理液案内部材23と基板
Wとが接近しすぎると、搬送アーム11による基板Wの
搬送動作の際などに両者が接触する懸念が生じるため、
両者の間隔は通常0.5mm程度が適当ある。しかし、
両者が接触せず、かつ、両者の間隔における処理液の流
動が不均一とならない場合であれば、0.1mm程度ま
で接近させても良い。
【0025】また、図7は、ノズル22a,22b,2
2cを一般的な吐出口より処理液を供給する直水ノズル
で構成した場合を示している。この場合も、処理液は、
ノズル22a,22b,22cより水平方向について1
箇所から供給されているが、それぞれの処理液案内部材
23a,23b,23cの上部の樋状部231a,23
1b,231cにより、処理液は水平方向に流動して均
一な状態となっている。従って、この場合も処理液がム
ラ無く広がった状態で流下する。
【0026】このように、この実施の形態に示す基板処
理装置を使用すると、基板Wの表面全体に均一に処理液
を流すことができ、処理ムラを生じさせることがなく基
板Wを処理することが可能となる。
【0027】次に、上記とは異なる構成として、図8に
示す形態の処理槽31も適用することができる。
【0028】図8に示す処理槽31の内部には、空気圧
等の変化によって膨張収縮する膨張収縮膜37が設けら
れており、その膨張収縮膜37には膨張又は収縮する動
作に伴ってX軸に沿って移動するプレート36が取り付
けられている。なお、プレート36は基板Wの表面と略
平行となる。また、膨張収縮膜37が膨張した際に、プ
レート36と基板Wとが接触しないようにリミッタ38
がプレート36に接続されている。そして、膨張収縮膜
37を膨張又は収縮させるために管41が圧力調整装置
42に導かれている。
【0029】また、処理槽31内部の膨張収縮膜37の
上方には現像液等を供給するノズル32とリンス液等を
供給するノズル33が設けられている。従って、この処
理槽31では、2種類の異なる処理液を基板Wに対して
供給することが可能である。
【0030】さらに、処理槽31の下部には処理液を排
出するための管34が設けられており、処理槽31の上
部には処理液による処理が終了した基板Wを処理槽31
から搬出する際にエアを吹き付けて基板Wを乾燥させる
ためのエアナイフ35と、排気を行うための排気管43
が設けられている。
【0031】このような構成において、まず、基板搬送
ロボットの搬送アーム11に取り付けられている吸着プ
レート12が基板Wを保持した状態で処理槽31の内部
に搬送し、所定の位置で停止する。そして、圧力調整装
置42が作動し、収縮状態の膨張収縮膜37を膨張させ
る。その結果、プレート36と基板Wとは略一定の間隔
で近接した状態となる。そして、例えば現像液をノズル
32より供給する。このとき、膨張収縮膜37は、上記
の処理液案内部材の樋状部と同様の作用をし、現像液を
Y軸に沿った方向に流動させて均一にすることができ
る。また、プレート36と基板Wとの間は、近接した位
置において略一定の間隔であるため、現像液はプレート
36と基板Wとの間を表面張力で現像液がムラ無く広が
った状態で流下する。従って、基板Wの表面全体に均一
に現像液を流すことができ、現像ムラを生じさせること
がなく基板Wを現像することが可能となる。
【0032】そして、現像液による処理を終了すると、
次に、基板Wに付着した現像液を洗浄するためにリンス
液をノズル33から供給する。リンス液も上記の現像液
と同様にプレート36と基板Wとの間をムラ無く広がっ
た状態で流下するため、基板Wの表面全体に均一にリン
ス液を流すことができ、処理ムラを生じさせることがな
く基板Wをリンスすることが可能となる。
【0033】そして、現像液やリンス液等の処理液によ
る処理を終了すると、膨張収縮膜37は収縮し、基板W
を処理槽31から搬出するために搬送アーム11がZ方
向に駆動される。このとき、エアナイフ35が動作し、
Z方向に移動する基板Wに対してエアを吹き付ける。
【0034】以上のようにして基板処理を行うが、図8
に示す構成である場合は、基板Wの表面全体に均一に処
理液を流すことができ、処理ムラを生じさせることがな
く基板Wを処理することが可能となるとともに、処理液
案内部材として機能するプレート36や膨張収縮膜37
が膨張又は収縮することが可能であるので、さらに基板
Wの搬送を容易に行うことが可能となる。
【0035】なお、図8に示す構成において、基板Wの
両面に対して処理液を供給したい場合は、基板Wの両面
に膨張収縮膜37とプレート36とを設け、基板Wの保
持する保持手段は、基板Wの上端のみを吸着又は把持す
るように構成すれば良い。
【0036】<4.変形例>図3に示した処理槽21の
構成を、図9に示すように処理液案内部材23a,23
b,23cのそれぞれに複数のノズル(221aと22
2a,221bと222b,221cと222c)を設
けるように構成しても良い。これにより、図8に示した
場合と同様に、複数種類の処理液を基板Wに供給するこ
とができる。
【0037】また、図10に示すように、基板Wを傾斜
させた状態で処理液による処理を行うようにしても良
い。このように傾斜を設けることにより、処理液が基板
Wの表面に沿って流れやすくなり、基板Wの処理の均一
性がさらに向上する。
【0038】また、図3の構成では、ノズルと処理液案
内部材とを縦姿勢における上下方向に沿ってそれぞれ3
個が設けられていたが、これに限定するものではなく、
それぞれ少なくとも1個であれば良い。但し、基板Wに
対する処理の均一性ということを考慮すると、複数個設
けられることが好ましい。
【0039】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1に記載の
発明によれば、基板の表面と近接した位置に処理液案内
部材が設けられ、処理液供給手段より供給される処理液
が処理液案内部材によって基板表面に案内されるため、
基板保持手段によって保持された基板の表面全体に均一
に処理液を供給することができ、処理ムラを生じさせる
ことがなく基板を処理することが可能となる。
【0040】請求項2に記載の発明によれば、処理液供
給手段は、水平方向に沿って基板表面に処理液を供給す
るため、水平方向に均一に処理液を供給することがで
き、処理ムラを生じさせることがなく基板を処理するこ
とが可能となる。
【0041】請求項3に記載の発明によれば、処理液案
内部材は、処理液供給手段によって供給された処理液を
受けるとともに、処理液を基板表面に沿って略水平方向
に流動させる樋状部を有するため、処理液供給手段から
供給される処理液に水平方向についての供給ムラが生じ
ていても、水平方向に均一な処理液の分布を得ることが
できる。
【0042】請求項4に記載の発明によれば、処理液供
給手段と処理液案内部材との組を縦姿勢における上下方
向に沿って複数組備えるため、基板の表面全体に均一に
処理液を供給することができ、処理ムラを生じさせるこ
とがなく基板を処理することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態における基板処理装置の
全体構成を示す概略図である。
【図2】この発明の実施の形態における基板搬送ロボッ
トを示す斜視図である。
【図3】この発明の実施の形態における処理槽の構成を
示す図である。
【図4】この発明の実施の形態における処理槽の内部の
ノズルと処理液案内部材と基板を示す図である。
【図5】この発明の実施の形態における基板の処理状況
を示す説明図である。
【図6】この発明の実施の形態における基板の処理状況
を示す説明図である。
【図7】この発明の実施の形態における基板の処理状況
を示す説明図である。
【図8】この発明の実施の形態における図3とは異なる
処理槽の構成を示す図である。
【図9】この発明の実施の形態における処理槽の構成を
示す図である。
【図10】この発明の実施の形態における処理槽の構成
を示す図である。
【図11】従来の基板処理装置を示す概略側面図であ
る。
【図12】従来の基板処理装置の処理液の流れを示す説
明図である。
【符号の説明】
11 搬送アーム 12 吸着プレート 21,31 処理槽 22a,22b,22c,32,33 ノズル 23a,23b,23c 処理液案内部材 231a,231b,231c 樋状部 36 プレート 37 膨張収縮膜 W 基板

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 処理対象の基板を略鉛直または傾斜して
    立てた縦姿勢で処理液による所定の処理を行う装置であ
    って、 (a) 前記基板を前記縦姿勢で保持する基板保持手段と、 (b) 前記基板の表面に対して前記処理液を供給する処理
    液供給手段と、 (c) 前記処理液供給手段の下方において前記基板の表面
    と近接した位置に設けられ、前記基板に対して供給され
    た前記処理液を基板表面に案内する処理液案内部材と、
    を備えることを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の装置において、 前記処理液供給手段は、略水平方向に沿って基板表面に
    処理液を供給することを特徴とする基板処理装置。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2に記載の装置において、 前記処理液案内部材は、前記処理液供給手段によって供
    給された処理液を受けるとともに、前記処理液を基板表
    面に沿って略水平方向に流動させる樋状部を有すること
    を特徴とする基板処理装置。
  4. 【請求項4】 請求項1乃至3のいずれかに記載の装置
    において、 前記処理液供給手段と前記処理液案内部材との組を前記
    縦姿勢における上下方向に沿って複数組備えることを特
    徴とする基板処理装置。
JP25848197A 1997-09-24 1997-09-24 基板処理装置 Pending JPH1197398A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6807972B2 (en) * 2002-03-29 2004-10-26 Applied Materials, Inc. Gutter and splash-guard for protecting a wafer during transfer from a single wafer cleaning chamber

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6807972B2 (en) * 2002-03-29 2004-10-26 Applied Materials, Inc. Gutter and splash-guard for protecting a wafer during transfer from a single wafer cleaning chamber

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