JPH1196069A - メモリ動作制御方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 コンピュータに装着されたメモリの動作を制
御する方法において、パーソナルコンピュータやワーク
ステーション等を旧製品から新製品に買い替えた場合、
旧製品で使っていたＳＩＭＭやＤＩＭＭ等のメモリを新
製品のパーソナルコンピュータ等に移し、その拡張メモ
リとしてエラーなく使えるようにし、全メモリを新製品
（高性能メモリ）に揃え直す必要をなくしてコスト上の
負担増大を回避する。 【解決手段】 コンピュータに装着されたメモリの構
成、性能を判別してそのメモリが正常動作するメモリ動
作制御用パラメータを設定し、そのパラメータでそのメ
モリを動作させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、パーソナルコンピ
ュータ、ワークステーション、汎用コンピュータ等のコ
ンピュータ、主としてパーソナルコンピュータやワーク
ステーションに装着されたメモリの動作を制御する方法
に係り、特に、メモリの全部又は一部をそれまで使用し
ていたメモリとは異なるメモリに変更しても、あるいは
基本メモリと後から増設した拡張メモリとで構成、性能
が異なる場合でもそれらの使用を可能とするメモリ動作
制御方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】標準化されたボードサイズ、ピン配置の
メモリ、例えばＳＩＭＭやＤＩＭＭを拡張メモリとして
使用するパーソナルコンピュータにおいて、ボードサイ
ズ、ピン配置は同一ながら、異なる動作スピードのメモ
リボードを使うためのメモリの動作制御方法としては、
従来、特開昭５６−３３７５３号公報に記載のものがあ
る。これは、ページ及び番地を自在に切換え使用するこ
とを可能にし、利用効率の向上やソフトウェアの負担を
軽減する方式で、コンピュータに初めから搭載されてい
る基本メモリ及びその後に増設される拡張メモリの全て
が同一のスピードで動作することを前提としている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、基
本メモリ及び拡張メモリの全てが同一のスピードで動作
することを前提としているために次のような問題点があ
った。すなわち、新製品のパーソナルコンピュータで
は、その性能向上のため常に最新のメモリを採用し、最
新のメモリ性能に適したスピード（アクセスタイム）で
動作させており、タイミング仕様も多くの場合に旧製品
とは異なる。また、その異なる程度も、最近のメモリの
性能向上が著しいことから極めて顕著である。

【０００４】このため、ＳＩＭＭやＤＩＭＭ等、外形サ
イズ、ピン配置等に標準化が進み互換性がある場合であ
っても、旧製品で使用していたＳＩＭＭやＤＩＭＭを新
製品のパーソナルコンピュータに移し、その拡張メモリ
として使おうとしても構成、性能が合致せず使用できな
いことが多い。したがって、パーソナルコンピュータを
新製品に買い替えた場合、その拡張メモリについても新
たに購入することが必須となり、コスト上の負担が多大
なものとなった。

【０００５】本発明の目的は、メモリの全部又は一部を
それまで使用していたメモリとは構成、性能の異なるメ
モリに変更しても、あるいは基本メモリと後から増設し
た拡張メモリとで構成、性能が異なる場合でもそれらの
使用が可能、例えば新旧製品間におけるような構成、性
能の異なるメモリの混在使用が可能、特にパーソナルコ
ンピュータやワークステーションを旧製品から新製品に
買い替えた場合、旧製品で使っていたＳＩＭＭやＤＩＭ
Ｍ等のメモリを新製品のパーソナルコンピュータ等に移
し、その拡張メモリとしてエラーなく使うことが可能
で、コスト上の負担増大を回避することのできるメモリ
動作制御方法を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的は、コンピュー
タに装着されたメモリの動作を制御する方法において、
前記メモリの構成、性能を判別してそのメモリが正常動
作するメモリ動作制御用パラメータを設定し、そのパラ
メータでそのメモリを動作させることにより達成され
る。

【０００７】コンピュータ、例えばパーソナルコンピュ
ータは、電源ＯＮ（システム立上げ）時にメモリのチェ
ックを行う。本発明方法では、この際、メモリの構成、
性能の判別を行い、メモリ、特に拡張メモリが正常動作
するメモリ動作制御用パラメータを拡張メモリの動作制
御に設定してそのメモリを動作させる。これによれば、
メモリ構成、性能判別以後、各メモリはエラーなく動作
し、各メモリに構成や性能の違い、特にアクセススピー
ドやメモリ動作制御のタイミング仕様等の性能に違いが
あっても全てメモリとして使用が可能となる。したがっ
て、例えば新旧製品間におけるような構成、性能の異な
るメモリの混在使用が可能、特にパーソナルコンピュー
タやワークステーションを旧製品から新製品に買い替え
た場合、旧製品で使っていたＳＩＭＭやＤＩＭＭ等のメ
モリを新製品のパーソナルコンピュータ等に移し、その
拡張メモリとしてエラーなく使うことが可能となり、全
メモリを新製品に揃え直す必要がなくなり、コスト上の
負担増大が回避される。

【０００８】また上記目的は、コンピュータに装着され
たメモリの動作を制御する方法において、各メモリバン
ク毎に、前記メモリの構成、性能を判別してそのメモリ
が正常動作するメモリ動作制御用パラメータを設定し、
そのパラメータでそのメモリを動作させることにより達
成される。

【０００９】コンピュータ、例えばパーソナルコンピュ
ータは、電源ＯＮ（システム立上げ）時にメモリのチェ
ックを行う。本発明方法では、この際、各メモリバンク
毎にメモリの構成、性能の判別を行い、基本メモリにつ
いてはその高い性能に合致した基本メモリが動作するメ
モリ動作制御用パラメータを設定して動作させ、拡張メ
モリについては基本メモリとは別の拡張メモリが正常動
作するメモリ動作制御用パラメータを設定してそのメモ
リを動作させる。これによれば、メモリ構成、性能判別
以後、各メモリはエラーなく動作し、各メモリに構成や
性能の違い、特にアクセススピードやメモリ動作制御の
タイミング仕様等の性能に違いがあっても全てメモリと
して使用が可能となる。したがって、例えば新旧製品間
におけるような構成、性能の異なるメモリの混在使用が
可能、特にパーソナルコンピュータやワークステーショ
ンを旧製品から新製品に買い替えた場合、旧製品で使っ
ていたＳＩＭＭやＤＩＭＭ等のメモリを新製品のパーソ
ナルコンピュータ等に移し、その拡張メモリとしてエラ
ーなく使うことが可能となり、全メモリを新製品に揃え
直す必要がなくなり、コスト上の負担増大が回避され
る。また、各メモリバンク毎に最適なパラメータで動作
させるため、基本メモリへのアクセス時に拡張メモリの
性能に伴って基本メモリアクセスの性能低下を招くこと
も防止できる。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態を説明する。図１は、本発明によるメモリ動作制
御方法の一実施形態を示すフローチャートで、コンピュ
ータ、ここではパーソナルコンピュータにおける電源Ｏ
Ｎからメモリを認識し、メモリ制御ＬＳＩのメモリ動作
制御用パラメータ設定を完了し、コンピュータシステム
の通常動作に至るまでを示す。すなわち、パーソナルコ
ンピュータは、電源ＯＮ（ステップ１０１）後、現状流
通していると考えられる最も遅い動作スピード（アクセ
スタイム）のメモリを想定したメモリ動作制御用パラメ
ータ設定で各メモリ（メモリバンク）の構成を判別する
（ステップ１０２）。ここでは、１６ビット，３２ビッ
ト，６４ビット等のビット幅、アドレス構成，深さ（メ
モリ容量）がメモリの構成として判定される。

【００１１】メモリの構成判別方法としては、例えば次
の２つの方法がある。１つは、各メモリにつき専用の判
別ピンを用意しておいてその判別ピンからの信号を読み
取ることによりメモリ構成を判別する方法である。他
は、各メモリへのリード／ライトテストを実施しその結
果（エラー発生の有無）によりメモリ構成を判別する方
法である。ここでは後者の方法が採られている。

【００１２】次に、各メモリバンク毎に使用されている
メモリの性能を判定する（ステップ１０３）。ここで
は、４０ｎｓ，５０ｎｓ，６０ｎｓ，７０ｎｓ等のアク
セスタイム、ＥＤＯやＡＰ（ファーストモード）等のモ
ード、後述ＲＡＳ，ＣＡＳのプリチャージ，パルス幅等
のメモリ動作制御のタイミング仕様がメモリ（メモリバ
ンク）の性能として判定される。このメモリ性能判定に
おいては、予め現状流通している、又は今後流通すると
考えられる各メモリに合わせたメモリ動作制御用パラメ
ータを格納したテーブルが用いられる。

【００１３】図２はこのようなパラメータテーブルの一
例を示す。この図２に示すように、テーブルに格納して
おくメモリ動作制御用パラメータには、ここではメモリ
種別毎に２通りの値がある。すなわち、上記メモリ性能
判定のために使用する値（判定用パラメータ）と、その
後のコンピュータシステム通常動作におけるメモリ動作
制御で使用する値（システム通常動作用パラメータ）と
がある。これらのうち、判定用パラメータは判定前に格
納しておき、またシステム通常動作用パラメータは上記
メモリ性能判定後、その判定結果に適宜のマージンを含
ませた値で格納する。各パラメータは必要時にメモリ制
御ＬＳＩに設定され、メモリの動作制御に用いられる。
なお図２において、例えばアクセスタイム７０ｎｓのメ
モリにつき、Ｅ３，０３，０２，Ａ３が判定用パラメー
タ、Ｅ４，０４，０１，Ａ４がシステム通常動作用パラ
メータである。他のメモリについても、「／」線より左
側の値が判定用パラメータ、右側の値がシステム通常動
作用パラメータであり、これらは１６進数（ｈ）で表わ
した値である。設定レジスタ１〜４はそれらの値（パラ
メータ）を格納しているレジスタであり、格納された各
値は、ここでは後述ＲＡＳ，ＣＡＳの信号波形を決める
パラメータである。

【００１４】メモリ（メモリバンク）の性能判定方法と
しては、例えば上述メモリ構成判別方法と同様の２つの
方法がある。１つは、各メモリにつき専用の判別ピンを
用意しておいてその判別ピンからの信号を読み取ること
によりメモリ性能を判別する方法である。他は、各メモ
リへのリード／ライトテストを実施しその結果（エラー
発生の有無）によりメモリ性能を判別する方法である。
ここでは後者の方法が採られている。なお、最も分かり
やすいメモリのアクセススピード（アクセスタイム）判
定方法としては、コンピュータ電源ＯＮの際のＣＰＵク
ロック周波数（メモリサイクル基本クロック周波数）を
低い値から高い値に段階的に上げて行ってリードエラー
が出る直前の周波数をその判定値とする方法が挙げられ
る。

【００１５】上記判定用パラメータを用いた拡張メモリ
の性能判定（ステップ１０３）が終了すると、それによ
り得られた上記システム通常動作用パラメータがその拡
張メモリに最適なメモリ動作制御用パラメータとしてメ
モリ制御ＬＳＩに設定される（ステップ１０４）。そし
て、そのパラメータでメモリの動作制御が行われ、各メ
モリの動作状況が、それらメモリの構成、性能のコンピ
ュータモニタ画面への順次表示により表示されてユーザ
に通知され（ステップ１０５）、コンピュータシステム
の通常動作へと移る（ステップ１０６）。

【００１６】図３に上述本発明方法が適用されたパーソ
ナルコンピュータに装着されたメモリ部分の構成例を示
す。この図３において、メモリバンク（以下、ＢＡＮＫ
と記す）０〜ＢＡＮＫ５は、各々メモリ制御ＬＳＩ（図
示せず）から出力されるロウ・アドレス制御信号（以
下、ＲＡＳ（Row Address Strobeの略語）と記す）０〜
ＲＡＳ５、コラム・アドレス制御信号（以下、ＣＡＳ
（Column Address Strobeの略語）と記す）０〜ＣＡＳ
７によりアドレス決定され、リード／ライト動作を行
う。

【００１７】ＲＡＳ０，ＲＡＳ1が供給されるＢＡＮＫ
０，ＢＡＮＫ１は、パーソナルコンピュータのマザーボ
ードに初めから搭載されている高性能、特に高アクセス
スピードの基本メモリからなる。また、ＲＡＳ２〜ＲＡ
Ｓ５が供給されるＢＡＮＫ２〜ＢＡＮＫ５は、ＳＩＭ
Ｍ、ＤＩＭＭ、オンボードメモリあるいはその他のメモ
リ、ここではＳＩＭＭやＤＩＭＭにより拡張されたメモ
リ（拡張メモリ）からなる。

【００１８】上記基本メモリからなるＢＡＮＫ０，ＢＡ
ＮＫ１に対しては、そのメモリの構成、性能が既知であ
るため、ＢＩＯＳプログラムがそのメモリに対して最も
適した動作タイミングのメモリ動作制御用パラメータを
上記メモリ制御ＬＳＩに設定し、それを動作させる。他
方、ＲＡＳ２〜ＲＡＳ５が供給されるＢＡＮＫ２〜ＢＡ
ＮＫ５は、後から増設されたＳＩＭＭやＤＩＭＭによる
拡張メモリであるため、コンピュータからみてそれがど
のような構成、性能であるかは不明である。このため、
ＢＡＮＫ２〜ＢＡＮＫ５に対しては、前述メモリ構成、
性能判定（図１中、ステップ１０２，１０３参照）によ
りメモリの構成、性能判定を行い、その判定結果に適宜
のマージンを含ませた値（システム通常動作用パラメー
タ）をメモリ制御ＬＳＩに設定し、それを動作させる。

【００１９】上記ＲＡＳ２，ＲＡＳ３が供給されるＢＡ
ＮＫ２，ＢＡＮＫ３のメモリサイクルの一例を図４に示
す。この図４において、ＨＣＬＫはメモリサイクル基本
クロックである。ＣＡＳ０は、ここではＢＡＮＫ２，Ｂ
ＡＮＫ３のアクセス時のＣＡＳ０の信号タイミングを示
している。ＲＡＳ２，ＲＡＳ３の信号タイミングは、図
２に示すパラーメータテーブルから選ばれた、ＢＡＮＫ
２，ＢＡＮＫ３を構成しているメモリに最適なパラメー
タがメモリ制御ＬＳＩに設定され、作成される。ＢＡＮ
Ｋ２，ＢＡＮＫ３は、その作成されたタイミングで制御
される。

【００２０】また、上記ＲＡＳ４，ＲＡＳ５が供給され
るＢＡＮＫ４，ＢＡＮＫ５のメモリサイクルの一例を図
５に示す。ここで、ＲＡＳ４，ＲＡＳ５が供給されるＢ
ＡＮＫ４，ＢＡＮＫ５には、ＢＡＮＫ２，ＢＡＮＫ３よ
りもアクセススピードの低い（アクセルタイムの遅い）
メモリを使用しているものとする。この図５において、
ＨＣＬＫは図４と同じメモリサイクル基本クロックであ
る。ＣＡＳ０は、ここではＢＡＮＫ４，ＢＡＮＫ５のア
クセス時のＣＡＳ０の信号タイミングを示している。Ｒ
ＡＳ４，ＲＡＳ５の信号タイミングは、図２に示すパラ
ーメータテーブルから選ばれた、ＢＡＮＫ４，ＢＡＮＫ
５を構成しているメモリに最適なパラメータがメモリ制
御ＬＳＩに設定され、作成される。ＢＡＮＫ４，ＢＡＮ
Ｋ５は、その作成されたタイミング（上記ＢＡＮＫ２，
ＢＡＮＫ３用のパラメータによるものよりも遅いタイミ
ング）で制御される。

【００２１】以上のように各メモリにつき、それぞれメ
モリバンク毎に、メモリに最適なタイミングでメモリ動
作制御させることにより、新旧製品間におけるような構
成、性能の異なるメモリの混在使用が可能、例えばパー
ソナルコンピュータを旧製品から新製品に買い替えた場
合、旧製品で使っていたＳＩＭＭやＤＩＭＭ等のメモリ
を新製品のパーソナルコンピュータに移し、その拡張メ
モリとしてエラーなく使うことが可能となり、コスト上
の負担増大が回避される。

【００２２】図６に上述本発明方法が適用されたパーソ
ナルコンピュータの電源ＯＮ後のモニタの初期画面（図
１中のステップ１０５におけるメモリ動作状況表示画
面）の一例を示す。すなわちパーソナルコンピュータ
は、電源ＯＮして基本メモリ、拡張メモリの構成、性能
を判定し、最適なメモリ動作制御用パラメータをもって
基本メモリ及び拡張メモリの動作制御を行うと、図６に
示すように、基本メモリの構成、性能及び拡張メモリの
構成、性能をモニタ初期画面に表示し、ユーザに通知す
る。ユーザはこの表示を見ることにより、現在使用して
いるメモリの構成、性能を確認することができ、また、
現在使用しているメモリの構成、性能をユーザが知って
いる場合には、そのパーソナルコンピュータによるメモ
リの構成、性能判定が誤っているか否かをも確認するこ
とができる。

【００２３】上述実施形態では、コンピュータとしてパ
ーソナルコンピュータが用いられ、拡張メモリとしてＳ
ＩＭＭやＤＩＭＭが使用可能で、それらＳＩＭＭ同志若
しくはＤＩＭＭ同志、又はＳＩＭＭ及びＤＩＭＭ相互間
におけるメモリの増設使用を例に採って説明したが、こ
れら例示の組合わせに限定されない。例えば、コンピュ
ータとして汎用コンピュータを用い、ＳＩＭＭ又はＤＩ
ＭＭの代わりにオンボードメモリを使用し、そのオンボ
ードメモリの変更あるいは増設使用に本発明方法を適用
してもよい。なお、本発明方法が適用されたコンピュー
タにおいて、上述メモリ構成、性能判定（自動メモリ構
成、性能判定）が正常に機能しない事態も想定できる。
そのため上記コンピュータに、手動操作によるメモリ構
成、性能判定機能をもたせることは本発明方法の目的達
成の次善の策として有効である。

【００２４】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、メ
モリの構成、性能を判別してそのメモリが正常動作する
メモリ動作制御用パラメータを設定し、そのパラメータ
でそのメモリを動作させるようにしたので、メモリ構
成、性能判別以後、各メモリはエラーなく動作し、各メ
モリに構成や性能の違い、特にアクセススピードやメモ
リ動作制御のタイミング仕様等の性能に違いがあっても
全てメモリとして使用が可能となる。

【００２５】したがって、メモリの全部又は一部をそれ
まで使用していたメモリとは構成、性能の異なるメモリ
に変更しても、あるいは基本メモリと後から増設した拡
張メモリとで構成、性能が異なる場合でもそれらの使用
が可能となる。具体的には、新旧製品間におけるような
構成、性能の異なるメモリの混在使用等が可能、特にパ
ーソナルコンピュータやワークステーションを旧製品か
ら新製品に買い替えた場合、旧製品で使っていたＳＩＭ
ＭやＤＩＭＭ等のメモリを新製品のパーソナルコンピュ
ータ等に移し、その拡張メモリとしてエラーなく使うこ
とが可能となる。これによれば、特に全メモリを新製品
（高性能、特に高アクセススピードのメモリ）に揃え直
す必要がなくなり、コスト上の負担増大が回避できると
いう利点がある。

【００２６】また、各メモリバンク毎に、メモリの構
成、性能を判別してそのメモリが正常動作するメモリ動
作制御用パラメータを設定し、そのパラメータでそのメ
モリを動作させることによれば、上記利点に加え、各メ
モリバンク毎に最適なパラメータ設定値でメモリを動作
させ得るので、例えば基本メモリよりも拡張メモリが低
スピードである場合においても基本メモリをアクセスす
る時の性能低下を防止できるという利点もある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明方法の一実施形態を示すフローチャート
である。

【図２】本発明方法におけるメモリ動作制御用パラメー
タを格納したテーブルの一例を示す図である。

【図３】本発明方法が適用されたパーソナルコンピュー
タに装着されたメモリ部分の構成例を示すブロック図で
ある。

【図４】図３中のＲＡＳ２，ＲＡＳ３が供給されるＢＡ
ＮＫ２，ＢＡＮＫ３のメモリサイクルの一例を示す信号
波形図である。

【図５】図３中のＲＡＳ４，ＲＡＳ５が供給されるＢＡ
ＮＫ４，ＢＡＮＫ５のメモリサイクルの一例を示す信号
波形図である。

【図６】本発明方法が適用されたパーソナルコンピュー
タの電源ＯＮ後のモニタの初期画面（メモリ動作状況表
示画面）の一例を示す図である。

【符号の説明】

ＢＡＮＫ…メモリバンク、ＲＡＳ…ロウ・アドレス制御
信号、ＣＡＳ…コラム・アドレス制御信号。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 コンピュータに装着されたメモリの動作
   を制御する方法において、前記メモリの構成、性能を判
   別してそのメモリが正常動作するメモリ動作制御用パラ
   メータを設定し、そのパラメータでそのメモリを動作さ
   せることを特徴とするメモリ動作制御方法。
2. 【請求項２】 コンピュータに装着されたメモリの動作
   を制御する方法において、各メモリバンク毎に、前記メ
   モリの構成、性能を判別してそのメモリが正常動作する
   メモリ動作制御用パラメータを設定し、そのパラメータ
   でそのメモリを動作させることを特徴とするメモリ動作
   制御方法。