JPH1192142A - α型半水石膏の製造方法 - Google Patents
α型半水石膏の製造方法Info
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- JPH1192142A JPH1192142A JP27814397A JP27814397A JPH1192142A JP H1192142 A JPH1192142 A JP H1192142A JP 27814397 A JP27814397 A JP 27814397A JP 27814397 A JP27814397 A JP 27814397A JP H1192142 A JPH1192142 A JP H1192142A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 安価なコストで大きな結晶を得ることがで
き，製造開始直後より大きな結晶を得ることができる，
α型半水石膏の製造方法を提供すること。 【解決手段】 二水石膏と水と媒晶剤とからなる原料ス
ラリー２４を反応槽１２内において加圧保持しながら種
晶２５１を作る種晶熟成工程と，その後，上記反応槽１
２内に更に上記原料スラリー２４を加えて加圧保持しな
がら，上記種晶２５１の結晶粒径を成長させてα型半水
石膏粒子を作るα型半水石膏成長工程とよりなる。
き，製造開始直後より大きな結晶を得ることができる，
α型半水石膏の製造方法を提供すること。 【解決手段】 二水石膏と水と媒晶剤とからなる原料ス
ラリー２４を反応槽１２内において加圧保持しながら種
晶２５１を作る種晶熟成工程と，その後，上記反応槽１
２内に更に上記原料スラリー２４を加えて加圧保持しな
がら，上記種晶２５１の結晶粒径を成長させてα型半水
石膏粒子を作るα型半水石膏成長工程とよりなる。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は，より低い混水量で使用できるα
型半水石膏の製造方法に関する。
型半水石膏の製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】半水石膏はα型半水石膏とβ型半水石膏と
の二つに大別できるが，より混水量を少なくして使用す
る場合にはα型半水石膏が使用される。なお，混水量の
少ない石膏は，工業模型用，陶磁器型材用，歯科模型用
という用途に利用することができる。ここに，上記α型
半水石膏の製造方法として，加圧水溶液法を挙げること
ができる。該加圧水溶液法は大別して連続式と回分式と
に分類できる。
の二つに大別できるが，より混水量を少なくして使用す
る場合にはα型半水石膏が使用される。なお，混水量の
少ない石膏は，工業模型用，陶磁器型材用，歯科模型用
という用途に利用することができる。ここに，上記α型
半水石膏の製造方法として，加圧水溶液法を挙げること
ができる。該加圧水溶液法は大別して連続式と回分式と
に分類できる。
【０００３】上記連続式について説明する。図４（ａ）
に示すごとく，反応槽１２に二水石膏，水，媒晶剤より
なる原料スラリー２４を導入し，該原料スラリーで反応
槽１２を満たす。反応槽１２を加圧，加熱雰囲気に保持
し，図４（ｂ）に示すごとく，上記原料スラリー２４を
結晶状のα型半水石膏９０が析出した反応液２５とな
す。
に示すごとく，反応槽１２に二水石膏，水，媒晶剤より
なる原料スラリー２４を導入し，該原料スラリーで反応
槽１２を満たす。反応槽１２を加圧，加熱雰囲気に保持
し，図４（ｂ）に示すごとく，上記原料スラリー２４を
結晶状のα型半水石膏９０が析出した反応液２５とな
す。
【０００４】その後は，図４（ｂ）に示すごとく，原料
スラリー２４の導入を継続しつつ，反応槽１２における
採取口のコック（図示略）を開き，反応槽１２内のα型
半水石膏９０を含んだ反応液２５を導出する。その後，
上記反応液２５よりα型半水石膏９０を濃縮等の操作に
より分離する。なお，連続式においては，上記原料スラ
リー２４の導入と，α型半水石膏９０を含んだ反応液２
５の導出とを並行して行う。
スラリー２４の導入を継続しつつ，反応槽１２における
採取口のコック（図示略）を開き，反応槽１２内のα型
半水石膏９０を含んだ反応液２５を導出する。その後，
上記反応液２５よりα型半水石膏９０を濃縮等の操作に
より分離する。なお，連続式においては，上記原料スラ
リー２４の導入と，α型半水石膏９０を含んだ反応液２
５の導出とを並行して行う。
【０００５】また，上記回分式について説明する。図５
（ａ）に示すごとく，反応槽１２に原料スラリー２４を
導入し，該原料スラリー２４で反応槽１２を満たす。反
応槽１２を加圧，加熱雰囲気に保持し，上記原料スラリ
ー２４を結晶状のα型半水石膏９０が析出した反応液２
５となす。
（ａ）に示すごとく，反応槽１２に原料スラリー２４を
導入し，該原料スラリー２４で反応槽１２を満たす。反
応槽１２を加圧，加熱雰囲気に保持し，上記原料スラリ
ー２４を結晶状のα型半水石膏９０が析出した反応液２
５となす。
【０００６】その後は，図５（ｂ）に示すごとく，原料
スラリー２４の導入を一旦停止し，採取口のコック（図
示略）を開き，反応槽１２内のα型半水石膏９０を含ん
だ反応液２５を導出する。その後，上記反応液２５より
α型半水石膏９０を濃縮等の操作により分離する。上記
反応液２５の採取が終了した後，再び原料スラリー２４
を反応槽１２内に導入する（図５（ａ））。その後，再
び原料スラリー２４の導入を停止して，反応槽１２の反
応液２５を採取する。以降はこれらの操作を繰り返す。
スラリー２４の導入を一旦停止し，採取口のコック（図
示略）を開き，反応槽１２内のα型半水石膏９０を含ん
だ反応液２５を導出する。その後，上記反応液２５より
α型半水石膏９０を濃縮等の操作により分離する。上記
反応液２５の採取が終了した後，再び原料スラリー２４
を反応槽１２内に導入する（図５（ａ））。その後，再
び原料スラリー２４の導入を停止して，反応槽１２の反
応液２５を採取する。以降はこれらの操作を繰り返す。
【０００７】
【解決しようとする課題】しかしながら，従来方法には
以下に示す問題点があった。ところで，石膏の混水量を
より下げるためには，より大きな結晶のα型半水石膏を
使用せねばならないことが従来より知られている。そも
そもα型半水石膏に要求される物性とは，混水量が少な
いことである。よって，結晶が小さいα型半水石膏の商
品価値は低く，不良品として廃棄するか，他用途へ転用
する他はなかった。
以下に示す問題点があった。ところで，石膏の混水量を
より下げるためには，より大きな結晶のα型半水石膏を
使用せねばならないことが従来より知られている。そも
そもα型半水石膏に要求される物性とは，混水量が少な
いことである。よって，結晶が小さいα型半水石膏の商
品価値は低く，不良品として廃棄するか，他用途へ転用
する他はなかった。
【０００８】ところが，回分式による製造方法では，結
晶の小さなα型半水石膏しか得られなかった。このた
め，上記反応槽内に原料スラリーと共にα型半水石膏の
結晶化の際に種晶として作用する，ある程度の大きさ
（４０〜８０μｍ）を持ったα型半水石膏の結晶を添加
する必要があった。しかしながら，種晶を添加するため
には，種晶の製造設備及びプロセス，種晶の供給設備及
びプロセスが別途必要であるため，従来方法と比較して
コスト高となるおそれがあった。
晶の小さなα型半水石膏しか得られなかった。このた
め，上記反応槽内に原料スラリーと共にα型半水石膏の
結晶化の際に種晶として作用する，ある程度の大きさ
（４０〜８０μｍ）を持ったα型半水石膏の結晶を添加
する必要があった。しかしながら，種晶を添加するため
には，種晶の製造設備及びプロセス，種晶の供給設備及
びプロセスが別途必要であるため，従来方法と比較して
コスト高となるおそれがあった。
【０００９】また，連続式においても，装置の稼動開始
直後は回分式と同様に結晶の小さなα型半水石膏しか得
られなかった（後述の表１参照）。このため，上記回分
式と同様に種晶を添加する必要があり，同様の問題が発
生するおそれがあった。
直後は回分式と同様に結晶の小さなα型半水石膏しか得
られなかった（後述の表１参照）。このため，上記回分
式と同様に種晶を添加する必要があり，同様の問題が発
生するおそれがあった。
【００１０】本発明は，かかる問題点に鑑み，安価なコ
ストで大きな結晶を得ることができ，製造開始直後より
大きな結晶を得ることができる，α型半水石膏の製造方
法を提供しようとするものである。
ストで大きな結晶を得ることができ，製造開始直後より
大きな結晶を得ることができる，α型半水石膏の製造方
法を提供しようとするものである。
【００１１】
【課題の解決手段】請求項１の発明は，二水石膏と水と
媒晶剤とからなる原料スラリーを反応槽内において加圧
保持しながら種晶を作る種晶熟成工程と，その後，上記
反応槽内に更に上記原料スラリーを加えて加圧保持しな
がら，上記種晶の結晶粒径を成長させてα型半水石膏粒
子を作るα型半水石膏成長工程とよりなることを特徴と
するα型半水石膏の製造方法にある。
媒晶剤とからなる原料スラリーを反応槽内において加圧
保持しながら種晶を作る種晶熟成工程と，その後，上記
反応槽内に更に上記原料スラリーを加えて加圧保持しな
がら，上記種晶の結晶粒径を成長させてα型半水石膏粒
子を作るα型半水石膏成長工程とよりなることを特徴と
するα型半水石膏の製造方法にある。
【００１２】本発明の作用につき，以下に説明する。本
発明にかかる製造方法では，反応槽内において種晶を作
製する種晶熟成工程を行い，その後，α型半水石膏成長
工程を行う。このため，本発明において製造されるα型
半水石膏は種晶が成長することにより形成されるため，
大きな結晶よりなるα型半水石膏を得ることができる。
また，種晶は反応槽内で作製され，外部より添加されて
いないため，種晶の添加に伴う設備，工程の追加が不要
となる。よって，低コストで大きな結晶よりなるα型半
水石膏を得ることができる。
発明にかかる製造方法では，反応槽内において種晶を作
製する種晶熟成工程を行い，その後，α型半水石膏成長
工程を行う。このため，本発明において製造されるα型
半水石膏は種晶が成長することにより形成されるため，
大きな結晶よりなるα型半水石膏を得ることができる。
また，種晶は反応槽内で作製され，外部より添加されて
いないため，種晶の添加に伴う設備，工程の追加が不要
となる。よって，低コストで大きな結晶よりなるα型半
水石膏を得ることができる。
【００１３】また，種晶の熟成の後，α型半水石膏の成
長を行っているため，製造開始の直後より大きな結晶よ
りなるα型半水石膏を得ることができる。更に，既存の
設備を利用して本発明を実現する場合にも，追加設備が
不要であることから，安価なコストで設備の変更を行う
ことができる。
長を行っているため，製造開始の直後より大きな結晶よ
りなるα型半水石膏を得ることができる。更に，既存の
設備を利用して本発明を実現する場合にも，追加設備が
不要であることから，安価なコストで設備の変更を行う
ことができる。
【００１４】以上のように，本発明によれば，安価なコ
ストで大きな結晶を得ることができ，製造開始直後より
大きな結晶を得ることができる，α型半水石膏の製造方
法を提供することができる。
ストで大きな結晶を得ることができ，製造開始直後より
大きな結晶を得ることができる，α型半水石膏の製造方
法を提供することができる。
【００１５】なお，上記媒晶剤としては，コハク酸ナト
リウム，クエン酸ナトリウム，マレイン酸ナトリウム等
を使用することができる。
リウム，クエン酸ナトリウム，マレイン酸ナトリウム等
を使用することができる。
【００１６】次に，請求項２の発明のように，上記α型
半水石膏成長工程は上記反応槽内に上記原料スラリーを
時間を空けて２回以上に分けて供給することが好まし
い。これにより，α型半水石膏の結晶の成長時間をより
長く取ることができるため，より大きな結晶を得ること
ができる。
半水石膏成長工程は上記反応槽内に上記原料スラリーを
時間を空けて２回以上に分けて供給することが好まし
い。これにより，α型半水石膏の結晶の成長時間をより
長く取ることができるため，より大きな結晶を得ること
ができる。
【００１７】次に，請求項３の発明のように，上記α型
半水石膏成長工程の後に，上記反応槽内に上記原料スラ
リーを連続的に供給しながら，上記反応槽内で成長した
α型半水石膏を含む反応液を連続的に採取することが好
ましい。これにより，装置の稼動開始直後から，より大
きな結晶を得ることができる。
半水石膏成長工程の後に，上記反応槽内に上記原料スラ
リーを連続的に供給しながら，上記反応槽内で成長した
α型半水石膏を含む反応液を連続的に採取することが好
ましい。これにより，装置の稼動開始直後から，より大
きな結晶を得ることができる。
【００１８】次に，請求項４の発明のように，上記原料
スラリーにおける二水石膏／（二水石膏＋水）の値は１
０〜５０％であることが好ましい。これにより，短柱状
の結晶が得られやすく，流水量が低い，優れたα型半水
石膏を得ることができる。
スラリーにおける二水石膏／（二水石膏＋水）の値は１
０〜５０％であることが好ましい。これにより，短柱状
の結晶が得られやすく，流水量が低い，優れたα型半水
石膏を得ることができる。
【００１９】なお，二水石膏／（二水石膏＋水）の値が
１０％未満である場合には，細く，長い形のα型半水石
膏が生成してしてしまうおそれがある。また，製造コス
トが増大するおそれがある。一方，５０％より大である
場合には，原料スラリーの攪拌，輸送が困難となるおそ
れがある。
１０％未満である場合には，細く，長い形のα型半水石
膏が生成してしてしまうおそれがある。また，製造コス
トが増大するおそれがある。一方，５０％より大である
場合には，原料スラリーの攪拌，輸送が困難となるおそ
れがある。
【００２０】次に，請求項５の発明はのように，上記種
晶熟成工程，上記α型半水石膏成長工程における温度は
１２０〜１４０℃であり，加圧力は該温度における飽和
水蒸気圧であることが好ましい。これにより，不純物
（未反応の二水石膏あるいはＩＩ型無水石膏等）の混入
が少なく，純度の高いα型半水石膏を得ることができ
る。
晶熟成工程，上記α型半水石膏成長工程における温度は
１２０〜１４０℃であり，加圧力は該温度における飽和
水蒸気圧であることが好ましい。これにより，不純物
（未反応の二水石膏あるいはＩＩ型無水石膏等）の混入
が少なく，純度の高いα型半水石膏を得ることができ
る。
【００２１】なお，温度が１２０℃未満である場合に
は，未反応の二水石膏が残留してしまうおそれがある。
一方，１４０℃より大である場合には，ＩＩ型無水石膏
が生成してしまうおそれがある。
は，未反応の二水石膏が残留してしまうおそれがある。
一方，１４０℃より大である場合には，ＩＩ型無水石膏
が生成してしまうおそれがある。
【００２２】
実施形態例１ 本発明の実施形態例にかかるα型半水石膏の製造方法に
つき，図１を用いて説明する。本例にかかる製造方法の
概略を説明する。本例の製造方法は，二水石膏と水と媒
晶剤とからなる原料スラリーを反応槽内において加圧保
持しながら種晶を作る種晶熟成工程と，その後，上記反
応槽内に更に上記原料スラリーを加えて加圧保持しなが
ら，上記種晶の結晶粒径を成長させてα型半水石膏粒子
を作るα型半水石膏成長工程とよりなる。以下，詳細に
ついて説明する。なお，本例にかかる製造方法は連続式
である。
つき，図１を用いて説明する。本例にかかる製造方法の
概略を説明する。本例の製造方法は，二水石膏と水と媒
晶剤とからなる原料スラリーを反応槽内において加圧保
持しながら種晶を作る種晶熟成工程と，その後，上記反
応槽内に更に上記原料スラリーを加えて加圧保持しなが
ら，上記種晶の結晶粒径を成長させてα型半水石膏粒子
を作るα型半水石膏成長工程とよりなる。以下，詳細に
ついて説明する。なお，本例にかかる製造方法は連続式
である。
【００２３】まず，本例において使用する製造装置を図
１に示す。上記製造装置１は，調整槽１１，反応槽１
２，濃縮器１３，乾燥器１４及び粉砕器１５とよりな
り，これらの間はそれぞれ配管により結合されている。
また，上記調整槽１１及び反応槽１２にはそれぞれ攪拌
装置１１０，１２０が設けてある。
１に示す。上記製造装置１は，調整槽１１，反応槽１
２，濃縮器１３，乾燥器１４及び粉砕器１５とよりな
り，これらの間はそれぞれ配管により結合されている。
また，上記調整槽１１及び反応槽１２にはそれぞれ攪拌
装置１１０，１２０が設けてある。
【００２４】上記調整槽１１は大気開放された円筒状の
タンクで，水，二水石膏及び媒晶剤を均一混合するもの
である。また，上記反応槽１２は圧力容器で原料である
二水石膏からα型半水石膏を生成させるものである。ま
た，上記濃縮器１３にはサイクロン，あるいは濾布を利
用した脱水機等を使用することができる。
タンクで，水，二水石膏及び媒晶剤を均一混合するもの
である。また，上記反応槽１２は圧力容器で原料である
二水石膏からα型半水石膏を生成させるものである。ま
た，上記濃縮器１３にはサイクロン，あるいは濾布を利
用した脱水機等を使用することができる。
【００２５】まず，上記調整槽１１に対し二水石膏２
１，水２２，媒晶剤２３を導入する。なお，媒晶剤２３
としてコハク酸ナトリウムを使用する。次に，上記調整
槽１１において上記物質を均一に混合されるように攪拌
する。これにより原料スラリー２４を得た。なお，この
原料スラリー２４において二水石膏／（二水石膏＋水）
の値は４０％である。また，上記媒晶剤２３は二水石膏
に対して０．１％で含有されている。
１，水２２，媒晶剤２３を導入する。なお，媒晶剤２３
としてコハク酸ナトリウムを使用する。次に，上記調整
槽１１において上記物質を均一に混合されるように攪拌
する。これにより原料スラリー２４を得た。なお，この
原料スラリー２４において二水石膏／（二水石膏＋水）
の値は４０％である。また，上記媒晶剤２３は二水石膏
に対して０．１％で含有されている。
【００２６】次に，コック１２１を開き，原料スラリー
２４を反応槽１２に導入する。この導入のプロセスであ
るが，上記反応槽１２の有効容積をＶとすると，１回目
の導入の際には，図２（ａ）に示すごとく，体積にして
０．１Ｖの原料スラリー２４を導入した。その後，上記
反応槽１２において，温度１２５℃，圧力１．３７ｋｇ
／ｍ2 という条件で１時間の加圧保持を行った。また，
この加圧保持は温度低下を監視しながら，スチームを供
給することにより行った。これにより，上記反応槽１２
内で小さな種晶２５１が生成された。
２４を反応槽１２に導入する。この導入のプロセスであ
るが，上記反応槽１２の有効容積をＶとすると，１回目
の導入の際には，図２（ａ）に示すごとく，体積にして
０．１Ｖの原料スラリー２４を導入した。その後，上記
反応槽１２において，温度１２５℃，圧力１．３７ｋｇ
／ｍ2 という条件で１時間の加圧保持を行った。また，
この加圧保持は温度低下を監視しながら，スチームを供
給することにより行った。これにより，上記反応槽１２
内で小さな種晶２５１が生成された。
【００２７】次に，図２（ｂ）に示すごとく，反応槽１
２内に更に０．２Ｖの原料スラリー２４を導入し，反応
槽１２を加圧保持した。これにより，種晶２５１が更に
成長した（新しく種晶が形成されることもある）。な
お，この時の反応槽１２の加圧保持条件は，一度目の導
入後の加圧保持条件と同様である。
２内に更に０．２Ｖの原料スラリー２４を導入し，反応
槽１２を加圧保持した。これにより，種晶２５１が更に
成長した（新しく種晶が形成されることもある）。な
お，この時の反応槽１２の加圧保持条件は，一度目の導
入後の加圧保持条件と同様である。
【００２８】次に，図２（ｃ）に示すごとく，反応槽１
２内に更に０．７Ｖの原料スラリー２４を導入した。な
お，この導入により反応槽１２全体が原料スラリー２４
で満たされたこととなる。そして，上記と同様の条件に
て反応槽１２を加圧保持した。これにより，上記種晶２
５１より結晶状のα型半水石膏２が析出した。
２内に更に０．７Ｖの原料スラリー２４を導入した。な
お，この導入により反応槽１２全体が原料スラリー２４
で満たされたこととなる。そして，上記と同様の条件に
て反応槽１２を加圧保持した。これにより，上記種晶２
５１より結晶状のα型半水石膏２が析出した。
【００２９】その後，上記反応槽１２の採取コック１２
２を開いた。これにより，反応槽１２内の結晶状のα型
半水石膏２を含んだ反応液２５が濃縮器１３に送り出さ
れた。なお，上記採取コック１２２を開いた後は，該採
取コック１２２より流出する量と同量の原料スラリー２
４を継続して反応槽１２に導入し続けた。このため，反
応槽１２に存在する反応液２５の量は時間的に変化せ
ず，一定である。
２を開いた。これにより，反応槽１２内の結晶状のα型
半水石膏２を含んだ反応液２５が濃縮器１３に送り出さ
れた。なお，上記採取コック１２２を開いた後は，該採
取コック１２２より流出する量と同量の原料スラリー２
４を継続して反応槽１２に導入し続けた。このため，反
応槽１２に存在する反応液２５の量は時間的に変化せ
ず，一定である。
【００３０】次に，上記濃縮器１３において，反応液２
５からα型半水石膏２が分離採取された。分離されたα
型半水石膏２は乾燥器１４に送り出され，ここで乾燥さ
れる。なお，この時のα型半水石膏２の結晶の粒径は１
０〜１０００μｍである。乾燥終了後は粉砕器１５に送
り出された。上記粉砕器１５においてα型半水石膏２は
適度な混水量で練和可能となるよう粉砕された。以上に
よりα型半水石膏２を得た。
５からα型半水石膏２が分離採取された。分離されたα
型半水石膏２は乾燥器１４に送り出され，ここで乾燥さ
れる。なお，この時のα型半水石膏２の結晶の粒径は１
０〜１０００μｍである。乾燥終了後は粉砕器１５に送
り出された。上記粉砕器１５においてα型半水石膏２は
適度な混水量で練和可能となるよう粉砕された。以上に
よりα型半水石膏２を得た。
【００３１】次に，本発明より作製されたα型半水石膏
（試料）と従来方法により作製されたα型半水石膏（比
較試料）の粒度分布について測定した。まず，上述した
本例にかかる製造方法にて得られたα型半水石膏を試料
１とした。また，比較試料は，前述した従来方法（連続
式）にて得られたα型半水石膏を利用した。なお，比較
試料の作製に当たっては，作製途中で種晶を添加してい
ない。なお，上記粒度分布の測定はレーザー回折／散乱
式粒度分布測定装置を用いて行い，その結果を図３にか
かる線図に記載した。
（試料）と従来方法により作製されたα型半水石膏（比
較試料）の粒度分布について測定した。まず，上述した
本例にかかる製造方法にて得られたα型半水石膏を試料
１とした。また，比較試料は，前述した従来方法（連続
式）にて得られたα型半水石膏を利用した。なお，比較
試料の作製に当たっては，作製途中で種晶を添加してい
ない。なお，上記粒度分布の測定はレーザー回折／散乱
式粒度分布測定装置を用いて行い，その結果を図３にか
かる線図に記載した。
【００３２】同図によれば，比較試料の粒度分布の状態
は，試料と比較してより粒子径の小さい側に分布してい
ることが分かった。なお，比較試料にかかるα型半水石
膏のメジアンは５６．４７１μｍであった。一方，試料
にかかるα型半水石膏のメジアンは１１０．４９６μｍ
であった。
は，試料と比較してより粒子径の小さい側に分布してい
ることが分かった。なお，比較試料にかかるα型半水石
膏のメジアンは５６．４７１μｍであった。一方，試料
にかかるα型半水石膏のメジアンは１１０．４９６μｍ
であった。
【００３３】また，本例にかかる製造方法においては，
表１に示すごとく，製造開始直後より大きな結晶よりな
るα型半水石膏を得ることができた。しかしながら従来
方法では，製造開始直後は結晶が小さかったが，５時間
後には大きな結晶を得ることができた。これは，反応槽
内で種晶として作用するα型半水石膏の結晶が徐々に作
製されたからである。しかし，その５時間の間に反応槽
の有効容積の２倍に当たる体積の結晶が小さいα型半水
石膏が製造されてしまった（表１にかかるロス量参
照）。
表１に示すごとく，製造開始直後より大きな結晶よりな
るα型半水石膏を得ることができた。しかしながら従来
方法では，製造開始直後は結晶が小さかったが，５時間
後には大きな結晶を得ることができた。これは，反応槽
内で種晶として作用するα型半水石膏の結晶が徐々に作
製されたからである。しかし，その５時間の間に反応槽
の有効容積の２倍に当たる体積の結晶が小さいα型半水
石膏が製造されてしまった（表１にかかるロス量参
照）。
【００３４】次に，本例における作用効果につき説明す
る。本例にかかる製造方法では，反応槽１２内において
種晶２５１を作製する種晶熟成工程を行い，その後，α
型半水石膏成長工程を行う。このため，本例において製
造されるα型半水石膏２は種晶２５１が成長することに
より形成されるため，大きな結晶よりなるα型半水石膏
２を得ることができる。
る。本例にかかる製造方法では，反応槽１２内において
種晶２５１を作製する種晶熟成工程を行い，その後，α
型半水石膏成長工程を行う。このため，本例において製
造されるα型半水石膏２は種晶２５１が成長することに
より形成されるため，大きな結晶よりなるα型半水石膏
２を得ることができる。
【００３５】また，種晶２５１は反応槽１２内で作製さ
れ，外部より添加されていないため，種晶２５１の添加
に伴う設備，工程の追加が不要となる。よって，低コス
トで大きな結晶よりなるα型半水石膏２を得ることがで
きる。また，種晶２５１の熟成の後，α型半水石膏２の
成長を行っているため，製造開始の直後より大きな結晶
よりなるα型半水石膏２を得ることができる。
れ，外部より添加されていないため，種晶２５１の添加
に伴う設備，工程の追加が不要となる。よって，低コス
トで大きな結晶よりなるα型半水石膏２を得ることがで
きる。また，種晶２５１の熟成の後，α型半水石膏２の
成長を行っているため，製造開始の直後より大きな結晶
よりなるα型半水石膏２を得ることができる。
【００３６】以上のように，本例によれば，安価なコス
トで大きな結晶を得ることができ，製造開始直後より大
きな結晶を得ることができる，α型半水石膏の製造方法
を提供することができる。
トで大きな結晶を得ることができ，製造開始直後より大
きな結晶を得ることができる，α型半水石膏の製造方法
を提供することができる。
【００３７】
【表１】
【００３８】実施形態例２ 本発明は回分法によるα型半水石膏の製造方法につい
て，図２を用いて説明する。なお，製造装置としては実
施形態例１と同様の図１にかかるものを使用した。ま
ず，実施形態例１と同様にして調整槽１１にて原料スラ
リー２４を作製した。次いで，上記原料スラリー２４を
反応槽１２に導入した。
て，図２を用いて説明する。なお，製造装置としては実
施形態例１と同様の図１にかかるものを使用した。ま
ず，実施形態例１と同様にして調整槽１１にて原料スラ
リー２４を作製した。次いで，上記原料スラリー２４を
反応槽１２に導入した。
【００３９】この導入のプロセスであるが，実施形態例
１と同様に，１回目の導入の際には，図２（ａ）に示す
ごとく，体積にして０．１Ｖだけの原料スラリーを導入
した。その後，上記反応槽１２において，温度１２５
℃，圧力１．３７ｋｇ／ｍ2 という条件で１時間の加圧
保持を行った。これにより，上記反応槽１２内で種晶２
５１が生成された。
１と同様に，１回目の導入の際には，図２（ａ）に示す
ごとく，体積にして０．１Ｖだけの原料スラリーを導入
した。その後，上記反応槽１２において，温度１２５
℃，圧力１．３７ｋｇ／ｍ2 という条件で１時間の加圧
保持を行った。これにより，上記反応槽１２内で種晶２
５１が生成された。
【００４０】次に，図２（ｂ）に示すごとく，実施形態
例１と同様に，上記種晶２５１が生成された反応槽１２
内に更に０．２Ｖの原料スラリーを導入し，反応槽１２
を加圧保持した。これにより，上記生成した種晶２５１
が更に成長した。なお，この時の反応槽１２の加圧保持
条件は，一度目の導入後の加圧保持と同様の条件で行っ
た。
例１と同様に，上記種晶２５１が生成された反応槽１２
内に更に０．２Ｖの原料スラリーを導入し，反応槽１２
を加圧保持した。これにより，上記生成した種晶２５１
が更に成長した。なお，この時の反応槽１２の加圧保持
条件は，一度目の導入後の加圧保持と同様の条件で行っ
た。
【００４１】次に，図２（ｃ）に示すごとく，実施形態
例１と同様に，上記反応槽１２内に更に０．７Ｖの原料
スラリー２４を導入した。なお，この導入により反応槽
１２が原料スラリー２４で満たされることとなる。そし
て，上記と同様の条件にて反応槽１２を加圧保持した。
例１と同様に，上記反応槽１２内に更に０．７Ｖの原料
スラリー２４を導入した。なお，この導入により反応槽
１２が原料スラリー２４で満たされることとなる。そし
て，上記と同様の条件にて反応槽１２を加圧保持した。
【００４２】次に，上記反応槽１２の採取コックを開い
た。これにより，反応槽１２内のα型半水石膏２の結晶
を含んだ反応液２５が濃縮器に送り出された。次に，反
応槽１２内における反応液２５が体積にして０．３Ｖに
なるまで反応液２５を濃縮器１３に送り出し，その後採
取コックを閉じる。
た。これにより，反応槽１２内のα型半水石膏２の結晶
を含んだ反応液２５が濃縮器に送り出された。次に，反
応槽１２内における反応液２５が体積にして０．３Ｖに
なるまで反応液２５を濃縮器１３に送り出し，その後採
取コックを閉じる。
【００４３】次に，調整槽１１より原料スラリー２４を
０．７Ｖ反応槽１２へ導入し，上記と同様の条件で加圧
保持した。その後，採取コックを開いた。これにより再
び反応液２５が濃縮器１３に送り出され，反応槽１２内
の反応液２５が０．３Ｖとなったら，採取コックを閉じ
る。この後は，上記と同様に原料スラリー２４の反応槽
１２への導入と，加圧保持と反応液２５の採取とを順に
繰り返す。なお，濃縮器以降のプロセスは実施形態例１
と同様であり，これらのプロセスを経てα型半水石膏を
得た。
０．７Ｖ反応槽１２へ導入し，上記と同様の条件で加圧
保持した。その後，採取コックを開いた。これにより再
び反応液２５が濃縮器１３に送り出され，反応槽１２内
の反応液２５が０．３Ｖとなったら，採取コックを閉じ
る。この後は，上記と同様に原料スラリー２４の反応槽
１２への導入と，加圧保持と反応液２５の採取とを順に
繰り返す。なお，濃縮器以降のプロセスは実施形態例１
と同様であり，これらのプロセスを経てα型半水石膏を
得た。
【００４４】本例によれば，回分式であるため未反応原
料が全く存在しないα型半水石膏を生成させることがで
きる。その他は実施形態例１と同様である。
料が全く存在しないα型半水石膏を生成させることがで
きる。その他は実施形態例１と同様である。
【００４５】
【発明の効果】上記のごとく，本発明によれば，安価な
コストで大きな結晶を得ることができ，製造開始直後よ
り大きな結晶を得ることができる，α型半水石膏の製造
方法を提供することができる。
コストで大きな結晶を得ることができ，製造開始直後よ
り大きな結晶を得ることができる，α型半水石膏の製造
方法を提供することができる。
【図１】実施形態例１にかかる，α型半水石膏の製造装
置の説明図。
置の説明図。
【図２】実施形態例１及び２にかかる，α型半水石膏の
製造方法の説明図。
製造方法の説明図。
【図３】実施形態例１にかかる，試料（本発明にかかる
α型半水石膏）及び比較試料（従来例にかかるα型半水
石膏）における粒度分布を示す線図。
α型半水石膏）及び比較試料（従来例にかかるα型半水
石膏）における粒度分布を示す線図。
【図４】従来例にかかる，連続式によるα型半水石膏の
製造方法の説明図。
製造方法の説明図。
【図５】従来例にかかる，回分式によるα型半水石膏の
製造方法の説明図。
製造方法の説明図。
１．．．α型半水石膏製造装置， ２．．．α型半水石膏， ２１．．．二水石膏， ２２．．．水， ２３．．．媒晶剤， ２４．．．原料スラリー，
Claims (5)
- 【請求項１】 二水石膏と水と媒晶剤とからなる原料ス
ラリーを反応槽内において加圧保持しながら種晶を作る
種晶熟成工程と，その後，上記反応槽内に更に上記原料
スラリーを加えて加圧保持しながら，上記種晶の結晶粒
径を成長させてα型半水石膏粒子を作るα型半水石膏成
長工程とよりなることを特徴とするα型半水石膏の製造
方法。 - 【請求項２】 請求項１において，上記α型半水石膏成
長工程は上記反応槽内に上記原料スラリーを時間を空け
て２回以上に分けて供給することを特徴とするα型半水
石膏の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２において，上記α型半水
石膏成長工程の後に，上記反応槽内に上記原料スラリー
を連続的に供給しながら，上記反応槽内で成長したα型
半水石膏を含む反応液を連続的に採取することを特徴と
するα型半水石膏の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか一項において，
上記原料スラリーにおける二水石膏／（二水石膏＋水）
の値は１０〜５０％であることを特徴とするα型半水石
膏の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか一項において，
上記種晶熟成工程，上記α型半水石膏成長工程における
温度は１２０〜１４０℃であり，加圧力は該温度におけ
る飽和水蒸気圧であることを特徴とするα型半水石膏の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27814397A JPH1192142A (ja) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | α型半水石膏の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27814397A JPH1192142A (ja) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | α型半水石膏の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1192142A true JPH1192142A (ja) | 1999-04-06 |
Family
ID=17593194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27814397A Pending JPH1192142A (ja) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | α型半水石膏の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1192142A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006273599A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Tokuyama Corp | 廃石膏の処理方法 |
| JP2012131704A (ja) * | 2012-02-17 | 2012-07-12 | Tokuyama Corp | 石膏ボード廃材から石膏を再生する方法 |
| CN104355560A (zh) * | 2014-10-21 | 2015-02-18 | 金正大生态工程集团股份有限公司 | 一种α-高强石膏粉的生产方法 |
| CN109053009A (zh) * | 2018-04-05 | 2018-12-21 | 河南金丹乳酸科技股份有限公司 | 一种α高强石膏粉生产工艺 |
| WO2023116213A1 (zh) * | 2022-09-19 | 2023-06-29 | 河南理工大学 | α型半水石膏的制备方法 |
-
1997
- 1997-09-24 JP JP27814397A patent/JPH1192142A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006273599A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Tokuyama Corp | 廃石膏の処理方法 |
| JP2012131704A (ja) * | 2012-02-17 | 2012-07-12 | Tokuyama Corp | 石膏ボード廃材から石膏を再生する方法 |
| CN104355560A (zh) * | 2014-10-21 | 2015-02-18 | 金正大生态工程集团股份有限公司 | 一种α-高强石膏粉的生产方法 |
| CN109053009A (zh) * | 2018-04-05 | 2018-12-21 | 河南金丹乳酸科技股份有限公司 | 一种α高强石膏粉生产工艺 |
| CN109053009B (zh) * | 2018-04-05 | 2021-02-02 | 河南金丹乳酸科技股份有限公司 | 一种α高强石膏粉生产工艺 |
| WO2023116213A1 (zh) * | 2022-09-19 | 2023-06-29 | 河南理工大学 | α型半水石膏的制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040325 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040427 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040907 |