JPH1188133A - 負荷駆動回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＭＯＳトランジスタの性能劣化や破壊を確実
に防止することのできるハイサイド形式の負荷駆動回路
を提供する。 【解決手段】 電源電圧ＶD にドレインが接続され、負
荷Ｌの接地電位とは反対側の端部にソースが接続された
Ｎチャンネル型ＭＯＳトランジスタ１と、電源電圧ＶD
を昇圧して出力するチャージポンプ回路２とを備え、チ
ャージポンプ回路２の出力電圧ＶO を、制御回路３によ
りトランジスタ１のゲートに供給して該トランジスタ１
をオンさせることにより、負荷Ｌに電流を流す負荷駆動
回路にて、チャージポンプ回路２の出力端子２ａと電源
電圧ＶD との間に、アノードを電源電圧ＶD 側としカソ
ードを出力端子２ａ側として直列接続されたツェナーダ
イオードＺＤ１，ＺＤ２からなるクランプ回路５を設け
る。この結果、トランジスタ１のゲート−ドレイン間に
耐圧以上の電圧がかかることを確実に防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、Ｎチャンネル型の
ＭＯＳトランジスタを用いたハイサイド形式の負荷駆動
回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、図３に示すように、電源電圧
ＶD にドレイン（Ｄ）が接続され、負荷Ｌの接地電位
（ＧＮＤ＝０Ｖ）とは反対側の端部にソース（Ｓ）が接
続されたＮチャンネル型のＭＯＳトランジスタ１０と、
電源電圧ＶD を昇圧して出力する昇圧回路としてのチャ
ージポンプ回路２０とを備えた、所謂ハイサイド形式の
負荷駆動回路が知られている。

【０００３】そして、この種の負荷駆動回路では、例え
ば図３に示すように、チャージポンプ回路２０の出力電
圧ＶO が、制御回路３０によりＭＯＳトランジスタ１０
のゲート（Ｇ）に供給され、これによりＭＯＳトランジ
スタ１０がオンして、ＭＯＳトランジスタ１０から負荷
Ｌに電流が流れる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ここで、この種の負荷
駆動回路では、チャージポンプ回路２０の出力電圧ＶO
が何等かの原因で異常に上昇してしまうと、ＭＯＳトラ
ンジスタ１０のゲートとドレインとの間に、そのゲート
−ドレイン間耐圧以上の電圧がかかり、ＭＯＳトランジ
スタ１０の性能劣化や破壊を招いてしまう虞がある。

【０００５】本発明は、こうした問題に鑑みなされたも
のであり、ＭＯＳトランジスタの性能劣化や破壊を確実
に防止することのできるハイサイド形式の負荷駆動回路
を提供することを目的としている。

【０００６】

【課題を解決するための手段、及び発明の効果】本発明
の負荷駆動回路は、電源電圧にドレインが接続され、負
荷の接地電位とは反対側の端部にソースが接続されるＮ
チャンネル型のＭＯＳトランジスタと、電源電圧を昇圧
して出力する昇圧回路とを備えている。そして、昇圧回
路の出力電圧（つまり、電源電圧を昇圧した昇圧電圧）
をＭＯＳトランジスタのゲートに供給してＭＯＳトラン
ジスタをオンさせることにより、そのＭＯＳトランジス
タから負荷に電流を流す。

【０００７】ここで特に、本発明の負荷駆動回路には、
電圧制限手段が設けられており、この電圧制限手段が、
昇圧回路の出力電圧が所定値以上になることを防止す
る。このため、本発明の負荷駆動回路によれば、上記所
定値を、電源電圧にＭＯＳトランジスタのゲート−ドレ
イン間耐圧を加算した値よりも小さく設定しておくこと
により、ＭＯＳトランジスタのゲートとドレインとの間
にゲート−ドレイン間耐圧以上の電圧がかかることが防
止されて、ＭＯＳトランジスタの性能劣化や破壊を確実
に防ぐことができるようになる。例えば、電源電圧が１
２Ｖであり、ＭＯＳトランジスタのゲート−ドレイン間
耐圧が１６Ｖであれば、上記所定値は、２８（＝１２＋
１６）Ｖよりも小さい値に設定しておけば良い。

【０００８】また更に、昇圧回路は、一般に、電源電圧
を接地電位基準で昇圧するためのチャージポンプ用のコ
ンデンサを有しているが、本発明の負荷駆動回路によれ
ば、請求項２に記載のように、上記所定値を、昇圧回路
のコンデンサの耐圧値よりも小さい値に設定しておくこ
とにより、そのコンデンサが高電圧により劣化或いは破
壊されてしまうことを確実に防止することができる。換
言すれば、チャージポンプ用のコンデンサの耐圧値は、
少なくとも上記所定値より大きければ良く、昇圧回路の
コンデンサとして、比較的低い耐圧のコンデンサを用い
ることができるようになる。

【０００９】ところで、電圧制限手段は、請求項３に記
載のように、昇圧回路の出力端子（つまり、昇圧した出
力電圧を出力するための端子）と接地電位との間に設け
られた接地電位基準のクランプ回路によって構成するこ
とができる。そして、請求項３に記載の負荷駆動回路に
おいて、接地電位基準のクランプ回路は、接地電位に対
する昇圧回路の出力端子の電位が上記所定値以上になろ
うとする場合に、昇圧回路の出力端子側から接地電位側
へ電気エネルギーを逃がすことで、昇圧回路の出力電圧
が上記所定値以上になることを防止する。

【００１０】このような請求項３に記載の負荷駆動回路
によれば、前述した効果に加えて、例えば、接地電位だ
けが瞬間的に大きく負電圧方向へ変動するようなサージ
が発生した場合にでも、昇圧回路の出力端子と接地電位
との間の電位差は、接地電位基準のクランプ回路によっ
て上記所定値に保たれるため、昇圧回路のコンデンサに
その耐圧以上の電圧が印加されてしまうことを、確実に
防止することができる。

【００１１】尚、接地電位基準のクランプ回路は、請求
項４に記載の如く、昇圧回路の出力端子と接地電位との
間に、アノードを接地電位側としカソードを出力端子側
として接続された、ツェナーダイオードによって構成す
ることができる。そして、このように構成すれば、簡単
な回路構成で、請求項３に記載の負荷駆動回路による効
果を得ることができる。

【００１２】一方また、電圧制限手段は、請求項５に記
載のように、昇圧回路の出力端子と電源電圧との間に設
けられた電源電圧基準のクランプ回路によって構成する
ことができる。そして、請求項５に記載の負荷駆動回路
において、電源電圧基準のクランプ回路は、電源電圧に
対する昇圧回路の出力端子の電位が予め設定された設定
値以上になろうとする場合に、昇圧回路の出力端子側か
ら電源電圧側へ電気エネルギーを逃がすことで、昇圧回
路の出力電圧が上記所定値以上になることを防止する。

【００１３】つまり、請求項５に記載の負荷駆動回路で
は、電源電圧に上記設定値を加えた値が前述の所定値と
なる。そして、電源電圧基準のクランプ回路により、昇
圧回路の出力電圧が、電源電圧に上記設定値を加えた値
以上になることが防止される。

【００１４】このため、請求項５に記載の負荷駆動回路
によれば、上記設定値を、ＭＯＳトランジスタのゲート
−ドレイン間耐圧よりも小さく設定しておくことによ
り、ＭＯＳトランジスタのゲートとドレインとの間にゲ
ート−ドレイン間耐圧以上の電圧がかかることが防止さ
れて、ＭＯＳトランジスタの性能劣化や破壊を確実に防
ぐことができるようになる。例えば、ＭＯＳトランジス
タのゲート−ドレイン間耐圧が１５Ｖであれば、上記設
定値は、１５Ｖよりも小さい値に設定しておけば良い。

【００１５】しかも、請求項５に記載の負荷駆動回路に
よれば、電源電圧に負電圧方向のサージが発生したり電
源電圧が瞬断して、昇圧回路の出力端子と電源電圧との
電位差が大きくなりそうな場合でも、その電位差、即
ち、ＭＯＳトランジスタのゲート−ドレイン間電圧は、
電源電圧基準のクランプ回路によって上記設定値に保持
される。

【００１６】つまり、前述した請求項３，４に記載の負
荷駆動回路では、電源電圧が安定していれば大きな効果
を奏するものの、電源電圧に負電圧方向のサージが発生
したり電源電圧が瞬断した場合には、ＭＯＳトランジス
タのゲート−ドレイン間に過電圧が加わってしまうこと
を防ぐことができないという不利な面がある。

【００１７】これに対して、請求項５に記載の負荷駆動
回路によれば、あらゆる状況において、ＭＯＳトランジ
スタのゲート−ドレイン間電圧が上記設定値以上になっ
てしまうことを防止することができ、この結果、ＭＯＳ
トランジスタの性能劣化や破壊をより確実に防ぐことが
できる。

【００１８】しかも、請求項５に記載の負荷駆動回路に
よれば、電源電圧の値が、例えば１２Ｖから２４Ｖとい
った具合に変更されても、その変更に全く関係なくＭＯ
Ｓトランジスタの保護を確実に行うことができる。尚、
電源電圧基準のクランプ回路は、請求項６に記載の如
く、昇圧回路の出力端子と電源電圧との間に、アノード
を電源電圧側としカソードを出力端子側として接続され
た、ツェナーダイオードによって構成することができ
る。そして、このように構成すれば、簡単な回路構成
で、請求項５に記載の負荷駆動回路による効果を得るこ
とができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明が適用された実施形
態について図面を用いて説明する。尚、本発明は、下記
の実施形態に限定されることなく、本発明の技術的範囲
に属する限り、種々の形態を採り得ることは言うまでも
ない。

【００２０】［第１実施形態］まず図１は、第１実施形
態の負荷駆動回路の構成を示す回路図である。図１に示
すように、第１実施形態の負荷駆動回路は、車両に搭載
されたモータやアクチュエータ等のコイルＬに電流を流
して、そのモータやアクチュエータ等を駆動するもので
あり、電源電圧としてのバッテリ電圧（即ち、車両のバ
ッテリの＋側）ＶD にドレイン（Ｄ）が接続され、負荷
としての上記コイルＬの接地電位（ＧＮＤ＝０Ｖ）とは
反対側の端部にソース（Ｓ）が接続されたＮチャンネル
型のＭＯＳトランジスタ１と、バッテリ電圧ＶD を昇圧
して出力する昇圧回路としてのチャージポンプ回路２
と、チャージポンプ回路２の出力電圧ＶO （即ち、バッ
テリ電圧ＶD を昇圧した昇圧電圧）をＭＯＳトランジス
タ１のゲート（Ｇ）に供給するための制御回路３とを備
えている。

【００２１】ここで、チャージポンプ回路２は、バッテ
リ電圧ＶD にアノードが接続されたダイオードＤ１と、
そのダイオードＤ１のカソードにアノードが接続された
ダイオードＤ２と、ダイオードＤ１のカソードに一端が
接続されたチャージポンプ用の第１のコンデンサＣ１
と、ダイオードＤ２のカソードに一端が接続されたチャ
ージポンプ用の第２のコンデンサＣ２と、バッテリ電圧
ＶD を受けて動作し、第１のコンデンサＣ１のダイオー
ドＤ１とは反対側の端部に所定周波数のパルス信号を出
力する発振回路Ｈと、発振回路Ｈからのパルス信号をレ
ベル反転して、第２のコンデンサＣ２のダイオードＤ２
とは反対側の端部に出力するインバータＩＶと、を備え
ている。

【００２２】そして、このチャージポンプ回路２では、
発振回路Ｈからのパルス信号がロウレベル（即ち、０
Ｖ）であるときに、第１のコンデンサＣ１がバッテリ電
圧ＶDにより充電され、発振回路Ｈからのパルス信号が
ハイレベル（即ち、バッテリ電圧ＶD ）であるときに、
第２のコンデンサＣ２が第１のコンデンサＣ１により充
電される、といった動作を繰り返すことにより、ダイオ
ードＤ２のカソードと第２のコンデンサＣ２との接続点
である出力端子２ａから、バッテリ電圧ＶD の電圧値を
２〜３倍に昇圧した出力電圧ＶO が出力される。

【００２３】一方、制御回路３は、チャージポンプ回路
２の上記出力端子２ａにエミッタが接続され、ＭＯＳト
ランジスタ１のゲートにコレクタが接続された、ＰＮＰ
型のバイポーラトランジスタ（以下、単に、トランジス
タという）Ｔｒ１と、トランジスタＴｒ１のエミッタと
ベースとの間に接続された誤動作防止用の抵抗器Ｒ１と
を備えている。

【００２４】この制御回路３では、トランジスタＴｒ１
のベースが、制御信号を入力するための入力端子３ａと
なっており、外部から上記入力端子３ａに、ロウレベル
（即ち、０Ｖ）の制御信号が与えられると、トランジス
タＴｒ１がオンして、チャージポンプ回路２の出力電圧
ＶO がＭＯＳトランジスタ１のゲートに供給される。

【００２５】そして、ＭＯＳトランジスタ１のゲートに
チャージポンプ回路２の出力電圧ＶO が供給されると、
ＭＯＳトランジスタ１がオンして、そのＭＯＳトランジ
スタ１のソースからコイルＬに電流が流れることとな
る。ここで特に、本第１実施形態の負荷駆動回路では、
チャージポンプ回路２の出力端子２ａと接地電位との間
に、チャージポンプ回路２の出力電圧ＶO が所定値以上
になることを防止するための、電圧制限手段としての接
地電位基準のクランプ回路４が設けられている。そし
て、このクランプ回路４は、チャージポンプ回路２の出
力端子２ａと接地電位との間に、アノードを接地電位側
としカソードを出力端子２ａ側として直列接続された、
３つのツェナーダイオードＺＤ１，ＺＤ２，ＺＤ３によ
り構成されている。

【００２６】一方、本実施形態において、バッテリ電圧
ＶD は通常８Ｖ〜１６Ｖであり、ＭＯＳトランジスタ１
のゲート−ドレイン間耐圧は１６Ｖである。このため、
本第１実施形態の負荷駆動回路では、バッテリ電圧ＶD
が最小値である８Ｖの場合でも、ＭＯＳトランジスタ１
のゲート−ドレイン間に、その耐圧値である１６Ｖ以上
の電圧がかからないように、クランプ回路４のツェナー
電圧、即ち、３つのツェナーダイオードＺＤ１〜ＺＤ３
の合計のツェナー電圧は、２４（＝８＋１６）Ｖよりも
小さい値に設定されている。

【００２７】具体的には、各ツェナーダイオードＺＤ１
〜ＺＤ３のツェナー電圧は７Ｖであり、３つのツェナー
ダイオードＺＤ１〜ＺＤ３の合計のツェナー電圧は、２
１Ｖに設定されている。また、本第１実施形態の負荷駆
動回路では、チャージポンプ回路２内のコンデンサＣ
１，Ｃ２として、その耐圧がクランプ回路４のツェナー
電圧（２１Ｖ）より大きい値（例えば３０Ｖ）のものを
用いている。換言すれば、クランプ回路４のツェナー電
圧は、コンデンサＣ１，Ｃ２の耐圧よりも小さい値とな
っている。

【００２８】このような本第１実施形態の負荷駆動回路
によれば、接地電位に対するチャージポンプ回路２の出
力端子２ａの電位が、所定値としての２１Ｖ以上になろ
うとすると、３つのツェナーダイオードＺＤ１〜ＺＤ３
からなるクランプ回路４により、出力端子２ａ側から接
地電位側へ電気エネルギーが逃がされ、これにより、チ
ャージポンプ回路２の出力電圧ＶO が２１Ｖ以上になる
ことが防止される。

【００２９】従って、本第１実施形態の負荷駆動回路に
よれば、ＭＯＳトランジスタ１のゲートとドレインとの
間に、そのゲート−ドレイン間耐圧（１６Ｖ）以上の電
圧がかかることが防止されて、ＭＯＳトランジスタ１の
性能劣化や破壊を確実に防ぐことができる。つまり、チ
ャージポンプ回路２の出力電圧ＶO が２１Ｖにクランプ
されるため、例えばバッテリ電圧ＶD が８Ｖでも、ＭＯ
Ｓトランジスタ１のゲート−ドレイン間にはその耐圧以
下である１３Ｖしか印加されず、ＭＯＳトランジスタ１
の性能劣化や破壊を確実に防ぐことができる。

【００３０】また、本第１実施形態の負荷駆動回路によ
れば、クランプ回路４のツェナー電圧が、チャージポン
プ回路２のコンデンサＣ１，Ｃ２の耐圧値よりも小さい
値に設定されているため、コンデンサＣ１，Ｃ２が高電
圧により劣化或いは破壊されてしまうことを確実に防止
することができる。また更に、コンデンサＣ１，Ｃ２の
耐圧値は、少なくともクランプ回路４のツェナー電圧
（２１Ｖ）より大きければ良く、コンデンサＣ１，Ｃ２
として、比較的低い耐圧のコンデンサを用いることがで
きる。

【００３１】しかも、本第１実施形態の負荷駆動回路に
よれば、接地電位だけが瞬間的に大きく負電圧方向へ変
動するようなサージが発生した場合にでも、チャージポ
ンプ回路２の出力端子２ａと接地電位との間の電位差
は、クランプ回路４のツェナー電圧（２１Ｖ）に保たれ
るため、チャージポンプ回路２のコンデンサＣ１，Ｃ２
にその耐圧以上の電圧が印加されてしまうことを、確実
に防止することができる。

【００３２】尚、クランプ回路４は、例えば、チャージ
ポンプ回路２の出力端子２ａと接地電位との間に、アノ
ードを出力端子２ａ側としカソードを接地電位側として
直列接続された複数のダイオードにより構成することも
できる。但し、本第１実施形態のように、クランプ回路
４をツェナーダイオードによって構成すれば、簡単且つ
小規模な回路構成で、前述した効果を得ることができ
る。

【００３３】また、上記第１実施形態では、クランプ回
路４を構成するツェナーダイオードが３個であったが、
その数は、各ツェナーダイオードのツェナー電圧や、Ｍ
ＯＳトランジスタ１のゲート−ドレイン間耐圧などに応
じて、適宜設定すれば良い。 ［第２実施形態］次に、図２は第２実施形態の負荷駆動
回路を示す回路図である。

【００３４】図２に示すように、本第２実施形態の負荷
駆動回路は、前述した第１実施形態の負荷駆動回路（図
１）に対し、クランプ回路４に代えて、電源電圧基準の
クランプ回路５が設けられている点のみ異なっている。
そして、クランプ回路５は、チャージポンプ回路２の出
力端子２ａとバッテリ電圧ＶD との間に設けられてお
り、出力端子２ａとバッテリ電圧ＶD との間にアノード
をバッテリ電圧ＶD 側としカソードを出力端子２ａ側と
して直列接続された、２つのツェナーダイオードＺＤ
１，ＺＤ２により構成されている。

【００３５】尚、本第２実施形態においても、バッテリ
電圧ＶD は通常８Ｖ〜１６Ｖであり、ＭＯＳトランジス
タ１のゲート−ドレイン間耐圧は１６Ｖである。また、
各ツェナーダイオードＺＤ１，ＺＤ２のツェナー電圧は
７Ｖであり、コンデンサＣ１，Ｃ２の耐圧値は３０Ｖで
ある。

【００３６】よって、クランプ回路５のツェナー電圧、
即ち、２つのツェナーダイオードＺＤ１，ＺＤ２の合計
のツェナー電圧は、ＭＯＳトランジスタ１のゲート−ド
レイン間耐圧（１６Ｖ）よりも小さい１４Ｖに設定され
ている。このような本第２実施形態の負荷駆動回路によ
れば、バッテリ電圧ＶD に対するチャージポンプ回路２
の出力端子２ａの電位が、設定値としての１４Ｖ以上に
なろうとすると、２つのツェナーダイオードＺＤ１，Ｚ
Ｄ２からなるクランプ回路５により、出力端子２ａ側か
らバッテリ電圧ＶD 側へ電気エネルギーが逃がされ、こ
れにより、チャージポンプ回路２の出力電圧ＶO がバッ
テリ電圧ＶD にクランプ回路５のツェナー電圧（１４
Ｖ）を加えた値（ＶD ＋１４Ｖ）以上になってしまうこ
とが防止される。

【００３７】そして、本第２実施形態の負荷駆動回路に
よっても、ＭＯＳトランジスタ１のゲートとドレインと
の間にゲート−ドレイン間耐圧以上の電圧がかかること
が防止されて、ＭＯＳトランジスタ１の性能劣化や破壊
を確実に防ぐことができる。しかも、本第２実施形態の
負荷駆動回路によれば、バッテリ電圧ＶD に負電圧方向
のサージが発生したりバッテリ電圧ＶD が瞬断して、チ
ャージポンプ回路２の出力端子２ａとバッテリ電圧ＶD
との電位差が大きくなりそうな場合でも、その電位差、
即ち、ＭＯＳトランジスタ１のゲート−ドレイン間電圧
は、クランプ回路５によって１４Ｖに保持される。

【００３８】つまり、前述した第１実施形態の負荷駆動
回路では、バッテリ電圧ＶD が安定していれば大きな効
果を奏するものの、バッテリ電圧ＶD に負電圧方向のサ
ージが発生したりバッテリ電圧ＶD が瞬断した場合に
は、ＭＯＳトランジスタ１のゲート−ドレイン間に過電
圧が加わってしまうことを防ぐことができないという不
利な面がある。

【００３９】これに対して、本第２実施形態の負荷駆動
回路によれば、あらゆる状況において、ＭＯＳトランジ
スタ１のゲート−ドレイン間電圧がその耐圧値以上にな
ってしまうことを防止することができ、この結果、ＭＯ
Ｓトランジスタ１の性能劣化や破壊をより確実に防ぐこ
とができる。

【００４０】また更に、本第２実施形態の負荷駆動回路
によれば、バッテリ電圧ＶD の設定値が、例えば１２Ｖ
から２４Ｖといった具合に変更されても、その変更に全
く関係なくＭＯＳトランジスタ１の保護を確実に行うこ
とができる。つまり、前述した第１実施形態の負荷駆動
回路では、車両のバッテリが、１２Ｖ用から２４Ｖ用と
いった具合に変更された場合には、その変更に応じてク
ランプ回路４のツェナー電圧を設定し直さなければなら
ないという不利な面もある。例えば、第１実施形態の負
荷駆動回路では、前述したように、クランプ回路４のツ
ェナー電圧が２１Ｖに設定されていたが、バッテリが２
４Ｖ用に変更された場合には、ＭＯＳトランジスタ１を
確実にオンさせるために、クランプ回路４のツェナー電
圧を大きな値に再設定する必要が生じる。

【００４１】これに対して、本第２実施形態の負荷駆動
回路によれば、クランプ回路５のツェナー電圧は、バッ
テリ電圧ＶD に関わらず、ＭＯＳトランジスタ１のゲー
ト−ドレイン間耐圧以下に設定しておけば良く、汎用性
が非常に高い。一方更に、前述した第１実施形態の負荷
駆動回路では、ＭＯＳトランジスタ１を確実にオンさせ
るために、クランプ回路４のツェナー電圧をある程度大
きい値に設定する必要があり、このため、クランプ回路
４を構成するツェナーダイオードの接続個数をある程度
多くする必要がある。

【００４２】これに対して、本第２実施形態の負荷駆動
回路によれば、クランプ回路５のツェナー電圧は、ＭＯ
Ｓトランジスタ１のゲート−ドレイン間耐圧以下に設定
しておけば良いため、クランプ回路５を構成するツェナ
ーダイオードの接続個数が少なくて済む。例えば、第１
実施形態では３つのツェナーダイオードＺＤ１〜ＺＤ３
が必要であったが、本第２実施形態では２つのツェナー
ダイオードＺＤ１，ＺＤ２で良い。

【００４３】このため、本第２実施形態の負荷駆動回路
によれば、回路規模を小さくすることができるという点
においても有利である。尚、クランプ回路５は、例え
ば、チャージポンプ回路２の出力端子２ａとバッテリ電
圧ＶD との間に、アノードを出力端子２ａ側としカソー
ドをバッテリ電圧ＶD 側として直列接続された複数のダ
イオードにより構成することもできる。但し、本第２実
施形態のように、クランプ回路５をツェナーダイオード
によって構成すれば、簡単且つ小規模な回路構成で、前
述した効果を得ることができる。

【００４４】また、上記第２実施形態では、クランプ回
路５を構成するツェナーダイオードが２個であったが、
その数は、各ツェナーダイオードのツェナー電圧や、Ｍ
ＯＳトランジスタ１のゲート−ドレイン間耐圧などに応
じて、適宜設定すれば良い。 ［その他］上記各実施形態の負荷駆動回路は、自動車に
搭載されたモータやアクチュエータ等のコイルＬに電流
を流すものであり、ＭＯＳトランジスタ１のドレインが
バッテリ電圧ＶD に接続されていたが、本発明は、自動
車の分野以外にも全く同様に適用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 第１実施形態の負荷駆動回路を示す回路図で
ある。

【図２】 第２実施形態の負荷駆動回路を示す回路図で
ある。

【図３】 従来の負荷駆動回路を説明する概略回路図で
ある。

【符号の説明】

Ｌ…コイル（負荷） １…ＭＯＳトランジスタ ２
…チャージポンプ回路 ２ａ…出力端子 ３…制御回路 ３ａ…入力端子 ４，５…クランプ回路 ＺＤ１，ＺＤ２，ＺＤ３…ツ
ェナーダイオード Ｃ１，Ｃ２…コンデンサ Ｈ…発振回路

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電源電圧にドレインが接続され、負荷の
   接地電位とは反対側の端部にソースが接続されるＮチャ
   ンネル型のＭＯＳトランジスタと、 前記電源電圧を昇圧して出力する昇圧回路と、 を備え、前記昇圧回路の出力電圧を前記ＭＯＳトランジ
   スタのゲートに供給して前記ＭＯＳトランジスタをオン
   させることにより、該ＭＯＳトランジスタから前記負荷
   に電流を流すよう構成された負荷駆動回路において、 前記昇圧回路の出力電圧が所定値以上になることを防止
   する電圧制限手段を設けたこと、 を特徴とする負荷駆動回路。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の負荷駆動回路におい
   て、 前記昇圧回路は、前記電源電圧を昇圧するためのコンデ
   ンサを有しており、 前記所定値は、前記コンデンサの耐圧値よりも小さい値
   に設定されていること、 を特徴とする負荷駆動回路。
3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の負荷駆動
   回路において、 前記電圧制限手段は、 前記出力電圧を出力するための前記昇圧回路の出力端子
   と前記接地電位との間に設けられ、前記接地電位に対す
   る前記出力端子の電位が前記所定値以上になろうとする
   場合に前記出力端子側から前記接地電位側へ電気エネル
   ギーを逃がすことで、前記出力電圧が前記所定値以上に
   なることを防止する接地電位基準のクランプ回路からな
   ること、 を特徴とする負荷駆動回路。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の負荷駆動回路におい
   て、 前記接地電位基準のクランプ回路は、 前記昇圧回路の出力端子と前記接地電位との間に、アノ
   ードを前記接地電位側としカソードを前記出力端子側と
   して接続された、ツェナーダイオードにより構成されて
   いること、 を特徴とする負荷駆動回路。
5. 【請求項５】 請求項１又は請求項２に記載の負荷駆動
   回路において、 前記電圧制限手段は、 前記出力電圧を出力するための前記昇圧回路の出力端子
   と前記電源電圧との間に設けられ、前記電源電圧に対す
   る前記出力端子の電位が予め設定された設定値以上にな
   ろうとする場合に前記出力端子側から前記電源電圧側へ
   電気エネルギーを逃がすことで、前記出力電圧が前記所
   定値以上になることを防止する電源電圧基準のクランプ
   回路からなること、 を特徴とする負荷駆動回路。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の負荷駆動回路におい
   て、 前記電源電圧基準のクランプ回路は、 前記昇圧回路の出力端子と前記電源電圧との間に、アノ
   ードを前記電源電圧側としカソードを前記出力端子側と
   して接続された、ツェナーダイオードにより構成されて
   いること、 を特徴とする負荷駆動回路。