JPH1187819A - 光出力レベル調整回路 - Google Patents
光出力レベル調整回路Info
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- JPH1187819A JPH1187819A JP24403297A JP24403297A JPH1187819A JP H1187819 A JPH1187819 A JP H1187819A JP 24403297 A JP24403297 A JP 24403297A JP 24403297 A JP24403297 A JP 24403297A JP H1187819 A JPH1187819 A JP H1187819A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 同一データが連続して入力された場合でも、
適切なバイアス電流が得られ、かつ半導体レーザダイオ
ードの性能劣化に伴う光出力レベルの低下にも対応でき
る光出力レベル調整回路を提供する。 【解決手段】 データの変化が繰り返される状態と、デ
ータ“０”が連続する状態と、データ“１”が連続する
状態とを検出し、それぞれに対応指示信号を出力するデ
ータ変化検出回路１３と、各状態にそれぞれ対応する参
照信号ａ〜ｃとモニタダイオード１４からのモニタ結果
とが入力されるバイアス電流制御回路１５ａ〜ｃを設
け、各状態に応じたバイアス電流を半導体レーザダイオ
ード１１に与える。
適切なバイアス電流が得られ、かつ半導体レーザダイオ
ードの性能劣化に伴う光出力レベルの低下にも対応でき
る光出力レベル調整回路を提供する。 【解決手段】 データの変化が繰り返される状態と、デ
ータ“０”が連続する状態と、データ“１”が連続する
状態とを検出し、それぞれに対応指示信号を出力するデ
ータ変化検出回路１３と、各状態にそれぞれ対応する参
照信号ａ〜ｃとモニタダイオード１４からのモニタ結果
とが入力されるバイアス電流制御回路１５ａ〜ｃを設
け、各状態に応じたバイアス電流を半導体レーザダイオ
ード１１に与える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光出力レベル調整
回路に関し、特に半導体レーザダイオードに供給するバ
イアス電流を制御する光出力レベル調整回路に関する。
回路に関し、特に半導体レーザダイオードに供給するバ
イアス電流を制御する光出力レベル調整回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の光出力レベル調整回路
は、図４に示すように、半導体レーザダイオード４１に
変調電流ＩM を供給するための第１のＦＥＴ４２と、半
導体レーザダイオード４２にバイアス電流ＩB を供給す
るための第２のＦＥＴ４３と、半導体レーザダイオード
４２の発光をモニタするモニタダイオード４４と、モニ
タダイオード４４からの検出電流ＩP を検出電圧に変換
する抵抗４５と、検出電圧と参照電圧と比較し、その結
果である電圧を第２のＦＥＴ４３のゲートへ出力する比
較回路４６とを有している。
は、図４に示すように、半導体レーザダイオード４１に
変調電流ＩM を供給するための第１のＦＥＴ４２と、半
導体レーザダイオード４２にバイアス電流ＩB を供給す
るための第２のＦＥＴ４３と、半導体レーザダイオード
４２の発光をモニタするモニタダイオード４４と、モニ
タダイオード４４からの検出電流ＩP を検出電圧に変換
する抵抗４５と、検出電圧と参照電圧と比較し、その結
果である電圧を第２のＦＥＴ４３のゲートへ出力する比
較回路４６とを有している。
【０００３】この光出力レベル調整回路では、第１のＦ
ＥＴ４２のゲートにデータ（変調信号）が入力される
と、それに応じた変調電流ＩM が半導体レーザダイオー
ド４１に供給され、変調信号に対応する光信号を発生す
る。その光信号をモニタダイオード４４は検出し、光強
度に応じた検出電流ＩP を発生する。この検出電流ＩP
は抵抗４５によって電圧に変換され、比較回路４６に供
給される。比較回路４６には、参照電圧が入力されてお
り、モニタダイオード４４からの検出電流に対応する電
圧と比較される。比較回路４６は、比較結果に応じた電
圧を第２のＦＥＴ４３のゲートに供給する。この結果、
第２のＦＥＴ４３は、半導体レーザダイオード４１の光
出力レベルが一定となるように、バイアス電流ＩB を調
整する。
ＥＴ４２のゲートにデータ（変調信号）が入力される
と、それに応じた変調電流ＩM が半導体レーザダイオー
ド４１に供給され、変調信号に対応する光信号を発生す
る。その光信号をモニタダイオード４４は検出し、光強
度に応じた検出電流ＩP を発生する。この検出電流ＩP
は抵抗４５によって電圧に変換され、比較回路４６に供
給される。比較回路４６には、参照電圧が入力されてお
り、モニタダイオード４４からの検出電流に対応する電
圧と比較される。比較回路４６は、比較結果に応じた電
圧を第２のＦＥＴ４３のゲートに供給する。この結果、
第２のＦＥＴ４３は、半導体レーザダイオード４１の光
出力レベルが一定となるように、バイアス電流ＩB を調
整する。
【０００４】しかしながら、このような構成おいては、
“０”と“１”とが交互に入力されているような場合
は、精度よくバイアス電流ＩB の調整が行われるが、同
一データが連続して入力された場合には、光出力レベル
が低下した、または上昇したと判断してしまい、バイア
ス電流ＩB が適切な値からずれてしまう、具体的には、
光出力レベルが“０”に対応するレベルと“１”に対応
するレベルの中間レベルとなるようにバイアス電流ＩB
を制御してしまうという欠点がある。
“０”と“１”とが交互に入力されているような場合
は、精度よくバイアス電流ＩB の調整が行われるが、同
一データが連続して入力された場合には、光出力レベル
が低下した、または上昇したと判断してしまい、バイア
ス電流ＩB が適切な値からずれてしまう、具体的には、
光出力レベルが“０”に対応するレベルと“１”に対応
するレベルの中間レベルとなるようにバイアス電流ＩB
を制御してしまうという欠点がある。
【０００５】このような欠点を解消した、光出力レベル
調整回路として図５に示すようなものがある。
調整回路として図５に示すようなものがある。
【０００６】図５の光出力レベル調整回路は、ほぼ図４
の光出力レベル調整回路と同じであるが、モニタダイオ
ード４４の代わりにダイオード５１が用いられている。
このダイオード５１は、半導体レーザダイオード４１と
同一の温度環境に置くために、半導体レーザダイオード
４１に近接して設置される。
の光出力レベル調整回路と同じであるが、モニタダイオ
ード４４の代わりにダイオード５１が用いられている。
このダイオード５１は、半導体レーザダイオード４１と
同一の温度環境に置くために、半導体レーザダイオード
４１に近接して設置される。
【０００７】半導体レーザダイオード４１は、そのしき
い値電流が温度によって変化し、光出力レベルも温度に
よって変化するという温度特性を有している。したがっ
て、同じような温度特性をもつダイオード５１を、半導
体レーザダイオード４１の近傍に設ければ、半導体レー
ザダイオード４１の温度による影響をダイオード５１を
用いて検出することができる。図５の光出力レベル調整
回路は、このような原理に基づき、ダイオード５１に流
れる電流を電圧に変換し、参照電圧と比較してバイアス
電流ＩB を制御することによって、半導体レーザダイオ
ード４１の光出力レベルを一定に保つものである。
い値電流が温度によって変化し、光出力レベルも温度に
よって変化するという温度特性を有している。したがっ
て、同じような温度特性をもつダイオード５１を、半導
体レーザダイオード４１の近傍に設ければ、半導体レー
ザダイオード４１の温度による影響をダイオード５１を
用いて検出することができる。図５の光出力レベル調整
回路は、このような原理に基づき、ダイオード５１に流
れる電流を電圧に変換し、参照電圧と比較してバイアス
電流ＩB を制御することによって、半導体レーザダイオ
ード４１の光出力レベルを一定に保つものである。
【０００８】なお、このような光出力レベル調整回路
は、特開平６−２６０７０４号公報に記載されている。
は、特開平６−２６０７０４号公報に記載されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】第１の問題点は、
“０”または“１”が連続するデータに対応することが
できないことである。
“０”または“１”が連続するデータに対応することが
できないことである。
【００１０】その理由は、図４に示す光出力レベル調整
回路では、半導体レーザダイオードの発光に基づいてバ
イアス電流を調整するために、“０”または“１”が連
続する場合には、“０”に対応するレベルと“１”対応
するレベルとの中間レベルに光出力レベルを調整するか
らである。
回路では、半導体レーザダイオードの発光に基づいてバ
イアス電流を調整するために、“０”または“１”が連
続する場合には、“０”に対応するレベルと“１”対応
するレベルとの中間レベルに光出力レベルを調整するか
らである。
【００１１】第２の問題点は、半導体レーザダイオード
の性能劣化伴う光出力レベルの低下に対応出来ないこと
である。
の性能劣化伴う光出力レベルの低下に対応出来ないこと
である。
【００１２】その理由は、図５に示す従来の光出力レベ
ル調整回路では、温度特性のみに着目しており、実際の
光出力レベルを検出していないからである。
ル調整回路では、温度特性のみに着目しており、実際の
光出力レベルを検出していないからである。
【００１３】なお、特開昭６３−２４００８７号公報及
び特開昭６１−３５５８４号公報にも、光出力レベル調
整回路が開示されているが、上記と同じ問題点を有して
いる。
び特開昭６１−３５５８４号公報にも、光出力レベル調
整回路が開示されているが、上記と同じ問題点を有して
いる。
【００１４】本発明は、同一データが連続して入力され
た場合でも、適切なバイアス電流が得られ、かつ半導体
レーザダイオードの性能劣化に伴う光出力レベルの低下
にも対応できる光出力レベル調整回路を提供することを
目的とする。
た場合でも、適切なバイアス電流が得られ、かつ半導体
レーザダイオードの性能劣化に伴う光出力レベルの低下
にも対応できる光出力レベル調整回路を提供することを
目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、入力データに
応じた変調電流で駆動される半導体レーザダイオードの
光出力レベルを調整する光出力レベル調整回路におい
て、前記光出力レベルをモニタするモニタダイオード
と、前記入力データの変化を検出する変化検出手段とを
設け、前記モニタダイオードの出力と、前記変化検出手
段が検出した入力データの変化状態に応じて前記半導体
レーザダイオードに印加するバイアス電流を制御するよ
うにしたことを特徴とする。
応じた変調電流で駆動される半導体レーザダイオードの
光出力レベルを調整する光出力レベル調整回路におい
て、前記光出力レベルをモニタするモニタダイオード
と、前記入力データの変化を検出する変化検出手段とを
設け、前記モニタダイオードの出力と、前記変化検出手
段が検出した入力データの変化状態に応じて前記半導体
レーザダイオードに印加するバイアス電流を制御するよ
うにしたことを特徴とする。
【００１６】また、本発明は、前記変化検出手段が、入
力データの変化を検出してから計時を始め、所定時間ｔ
が経過するまでに再び入力データが変化する第１の状態
と、所定時間ｔを経過して“０”が連続する第２の状態
と、所定時間ｔを経過して“１”が連続する第３の状態
とを検出し、各状態に応じて前記バイアス電流を制御す
るようにしたことを特徴とする。
力データの変化を検出してから計時を始め、所定時間ｔ
が経過するまでに再び入力データが変化する第１の状態
と、所定時間ｔを経過して“０”が連続する第２の状態
と、所定時間ｔを経過して“１”が連続する第３の状態
とを検出し、各状態に応じて前記バイアス電流を制御す
るようにしたことを特徴とする。
【００１７】さらに、本発明は、前記第１、第２、及び
第３の状態にそれぞれ対応する第１、第２、及び第３の
参照信号を用意し、前記変化検出手段が検出した状態に
対応する参照信号と前記モニタダイオードの出力とを比
較して前記バイアス電流を制御するようにしたことを特
徴とする。
第３の状態にそれぞれ対応する第１、第２、及び第３の
参照信号を用意し、前記変化検出手段が検出した状態に
対応する参照信号と前記モニタダイオードの出力とを比
較して前記バイアス電流を制御するようにしたことを特
徴とする。
【００１８】さらにまた、本発明は、前記モニタダイオ
ードの出力と、前記第１、第２、及び第３の参照信号と
をそれぞれ比較し、比較の結果に応じたバイアス電流を
発生する第１、第２、及び第３のバイアス電流制御手段
と、これら第１、第２、及び第３のバイアス電流制御手
段のうちの一つを、前記変化検出手段の検出した前記第
１、第２、及び第３の状態に応じて選択的に前記半導体
レーザダイオードに接続する選択接続手段とを有するこ
とを特徴とする。
ードの出力と、前記第１、第２、及び第３の参照信号と
をそれぞれ比較し、比較の結果に応じたバイアス電流を
発生する第１、第２、及び第３のバイアス電流制御手段
と、これら第１、第２、及び第３のバイアス電流制御手
段のうちの一つを、前記変化検出手段の検出した前記第
１、第２、及び第３の状態に応じて選択的に前記半導体
レーザダイオードに接続する選択接続手段とを有するこ
とを特徴とする。
【００１９】また、本発明は、前記第１、第２、及び第
３の参照信号のうちの一つを前記変化検出手段の検出し
た前記第１、第２、及び第３の状態に応じて選択する選
択手段と、該選択手段と前記モニタダイオードと前記半
導体レーザダイオードとに接続され、前記選択手段で選
択された参照信号と前記モニタダイオードの出力とを比
較し、比較の結果に応じたバイアス電流を前記半導体レ
ーザダイオードに与えるバイアス電流制御手段とを有す
ることを特徴とする。
３の参照信号のうちの一つを前記変化検出手段の検出し
た前記第１、第２、及び第３の状態に応じて選択する選
択手段と、該選択手段と前記モニタダイオードと前記半
導体レーザダイオードとに接続され、前記選択手段で選
択された参照信号と前記モニタダイオードの出力とを比
較し、比較の結果に応じたバイアス電流を前記半導体レ
ーザダイオードに与えるバイアス電流制御手段とを有す
ることを特徴とする。
【００２０】
【作用】伝送データの“０”と“１”の変化状態を監視
し、その状態応じてバイアス電流の適性値（即ち参照信
号）を変更するので、データが“０”の連続、または
“１”の連続であっても光出力レベルを適切な“０”レ
ベル、または“１”レベルに保つことができる。したが
って、光通信において、データ伝送を精度よく行うこと
ができる。
し、その状態応じてバイアス電流の適性値（即ち参照信
号）を変更するので、データが“０”の連続、または
“１”の連続であっても光出力レベルを適切な“０”レ
ベル、または“１”レベルに保つことができる。したが
って、光通信において、データ伝送を精度よく行うこと
ができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面を参照して詳細に説明する。
図面を参照して詳細に説明する。
【００２２】図１に本発明の光出力レベル調整回路の第
１の実施の形態を示す。この光出力レベル調整回路は、
半導体レーザダイオード１１と、半導体レーザダイオー
ド１１に、入力される伝送データ（変調信号）の“０”
及び“１”にそれぞれ対応する変調電流を流すための変
調電流発生回路１２と、伝送データの“０”と“１”と
の変化を検出するデータ変化検出回路１３と、半導体レ
ーザダイオード１１の発する光をモニタするモニタダイ
オード１４と、互いに異なる参照信号（参照電圧）ａ、
ｂ、及びｃが入力されるとともに、モニタダイオードか
らの検出電流（または検出電流を変換した電圧）が入力
され、それぞれ異なるバイアス電流を発生する複数のバ
イアス電流制御回路１５ａ、１５ｂ、及び１５ｃと、デ
ータ変化検出回路１３からの指示信号に応答して、複数
のバイアス電流制御回路１５のうちの１つを選択的に半
導体レーザダイオード回路１３に接続するセレクタ１６
とを有している。
１の実施の形態を示す。この光出力レベル調整回路は、
半導体レーザダイオード１１と、半導体レーザダイオー
ド１１に、入力される伝送データ（変調信号）の“０”
及び“１”にそれぞれ対応する変調電流を流すための変
調電流発生回路１２と、伝送データの“０”と“１”と
の変化を検出するデータ変化検出回路１３と、半導体レ
ーザダイオード１１の発する光をモニタするモニタダイ
オード１４と、互いに異なる参照信号（参照電圧）ａ、
ｂ、及びｃが入力されるとともに、モニタダイオードか
らの検出電流（または検出電流を変換した電圧）が入力
され、それぞれ異なるバイアス電流を発生する複数のバ
イアス電流制御回路１５ａ、１５ｂ、及び１５ｃと、デ
ータ変化検出回路１３からの指示信号に応答して、複数
のバイアス電流制御回路１５のうちの１つを選択的に半
導体レーザダイオード回路１３に接続するセレクタ１６
とを有している。
【００２３】次に、この光出力レベル調整回路の動作に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００２４】外部から入力される伝送データは、変調電
流発生回路１２とデータ変化検出回路１３とに入力され
る。
流発生回路１２とデータ変化検出回路１３とに入力され
る。
【００２５】変調電流発生回路１２は、入力される伝送
データに応答して、“０”及び“１”にそれぞれ応じた
値の変調電流を発生させ、半導体レーザダイオードに変
調電流として供給する。なお、このような変調電流発生
回路１２は、従来のようにＴＦＴを用いて実現できる。
データに応答して、“０”及び“１”にそれぞれ応じた
値の変調電流を発生させ、半導体レーザダイオードに変
調電流として供給する。なお、このような変調電流発生
回路１２は、従来のようにＴＦＴを用いて実現できる。
【００２６】また、データ変化検出回路１３は、入力さ
れる伝送データを監視し、“０”から“１”への変化、
及び“１”から“０”への変化があったがどうか監視す
る。そして、監視結果に基づいてバイアス電流制御回路
１５の一つを選択指示を行う指示信号を出力する。例え
ば、データの変化を検出してから計時を開始し、予め定
められた時間ｔが経過するまでに再びデータの変化を検
出した場合は、バイアス電流制御回路１５ａを選択する
よう指示信号を出力する。また、“１”から“０”への
変化を検出した後、“０”から“１”への変化を検出す
ることなく、予め定められた時間ｔが経過した場合は、
バイアス電流制御回路１５ｂを選択するよう指示信号を
出力する。さらにまた、“０”から“１”への変化を検
出し後、“１”から“０”への変化を検出することな
く、予め定められた時間ｔが経過した場合は、バイアス
電流制御回路１５ｃを選択するよう指示信号を出力す
る。
れる伝送データを監視し、“０”から“１”への変化、
及び“１”から“０”への変化があったがどうか監視す
る。そして、監視結果に基づいてバイアス電流制御回路
１５の一つを選択指示を行う指示信号を出力する。例え
ば、データの変化を検出してから計時を開始し、予め定
められた時間ｔが経過するまでに再びデータの変化を検
出した場合は、バイアス電流制御回路１５ａを選択する
よう指示信号を出力する。また、“１”から“０”への
変化を検出した後、“０”から“１”への変化を検出す
ることなく、予め定められた時間ｔが経過した場合は、
バイアス電流制御回路１５ｂを選択するよう指示信号を
出力する。さらにまた、“０”から“１”への変化を検
出し後、“１”から“０”への変化を検出することな
く、予め定められた時間ｔが経過した場合は、バイアス
電流制御回路１５ｃを選択するよう指示信号を出力す
る。
【００２７】ここで、時間ｔは、次にように定められ
る。即ち、図２（ａ）に示すような伝送データが入力さ
れた場合、図４に示す従来の光出力レベル調整回路で
は、“１”が連続する区間においてバイアス電流を徐々
に減少させる制御が行われる。その結果、光出力レベル
は、“１”レベルと“０”レベルの中間の値に収束しよ
うとする。同様に、“０”が連続する区間においても、
光出力レベルは、“１”レベルと“０”レベルの中間の
値に収束しようとする。したがって、いずれの場合にお
いても、光を受ける側（受信側）では、時間の経過とと
もに“０”、“１”の区別ができなくなる。そこで、時
間ｔは、図２（ｃ）に示すように、“０”、“１”の区
別ができなくなる時間よりも十分短い時間（１ビットよ
りも長い）とする。
る。即ち、図２（ａ）に示すような伝送データが入力さ
れた場合、図４に示す従来の光出力レベル調整回路で
は、“１”が連続する区間においてバイアス電流を徐々
に減少させる制御が行われる。その結果、光出力レベル
は、“１”レベルと“０”レベルの中間の値に収束しよ
うとする。同様に、“０”が連続する区間においても、
光出力レベルは、“１”レベルと“０”レベルの中間の
値に収束しようとする。したがって、いずれの場合にお
いても、光を受ける側（受信側）では、時間の経過とと
もに“０”、“１”の区別ができなくなる。そこで、時
間ｔは、図２（ｃ）に示すように、“０”、“１”の区
別ができなくなる時間よりも十分短い時間（１ビットよ
りも長い）とする。
【００２８】再び図１を参照して説明を続けると、セレ
クタ１６は、データ変化検出回路１３からの指示信号に
応答して、バイアス電流制御回路１５ａ、１５ｂ、及び
１５ｃのうちのいずれかを選択し、半導体レーザダイオ
ード１１に接続する。
クタ１６は、データ変化検出回路１３からの指示信号に
応答して、バイアス電流制御回路１５ａ、１５ｂ、及び
１５ｃのうちのいずれかを選択し、半導体レーザダイオ
ード１１に接続する。
【００２９】モニタダイオード１４は、半導体レーザダ
イオードからの発光をモニタし、光出力レベルに応じた
検出電流を出力する。検出電流は、そのまま、あるいは
抵抗１７によって電圧に変換され、各バイアス電流制御
回路１５ａ、１５ｂ、及び１５ｃに供給される。
イオードからの発光をモニタし、光出力レベルに応じた
検出電流を出力する。検出電流は、そのまま、あるいは
抵抗１７によって電圧に変換され、各バイアス電流制御
回路１５ａ、１５ｂ、及び１５ｃに供給される。
【００３０】各バイアス電流制御回路１５は、個別に設
定された参照信号ａ、ｂ、またはｃと、モニタダイオー
ド１４からの検出電圧とを比較し、比較結果に応じたバ
イアス電流を発生させるよう動作する。例えば、各バイ
アス電流制御回路１５は、参照電圧と検出電圧とを比較
する比較回路と、ＦＥＴとを有し、比較回路で参照電圧
と検出電圧との差に応じた電圧を発生してＦＥＴのゲー
トに供給する。この状態で、ＦＥＴがセレクタ１６を介
して半導体レーザダイオードに接続されると、参照電圧
と検出電圧との差に応じたバイアス電流が流れる。
定された参照信号ａ、ｂ、またはｃと、モニタダイオー
ド１４からの検出電圧とを比較し、比較結果に応じたバ
イアス電流を発生させるよう動作する。例えば、各バイ
アス電流制御回路１５は、参照電圧と検出電圧とを比較
する比較回路と、ＦＥＴとを有し、比較回路で参照電圧
と検出電圧との差に応じた電圧を発生してＦＥＴのゲー
トに供給する。この状態で、ＦＥＴがセレクタ１６を介
して半導体レーザダイオードに接続されると、参照電圧
と検出電圧との差に応じたバイアス電流が流れる。
【００３１】ここで、バイアス電流制御回路１５ａに
は、“０”データと“１”データとが交互に入力される
状態において、最適な光出力が得られるようなバイアス
電流を発生させる参照信号ａが入力される。また、バイ
アス電流制御回路１５ｂには、“０”データが連続して
入力される状態において、“０”レベルの光出力が得ら
れるようなバイアス電流を発生させる参照信号ｂが入力
される。また、バイアス電流制御回路１５ｂには、
“１”データが連続して入力される状態において、
“１”レベルの光出力が得られるようなバイアス電流を
発生する参照信号ｃが入力される。
は、“０”データと“１”データとが交互に入力される
状態において、最適な光出力が得られるようなバイアス
電流を発生させる参照信号ａが入力される。また、バイ
アス電流制御回路１５ｂには、“０”データが連続して
入力される状態において、“０”レベルの光出力が得ら
れるようなバイアス電流を発生させる参照信号ｂが入力
される。また、バイアス電流制御回路１５ｂには、
“１”データが連続して入力される状態において、
“１”レベルの光出力が得られるようなバイアス電流を
発生する参照信号ｃが入力される。
【００３２】以上説明したように、本実施の形態では、
データ変化検出回路１３が、時間ｔが経過する前に入力
データが変化を繰り返し検出している間は、バイアス電
流制御回路１５ａが選択され、従来と同様のバイアス電
流制御が行われる。
データ変化検出回路１３が、時間ｔが経過する前に入力
データが変化を繰り返し検出している間は、バイアス電
流制御回路１５ａが選択され、従来と同様のバイアス電
流制御が行われる。
【００３３】これに対し、図２（ｃ）の時刻Ａにおい
て、データ変化検出回路１３が、入力データの変化を検
出することなく時間ｔが経過した場合（例えば、図２
（ｃ）の時刻Ａ）は、データの値に応じて、バイアス電
流制御回路１５ｂまたは１５ｃが選択され、入力データ
“０”または“１”に対応するバイアス電流の制御が行
われる。その後、データ変化検出回路１３が、入力デー
タの変化を検出したならば（例えば、図２（ｃ）の時刻
Ｂ）、再び、バイアス電流制御回路１５ａが選択され、
従来と同様のバイアス電流制御に戻る。
て、データ変化検出回路１３が、入力データの変化を検
出することなく時間ｔが経過した場合（例えば、図２
（ｃ）の時刻Ａ）は、データの値に応じて、バイアス電
流制御回路１５ｂまたは１５ｃが選択され、入力データ
“０”または“１”に対応するバイアス電流の制御が行
われる。その後、データ変化検出回路１３が、入力デー
タの変化を検出したならば（例えば、図２（ｃ）の時刻
Ｂ）、再び、バイアス電流制御回路１５ａが選択され、
従来と同様のバイアス電流制御に戻る。
【００３４】以上のようにして、本実施の形態では、入
力データとして“０”または“１”が連続する場合であ
っても、適切な光出力レベルを維持することができる。
また、半導体レーザダイオード１１の発光をモニタし
て、バイアス電流を制御するので、半導体レーザダイオ
ード１１の性能劣化にも対応できる。
力データとして“０”または“１”が連続する場合であ
っても、適切な光出力レベルを維持することができる。
また、半導体レーザダイオード１１の発光をモニタし
て、バイアス電流を制御するので、半導体レーザダイオ
ード１１の性能劣化にも対応できる。
【００３５】次に図３を参照して、本発明の第２の実施
の形態について説明する。
の形態について説明する。
【００３６】第１の実施の形態においては、複数の光出
力レベル調整回路１５を設け、その出力をセレクタ１６
で選択するようにしたが、本実施の形態においては、単
一のバイアス電流制御回路３１と、このバイアス電流制
御回路３１に複数の参照信号ａ〜ｃのうちの１つを選択
して供給するセレクタ３２とを設けている。それ以外の
構成については第１の実施の形態と同様である。
力レベル調整回路１５を設け、その出力をセレクタ１６
で選択するようにしたが、本実施の形態においては、単
一のバイアス電流制御回路３１と、このバイアス電流制
御回路３１に複数の参照信号ａ〜ｃのうちの１つを選択
して供給するセレクタ３２とを設けている。それ以外の
構成については第１の実施の形態と同様である。
【００３７】次に、この光出力レベル調整回路１５の動
作について説明する。
作について説明する。
【００３８】変調電流発生回路１２は、伝送データの
“０”と“１”とにそれぞれ対応する変調電流を発生す
る。また、データ変化検出回路１３は、伝送データの
“０”から“１”への変化、及び“１”から“０”への
変化を検出し、データの変化を検出したときから時間ｔ
が経過するまでは、参照信号ａの選択を指示する指示信
号を出力する。時間ｔが経過するまでに再びデータの変
化を検出した場合は、その時点からさらに時間ｔが経過
するまで参照信号ａの選択を指示する指示信号を出力す
る。時間ｔが経過するまでに、伝送データの変化が検出
できなかった場合は、伝送データが“０”であれば、参
照信号ｂの選択を指示する指示信号を、伝送データが
“１”であれば、参照信号ｃの選択を指示する指示信号
を、それぞれ出力する。
“０”と“１”とにそれぞれ対応する変調電流を発生す
る。また、データ変化検出回路１３は、伝送データの
“０”から“１”への変化、及び“１”から“０”への
変化を検出し、データの変化を検出したときから時間ｔ
が経過するまでは、参照信号ａの選択を指示する指示信
号を出力する。時間ｔが経過するまでに再びデータの変
化を検出した場合は、その時点からさらに時間ｔが経過
するまで参照信号ａの選択を指示する指示信号を出力す
る。時間ｔが経過するまでに、伝送データの変化が検出
できなかった場合は、伝送データが“０”であれば、参
照信号ｂの選択を指示する指示信号を、伝送データが
“１”であれば、参照信号ｃの選択を指示する指示信号
を、それぞれ出力する。
【００３９】セレクタ３２は、データ変化検出回路１３
からの指示信号に従い、参照信号ａ〜ｃのうちの一つを
選択的にバイアス電流制御回路３１へ出力する。このセ
レクタ３２は、例えば、切り替えスイッチにより実現さ
れる。
からの指示信号に従い、参照信号ａ〜ｃのうちの一つを
選択的にバイアス電流制御回路３１へ出力する。このセ
レクタ３２は、例えば、切り替えスイッチにより実現さ
れる。
【００４０】バイアス電流制御回路３１は、セレクタ３
２から供給される参照信号と、モニタダイオードからの
検出電流を電圧に変換した信号とを比較し、参照信号ａ
が選択されている場合は、データ“０”と“１”が交互
に入力される場合に最適となるバイアス電流を、参照信
号ｂが選択されている場合は、データ“０”が連続する
場合に最適となるバイアス電流を、参照信号ｃが選択さ
れている場合は、データ“１”が連続する場合に最適と
なるバイアス電流を、半導体レーザダイオード１１に与
える。このバイアス電流制御回路３１は、例えば、比較
回路と、ＦＥＴにより実現される。
２から供給される参照信号と、モニタダイオードからの
検出電流を電圧に変換した信号とを比較し、参照信号ａ
が選択されている場合は、データ“０”と“１”が交互
に入力される場合に最適となるバイアス電流を、参照信
号ｂが選択されている場合は、データ“０”が連続する
場合に最適となるバイアス電流を、参照信号ｃが選択さ
れている場合は、データ“１”が連続する場合に最適と
なるバイアス電流を、半導体レーザダイオード１１に与
える。このバイアス電流制御回路３１は、例えば、比較
回路と、ＦＥＴにより実現される。
【００４１】以上のように、本実施の形態においても、
第１の実施の形態と同様、連続する“０”または“１”
が入力された場合であっても、適切な光出力レベルが得
られる。また、半導体レーザダイオードの性能劣化が生
じても、適切な光出力レベルを維持することができる。
第１の実施の形態と同様、連続する“０”または“１”
が入力された場合であっても、適切な光出力レベルが得
られる。また、半導体レーザダイオードの性能劣化が生
じても、適切な光出力レベルを維持することができる。
【００４２】
【発明の効果】第１の効果は、入力データが“０”また
は“１”の連続であっても、光出力レベルを適切な
“０”レベル、または“１”レベルに維持することがで
きる。
は“１”の連続であっても、光出力レベルを適切な
“０”レベル、または“１”レベルに維持することがで
きる。
【００４３】その理由は、入力データの変化状態を検出
し、検出した状態に応じた制御を行うようにしたからで
ある。
し、検出した状態に応じた制御を行うようにしたからで
ある。
【００４４】第２の効果は、半導体レーザダイオードが
劣化し、しきい値電流が変動した場合でも、第１の効果
を維持できることである。
劣化し、しきい値電流が変動した場合でも、第１の効果
を維持できることである。
【００４５】その理由は、光出力レベルをモニタダイオ
ードでモニタしているため、温度変動によるレベル変化
以外であっても、検出することができ、その検出結果に
基づいてバイアス電流を制御できるからである。
ードでモニタしているため、温度変動によるレベル変化
以外であっても、検出することができ、その検出結果に
基づいてバイアス電流を制御できるからである。
【図１】本発明の第１の実施の形態を示すブロック図で
ある。
ある。
【図２】（ａ）入力データと、（ｂ）従来の光出力レベ
ル調整回路による光出力レベルと、（ｃ）図１の光出力
レベル調整回路により光出力レベルとの関係を示すタイ
ムチャートである。
ル調整回路による光出力レベルと、（ｃ）図１の光出力
レベル調整回路により光出力レベルとの関係を示すタイ
ムチャートである。
【図３】本発明の第２の実施の形態を示すブロック図で
ある。
ある。
【図４】従来の光出力レベル調整回路の一例を示すブロ
ック図である。
ック図である。
【図５】従来の光出力レベル調整回路の別の例を示すブ
ロック図である。
ロック図である。
１１ 半導体レーザダイオード １２ 変調電流発生回路 １３ データ変化検出回路 １４ モニタダイオード １５ａ，１５ｂ，１５ｃ バイアス電流制御回路 １６ セレクタ １７ 抵抗 ３１ バイアス電流制御回路 ３２ セレクタ ４１ 半導体レーザダイオード ４２ ＦＥＴ ４３ ＦＥＴ ４４ モニタダイオード ４５ 抵抗 ４６ 比較回路 ５１ ダイオード
【手続補正書】
【提出日】平成９年９月１０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
Claims (5)
- 【請求項１】 入力データに応じた変調電流で駆動され
る半導体レーザダイオードの光出力レベルを調整する光
出力レベル調整回路において、前記光出力レベルをモニ
タするモニタダイオードと、前記入力データの変化を検
出する変化検出手段とを設け、前記モニタダイオードの
出力と、前記変化検出手段が検出した入力データの変化
状態に応じて前記半導体レーザダイオードに印加するバ
イアス電流を制御するようにしたことを特徴とする光出
力レベル調整回路。 - 【請求項２】 前記変化検出手段が、入力データの変化
を検出してから計時を始め、所定時間ｔが経過するまで
に再び入力データが変化する第１の状態と、所定時間ｔ
を経過して“０”が連続する第２の状態と、所定時間ｔ
を経過して“１”が連続する第３の状態とを検出し、各
状態に応じて前記バイアス電流を制御するようにしたこ
とを特徴とする請求項１の光出力レベル調整回路。 - 【請求項３】 前記第１、第２、及び第３の状態にそれ
ぞれ対応する第１、第２、及び第３の参照信号を用意
し、前記変化検出手段が検出した状態に対応する参照信
号と前記モニタダイオードの出力とを比較して前記バイ
アス電流を制御するようにしたことを特徴とする請求項
２の光出力レベル調整回路。 - 【請求項４】 前記モニタダイオードの出力と、前記第
１、第２、及び第３の参照信号とをそれぞれ比較し、比
較の結果に応じたバイアス電流を発生する第１、第２、
及び第３のバイアス電流制御手段と、これら第１、第
２、及び第３のバイアス電流制御手段のうちの一つを、
前記変化検出手段の検出した前記第１、第２、及び第３
の状態に応じて選択的に前記半導体レーザダイオードに
接続する選択接続手段とを有することを特徴とする請求
項３の光出力レベル調整回路。 - 【請求項５】 前記第１、第２、及び第３の参照信号の
うちの一つを前記変化検出手段の検出した前記第１、第
２、及び第３の状態に応じて選択する選択手段と、該選
択手段と前記モニタダイオードと前記半導体レーザダイ
オードとに接続され、前記選択手段で選択された参照信
号と前記モニタダイオードの出力とを比較し、比較の結
果に応じたバイアス電流を前記半導体レーザダイオード
に与えるバイアス電流制御手段とを有することを特徴と
する請求項３の光出力レベル調整回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24403297A JPH1187819A (ja) | 1997-09-09 | 1997-09-09 | 光出力レベル調整回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24403297A JPH1187819A (ja) | 1997-09-09 | 1997-09-09 | 光出力レベル調整回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1187819A true JPH1187819A (ja) | 1999-03-30 |
Family
ID=17112701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24403297A Pending JPH1187819A (ja) | 1997-09-09 | 1997-09-09 | 光出力レベル調整回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1187819A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003229642A (ja) * | 2001-12-13 | 2003-08-15 | Alcatel | 制御された光信号を送信するためのレーザー送信機と方法 |
-
1997
- 1997-09-09 JP JP24403297A patent/JPH1187819A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003229642A (ja) * | 2001-12-13 | 2003-08-15 | Alcatel | 制御された光信号を送信するためのレーザー送信機と方法 |
| JP2010056571A (ja) * | 2001-12-13 | 2010-03-11 | Alcatel-Lucent | 制御された光信号を送信するためのレーザー送信機と方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000223 |