JPH1187781A - 発光モジュールおよび発光モジュールの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光素子の光軸上にある封止用樹脂の表面が
単一の金型によって決定される発光モジュールおよびそ
の製造方法を提供する。 【解決手段】 信号光を１端面から出力する発光素子２
２と、素子２２へ電気的に接続される半導体チップ２４
と、素子２２が搭載される搭載面を持つダイパッド１
３、半導体チップ２４が搭載される搭載面を持つダイパ
ッド１９、素子２２およびチップ１３を電気的に接続す
るための配線リード１４を持つリードフレーム１０と、
素子２２の信号光が透過可能であり素子２２を封止する
封止用樹脂２８とを備え、ダイパッド１３の搭載面とダ
イパッド１３に搭載された素子２２の信号光の光軸とが
略平行であり、素子２２が搭載されたダイパッド１３の
搭載面とチップ２４が搭載されたダイパッド１９の搭載
面とが略直角である。製造方法においては、封止工程前
にリードフレームを略直角に成形する成形工程を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、発光モジュールお
よび発光モジュールの製造方法に関し、特に、発光半導
体素子およびこれに電気的に接続された半導体チップを
リードフレーム上に搭載して樹脂封止した発光モジュー
ルおよびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の発光モジュールの構造としては、
例えば、図７に示すものがある。図７は、発光モジュー
ルの断面図である。これによれば、発光素子１０２およ
び半導体チップ１０４は、それぞれリードフレーム１０
６上に搭載されている。発光素子１０２は、発光素子１
０２の光軸１１８とダイパッド面とが平行になるように
してリードフレーム１０６の所定のダイパッド上に搭載
されている。半導体チップ１０４は、発光素子１０２が
搭載されたダイパッドと同一平面内にあるダイパッド上
に搭載されている。発光素子１０２は発光素子１０２が
出力する光が透過できる封止用樹脂１１４によって封止
され、また半導体チップ１０４は通常の封止用樹脂１１
２によって封止されている。更に、発光素子１０２は半
導体の一剥開面である発光面から光軸１１８に沿って若
干の拡がりを持った光１１６を出射するため、封止用樹
脂１１２は発光素子１０２の光軸１１８上にある封止用
樹脂の表面を所定の形状にして集光レンズの機能を持た
せて光１１６を集光している。

【０００３】このような発光モジュールを製造する方法
を概説する。発光素子１０２および半導体チップ１０４
は、裏面をリードフレーム側に向けてリードフレームの
同一の主面上の所定位置にそれぞれ搭載され固定され
る。次いで、発光素子１０２および半導体チップ１０４
の上面にある電極パッドは、リードフレームの配線用内
部リード（図示せず）とボンディングワイヤ（図示せ
ず）で接続される。続いて、図８に示すように、リード
フレーム１０６を樹脂成型用の下金型１０８上に配置す
る。この上から上金型１１０で覆い、下金型１０８と上
金型１１０と合わせて、リードフレーム１０６を上下金
型１０８、１１０で挟む。これによって、下金型１０８
と上金型１１０とが作るキャビティ内には、リードフレ
ーム１０６上に搭載された発光素子１０２が配置され
る。キャビティ内に封止用の樹脂を充填すれば、発光素
子１０２は樹脂によって封止されると共に、光軸１１８
（図７）上の封止用樹脂の表面に集光レンズが形成され
る。この結果、図７に示した発光モジュールが形成され
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の説明の
ように、図７に示す発光モジュールの封止用樹脂は、下
金型１０８および上金型１１０を用いて成形される。つ
まり、図８に示すように金型１０８、１１０は、リード
フレーム１０６を挟んで上下に配置される。このため、
下金型１０８および上金型１１０の合わせ目がリードフ
レーム面に沿ってキャビティの周囲を囲んで存在する。
したがって、キャビティ内に樹脂を注入して発光素子を
封止する際に、合わせ目には封止用樹脂によって形成さ
れる凹凸、つまり境界部１２０が形成されてしまう。発
光素子１０２が搭載されるダイパッド面と発光素子１０
２の光軸１１８とが略平行になるように配置されている
ので、この境界部１２０は光軸１１８上にある集光レン
ズの近傍にも形成される（図７）。つまり、集光レンズ
の形状は、下金型１１０および上金型１０８の一方の内
面形状のみによって決定されず、このため境界部１２０
によってレンズ表面の一様性が損なわれる。

【０００５】したがって、本発明の目的は、１端面から
光を出射する発光素子とこの発光素子に電気的に接続さ
れた半導体チップとが同一のリードフレーム上に搭載さ
れ、これらの発光素子および半導体チップが封止用樹脂
を用いて封止された発光モジュールにおいて、発光素子
の光軸上にある封止樹脂の表面が単一の金型によって決
定される発光モジュールおよびその製造方法を提供する
ことにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明は次のよ
うな構成とした。

【０００７】本発明に係わる発光モジュールは、発生し
た信号光を１端面から出力する発光半導体素子と、発光
半導体素子へ電気的に接続される半導体チップと、この
発光半導体素子が搭載される搭載面を有する第１のダイ
パッド、半導体チップが搭載される搭載面を有する第２
のダイパッド、発光半導体素子および半導体チップを電
気的に接続するための配線リードを有するリードフレー
ムと、発光半導体素子の信号光が透過可能であり発光半
導体素子を封止する封止用樹脂と、を備える発光モジュ
ールにおいて、第１のダイパッドの搭載面とこの第１の
ダイパッドに搭載された発光素子の信号光の光軸とが略
平行であり、発光半導体素子が搭載された第１のダイパ
ッドの搭載面と半導体チップが搭載された第２のダイパ
ッドの搭載面とが成す角度が略直角である。

【０００８】このように、第１のダイパッドの搭載面と
この搭載面に搭載される端面発光型の発光半導体素子の
信号光の光軸とが略平行となるようにして発光半導体素
子を第１のダイパッドに搭載すると共に、この発光半導
体素子へ電気的に接続される半導体チップを同一のリー
ドフレームの第２のダイパッド上に搭載するようにし
た。また、リードフレームは、発光半導体素子が搭載さ
れた第１のダイパッドの搭載面と半導体チップが搭載さ
れた第２のダイパッドの搭載面との成す角度が略直角で
ある形状を有するようにした。このため、上金型および
下金型によって発光素子を封止用樹脂によって封止する
際に、発光半導体素子の光軸上にある封止用樹脂の表面
の形状が上金型または下金型の一方の内面形状によって
決定される。

【０００９】本発明に係わる発光モジュールは、封止用
樹脂は、信号光を集光する集光手段を光軸上に有するよ
うにしてもよい。

【００１０】このように、封止用樹脂と一体に形成され
た集光手段を設ければ、集光のための手段を外部に付け
ることなく発光半導体素子の光軸と集光手段の光軸が一
致した発光モジュールを提供できる。加えて、発光半導
体素子の光軸上にある集光手段の形状が、上金型および
下金型によって封止用樹脂を用いて封止する際において
上金型または下金型の一方の内面形状によって決定され
る。

【００１１】本発明に係わる発光モジュールの製造方法
は、発生した信号光を１端面から出力する発光半導体素
子と、発光半導体素子へ電気的に接続される半導体チッ
プと、発光半導体素子が搭載される搭載面を有する第１
のダイパッド、半導体チップが搭載される搭載面を有す
る第２のダイパッド、発光素子および半導体チップを電
気的に接続するためのリード配線を有するリードフレー
ムと、を備える発光モジュールの製造方法において、第
１のダイパッドの搭載面と発光半導体素子の信号光の光
軸とを略平行にして第１のダイパッドに発光半導体素子
を搭載すると共に、第２のダイパッドの搭載面に半導体
チップを搭載する搭載工程と、リードフレームを成形
し、第１のダイパッドの搭載面と第２のダイパッドの搭
載面とが成す角度を略直角にする形成工程と、成形工程
の後に、信号光が透過可能である封止用樹脂で第１のダ
イパッド上に搭載された発光半導体素子を封止する封止
工程と、を備える。

【００１２】このように、第１のダイパッドの搭載面と
発光半導体素子の信号光の光軸とを略平行にして第１の
ダイパッドに発光半導体素子を搭載すると共に、第２の
ダイパッドの搭載面に半導体チップを搭載して、リード
フレームを成形することによって第１のダイパッドの搭
載面と第２のダイパッドの搭載面とが成す角度を略直角
にした後に、封止用樹脂で発光半導体素子を封止するよ
うにした。あるいは、リードフレームを成形することに
よって第１のダイパッドの搭載面と第２のダイパッドの
搭載面とが成す角度を略直角にして、第１のダイパッド
の搭載面と発光半導体素子の信号光の光軸とを略平行に
して第１のダイパッドに発光半導体素子を搭載すると共
に、第２のダイパッドの搭載面に半導体チップを搭載し
た後に、封止用樹脂で発光半導体素子を封止するように
した。

【００１３】このため、発光半導体素子の光軸上にある
封止用樹脂の表面の形状が、上金型および下金型によっ
て封止用樹脂を用いて封止する際に、上金型または下金
型の一方の内面形状によって決定される。

【００１４】本発明に係わる発光モジュールの製造方法
は、封止工程では、信号光の光軸上にある封止用樹脂に
信号光を集光する集光手段を形成するようにしてもよ
い。

【００１５】このように、封止工程において集光手段を
併せて一体に形成すれば、集光のための手段を外部に付
けることなく、このため発光半導体素子の光軸と集光手
段との光軸が一致した発光モジュールを製造できる。加
えて、発光半導体素子の光軸上にある集光手段の形状
が、上金型および下金型によって封止用樹脂を用いて封
止する際において上金型または下金型の一方の内面形状
によって決定される。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明を説明する。また、同一の部分には同一の符号を付
して、重複する説明は省略する。

【００１７】（第１の実施の形態）図１は、本発明の一
実施の形態の発光モジュールの断面図である。図２は、
図１に示された発光モジュールの斜視図である。図３
は、発生した信号光を一端面から出射する端面発光型の
発光半導体素子の斜視図である。図４は、図１の発光モ
ジュールの封止用の樹脂を一部取り去った状態での斜視
図である。なお、図１は、本発明の発光モジュールを図
２のＡ−Ａ’断面線において矢印方法に見た縦断面矢視
図であり、チップ間リード１４、配線用リード１６、集
光用のレンズ３０等を含む断面において示されている。

【００１８】図１および図４によれば、本発明の発光モ
ジュール１おいては、発光半導体素子２２（以下、発光
素子という）が、第１のダイパッド１３の搭載面とこの
第１のダイパッド１３に搭載される発光素子２２の信号
光の光軸とが略平行となるようにしてリードフレーム１
０の第１のダイパッド１３の搭載面上に搭載されてい
る。また、発光素子２２は、光軸３８が第２のダイパッ
ド１９を含む平面に略垂直になるように第１のダイパッ
ド１３の搭載面上に配置されることが好ましい。半導体
チップ２４は、リードフレーム１０の第２のダイパッド
１９の搭載面上にチップ裏面を向けて搭載されている。
第１のダイパッド１３の搭載面および第２のダイパッド
１９の搭載面は、リードフレーム１０の一主面に一致し
ている。つまり、発光素子２２および半導体チップ２４
は、リードフレームの同一面側に搭載される。なお、本
実施の形態では、第１のおよび第２のダイパッドの形状
は、概形として矩形あるいは正方形であるようにした
が、これに限られるものではない。

【００１９】発光素子２２は、発生した信号光を１端面
から出力する半導体素子である。このような素子として
は、例えば端面発光型のレーザダイオード（ＬＤ）があ
り、図３に示すように、平面形状が矩形あるいは正方形
であって、剥開して形成された一端面を鏡面処理し他端
面を発生光が出射される出射面とした半導体層４６の上
面に発光端面と鏡面端面に至る長方形形状の電極４２が
形成され、また下面全面に金属電極４４が形成されてい
る。上面電極４２から電流を注入すると、出射端面から
レーザ光４８は放出される。

【００２０】半導体チップ２４は、平面形状が矩形ある
いは正方形をなし、発光素子２２へ電気的に接続され、
発光素子２２の駆動する駆動回路等を含む。

【００２１】図１および図２に示すように、発光モジュ
ール１においては、発光素子２２は、発光素子２２が発
生する信号光が透過可能である封止用樹脂２８によって
封止され、更に発光素子が送出する信号光の光軸３８上
にある封止用樹脂２８の表面には集光手段として集光用
のレンズ３０が設けられている。このレンズ３０は、発
光素子２４の一端面から光軸３８に沿って出射される信
号光３２を集光する。また、半導体チップ２４は、発光
素子２２が発生する信号光が透過しない封止用樹脂２６
によって封止されている。このようにすれば、信号光の
乱反射等によって封止用樹脂２６の表面に達した信号光
によって半導体チップの動作が影響を受けることがな
い。なお、発光素子２２の封止に使用される樹脂を使用
して半導体チップ２４を封止するようにしてもよい。

【００２２】図４によれは、リードフレーム１０は、第
１のダイパッド１３および第２のダイパッド１９に加え
て、発光素子用の電源リード１２と、チップ間リード１
４と、配線用リード１６と、半導体チップ用の接地リー
ド１８とを備える。配線リード１６、接地リード１８、
および第２のダイパッド１９は、同一平面内に含まれて
配置されている。電源リード１２は、第１のダイパッド
１３の一端部から上記平面と交差する位置まで延び、略
直角に曲がり上記平面内にあり封止用樹脂２６内の第２
のダイパッド１９の側面を通過して封止用樹脂２６の外
側へ延びて形成されて、第１のダイパッド１３に電源電
位を与えることを可能とする。チップ間リード１４は、
上記平面内において封止用樹脂２６内の第２のダイパッ
ド１９の側面に面して配置され、そこから第１のダイパ
ッド１３へ向けて延在し第１のダイパッド１３の搭載面
を含む面の位置に達して略直角に上方を向いて曲がり、
第１のダイパッド１３の側面に面して隣接する位置まで
延びている。そして、発光素子２４と半導体チップ２２
を電気的に接続して相互に信号の伝達を可能とするため
に利用される。このため、チップ間配線１４は、一端
は、第２のダイパッド１９を含む平面内にあり、他端は
第１のダイパッド１３を含む平面内にある。配線用リー
ド１６は、封止用樹脂２６内の第２のダイパッド１９の
側面に隣接する位置から封止用樹脂２６の外側へ向かっ
て延在して形成され、半導体チップ２２への電源の供給
および半導体チップ２２と外部配線との間を相互に信号
の伝達を可能とする。接地リード１８は、第２のダイパ
ッド１９から封止用樹脂２６外へ延びて形成され、第２
のダイパッド１９に接地電位を与えることを可能とす
る。なお、図１、図２および図４において、各リードの
外部リードの端部は省略した。

【００２３】更に、チップ間リード１４、配線リード１
６および接地リード１８は、各ダイパッドに面するその
端部においてそれぞれ発光素子２２および半導体チップ
２４上にある電極パッド（図示せず）とボンディングワ
イヤ４０によって電気的に接続されている。なお、電源
リード１２は発光素子の裏面から電源を供給するので、
ワイヤ４０によってボンディングされていないが、発光
素子の上面から電源を供給してもよい。

【００２４】図２に示すように、発光素子２２は封止用
樹脂２８によって封止されて第１の組立体が形成され、
半導体チップ２４は封止用樹脂２６によって封止されて
第２の組立体が形成される。第２の組立体は、一側面か
ら電源リード１２、配線リード１６および接地リード１
８が引き出され、他側面からチップ間リード１４、配線
リード１６、および上記の第２の組立体を通過する電源
リード１２が引き出されている。また、第１の組立体
は、第２の組立体の面する側面から引き出された電源リ
ード１２によって外部と電気的に接続される共に、チッ
プ間リード１４を通して第１の組立体内にある半導体チ
ップ２４、配線リード１６等を介して外部と電気的に結
合される。したがって、第１の組立体は配線リード１６
を有していない。

【００２５】また、第１の組立体の外面には、リードフ
レーム１０を含む面、つまり樹脂を用いて封止する際の
上下金型に合わせ目に沿って凹凸部３６が形成されてい
る。また、第２の組立体の外面にも同様に、リードフレ
ーム１０を含む面に凹凸部３４が形成されている。

【００２６】以上詳細に説明したように、第１のダイパ
ッド１３の搭載面と発光素子２２の信号光の光軸３８と
が略平行となるようにして発光素子２２を第１のダイパ
ッド１３に搭載すると共に、この発光素子２２へ電気的
に接続される半導体チップ２４を同一のリードフレーム
１０の第２のダイパッド１９上に搭載するようにした。
また、リードフレーム１０の形状を、発光素子２２が搭
載された第１のダイパッド１３の搭載面と半導体チップ
２４が搭載された第２のダイパッド１９の搭載面との成
す角度が略直角であるようにした。

【００２７】このため、上金型および下金型によって発
光素子２２を封止用樹脂２８によって封止する際にも、
発光素子２２の光軸３８上にある封止用樹脂２８の表面
の形状が上金型または下金型の一方の内面形状によって
決定される。つまり、上下金型の合わせ目に形成される
凹凸部３４、３６が、発光素子２２の光軸３８上にある
封止用樹脂２８の表面近傍と異なる位置に形成される。

【００２８】また、集光レンズ３０を設ければ集光のた
めの手段を外部に付けることなく、発光素子２２からの
光を集光できることに加えて、発光素子２２の光軸３８
上にある封止用樹脂２８の表面に形成された集光レンズ
３０の形状が、上金型および下金型によって封止用樹脂
を用いて封止する際に、上金型または下金型の一方の内
面形状によって決定される。つまり、上記の凹凸部３
４、３６が、集光レンズ３０の近傍とは異なる位置に形
成される。

【００２９】（第２の実施の形態）図５（ａ）〜（ｅ）
は、図１の発光モジュールの製造方法を説明するための
工程断面図である。図５は、図２における一点鎖線で示
したＡ−Ａ’断面線における断面図である。

【００３０】リードフレーム１０を治具上（図示せず）
上に配置する（図５（ａ））。この状態では、リードフ
レーム１０は、断面線位置において、第１のダイパッド
１３、チップ間リード１４、第２のダイパッド１９、配
線リード１６を含み、これらは同一平面内に配置されて
いる。また、第１のダイパッド１３の搭載面および第２
のダイパッド１９の搭載面は、リードフレーム１０の一
主面に一致している。なお、リードフレーム１０は、第
１の実施の形態において用いたものと同一のものを使用
するが、これに限られない。

【００３１】次いで、リードフレーム１０を、電源リー
ド１２およびチップ間リード１４の所定の部位におい
て、例えばリードフレーム成形機を用いて上記平面に対
して略直角５４になるように曲げる（図５（ｂ）：成形
工程）。これによって、第１のダイパッド１３の搭載面
と第２のダイパッド１９の搭載面との成す角度が略直角
になった。

【００３２】続いて、発光素子２２および半導体チップ
２４をダイパッド上にマウントする（図５（ｃ）：搭載
工程）。発光素子２２は、第１のダイパッド１３の搭載
面と発光素子２２の信号光の光軸３８とを略平行にして
第１のダイパッド１３に発光素子２２の裏面を向けて搭
載される。また、発光素子２２は、光軸３８が第２のダ
イパッド１９を含む平面に略垂直になるように第１のダ
イパッド１３の搭載面上に配置されることが好ましい。
このようにすれば、後の工程で封止用の樹脂２８で発光
素子２２を封止する際にレンズ部分（図５（ｅ）の３
０）の型抜きが容易になる。半導体チップ２４は、半導
体チップ２４の裏面を向けて第２のダイパッド１９上の
搭載面にマウントされる。これによって、発光素子２２
および半導体チップ２４はマウント材によってそれぞれ
のダイパッド上に固定される。

【００３３】発光素子２２および半導体チップ２４をマ
ウントした後に、発光素子２２および半導体チップ２４
上にある電極パッド（図示せず）とチップ間リード１
４、配線リード１６等とをワイヤ４０によってボンディ
ングする（図５（ｃ））。これによって、各リードと発
光素子２２および半導体チップ２４とが電気的に接続さ
れる。

【００３４】この後、リードフレーム１０は、下金型６
０上に配置され、更に上金型５８を上面から覆う（図５
（ｄ）：封止工程）。チップ間リード１４および配線リ
ード１６は、上下金型５８、６０によって挟まれる。ま
た、第１のダイパッド１３およびこの上に搭載された発
光素子２２と、第２のダイパッド１９およびこの上に搭
載された半導体チップ２４とは、それぞれ上下金型５
８、６０によって形成されるキャビティ内に配置され
る。それぞれのキャビティ内に封止用樹脂を注入する
と、発光素子２２および半導体チップ２４の封止が完了
する。第１のダイパッド１３およびこの上に搭載された
発光素子２２は、発光素子２２が発光した信号光が透過
可能である封止用樹脂２８を用いて封止され、加えて発
光素子２２の光軸３８上にある封止用樹脂２８の表面に
は集光レンズ３０が形成される。また、第２のダイパッ
ド１９およびこの上に搭載された半導体チップ２４は上
記信号光が透過しない封止用樹脂２６を用いて封止され
る。なお、発光素子２２の封止に使用される樹脂を使用
して半導体チップ２４を封止するようにしてもよい。

【００３５】封止用樹脂２６、２８を注入し固化した
後、発光モジュールを上記金型５８、６０から取り出す
（図５（ｅ））。図５（ｅ）に示すように、発光素子２
２は封止用樹脂２８によって封止されて第１の組立体が
形成され、半導体チップ２４は封止用樹脂２６によって
封止されて第２の組立体が形成される。

【００３６】これによって、第１の実施の形態で説明し
た発光モジュールを製造できる。図２および図５（ｅ）
を見ると、第２の組立体の一側面からは電源リード１２
（断面図に現れず）、配線リード１６、接地リード１８
（断面図に現れず）が引き出され、他側面からチップ間
リード１４、配線リード１６（断面図に現れず）、電源
リード１２（断面図に現れず）が引き出されている。ま
た、第１の組立体は、第１のダイパッド１３に接続され
第２の組立体の面する側面から引き出された電源リード
１２（断面図に現れず）によって外部と電気的に接続さ
れる共に、チップ間リード１４を通して第１の組立体内
にある半導体チップ２４を介して外部と電気的に接続さ
れる。

【００３７】第１の組立体の外面には、リードフレーム
１０を含む面、つまり樹脂を用いて封止する際の上下金
型に合わせ目に沿って凹凸部３６が形成される（図５
（ｅ））。また、断面線では現れないが、第２の組立体
の外面にも同様に、リードフレーム１０を含む面に凹凸
部３４が形成される。

【００３８】図６（ａ）〜（ｅ）は、図１の発光モジュ
ールの製造方法を説明するための別の工程断面図であ
る。図６は、図２における一点鎖線で示したＡ−Ａ’断
面線における断面図である。

【００３９】本発明の発光モジュールの製造方法は、図
６（ｂ）および図６（ｃ）に示すように、搭載工程（図
６（ｂ））を先に行い、次いで形成工程（図６（ｃ））
を行うようにしてもよい。なお、製造工程の詳細は、図
５（ａ）〜（ｅ）に示したそれぞれの工程と同様に実施
できるので詳細は省略する。

【００４０】図６に示した製造方法では、リードフレー
ムが有する複数のダイパッドが同一平面内にあるときに
全てのチップ部品の実装が可能であるという特徴があ
る。

【００４１】以上、詳細に説明したように、、第１のダ
イパッド１３の搭載面と発光素子２２の信号光の光軸３
８とを略平行にして第１のダイパッド１３に発光素子２
２を搭載すると共に、第２のダイパッド１９の搭載面に
半導体チップ１４を搭載した後に、リードフレーム１０
を成形することによって第１のダイパッド１３の搭載面
と第２のダイパッド１９の搭載面とが成す角度を略直角
にした。この後に、封止用樹脂２８で発光素子２２を封
止するようにした。

【００４２】あるいは、リードフレーム１０を成形する
ことによって第１のダイパッド１３の搭載面と第２のダ
イパッド１９の搭載面とが成す角度を略直角にした後
に、第１のダイパッド１３の搭載面と発光素子２２の信
号光の光軸３８とを略平行にして第１のダイパッド１３
に発光素子２２を搭載すると共に、第２のダイパッド１
９の搭載面に半導体チップ２４を搭載した後に、封止用
樹脂２８で発光素子２２を封止するようにした。

【００４３】このため、上金型５８および下金型６０を
用いて封止して封止用樹脂２８を形成する際に、発光素
子２２の光軸３８上にある封止用樹脂２８の表面の形状
が、上金型５８または下金型６０の一方の内面形状によ
って決定できる。

【００４４】また、封止工程において集光レンズ３０を
併せて形成すれば、集光のための手段を外部に付けるこ
となく、発光素子２２からの光を集光できる。加えて、
発光素子２２の光軸３８上にある集光レンズの形状が、
封止用樹脂２８を用いて封止する際においても上金型５
８または下金型６０の一方の内面形状によって決定され
る。

【００４５】なお、リードフレーム１０の各リード１
２、１４、１６、１８は、上記に説明した形状、本数等
に限られるものではなく、必要に応じて変更される。

【００４６】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
発光モジュールでは、一端面から信号光を発光する発光
素子が搭載される第１のダイパッドを半導体チップが搭
載される第２のダイパッドを含む面に対して略直角にし
たリードフレームと、その光軸が第１のダイパッド面と
略平行になるようにして第１のダイパッド上に搭載した
発光素子と、第１のダイパッド部および発光素子を封止
する封止用樹脂とを備えるようにした。このため、上金
型および下金型によって発光素子を封止用樹脂によって
封止する際に、上下金型の合わせ目に形成される凹凸部
が、発光素子の光軸上にある封止用樹脂の表面近傍と異
なる位置に形成される。つまり、発光素子の光軸上にあ
る封止用樹脂の表面の形状が上金型または下金型の一方
の内面形状によって決定できる。

【００４７】また、本発明の発光モジュールの製造方法
では、発光素子が搭載される第１のダイパッドの搭載面
と半導体チップが搭載される第２のダイパッドの搭載面
が略直角にするリードフレームの成形工程を封止工程に
先だって設けた。このため、上金型および下金型の合わ
せ目に形成される封止用樹脂を凹凸部が、発光素子の光
軸上にある封止用樹脂の表面の近傍に形成されない。つ
まり、発光素子の封止を行うときに発光素子の光軸上に
ある封止用樹脂の表面の形状が、上金型または下金型の
一方の内面形状によって決定できる。

【００４８】したがって、このような発光モジュールに
おいては、発光素子の信号光が上記凹凸部による散乱さ
れることを防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の一実施の形態の発光モジュー
ルの断面図である。

【図２】図２は、図１に示された発光モジュールの斜視
図である。

【図３】図３は、発生した信号光を一端面から出射する
端面発光型の発光半導体素子の斜視図である。

【図４】図４は、図１に示された発光モジュールの斜視
図であり、一部の封止用樹脂が省略されて記載されてい
る。

【図５】図５（ａ）〜（ｅ）は、図１の発光モジュール
の製造方法を説明するための工程断面図である。

【図６】図６（ａ）〜（ｅ）は、図１の発光モジュール
の製造方法を説明するための別の工程断面図である。

【図７】図７は、従来の技術における発光モジュールの
断面図である。

【図８】図８は、従来の技術における発光モジュールの
製造方法を説明するための断面図である。

【符号の説明】

１…発光モジュール、１０…リードフレーム、１２…発
光素子用の電源リード１３…第１のダイパッド、１４…
チップ間リード、１６…配線用リード、１８…半導体チ
ップ用の接地リード、１９…第２のダイパッド、２２…
発光半導体素子（発光素子）、２４…半導体チップ、２
６、２８…封止用樹脂、３２…信号光、３４、３６…凹
凸部、３８…光軸、４０…ボンディングワイヤ、４２…
長方形形状の電極、４４…金属電極、４６…半導体層、
４８…レーザ光、５８…上金型、６０…下金型

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｆ Ｈ０１Ｓ 3/18

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 発生した信号光を１端面から出力する発
   光半導体素子と、前記発光半導体素子へ電気的に接続さ
   れる半導体チップと、この発光半導体素子が搭載される
   搭載面を有する第１のダイパッド、前記半導体チップが
   搭載される搭載面を有する第２のダイパッド、前記発光
   半導体素子および前記半導体チップを電気的に接続する
   ための配線リードを有するリードフレームと、前記発光
   半導体素子の信号光が透過可能であり前記発光半導体素
   子を封止する封止用樹脂と、を備える発光モジュールに
   おいて、 前記第１のダイパッドの搭載面とこの第１のダイパッド
   に搭載された前記発光素子の信号光の光軸とが略平行で
   あり、 前記発光半導体素子が搭載された前記第１のダイパッド
   の搭載面と前記半導体チップが搭載された前記第２のダ
   イパッドの搭載面とが成す角度が略直角である、ことを
   特徴とする発光モジュール。
2. 【請求項２】 前記封止用樹脂は、前記信号光を集光す
   る集光手段を前記光軸上に有する、ことを特徴とする請
   求項１に記載の発光モジュール。
3. 【請求項３】 発生した信号光を１端面から出力する発
   光半導体素子と、前記発光半導体素子へ電気的に接続さ
   れる半導体チップと、前記発光半導体素子が搭載される
   搭載面を有する第１のダイパッド、前記半導体チップが
   搭載される搭載面を有する第２のダイパッド、前記発光
   素子および前記半導体チップを電気的に接続するための
   リード配線を有するリードフレームと、を備える発光モ
   ジュールの製造方法において、 前記第１のダイパッドの搭載面と前記発光半導体素子の
   信号光の光軸とを略平行にして前記第１のダイパッドに
   前記発光半導体素子を搭載すると共に、前記第２のダイ
   パッドの搭載面に前記半導体チップを搭載する搭載工程
   と、 前記リードフレームを成形し、前記第１のダイパッドの
   搭載面と前記第２のダイパッドの搭載面とが成す角度を
   略直角にする形成工程と、 前記成形工程の後に、前記信号光が透過可能である封止
   用樹脂で前記第１のダイパッド上に搭載された前記発光
   半導体素子を封止する封止工程と、を備える発光モジュ
   ールの製造方法。
4. 【請求項４】 前記封止工程では、前記信号光の光軸上
   にある前記封止用樹脂に前記信号光を集光する集光手段
   を形成する、ことを特徴とする請求項３に記載の発光モ
   ジュールの製造方法。