JPH1187426A - フリップチップ接続構造 - Google Patents
フリップチップ接続構造Info
- Publication number
- JPH1187426A JPH1187426A JP9246424A JP24642497A JPH1187426A JP H1187426 A JPH1187426 A JP H1187426A JP 9246424 A JP9246424 A JP 9246424A JP 24642497 A JP24642497 A JP 24642497A JP H1187426 A JPH1187426 A JP H1187426A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- laminated structure
- lead frame
- structure beam
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73253—Bump and layer connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】基板上に半導体チップをフェースダウンで直接
搭載するフリップチップ接続方法において、容易でかつ
製造コストを安価にできるフリップチップ接続の半導体
チップ交換方法を提供する。 【解決手段】リードフレームと樹脂とを組み合わせ、半
導体チップサイズより大きく、２方向にリードフレーム
を延ばした形状の積層構造梁を半導体チップ搭載後、半
導体チップ上面から搭載する。積層構造梁のリードフレ
ーム部分を基板配線部分とはんだ付けすることで半導体
チップは加圧され固定される。
搭載するフリップチップ接続方法において、容易でかつ
製造コストを安価にできるフリップチップ接続の半導体
チップ交換方法を提供する。 【解決手段】リードフレームと樹脂とを組み合わせ、半
導体チップサイズより大きく、２方向にリードフレーム
を延ばした形状の積層構造梁を半導体チップ搭載後、半
導体チップ上面から搭載する。積層構造梁のリードフレ
ーム部分を基板配線部分とはんだ付けすることで半導体
チップは加圧され固定される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子回路部品等の
半導体装置の実装技術に関する。
半導体装置の実装技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のフリップチップ接続方法の半導体
チップ交換方法として、例えば、特開平８−１８６１４
９号公報に開示されているものがある。図７は該公報の
構成を示した断面図である。半導体チップ５に形成した
はんだバンプ又は金バンプ６の横方向から、レーザガン
１７で直接レーザ光を照射して当てる。該バンプ６はレ
ーザ光の熱により切断され、全てのバンプ６を切断した
後、搭載ツール１０で半導体チップ５を取り外す方法で
ある。なお、該バンプ６の切断中に発生した金属粉は金
属粉吸引装置１６によって除去する。また、チップとチ
ップの間隔が狭い場合、レーザ光の当て方として、チッ
プとチップ間に反射ミラーを設けたり、光ファイバーを
用いる。
チップ交換方法として、例えば、特開平８−１８６１４
９号公報に開示されているものがある。図７は該公報の
構成を示した断面図である。半導体チップ５に形成した
はんだバンプ又は金バンプ６の横方向から、レーザガン
１７で直接レーザ光を照射して当てる。該バンプ６はレ
ーザ光の熱により切断され、全てのバンプ６を切断した
後、搭載ツール１０で半導体チップ５を取り外す方法で
ある。なお、該バンプ６の切断中に発生した金属粉は金
属粉吸引装置１６によって除去する。また、チップとチ
ップの間隔が狭い場合、レーザ光の当て方として、チッ
プとチップ間に反射ミラーを設けたり、光ファイバーを
用いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記に
記載したフリップチップ接続には下記の問題があった。
記載したフリップチップ接続には下記の問題があった。
【０００４】レーザ光の照射でチップを取り外す場合、
レーザ光照射の位置合わせ、レーザ光照射、金属粉の吸
引、チップの吸収、と工程が多く、作業時間がかかる。
更にレーザ設備、関連光学設備、及び金属粉吸引装置が
必要なため、設備コスト高となる。また、チップ周辺に
は他の電子部品が実装されているため、反射ミラー、光
ファイバーを多様することが多く、レーザ光照射の位置
合わせは困難である。
レーザ光照射の位置合わせ、レーザ光照射、金属粉の吸
引、チップの吸収、と工程が多く、作業時間がかかる。
更にレーザ設備、関連光学設備、及び金属粉吸引装置が
必要なため、設備コスト高となる。また、チップ周辺に
は他の電子部品が実装されているため、反射ミラー、光
ファイバーを多様することが多く、レーザ光照射の位置
合わせは困難である。
【０００５】上記記載したような、半導体チップ交換方
法では長作業時間、作業困難でかつ設備コスト高な方法
であるため、半導体チップを交換するよりも、半導体チ
ップを実装した基板を廃棄した方が生産コストは安価な
場合も多く、広く使われていない。
法では長作業時間、作業困難でかつ設備コスト高な方法
であるため、半導体チップを交換するよりも、半導体チ
ップを実装した基板を廃棄した方が生産コストは安価な
場合も多く、広く使われていない。
【０００６】本発明の目的は、上記したフリップチップ
接続の半導体チップ交換コスト、作業時間の問題点を解
決し、短時間で容易に半導体チップの交換できるフリッ
プチップ接続方法を提供するものである。
接続の半導体チップ交換コスト、作業時間の問題点を解
決し、短時間で容易に半導体チップの交換できるフリッ
プチップ接続方法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、基板上に半導体チップを直接フェースダウ
ンで搭載するフリップチップ接続構造において、リード
フレームと樹脂とを組み合わせ、半導体チップサイズよ
り大きく、２方向にリードフレームを延ばした形状の積
層構造梁を半導体チップ搭載後、半導体チップ上面から
搭載する。積層構造梁のリードフレーム部分を基板配線
部分とはんだ付けすることで半導体チップは加圧され固
定される。半導体チップが固定された状態で、導通テス
ト、バーンイン、動作テストの半導体チップ検査を行
い、半導体チップが不良と判定された場合、パルスヒー
トで搭載ツールを加熱し、積層構造梁のリードフレーム
と基板配線部分がはんだ接続されている部分を熱で溶か
し、真空吸着で半導体チップ吸引し、半導体チップを取
り外す。
するために、基板上に半導体チップを直接フェースダウ
ンで搭載するフリップチップ接続構造において、リード
フレームと樹脂とを組み合わせ、半導体チップサイズよ
り大きく、２方向にリードフレームを延ばした形状の積
層構造梁を半導体チップ搭載後、半導体チップ上面から
搭載する。積層構造梁のリードフレーム部分を基板配線
部分とはんだ付けすることで半導体チップは加圧され固
定される。半導体チップが固定された状態で、導通テス
ト、バーンイン、動作テストの半導体チップ検査を行
い、半導体チップが不良と判定された場合、パルスヒー
トで搭載ツールを加熱し、積層構造梁のリードフレーム
と基板配線部分がはんだ接続されている部分を熱で溶か
し、真空吸着で半導体チップ吸引し、半導体チップを取
り外す。
【０００８】
（実施例１）以下に、本発明の積層構造梁４を図１に示
す。
す。
【０００９】本発明の積層構造梁４は樹脂１とリードフ
レーム２を組み合わせた構造体である。樹脂１はエポキ
シ樹脂やアクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、リードフレ
ーム２は４２アロイ、５０アロイ、Ｃｕなどを使用す
る。
レーム２を組み合わせた構造体である。樹脂１はエポキ
シ樹脂やアクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、リードフレ
ーム２は４２アロイ、５０アロイ、Ｃｕなどを使用す
る。
【００１０】図２、図６に本発明の積層構造梁４の形状
を示す。半導体チップ５より大きいサイズとし、２方向
にリードフレーム２を延ばした形状で、凹に変形してい
る。凹の変形量は半導体チップ５を押さえる加圧力に関
係しており、加圧力を大きくする場合、凹の変形量を大
きくさせればよい。しかし、半導体チップ５の加圧力を
大きくすると、基板配線が矧がれることがあるため、積
層構造梁４の基板配線と接続されるリードフレーム２部
分は、半導体チップ５を押さえる加圧力、数を増減させ
ることで、基板配線の矧がれを防止する。
を示す。半導体チップ５より大きいサイズとし、２方向
にリードフレーム２を延ばした形状で、凹に変形してい
る。凹の変形量は半導体チップ５を押さえる加圧力に関
係しており、加圧力を大きくする場合、凹の変形量を大
きくさせればよい。しかし、半導体チップ５の加圧力を
大きくすると、基板配線が矧がれることがあるため、積
層構造梁４の基板配線と接続されるリードフレーム２部
分は、半導体チップ５を押さえる加圧力、数を増減させ
ることで、基板配線の矧がれを防止する。
【００１１】以下に、積層構造梁４の３種類の作製方法
について示す。
について示す。
【００１２】第１の作製方法は、まず、リードフレーム
２をあらかじめ数ミリ、凹に変形させる。次にＱＦＰな
どの半導体電子部品７と同様なモールド型を用いて、リ
ードフレーム２の片面のみを樹脂１でモールドし、積層
構造梁を作製する方法である。
２をあらかじめ数ミリ、凹に変形させる。次にＱＦＰな
どの半導体電子部品７と同様なモールド型を用いて、リ
ードフレーム２の片面のみを樹脂１でモールドし、積層
構造梁を作製する方法である。
【００１３】第２の作製方法は、まず、リードフレーム
２をあらかじめ数ミリ、凹に変形させる。次にＱＦＰな
どの半導体電子部品７と同様なモールド型を用いて、リ
ードフレーム２の両面を樹脂１でモールドする。その
後、リードフレーム２の片面の樹脂１を研磨によって除
去し、積層構造梁を作製する方法である。
２をあらかじめ数ミリ、凹に変形させる。次にＱＦＰな
どの半導体電子部品７と同様なモールド型を用いて、リ
ードフレーム２の両面を樹脂１でモールドする。その
後、リードフレーム２の片面の樹脂１を研磨によって除
去し、積層構造梁を作製する方法である。
【００１４】第３の作製方法はリードフレーム２上にフ
ィルム状の樹脂１を加圧、加熱により張り付ける方法で
ある。リードフレーム２を数ミリ、凹治具の上に設置
し、搭載ツール１０を用いて、リードフレーム２の上に
フィルム状の樹脂１を加圧、加熱により、リードフレー
ム２上に樹脂を張り付けて作製する方法である。
ィルム状の樹脂１を加圧、加熱により張り付ける方法で
ある。リードフレーム２を数ミリ、凹治具の上に設置
し、搭載ツール１０を用いて、リードフレーム２の上に
フィルム状の樹脂１を加圧、加熱により、リードフレー
ム２上に樹脂を張り付けて作製する方法である。
【００１５】
【表１】
【００１６】表１に示す物性値のリードフレーム２と樹
脂１を用い、積層構造梁４の形状は樹脂１の厚さｔａ１
は１．２ｍｍ、リードフレーム２の厚さｔｂ１は０．５
ｍｍ、樹脂１とリードフレーム２の長さＤ１は１５ｍｍ
とし、作製した。その結果、積層構造梁が凹に１．２ｍ
ｍ反り、半導体チップに１．５Ｋｇの加圧力が働いた。
脂１を用い、積層構造梁４の形状は樹脂１の厚さｔａ１
は１．２ｍｍ、リードフレーム２の厚さｔｂ１は０．５
ｍｍ、樹脂１とリードフレーム２の長さＤ１は１５ｍｍ
とし、作製した。その結果、積層構造梁が凹に１．２ｍ
ｍ反り、半導体チップに１．５Ｋｇの加圧力が働いた。
【００１７】本発明の積層構造梁４を用いて、以下に本
発明のフリップチップ接続製造方法、及び半導体チップ
５の交換方法の実施例を図４、図５に示す。
発明のフリップチップ接続製造方法、及び半導体チップ
５の交換方法の実施例を図４、図５に示す。
【００１８】まず、本発明の積層構造梁４が搭載される
基板３上の配線箇所と半導体電子部品７が搭載される配
線箇所にはんだ印刷ではんだ９を供給する。また、必要
に応じ半導体チップ５搭載位置の基板配線上にもはんだ
９供給を行う。
基板３上の配線箇所と半導体電子部品７が搭載される配
線箇所にはんだ印刷ではんだ９を供給する。また、必要
に応じ半導体チップ５搭載位置の基板配線上にもはんだ
９供給を行う。
【００１９】次に、配線基板と半導体チップ５のバンプ
を位置合わせし、基板３上に半導体チップ５を直接フェ
ースダウンで搭載する。また、半導体チップ５に形成し
たバンプ６先端に、導電性接着剤、または、はんだなど
を転写した方が他の半導体電子部品７の搭載やリフロー
時の、半導体チップ５の位置ズレ防止ができる。
を位置合わせし、基板３上に半導体チップ５を直接フェ
ースダウンで搭載する。また、半導体チップ５に形成し
たバンプ６先端に、導電性接着剤、または、はんだなど
を転写した方が他の半導体電子部品７の搭載やリフロー
時の、半導体チップ５の位置ズレ防止ができる。
【００２０】次に、搭載ツール１０を用いて、他の半導
体電子部品７を搭載した後、本発明である積層構造梁４
を搭載する。リフロー工程前は、積層構造梁４は凹の状
態であるが、リードフレーム２の上に固着している樹脂
１がリードフレーム２より大きく熱膨張するため、積層
構造梁４は平坦な形状に変形する。積層構造梁４が平坦
な形状に変形した時、積層構造梁４のリードフレーム部
分は基板配線に供給したはんだ９と接続される。
体電子部品７を搭載した後、本発明である積層構造梁４
を搭載する。リフロー工程前は、積層構造梁４は凹の状
態であるが、リードフレーム２の上に固着している樹脂
１がリードフレーム２より大きく熱膨張するため、積層
構造梁４は平坦な形状に変形する。積層構造梁４が平坦
な形状に変形した時、積層構造梁４のリードフレーム部
分は基板配線に供給したはんだ９と接続される。
【００２１】リフロー工程終了後、リードフレーム２の
上に固着している樹脂１が再び収縮するため、積層構造
梁４は再び凹の形状に変形する。その変形力により、半
導体チップ５を加圧する力が生じ、半導体チップ５の固
定を行う。積層構造梁４で半導体チップ５を固定してい
る状態で、半導体チップ５の導通テスト、バーンイン、
動作テストを行い、半導体チップ５の良否判定を行う。
半導体チップ５を良品と判定した後、半導体チップ５と
基板３との隙間に補強樹脂１４を充填し、接続信頼性の
向上をはかる。
上に固着している樹脂１が再び収縮するため、積層構造
梁４は再び凹の形状に変形する。その変形力により、半
導体チップ５を加圧する力が生じ、半導体チップ５の固
定を行う。積層構造梁４で半導体チップ５を固定してい
る状態で、半導体チップ５の導通テスト、バーンイン、
動作テストを行い、半導体チップ５の良否判定を行う。
半導体チップ５を良品と判定した後、半導体チップ５と
基板３との隙間に補強樹脂１４を充填し、接続信頼性の
向上をはかる。
【００２２】図５に半導体チップ５の交換方法を示す。
【００２３】他方、半導体チップ５の導通テスト、バー
ンイン、動作テストによる半導体チップ良否判定で、半
導体チップ５を不良と判定した場合、不良の半導体チッ
プ５の交換を行う。不良の半導体チップ５の交換手順
は、まず積層構造梁４の取り外し、次に不良の半導体チ
ップ５を取り外す。その後、良品の半導体チップ５の搭
載、積層構造梁４の搭載を行う。積層構造梁４の取り外
し方法は２つの方法がある。第１の方法は搭載ツール１
０を加熱して、積層構造梁４の熱伝導を利用し、積層構
造梁４と基板配線が接続しているはんだ接続部分を熱で
溶かし、積層構造梁４を搭載ツール１０の真空吸着機構
を用いて取り外す。
ンイン、動作テストによる半導体チップ良否判定で、半
導体チップ５を不良と判定した場合、不良の半導体チッ
プ５の交換を行う。不良の半導体チップ５の交換手順
は、まず積層構造梁４の取り外し、次に不良の半導体チ
ップ５を取り外す。その後、良品の半導体チップ５の搭
載、積層構造梁４の搭載を行う。積層構造梁４の取り外
し方法は２つの方法がある。第１の方法は搭載ツール１
０を加熱して、積層構造梁４の熱伝導を利用し、積層構
造梁４と基板配線が接続しているはんだ接続部分を熱で
溶かし、積層構造梁４を搭載ツール１０の真空吸着機構
を用いて取り外す。
【００２４】第２の方法は熱風ブローやはんだゴテなど
を用いて、積層構造梁４と基板配線が接続しているはん
だ接続部分を熱で溶かし、積層構造梁４を搭載ツール１
０の真空吸着で取り外す。積層構造梁４を取りはずした
後、不良の半導体チップ５は、基板に対して接触してい
るのみでたるため、基板と接続または接着されておらず
搭載ツール１０の真空吸着機構で簡単に取りはずせる。
半導体チップ５と積層構造梁４の接続方法は、再度、図
４に示す工程で行う。
を用いて、積層構造梁４と基板配線が接続しているはん
だ接続部分を熱で溶かし、積層構造梁４を搭載ツール１
０の真空吸着で取り外す。積層構造梁４を取りはずした
後、不良の半導体チップ５は、基板に対して接触してい
るのみでたるため、基板と接続または接着されておらず
搭載ツール１０の真空吸着機構で簡単に取りはずせる。
半導体チップ５と積層構造梁４の接続方法は、再度、図
４に示す工程で行う。
【００２５】本発明の積層構造梁を用いることで半導体
チップの交換を従来のようなレーザー設備、及び関連設
備など特別な装置を必要とせず、部品接続に一般的に使
用されている加熱ツールやはんだゴテなどの加熱のみで
半導体チップの交換を行える。
チップの交換を従来のようなレーザー設備、及び関連設
備など特別な装置を必要とせず、部品接続に一般的に使
用されている加熱ツールやはんだゴテなどの加熱のみで
半導体チップの交換を行える。
【００２６】
【発明の効果】フリップチップ接続における従来のリペ
ア方法は、レーザ光を用いてバンプを切断し、半導体チ
ップの交換を行う方法である。このため、従来方法では
レーザ設備、関連光学設備のほか、金属粉吸引装置等が
必要であり設備コスト高となるとともに光学設備のメン
テナンスのために製造コスト高となっていた。さらに、
狭ピッチ多ピン半導体チップになるとチップと基板間が
狭くなる。また、アレイ配置バンプが採用される場合も
ある。これに対し従来方式では、レーザ光が限られたバ
ンプしか届かず適用に限界があった。
ア方法は、レーザ光を用いてバンプを切断し、半導体チ
ップの交換を行う方法である。このため、従来方法では
レーザ設備、関連光学設備のほか、金属粉吸引装置等が
必要であり設備コスト高となるとともに光学設備のメン
テナンスのために製造コスト高となっていた。さらに、
狭ピッチ多ピン半導体チップになるとチップと基板間が
狭くなる。また、アレイ配置バンプが採用される場合も
ある。これに対し従来方式では、レーザ光が限られたバ
ンプしか届かず適用に限界があった。
【００２７】本発明では、半導体チップ交換に通常の表
面実装工程が適用できるので、半導体チップ交換コスト
の低減が図れるとともに、狭ピッチ多ピン半導体チップ
に対しても交換が可能となる。
面実装工程が適用できるので、半導体チップ交換コスト
の低減が図れるとともに、狭ピッチ多ピン半導体チップ
に対しても交換が可能となる。
【図１】本発明による積層構造梁の構造断面図である。
【図２】本発明による積層構造梁の形状図である。
【図３】本発明によるフリップチップ接続構造工程図で
ある。
ある。
【図４】本発明によるフリップチップ接続構造工程図で
ある。
ある。
【図５】本発明によるフリップチップ接続の半導体チッ
プ交換工程図である。
プ交換工程図である。
【図６】本発明による積層構造梁の形状図である。
【図７】従来技術の実施例である半導体チップの断面図
である。
である。
【符号の説明】 １…樹脂、 ２…リードフレーム、
３…基板、４…積層構造梁、 ５…半導体チッ
プ、 ６…バンプ、７…半導体電子部品、 ８
…チップ抵抗、 ９…はんだ、１０…搭載ツー
ル、 １２…プローブ、 １３…樹脂充填
ツール、１４…補強樹脂、 １５…積層構造
梁、 １６…金属粉吸引装置、１７…レーザガン、
ｔａ１…厚さ、 Ｄ１…長さ。
３…基板、４…積層構造梁、 ５…半導体チッ
プ、 ６…バンプ、７…半導体電子部品、 ８
…チップ抵抗、 ９…はんだ、１０…搭載ツー
ル、 １２…プローブ、 １３…樹脂充填
ツール、１４…補強樹脂、 １５…積層構造
梁、 １６…金属粉吸引装置、１７…レーザガン、
ｔａ１…厚さ、 Ｄ１…長さ。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に半導体チップを直接フェースダウ
ンで搭載するフリップチップ接続構造において、リード
フレームと樹脂とを組み合わせ、半導体チップサイズよ
り大きく、２方向にリードフレームを延ばした形状の積
層構造梁を半導体チップ搭載後、半導体チップ上面から
搭載し、積層構造梁のリードフレーム部分と基板配線部
分をはんだ付けすることで半導体チップを加圧すること
を特徴とするフリップチップ接続構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9246424A JPH1187426A (ja) | 1997-09-11 | 1997-09-11 | フリップチップ接続構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9246424A JPH1187426A (ja) | 1997-09-11 | 1997-09-11 | フリップチップ接続構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1187426A true JPH1187426A (ja) | 1999-03-30 |
Family
ID=17148283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9246424A Pending JPH1187426A (ja) | 1997-09-11 | 1997-09-11 | フリップチップ接続構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1187426A (ja) |
-
1997
- 1997-09-11 JP JP9246424A patent/JPH1187426A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5813115A (en) | Method of mounting a semiconductor chip on a wiring substrate | |
| US6172422B1 (en) | Semiconductor device and a manufacturing method thereof | |
| US6555764B1 (en) | Integrated circuit contactor, and method and apparatus for production of integrated circuit contactor | |
| US20070063324A1 (en) | Structure and method for reducing warp of substrate | |
| JP4692101B2 (ja) | 部品接合方法 | |
| US6000127A (en) | Electronic parts mounting method | |
| JPH07115109A (ja) | フリップチップボンディング方法及び装置 | |
| JPH10284535A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体部品 | |
| JPH1187426A (ja) | フリップチップ接続構造 | |
| JP3974834B2 (ja) | 電子部品の装着方法 | |
| JP3381565B2 (ja) | バンプ付きワークのボンディング方法 | |
| JPH1098075A (ja) | 半導体実装方法、半導体実装装置および半導体実装構造 | |
| JP2000349099A (ja) | はんだ接合方法および、半導体装置の製造方法 | |
| JP2659630B2 (ja) | チップ部品と基板との接続方法 | |
| JP2003179101A (ja) | 接合装置、半導体装置の製造方法および接合方法 | |
| JP3235192B2 (ja) | 配線基板の接続方法 | |
| JPH02213075A (ja) | リードの接合方法 | |
| JPH11186325A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2837145B2 (ja) | チップ部品と基板との接続方法および接続装置 | |
| JP3244001B2 (ja) | ワークの実装方法 | |
| US20050252948A1 (en) | Lead wire bonding method | |
| JPH07176570A (ja) | Ｉｃ部品のリード接合方法 | |
| JPH10223687A (ja) | フリップチップ実装モジュール及び製造方法、製造装置 | |
| JP2812304B2 (ja) | フリップチップ型半導体装置のリペア方法 | |
| JP3095959B2 (ja) | チップ部品の基板への接続方法 |