JPH1187388A - バンプ形成方法 - Google Patents
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- JPH1187388A JPH1187388A JP9239766A JP23976697A JPH1187388A JP H1187388 A JPH1187388 A JP H1187388A JP 9239766 A JP9239766 A JP 9239766A JP 23976697 A JP23976697 A JP 23976697A JP H1187388 A JPH1187388 A JP H1187388A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 全面電極のＩＣチップにおいて電極間距離が
狭くなっても適用でき、かつバンプ形成用キャピラリを
長寿命にするバンプ形成方法を提供すること。 【解決手段】 キャピラリ本体の先端部分に円周面状切
欠部を形成し、切欠部高さがバンプ底部高さの１／２以
上、バンプ上方に残るワイヤ残部長さの２．０倍以下の
範囲内とし、好ましくは該円周状切欠部の切欠形状が、
キャピラリ本体の軸芯を通る縦断面において切欠開始点
とキャピラリ先端面の外周点とを結ぶ直線より内側にあ
るが、該切欠部の外径はキャピラリ先端面の外径より小
さくはないバンプ形成用キャピラリを用いるバンプ形成
方法。
狭くなっても適用でき、かつバンプ形成用キャピラリを
長寿命にするバンプ形成方法を提供すること。 【解決手段】 キャピラリ本体の先端部分に円周面状切
欠部を形成し、切欠部高さがバンプ底部高さの１／２以
上、バンプ上方に残るワイヤ残部長さの２．０倍以下の
範囲内とし、好ましくは該円周状切欠部の切欠形状が、
キャピラリ本体の軸芯を通る縦断面において切欠開始点
とキャピラリ先端面の外周点とを結ぶ直線より内側にあ
るが、該切欠部の外径はキャピラリ先端面の外径より小
さくはないバンプ形成用キャピラリを用いるバンプ形成
方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はバンプ形成方法に係
り、より詳しくは、半導体装置の実装において、ＩＣチ
ップの電極にキャピラリに挿通したワイヤ先端にボール
を形成し、これを圧着してバンプを形成する方法に関す
る。
り、より詳しくは、半導体装置の実装において、ＩＣチ
ップの電極にキャピラリに挿通したワイヤ先端にボール
を形成し、これを圧着してバンプを形成する方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】現在ＩＣチップ電極とプリント基盤やリ
ードフレーム等の基板上の電極の接続には、Ａｕワイヤ
を用いて配線するボールボンディング法が主として用い
られている。しかしながら半導体装置の小型化、高密度
化の流れの中で接続部分を小さくするためにバンプと呼
ばれる突起部材を介して接続する事が提案されている。
前記バンプ形成方法として従来はめっき方法が主力であ
ったが、めっき法は大規模な設備を要することに加えて
他品種少量生産に適しないという問題がある。この為、
最近はこれに代わってワイヤバンプ方式が注目されてい
る。
ードフレーム等の基板上の電極の接続には、Ａｕワイヤ
を用いて配線するボールボンディング法が主として用い
られている。しかしながら半導体装置の小型化、高密度
化の流れの中で接続部分を小さくするためにバンプと呼
ばれる突起部材を介して接続する事が提案されている。
前記バンプ形成方法として従来はめっき方法が主力であ
ったが、めっき法は大規模な設備を要することに加えて
他品種少量生産に適しないという問題がある。この為、
最近はこれに代わってワイヤバンプ方式が注目されてい
る。
【０００３】ここで図１を用いてワイヤバンプ方式を説
明する。キャピラリ１より導出するワイヤ２の先端に図
１（イ）に示す様な球体５を形成する。球体５はワイヤ
２の先端をトーチで加熱溶融し形成される。次いで図１
（ロ）に示す様にキャピラリ１を下降させ、適当な押圧
力で球体５をＩＣチップ３に熱圧着して接合した後、図
１（ハ）に示す様にキャピラリ１を上昇させて、圧着さ
れた球体５からキャピラリ１を引き離し、更に図１
（ニ）に示す様にワイヤ２をキャピラリ１とともに引き
上げると、ワイヤ残部２ａが突出するバンプ４がＩＣチ
ップ３に形成される。このようなワイヤバンプをＩＣチ
ップ電極（図示省略）上に形成するものである。
明する。キャピラリ１より導出するワイヤ２の先端に図
１（イ）に示す様な球体５を形成する。球体５はワイヤ
２の先端をトーチで加熱溶融し形成される。次いで図１
（ロ）に示す様にキャピラリ１を下降させ、適当な押圧
力で球体５をＩＣチップ３に熱圧着して接合した後、図
１（ハ）に示す様にキャピラリ１を上昇させて、圧着さ
れた球体５からキャピラリ１を引き離し、更に図１
（ニ）に示す様にワイヤ２をキャピラリ１とともに引き
上げると、ワイヤ残部２ａが突出するバンプ４がＩＣチ
ップ３に形成される。このようなワイヤバンプをＩＣチ
ップ電極（図示省略）上に形成するものである。
【０００４】本発明ではこのようにワイヤを用いて形成
されたバンプをワイヤバンプという。
されたバンプをワイヤバンプという。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】半導体装置は小型化、
高密度化の流れの中で、電極間隔が次第に小さくなる傾
向にある。一方、キャピラリはある程度の寿命を有し、
できれば寿命を向上させる要求があるが、キャピラリの
径を大きくして対応すると、小さくなりつつある電極間
隔と相まって、キャピラリが隣接バンプと接触するよう
になる。この接触は、キャピラリ先端部が隣接するバン
プの底部と接触したり、あるいはバンプ上に残るワイヤ
残部との接触である。
高密度化の流れの中で、電極間隔が次第に小さくなる傾
向にある。一方、キャピラリはある程度の寿命を有し、
できれば寿命を向上させる要求があるが、キャピラリの
径を大きくして対応すると、小さくなりつつある電極間
隔と相まって、キャピラリが隣接バンプと接触するよう
になる。この接触は、キャピラリ先端部が隣接するバン
プの底部と接触したり、あるいはバンプ上に残るワイヤ
残部との接触である。
【０００６】従来、この様な接触を防ぐために、特開平
６−２８３５３９号公報に、キャピラリ先端の片側また
は両側に切り込みを形成することが提案されている。キ
ャピラリ移動方向の後方（前方）のバンプとの接触を回
避しようとしたものである。しかしながら前記したキャ
ピラリ先端の片側や両側に切り欠きを設けることは加工
が困難であるとともに、バンプ接合の特徴である全面リ
ードタイプの接合に不適当である。ここで図２（イ）は
ＩＣチップ３の面周辺に電極６が配置された周辺リード
タイプであり、図２（ロ）はＩＣチップ３の面内に全面
に電極６が配置された全面リードタイプである。バンプ
接合の利点は全面リードタイプを採用出来て高密度実装
を達成出来ることにあるが前記キャピラリ先端の片側や
両側にのみ切り欠きを設けることは前後の動きに対応出
来るが同時に左右の動きに対応出来ないため、全面リー
ドタイプの接合に不適当であるという欠点を有してい
る。
６−２８３５３９号公報に、キャピラリ先端の片側また
は両側に切り込みを形成することが提案されている。キ
ャピラリ移動方向の後方（前方）のバンプとの接触を回
避しようとしたものである。しかしながら前記したキャ
ピラリ先端の片側や両側に切り欠きを設けることは加工
が困難であるとともに、バンプ接合の特徴である全面リ
ードタイプの接合に不適当である。ここで図２（イ）は
ＩＣチップ３の面周辺に電極６が配置された周辺リード
タイプであり、図２（ロ）はＩＣチップ３の面内に全面
に電極６が配置された全面リードタイプである。バンプ
接合の利点は全面リードタイプを採用出来て高密度実装
を達成出来ることにあるが前記キャピラリ先端の片側や
両側にのみ切り欠きを設けることは前後の動きに対応出
来るが同時に左右の動きに対応出来ないため、全面リー
ドタイプの接合に不適当であるという欠点を有してい
る。
【０００７】又キャピラリ先端の全周に切り欠きを設け
ることはキャピラリ先端部の強度が小さくなりキャピラ
リ寿命が短くなるという欠点を有している。本発明は、
前述の従来事情に鑑みてなされたものであり、その目的
とするところは半導体装置の小型化、高密度化の為に電
極間隔がより小さくなり、且つ全面リードタイプのバン
プ接合を行っても、ワイヤバンプを形成する際、キャピ
ラリが隣接したバンプへの接触を防止することが出来る
と共に、機械加工が容易で且つキャピラリ寿命の低下を
抑制出来るバンプ形成方法を提供することにある。
ることはキャピラリ先端部の強度が小さくなりキャピラ
リ寿命が短くなるという欠点を有している。本発明は、
前述の従来事情に鑑みてなされたものであり、その目的
とするところは半導体装置の小型化、高密度化の為に電
極間隔がより小さくなり、且つ全面リードタイプのバン
プ接合を行っても、ワイヤバンプを形成する際、キャピ
ラリが隣接したバンプへの接触を防止することが出来る
と共に、機械加工が容易で且つキャピラリ寿命の低下を
抑制出来るバンプ形成方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、軸心部分にワイヤ挿通孔を有し、外周面
を円周面状としたバンプ形成用キャピラリを用いて、該
キャピラリの下端面でこのワイヤの先端部に形成された
ボールをＩＣチップ電極上に接合した後、ワイヤを上方
に引張ってワイヤを切断することによりＩＣチップ電極
上にバンプを形成する方法において、該キャピラリ本体
の先端部分に円周面状切欠部を形成し、該切欠部高さが
バンプ底部高さの１／２以上、バンプ上方に残るワイヤ
残部長さの２．０倍以下の範囲内とし、好ましくは、該
円周状切欠部の切欠形状が、キャピラリ本体の軸芯を通
る縦断面において切欠開始点とキャピラリ先端面の外周
点とを結ぶ直線より内側にあるが、該切欠部の外径はキ
ャピラリ先端面の外径より小さくはないバンプ形成用キ
ャピラリを用いることを特徴とする。
成するために、軸心部分にワイヤ挿通孔を有し、外周面
を円周面状としたバンプ形成用キャピラリを用いて、該
キャピラリの下端面でこのワイヤの先端部に形成された
ボールをＩＣチップ電極上に接合した後、ワイヤを上方
に引張ってワイヤを切断することによりＩＣチップ電極
上にバンプを形成する方法において、該キャピラリ本体
の先端部分に円周面状切欠部を形成し、該切欠部高さが
バンプ底部高さの１／２以上、バンプ上方に残るワイヤ
残部長さの２．０倍以下の範囲内とし、好ましくは、該
円周状切欠部の切欠形状が、キャピラリ本体の軸芯を通
る縦断面において切欠開始点とキャピラリ先端面の外周
点とを結ぶ直線より内側にあるが、該切欠部の外径はキ
ャピラリ先端面の外径より小さくはないバンプ形成用キ
ャピラリを用いることを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】キャピラリの材質としては通常、
アルミナ、ルビーなどのセラミックスが用いられる。本
発明ではキャピラリ先端切欠部の横断面形状が円形であ
り、この形状をキャピラリ先端切欠部の外周面は円周面
状であるという。このように断面形状を円形とすること
によりセラミックス材料の機械加工が容易に出来るよう
になる。
アルミナ、ルビーなどのセラミックスが用いられる。本
発明ではキャピラリ先端切欠部の横断面形状が円形であ
り、この形状をキャピラリ先端切欠部の外周面は円周面
状であるという。このように断面形状を円形とすること
によりセラミックス材料の機械加工が容易に出来るよう
になる。
【００１０】次に、キャピラリ先端切欠部の高さは、バ
ンプ底部高さの１／２以上、バンプ上部のワイヤ残部長
さの２．０倍以下であることが必要である。ここでバン
プ４の構造を図３を用いて説明する。バンプ４はバンプ
底部４ａとバンプ上部のワイヤ残部２ａからなってい
る。ワイヤ残部２ａの高さは１、バンプ底部４ａの高さ
はＬ、バンプ４の高さはＨである。通常ワイヤ残部２ａ
の高さ、バンプ底部４ａの高さ及びバンプ底部の直径は
所定のバラツキをもって発生する。例えばワイヤ直径２
５μｍの時がワイヤ残部は２５〜５０μｍの高さで発生
する。本発明でいうワイヤ残部の長さとはこの中で最大
高さのものをいう。バンプ底部の高さは２０〜３０μｍ
の高さで発生する。本発明でいうバンプ底部高さとはこ
の中で最大高さのものをいう。バンプ底部の直径は７５
〜８０μｍの大きさに発生する。
ンプ底部高さの１／２以上、バンプ上部のワイヤ残部長
さの２．０倍以下であることが必要である。ここでバン
プ４の構造を図３を用いて説明する。バンプ４はバンプ
底部４ａとバンプ上部のワイヤ残部２ａからなってい
る。ワイヤ残部２ａの高さは１、バンプ底部４ａの高さ
はＬ、バンプ４の高さはＨである。通常ワイヤ残部２ａ
の高さ、バンプ底部４ａの高さ及びバンプ底部の直径は
所定のバラツキをもって発生する。例えばワイヤ直径２
５μｍの時がワイヤ残部は２５〜５０μｍの高さで発生
する。本発明でいうワイヤ残部の長さとはこの中で最大
高さのものをいう。バンプ底部の高さは２０〜３０μｍ
の高さで発生する。本発明でいうバンプ底部高さとはこ
の中で最大高さのものをいう。バンプ底部の直径は７５
〜８０μｍの大きさに発生する。
【００１１】キャピラリ先端切欠部の高さが、バンプ底
部高さＬの１／２未満であると、キャピラリ先端部が隣
接するバンプ底部に接触するおそれがある。この切欠部
の高さがワイヤ残部の長さｌより低いとワイヤ残部と接
触するように考えられるが、電極間距離がある程度大き
いと、キャピラリ先端部の側面が隣接するバンプのワイ
ヤ残部に接触しないが、キャピラリ先端部がバンプ底部
に接触する可能性がある場合がある。キャピラリ先端の
切欠部の高さをバンプ底部高さの１／２以上にすると、
このような場合の隣接するバンプとの接触を防ぐことが
できる。
部高さＬの１／２未満であると、キャピラリ先端部が隣
接するバンプ底部に接触するおそれがある。この切欠部
の高さがワイヤ残部の長さｌより低いとワイヤ残部と接
触するように考えられるが、電極間距離がある程度大き
いと、キャピラリ先端部の側面が隣接するバンプのワイ
ヤ残部に接触しないが、キャピラリ先端部がバンプ底部
に接触する可能性がある場合がある。キャピラリ先端の
切欠部の高さをバンプ底部高さの１／２以上にすると、
このような場合の隣接するバンプとの接触を防ぐことが
できる。
【００１２】しかし、キャピラリ先端の切欠部の高さを
ワイヤ残部高さｌの１．０５倍以上にして、隣接するバ
ンプのワイヤ残部との接触をも防ぐことが好ましい態様
であることは勿論である。一方、キャピラリ先端部の切
欠部高さを、ワイヤ残部高さの２．０倍を越えるように
すると、キャピラリ寿命の低下が著しくなる。ワイヤ残
部高さの１．５倍以下がより好ましい。
ワイヤ残部高さｌの１．０５倍以上にして、隣接するバ
ンプのワイヤ残部との接触をも防ぐことが好ましい態様
であることは勿論である。一方、キャピラリ先端部の切
欠部高さを、ワイヤ残部高さの２．０倍を越えるように
すると、キャピラリ寿命の低下が著しくなる。ワイヤ残
部高さの１．５倍以下がより好ましい。
【００１３】従来、ワイヤボンディング用キャピラリ先
端部をワイヤのループ高さ（１５０〜３００μｍ）より
高くまで細くしたものが提案されているが（特開昭６０
−２４５２３７号公報）、ワイヤバンプ形成法にこのキ
ャピラリを用いると寿命が短かすぎる。また、本発明で
は、キャピラリ先端の円周状切欠部の形状は、キャピラ
リ本体の軸芯を通る縦断面において、切欠開始点とキャ
ピラリ先端面の外周点とを結ぶ直線より内側にあって、
切欠部の外径はキャピラリ先端面の外径より小さくはな
いように形成することが好ましい。
端部をワイヤのループ高さ（１５０〜３００μｍ）より
高くまで細くしたものが提案されているが（特開昭６０
−２４５２３７号公報）、ワイヤバンプ形成法にこのキ
ャピラリを用いると寿命が短かすぎる。また、本発明で
は、キャピラリ先端の円周状切欠部の形状は、キャピラ
リ本体の軸芯を通る縦断面において、切欠開始点とキャ
ピラリ先端面の外周点とを結ぶ直線より内側にあって、
切欠部の外径はキャピラリ先端面の外径より小さくはな
いように形成することが好ましい。
【００１４】本発明ではキャピラリ先端切欠部外径が切
欠開始位置からキャピラリ先端面端部に至る線で形成さ
れる外径より小さく、キャピラリ先端面外径より大きく
形成することが好ましい。ここでキャピラリの側面図で
ある図４を用いて本発明になるキャピラリを説明する。
図４においてＡ点は切欠開始位置であり、Ｂ点はキャピ
ラリ先端面の外周点である。切欠部の外周を形成する線
分が直線ＡＢより内側にあり、線ＢＢ（ＢＢ′）で形成
されるキャピラリ先端面の外径以上であるように形成す
ることが好ましい。図４に於ける（ニ）（ホ）（ヘ）の
ようなキャピラリ先端切欠部の外郭線が例示出来る。
欠開始位置からキャピラリ先端面端部に至る線で形成さ
れる外径より小さく、キャピラリ先端面外径より大きく
形成することが好ましい。ここでキャピラリの側面図で
ある図４を用いて本発明になるキャピラリを説明する。
図４においてＡ点は切欠開始位置であり、Ｂ点はキャピ
ラリ先端面の外周点である。切欠部の外周を形成する線
分が直線ＡＢより内側にあり、線ＢＢ（ＢＢ′）で形成
されるキャピラリ先端面の外径以上であるように形成す
ることが好ましい。図４に於ける（ニ）（ホ）（ヘ）の
ようなキャピラリ先端切欠部の外郭線が例示出来る。
【００１５】前記キャピラリ先端切欠部の外郭線がキャ
ピラリ先端にいくほど細くなる凹部（ニ）の形状が好ま
しい。前記切欠部の外郭線が直線ＡＢと一致し（ハ）、
またはそれより外側である（ロ）よりも前記（ニ）
（ホ）（ヘ）の方が隣接したバンプと接触することを防
止する点で好ましい。
ピラリ先端にいくほど細くなる凹部（ニ）の形状が好ま
しい。前記切欠部の外郭線が直線ＡＢと一致し（ハ）、
またはそれより外側である（ロ）よりも前記（ニ）
（ホ）（ヘ）の方が隣接したバンプと接触することを防
止する点で好ましい。
【００１６】キャピラリ先端面は平坦であることが好ま
しいが必要に応じて凹状、凸状に形成しても良い。但
し、先端面を凸状にするときは、切欠部の外周形状を規
定する先端面の外周点は、その凸部最高点を含む平面を
先端面と仮定し、かつ切欠の主要部の外周線（面）を仮
想的に延長して仮想先端面と交差した点とする。あるい
は、先端面の凸状部を無視し、その上の切欠主要部が上
記の好ましい形状にあるようにする。
しいが必要に応じて凹状、凸状に形成しても良い。但
し、先端面を凸状にするときは、切欠部の外周形状を規
定する先端面の外周点は、その凸部最高点を含む平面を
先端面と仮定し、かつ切欠の主要部の外周線（面）を仮
想的に延長して仮想先端面と交差した点とする。あるい
は、先端面の凸状部を無視し、その上の切欠主要部が上
記の好ましい形状にあるようにする。
【００１７】図５を参照すると、図４の（ニ）と同じ形
状の切欠部を有し、かつキャピラリ先端部を凸状に丸味
を与えた形状にしたキャピラリが示されている。この場
合、キャピラリ先端の点Ｐを含む平面ＰＢ''を仮想の先
端面とし、かつ切欠線（ニ）、ＡＢ''' 、をそのまま延
長（外挿）して仮想先端面と交差した点Ｂ''をもって先
端面の外周点と考え、この点Ｂ''と切欠開始点Ａとを結
ぶ直線ＡＢ''よりも切欠線（ニ）が内側にあるようにす
ることが好ましい。あるいは、キャピラリ先端部の凸状
部（図５では点Ｂ''から点Ｐまでの部分）は無視して、
残るキャピラリの先端面Ｂ''Ｂ''を仮想先端面とし、切
欠形状が直線ＡＢ''’よりも内側にあるようにしてもよ
い。但し、この後者の場合、先端凸状部はキャピラリ切
欠部の長さの半分以下、より好ましくは１／３以下とす
る。このように仮想線ＡＢ''またはＡＢ''' よりも切欠
形状が内側にあることが好ましい。
状の切欠部を有し、かつキャピラリ先端部を凸状に丸味
を与えた形状にしたキャピラリが示されている。この場
合、キャピラリ先端の点Ｐを含む平面ＰＢ''を仮想の先
端面とし、かつ切欠線（ニ）、ＡＢ''' 、をそのまま延
長（外挿）して仮想先端面と交差した点Ｂ''をもって先
端面の外周点と考え、この点Ｂ''と切欠開始点Ａとを結
ぶ直線ＡＢ''よりも切欠線（ニ）が内側にあるようにす
ることが好ましい。あるいは、キャピラリ先端部の凸状
部（図５では点Ｂ''から点Ｐまでの部分）は無視して、
残るキャピラリの先端面Ｂ''Ｂ''を仮想先端面とし、切
欠形状が直線ＡＢ''’よりも内側にあるようにしてもよ
い。但し、この後者の場合、先端凸状部はキャピラリ切
欠部の長さの半分以下、より好ましくは１／３以下とす
る。このように仮想線ＡＢ''またはＡＢ''' よりも切欠
形状が内側にあることが好ましい。
【００１８】図６は本発明になるバンプ形成用キャピラ
リを用いてバンプ形成を行っている状況を示す。図６の
（イ）〜（ニ）は図１の（イ）〜（ニ）にそれぞれ対応
し、参照数字も同じ部分には同じ参照数字とした。因み
に、１はキャピラリ、２はワイヤ、２ａはワイヤ残部、
３はＩＣチップ、４はバンプ（底部）、５はボール、６
は電極である。このキャピラリ１は先端部に切欠部１０
がある。
リを用いてバンプ形成を行っている状況を示す。図６の
（イ）〜（ニ）は図１の（イ）〜（ニ）にそれぞれ対応
し、参照数字も同じ部分には同じ参照数字とした。因み
に、１はキャピラリ、２はワイヤ、２ａはワイヤ残部、
３はＩＣチップ、４はバンプ（底部）、５はボール、６
は電極である。このキャピラリ１は先端部に切欠部１０
がある。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。本発明のバンプ形成用キャピラリを図４を用い
て説明する。１はキャピラリであり、その先端を図示し
たものである。４ａはバンプ底部、２ａはワイヤ残部で
ある。７はキャピラリのワイヤ挿通孔、８はキャピラリ
の先端部分に形成された円周面状切欠部である。
明する。本発明のバンプ形成用キャピラリを図４を用い
て説明する。１はキャピラリであり、その先端を図示し
たものである。４ａはバンプ底部、２ａはワイヤ残部で
ある。７はキャピラリのワイヤ挿通孔、８はキャピラリ
の先端部分に形成された円周面状切欠部である。
【００２０】前記切欠部の詳細を説明する。まず従来の
キャピラリは隣接するバンプとの接触を避けるためにキ
ャピラリ側面の先端が点線で示す（イ）の形状で用いら
れていた。該形状は寿命が小さいものであった。本発明
で用いるキャピラリは寿命を考慮して側面が（ロ）の形
状のように外径を大きくした上で、切欠部８を設けるも
のである。切欠部８の開始位置はＡ点であり、Ａ点のキ
ャピラリ先端からの高さｈはバンプ底部の高さの１／２
以上でバンプ上部のワイヤ残部長さの２．０倍以下とな
るようにする。典型的例ではワイヤ直径２５μｍの時ボ
ール直径が６２μｍ、バンプ底部高さ３０μｍ、ワイヤ
残部高さ５０μｍである。切欠部外周は直線ＡＢで形成
される外周より内側であり、線ＢＢで形成される外径以
上（ＢＢ′より外側）であるように形成する。図４に於
ける（ニ）（ホ）（ヘ）のようなキャピラリ先端切欠部
外径の側面図が例示出来る。
キャピラリは隣接するバンプとの接触を避けるためにキ
ャピラリ側面の先端が点線で示す（イ）の形状で用いら
れていた。該形状は寿命が小さいものであった。本発明
で用いるキャピラリは寿命を考慮して側面が（ロ）の形
状のように外径を大きくした上で、切欠部８を設けるも
のである。切欠部８の開始位置はＡ点であり、Ａ点のキ
ャピラリ先端からの高さｈはバンプ底部の高さの１／２
以上でバンプ上部のワイヤ残部長さの２．０倍以下とな
るようにする。典型的例ではワイヤ直径２５μｍの時ボ
ール直径が６２μｍ、バンプ底部高さ３０μｍ、ワイヤ
残部高さ５０μｍである。切欠部外周は直線ＡＢで形成
される外周より内側であり、線ＢＢで形成される外径以
上（ＢＢ′より外側）であるように形成する。図４に於
ける（ニ）（ホ）（ヘ）のようなキャピラリ先端切欠部
外径の側面図が例示出来る。
【００２１】次にこのキャピラリを用いてバンプを形成
する場合について説明する。図２（ロ）に示す全面リー
ドタイプのＩＣチップ３の上に電極６の上にバンプを形
成していく。その手順を図５により説明する。キャピラ
リ１より導出するワイヤ２の先端に図６（イ）に示す様
な球体５を形成する。球体５はワイヤ２の先端をトーチ
で加熱溶融し形成される。次いで図６（ロ）に示す様に
キャピラリ１を下降させ、適当な押圧力で球体５をＩＣ
チップ３上の電極６上に熱圧着して接合した後、図６
（ハ）に示す様にキャピラリ１を上昇させて、圧着され
た球体５からキャピラリ１を引き離し、更に図６（ニ）
に示す様にワイヤ２をキャピラリ１とともに引き上げる
と、ワイヤ残部２ａが突出するバンプ４がＩＣチップ３
上の電極６上に形成される。
する場合について説明する。図２（ロ）に示す全面リー
ドタイプのＩＣチップ３の上に電極６の上にバンプを形
成していく。その手順を図５により説明する。キャピラ
リ１より導出するワイヤ２の先端に図６（イ）に示す様
な球体５を形成する。球体５はワイヤ２の先端をトーチ
で加熱溶融し形成される。次いで図６（ロ）に示す様に
キャピラリ１を下降させ、適当な押圧力で球体５をＩＣ
チップ３上の電極６上に熱圧着して接合した後、図６
（ハ）に示す様にキャピラリ１を上昇させて、圧着され
た球体５からキャピラリ１を引き離し、更に図６（ニ）
に示す様にワイヤ２をキャピラリ１とともに引き上げる
と、ワイヤ残部２ａが突出するバンプ４がＩＣチップ３
上の電極６上に形成される。
【００２２】このようにしてキャピラリ１の移動によ
り、図２（ロ）に示す全面配置の電極上にバンプを形成
していく。このとき、図７に示す様に、電極間距離が狭
くなっても隣接したバンプと接触することなくバンプを
形成することが出来る。キャピラリ移動方向は紙面方向
のみならず、紙面に垂直方向でもこの効果が得られる。
り、図２（ロ）に示す全面配置の電極上にバンプを形成
していく。このとき、図７に示す様に、電極間距離が狭
くなっても隣接したバンプと接触することなくバンプを
形成することが出来る。キャピラリ移動方向は紙面方向
のみならず、紙面に垂直方向でもこの効果が得られる。
【００２３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の構成とする
ことにより半導体装置の小型化、高密度化の為に電極間
隔がより小さくなり、且つ全面リードタイプのバンプ接
合を行っても、ワイヤバンプを形成する際、キャピラリ
が隣接したバンプへの接触を防止することが出来ると共
に、機械加工が容易で且つキャピラリ寿命の低下を抑制
出来る。
ことにより半導体装置の小型化、高密度化の為に電極間
隔がより小さくなり、且つ全面リードタイプのバンプ接
合を行っても、ワイヤバンプを形成する際、キャピラリ
が隣接したバンプへの接触を防止することが出来ると共
に、機械加工が容易で且つキャピラリ寿命の低下を抑制
出来る。
【図１】ワイヤバンプ形成方法を説明する図。
【図２】ＩＣチップの電極配置例を示す。
【図３】ワイヤバンプの各部の名称および寸法を示す。
【図４】本発明の実施態様に用いるキャピラリ形状を説
明する図。
明する図。
【図５】本発明に別の実施態様のキャピラリ形状を説明
する図。
する図。
【図６】図１に対応する実施例のバンプ形成方法を説明
する図。
する図。
【図７】本発明の効果を説明する図。
１…キャピラリ ２…ワイヤ ３…ＩＣチップ ４…バンプ（底部） ５…ボール ６…電極 １０…切欠部
Claims (2)
- 【請求項１】 軸心部分にワイヤ挿通孔を有し、外周面
を円周面状としたバンプ形成用キャピラリを用いて、該
キャピラリの下端面でこのワイヤの先端部に形成された
ボールをＩＣチップ電極上に接合した後、ワイヤを上方
に引張ってワイヤを切断することによりＩＣチップ電極
上にバンプを形成する方法において、該キャピラリ本体
の先端部分に円周面状切欠部を形成し、該切欠部高さが
バンプ底部高さの１／２以上、バンプ上方に残るワイヤ
残部長さの２．０倍以下の範囲内であることを特徴とす
るバンプ形成方法。 - 【請求項２】 前記円周状切欠部の切欠形状が、キャピ
ラリ本体の軸芯を通る縦断面において切欠開始点とキャ
ピラリ先端面の外周点とを結ぶ直線より内側にあるが、
該切欠部の外径はキャピラリ先端面の外径より小さくは
ないバンプ形成用キャピラリを用いる請求項１記載のバ
ンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9239766A JPH1187388A (ja) | 1997-09-04 | 1997-09-04 | バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9239766A JPH1187388A (ja) | 1997-09-04 | 1997-09-04 | バンプ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1187388A true JPH1187388A (ja) | 1999-03-30 |
Family
ID=17049601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9239766A Pending JPH1187388A (ja) | 1997-09-04 | 1997-09-04 | バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1187388A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1061130C (zh) * | 1994-03-01 | 2001-01-24 | 株式会社日立制作所 | 涡旋压缩机及涡旋元件的加工方法 |
-
1997
- 1997-09-04 JP JP9239766A patent/JPH1187388A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1061130C (zh) * | 1994-03-01 | 2001-01-24 | 株式会社日立制作所 | 涡旋压缩机及涡旋元件的加工方法 |
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