JPH1187267A - 金属膜の形成方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
金属膜の形成方法および半導体装置の製造方法Info
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- JPH1187267A JPH1187267A JP23709097A JP23709097A JPH1187267A JP H1187267 A JPH1187267 A JP H1187267A JP 23709097 A JP23709097 A JP 23709097A JP 23709097 A JP23709097 A JP 23709097A JP H1187267 A JPH1187267 A JP H1187267A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製膜の基板表面温度依存性が少なく、残留不
純物濃度が低い金属膜を形成することができる金属膜の
形成方法、およびエレクトロマイグレーション耐性など
の配線信頼性に優れた溝配線を形成することができる半
導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 ガス化されたＣｕ(hfac)(tmvs)を原料ガ
ス導入管９を通じてチェンバー１内に導入するととも
に、ガス導入管３を通じてＡｒガスを導入し、このＡｒ
ガスからアルゴンプラズマを生成する。このアルゴンプ
ラズマをＣｕ(hfac)(tmvs)ガスに衝突させることによ
り、tmvsとhfacとを順次放出させ、さらにＣｕと、Ｃｕ
の第１イオン化エネルギー以上のエネルギーを有する電
子との衝突によりＣｕ+ に電離させる。試料台７に基板
バイアスを印加し、Ｃｕ+ を、その垂直入射成分を増加
させてウェーハ６上に入射させることによりＣｕ膜を形
成する。
純物濃度が低い金属膜を形成することができる金属膜の
形成方法、およびエレクトロマイグレーション耐性など
の配線信頼性に優れた溝配線を形成することができる半
導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 ガス化されたＣｕ(hfac)(tmvs)を原料ガ
ス導入管９を通じてチェンバー１内に導入するととも
に、ガス導入管３を通じてＡｒガスを導入し、このＡｒ
ガスからアルゴンプラズマを生成する。このアルゴンプ
ラズマをＣｕ(hfac)(tmvs)ガスに衝突させることによ
り、tmvsとhfacとを順次放出させ、さらにＣｕと、Ｃｕ
の第１イオン化エネルギー以上のエネルギーを有する電
子との衝突によりＣｕ+ に電離させる。試料台７に基板
バイアスを印加し、Ｃｕ+ を、その垂直入射成分を増加
させてウェーハ６上に入射させることによりＣｕ膜を形
成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、金属膜の形成方
法および半導体装置の製造方法に関し、特に、銅からな
る溝配線を有する半導体装置の製造に適用して好適なも
のである。
法および半導体装置の製造方法に関し、特に、銅からな
る溝配線を有する半導体装置の製造に適用して好適なも
のである。
【０００２】
【従来の技術】超ＬＳＩにおける半導体素子の微細化に
ともないアルミニウム（Ａｌ）やＡｌ合金からなるＡｌ
系配線に代わり、Ａｌ系配線よりも低抵抗で、かつ、エ
レクトロマイグレーション耐性やストレスマイグレーシ
ョン耐性の高い銅（Ｃｕ）配線が注目されている。
ともないアルミニウム（Ａｌ）やＡｌ合金からなるＡｌ
系配線に代わり、Ａｌ系配線よりも低抵抗で、かつ、エ
レクトロマイグレーション耐性やストレスマイグレーシ
ョン耐性の高い銅（Ｃｕ）配線が注目されている。
【０００３】そして、Ｃｕ配線を適用した溝配線技術と
して、大きく分けて次の２通りの方法が検討されてい
る。すなわち、配線溝が形成された絶縁膜の全面にスパ
ッタリング法によりＣｕ膜を形成した後、水素（Ｈ2 ）
ガス雰囲気中において熱処理を行うことによりＣｕ膜の
表面に形成される酸化物を還元しながらＣｕ膜をリフロ
ーさせる方法と、熱化学気相成長（熱ＣＶＤ）法により
Ｃｕを配線溝に埋め込む方法とが検討されている。これ
らの２通りの方法のうち、熱ＣＶＤ法によるＣｕの埋め
込みは、スパッタリング法によるＣｕの埋め込みに比べ
てステップカバレッジに優れているという利点がある。
して、大きく分けて次の２通りの方法が検討されてい
る。すなわち、配線溝が形成された絶縁膜の全面にスパ
ッタリング法によりＣｕ膜を形成した後、水素（Ｈ2 ）
ガス雰囲気中において熱処理を行うことによりＣｕ膜の
表面に形成される酸化物を還元しながらＣｕ膜をリフロ
ーさせる方法と、熱化学気相成長（熱ＣＶＤ）法により
Ｃｕを配線溝に埋め込む方法とが検討されている。これ
らの２通りの方法のうち、熱ＣＶＤ法によるＣｕの埋め
込みは、スパッタリング法によるＣｕの埋め込みに比べ
てステップカバレッジに優れているという利点がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、熱ＣＶ
Ｄ法により形成されたＣｕ配線は、スパッタリング法に
より形成されたＣｕ配線に比べて、エレクトロマイグレ
ーション耐性が劣っているという問題がある。この原因
としては、熱ＣＶＤ法により配線溝にＣｕを埋め込む際
に、原料ガスに含まれる炭素（Ｃ）などの不純物がＣｕ
膜中に残留することが考えられる。すなわち、従来の熱
ＣＶＤ法では、基板表面でのＣｕの原料ガスの熱分解、
またはＣｕの原料ガスの水素還元反応を利用してＣｕ膜
を形成しているため、Ｃｕの製膜は基板の表面温度に強
く影響される。そして、Ｃｕの製膜をそのステップカバ
レッジが良好になるように行うためには、Ｃｕの製膜を
基板表面での反応速度が遅くなる低い温度で行う必要が
あるが、Ｃｕの製膜を低い温度で行うと、熱ＣＶＤ法に
おける基板表面での反応に伴う基板からの副生成物の脱
離も遅くなるため、Ｃｕ膜中のＣなどの残留不純物の量
が多くなってしまう。
Ｄ法により形成されたＣｕ配線は、スパッタリング法に
より形成されたＣｕ配線に比べて、エレクトロマイグレ
ーション耐性が劣っているという問題がある。この原因
としては、熱ＣＶＤ法により配線溝にＣｕを埋め込む際
に、原料ガスに含まれる炭素（Ｃ）などの不純物がＣｕ
膜中に残留することが考えられる。すなわち、従来の熱
ＣＶＤ法では、基板表面でのＣｕの原料ガスの熱分解、
またはＣｕの原料ガスの水素還元反応を利用してＣｕ膜
を形成しているため、Ｃｕの製膜は基板の表面温度に強
く影響される。そして、Ｃｕの製膜をそのステップカバ
レッジが良好になるように行うためには、Ｃｕの製膜を
基板表面での反応速度が遅くなる低い温度で行う必要が
あるが、Ｃｕの製膜を低い温度で行うと、熱ＣＶＤ法に
おける基板表面での反応に伴う基板からの副生成物の脱
離も遅くなるため、Ｃｕ膜中のＣなどの残留不純物の量
が多くなってしまう。
【０００５】一方、熱ＣＶＤ法に比べてリフロー法は、
Ａｌ系の溝配線を形成するときの既存の装置を用いるこ
とができるという利点がある。しかしながら、配線溝が
形成された絶縁膜上にスパッタリング法によりＣｕ膜を
形成した後に、このＣｕ膜をリフローさせて配線溝に埋
め込む場合には、Ｃｕ膜の配線溝への埋め込みはＣｕ膜
のステップカバレッジに依存するが、すでに述べたよう
に、このステップカバレッジは悪い。そのため、Ｃｕ
を、アスペクト比の高い微細な配線溝や、配線溝の底部
に形成される微細な接続孔に埋め込むことは困難であ
る。これは、スパッタリング法ではアスペクト比の高い
配線溝や接続孔の底部にＣｕを十分な厚さに堆積させる
ことができないために、配線溝や接続孔の内部に効果的
にＣｕを流し込むことができないからである。
Ａｌ系の溝配線を形成するときの既存の装置を用いるこ
とができるという利点がある。しかしながら、配線溝が
形成された絶縁膜上にスパッタリング法によりＣｕ膜を
形成した後に、このＣｕ膜をリフローさせて配線溝に埋
め込む場合には、Ｃｕ膜の配線溝への埋め込みはＣｕ膜
のステップカバレッジに依存するが、すでに述べたよう
に、このステップカバレッジは悪い。そのため、Ｃｕ
を、アスペクト比の高い微細な配線溝や、配線溝の底部
に形成される微細な接続孔に埋め込むことは困難であ
る。これは、スパッタリング法ではアスペクト比の高い
配線溝や接続孔の底部にＣｕを十分な厚さに堆積させる
ことができないために、配線溝や接続孔の内部に効果的
にＣｕを流し込むことができないからである。
【０００６】現在、ステップカバレッジの向上を目的と
して、遠距離スパッタリング法やイオン化スパッタリン
グ法を用いることが検討されているが、これらのスパッ
タリング法を用いても、ステップカバレッジの向上には
限界がある。
して、遠距離スパッタリング法やイオン化スパッタリン
グ法を用いることが検討されているが、これらのスパッ
タリング法を用いても、ステップカバレッジの向上には
限界がある。
【０００７】したがって、この発明の目的は、高アスペ
クト比の微細な溝や孔に効果的に金属を埋め込むことが
でき、製膜の基板表面温度依存性が少なく、残留不純物
濃度が低い金属膜を形成することができる金属膜の形成
方法を提供することにある。
クト比の微細な溝や孔に効果的に金属を埋め込むことが
でき、製膜の基板表面温度依存性が少なく、残留不純物
濃度が低い金属膜を形成することができる金属膜の形成
方法を提供することにある。
【０００８】また、この発明の他の目的は、高アスペク
ト比の微細な配線溝や接続孔に効果的に金属を埋め込む
ことができ、エレクトロマイグレーション耐性が高く、
高信頼性の溝配線を形成することができる半導体装置の
製造方法を提供することにある。
ト比の微細な配線溝や接続孔に効果的に金属を埋め込む
ことができ、エレクトロマイグレーション耐性が高く、
高信頼性の溝配線を形成することができる半導体装置の
製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の発明による金属膜の形成方法は、
金属を含む原料ガスに、金属のイオン化に必要なエネル
ギー以上のエネルギーを有する電子を衝突させることに
より金属をイオン化し、この金属イオンを基体上に入射
させることにより金属膜を形成するようにしたことを特
徴とするものである。
に、この発明の第１の発明による金属膜の形成方法は、
金属を含む原料ガスに、金属のイオン化に必要なエネル
ギー以上のエネルギーを有する電子を衝突させることに
より金属をイオン化し、この金属イオンを基体上に入射
させることにより金属膜を形成するようにしたことを特
徴とするものである。
【００１０】この発明の第２の発明による半導体装置の
製造方法は、金属を含む原料ガスに、金属のイオン化に
必要なエネルギー以上のエネルギーを有する電子を衝突
させることにより金属をイオン化し、この金属イオンを
基体上に入射させることにより金属膜を形成するように
したことを特徴とするものである。
製造方法は、金属を含む原料ガスに、金属のイオン化に
必要なエネルギー以上のエネルギーを有する電子を衝突
させることにより金属をイオン化し、この金属イオンを
基体上に入射させることにより金属膜を形成するように
したことを特徴とするものである。
【００１１】この発明において、典型的には、金属を含
む原料ガスに、希ガス元素のプラズマに含まれる電子お
よび活性種を衝突させることにより、原料ガスから金属
を解離させ、解離された金属にさらにプラズマ中の電子
および活性種を衝突させることにより金属をイオン化す
る。
む原料ガスに、希ガス元素のプラズマに含まれる電子お
よび活性種を衝突させることにより、原料ガスから金属
を解離させ、解離された金属にさらにプラズマ中の電子
および活性種を衝突させることにより金属をイオン化す
る。
【００１２】この発明において、典型的には、金属を含
む原料ガスに、少なくとも励起水素原子を含むプラズマ
中の電子および活性種を衝突させることにより原料ガス
から金属を解離させ、解離された金属にさらにプラズマ
中の電子および活性種を衝突させることにより金属をイ
オン化するとともに、金属を含む原料ガスに、プラズマ
中の励起水素原子を衝突させることにより原料ガスを還
元する。
む原料ガスに、少なくとも励起水素原子を含むプラズマ
中の電子および活性種を衝突させることにより原料ガス
から金属を解離させ、解離された金属にさらにプラズマ
中の電子および活性種を衝突させることにより金属をイ
オン化するとともに、金属を含む原料ガスに、プラズマ
中の励起水素原子を衝突させることにより原料ガスを還
元する。
【００１３】この発明において、典型的には、金属膜を
形成する前に、基体上に下地バリアメタルを形成し、こ
の下地バリアメタルの表面が酸化されて形成された自然
酸化膜を還元するために、水素プラズマ中の励起水素原
子を下地バリアメタルの表面に照射する。
形成する前に、基体上に下地バリアメタルを形成し、こ
の下地バリアメタルの表面が酸化されて形成された自然
酸化膜を還元するために、水素プラズマ中の励起水素原
子を下地バリアメタルの表面に照射する。
【００１４】また、この発明において、典型的には、溝
や孔の底部あるいは配線溝や接続孔の底部の金属膜のカ
バレッジを向上させるために、金属イオンに基体に対し
て垂直方向に電界を印加することにより、金属イオンの
基体に対する垂直入射成分を増加させる。
や孔の底部あるいは配線溝や接続孔の底部の金属膜のカ
バレッジを向上させるために、金属イオンに基体に対し
て垂直方向に電界を印加することにより、金属イオンの
基体に対する垂直入射成分を増加させる。
【００１５】また、この発明において、典型的には、基
体上に金属膜の形成を行った後に、基体を加熱するとと
もに水素プラズマを照射しつつ金属膜をリフローさせ
る。
体上に金属膜の形成を行った後に、基体を加熱するとと
もに水素プラズマを照射しつつ金属膜をリフローさせ
る。
【００１６】また、この発明において、金属膜の形成
を、典型的には、プラズマＣＶＤ法により行い、好適に
は、電子サイクロトロン共鳴プラズマ化学気相成長（Ｅ
ＣＲプラズマＣＶＤ）法により行う。
を、典型的には、プラズマＣＶＤ法により行い、好適に
は、電子サイクロトロン共鳴プラズマ化学気相成長（Ｅ
ＣＲプラズマＣＶＤ）法により行う。
【００１７】また、この発明において、製膜する金属
は、例えばＣｕ、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウ
ム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）などである。
は、例えばＣｕ、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウ
ム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）などである。
【００１８】上述のように構成されたこの発明によれ
ば、金属を含む原料ガスに、金属のイオン化に必要なエ
ネルギー以上のエネルギーを有する電子を衝突させるこ
とにより金属をイオン化し、この金属イオンを基体上に
入射させることにより金属膜を形成するようにしている
ことにより、基体に所定のバイアスをかけることによっ
て、金属イオンの基体表面に対する垂直入射成分を増加
させることができ、金属膜の溝や孔の内部、特に底部の
カバレッジを向上させることができる。
ば、金属を含む原料ガスに、金属のイオン化に必要なエ
ネルギー以上のエネルギーを有する電子を衝突させるこ
とにより金属をイオン化し、この金属イオンを基体上に
入射させることにより金属膜を形成するようにしている
ことにより、基体に所定のバイアスをかけることによっ
て、金属イオンの基体表面に対する垂直入射成分を増加
させることができ、金属膜の溝や孔の内部、特に底部の
カバレッジを向上させることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態
の全図においては、同一または対応する部分には同一の
符号を付す。
て図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態
の全図においては、同一または対応する部分には同一の
符号を付す。
【００２０】まず、この第１の実施形態で用いられるＥ
ＣＲプラズマＣＶＤ装置について説明する。図１に示す
ように、このＥＣＲプラズマＣＶＤ装置は、チェンバー
１の上部の外周部に磁気コイル２が巻き付けられてお
り、チェンバー１の上面には、キャリアガスや水素ガス
をチェンバー１内に導入するためのガス導入管３、２．
４５ＧＨｚのマイクロ波をチェンバー１に導入するため
の導波管４および周波数が１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源
５が設けられている。また、チェンバー１内の下部には
ウェーハ６を固定するための試料台７が回転軸８に支持
されて設けられており、その回転軸８の周りにはコイル
９が設けられている。また、チェンバー１の側面の部分
には原料ガスをチェンバー１内に導入するための原料ガ
ス導入管１０が設けられている。また、チェンバー１の
下部の側面に反応ガスを排気するためのターボ分子ポン
プ（ＴＭＰ）１１が開閉可能なメインバルブ１２を介し
て設けられている。
ＣＲプラズマＣＶＤ装置について説明する。図１に示す
ように、このＥＣＲプラズマＣＶＤ装置は、チェンバー
１の上部の外周部に磁気コイル２が巻き付けられてお
り、チェンバー１の上面には、キャリアガスや水素ガス
をチェンバー１内に導入するためのガス導入管３、２．
４５ＧＨｚのマイクロ波をチェンバー１に導入するため
の導波管４および周波数が１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源
５が設けられている。また、チェンバー１内の下部には
ウェーハ６を固定するための試料台７が回転軸８に支持
されて設けられており、その回転軸８の周りにはコイル
９が設けられている。また、チェンバー１の側面の部分
には原料ガスをチェンバー１内に導入するための原料ガ
ス導入管１０が設けられている。また、チェンバー１の
下部の側面に反応ガスを排気するためのターボ分子ポン
プ（ＴＭＰ）１１が開閉可能なメインバルブ１２を介し
て設けられている。
【００２１】次に、この第１の実施形態によるＣｕから
なる溝配線の形成方法について説明する。この第１の実
施形態においては、まず、図２に示すように、トランジ
スタなどの素子や素子分離領域（いずれも図示せず）が
形成されたＳｉ基板２１上に例えばＣＶＤ法により例え
ばＳｉＯ2 膜からなる層間絶縁膜２２を形成する。次
に、層間絶縁膜２２上に所定形状のレジストパターン
（図示せず）を形成した後、このレジストパターンをマ
スクとして例えばＲＩＥ法により層間絶縁膜２２をエッ
チングすることにより、配線溝２３を形成する。次に、
例えばスパッタリング法により全面に下地バリアメタル
としてのＴｉＮ膜２４を形成する。
なる溝配線の形成方法について説明する。この第１の実
施形態においては、まず、図２に示すように、トランジ
スタなどの素子や素子分離領域（いずれも図示せず）が
形成されたＳｉ基板２１上に例えばＣＶＤ法により例え
ばＳｉＯ2 膜からなる層間絶縁膜２２を形成する。次
に、層間絶縁膜２２上に所定形状のレジストパターン
（図示せず）を形成した後、このレジストパターンをマ
スクとして例えばＲＩＥ法により層間絶縁膜２２をエッ
チングすることにより、配線溝２３を形成する。次に、
例えばスパッタリング法により全面に下地バリアメタル
としてのＴｉＮ膜２４を形成する。
【００２２】次に、Ｓｉ基板２１を図１に示すＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ装置におけるチェンバー１内の試料台７上
に載置した後、Ｈ2 およびアルゴン（Ａｒ）の混合ガス
をチェンバー１内に導入する。この混合ガスから電子サ
イクロトロン共鳴により水素プラズマおよびアルゴンプ
ラズマが生成される。そして、これらの水素プラズマお
よびアルゴンプラズマをＴｉＮ膜２４の表面に２０〜１
８０秒間照射することにより、水素プラズマ中の励起水
素原子がＴｉＮ膜２４の表面に形成された自然酸化膜
（ＴｉＯＮ）を還元し、その表面の清浄化を行う。ここ
で、ＴｉＮ膜２４の表面の自然酸化膜は、 ＴｉＯＮ＋２Ｈ→ＴｉＮ＋Ｈ2 Ｏ のような反応により還元される。
ラズマＣＶＤ装置におけるチェンバー１内の試料台７上
に載置した後、Ｈ2 およびアルゴン（Ａｒ）の混合ガス
をチェンバー１内に導入する。この混合ガスから電子サ
イクロトロン共鳴により水素プラズマおよびアルゴンプ
ラズマが生成される。そして、これらの水素プラズマお
よびアルゴンプラズマをＴｉＮ膜２４の表面に２０〜１
８０秒間照射することにより、水素プラズマ中の励起水
素原子がＴｉＮ膜２４の表面に形成された自然酸化膜
（ＴｉＯＮ）を還元し、その表面の清浄化を行う。ここ
で、ＴｉＮ膜２４の表面の自然酸化膜は、 ＴｉＯＮ＋２Ｈ→ＴｉＮ＋Ｈ2 Ｏ のような反応により還元される。
【００２３】このＴｉＮ膜２４の表面の清浄化により、
次の工程で行われるＥＣＲプラズマＣＶＤ法によるＣｕ
膜の成長のための核形成が促進される。ここで、ＴｉＮ
膜２４の表面の清浄化におけるプラズマ照射条件の一例
を挙げると、Ｈ2 ガスの流量を１００〜２００ｓｃｃ
ｍ、Ａｒガスの流量を１００〜３００ｓｃｃｍとし、マ
イクロ波パワーを２．８ｋＷ、基板加熱温度を１００〜
４００℃とする。
次の工程で行われるＥＣＲプラズマＣＶＤ法によるＣｕ
膜の成長のための核形成が促進される。ここで、ＴｉＮ
膜２４の表面の清浄化におけるプラズマ照射条件の一例
を挙げると、Ｈ2 ガスの流量を１００〜２００ｓｃｃ
ｍ、Ａｒガスの流量を１００〜３００ｓｃｃｍとし、マ
イクロ波パワーを２．８ｋＷ、基板加熱温度を１００〜
４００℃とする。
【００２４】次に、同一のチェンバー１内に原料ガス導
入管９を通じて、ガス化されたＣｕ（１）ヘキサフロロ
アセチルアセトナトトリメチルビニルシラン（Ｃｕ(hfa
c)(tmvs)）を原料ガスとして導入しつつ、ガス導入管３
を通じてＡｒガスを導入し、このＡｒガスから電子サイ
クロトロン共鳴によりアルゴンプラズマを生成する。そ
して、Ｃｕの原料ガスであるＣｕ(hfac)(tmvs)は、チェ
ンバー１内においてアルゴンプラズマ中の電子
（ｅ- ）、Ａｒ+ およびＡｒラジカルと衝突することに
より解離される。すなわち、Ｃｕ(hfac)(tmvs)からトリ
メチルビニルシラン（tmvs）とヘキサフロロアセチルア
セトナト（hfac）とが順次放出され、Ｃｕが解離され
る。さらに、ＣｕとＣｕの第１イオン化エネルギー、す
なわち７．７２ｅＶ以上のエネルギーを有する電子とが
衝突することによりＣｕ+ に電離される。ここで、Ｃｕ
+ が生成されるまでの反応のうち、Ｃｕ(hfac)(tmvs)
は、特に電子との衝突により、 Ｃｕ(hfac)(tmvs)＋ｅ- →Ｃｕ(hfac)＋tmvs＋ｅ- Ｃｕ(hfac)＋ｅ- →Ｃｕ＋hfac＋ｅ- Cu+e- →Ｃｕ+ ＋２ｅ- のように反応する。
入管９を通じて、ガス化されたＣｕ（１）ヘキサフロロ
アセチルアセトナトトリメチルビニルシラン（Ｃｕ(hfa
c)(tmvs)）を原料ガスとして導入しつつ、ガス導入管３
を通じてＡｒガスを導入し、このＡｒガスから電子サイ
クロトロン共鳴によりアルゴンプラズマを生成する。そ
して、Ｃｕの原料ガスであるＣｕ(hfac)(tmvs)は、チェ
ンバー１内においてアルゴンプラズマ中の電子
（ｅ- ）、Ａｒ+ およびＡｒラジカルと衝突することに
より解離される。すなわち、Ｃｕ(hfac)(tmvs)からトリ
メチルビニルシラン（tmvs）とヘキサフロロアセチルア
セトナト（hfac）とが順次放出され、Ｃｕが解離され
る。さらに、ＣｕとＣｕの第１イオン化エネルギー、す
なわち７．７２ｅＶ以上のエネルギーを有する電子とが
衝突することによりＣｕ+ に電離される。ここで、Ｃｕ
+ が生成されるまでの反応のうち、Ｃｕ(hfac)(tmvs)
は、特に電子との衝突により、 Ｃｕ(hfac)(tmvs)＋ｅ- →Ｃｕ(hfac)＋tmvs＋ｅ- Ｃｕ(hfac)＋ｅ- →Ｃｕ＋hfac＋ｅ- Cu+e- →Ｃｕ+ ＋２ｅ- のように反応する。
【００２５】次に、図３に示すように、ＥＣＲプラズマ
ＣＶＤ法によりＴｉＮ膜２４上にＣｕ+ を照射する。す
なわち、Ｓｉ基板２１上に自己整合的に形成されたシー
ス、あるいはＳｉ基板２１が載せられている試料台７に
印加された基板バイアスにより、Ｃｕ+ がＳｉ基板２１
に向かう方向、すなわちＳｉ基板２１の表面に対して垂
直な方向に加速され、配線溝２３の内部へＣｕ+ が垂直
入射する。
ＣＶＤ法によりＴｉＮ膜２４上にＣｕ+ を照射する。す
なわち、Ｓｉ基板２１上に自己整合的に形成されたシー
ス、あるいはＳｉ基板２１が載せられている試料台７に
印加された基板バイアスにより、Ｃｕ+ がＳｉ基板２１
に向かう方向、すなわちＳｉ基板２１の表面に対して垂
直な方向に加速され、配線溝２３の内部へＣｕ+ が垂直
入射する。
【００２６】これによって、図４に示すように、配線溝
２３の底部にＣｕが厚く堆積したＣｕ膜２５が形成され
る。ここで、このＥＣＲプラズマＣＶＤ条件の一例を挙
げると、Ｃｕ(hfac)(tmvs)の流量を０．２〜１ｇ／ｍｉ
ｎとし、Ａｒガスの流量を１００〜５００ｓｃｃｍとす
る。
２３の底部にＣｕが厚く堆積したＣｕ膜２５が形成され
る。ここで、このＥＣＲプラズマＣＶＤ条件の一例を挙
げると、Ｃｕ(hfac)(tmvs)の流量を０．２〜１ｇ／ｍｉ
ｎとし、Ａｒガスの流量を１００〜５００ｓｃｃｍとす
る。
【００２７】次に、図５に示すように、Ｓｉ基板２１を
加熱するとともに水素プラズマおよびアルゴンプラズマ
をＣｕ膜２５に照射しつつ、Ｃｕ膜２５をリフローさせ
る。このように水素プラズマおよびアルゴンプラズマを
Ｃｕ膜２５に照射すると、水素プラズマ中の励起水素原
子によりＣｕ膜２５中の炭化物や酸化物などの残留不純
物が還元され、それぞれＣＨやＨ2 Ｏなどとして放出さ
れるとともに、Ｃｕ膜２５のリフローが助長されること
で、配線溝２３の内部がＣｕで埋め込まれる。ここで、
これらのプラズマの照射条件の一例を挙げると、Ｈ2 ガ
スの流量を１００〜２００ｓｃｃｍ、Ａｒガスの流量を
１００〜３００ｓｃｃｍとし、マイクロ波パワーを２．
８ｋＷ、プラズマの照射時間を１２０〜６００秒、基板
加熱温度を１００〜４００℃とする。
加熱するとともに水素プラズマおよびアルゴンプラズマ
をＣｕ膜２５に照射しつつ、Ｃｕ膜２５をリフローさせ
る。このように水素プラズマおよびアルゴンプラズマを
Ｃｕ膜２５に照射すると、水素プラズマ中の励起水素原
子によりＣｕ膜２５中の炭化物や酸化物などの残留不純
物が還元され、それぞれＣＨやＨ2 Ｏなどとして放出さ
れるとともに、Ｃｕ膜２５のリフローが助長されること
で、配線溝２３の内部がＣｕで埋め込まれる。ここで、
これらのプラズマの照射条件の一例を挙げると、Ｈ2 ガ
スの流量を１００〜２００ｓｃｃｍ、Ａｒガスの流量を
１００〜３００ｓｃｃｍとし、マイクロ波パワーを２．
８ｋＷ、プラズマの照射時間を１２０〜６００秒、基板
加熱温度を１００〜４００℃とする。
【００２８】次に、図６に示すように、例えば化学的機
械研磨（ＣＭＰ）法により配線溝２３の内部以外の部分
のＣｕ膜２５およびＴｉＮ膜２４を順次ラッピングして
除去することにより、層間絶縁膜２２にＴｉＮ膜２４を
下地バリアメタルとしたＣｕからなる溝配線２６が形成
される。
械研磨（ＣＭＰ）法により配線溝２３の内部以外の部分
のＣｕ膜２５およびＴｉＮ膜２４を順次ラッピングして
除去することにより、層間絶縁膜２２にＴｉＮ膜２４を
下地バリアメタルとしたＣｕからなる溝配線２６が形成
される。
【００２９】以上説明したように、この第１の実施形態
によれば、ガス化されたＣｕ(hfac)(tmvs)に電子などを
衝突させてＣｕを解離させ、さらにＣｕの第１イオン化
エネルギー以上のエネルギーを有する電子をこのＣｕに
衝突させることによって、Ｃｕ+ を生成し、基板バイア
スを印加することによりＣｕ+ の垂直入射成分を増加さ
せて入射させ、Ｃｕ膜２５を形成するようにしているこ
とにより、製膜における基板表面温度依存性が少なく残
留不純物濃度が低い良質のＣｕ膜２５を形成することが
でき、アスペクト比の高い微細な配線溝２３の内部、特
にその底部におけるカバレッジを向上させることができ
る。したがって、Ｃｕ膜２５のリフローを助長させるこ
とができ、リフロー法によりＣｕを配線溝２３の内部に
効率よく効果的に埋め込むことができるので、エレクト
ロマイグレーション耐性などの配線信頼性に優れた溝配
線２６を形成することができる。
によれば、ガス化されたＣｕ(hfac)(tmvs)に電子などを
衝突させてＣｕを解離させ、さらにＣｕの第１イオン化
エネルギー以上のエネルギーを有する電子をこのＣｕに
衝突させることによって、Ｃｕ+ を生成し、基板バイア
スを印加することによりＣｕ+ の垂直入射成分を増加さ
せて入射させ、Ｃｕ膜２５を形成するようにしているこ
とにより、製膜における基板表面温度依存性が少なく残
留不純物濃度が低い良質のＣｕ膜２５を形成することが
でき、アスペクト比の高い微細な配線溝２３の内部、特
にその底部におけるカバレッジを向上させることができ
る。したがって、Ｃｕ膜２５のリフローを助長させるこ
とができ、リフロー法によりＣｕを配線溝２３の内部に
効率よく効果的に埋め込むことができるので、エレクト
ロマイグレーション耐性などの配線信頼性に優れた溝配
線２６を形成することができる。
【００３０】次に、この発明の第２の実施形態によるＣ
ｕ配線の形成方法について説明する。また、この第２の
実施形態において用いられるＥＣＲプラズマＣＶＤ装置
は、第１の実施形態で用いられた図１に示すＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ装置と同様である。
ｕ配線の形成方法について説明する。また、この第２の
実施形態において用いられるＥＣＲプラズマＣＶＤ装置
は、第１の実施形態で用いられた図１に示すＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ装置と同様である。
【００３１】この第２の実施形態においては、まず、第
１の実施形態と同様にして、図２に示すように、Ｓｉ基
板２１上に層間絶縁膜２２、配線溝２３およびＴｉＮ膜
２４を順次形成した後、図１に示すＥＣＲプラズマＣＶ
Ｄ装置のチェンバー１内においてＴｉＮ膜２４の表面の
清浄化を行う。
１の実施形態と同様にして、図２に示すように、Ｓｉ基
板２１上に層間絶縁膜２２、配線溝２３およびＴｉＮ膜
２４を順次形成した後、図１に示すＥＣＲプラズマＣＶ
Ｄ装置のチェンバー１内においてＴｉＮ膜２４の表面の
清浄化を行う。
【００３２】続いて、同一のチェンバー１内に原料ガス
導入管９を通じてガス化されたＣｕ(hfac)(tmvs)を原料
ガスとして導入しつつ、ガス導入管３を通じてＡｒガス
とＨ2 ガスとの混合ガスを導入する。これらのＡｒガス
およびＨ2 ガスからは電子サイクロトロン共鳴によりそ
れぞれアルゴンプラズマおよび水素プラズマが生成され
る。そして、Ｃｕ(hfac)(tmvs)は、チェンバー１内にお
いてアルゴンプラズマおよび水素プラズマ中のｅ- など
と衝突することにより解離される。すなわち、Ｃｕ(hfa
c)(tmvs)からtmvsとhfacとが順次放出され、Ｃｕが解離
され、さらに、Ｃｕと電子とが衝突することによりＣｕ
+ に電離される。また、加えて、Ｃｕ(hfac)(tmvs)が水
素プラズマ中の励起水素原子により還元され、Ｃｕ製膜
種が生成され、さらに、このＣｕ製膜種が電子と衝突す
ることによりＣｕ+ に電離される。すなわち、Ｃｕ(hfa
c)(tmvs)は、電子および励起水素原子との衝突により、 Ｃｕ(hfac)(tmvs)＋ｅ- →Ｃｕ(hfac)＋tmvs＋ｅ- Ｃｕ(hfac)＋ｅ- →Ｃｕ＋hfac＋ｅ- Ｃｕ(hfac)＋Ｈ→Ｃｕ＋Ｈ(hfac) （励起水素原子によ
る還元反応） Ｃｕ＋ｅ- →Ｃｕ+ ＋２ｅ- のように反応する。
導入管９を通じてガス化されたＣｕ(hfac)(tmvs)を原料
ガスとして導入しつつ、ガス導入管３を通じてＡｒガス
とＨ2 ガスとの混合ガスを導入する。これらのＡｒガス
およびＨ2 ガスからは電子サイクロトロン共鳴によりそ
れぞれアルゴンプラズマおよび水素プラズマが生成され
る。そして、Ｃｕ(hfac)(tmvs)は、チェンバー１内にお
いてアルゴンプラズマおよび水素プラズマ中のｅ- など
と衝突することにより解離される。すなわち、Ｃｕ(hfa
c)(tmvs)からtmvsとhfacとが順次放出され、Ｃｕが解離
され、さらに、Ｃｕと電子とが衝突することによりＣｕ
+ に電離される。また、加えて、Ｃｕ(hfac)(tmvs)が水
素プラズマ中の励起水素原子により還元され、Ｃｕ製膜
種が生成され、さらに、このＣｕ製膜種が電子と衝突す
ることによりＣｕ+ に電離される。すなわち、Ｃｕ(hfa
c)(tmvs)は、電子および励起水素原子との衝突により、 Ｃｕ(hfac)(tmvs)＋ｅ- →Ｃｕ(hfac)＋tmvs＋ｅ- Ｃｕ(hfac)＋ｅ- →Ｃｕ＋hfac＋ｅ- Ｃｕ(hfac)＋Ｈ→Ｃｕ＋Ｈ(hfac) （励起水素原子によ
る還元反応） Ｃｕ＋ｅ- →Ｃｕ+ ＋２ｅ- のように反応する。
【００３３】次に、第１の実施形態と同様にして、図１
に示すＥＣＲプラズマＣＶＤ装置の試料台７上にＳｉ基
板２１を載置し、試料台７に基板バイアスを印加しつ
つ、図３および図４に示すように、Ｃｕ+ をＴｉＮ膜２
４上に照射し、Ｃｕ膜２５を形成する。ここで、このＣ
ｕ膜２５の形成におけるＥＣＲプラズマＣＶＤ条件の一
例を挙げると、Ｃｕ(hfac)(tmvs)の流量を０．２〜１ｇ
／ｍｉｎ、Ｈ2 ガスの流量を１００〜２００ｓｃｃｍ、
Ａｒガスの流量を１００〜５００ｓｃｃｍとし、マイク
ロ波パワーを２．８ｋＷ、基板加熱温度を１００〜４０
０℃とする。
に示すＥＣＲプラズマＣＶＤ装置の試料台７上にＳｉ基
板２１を載置し、試料台７に基板バイアスを印加しつ
つ、図３および図４に示すように、Ｃｕ+ をＴｉＮ膜２
４上に照射し、Ｃｕ膜２５を形成する。ここで、このＣ
ｕ膜２５の形成におけるＥＣＲプラズマＣＶＤ条件の一
例を挙げると、Ｃｕ(hfac)(tmvs)の流量を０．２〜１ｇ
／ｍｉｎ、Ｈ2 ガスの流量を１００〜２００ｓｃｃｍ、
Ａｒガスの流量を１００〜５００ｓｃｃｍとし、マイク
ロ波パワーを２．８ｋＷ、基板加熱温度を１００〜４０
０℃とする。
【００３４】次に、図５に示すように、第１の実施形態
と同様にして、リフロー法により配線溝２３の内部にＣ
ｕを埋め込んだ後、図６に示すように、例えばＣＭＰ法
により配線溝２３の内部以外の部分のＣｕ膜２５および
ＴｉＮ膜２４をラッピングすることにより除去する。以
上のようにして、溝配線２６が形成される。
と同様にして、リフロー法により配線溝２３の内部にＣ
ｕを埋め込んだ後、図６に示すように、例えばＣＭＰ法
により配線溝２３の内部以外の部分のＣｕ膜２５および
ＴｉＮ膜２４をラッピングすることにより除去する。以
上のようにして、溝配線２６が形成される。
【００３５】この第２の実施形態によれば、第１の実施
形態と同様の効果を得ることができるとともに、Ｃｕ膜
２５の形成の際にＡｒおよびＨ2 の混合ガスからアルゴ
ンプラズマおよび水素プラズマを生成し、これらのプラ
ズマ中の電子および活性種をＣｕ(hfac)(tmvs)に衝突さ
せていることにより、第１の実施形態によるＣｕ膜２５
の形成に比べて、Ｃｕ(hfac)(tmvs)が励起水素原子によ
り還元される反応が加わるので、Ｃｕ膜２５中の残留不
純物濃度を大幅に低減させつつ、その製膜速度を向上さ
せることができる。
形態と同様の効果を得ることができるとともに、Ｃｕ膜
２５の形成の際にＡｒおよびＨ2 の混合ガスからアルゴ
ンプラズマおよび水素プラズマを生成し、これらのプラ
ズマ中の電子および活性種をＣｕ(hfac)(tmvs)に衝突さ
せていることにより、第１の実施形態によるＣｕ膜２５
の形成に比べて、Ｃｕ(hfac)(tmvs)が励起水素原子によ
り還元される反応が加わるので、Ｃｕ膜２５中の残留不
純物濃度を大幅に低減させつつ、その製膜速度を向上さ
せることができる。
【００３６】以上、この発明の実施形態について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。
【００３７】例えば、上述の実施形態において挙げた材
料および数値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこ
れと異なる材料および数値を用いてもよい。
料および数値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこ
れと異なる材料および数値を用いてもよい。
【００３８】また、例えば、上述の実施形態において
は、この発明を溝配線２６の形成に適用しているが、溝
配線の形成のみならず、高アスペクト比の接続孔への金
属の埋め込みに適用してもよい。
は、この発明を溝配線２６の形成に適用しているが、溝
配線の形成のみならず、高アスペクト比の接続孔への金
属の埋め込みに適用してもよい。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、金属を含む原料ガスに、金属のイオン化に必要なエ
ネルギー以上のエネルギーを有する電子を衝突させるこ
とにより金属をイオン化し、この金属イオンを基体上に
入射させることにより金属膜を形成するようにしている
ことにより、アスペクト比の高い微細な溝や孔に効果的
に金属を埋め込むことができる。
ば、金属を含む原料ガスに、金属のイオン化に必要なエ
ネルギー以上のエネルギーを有する電子を衝突させるこ
とにより金属をイオン化し、この金属イオンを基体上に
入射させることにより金属膜を形成するようにしている
ことにより、アスペクト比の高い微細な溝や孔に効果的
に金属を埋め込むことができる。
【００４０】また、この発明によれば、金属を含む原料
ガスに、金属のイオン化に必要なエネルギー以上のエネ
ルギーを有する電子を衝突させることにより金属をイオ
ン化し、この金属イオンを基体上に入射させることによ
り金属膜を形成するようにしていることにより、半導体
装置において溝配線を形成する際に、高アスペクト比の
微細な配線溝や接続孔に効率よく金属を埋め込むことが
でき、エレクトロマイグレーション耐性などの配線信頼
性に優れた溝配線を得ることができる。
ガスに、金属のイオン化に必要なエネルギー以上のエネ
ルギーを有する電子を衝突させることにより金属をイオ
ン化し、この金属イオンを基体上に入射させることによ
り金属膜を形成するようにしていることにより、半導体
装置において溝配線を形成する際に、高アスペクト比の
微細な配線溝や接続孔に効率よく金属を埋め込むことが
でき、エレクトロマイグレーション耐性などの配線信頼
性に優れた溝配線を得ることができる。
【図１】この発明の第１の実施形態において用いられる
ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置の構成図である。
ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置の構成図である。
【図２】この発明の第１の実施形態による溝配線の形成
方法を示す断面図である。
方法を示す断面図である。
【図３】この発明の第１の実施形態による溝配線の形成
方法を示す断面図である。
方法を示す断面図である。
【図４】この発明の第１の実施形態による溝配線の形成
方法を示す断面図である。
方法を示す断面図である。
【図５】この発明の第１の実施形態による溝配線の形成
方法を示す断面図である。
方法を示す断面図である。
【図６】この発明の第１の実施形態による溝配線の形成
方法を示す断面図である。
方法を示す断面図である。
２１・・・Ｓｉ基板、２３・・・配線溝、２４・・・Ｔ
ｉＮ膜、２５・・・Ｃｕ膜、２６・・・溝配線
ｉＮ膜、２５・・・Ｃｕ膜、２６・・・溝配線
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/3205 Ｈ０１Ｌ 21/88 Ｒ
Claims (16)
- 【請求項１】 金属を含む原料ガスに、上記金属のイオ
ン化に必要なエネルギー以上のエネルギーを有する電子
を衝突させることにより上記金属をイオン化し、この金
属イオンを基体上に入射させることにより金属膜を形成
するようにしたことを特徴とする金属膜の形成方法。 - 【請求項２】 上記金属を含む原料ガスに、希ガス元素
のプラズマに含まれる電子および活性種を衝突させるこ
とにより、上記原料ガスから上記金属を解離させ、上記
解離された金属にさらに上記プラズマ中の電子および活
性種を衝突させることにより上記金属をイオン化するよ
うにしたことを特徴とする請求項１記載の金属膜の形成
方法。 - 【請求項３】 上記金属を含む原料ガスに、少なくとも
励起水素原子を含むプラズマ中の電子および活性種を衝
突させることにより上記原料ガスから上記金属を解離さ
せ、上記解離された金属にさらに上記プラズマ中の電子
および活性種を衝突させることにより上記金属をイオン
化するとともに、上記金属を含む原料ガスに、上記プラ
ズマ中の上記励起水素原子を衝突させることにより上記
原料ガスを還元するようにしたことを特徴とする請求項
１記載の金属膜の形成方法。 - 【請求項４】 上記金属膜を形成する前に、上記基体上
に下地バリアメタルを形成し、この下地バリアメタルに
水素プラズマ中の励起水素原子を照射するようにしたこ
とを特徴とする請求項１記載の金属膜の形成方法。 - 【請求項５】 上記金属イオンに上記基体に対して垂直
方向に電界を印加することにより、上記金属イオンの上
記基体に対する垂直入射成分を増加させるようにしたこ
とを特徴とする請求項１記載の金属膜の形成方法。 - 【請求項６】 上記金属膜を形成した後に、上記基体を
加熱するとともに上記金属膜に少なくとも水素プラズマ
を照射しつつ、上記金属膜をリフローさせるようにした
ことを特徴とする請求項１記載の金属膜の形成方法。 - 【請求項７】 上記金属膜の形成をプラズマ化学気相成
長法により行うことを特徴とする請求項１記載の金属膜
の形成方法。 - 【請求項８】 上記金属が銅、金、銀、アルミニウムま
たはチタンであることを特徴とする請求項１記載の金属
膜の形成方法。 - 【請求項９】 金属を含む原料ガスに、上記金属のイオ
ン化に必要なエネルギー以上のエネルギーを有する電子
を衝突させることにより上記金属をイオン化し、この金
属イオンを基体上に入射させることにより金属膜を形成
するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項１０】 上記金属を含む原料ガスに、希ガス元
素のプラズマに含まれる電子および活性種を衝突させる
ことにより、上記原料ガスから上記金属を解離させ、上
記解離された金属にさらに上記プラズマ中の電子および
活性種を衝突させることにより上記金属をイオン化する
ようにしたことを特徴とする請求項９記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項１１】 上記金属を含む原料ガスに、少なくと
も励起水素原子を含むプラズマ中の電子および活性種を
衝突させることにより上記原料ガスから上記金属を解離
させ、上記解離された金属にさらに上記プラズマ中の電
子および活性種を衝突させることにより上記金属をイオ
ン化するとともに、上記金属を含む原料ガスに、上記プ
ラズマ中の上記励起水素原子を衝突させることにより上
記原料ガスを還元するようにしたことを特徴とする請求
項９記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１２】 上記金属膜を形成する前に、上記基体
上に下地バリアメタルを形成し、この下地バリアメタル
に水素プラズマ中の励起水素原子を照射するようにした
ことを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項１３】 上記金属イオンに上記基体に対して垂
直方向に電界を印加することにより、上記金属イオンの
上記基体に対する垂直入射成分を増加させるようにした
ことを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項１４】 上記金属膜を形成した後に、上記基体
を加熱するとともに上記金属膜に少なくとも水素プラズ
マを照射しつつ、上記金属膜をリフローさせるようにし
たことを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項１５】 上記金属膜の形成をプラズマ化学気相
成長法により行うことを特徴とする請求項９記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項１６】 上記金属が銅、金、銀、アルミニウム
またはチタンであることを特徴とする請求項９記載の半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23709097A JPH1187267A (ja) | 1997-09-02 | 1997-09-02 | 金属膜の形成方法および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23709097A JPH1187267A (ja) | 1997-09-02 | 1997-09-02 | 金属膜の形成方法および半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1187267A true JPH1187267A (ja) | 1999-03-30 |
Family
ID=17010268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23709097A Pending JPH1187267A (ja) | 1997-09-02 | 1997-09-02 | 金属膜の形成方法および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1187267A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100404942B1 (ko) * | 2000-06-20 | 2003-11-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
| KR100413482B1 (ko) * | 2001-06-12 | 2003-12-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 화학적 강화제(ｃｅ) 처리 챔버 |
| JP2012193457A (ja) * | 2009-06-10 | 2012-10-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
-
1997
- 1997-09-02 JP JP23709097A patent/JPH1187267A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100404942B1 (ko) * | 2000-06-20 | 2003-11-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
| KR100413482B1 (ko) * | 2001-06-12 | 2003-12-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 화학적 강화제(ｃｅ) 처리 챔버 |
| JP2012193457A (ja) * | 2009-06-10 | 2012-10-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
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