JPH1184630A - 感度補正用パターン付きマスクおよびマスク保持部材 - Google Patents
感度補正用パターン付きマスクおよびマスク保持部材Info
- Publication number
- JPH1184630A JPH1184630A JP25794697A JP25794697A JPH1184630A JP H1184630 A JPH1184630 A JP H1184630A JP 25794697 A JP25794697 A JP 25794697A JP 25794697 A JP25794697 A JP 25794697A JP H1184630 A JPH1184630 A JP H1184630A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- pattern
- foreign matter
- sensitivity
- sensitivity correction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 装置の大型化等を来たさず、安定した、異物
検査装置の感度補正機能を提供する。 【解決手段】 パターンを基板上に転写するための転写
用マスクにおいて異物検査装置の感度補正用パターンを
該マスク上の転写領域外または該マスクの保持部材上に
設ける。感度補正用パターンは異物検査装置による走査
方向の手前側に、かつ走査方向と直角方向にはセンサの
画素数分、また走査方向には複数列配置する。
検査装置の感度補正機能を提供する。 【解決手段】 パターンを基板上に転写するための転写
用マスクにおいて異物検査装置の感度補正用パターンを
該マスク上の転写領域外または該マスクの保持部材上に
設ける。感度補正用パターンは異物検査装置による走査
方向の手前側に、かつ走査方向と直角方向にはセンサの
画素数分、また走査方向には複数列配置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子等の製造
に用いられる露光用マスクに関するものである。
に用いられる露光用マスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置の一つである露光装置に
おいては、回路パターンをシリコンウエハ上に転写する
ためのホトマスクを用意するが、このマスクの上にゴミ
等の異物が乗っているとその影が転写され、製品である
半導体素子等が不良品となってしまう。
おいては、回路パターンをシリコンウエハ上に転写する
ためのホトマスクを用意するが、このマスクの上にゴミ
等の異物が乗っているとその影が転写され、製品である
半導体素子等が不良品となってしまう。
【０００３】そこで、マスクを露光装置内に送り込む前
にマスク上の異物の有無を検査して異物の乗ったマスク
が送り込まれないようにする異物検査装置を用意するこ
とが最近では普通となってきた。通常、異物検査装置で
の異物検出はレーザ等の光をマスクに照射し異物により
乱反射された光を検出することにより行なわれる。この
方法ではレーザの出力および検出器の感度が経時変化に
よって劣化するのでキャリブレーションにより補正する
必要がある。
にマスク上の異物の有無を検査して異物の乗ったマスク
が送り込まれないようにする異物検査装置を用意するこ
とが最近では普通となってきた。通常、異物検査装置で
の異物検出はレーザ等の光をマスクに照射し異物により
乱反射された光を検出することにより行なわれる。この
方法ではレーザの出力および検出器の感度が経時変化に
よって劣化するのでキャリブレーションにより補正する
必要がある。
【０００４】このキャリブレーションの方法として特公
昭５９−４９５３３および特公平６−２３６９５が提案
されている。
昭５９−４９５３３および特公平６−２３６９５が提案
されている。
【０００５】特公昭５９−４９５３３に示されている方
法は光学的走査機構により、光源によって照明される被
検面を走査し異物信号を得る異物検査装置において、走
査光が被検体以外の範囲を走査している期間内に検査領
域外の箇所に設けた基準パターンを走査することによっ
て基準の出力を得てこれにより感度を補正するように構
成している。
法は光学的走査機構により、光源によって照明される被
検面を走査し異物信号を得る異物検査装置において、走
査光が被検体以外の範囲を走査している期間内に検査領
域外の箇所に設けた基準パターンを走査することによっ
て基準の出力を得てこれにより感度を補正するように構
成している。
【０００６】また、特公平６−２３６９５ではペリクル
枠にレーザ光を照射しその反射光を基準として感度補正
を行なう構成となっている。
枠にレーザ光を照射しその反射光を基準として感度補正
を行なう構成となっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特公昭
５９−４９５３３の方法では、（１）検査領域より余分
の範囲を走査しなければならないので検査に要する時間
が長くなる、（２）最近の異物検査装置のようにスリッ
ト光とラインセンサにより横方向を検査する方式ではス
リット光を長くせねばならず、このため光量の低下によ
り検査精度が劣化したり、装置が大型化すると言った欠
点があった。また、たまたま基準パターン上に異物が有
った場合は間違った値でキャリブレーションがされると
言った欠点もあった。
５９−４９５３３の方法では、（１）検査領域より余分
の範囲を走査しなければならないので検査に要する時間
が長くなる、（２）最近の異物検査装置のようにスリッ
ト光とラインセンサにより横方向を検査する方式ではス
リット光を長くせねばならず、このため光量の低下によ
り検査精度が劣化したり、装置が大型化すると言った欠
点があった。また、たまたま基準パターン上に異物が有
った場合は間違った値でキャリブレーションがされると
言った欠点もあった。
【０００８】一方、特公平６−２３６９５の方法では近
傍のマスク面反射の影響を受けたり、反射面であるペリ
クリ枠の反射状態が製造バラツキによりマスク毎に異な
るため、誤差を生じるといった欠点があった。
傍のマスク面反射の影響を受けたり、反射面であるペリ
クリ枠の反射状態が製造バラツキによりマスク毎に異な
るため、誤差を生じるといった欠点があった。
【０００９】さらに、特公昭５９−４９５３３および特
公平６−２３６９５の共通の問題点として、１点の反射
のみをモニタして補正しているため、現在主流となって
いるスリット照射とラインセンサの組合せでは照明光の
場所によるムラ変化やセンサの画素の感度変化には対応
出来ないといった欠点があった。
公平６−２３６９５の共通の問題点として、１点の反射
のみをモニタして補正しているため、現在主流となって
いるスリット照射とラインセンサの組合せでは照明光の
場所によるムラ変化やセンサの画素の感度変化には対応
出来ないといった欠点があった。
【００１０】本発明においては上記問題点に鑑み、装置
の大型化等を来たさず、安定した、異物検査装置の感度
補正機能を提供することを目的とする。
の大型化等を来たさず、安定した、異物検査装置の感度
補正機能を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明では製品マスクの中に感度調整用のパターン
を実素子の転写領域外に配置したことを特徴とする。
め、本発明では製品マスクの中に感度調整用のパターン
を実素子の転写領域外に配置したことを特徴とする。
【００１２】本発明の好ましい実施の一形態において、
前記感度調整用のパターンは、異物検査装置による走査
方向の手前側に、かつ走査方向と直角方向にはセンサの
画素数分、また走査方向には複数列構成される。
前記感度調整用のパターンは、異物検査装置による走査
方向の手前側に、かつ走査方向と直角方向にはセンサの
画素数分、また走査方向には複数列構成される。
【００１３】
【作用】このような構成により異物検査時、実際の異物
検査に先立ち調整用パターンで感度の補正を行ないその
後に検査をすることにより検査光源の照射領域を広げず
に検出器の感度の劣化の補正が可能となる。また、調整
用パターンは１ケが数十ミクロンの大きさで良いので、
マスク寸法を大きくすることなく配置することが出来
る。調整用パターンはセンサの画素分構成されているの
で１画素毎の感度補正が可能である。さらに、走査方向
に複数列配置することにより、万一調整用パターンの１
ケ所に異物が乗ったとしても、それを異常値として排除
することが可能である。
検査に先立ち調整用パターンで感度の補正を行ないその
後に検査をすることにより検査光源の照射領域を広げず
に検出器の感度の劣化の補正が可能となる。また、調整
用パターンは１ケが数十ミクロンの大きさで良いので、
マスク寸法を大きくすることなく配置することが出来
る。調整用パターンはセンサの画素分構成されているの
で１画素毎の感度補正が可能である。さらに、走査方向
に複数列配置することにより、万一調整用パターンの１
ケ所に異物が乗ったとしても、それを異常値として排除
することが可能である。
【００１４】調整用パターンは実素子と同じマスク上に
配置されているのでマスクの表面状態等による影響は自
動的に排除される。
配置されているのでマスクの表面状態等による影響は自
動的に排除される。
【００１５】なお、マスク面の表面状態のバラツキが少
なくその影響を無視出来る場合は必ずしもマスク上に感
度補正用のパターンを配置する必要はない。この場合
は、例えばマスクの保持部材に配置することも可能であ
る。
なくその影響を無視出来る場合は必ずしもマスク上に感
度補正用のパターンを配置する必要はない。この場合
は、例えばマスクの保持部材に配置することも可能であ
る。
【００１６】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。第１の実施例 図１は本発明の一実施例に係るマスクを示す。
る。第１の実施例 図１は本発明の一実施例に係るマスクを示す。
【００１７】図１において、マスク１には転写用回路パ
ターン１５の他に異物検査装置の感度補正用パターンｌ
ｃが用意されている。このパターンｌｃは感度補正を行
なう基準の異物粒径（一般には検出最小粒径）と同じ出
力が得られる大きさに作られ、かつ異物検査装置の光学
系が走査する手前方向に来るよう配置されている。
ターン１５の他に異物検査装置の感度補正用パターンｌ
ｃが用意されている。このパターンｌｃは感度補正を行
なう基準の異物粒径（一般には検出最小粒径）と同じ出
力が得られる大きさに作られ、かつ異物検査装置の光学
系が走査する手前方向に来るよう配置されている。
【００１８】図２は図１のマスクの異物を検査する異物
検査装置の原理を表わす図である。図２（ａ）におい
て、レーザダイオード３より発光されたレーザはハーフ
ミラー２０により光ＡとＢに分割される。分割された光
Ａはプリズム２２により他方の分割光Ｂに対しズレた状
態で合成される。また、光Ａ，Ｂはハーフミラー２１で
それぞれ光Ａａ，ＢａとＡｂ，Ｂｂに分割される。この
ようにして縦長に成形された光６ａ（ＡａとＢａ），６
ｂ（ＡｂとＢｂ）は反射ミラー７，９によりマスクの両
面に斜め照射されマスク面では細長いスリット光１０と
なる。この光学系全体（異物検出ユニット１４）をマス
ク１に対し走査させることにより全面が検査される。
検査装置の原理を表わす図である。図２（ａ）におい
て、レーザダイオード３より発光されたレーザはハーフ
ミラー２０により光ＡとＢに分割される。分割された光
Ａはプリズム２２により他方の分割光Ｂに対しズレた状
態で合成される。また、光Ａ，Ｂはハーフミラー２１で
それぞれ光Ａａ，ＢａとＡｂ，Ｂｂに分割される。この
ようにして縦長に成形された光６ａ（ＡａとＢａ），６
ｂ（ＡｂとＢｂ）は反射ミラー７，９によりマスクの両
面に斜め照射されマスク面では細長いスリット光１０と
なる。この光学系全体（異物検出ユニット１４）をマス
ク１に対し走査させることにより全面が検査される。
【００１９】マスク１に斜め入射した光６は通常は６ｃ
の如く反射され検出系には入射しない、しかし異物１１
があると光６は異物１１により乱反射しその一部の光が
レンズアレー１２によってディテクタ１３に結像する。
の如く反射され検出系には入射しない、しかし異物１１
があると光６は異物１１により乱反射しその一部の光が
レンズアレー１２によってディテクタ１３に結像する。
【００２０】上記構成において走査機構（不図示）によ
って走査されるレーザ光６は先ず感度補正パターンｌｃ
に照射されるのでその反射光からの出力と基準値とを比
較しその差分を補正する。その際、補正用パターンを走
査方向に複数列配置しておけば万一１ケ所にゴミが付い
ていてもその影響は異常値として演算処理で排除でき
る。
って走査されるレーザ光６は先ず感度補正パターンｌｃ
に照射されるのでその反射光からの出力と基準値とを比
較しその差分を補正する。その際、補正用パターンを走
査方向に複数列配置しておけば万一１ケ所にゴミが付い
ていてもその影響は異常値として演算処理で排除でき
る。
【００２１】ついで、レーザ光６は検査領域（転写領
域）を走査していき異物を検査するがこの時は既にレー
ザ光６の出力低下およびディテクタ１３の感度劣化は補
正されているので正確な測定結果を得ることが出来る。
域）を走査していき異物を検査するがこの時は既にレー
ザ光６の出力低下およびディテクタ１３の感度劣化は補
正されているので正確な測定結果を得ることが出来る。
【００２２】図２において、ｌａはマスク１の裏面、ｌ
ｂはマスク１のパターン面、ｌｃは感度補正用パター
ン、２はペリクル枠、４はコリメータレンズ、８は反射
ミラーである。
ｂはマスク１のパターン面、ｌｃは感度補正用パター
ン、２はペリクル枠、４はコリメータレンズ、８は反射
ミラーである。
【００２３】第２の実施例 第１の実施例においては、マスク上に異物検査機の感度
補正用パターンを配置したが、ペリクル面にはパターン
を配置することが出来ない。しかしながら、マスク面の
表面状態のバラツキが少なくその影響を無視出来る場合
は必ずしもマスク上に感度補正用のパターンを配置する
必要はなく、感度補正用パターンｌｄを図３に例示した
如くマスクの保持部材１６に配置することも可能であ
る。
補正用パターンを配置したが、ペリクル面にはパターン
を配置することが出来ない。しかしながら、マスク面の
表面状態のバラツキが少なくその影響を無視出来る場合
は必ずしもマスク上に感度補正用のパターンを配置する
必要はなく、感度補正用パターンｌｄを図３に例示した
如くマスクの保持部材１６に配置することも可能であ
る。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば装
置を大型化することなく、マスクの表面状態に影響され
ない、安定した感度補正が可能となり、測定精度向上の
効果がある。
置を大型化することなく、マスクの表面状態に影響され
ない、安定した感度補正が可能となり、測定精度向上の
効果がある。
【図１】 本発明の第１の実施例に係る感度補正用パタ
ーンを構成したマスクである。
ーンを構成したマスクである。
【図２】 異物検査の原理を説明する図である。
【図３】 本発明の第２の実施例に係る感度補正用パタ
ーンを配置したマスク保持部材である。
ーンを配置したマスク保持部材である。
１：マスク、ｌａ：マスク裏面、ｌｂ：マスクパターン
面、ｌｃ：感度補正用パターン、ｌｄ：感度補正用パタ
ーン、２：ペリクル枠、３：レーザダイオード、４：コ
リメータレンズ、６ａ，６ｂ：成形されたレーザ光、６
ｃ：反射光、７，８，９：反射ミラー、１０：スリット
光、１１：異物、１２：レンズアレー、１３：ディテク
タ、１４：異物検出ユニット、１５：転写用回路パター
ン、１６：マスク保持部材、２０，２１：ハーフミラ
ー、２２：反射プリズム、Ａ，Ａａ，Ａｂ：レーザ光、
Ｂ，Ｂａ，Ｂｂ：レーザ光。
面、ｌｃ：感度補正用パターン、ｌｄ：感度補正用パタ
ーン、２：ペリクル枠、３：レーザダイオード、４：コ
リメータレンズ、６ａ，６ｂ：成形されたレーザ光、６
ｃ：反射光、７，８，９：反射ミラー、１０：スリット
光、１１：異物、１２：レンズアレー、１３：ディテク
タ、１４：異物検出ユニット、１５：転写用回路パター
ン、１６：マスク保持部材、２０，２１：ハーフミラ
ー、２２：反射プリズム、Ａ，Ａａ，Ａｂ：レーザ光、
Ｂ，Ｂａ，Ｂｂ：レーザ光。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０３Ｄ
Claims (9)
- 【請求項１】 パターンを基板上に転写するための転写
用マスクであって異物検査装置の感度補正用パターンを
設けてあることを特徴とするマスク。 - 【請求項２】 前記感度補正用パターンを転写領域外に
設けたことを特徴とする請求項１記載のマスク。 - 【請求項３】 前記感度補正用パターンを異物検査装置
の送り方向手前に設けたことを特徴とする請求項２記載
のマスク。 - 【請求項４】 前記感度補正用パターンを異物検査装置
のディテクタの画素数に相当する数だけ該ディテクタの
画素配列方向と平行に配置したことを特徴とする請求項
１記載のマスク。 - 【請求項５】 前記感度補正用パターンが異物検査装置
の送り方向に複数列配置されていることを特徴とする請
求項１記載のマスク。 - 【請求項６】 パターンを基板上に転写するための転写
用マスクを保持する部材であって異物検査装置の感度補
正用パターンを設けてあることを特徴とするマスク保持
部材。 - 【請求項７】 前記感度補正用パターンを異物検査装置
の送り方向手前に設けたことを特徴とする請求項６記載
のマスク保持部材。 - 【請求項８】 前記感度補正用パターンを異物検査装置
のディテクタの画素数に相当する数だけ該ディテクタの
画素配列方向と平行に配置したことを特徴とする請求項
６記載のマスク保持部材。 - 【請求項９】 前記感度補正用パターンが異物検査装置
の送り方向に複数列配置されていることを特徴とする請
求項６記載のマスク保持部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25794697A JPH1184630A (ja) | 1997-09-08 | 1997-09-08 | 感度補正用パターン付きマスクおよびマスク保持部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25794697A JPH1184630A (ja) | 1997-09-08 | 1997-09-08 | 感度補正用パターン付きマスクおよびマスク保持部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1184630A true JPH1184630A (ja) | 1999-03-26 |
Family
ID=17313418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25794697A Pending JPH1184630A (ja) | 1997-09-08 | 1997-09-08 | 感度補正用パターン付きマスクおよびマスク保持部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1184630A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6740896B2 (en) | 2002-04-24 | 2004-05-25 | Renesas Technology Corp. | Sensitivity adjusting method for pattern inspection apparatus |
| JP2009229479A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Toshiba Corp | シミュレーションモデル作成方法、マスクデータ作成方法、及び半導体装置の製造方法 |
-
1997
- 1997-09-08 JP JP25794697A patent/JPH1184630A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6740896B2 (en) | 2002-04-24 | 2004-05-25 | Renesas Technology Corp. | Sensitivity adjusting method for pattern inspection apparatus |
| JP2009229479A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Toshiba Corp | シミュレーションモデル作成方法、マスクデータ作成方法、及び半導体装置の製造方法 |
| JP4568341B2 (ja) * | 2008-03-19 | 2010-10-27 | 株式会社東芝 | シミュレーションモデル作成方法、マスクデータ作成方法、及び半導体装置の製造方法 |
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