JPH118335A - Circuit board, manufacture thereof, and manufacturing semiconductor package using the same - Google Patents

Circuit board, manufacture thereof, and manufacturing semiconductor package using the same

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JPH118335A
JPH118335A JP10051459A JP5145998A JPH118335A JP H118335 A JPH118335 A JP H118335A JP 10051459 A JP10051459 A JP 10051459A JP 5145998 A JP5145998 A JP 5145998A JP H118335 A JPH118335 A JP H118335A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To form a semiconductor chip which is parallel to the top face of a chip mounting region by positioning at least three casing legs having equal heights, so that the gravity center of the chip agrees with the center of the mounting region at mounting of the chip. SOLUTION: A semiconductor chip 30 is mounted on a flexible printed circuit board 10a with at least three casing legs 90 having equal heights which are positioned, so that the weight center of the chip 30 agrees with the center of a semiconductor chip-mounting region 25. The chip 30 contacts at the bottom to the tops of the legs 30, a liq. epoxy resin is filled in a space between the bottom of the chip 30 and a mounting region 35, the space has the same height as that of the legs 90 having equal heights, hence the resin hardens to form an adhesive layer 40 having precisely identical thickness, thereby forming the chip parallel with respect to the top face of the chip-mounting region.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は回路基板及びその製
造方法とこれを用いた半導体パッケージの製造方法に係
り、さらに詳しくは半導体チップ実装時に接着層の厚さ
を均一に保持し得るケーシング脚を有する回路基板及び
その製造方法とこれを用いた半導体パッケージの製造方
法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a circuit board, a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing a semiconductor package using the same. The present invention relates to a circuit board having the same, a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing a semiconductor package using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、リードフレームを用いるQFP(Q
uad Flat Semiconductor Package) またはチップスケー
ル半導体パッケージ(Chip Scale Semiconductor Packag
e)、或いはリジッド印刷回路基板または可撓性印刷回路
基板を用いるボールグリッドアレイ半導体パッケージ(B
all Grid Array Semiconductor Package) においては、
リードフレームの半導体チップ支持板または印刷回路基
板上の半導体チップ実装領域が平滑面構造を取っている
ため、液状接着樹脂をその上面にディスペンシングした
後半導体チップの接着時に半導体チップと前記平滑面を
正確に平行な状態で接着させることは極めて難しいとい
う問題点ががあった。
2. Description of the Related Art Conventionally, a QFP (Q
uad Flat Semiconductor Package) or Chip Scale Semiconductor Packag
e) or a ball grid array semiconductor package using a rigid printed circuit board or a flexible printed circuit board (B
all Grid Array Semiconductor Package)
Since the semiconductor chip mounting area on the semiconductor chip supporting plate of the lead frame or the printed circuit board has a smooth surface structure, the semiconductor chip and the smooth surface are bonded when the semiconductor chip is bonded after dispensing the liquid adhesive resin on the upper surface. There has been a problem that it is extremely difficult to adhere in an exactly parallel state.

【0003】従って、半導体チップ実装段階に後続する
半導体パッケージ製造工程上の高温工程、例えば樹脂封
止部モールディング段階、ワイヤボンディング段階、及
び/またはソルダボール融着段階などのような高温環境
の下で、或いは完成された半導体パッケージ作動時の発
熱環境の下では、リードフレームまたは印刷回路基板と
半導体チップとの間の比較的大きい熱膨張係数差異によ
ってその接着界面に熱的ストレスが集中し、接着層の厚
さが均一でない場合には接着力の相対的に弱い部分に凝
力集中現象が現れ、その部分から界面剥離現象が生じる
おそれが高い。このような界面剥離現象が現れると、半
導体チップ作動時の熱放散が効率的に行われず局部的に
偏重されるとともに、湿気の浸透が容易になるので、半
導体チップの性能低下や不良発生などの問題をもたら
し、このような問題が深刻になる場合には半導体パッケ
ージの撓み現象またはボンディングワイヤ破断現象が現
れる。
Accordingly, in a high temperature process in a semiconductor package manufacturing process subsequent to a semiconductor chip mounting process, for example, in a high temperature environment such as a resin encapsulation molding process, a wire bonding process, and / or a solder ball fusion process. Alternatively, in a heating environment during operation of the completed semiconductor package, thermal stress is concentrated on the bonding interface due to a relatively large difference in thermal expansion coefficient between the lead frame or the printed circuit board and the semiconductor chip, and the bonding layer When the thickness is not uniform, a cohesion concentration phenomenon appears in a portion where the adhesive force is relatively weak, and there is a high possibility that an interface peeling phenomenon will occur from that portion. When such an interface separation phenomenon appears, heat is not efficiently dissipated during operation of the semiconductor chip and is locally biased, and moisture can easily penetrate, so that the performance of the semiconductor chip deteriorates and defects occur. This causes a problem, and when such a problem becomes serious, a bending phenomenon or a bonding wire breaking phenomenon of the semiconductor package appears.

【0004】図16(A)は従来の印刷回路基板10’
を用いた従来のボールグリッドアレイ半導体パッケージ
1’を例として半導体チップ30の実装状態を示した断
面図であり、接着層40の厚さが均一でない状態である
ことを例示したもので、図16(B)は図16(A)の
半導体パッケージにおける不均一な厚さをもつ接着層4
0によって生ずるおそれのある界面剥離現象(図面符号
45部分参照)やボンディングワイヤ50の破断現象を
示す例示断面図である。
FIG. 16A shows a conventional printed circuit board 10 '.
FIG. 16 is a cross-sectional view showing a mounting state of a semiconductor chip 30 by taking a conventional ball grid array semiconductor package 1 ′ using FIG. 16 as an example, showing that the thickness of an adhesive layer 40 is not uniform; FIG. 16B shows an adhesive layer 4 having an uneven thickness in the semiconductor package of FIG.
FIG. 9 is an exemplary cross-sectional view showing an interface peeling phenomenon (see the reference numeral 45 in the drawing) and a breaking phenomenon of the bonding wire 50 which may be caused by 0.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の第1
目的は、半導体チップを回路基板の半導体チップ実装領
域上に液状接着樹脂を用いて実装する時、半導体チップ
実装領域の上面に対して半導体チップを完全に平行な状
態で容易に位置させることのできる回路基板を提供する
ことにある。
Accordingly, the first aspect of the present invention is as follows.
An object is to easily position a semiconductor chip in a completely parallel state with respect to an upper surface of a semiconductor chip mounting area when mounting the semiconductor chip on a semiconductor chip mounting area of a circuit board using a liquid adhesive resin. It is to provide a circuit board.

【0006】本発明の第2目的は、前記本発明の第1目
的による回路基板の製造方法を提供することにある。
A second object of the present invention is to provide a method of manufacturing a circuit board according to the first object of the present invention.

【0007】本発明の第3目的は、半導体チップを厳格
に均一な接着厚さで回路基板の半導体チップ実装領域上
に実装させることにより、前記接着部分における界面剥
離現象を効果的に抑制して品質信頼性を向上させること
のできる前記本発明の第1目的による回路基板を用いた
半導体パッケージの製造方法を提供することにある。
A third object of the present invention is to mount a semiconductor chip on a semiconductor chip mounting area of a circuit board with a strictly uniform bonding thickness, thereby effectively suppressing an interface peeling phenomenon at the bonding portion. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a semiconductor package using a circuit board according to the first object of the present invention, which can improve quality reliability.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による回路基板は、半導体チップ実装領域
と、前記半導体チップ実装領域から離隔してその外周縁
部に形成される複数の回路と、入出力端子部から構成さ
れる回路基板において、前記半導体チップ実装領域の上
面に接着層の厚さを均一に制御するための均等な高さを
もつ少なくとも3つのケーシング脚を有し、前記ケーシ
ング脚は半導体チップ実装時に半導体チップの重さ中心
と前記半導体チップ実装領域の中心が一致するように位
置することを特徴とする。
In order to achieve the above object, a circuit board according to the present invention comprises a semiconductor chip mounting area and a plurality of circuits formed on an outer peripheral edge of the circuit board at a distance from the semiconductor chip mounting area. And at least three casing legs having a uniform height for uniformly controlling the thickness of the adhesive layer on an upper surface of the semiconductor chip mounting area in the circuit board including the input / output terminal portions, The casing leg is positioned so that the center of the weight of the semiconductor chip and the center of the semiconductor chip mounting area coincide with each other when the semiconductor chip is mounted.

【0009】また、前記ケーシング脚の高さが0. 5〜
3milの高さで形成されることを特徴とする。
The height of the casing legs is 0.5 to 0.5.
It is characterized by being formed at a height of 3 mils.

【0010】また、前記ケーシング脚がソルダマスクと
して形成されることを特徴とする。
[0010] Further, the invention is characterized in that the casing legs are formed as a solder mask.

【0011】また、回路基板が、樹脂基板と、前記樹脂
基板の上面外郭領域に形成され、その内側端部にワイヤ
ボンディング部をもつ回路としての複数の導電性トレー
スと、前記導電性トレースに電気的に連結され、前記樹
脂基板に穿孔された複数のバイアホールと、前記樹脂基
板の底面の前記バイアホールに隣接した領域に形成さ
れ、前記樹脂基板の上面の前記導電性トレースに電気的
に連結される複数のソルダボールランドと、前記樹脂基
板中央部の半導体チップ実装領域と、前記ソルダボール
ランド及び前記ワイヤボンディング部を除いた前記樹脂
基板の上下面に形成される絶縁性ソルダマスクと、半導
体チップ実装領域上の絶縁性ソルダマスク上に形成され
る均等な高さの複数個のケーシング脚とから構成される
リジッドな印刷回路基板であることを特徴とする。
In addition, a circuit board is formed in a resin substrate, an outer peripheral region of an upper surface of the resin board, and a plurality of conductive traces as a circuit having a wire bonding portion at an inner end thereof; A plurality of via holes formed in the resin substrate, and formed in a region adjacent to the via hole on a bottom surface of the resin substrate, and electrically connected to the conductive trace on an upper surface of the resin substrate. A plurality of solder ball lands, a semiconductor chip mounting area at the center of the resin substrate, an insulating solder mask formed on upper and lower surfaces of the resin substrate excluding the solder ball lands and the wire bonding portion, and a semiconductor chip. Rigid printed circuit composed of a plurality of casing legs of uniform height formed on an insulating solder mask on the mounting area Characterized in that it is a plate.

【0012】また、回路基板が、可撓性樹脂基板と、前
記可撓性樹脂基板の上面外郭領域に形成され、その内側
端部にワイヤボンディング部をもつ回路としての複数の
導電性トレースと、前記樹脂基板の上面の前記導電性ト
レースに電気的に連結された複数のソルダボールランド
と、前記樹脂基板中央の半導体チップ実装領域と、前記
半導体チップ実装領域上に形成される複数個のケーシン
グ脚とから構成される可撓性印刷回路基板であることを
特徴とする。
A circuit board is formed in a flexible resin board and a plurality of conductive traces as a circuit formed in an outer peripheral area of the upper surface of the flexible resin board and having a wire bonding portion at an inner end thereof. A plurality of solder ball lands electrically connected to the conductive traces on the upper surface of the resin substrate; a semiconductor chip mounting region at the center of the resin substrate; and a plurality of casing legs formed on the semiconductor chip mounting region. And a flexible printed circuit board comprising:

【0013】また、回路基板が、半導体チップ支持板
と、前記半導体チップ支持板を支持し、ダウンセット部
の形成された複数のタイバーと、前記半導体チップ支持
板の外周縁に形成される回路としての直線状の複数のリ
ードと、複数の前記タイバーと複数の前記リードを支持
するダムバーと、前記半導体チップ支持板上に形成され
る複数個のケーシング脚とから構成されるリードフレー
ムであることを特徴とする。
A circuit board supports the semiconductor chip support plate, the plurality of tie bars having the downset portion formed thereon, and a circuit formed on an outer peripheral edge of the semiconductor chip support plate. A lead frame comprising: a plurality of linear leads; a plurality of tie bars; a dam bar supporting the plurality of leads; and a plurality of casing legs formed on the semiconductor chip support plate. Features.

【0014】また、回路基板が、同一平面上の折曲部を
有し、半導体チップ実装領域内に延長される相互異なる
深さをもつ複数のグループに分けられる回路としての複
数のリードと、複数の前記リードのそれぞれの外側端を
支持するダムバーと、複数の前記リードそれぞれの内側
端に拡張された面積をもつように形成され、その底面中
央部に入出力端子としての突出端をもつリードエンド
と、前記半導体チップ実装領域内に位置する選択された
リードエンドの上面に形成される複数個のケーシング脚
とから構成されるリードエンドグリッドアレイフレーム
であることを特徴とする。
The circuit board has a bent portion on the same plane, and a plurality of leads as circuits divided into a plurality of groups having different depths extending into the semiconductor chip mounting region; A dam bar for supporting an outer end of each of the leads, and a lead end formed to have an extended area at an inner end of each of the plurality of leads, and having a protruding end as an input / output terminal at a bottom central portion thereof. And a plurality of casing legs formed on the upper surface of the selected lead end located in the semiconductor chip mounting area.

【0015】また、リードエンドグリッドアレイフレー
ムが他の平面上への折曲部であるダウンセット(Down se
t)部を有することを特徴とする。また、リードエンドグ
リッドアレイフレームが半導体チップ支持板を有し、前
記半導体チップ支持板はタイバーの一端によって支持さ
れ、前記タイバーの他端は前記ダムバーに支持され、複
数個の前記ケーシング脚が前記半導体チップ実装領域内
に位置する選択されたリードエンドの上面のみならず、
前記半導体チップ支持板上にも形成されることを特徴と
する。
Further, the lead end grid array frame has a bent portion on another plane.
(t) part. Also, the lead end grid array frame has a semiconductor chip support plate, the semiconductor chip support plate is supported by one end of a tie bar, the other end of the tie bar is supported by the dam bar, and a plurality of the casing legs are connected to the semiconductor leg. Not only the top surface of the selected lead end located in the chip mounting area,
It is also formed on the semiconductor chip support plate.

【0016】また、上記目的を達成するために、本発明
による回路基板の製造方法は、回路基板用原板のマスキ
ング段階、紫外線照射段階、現象段階及びエッチング段
階を順次行う通常の回路パターン形成方法による回路基
板の製造方法において、回路基板を半導体チップ実装領
域と、前記半導体チップ実装領域から離隔してその外周
縁部に形成される複数の回路と、入出力端子部から構成
させる回路パターン形成段階後、半導体チップ実装領域
の上面に接着層の厚さを均一に制御するための均等な高
さをもつ少なくとも3つのケーシング脚を形成させるケ
ーシング脚形成段階を行い、ここで、前記ケーシング脚
を半導体チップ実装時半導体チップの重さ中心と前記半
導体チップ実装領域の中心が一致するようにする位置に
形成させることを特徴とする。
According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a circuit board, comprising the steps of: performing a masking step, an ultraviolet irradiation step, a phenomena step, and an etching step of a circuit board original plate in order; In the method for manufacturing a circuit board, after a circuit pattern forming step of forming the circuit board from a semiconductor chip mounting region, a plurality of circuits formed on an outer peripheral edge of the semiconductor chip mounting region at a distance from the semiconductor chip mounting region, and an input / output terminal portion Performing a casing leg forming step of forming at least three casing legs having a uniform height on the upper surface of the semiconductor chip mounting area to uniformly control the thickness of the adhesive layer, wherein the casing legs are connected to the semiconductor chip. It is preferable that the semiconductor chip is formed at a position such that the center of weight of the semiconductor chip and the center of the semiconductor chip mounting area coincide with each other during mounting. And butterflies.

【0017】また、前記ケーシング脚の高さを0. 5〜
3milの高さで形成させることを特徴とする。
Further, the height of the casing legs is set at 0.5 to 0.5.
It is characterized by being formed at a height of 3 mil.

【0018】また、前記ケーシング脚をソルダマスクと
して形成させることを特徴とする。
Further, the invention is characterized in that the casing legs are formed as a solder mask.

【0019】また、回路基板用原板が樹脂基板の上下面
に導電性金属薄膜がコーティングされた印刷回路基板用
原板であり、マスキング段階に先だって、前記回路基板
用円板にバイアホールを形成させる穿孔(drilling)段階
及び前記バイアホールの内周面に導電性金属鍍金層を形
成させる鍍金段階を順次行い、前記樹脂基板の上面外郭
領域に形成され、前記バイアホールに電気的に連結さ
れ、その内側端部にワイヤボンディング部をもつ回路と
しての複数の導電性トレースと、前記樹脂基板の底面の
前記バイアホールに隣接した領域に形成され、前記樹脂
基板の上面の前記導電性トレースに電気的に連結される
複数のソルダボールランドを形成させる回路パターン形
成段階を行った後、前記ソルダボールランド及び前記ワ
イヤボンディングを除いた前記樹脂基板の上下面に絶縁
性ソルダマスクを形成させるソルダマスク形成段階を行
うことを特徴とする。
Also, the original board for a circuit board is an original board for a printed circuit board in which a conductive metal thin film is coated on the upper and lower surfaces of a resin board, and a perforation for forming a via hole in the disc for the circuit board before a masking step. A (drilling) step and a plating step of forming a conductive metal plating layer on an inner peripheral surface of the via hole are sequentially performed, and are formed on an outer peripheral region of the upper surface of the resin substrate, electrically connected to the via hole, and inside the via hole. A plurality of conductive traces as a circuit having a wire bonding portion at an end; and a plurality of conductive traces formed in a region adjacent to the via hole on a bottom surface of the resin substrate and electrically connected to the conductive traces on a top surface of the resin substrate. After performing a circuit pattern forming step of forming a plurality of solder ball lands, the solder ball lands and the wire bonding are removed. Forming a solder mask on the upper and lower surfaces of the resin substrate.

【0020】また、半導体チップ実装領域を上面にソル
ダマスクがコーティングされた導電性金属からなるダイ
パッドで形成させることを特徴とする。
Further, the semiconductor chip mounting area is formed by a die pad made of a conductive metal having a top surface coated with a solder mask.

【0021】また、回路基板用原板が可撓性樹脂基板の
上面に導電性金属薄膜がコーティングされた印刷回路基
板用原板であり、回路パターン形成段階で、前記可撓性
樹脂基板の上面外郭領域に形成され、その内側端部にワ
イヤボンディング部をもつ回路としての複数の導電性ト
レースと、前記導電性トレースに電気的に連結され、前
記樹脂基板の底面に形成される複数のソルダボールラン
ドを形成させることを特徴とする。
Further, the original board for a circuit board is an original board for a printed circuit board in which a conductive metal thin film is coated on the upper surface of a flexible resin substrate, and the outer peripheral area of the upper surface of the flexible resin substrate is formed in a circuit pattern forming step. A plurality of conductive traces as a circuit having a wire bonding portion at an inner end thereof, and a plurality of solder ball lands electrically connected to the conductive traces and formed on the bottom surface of the resin substrate. It is characterized by being formed.

【0022】また、回路基板用原板が導電性金属薄板で
あり、回路パターン形成段階が下記の段階で構成される
回路基板の製造方法。 (A)導電性金属薄板の上下面全体にフォトレジスト薄
膜をコーティングし、拡張された面積のリードエンド領
域を有する複数のリード領域からなる所定のパターン及
び、前記リードエンド領域より小さい面積を有し、前記
リードエンド領域の下面中央に位置する突出端領域から
なる所定のパターンに相応するように前記上下面のフォ
トレジスト薄膜上にフォトマスクをそれぞれ転写するマ
スキング段階と、(B)マスキングされた前記導電性金
属薄板の上下面に対する紫外線照射段階と、(C)前記
所定のリードパターン及び前記所定の突出端パターンを
前記上下面のフォトレジスト薄膜にそれぞれ形成させる
現象段階と、及び(C)上下面の両方でマスキングされ
ていない前記リード領域とリード領域との間の部分はフ
ルエッチングさせ、上面にマスキングされた前記リード
エンド領域に対応する下面領域のうち、前記マスキング
された突出端領域を除いたマスキングされていない部分
は部分エッチングさせ、前記導電性金属薄板をパターン
化するエッチング段階。
Further, a method for manufacturing a circuit board, wherein the original board for a circuit board is a conductive metal sheet and the circuit pattern forming step is constituted by the following steps: (A) A photoresist thin film is coated on the entire upper and lower surfaces of a conductive metal thin plate, and has a predetermined pattern including a plurality of lead regions having a lead end region having an expanded area, and an area smaller than the lead end region. (B) masking a photomask onto the photoresist thin film on the upper and lower surfaces so as to correspond to a predetermined pattern including a protruding end region located at the center of the lower surface of the lead end region; Irradiating the upper and lower surfaces of the conductive metal sheet with ultraviolet rays; (C) a phenomenon step of forming the predetermined lead pattern and the predetermined protruding end pattern on the upper and lower photoresist thin films, respectively; The portion between the lead regions which are not masked by both, and the lead region is fully etched. Of the lower surface area corresponding to the lead end region masked on the upper surface, the unmasked without the masked projecting end regions moiety is partially etched, etching step of patterning the conductive metal sheet.

【0023】また、回路パターン形成段階で半導体チッ
プ支持板を形成させ、前記半導体チップ支持板はダムバ
ーによって一端が支持されるタイバーの他端によって支
持され、複数個の前記ケーシング脚を前記半導体チップ
実装領域内に位置する選択されたリードエンドの上面の
みならず、前記半導体チップ支持板上にも形成させるこ
とを特徴とする。
Also, a semiconductor chip supporting plate is formed in a circuit pattern forming step, the semiconductor chip supporting plate is supported by the other end of a tie bar, one end of which is supported by a dam bar, and a plurality of the casing legs are mounted on the semiconductor chip. The semiconductor device is formed not only on the upper surface of the selected lead end located in the region but also on the semiconductor chip support plate.

【0024】また、前記マスキング段階で突出端領域を
円形でマスキングさせる。
In the masking step, the protruding end region is masked in a circular shape.

【0025】また、上記目的を達成するために、本発明
によるまた、半導体パッケージの製造方法は、回路基板
における半導体チップ実装領域上に液状接着樹脂をディ
スペンシングした後、半導体チップの重さ中心が前記半
導体チップ実装領域の中心と一致するようにする位置に
形成された複数個のケーシング脚の上面が半導体チップ
の底面と当接すると共に、前記ケーシング脚の高さによ
って限定される前記半導体チップの底面と前記半導体チ
ップ実装領域の上面との間の空間に前記液状接着樹脂が
ボイドなく充填されるように前記半導体チップを押圧し
て接着させる半導体チップ実装段階と、前記半導体チッ
プと回路を導電性ワイヤで電気的に連結させる電気的接
続段階と、前記半導体チップ及び導電性ワイヤを外部環
境から保護するための樹脂封止部を形成させるモールデ
ィング段階とから構成されることを特徴とする。
According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor package, comprising: dispensing a liquid adhesive resin on a semiconductor chip mounting area of a circuit board; The upper surfaces of the plurality of casing legs formed at positions that match the center of the semiconductor chip mounting area are in contact with the bottom surface of the semiconductor chip, and the bottom surface of the semiconductor chip is limited by the height of the casing legs. A semiconductor chip mounting step of pressing and bonding the semiconductor chip so that the liquid adhesive resin is filled in a space between the semiconductor chip mounting area and the upper surface of the semiconductor chip mounting area without voids; An electrical connection step of electrically connecting the semiconductor chip and the conductive wire with each other by protecting the semiconductor chip and the conductive wire from an external environment. Characterized in that it is composed of a molding step of forming the resin sealing portion.

【0026】また、モールディング段階後、入出力端子
としてのソルダボールを融着させるソルダボール融着段
階をさらに含むことを特徴とする。
The method may further include, after the molding step, a solder ball fusing step of fusing solder balls as input / output terminals.

【0027】本明細書中の‘回路基板’という用語は具
体的な別途の言及がない限り、ボールグリッドアレイ半
導体パッケージなどに用いられるリジッドまたは可撓性
印刷回路基板及びカッドフラット半導体パッケージまた
はチップスケール半導体パッケージなどに用いられるリ
ードフレームを全て含む意味で使用し、本明細書中にお
ける‘回路’という用語は具体的な別途の言及がない限
り、印刷回路基板の導電性トレース及びリードフレーム
のリードを含む意味で使用する。また、本明細書中にお
ける‘半導体チップ実装領域’という用語は半導体チッ
プが‘回路基板’上に接触するように実装される領域を
指称し、具体的な別途の言及がない限り、リードフレー
ムの半導体チップ支持板、または半導体チップ支持板と
一定領域のリードを含む領域、印刷回路基板上のダイパ
ッド、或いはダイパッドが形成される場合には半導体チ
ップの実装される印刷回路基板上の領域を含む意味で使
用する。
In the present specification, the term “circuit board” is used for a rigid or flexible printed circuit board and a quad flat semiconductor package or a chip scale used in a ball grid array semiconductor package unless otherwise specified. It is used to include all lead frames used for semiconductor packages and the like, and the term 'circuit' in this specification refers to conductive traces on a printed circuit board and leads of a lead frame unless otherwise specified. Used in the sense to include. In addition, the term 'semiconductor chip mounting area' in this specification refers to an area where a semiconductor chip is mounted so as to be in contact with a 'circuit board', and unless otherwise specified, a lead frame. Meaning including a semiconductor chip supporting plate, or a region including a semiconductor chip supporting plate and a certain area of leads, a die pad on a printed circuit board, or an area on a printed circuit board on which a semiconductor chip is mounted when a die pad is formed. Used in.

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
を詳細に説明する。図1は本発明の適用されたリジッド
な印刷回路基板10の例示断面図である。図1によれ
ば、印刷回路基板10は樹脂基板16の上面外郭領域に
形成され、その内側の端部にワイヤボンディング部11
aを有する複数の導電性トーレス(Trace) 11と、導電
性トレース11に電気的に連結され、樹脂基板16に穿
孔された複数のバイアホール13と、樹脂基板16の底
面のバイアホール13の隣接領域に形成され、樹脂基板
16の上面の導電性トレース11に電気的に連結された
複数のソルダボールランド15と、樹脂基板16の中央
部の半導体チップ実装領域と、ソルダボールランド15
及びワイヤボンディング部11aを除いた樹脂基板16
の上下面に形成される絶縁性ソルダマスク14と、半導
体チップ実装領域上の絶縁性ソルダマスク14上に形成
される均等な高さの複数個のケーシング脚90から構成
される。図1では半導体チップ実装領域がダイパッド1
2とその上面にコーティングされたソルダマスク14か
ら構成されているが、このようなダイパッド12は本発
明において選択的で制限的でない。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is an exemplary sectional view of a rigid printed circuit board 10 to which the present invention is applied. According to FIG. 1, a printed circuit board 10 is formed in an outer peripheral region of a top surface of a resin substrate 16 and a wire bonding portion 11 is attached to an inner end thereof.
a plurality of conductive traces 11 having a, a plurality of via holes 13 electrically connected to the conductive traces 11 and perforated in the resin substrate 16, and adjacent to the via holes 13 on the bottom surface of the resin substrate 16. A plurality of solder ball lands 15 formed in the region and electrically connected to the conductive traces 11 on the upper surface of the resin substrate 16; a semiconductor chip mounting region in the center of the resin substrate 16;
And the resin substrate 16 excluding the wire bonding portion 11a
And a plurality of casing legs 90 of uniform height formed on the insulating solder mask 14 on the semiconductor chip mounting area. In FIG. 1, the semiconductor chip mounting area is the die pad 1.
2 and a solder mask 14 coated on the upper surface thereof, such a die pad 12 is optional and not restrictive in the present invention.

【0029】ケーシング脚90は、半導体チップ実装時
に半導体チップの重さ中心と半導体チップ実装領域25
の中心が一致する条件を満足させる限り、ケーシング脚
90の数及び位置では特別な制限はないが、その数は少
なくとも3つ以上形成させる必要がある。また、その形
状には特別な制限はないが、高さは0.5〜3milに
することが好ましい。その高さが0.5mil未満の場
合には液状接着樹脂のディスペンシングによる硬化時に
形成される接着層40の高さがケーシング脚90の高さ
を超過するので、このようなケーシング脚90の存在意
義を失うおそれがあり、一方3milを超過する場合に
は接着層40の高さがケーシング脚90の高さに及ばな
くてボイド層の生成するおそれがあるので望ましくな
い。また、ケーシング脚90の材質は金属や樹脂などい
ずれの素材を使用しても構わず制限的ではないが、ソル
ダマスクと同じ材質の素材を使用して部分積層させるこ
とが工程効率上望ましい。
When the semiconductor chip is mounted, the casing leg 90 is positioned between the center of the weight of the semiconductor chip and the semiconductor chip mounting area 25.
There is no special limitation on the number and position of the casing legs 90 as long as the condition that the centers of the casing legs 90 coincide is satisfied, but the number must be at least three or more. The shape is not particularly limited, but the height is preferably 0.5 to 3 mil. If the height is less than 0.5 mil, the height of the adhesive layer 40 formed when the liquid adhesive resin is cured by dispensing exceeds the height of the casing legs 90. If it exceeds 3 mils, the height of the adhesive layer 40 may not reach the height of the casing leg 90, and a void layer may be formed. Further, the material of the casing legs 90 may be any material such as metal or resin, and is not limited. However, it is preferable from the viewpoint of process efficiency to partially laminate the material using the same material as the solder mask.

【0030】印刷回路基板10の平面的構成は後述の図
2(B)と基本的に同一なので、これについての説明を
参照されたい。
The planar configuration of the printed circuit board 10 is basically the same as that shown in FIG. 2B, which will be described later.

【0031】図2(A)は本発明の適用された可撓性印
刷回路基板10aの例示断面図である。図2(A)によ
れば、可撓性印刷回路基板10aは、厚さ20〜150
ミクロン、好ましくは30〜80ミクロンの可撓性樹脂
基板16’の上面外郭領域に形成され、その内側端部に
ワイヤボンディング部11aを有する複数の導電性トレ
ース11と、樹脂基板16’の上面の導電性トレース1
1に電気的に連結された複数のソルダボールランド15
と、樹脂基板16’の中央の半導体チップ実装領域25
と、半導体チップ実装領域25上に形成される複数個の
ケーシング脚90とから構成される。ダイパッド及びソ
ルダマスクの形成可否は本発明において選択的で制限的
ではなく、ケーシング脚90の数、形状、位置に関する
事項は図1における説明と同一である。
FIG. 2A is an exemplary sectional view of a flexible printed circuit board 10a to which the present invention is applied. According to FIG. 2A, the flexible printed circuit board 10a has a thickness of 20 to 150.
A plurality of conductive traces 11 formed in an outer peripheral region of a flexible resin substrate 16 ′ having a wire bonding portion 11 a at an inner end thereof; Conductive trace 1
A plurality of solder ball lands 15 electrically connected to one
And a semiconductor chip mounting area 25 at the center of the resin substrate 16 '.
And a plurality of casing legs 90 formed on the semiconductor chip mounting area 25. Whether or not the die pad and the solder mask can be formed is optional and not restrictive in the present invention, and matters relating to the number, shape, and position of the casing legs 90 are the same as those described in FIG.

【0032】図2(A)は可撓性回路基板16’の上面
外周縁部にキャリアフレーム80が両面接着テープ42
によって付着している状態を示しているが、これらは本
発明の可撓性回路基板16’を構成する要素ではなく、
半導体パッケージ製造時工程効率性を高めるために可撓
性回路基板16’をリジッドな状態に保持するためのも
のである。
FIG. 2A shows a carrier frame 80 having a double-sided adhesive tape 42 on the outer periphery of the upper surface of the flexible circuit board 16 '.
Indicate a state in which they are attached, but these are not elements constituting the flexible circuit board 16 ′ of the present invention,
This is for maintaining the flexible circuit board 16 'in a rigid state in order to enhance the process efficiency in manufacturing the semiconductor package.

【0033】図2(B)は本発明の適用された可撓性印
刷回路基板16’のキャリアフレーム80未付着状態の
例示平面図であり、中央部の半導体チップ実装領域25
内に4つのケーシング脚90が形成された例を示してお
り、半導体チップ実装領域25の外周縁部にワイヤボン
ディング部11a及びソルダボールランド15の形成さ
れた複数の導電性トレース11が形成されている。
FIG. 2B is an exemplary plan view of the flexible printed circuit board 16 'to which the present invention is applied, in a state where the carrier frame 80 is not attached, and the semiconductor chip mounting area 25 at the center is shown.
4 shows an example in which four casing legs 90 are formed, and a plurality of conductive traces 11 on which a wire bonding portion 11a and a solder ball land 15 are formed are formed on the outer peripheral edge of the semiconductor chip mounting region 25. I have.

【0034】図3は本発明の適用されたリードフレーム
20の例示平面図である。図3によれば、リードフレー
ム20はその中央の半導体チップ支持板22と、半導体
チップ支持板22を支持し、ダウンセット部234が形
成された複数のタイバー23と、半導体チップ支持板2
2の外周縁に形成される直線状の複数のリード21と、
複数のタイバー23と複数のリード21を支持するダム
バー24と、半導体チップ支持板22上に形成される複
数個のケーシング脚90とから構成される。ケーシング
脚90の数、形状及び位置などに関する事項は図1にお
ける説明と同一である。
FIG. 3 is an exemplary plan view of the lead frame 20 to which the present invention is applied. According to FIG. 3, the lead frame 20 supports the semiconductor chip supporting plate 22 at the center thereof, the plurality of tie bars 23 supporting the semiconductor chip supporting plate 22 and the downset portion 234 formed, and the semiconductor chip supporting plate 2.
2, a plurality of linear leads 21 formed on the outer peripheral edge of
It comprises a plurality of tie bars 23, a dam bar 24 supporting the plurality of leads 21, and a plurality of casing legs 90 formed on the semiconductor chip support plate 22. Matters relating to the number, shape and position of the casing legs 90 are the same as those described in FIG.

【0035】図4(A)及び図4(B)はそれぞれ本発
明の適用されたリードエンドグリッドアレイリードフレ
ーム20aの平面図及び底面図であり、便宜上一緒に説
明する。
FIGS. 4A and 4B are a plan view and a bottom view, respectively, of the lead end grid array lead frame 20a to which the present invention is applied, which will be described together for convenience.

【0036】リードエンドグリッドアレイリードフレー
ム20aは、同一平面上の折曲部213を有し、半導体
チップ実装領域25内に延長される相互異なる長さをも
つ複数のグループに分けられる複数のリード21と、複
数のリード21のそれぞれの外側端を支持するダムバー
24と、複数のリード21のそれぞれの内側端に形成さ
れる拡張された面積を有し、その底面中央部には入出力
端子部として機能する突出端212を有するリードエン
ド211と、半導体チップ実装領域25内に位置する選
択されたリードエンド211の上面に形成される複数個
のケーシング脚90とから構成される。
The lead end grid array lead frame 20a has a bent portion 213 on the same plane, and a plurality of leads 21 divided into a plurality of groups having different lengths extending into the semiconductor chip mounting area 25. And a dam bar 24 for supporting each outer end of the plurality of leads 21, and an expanded area formed on each inner end of the plurality of leads 21. It comprises a lead end 211 having a functioning protruding end 212 and a plurality of casing legs 90 formed on the upper surface of the selected lead end 211 located in the semiconductor chip mounting area 25.

【0037】さらに具体的に説明すると、前記リードフ
レーム20aにおいては、相互異なる長さを有する複数
のグループに分けられる複数のリード21が同一平面上
の折曲部213及び/または他の平面上への折曲部であ
るダウンセット(Down set)部214(図13参照)で少
なくとも1回以上折り曲げられて半導体チップ実装領域
25内に延長される。前記ダウンセット部214は選択
的であり、半導体パッケージのチップスケール化のため
にダムバー24に隣接した位置に形成させることが好ま
しい。前記複数のリード21の一端はダムバー24によ
って支持され、他端は拡張された面積をもつリードエン
ド211が形成され、その底面中央部には入出力端子と
して機能する突出端212が形成されている。前記突出
端212は拡張された面積をもつリードエンド211の
底面領域内に形成され、その形状は特別な制限はない
が、半導体パッケージ製造時にソルダボール(図15参
照)を入出力端子として使用する場合、ソルダボールを
突出端212の正確な中心位置に容易に融着させるため
に円形に形成させることが望ましい。また、突出端21
2は入出力端子として機能するので、突出端212の全
体が高い扁平度を維持すべきである。
More specifically, in the lead frame 20a, a plurality of leads 21 divided into a plurality of groups having different lengths are bent on the same plane at the bent portion 213 and / or on another plane. Is bent at least once by a downset portion 214 (see FIG. 13), which is a bent portion of FIG. The down-set portion 214 is optional and is preferably formed at a position adjacent to the dam bar 24 to reduce the chip scale of the semiconductor package. One end of each of the plurality of leads 21 is supported by a dam bar 24, the other end is formed with a lead end 211 having an enlarged area, and a protruding end 212 functioning as an input / output terminal is formed at the bottom center. . The protruding end 212 is formed in the bottom area of the lead end 211 having an enlarged area, and its shape is not particularly limited, but a solder ball (see FIG. 15) is used as an input / output terminal when manufacturing a semiconductor package. In this case, it is preferable that the solder ball is formed in a circular shape so that the solder ball is easily fused to the exact center of the protruding end 212. Also, the projecting end 21
2 functions as an input / output terminal, the entire protruding end 212 should maintain high flatness.

【0038】図4(A)及び図4(B)においては、リ
ードフレーム20aの中央に半導体チップ支持板22が
形成されているが、これは制限的ではなく選択的であ
る。半導体チップ支持板22はダムバー24に連結され
たタイバー23によって支持され、タイバー23には他
の平面上への折曲部であるダウンセット部234がリー
ド21に形成されたダウンセット部214と同一の位置
に同一の角度で形成されることができる。また、タイバ
ー23には拡張部231を形成させることによって半導
体チップ実装時支持面積の増大を図ることもできる。前
記半導体チップ支持板22と拡張部231の底面にはリ
ードエンド211の底面に形成される突出端212と同
一の形状及び高さの突出端232を形成させることもで
き、このような突出端232はグラウンド用などで使用
することができると同時に、熱放出経路としても有用に
機能する。
In FIGS. 4A and 4B, the semiconductor chip support plate 22 is formed at the center of the lead frame 20a, but this is not restrictive but selective. The semiconductor chip support plate 22 is supported by a tie bar 23 connected to a dam bar 24. The tie bar 23 has a downset portion 234, which is a bent portion on another plane, identical to the downset portion 214 formed on the lead 21. At the same angle. Further, by forming the extension portion 231 on the tie bar 23, it is possible to increase the support area when mounting the semiconductor chip. A protruding end 232 having the same shape and height as the protruding end 212 formed on the bottom surface of the lead end 211 may be formed on the bottom surfaces of the semiconductor chip support plate 22 and the extension portion 231. Can be used for grounding and the like, and at the same time, it functions usefully as a heat release path.

【0039】図4(A)においてはケーシング脚90を
8つ形成させた例を示しており、そのうち4つは半導体
チップ支持板22上に形成させているが、半導体チップ
実装時半導体チップの重さ中心と半導体チップ実装領域
25の中心が一致する条件を満足させる限り、ケーシン
グ脚90の数、形状及び位置などは前述したように特別
な制限はない。
FIG. 4A shows an example in which eight casing legs 90 are formed, four of which are formed on the semiconductor chip support plate 22. As long as the center and the center of the semiconductor chip mounting area 25 coincide with each other, the number, shape and position of the casing legs 90 are not particularly limited as described above.

【0040】図5内の破線ボックスで表示した部分は図
1の印刷回路基板10の製造方法を示す流れ図であり、
図7及び図8は図1の印刷回路基板10の製造方法を説
明する逐次説明図であり、便宜上一緒に説明する。
FIG. 5 is a flowchart showing a method of manufacturing the printed circuit board 10 shown in FIG.
7 and 8 are sequential explanatory views for explaining a method of manufacturing the printed circuit board 10 of FIG. 1, and will be described together for convenience.

【0041】図7(A)は樹脂基板16の上下面に導電
性金属薄膜11’、例えば銅薄膜のコーティング形成さ
れたPCB用原板を示したもので、図7(B)はPCB
用円板をドリルビット(Drill Bit) またはレーザ光線、
または化学的エッチング法によってバイアホール13を
形成させる穿孔(Drilling)段階を示したものである。
FIG. 7A shows a PCB original plate having a conductive metal thin film 11 ′, for example, a copper thin film formed on the upper and lower surfaces of a resin substrate 16, and FIG.
Drill Bit or laser beam,
Alternatively, it illustrates a drilling step of forming the via hole 13 by a chemical etching method.

【0042】図7(C)はバイアホール13の内周面を
導電性金属、例えば銅で鍍金して導電性金属鍍金層17
を形成させることによってPCB用原板の上面の導電性
金属薄膜11’と底面の導電性金属薄膜11’を連結さ
せるバイアホール内周面鍍金段階を示したものである。
FIG. 7C shows a conductive metal plating layer 17 formed by plating the inner peripheral surface of the via hole 13 with a conductive metal, for example, copper.
FIG. 6 shows a step of plating the inner peripheral surface of the via hole to connect the conductive metal thin film 11 ′ on the upper surface of the original plate for PCB and the conductive metal thin film 11 ′ on the bottom surface by forming the substrate.

【0043】図7(D)及び図7(E)はマスキング段
階を示したもので、マスキング段階は下記のようなフォ
トレジスト薄膜コーティング段階とフォトマスク転写段
階に分けられる。
FIGS. 7D and 7E show a masking step. The masking step is divided into a photoresist thin film coating step and a photomask transfer step as described below.

【0044】具体的には、図7(D)はフォトレジスト
薄膜コーティング段階を示したもので、リードフレーム
10製造用のPCB用原板の上下面に通常のフォトレジ
スト薄膜18をコーティングする。一般に、PCB用円
板上下面の導電性金属薄膜11’は銅、またはニッケル
と鉄の合金が用いられる。
Specifically, FIG. 7D shows a step of coating a photoresist thin film, in which a normal photoresist thin film 18 is coated on the upper and lower surfaces of a PCB original plate for manufacturing the lead frame 10. Generally, copper or an alloy of nickel and iron is used for the conductive metal thin film 11 ′ on the upper and lower surfaces of the PCB disk.

【0045】図7(E)はフォトマスク転写段階を示し
たもので、複数の導電性トレース11からなる上面の所
定のパターン及び前記複数の導電性トレース11に電気
的に連結される下面の所定パターンに相応するように、
前記上下面のフォトレジスト薄膜18上にフォトマスク
19をそれぞれ転写する。
FIG. 7E shows a photomask transfer step, in which a predetermined pattern on the upper surface composed of a plurality of conductive traces 11 and a predetermined pattern on the lower surface electrically connected to the plurality of conductive traces 11 are shown. To correspond to the pattern,
A photomask 19 is transferred onto the upper and lower photoresist thin films 18, respectively.

【0046】図8(A)は紫外線照射段階を示したもの
で、マスキングされたPCB用原板に紫外線を照射す
る。ポジティブ形リソグラフィにおいては紫外線の照射
された部分のフォトレジスト18が核重合して可溶化す
るので除去可能になる反面、ネガティブ形リソグラフィ
においては紫外線の照射された部分のフォトレジスト1
8が重合して不溶化し、よってフォトマスク19によっ
て紫外線が遮断された部分のフォトレジスト18が除去
可能になる。図8(A)はフォトレジスト薄膜18上に
フォトマスク19が積層された状態のポジティブ形フォ
トレジストを示しているが、ネガティブ形フォトレジス
トの場合には積層されるフォトマスク19の位置がポジ
ティブ形の場合と反対になる。
FIG. 8A shows the step of irradiating the ultraviolet rays. The masked original plate for PCB is irradiated with ultraviolet rays. In the positive type lithography, the photoresist 18 in the portion irradiated with the ultraviolet rays is nucleated and solubilized due to nucleation, so that the photoresist 18 can be removed.
8 is polymerized and insolubilized, so that the photoresist 18 in the portion where the ultraviolet rays are blocked by the photomask 19 can be removed. FIG. 8A shows a positive photoresist in a state where a photomask 19 is laminated on a photoresist thin film 18. In the case of a negative photoresist, the position of the laminated photomask 19 is positive. Is the opposite of the case.

【0047】図8(B)は現象段階を示したもので、マ
スキングされたPCB用原板に紫外線を照射した後に
は、可溶化されたフォトレジスト18部分を洗浄、除去
してPCB用円板の上面には導電性トレース11のパタ
ーンを、下面にはソルダボールランド15パターンを形
成させる。
FIG. 8 (B) shows a phenomenon stage. After irradiating the masked original plate for PCB with ultraviolet rays, the solubilized photoresist 18 is washed and removed to remove the PCB disk. The conductive trace 11 pattern is formed on the upper surface, and the solder ball land 15 pattern is formed on the lower surface.

【0048】図8(D)はエッチング段階を示したもの
で、マスキングされた導電性トレース11領域からなる
パターン及びマスキングされたソルダボールランド15
領域からなるパターンはエッチングされず、上下面の両
方でマスキングされていない導電性トレース11の間の
領域はエッチングされるので、PCB用原板の上面には
複数の導電性トレース11からなる回路パターンが形成
され、下面には複数のソルダボールランド15からなる
回路パターンが形成される。残留するフォトレジスト薄
膜18及びフォトマスク19は通常の除去液を用いて除
去する。
FIG. 8D shows the etching step, in which the pattern consisting of the masked conductive traces 11 and the masked solder ball lands 15 are shown.
Since the pattern consisting of the regions is not etched and the region between the conductive traces 11 that are not masked on both the upper and lower surfaces is etched, the circuit pattern composed of the plurality of conductive traces 11 is formed on the upper surface of the PCB original plate. A circuit pattern including a plurality of solder ball lands 15 is formed on the lower surface. The remaining photoresist thin film 18 and photomask 19 are removed using a normal removing solution.

【0049】図8(D)はソルダマスク形成段階を示し
たもので、ソルダボールランド15領域及び導電性トレ
ース11の内側端部に形成されるワイヤボンディング領
域11a(図1及び図2(B)参照)を除いた部分にソ
ルダマスク14がコーティングされる。
FIG. 8D shows a step of forming a solder mask, in which a solder ball land 15 is formed and a wire bonding area 11a is formed at the inner end of the conductive trace 11 (see FIGS. 1 and 2B). ) Is coated with a solder mask 14.

【0050】最終的に、図示してはいないが、半導体チ
ップ実装領域(図1ではダイパッド12)にコーティン
グされたソルダマスク14の上面に複数個のケーシング
脚90を形成させるケーシング脚形成段階が行われる。
ケーシング脚90の材質は前述したように、金属や樹脂
などいずれの素材を使用しても構わず制限的でないが、
ソルダマスクと同じ材質の素材を用いて部分積層させる
ことが工程上便利なので好ましい。
Finally, although not shown, a casing leg forming step of forming a plurality of casing legs 90 on the upper surface of the solder mask 14 coated on the semiconductor chip mounting area (the die pad 12 in FIG. 1) is performed. .
As described above, the material of the casing leg 90 may be any material such as metal or resin, and is not limited.
It is preferable to partially laminate using a material of the same material as the solder mask because it is convenient in the process.

【0051】図6内の点線ボックスで表示された部分は
図4(A)及び図4(B)の印刷回路基板20aの製造
方法を示す流れ図であり、図9及び図10は図4(A)
及び図4(B)の印刷回路基板20aの製造方法を説明
する逐次説明図であり、便宜上一緒に説明する。
FIG. 6 is a flow chart showing a method for manufacturing the printed circuit board 20a shown in FIGS. 4A and 4B, and FIG. 9 and FIG. )
5A and 5B are sequential explanatory diagrams illustrating a method of manufacturing the printed circuit board 20a in FIG. 4B, and will be described together for convenience.

【0052】図9(A)及び図9(B)は導電性金属薄
板21’、例えば銅薄板の上下面に対するマスキング段
階を示したもので、マスキング段階は下記のようなフォ
トレジスト薄膜コーティング段階とフォトマスク転写段
階に分けられる。
FIGS. 9A and 9B show a masking step for the upper and lower surfaces of the conductive metal thin plate 21 ', for example, a copper thin plate. It is divided into a photomask transfer step.

【0053】具体的には、図9(A)はフォトレジスト
薄膜コーティング段階を示したもので、リードフレーム
20a製造用の導電性金属薄板21’の上下面に通常の
フォトレジスト薄膜18をコーティングする。通常、こ
のような薄板21’は銅薄板、またはニッケルと鉄の合
金薄板が用いられる。
More specifically, FIG. 9A shows a photoresist thin film coating step, in which a normal photoresist thin film 18 is coated on the upper and lower surfaces of a conductive metal thin plate 21 'for manufacturing a lead frame 20a. . Usually, such a thin plate 21 'is a copper thin plate or a nickel and iron alloy thin plate.

【0054】図9(B)はフォトマスク転写段階を示し
たもので、拡張された面積のリードエンド211領域
(図4(A)参照)を有する複数のリード21領域から
なる所定のパターン及び、前記リードエンド211領域
より小さい面積を持ち、前記リードエンド211領域の
下面中央に位置する突出端212領域(図4(B)参
照)からなる所定のパターンに相応するように、前記上
下面のフォトレジスト薄膜18上にフォトマスク19を
それぞれ転写する。
FIG. 9B shows a photomask transfer step, in which a predetermined pattern consisting of a plurality of leads 21 having an extended area of a lead end 211 area (see FIG. 4A), and The photo on the upper and lower surfaces has an area smaller than that of the lead end 211 region, and corresponds to a predetermined pattern including a projecting end 212 region (see FIG. 4B) located at the center of the lower surface of the lead end 211 region. The photomask 19 is transferred onto the resist thin film 18, respectively.

【0055】図9(C)は紫外線照射段階を示したもの
で、マスキングされた導電性金属薄板21’の上下面に
紫外線を照射する。図9(C)はフォトレジスト薄膜1
8上にフォトマスク19が積層された状態のポジティブ
形フォトレジストを示しているが、ネガティブ形フォト
レジストの場合には積層されるフォトマスク19の位置
がポジティブ形の場合と反対になる。
FIG. 9C shows the step of irradiating the ultraviolet rays. The upper and lower surfaces of the masked conductive metal sheet 21 'are irradiated with ultraviolet rays. FIG. 9C shows a photoresist thin film 1.
Although the positive type photoresist in a state where the photomask 19 is laminated on 8 is shown, in the case of the negative type photoresist, the position of the laminated photomask 19 is opposite to that in the case of the positive type.

【0056】図10(A)は現象段階を示したもので、
マスキングされた導電性金属薄板21’に紫外線を照射
した後、可溶化されたフォトレジスト18部分を洗浄、
除去して導電性金属薄板21’の上面にはリードパター
ンを、下面には突出端パターンを形成させる。拡大され
た面積をもつ上面のマスキングされたリードエンド21
1領域に対応する下面領域中央部にはマスキングされた
突出端212領域が存在する。
FIG. 10A shows a phenomenon stage.
After irradiating the masked conductive metal sheet 21 ′ with ultraviolet rays, the solubilized photoresist 18 is washed,
After removal, a lead pattern is formed on the upper surface of the conductive metal sheet 21 ', and a protruding end pattern is formed on the lower surface. Top-side masked lead end 21 with enlarged area
At the center of the lower surface area corresponding to one area, there is a masked protruding end 212 area.

【0057】図10(B)はエッチング段階を示したも
ので、マスキングされた前記リードエンド211領域を
有する前記複数のリード21領域からなるパターン、及
びマスキングされた前記突出端212領域からなるパタ
ーンを形成させるにおいて、上下面の両方でマスキング
されていない前記リード21領域の間の部分はフルエッ
チング27させ、上面にマスキングされた前記リードエ
ンド211領域に対応する下面領域のうち前記マスキン
グされた突出端212領域を除いたマスキングされてい
ない部分は部分エッチング28させ、導電性金属薄板2
1’をパターン化されたリードフレーム20aで製造す
る。残留するフォトレジスト薄膜18及びフォトマスク
19は通常的な除去液を用いて除去する。
FIG. 10B shows an etching step, in which a pattern consisting of the plurality of leads 21 having the masked lead end 211 and a pattern consisting of the masked protruding end 212 are formed. In the formation, the portion between the unmasked lead 21 regions on both the upper and lower surfaces is subjected to full etching 27, and the masked protruding end of the lower surface region corresponding to the lead end 211 region masked on the upper surface is formed. The unmasked portion except for the region 212 is partially etched 28 to form the conductive metal sheet 2.
1 'is manufactured with the patterned lead frame 20a. The remaining photoresist thin film 18 and photomask 19 are removed using a general removing solution.

【0058】図10(C)はケーシング脚形成段階を示
したもので、ケーシング脚90の材料、数、形状は前述
したように特別な制限はない。このようなケーシング脚
90の位置は図4(A)に示すように、実装される半導
体チップの重さ中心と半導体チップ実装領域25の中心
が一致するようにする条件を満足させる限りいずれの位
置に形成させても構わなず、半導体チップ支持板22上
及び/または半導体チップ実装領域25内のリードエン
ド211の上面に形成させることができる。
FIG. 10C shows the stage of forming the casing legs, and the material, number and shape of the casing legs 90 are not particularly limited as described above. As shown in FIG. 4A, the position of the casing leg 90 may be any position as long as the condition that the center of weight of the semiconductor chip to be mounted coincides with the center of the semiconductor chip mounting area 25 is satisfied. It may be formed on the semiconductor chip support plate 22 and / or on the upper surface of the lead end 211 in the semiconductor chip mounting area 25.

【0059】図示してはいないが、エッチング段階後に
はダウンセット部形成段階が行われ、ダムバー(図4
(A)及び図4(B)における図面符号24)に隣接し
たリード21部分を下向傾斜折曲させてダウンセット部
(図4(A)及び図4(B)における図面符号214)
を形成させることもできるが、これは選択的である。
Although not shown, a downset portion forming step is performed after the etching step, and a dam bar (FIG. 4) is formed.
The lead 21 portion adjacent to (A) and (24) in FIG. 4 (B) is inclined downward and bent downward to obtain a downset portion (214 in FIGS. 4 (A) and 4 (B)).
Can be formed, but this is optional.

【0060】図11(A)〜図(D)は図2(A)の可
撓性印刷回路基板10aを用いたボールグリッドアレイ
半導体パッケージ1aの製造方法を説明する逐次説明図
である。
FIGS. 11A to 11D are sequential diagrams for explaining a method of manufacturing the ball grid array semiconductor package 1a using the flexible printed circuit board 10a of FIG. 2A.

【0061】図11(A)は図2(A)のキャリアフレ
ーム80の付着した可撓性印刷回路基板10aを示した
断面図であり、キャリアフレーム80は銅、銅合金、ア
ルミニウム、またはステンレスなどのような金属材が主
に用いられ、表面保護のために酸化被膜処理(Anodizin
g) して薄膜を形成させるか、或いはモールディング時
にエポキシモールディングコンパウンドからの円滑なデ
ゲーティング(Degating)を可能にするためにニッケルN
iやクロムCrなどを用いて表面処理をすることもでき
る。半導体チップの実装される露出した中央部にはダイ
パッド(図示せず)を形成させることもできるが、これ
は選択的である。
FIG. 11A is a sectional view showing the flexible printed circuit board 10a to which the carrier frame 80 of FIG. 2A is attached. The carrier frame 80 is made of copper, copper alloy, aluminum, stainless steel, or the like. Metal materials such as are used mainly, and an oxide film treatment (Anodizin
g) to form a thin film, or nickel N to allow smooth degating from the epoxy molding compound during molding.
Surface treatment can also be performed using i or chromium Cr. A die pad (not shown) may be formed at the exposed central portion of the semiconductor chip, but this is optional.

【0062】図11(B)は半導体チップ実装段階を示
す部分断面図であり、半導体チップ30は接着層40を
介してキャリアフレーム80及び両面接着テープ42を
通して露出した可撓性印刷回路基板10aの中央部上面
に実装される。半導体チップ30は、エポキシ樹脂など
のような液状樹脂接着剤41(図15参照)を前記可撓
性印刷回路基板10aの中央部上面にディスペンシング
した後、硬化させることによって形成される接着層40
を介して実装される。前記液状樹脂接着剤41としては
熱伝導性に優れた銀充填エポキシ樹脂を使用することが
望ましい。
FIG. 11B is a partial cross-sectional view showing a semiconductor chip mounting step, in which the semiconductor chip 30 is exposed through the carrier frame 80 and the double-sided adhesive tape 42 via the adhesive layer 40. It is mounted on the upper surface of the central part. The semiconductor chip 30 is formed by dispensing a liquid resin adhesive 41 such as an epoxy resin (see FIG. 15) on the upper surface of the central portion of the flexible printed circuit board 10a and then curing the adhesive layer 40.
Implemented via It is desirable to use a silver-filled epoxy resin having excellent thermal conductivity as the liquid resin adhesive 41.

【0063】可撓性印刷回路基板10aに対する半導体
チップ30の実装時、半導体チップ実装領域25上にケ
ーシング脚90が形成されているので、半導体チップ3
0の底面が前記ケーシング脚90の上面に当接し、液状
エポキシ樹脂41は半導体チップ30の底面と半導体チ
ップ実装領域25の上面との間の空間部に充填され、前
記空間部の高さは均等な高さをもつ複数個のケーシング
脚90の高さと全く同一なので、前記液状エポキシ樹脂
41が硬化して形成される接着層40の厚さは精密に同
一になる。従って、後続のワイヤボンディング段階及び
モールディング段階のような高温工程の下でも接着層4
0における界面剥離現象が効果的に抑制されることがで
きる。
When the semiconductor chip 30 is mounted on the flexible printed circuit board 10a, since the casing legs 90 are formed on the semiconductor chip mounting area 25, the semiconductor chip 3
0 is in contact with the upper surface of the casing leg 90, the liquid epoxy resin 41 is filled in the space between the lower surface of the semiconductor chip 30 and the upper surface of the semiconductor chip mounting area 25, and the height of the space is uniform. Since the height of the plurality of casing legs 90 having the same height is exactly the same, the thickness of the adhesive layer 40 formed by curing the liquid epoxy resin 41 becomes exactly the same. Therefore, even under a high-temperature process such as a subsequent wire bonding step and a molding step, the bonding layer 4 can be formed.
0, the interface peeling phenomenon can be effectively suppressed.

【0064】図11(C)はワイヤボンディング段階を
示す断面図であり、実装された半導体チップ30の上面
の入出力用チップパッド31と導電性トレース11のワ
イヤボンディング部11aを導電性ワイヤ50のボンデ
ィングによって電気的に連結させる。導電性ワイヤ50
は通常金セション及びアルミニウムセションが用いられ
るが、これに限定されるのではない。
FIG. 11C is a cross-sectional view showing a wire bonding step. The input / output chip pad 31 on the upper surface of the mounted semiconductor chip 30 and the wire bonding portion 11 a of the conductive trace 11 are connected to the conductive wire 50. They are electrically connected by bonding. Conductive wire 50
Usually, a gold session and an aluminum session are used, but the present invention is not limited thereto.

【0065】図11(D)は半導体チップ30とボンデ
ィングされた伝導性ワイヤ50などを外部環境から保護
するための樹脂封止部60を形成させるモールディング
段階、及びそれに後続して外部入出力端子としてのソル
ダボール70をソルダボールランド15に融着させるソ
ルダを融着段階後のシングレーション段階を示すもの
で、樹脂封止部60の上方から下方に押圧することによ
りキャリアフレーム80を脱落させてユニット半導体パ
ッケージ1aを製造する。
FIG. 11D shows a molding step of forming a resin sealing portion 60 for protecting the conductive wires 50 and the like bonded to the semiconductor chip 30 from the external environment, and thereafter, as an external input / output terminal. Is a singulation step after the step of fusing the solder ball 70 to the solder ball land 15. The carrier frame 80 is dropped by pressing the resin sealing portion 60 downward from above. The semiconductor package 1a is manufactured.

【0066】図13にこのように製造されたボールグリ
ッドアレイ半導体パッケージ1aを示した。
FIG. 13 shows the ball grid array semiconductor package 1a manufactured as described above.

【0067】これについては前述した製造方法に対する
説明で予め言及したことがあるが、その全体的な構成を
察してみると、可撓性樹脂基板16’と、ワイヤボンデ
ィング部11a及びソルダボールランド15を有し、可
撓性樹脂基板16’の上面外郭部に形成される複数の導
電性トレース11と、可撓性樹脂基板16’の上面中央
部に形成される半導体チップ搭載領域25と、半導体チ
ップ搭載領域25上に一定の高さで形成される複数個の
ケーシング脚90からなる可撓性印刷回路基板10a
と;各種の電子回路及び/または配線が積層されてお
り、その表面には複数の入出力チップパッド31が形成
されており、半導体チップ搭載領域25上に均等な高さ
をもつ複数個のケーシング脚90によって均等な高さを
もつ接着層40を介して実装される半導体チップ30
と;半導体チップ30の入出力チップパッド31と前記
可撓性回路基板10aのワイヤボンディング部11aを
電気的に接続する導電性ワイヤ50と;半導体チップ3
0及び導電性ワイヤ50などを外部環境から保護するた
めの樹脂封止部60と;前記可撓性回路基板10a上の
導電性トレース11に電気的に連結されたソルダボール
ランド15にメインボード(図示せず)への入出力端子
として融着されるソルダボール70と;から構成され
る。
Although this has been mentioned before in the description of the manufacturing method, the overall structure of the flexible resin substrate 16 ′, the wire bonding portion 11 a and the solder ball land 15 A plurality of conductive traces 11 formed on the outer peripheral portion of the upper surface of the flexible resin substrate 16 ′, a semiconductor chip mounting region 25 formed on the central portion of the upper surface of the flexible resin substrate 16 ′, A flexible printed circuit board 10a including a plurality of casing legs 90 formed at a constant height on the chip mounting area 25.
Various electronic circuits and / or wirings are stacked, a plurality of input / output chip pads 31 are formed on the surface thereof, and a plurality of casings having a uniform height on the semiconductor chip mounting area 25. The semiconductor chip 30 mounted by the legs 90 via the adhesive layer 40 having a uniform height
A conductive wire 50 for electrically connecting the input / output chip pad 31 of the semiconductor chip 30 and the wire bonding portion 11a of the flexible circuit board 10a;
And a resin sealing portion 60 for protecting the conductive wires 50 and the like from an external environment; and a solder ball land 15 electrically connected to the conductive traces 11 on the flexible circuit board 10a. And a solder ball 70 fused as an input / output terminal to an unillustrated terminal.

【0068】図12(A)は図1の印刷回路基板10を
用いたボールグリッドアレイ半導体パッケージ1の断面
図である。
FIG. 12A is a sectional view of a ball grid array semiconductor package 1 using the printed circuit board 10 of FIG.

【0069】その製造方法は図5中の破線ボックスの外
部の流れ図と一致し、図1に示した印刷回路基板10製
造後の半導体パッケージ1への製造段階は前述した図1
1(B)〜図(D)の場合と本質的に同一なので、これ
に対する説明は略する。
The manufacturing method is consistent with the flow chart outside the dashed box in FIG. 5, and the manufacturing steps of the semiconductor package 1 after manufacturing the printed circuit board 10 shown in FIG.
1 (B) to FIG. 1 (D) are essentially the same, and a description thereof will be omitted.

【0070】図12(A)に示したボールグリッドアレ
イ半導体パッケージ1の構成は、図13に示したチップ
スケール半導体パッケージ1aの構成と本質的に同一で
あるが、これについてもその全体的な構成を察してみる
と、次の通りである。
The configuration of the ball grid array semiconductor package 1 shown in FIG. 12A is essentially the same as the configuration of the chip scale semiconductor package 1a shown in FIG. 13, but the overall configuration is also the same. It is as follows when it considers.

【0071】樹脂基板16と、ボンドフィンガー11a
及びバイアホール13に電気的に連結されたソルダボー
ルランド15を有し、樹脂基板16の上面外郭部に形成
される複数の導電性トレース11と、樹脂基板16の上
面中央部に形成される半導体チップ搭載領域(図12
(A)ではダイパッド12)と、前記半導体チップ搭載
領域上に一定の高さで形成される複数個のケーシング脚
90からなる印刷回路基板10と;各種の電子回路及び
/または配線が積層されており、その表面には複数の入
出力チップパッド31が形成されており、前記半導体チ
ップ搭載領域上に均等な高さをもつ複数個のケーシング
脚90によって均等な高さをもつ接着層40を介して実
装される半導体チップ30と;半導体チップ30の入出
力チップパッド31と前記可撓性回路基板10のワイヤ
ボンディング部11aを電気的に接続する導電性ワイヤ
50と;半導体チップ30及び導電性ワイヤ50などを
外部環境から保護するための樹脂封止部60と;前記可
撓性回路基板10上の導電性トレース11に電気的に連
結されたソルダボールランド15にメインボードへの入
出力端子として融着されるソルダボール70とから構成
される。
The resin substrate 16 and the bond finger 11a
And a plurality of conductive traces 11 formed on an outer peripheral portion of an upper surface of a resin substrate 16 and a semiconductor formed on a central portion of an upper surface of the resin substrate 16 having solder ball lands 15 electrically connected to via holes 13. Chip mounting area (Fig. 12
1A, a die pad 12), a printed circuit board 10 including a plurality of casing legs 90 formed at a constant height on the semiconductor chip mounting area; various electronic circuits and / or wirings are stacked. A plurality of input / output chip pads 31 are formed on the surface thereof, and a plurality of casing legs 90 having a uniform height are provided on the semiconductor chip mounting area via an adhesive layer 40 having a uniform height. A semiconductor chip 30 mounted thereon; a conductive wire 50 for electrically connecting an input / output chip pad 31 of the semiconductor chip 30 to a wire bonding portion 11a of the flexible circuit board 10; a semiconductor chip 30 and a conductive wire A resin sealing portion 60 for protecting 50 and the like from an external environment; and a solder board electrically connected to the conductive traces 11 on the flexible circuit board 10. Composed of solder balls 70. which in Rurando 15 is fused as the input and output terminals of the main board.

【0072】図12(B)は本発明による図1の印刷回
路基板10上に半導体チップ30実装時の液状接着樹脂
41のディスペンシング状態を示す部分平面図であり、
図面符号14は半導体チップ実装領域(図12(A)で
はダイパッド12及びその上に積層されたソルダマス
ク)上に液状接着樹脂41をケーシング脚90の内部領
域上にドット状にディスペンシングした例示的な状態を
示す。
FIG. 12B is a partial plan view showing a dispensing state of the liquid adhesive resin 41 when the semiconductor chip 30 is mounted on the printed circuit board 10 of FIG. 1 according to the present invention.
Reference numeral 14 denotes an example in which the liquid adhesive resin 41 is dispensed in a dot shape on the internal region of the casing leg 90 on the semiconductor chip mounting area (the die pad 12 and the solder mask laminated thereon in FIG. 12A). Indicates the status.

【0073】図12(A)及び図12(B)を一緒に参
照して説明すると、図12(B)に示した状態で半導体
チップ30を押圧して実装する時、半導体チップ30の
底面はケーシング脚90の上面と当接するので、均等な
高さをもつ複数個のケーシング脚90によって限定され
る高さだけ均等な高さをもつ空間部を液状接着樹脂41
が広がって満たし、硬化して均等な高さをもつ接着層4
0を形成する。従って、半導体パッケージ1製造時の高
温工程の下、或いは半導体パッケージ1作動時の発生熱
による接着層40における界面剥離現象が効率的に防止
されることができる。
Referring to FIG. 12A and FIG. 12B together, when the semiconductor chip 30 is pressed and mounted in the state shown in FIG. 12B, the bottom surface of the semiconductor chip 30 Because the upper surface of the casing leg 90 is in contact with the upper surface of the casing leg 90, the space portion having a uniform height by the height limited by the plurality of casing legs 90 having the uniform height is formed by the liquid adhesive resin 41.
Spreads and fills and cures to form an adhesive layer 4 of uniform height
0 is formed. Accordingly, it is possible to efficiently prevent the interface peeling phenomenon in the adhesive layer 40 due to the heat generated during the manufacturing process of the semiconductor package 1 or during the operation of the semiconductor package 1.

【0074】図14は図3のリードフレーム20を用い
たカッドフラット半導体パッケージ1bの断面図であ
り、この半導体パッケージ1bは均等な高さをもつ複数
個のケーシング脚90が上面に形成されている半導体チ
ップ支持板22と、この半導体チップ支持板22から一
定距離だけ離してその外郭部に配列される複数のリード
21と、複数の入出力チップパッド31が形成されてお
り、前記均等な高さをもつ複数個のケーシング脚90に
よる均等な高さをもつ接着層40を介して実装される半
導体チップ30と、前記半導体チップ30とリード21
を電気的に連結する導電性ワイヤ50と、半導体チップ
30及び導電性ワイヤ50などを外部環境から保護する
ための樹脂封止部60とから構成される。
FIG. 14 is a cross-sectional view of a quad flat semiconductor package 1b using the lead frame 20 of FIG. 3. The semiconductor package 1b has a plurality of casing legs 90 having a uniform height formed on the upper surface. A semiconductor chip support plate 22, a plurality of leads 21 arranged at an outer portion of the semiconductor chip support plate 22 at a predetermined distance from the semiconductor chip support plate 22, and a plurality of input / output chip pads 31 are formed. A semiconductor chip 30 mounted via an adhesive layer 40 having a uniform height by a plurality of casing legs 90 having
And a resin sealing portion 60 for protecting the semiconductor chip 30, the conductive wire 50, and the like from the external environment.

【0075】図15は図4(A)及び図4(B)のリー
ドエンドグリッドアレイリードフレーム20aを用いた
チップスケール半導体パッケージ1cの断面図であり、
その製造方法は図6中の破線ボックスの外部の流れ図に
示しており、図5中の破線ボックスの外部の流れ図と実
質的に同一なので、主にその差異点についてのみ説明す
る。
FIG. 15 is a sectional view of a chip scale semiconductor package 1c using the lead end grid array lead frame 20a shown in FIGS. 4A and 4B.
The manufacturing method is shown in the flow chart outside the dashed box in FIG. 6 and is substantially the same as the flow chart outside the dashed box in FIG. 5, so only the differences will be mainly described.

【0076】半導体チップ実装段階では本発明の適用さ
れたリードフレーム20aの半導体チップ実装領域25
に半導体チップ30を接着層40を介して実装する。半
導体チップ30の底面は図4(A)に示すような均等な
高さをもつケーシング脚90の上面と当接し、半導体チ
ップ支持板22、リード21、リードエンド211、タ
イバー23、拡張部231の上面には前記ケーシング脚
90の高さと同じ高さの接着層40が形成される。ここ
で、半導体チップ支持板22、タイバー23及び拡張部
231は選択的要素である。ワイヤボンディング段階で
は半導体チップ2の上面に形成されたチップパッド31
とリード21を導電性ワイヤ50でボンディングして相
互間を電気的に接続させる。
At the semiconductor chip mounting stage, the semiconductor chip mounting area 25 of the lead frame 20a to which the present invention is applied.
The semiconductor chip 30 is mounted via an adhesive layer 40. The bottom surface of the semiconductor chip 30 contacts the upper surface of the casing leg 90 having a uniform height as shown in FIG. 4A, and the semiconductor chip support plate 22, the lead 21, the lead end 211, the tie bar 23, and the extension 231 are formed. An adhesive layer 40 having the same height as the height of the casing leg 90 is formed on the upper surface. Here, the semiconductor chip support plate 22, the tie bar 23, and the extension 231 are optional elements. In the wire bonding step, the chip pads 31 formed on the upper surface of the semiconductor chip 2 are formed.
And the lead 21 are bonded by a conductive wire 50 to make an electrical connection therebetween.

【0077】モールディング段階では半導体チップ30
と導電性ワイヤ50などを外部環境から保護するための
樹脂封止部60をリードエンド211の突出端212が
底面に露出されるようにモールディング形成させる。
At the molding stage, the semiconductor chip 30
And a resin sealing portion 60 for protecting the conductive wires 50 and the like from the external environment are formed so that the protruding end 212 of the lead end 211 is exposed on the bottom surface.

【0078】ソルダボール融着段階は選択的段階であっ
て、樹脂封止部60の底面に露出されている突出端21
2にソルダボール70を融着させて入出力端子として機
能するようにすることができる。
The solder ball fusion step is an optional step, and the protruding end 21 exposed on the bottom surface of the resin sealing portion 60 is
The solder balls 70 can be fused to function as input / output terminals.

【0079】シングレーション段階では、チップスケー
ル半導体パッケージ1cは樹脂封止部60を境界として
その外部に延長されているリード21を切断してユニッ
ト単位で分離する。
In the singulation stage, the chip scale semiconductor package 1c is cut into the leads 21 extending outside with the resin sealing portion 60 as a boundary, and separated into units.

【0080】前記チップスケール半導体パッケージ1c
の構成は、同一平面上の折曲部213及び/または他の
平面上への折曲部であるダウンセット部214(図13
参照)で少なくとも1回以上折り曲げられて半導体チッ
プ実装領域25内に延長され、内側端に拡張部231を
有し、その底面中央部に入出力端子として機能する突出
端212が形成される相互異なる長さをもつ複数のグル
ープに分けられる複数のリード21と、半導体チップ実
装領域25内に位置する選択されたリードエンド211
の上面に形成される相互均等な高さをもつ複数個のケー
シング脚90と、複数の入出力チップパッド31が形成
されており、前記均等な高さをもつ複数個のケーシング
脚90による均等な高さをもつ接着層40を介して実装
される半導体チップ30と、前記半導体チップ30とリ
ード21を電気的に連結する導電性ワイヤ50と、半導
体チップ30及び導電性ワイヤ50などを外部環境から
保護するための、突出端212の底面を外部に露出させ
た樹脂封止部60とから構成される。
The chip scale semiconductor package 1c
Has a bent portion 213 on the same plane and / or a downset portion 214 (FIG. 13) which is a bent portion on another plane.
(See FIG. 1), and is extended at least once or more into the semiconductor chip mounting region 25, has an extended portion 231 at the inner end thereof, and has a protruding end 212 functioning as an input / output terminal formed at the bottom center thereof. A plurality of leads 21 divided into a plurality of groups each having a length; and a selected lead end 211 located in the semiconductor chip mounting area 25.
A plurality of casing legs 90 having a uniform height and a plurality of input / output chip pads 31 are formed on the upper surface of the device. A semiconductor chip 30 mounted via an adhesive layer 40 having a height, a conductive wire 50 for electrically connecting the semiconductor chip 30 and the lead 21, a semiconductor chip 30 and the conductive wire 50, and the like. And a resin sealing portion 60 having a bottom surface of the protruding end 212 exposed to the outside for protection.

【0081】[0081]

【発明の効果】上述したように、本発明による回路基板
の製造方法は、回路基板の半導体チップ実装領域上に均
等な高さをもつ複数個のケーシング脚を半導体チップ実
装時の半導体チップの重さ中心と半導体チップ実装領域
の中心が一致するようにする位置に形成させることを含
み、本方法によって製造される回路基板を用いて半導体
パッケージを製造する時に半導体チップ実装段階で接着
層の厚さを厳密で正確な均一状態に容易に制御すること
ができるので、後続する高温工程の下の高温環境または
半導体パッケージ作動時の発生熱による接着層における
界面剥離現象を効率的に防止することができるため、製
品の信頼性を高め、新規有用な発明である。
As described above, according to the method of manufacturing a circuit board according to the present invention, a plurality of casing legs having a uniform height are mounted on a semiconductor chip mounting area of the circuit board when the semiconductor chip is mounted on the semiconductor chip. Forming a semiconductor package using the circuit board manufactured by the method according to the present invention. Can be easily controlled to a strict and accurate uniform state, so that the interface peeling phenomenon in the adhesive layer due to the high temperature environment under the subsequent high temperature process or the heat generated during the operation of the semiconductor package can be efficiently prevented. Therefore, it is a new and useful invention that enhances product reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の適用された印刷回路基板(Printed Ci
rcuit Board :PCB)の例示断面図である。
FIG. 1 shows a printed circuit board (Printed Ci) to which the present invention is applied.
rcuit Board (PCB).

【図2】(A)は本発明の適用された可撓性印刷回路基
板の例示断面図、(B)は本発明の適用された可撓性印
刷回路基板のフレーム未付着状態の例示平面図である。
2A is an exemplary cross-sectional view of a flexible printed circuit board to which the present invention is applied, and FIG. 2B is an exemplary plan view of the flexible printed circuit board to which the present invention is applied in a state where a frame is not attached. It is.

【図3】本発明の適用されたリードフレームの例示平面
図である。
FIG. 3 is an exemplary plan view of a lead frame to which the present invention is applied.

【図4】(A)及び(B)は本発明の適用されたリード
エンドグリッドアレイ(Lead End Grid Array) リードフ
レームの例示平面図及び底面図である。
4A and 4B are an exemplary plan view and a bottom view of a lead end grid array lead frame to which the present invention is applied.

【図5】図1の印刷回路基板及びこれを用いた半導体パ
ッケージの製造方法を示す流れ図である。
FIG. 5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing the printed circuit board of FIG. 1 and a semiconductor package using the same.

【図6】図4(A)及び図4(B)のリードエンドグリ
ッドアレイリードフレーム及びこれを用いた半導体パッ
ケージの製造方法を示す流れ図である。
FIG. 6 is a flowchart showing a method of manufacturing the lead end grid array lead frame of FIGS. 4A and 4B and a semiconductor package using the same.

【図7】(A)〜(E)は図1の印刷回路基板の製造方
法を説明する逐次説明図(その1)である。
FIGS. 7A to 7E are sequential explanatory diagrams (part 1) illustrating a method of manufacturing the printed circuit board in FIG. 1;

【図8】(A)〜(D)は図1の印刷回路基板の製造方
法を説明する逐次説明図(その2)である。
FIGS. 8A to 8D are sequential explanatory views (part 2) for explaining the method of manufacturing the printed circuit board in FIG. 1;

【図9】(A)〜(C)は図4(A)及び図4(B)の
リードエンドグリッドアレイリードフレームの製造方法
を説明する逐次説明図(その1)である。
FIGS. 9A to 9C are sequential explanatory diagrams (part 1) illustrating a method of manufacturing the lead end grid array lead frame of FIGS. 4A and 4B.

【図10】(A)〜(C)は図4(A)及び図4(B)
のリードエンドグリッドアレイリードフレームの製造方
法を説明する逐次説明図(その2)である。
FIGS. 10A to 10C are FIGS. 4A and 4B.
FIG. 9 is a sequential explanatory view (part 2) for explaining the method of manufacturing the lead end grid array lead frame of FIG.

【図11】(A)〜(D)は図2(A)の可撓性印刷回
路基板を用いたボールグリッドアレイ(Ball Grid Arra
y :BGA)半導体パッケージの製造方法を説明する逐
次説明図である。
FIGS. 11A to 11D show a ball grid array (Ball Grid Arra) using the flexible printed circuit board shown in FIG. 2A.
(y: BGA) is a sequential explanatory view for explaining the method of manufacturing the semiconductor package;

【図12】(A)は図1の印刷回路基板を用いたボール
グリッドアレイ(Ball Grid Array :BGA)半導体パ
ッケージの断面図、(B)は本発明による図1の印刷回
路基板上に半導体チップ実装時の接着樹脂のディスペン
シング状態を示す部分平面図である。
12A is a cross-sectional view of a ball grid array (BGA) semiconductor package using the printed circuit board of FIG. 1, and FIG. 12B is a semiconductor chip on the printed circuit board of FIG. 1 according to the present invention; FIG. 4 is a partial plan view showing a dispensing state of an adhesive resin during mounting.

【図13】図2(A)の可撓性印刷回路基板を用いたボ
ールグリッドアレイ半導体パッケージの断面図である。
FIG. 13 is a sectional view of a ball grid array semiconductor package using the flexible printed circuit board of FIG. 2A.

【図14】図3のリードフレームを用いたカッドフラッ
ト半導体パッケージ(Quad FlatSemiconductor Package
:QFP)の断面図である。
FIG. 14 is a view showing a quad flat semiconductor package using the lead frame of FIG. 3;
: QFP).

【図15】図4(A)及び図4(B)のリードエンドグ
リッドアレイリードフレームを用いたチップスケール半
導体パッケージ(Chip Scale Semiconductor Package:
CSP)の断面図である。
FIG. 15 shows a chip scale semiconductor package (Chip Scale Semiconductor Package) using the lead end grid array lead frame shown in FIGS. 4 (A) and 4 (B).
It is sectional drawing of (CSP).

【図16】(A)は従来の一般なボールグリッドアレイ
半導体パッケージにおける半導体チップ実装状態を示す
例示断面図、(B)は(A)の半導体パッケージにおけ
る発生可能性のある界面剥離現象を示す例示断面図であ
る。
16A is a cross-sectional view illustrating a semiconductor chip mounted state in a conventional general ball grid array semiconductor package, and FIG. 16B is a cross-sectional view illustrating an interface peeling phenomenon that may occur in the semiconductor package of FIG. It is sectional drawing.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,1a,1b,1c 本発明の適用された回路基板を
用いた本発明の半導体パッケージ 10,10a 本発明の適用された回路基板(印刷回路
基板) 11 導電性トレース 11a ワイヤボンディング部 11b 回路パターン部 11’ 導電性金属薄膜 12 ダイパッド 13 バイア(Via) ホール 14 ソルダレジスト 15 ソルダボールランド 16 樹脂基板 16’ 可撓性樹脂基板 17 導電性金属鍍金層 18 フォトレジスト薄膜 19 フォトマスク 20,20a 本発明の適用された回路基板(リードフ
レーム) 21 リード 21’ 導電性金属薄板 211 リードエンド 212 突出端 213 同一平面上の折曲部 214 ダウンセット(Down set)部 22 半導体チップ支持板 23 タイバー 231 拡張部 232 突出端 234 ダウンセット部 24 ダムバー 25 半導体チップ実装領域 26 導電性金属薄板 27 フルエッチング(Full Etching) 28 部分エッチング 30 半導体チップ 31 チップパッド 40 接着層 41 液状接着樹脂 42 両面接着テープ 50 導電性ワイヤ 60 樹脂封止部 70 ソルダボール 80 キャリアフレーム 81 通孔 90 ケーシング脚
1, 1a, 1b, 1c Semiconductor package of the present invention using circuit board of the present invention 10, 10a Circuit board (printed circuit board) of the present invention 11 Conductive trace 11a Wire bonding portion 11b Circuit pattern Part 11 'Conductive metal thin film 12 Die pad 13 Via hole 14 Solder resist 15 Solder ball land 16 Resin substrate 16' Flexible resin substrate 17 Conductive metal plating layer 18 Photo resist thin film 19 Photo mask 20, 20a Present invention Circuit board (lead frame) 21 lead 21 'conductive metal sheet 211 lead end 212 protruding end 213 coplanar bent part 214 downset part 22 semiconductor chip support plate 23 tie bar 231 extended part 232 Projecting end 234 Down set part 24 Damー 25 Semiconductor chip mounting area 26 Conductive metal thin plate 27 Full etching 28 Partial etching 30 Semiconductor chip 31 Chip pad 40 Adhesive layer 41 Liquid adhesive resin 42 Double-sided adhesive tape 50 Conductive wire 60 Resin sealing part 70 Solder ball 80 Carrier frame 81 Through hole 90 Casing leg

Claims (20)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体チップ実装領域と、前記半導体チ
ップ実装領域から離してその外周縁部に形成される複数
の回路と、入出力端子部から構成される回路基板におい
て、 前記半導体チップ実装領域の上面に接着層の厚さを均一
に制御するための均等な高さをもつ少なくとも3つのケ
ーシング脚を有し、前記ケーシング脚は半導体チップ実
装時に半導体チップの重さ中心と前記半導体チップ実装
領域の中心が一致するように位置することを特徴とする
回路基板。
1. A circuit board comprising: a semiconductor chip mounting area; a plurality of circuits formed on an outer peripheral edge of the semiconductor chip mounting area apart from the semiconductor chip mounting area; and an input / output terminal section; On the upper surface, there are at least three casing legs having a uniform height for uniformly controlling the thickness of the adhesive layer, and the casing legs have a weight center of the semiconductor chip and a semiconductor chip mounting area when the semiconductor chip is mounted. A circuit board characterized in that the centers are positioned so as to coincide with each other.
【請求項2】前記ケーシング脚の高さが0. 5〜3mi
lの高さで形成されることを特徴とする請求項1記載の
回路基板。
2. The height of said casing leg is 0.5 to 3 mi.
2. The circuit board according to claim 1, wherein the circuit board is formed at a height of l.
【請求項3】 前記ケーシング脚がソルダマスクとして
形成されることを特徴とする請求項1記載の回路基板。
3. The circuit board according to claim 1, wherein the casing legs are formed as a solder mask.
【請求項4】 回路基板が、 樹脂基板と、 前記樹脂基板の上面外郭領域に形成され、その内側端部
にワイヤボンディング部をもつ回路としての複数の導電
性トレースと、 前記導電性トレースに電気的に連結され、前記樹脂基板
に穿孔された複数のバイアホールと、 前記樹脂基板の底面の前記バイアホールに隣接した領域
に形成され、前記樹脂基板の上面の前記導電性トレース
に電気的に連結される複数のソルダボールランドと、 前記樹脂基板中央部の半導体チップ実装領域と、 前記ソルダボールランド及び前記ワイヤボンディング部
を除いた前記樹脂基板の上下面に形成される絶縁性ソル
ダマスクと、 半導体チップ実装領域上の絶縁性ソルダマスク上に形成
される均等な高さの複数個のケーシング脚とから構成さ
れるリジッドな印刷回路基板であることを特徴とする請
求項1記載の回路基板。
4. A circuit board, comprising: a resin substrate; a plurality of conductive traces as a circuit formed in an outer peripheral region of the upper surface of the resin substrate and having a wire bonding portion at an inner end thereof; A plurality of via holes formed in the resin substrate, and formed in a region adjacent to the via hole on a bottom surface of the resin substrate, and electrically connected to the conductive trace on an upper surface of the resin substrate. A plurality of solder ball lands, a semiconductor chip mounting area at the center of the resin substrate, an insulating solder mask formed on upper and lower surfaces of the resin substrate excluding the solder ball lands and the wire bonding portion, and a semiconductor chip. Rigid printed circuit composed of a plurality of casing legs of uniform height formed on an insulating solder mask on the mounting area Circuit board according to claim 1, characterized in that a plate.
【請求項5】 回路基板が、 可撓性樹脂基板と、 前記可撓性樹脂基板の上面外郭領域に形成され、その内
側端部にワイヤボンディング部をもつ回路としての複数
の導電性トレースと、 前記樹脂基板の上面の前記導電性トレースに電気的に連
結された複数のソルダボールランドと、 前記樹脂基板中央の半導体チップ実装領域と、 前記半導体チップ実装領域上に形成される複数個のケー
シング脚とから構成される可撓性印刷回路基板であるこ
とを特徴とする請求項1記載の回路基板。
5. A circuit board, comprising: a flexible resin substrate; a plurality of conductive traces formed as a circuit having a wire bonding portion at an inner end thereof formed in an outer peripheral region of the upper surface of the flexible resin substrate; A plurality of solder ball lands electrically connected to the conductive traces on the upper surface of the resin substrate; a semiconductor chip mounting region at the center of the resin substrate; and a plurality of casing legs formed on the semiconductor chip mounting region. 2. The circuit board according to claim 1, wherein the circuit board comprises a flexible printed circuit board.
【請求項6】 回路基板が、 半導体チップ支持板と、 前記半導体チップ支持板を支持し、ダウンセット部の形
成された複数のタイバーと、 前記半導体チップ支持板の外周縁に形成される回路とし
ての直線状の複数のリードと、 複数の前記タイバーと複数の前記リードを支持するダム
バーと、 前記半導体チップ支持板上に形成される複数個のケーシ
ング脚とから構成されるリードフレームであることを特
徴とする請求項1記載の回路基板。
6. A circuit board, comprising: a semiconductor chip support plate; a plurality of tie bars supporting the semiconductor chip support plate and having a downset portion; and a circuit formed on an outer peripheral edge of the semiconductor chip support plate. A plurality of linear leads, a plurality of tie bars, a dam bar supporting the plurality of leads, and a plurality of casing legs formed on the semiconductor chip support plate. The circuit board according to claim 1, wherein:
【請求項7】 回路基板が、 同一平面上の折曲部を有し、半導体チップ実装領域内に
延長される相互異なる深さをもつ複数のグループに分け
られる回路としての複数のリードと、 複数の前記リードのそれぞれの外側端を支持するダムバ
ーと、 複数の前記リードそれぞれの内側端に拡張された面積を
もつように形成され、その底面中央部に入出力端子とし
ての突出端をもつリードエンドと、 前記半導体チップ実装領域内に位置する選択されたリー
ドエンドの上面に形成される複数個のケーシング脚とか
ら構成されるリードエンドグリッドアレイフレームであ
ることを特徴とする請求項1記載の回路基板。
7. A circuit board having a bent portion on the same plane, a plurality of leads as circuits divided into a plurality of groups having different depths and extending into a semiconductor chip mounting region; A dam bar for supporting an outer end of each of the leads; and a lead end formed to have an expanded area at an inner end of each of the plurality of leads, and having a protruding end as an input / output terminal at a center of a bottom surface thereof. 2. The circuit according to claim 1, wherein the lead end grid array frame comprises: a plurality of casing legs formed on an upper surface of a selected lead end located in the semiconductor chip mounting area. substrate.
【請求項8】 リードエンドグリッドアレイフレームが
他の平面上への折曲部であるダウンセット(Down set)部
を有することを特徴とする請求項7記載の回路基板。
8. The circuit board according to claim 7, wherein the lead end grid array frame has a downset portion that is a bent portion on another plane.
【請求項9】 リードエンドグリッドアレイフレームが
半導体チップ支持板を有し、前記半導体チップ支持板は
タイバーの一端によって支持され、前記タイバーの他端
は前記ダムバーに支持され、複数個の前記ケーシング脚
が前記半導体チップ実装領域内に位置する選択されたリ
ードエンドの上面のみならず、前記半導体チップ支持板
上にも形成されることを特徴とする請求項7記載の回路
基板。
9. The lead end grid array frame has a semiconductor chip support plate, the semiconductor chip support plate is supported by one end of a tie bar, the other end of the tie bar is supported by the dam bar, and a plurality of the casing legs are provided. 8. The circuit board according to claim 7, wherein the first substrate is formed not only on the upper surface of the selected lead end located in the semiconductor chip mounting area but also on the semiconductor chip support plate.
【請求項10】 回路基板用原板のマスキング段階、紫
外線照射段階、現象段階及びエッチング段階を順次行う
通常の回路パターン形成方法による回路基板の製造方法
において、 回路基板を半導体チップ実装領域と、前記半導体チップ
実装領域から離してその外周縁部に形成される複数の回
路と、入出力端子部から構成させる回路パターン形成段
階後、 半導体チップ実装領域の上面に接着層の厚さを均一に制
御するための均等な高さをもつ少なくとも3つのケーシ
ング脚を形成させるケーシング脚形成段階を行い、 ここで、前記ケーシング脚を半導体チップ実装時半導体
チップの重さ中心と前記半導体チップ実装領域の中心が
一致するようにする位置に形成させることを特徴とする
回路基板の製造方法。
10. A method of manufacturing a circuit board by a normal circuit pattern forming method in which a masking step, an ultraviolet irradiation step, a phenomena step, and an etching step of a circuit board original plate are sequentially performed, the circuit board comprising: a semiconductor chip mounting area; In order to control the thickness of the adhesive layer on the upper surface of the semiconductor chip mounting area uniformly after the step of forming a circuit pattern composed of a plurality of circuits formed on the outer peripheral edge of the semiconductor chip mounting area apart from the chip mounting area and the input / output terminal section Performing a casing leg forming step of forming at least three casing legs having the same height, wherein the center of the weight of the semiconductor chip and the center of the semiconductor chip mounting area when the casing leg is mounted on the semiconductor chip coincide with each other. A method of manufacturing a circuit board, characterized in that the circuit board is formed at a position to be formed.
【請求項11】前記ケーシング脚の高さを0. 5〜3m
ilの高さで形成させることを特徴とする請求項10記
載の回路基板の製造方法。
11. The height of the casing legs is 0.5 to 3 m.
The method for manufacturing a circuit board according to claim 10, wherein the circuit board is formed at a height of il.
【請求項12】 前記ケーシング脚をソルダマスクとし
て形成させることを特徴とする請求項10記載の回路基
板の製造方法。
12. The method according to claim 10, wherein the casing leg is formed as a solder mask.
【請求項13】 回路基板用原板が樹脂基板の上下面に
導電性金属薄膜がコーティングされた印刷回路基板用原
板であり、 マスキング段階に先だって、前記回路基板用円板にバイ
アホールを形成させる穿孔(drilling)段階及び前記バイ
アホールの内周面に導電性金属鍍金層を形成させる鍍金
段階を順次行い、 前記樹脂基板の上面外郭領域に形成され、前記バイアホ
ールに電気的に連結され、その内側端部にワイヤボンデ
ィング部をもつ回路としての複数の導電性トレースと、
前記樹脂基板の底面の前記バイアホールに隣接した領域
に形成され、前記樹脂基板の上面の前記導電性トレース
に電気的に連結される複数のソルダボールランドを形成
させる回路パターン形成段階を行った後、 前記ソルダボールランド及び前記ワイヤボンディングを
除いた前記樹脂基板の上下面に絶縁性ソルダマスクを形
成させるソルダマスク形成段階を行うことを特徴とする
請求項10記載の回路基板の製造方法。
13. An original plate for a printed circuit board in which a conductive metal thin film is coated on upper and lower surfaces of a resin substrate, wherein a perforation for forming a via hole in the circuit board disk prior to a masking step. performing a (drilling) step and a plating step of forming a conductive metal plating layer on an inner peripheral surface of the via hole, and forming an electrically conductive metal plating layer on an inner peripheral surface of the via hole. A plurality of conductive traces as a circuit having a wire bond at the end;
After performing a circuit pattern forming step of forming a plurality of solder ball lands formed in a region adjacent to the via hole on the bottom surface of the resin substrate and electrically connected to the conductive traces on the top surface of the resin substrate 11. The method of claim 10, further comprising performing a solder mask forming step of forming an insulating solder mask on upper and lower surfaces of the resin substrate except for the solder ball lands and the wire bonding.
【請求項14】 半導体チップ実装領域を上面にソルダ
マスクがコーティングされた導電性金属からなるダイパ
ッドで形成させることを特徴とする請求項13記載の製
造方法。
14. The manufacturing method according to claim 13, wherein the semiconductor chip mounting area is formed by a die pad made of a conductive metal having a top surface coated with a solder mask.
【請求項15】 回路基板用原板が可撓性樹脂基板の上
面に導電性金属薄膜がコーティングされた印刷回路基板
用原板であり、 回路パターン形成段階で、前記可撓性樹脂基板の上面外
郭領域に形成され、その内側端部にワイヤボンディング
部をもつ回路としての複数の導電性トレースと、前記導
電性トレースに電気的に連結され、前記樹脂基板の底面
に形成される複数のソルダボールランドを形成させるこ
とを特徴とする請求項10記載の回路基板の製造方法。
15. The original board for a printed circuit board, wherein the original board for a circuit board is a printed circuit board original board in which a conductive metal thin film is coated on an upper surface of a flexible resin substrate, and an outer peripheral area of the upper surface of the flexible resin substrate in a circuit pattern forming step. A plurality of conductive traces as a circuit having a wire bonding portion at an inner end thereof, and a plurality of solder ball lands electrically connected to the conductive traces and formed on the bottom surface of the resin substrate. The method for manufacturing a circuit board according to claim 10, wherein the circuit board is formed.
【請求項16】 回路基板用原板が導電性金属薄板であ
り、 回路パターン形成段階が下記の段階で構成される回路基
板の製造方法。 (A)導電性金属薄板の上下面全体にフォトレジスト薄
膜をコーティングし、拡張された面積のリードエンド領
域を有する複数のリード領域からなる所定のパターン及
び、前記リードエンド領域より小さい面積を有し、前記
リードエンド領域の下面中央に位置する突出端領域から
なる所定のパターンに相応するように前記上下面のフォ
トレジスト薄膜上にフォトマスクをそれぞれ転写するマ
スキング段階と、 (B)マスキングされた前記導電性金属薄板の上下面に
対する紫外線照射段階と、 (C)前記所定のリードパターン及び前記所定の突出端
パターンを前記上下面のフォトレジスト薄膜にそれぞれ
形成させる現象段階と、及び(C)上下面の両方でマス
キングされていない前記リード領域とリード領域との間
の部分はフルエッチングさせ、上面にマスキングされた
前記リードエンド領域に対応する下面領域のうち、前記
マスキングされた突出端領域を除いたマスキングされて
いない部分は部分エッチングさせ、前記導電性金属薄板
をパターン化するエッチング段階。
16. A method for manufacturing a circuit board, wherein the original board for a circuit board is a conductive metal sheet, and a circuit pattern forming step includes the following steps. (A) A photoresist thin film is coated on the entire upper and lower surfaces of a conductive metal thin plate, and has a predetermined pattern including a plurality of lead regions having a lead end region having an expanded area, and an area smaller than the lead end region. A masking step of transferring a photomask onto the photoresist thin film on the upper and lower surfaces so as to correspond to a predetermined pattern comprising a protruding end region located at the center of the lower surface of the lead end region; (C) a phenomenon step of forming the predetermined lead pattern and the predetermined projecting end pattern on the photoresist thin film on the upper and lower surfaces, and (C) an upper and lower surface, respectively. The portion between the lead regions that are not masked by both is fully etched. , Of the lower surface area corresponding to the lead end region masked on the upper surface, the masked unmasked excluding the projecting end region portion is partially etched, etching step of patterning the conductive metal sheet.
【請求項17】 回路パターン形成段階で半導体チップ
支持板を形成させ、前記半導体チップ支持板はダムバー
によって一端が支持されるタイバーの他端によって支持
され、複数個の前記ケーシング脚を前記半導体チップ実
装領域内に位置する選択されたリードエンドの上面のみ
ならず、前記半導体チップ支持板上にも形成させること
を特徴とする請求項16記載の回路基板の製造方法。
17. A semiconductor chip supporting plate is formed in a circuit pattern forming step, the semiconductor chip supporting plate is supported by the other end of a tie bar having one end supported by a dam bar, and a plurality of the casing legs are mounted on the semiconductor chip. 17. The method according to claim 16, wherein the semiconductor device is formed not only on the upper surface of the selected lead end located in the region but also on the semiconductor chip support plate.
【請求項18】 前記マスキング段階で突出端領域を円
形でマスキングさせる請求項17記載の回路基板の製造
方法。
18. The method according to claim 17, wherein the protruding end region is masked in a circular shape in the masking step.
【請求項19】 回路基板における半導体チップ実装領
域上に液状接着樹脂をディスペンシングした後、半導体
チップの重さ中心が前記半導体チップ実装領域の中心と
一致するようにする位置に形成された複数個のケーシン
グ脚の上面が半導体チップの底面と当接すると共に、前
記ケーシング脚の高さによって限定される前記半導体チ
ップの底面と前記半導体チップ実装領域の上面との間の
空間に前記液状接着樹脂がボイドなく充填されるように
前記半導体チップを押圧して接着させる半導体チップ実
装段階と、 前記半導体チップと回路を導電性ワイヤで電気的に連結
させる電気的接続段階と、 前記半導体チップ及び導電性ワイヤを外部環境から保護
するための樹脂封止部を形成させるモールディング段階
とから構成される請求項1ないし請求項9のいずれかに
記載の回路基板を用いた半導体パッケージの製造方法。
19. A method of dispensing a liquid adhesive resin on a semiconductor chip mounting area of a circuit board, and then forming a plurality of semiconductor chips at positions such that the center of weight of the semiconductor chip coincides with the center of the semiconductor chip mounting area. The liquid adhesive resin has a void in a space between the bottom surface of the semiconductor chip and the top surface of the semiconductor chip mounting area, which is limited by the height of the casing leg, while the top surface of the casing leg contacts the bottom surface of the semiconductor chip. A semiconductor chip mounting step of pressing and bonding the semiconductor chip so that the semiconductor chip is filled without contact; an electrical connection step of electrically connecting the semiconductor chip and a circuit by a conductive wire; and connecting the semiconductor chip and the conductive wire. And a molding step for forming a resin sealing portion for protecting from an external environment. The method of manufacturing a semiconductor package using a circuit board according to any one of claim 9.
【請求項20】 モールディング段階後、入出力端子と
してのソルダボールを融着させるソルダボール融着段階
をさらに含むことを特徴とする請求項19記載の回路基
板を用いた半導体パッケージの製造方法。
20. The method of claim 19, further comprising, after the molding step, a solder ball welding step of welding solder balls as input / output terminals.
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