JPH1173615A - Ｆｅ基金属ガラス合金を用いた薄膜磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、室温で強磁性を示し、透磁率も高
い金属ガラス合金のコアを書込ヘッド用として備えた薄
膜磁気ヘッドを提供するとともに、ＭＩ効果を示す金属
ガラス合金からなる薄膜を外部磁界検出用として用いた
薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明は、ΔＴ_x＝Ｔ_x−Ｔ_g（ただし、
Ｔ_xは結晶化開始温度、Ｔ _gはガラス遷移温度を示す。）
の式で表される過冷却液体の温度間隔ΔＴ_xが２０Ｋ以
上のＦｅ基金属ガラス合金を主体としてなり、外部磁界
によってインピーダンスの変化を生じる磁気インピーダ
ンス効果素子薄膜１２を外部磁界検出用として備えると
ともに、前記Ｆｅ基金属ガラス合金が、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎ
ｉのうちの１種又は２種以上の元素を主成分とし、Ｚ
ｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖのうちの１種又
は２種以上の元素とＢを含むことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、金属ガラス合金か
らなる上部コアと下部コアを備えた薄膜磁気ヘッドに関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年において、コンピュータの外部記憶
装置であるハードディスクや、デジタルオーディオテー
プレコーダ、デジタルビデオテープレコーダ等に代表さ
れる磁気記録装置は、一層の小型化とともに、記録密度
の向上が要望されている。上述の要望に対応するために
は、磁気ヘッドの高性能化が不可欠であり、最近では、
再生ヘッドに磁気抵抗素子（以下ＭＲ素子と略記す
る。）を用いた磁気ヘッドが開発されている。ＭＲ素子
を用いた磁気ヘッドは、記録媒体との相対速度の依存性
が無く、低い相対速度での記録信号の読み出しに向いて
いるが、記録媒体の記録磁化の変化に対する抵抗変化率
が低いために出力信号の感度が低いので、将来の更なる
高密度化への対応が難しいという課題がある。

【０００３】そこで、最近注目を集めているのが、磁気
インピーダンス効果（Magneto-Impedance Effect：ＭＩ
効果）を有する素子（磁気インピーダンス効果素子：Ｍ
Ｉ効果素子）である。磁気インピーダンス効果（ＭＩ効
果）とは、ワイヤ状またはリボン状の磁性体に電源から
ＭＨｚ帯域の交流電流を印加し、この状態で磁性体の長
さ方向に外部磁界を印加すると、外部磁界が数ガウス程
度の微弱磁界であっても、磁性体の両端に素材固有のイ
ンピーダンスによる電圧が発生し、その振幅が外部磁界
の強度に対応して数１０％の範囲で変化する、すなわち
インピーダンス変化を起こす現象をいう。従来のＭＲ素
子の磁気検出感度が０.１ Ｏｅ程度であるのに対し、磁
気インピーダンス効果を有する素子（ＭＩ効果素子）
は、１０^-5 Ｏｅ程度の磁化を検出することが可能であ
ることから、高感度の磁気ヘッドとしての応用が期待さ
れている。

【０００４】また、従来から本発明者らは、種々の合金
の開発を進めており、この合金開発のテーマの１つとし
て金属ガラス合金の研究を行っている。従来から多元素
合金のある種のものは、結晶化の前の過冷却液体の状態
においてある広い温度領域を有し、これらは、金属ガラ
ス合金（glassy alloy）を構成するものとして知られて
いる。そして、この種の金属ガラス合金は、従来公知の
液体急冷法で製造したアモルファス合金の薄帯に比べて
はるかに厚いバルク状の合金となることも知られてい
る。例えば従来、このような金属ガラス合金として、Ｌ
ｎ-Ａｌ-ＴＭ、Ｍｇ-Ｌｎ-ＴＭ、Ｚｒ-Ａｌ-ＴＭ、Ｈｆ
-Ａｌ-ＴＭ、Ｔｉ-Ｚｒ-Ｂｅ-ＴＭ（ただしＬｎは希土
類元素、ＴＭは遷移金属を示す。）系等の組成のものが
知られている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ここで各種の組成の合
金において、過冷却液体状態を示すとしても、これらの
過冷却液体の温度間隔ΔＴ_x、即ち、結晶化開始温度
（Ｔ_x）と、ガラス遷移温度（Ｔ_g）との差、即ち、（Ｔ
_x−Ｔ_g）の値は一般に小さく、現実的には、金属ガラス
形成能に乏しく、実用性のないものであることを考慮す
ると、前記の通りの広い過冷却液体の温度領域を持ち、
冷却によって金属ガラスを構成することのできる合金の
存在は、従来公知のアモルファス合金の薄帯としての厚
さの制約を克服可能なことから、冶金学的には大いに注
目されるものである。また、合金が大きなΔＴ_xを有す
ることはスパッタリング等の手段により合金薄膜を形成
する際に、広い成膜条件での成膜が可能となり、工業的
に有用である。しかし、工業材料として発展できるか否
かは、室温で強磁性を示す金属ガラス合金の発見が鍵と
なっている。しかしながら、従来知られているこれらの
金属ガラス合金は、いずれも、室温において磁性を持つ
ことはなく、この点において磁性材料として見た場合に
工業的には大きな制約があった。従って、従来より室温
で磁性を有し、厚いバルク状のものを得ることができる
金属ガラス合金の研究開発が進められていた。このよう
な背景に基づいて研究を進めた結果、本発明者らは、室
温で強磁性を有し、高い透磁率を有する金属ガラス合金
を発見するとともに、室温で強磁性を示すと同時にＭＩ
効果をも示す金属ガラス合金を発見し、本願発明に到達
した。

【０００６】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、室温で強磁性を示し、透磁率も高い金属ガラス合金
の磁気インピーダンス効果素子薄膜を外部磁界検出用と
して備えた薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とす
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は前記課題を解決
するために、ΔＴ_x＝Ｔ_x−Ｔ_g（ただし、Ｔ_xは結晶化開
始温度、Ｔ_gはガラス遷移温度を示す。）の式で表され
る過冷却液体の温度間隔ΔＴ_xが２０Ｋ以上のＦｅ基金
属ガラス合金を主体としてなり、外部磁界によってイン
ピーダンスの変化を生じる磁気インピーダンス効果素子
薄膜を外部磁界検出用として備えたことを特徴とする。
本発明において、前記Ｆｅ基金属ガラス合金は、Ｆｅ、
Ｃｏ、Ｎｉのうちの１種又は２種以上の元素を主成分と
し、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖのうちの
１種又は２種以上の元素とＢを含むものとする。

【０００８】更に本発明は、磁気媒体に媒体対向面を向
けて相対移動するスライダに書込ヘッドと読出ヘッドが
設けられ、前記書込ヘッドが薄膜状の上部コアと下部コ
アとそれらの間に介在された磁気ギャップとコイル導体
とを具備する磁気誘導型構造とされ、前記読出ヘッドが
磁気インピーダンス効果素子薄膜とこのインピーダンス
効果素子薄膜に接続された電極膜を具備して構成された
ことを特徴とする。

【０００９】本発明は前記構造において、前記磁気イン
ピーダンス効果素子薄膜にバイアス印加手段が付設され
てなることを特徴とする。本発明において、前記バイア
ス印加手段が、前記磁気インピーダンス効果素子薄膜に
接続された永久磁石からなることを特徴とするものでも
良い。

【００１０】本発明において、前記バイアス印加手段が
前記磁気インピーダンス効果素子薄膜に積層された強磁
性体薄膜とこの強磁性体薄膜に積層された反強磁性体薄
膜とを具備して構成され、前記バイアスが前記反強磁性
体薄膜により前記強磁性体薄膜に誘起させた交換結合磁
界により印加されてなることが好ましい。

【００１１】更に、前記温度間隔ΔＴxが６０Ｋ以上で
あり、前記Ｆｅ基金属ガラス合金が下記の組成式で表さ
れることを特徴とするものでも良い。 （Ｆｅ_1-a-bＣｏ_aＮｉ_b）_100-x-yＭ_xＢ_y 但し、０≦ａ≦０.２９、０≦ｂ≦０.４３、５原子％≦
x≦２０原子％、１０原子％≦y≦２２原子％であり、Ｍ
はＺｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖのうちの１
種又は２種以上からなる元素である。

【００１２】本発明で前記温度間隔ΔＴxが６０Ｋ以上
であり、前記Ｆｅ基金属ガラス合金が下記の組成式で表
されることを特徴とするものでも良い。 （Ｆｅ_1-a-bＣｏ_aＮｉ_b）_100-x-y-zＭ_xＢ_yＴ_z 但し、０≦ａ≦０.２９、０≦ｂ≦０.４３、５原子％≦
x≦２０原子％、１０原子％≦y≦２２原子％、０原子％
≦z≦５原子％であり、Ｍは、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈ
ｆ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖのうちの１種又は２種以上からなる
元素、ＴはＣｒ、Ｗ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、
Ｐｔ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｐのうちの１種又は２種
以上の元素である。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の一形
態の薄膜磁気ヘッドについて説明する。この例の薄膜磁
気ヘッドＨＡは、ハードディスク装置等に搭載される浮
上式のもので、この磁気ヘッドＨＡのスライダ５１は、
図１の（イ）で示す側がディスク面の移動方向の上流側
に向くリーディング側で、図１の（ロ）で示す側がトレ
ーリング側である。このスライダ５１のディスクに対向
する面では、レール状のレール面５１ａ、５１ａ、５１
ｂと、エアーグルーブ５１ｃ、５１ｃが形成されてい
る。そして、このスライダ５１のトレーリング側の端面
５１ｄ側に薄膜磁気ヘッドコア５０が設けられている。

【００１４】この例で示す薄膜磁気ヘッドコア５０は、
図２と図３に断面構造を示すような複合型磁気ヘッドで
あり、スライダ５１のトレーリング側端面５１ｄ上に、
ＭＩ効果素子ヘッド（読出ヘッド）ｈ₁と、インダクテ
ィブヘッド（磁気誘導型磁気ヘッド：書込ヘッド）ｈ₂
とが順に積層されて構成されている。

【００１５】この例のＭＩ効果素子ヘッドｈ₁はＭＩ効
果を利用して磁気ディスクなどの記録媒体からの漏れ磁
束を検出し、磁気信号を読み取るものである。図２に示
すようにＭＩ効果素子ヘッドｈ₁において、スライダ５
１のトレーリング側端部に形成されたセンダスト（Ｆｅ
-Ａｌ-Ｓｉ）等の磁性合金からなる下部ギャップ層５３
上に、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）などの非磁性材料により形
成された上部ギャップ層５４が積層されている。そし
て、この上部ギャップ層５４上に、図４等に断面構造を
示す後述のＭＩ効果素子１０が形成されている。また、
更にＭＩ効果素子１０の上には、アルミナなどからなる
上部ギャップ層５４がＭＩ効果素子１０を覆うように連
続形成され、その上に上部シールド層が形成されてお
り、この上部シールド層は、その上に設けられるインダ
クティブヘッドｈ₂の下部コア５５と兼用にされてい
る。

【００１６】図４はＭＩ効果素子ヘッドｈ₁に適用され
たＭＩ効果素子１０の一例を示すもので、この例のＭＩ
効果素子１０は、以下に説明する金属ガラス合金からな
るＭＩ効果素子薄膜１２と、このＭＩ効果素子薄膜１２
上に積層された強磁性体薄膜１３と、この強磁性体薄膜
１３の両端部上にトラック幅に相当する間隙Ｔ_wをあけ
て積層された反強磁性体薄膜１４、１４とそれらの反強
磁性体薄膜１４上に積層された電極膜１５とから構成さ
れている。

【００１７】ここで以下に、本発明で用いるＭＩ効果素
子薄膜１２を構成する金属ガラス合金について説明す
る。従来からＦｅ系の合金として、Ｆｅ-Ｐ-Ｃ系、Ｆｅ
-Ｐ-Ｂ系、Ｆｅ-Ｎｉ-Ｓｉ-Ｂ系等の組成のものがガラ
ス遷移を起こすものとして知られているが、これらの合
金の過冷却液体の領域は観察されず、金属ガラス合金と
して構成することはできない。

【００１８】これに対して、本発明に係るＦｅ基軟磁性
金属ガラス合金は、この過冷却液体の温度間隔ΔＴ
_xが、２０Ｋ以上、組成によっては３５〜６０Ｋ以上と
いう顕著な温度間隔を有し、これまでの知見から知られ
るＦｅ基合金からは全く予期されないものである。しか
も、軟磁性についても室温で優れた特性を有し、ＭＩ効
果をも示す本発明に係るＦｅ基軟磁性金属ガラス合金
は、これまでの知見に見られない全く新規なものであ
る。

【００１９】本発明で読出ヘッドｈ₁用のＭＩ素子薄膜
１２に用いるＦｅ基軟磁性金属ガラス合金は、その組成
については、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの１種又は２種以
上を主成分とし、これにＺｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍ
ｏ、Ｔｉ、Ｖのうちの１種または２種以上とＢを所定量
添加した成分系で実現される。

【００２０】更にＭＩ素子薄膜１２を構成するＦｅ基軟
磁性金属ガラス合金の１つは、一般式においては、 （Ｆｅ_1-a-bＣｏ_aＮｉ_b）_100-x-yＭ_xＢ_y で表記することができ、この一般式において、０≦ａ≦
０.２９、０≦ｂ≦０.４３、５原子％≦x≦２０原子
％、１０原子％≦y≦２２原子％なる関係が好ましく、
ＭはＺｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖのうちの
１種又は２種以上からなる元素である。

【００２１】更に前記の成分系において、ΔＴx＝Ｔx−
Ｔg（ただしＴxは、結晶化開始温度、Ｔgはガラス遷移
温度を示す。）の式で表される過冷却液体領域の温度間
隔ΔＴxが２０Ｋ以上であることを必要とする。前記の
組成系において、ＺｒかまたはＨｆを必ず含み、ΔＴx
が２５Ｋ以上であることが好ましく、ΔＴxが６０Ｋ以
上であることがより好ましい。更に、前記（Ｆｅ_1-a-b
Ｃｏ_aＮｉ_b）_100-x-yＭ_xＢ_yなる組成式において０.０４
２≦ａ≦０.２９、０.０４２≦ｂ≦０.４３の関係にさ
れてなることが好ましい。

【００２２】次に他のＦｅ基軟磁性金属ガラス合金の１
つは、一般式においては、（Ｆｅ_1-a-bＣｏ_aＮｉ_b）
_100-x-y-zＭ_xＢ_yＴ_zで表記され、該一般式において、０
≦ａ≦０.２９、０≦ｂ≦０.４３、５原子％≦x≦２０
原子％、１０原子％≦y≦２２原子％、０原子％≦z≦５
原子％であり、ＭはＺｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｔ
ｉ、Ｖのうちの１種又は２種以上からなる元素、ＴはＣ
ｒ、Ｗ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｌ、
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｐのうちの１種又は２種以上の元素で
ある。また、本発明は、前記（Ｆｅ_1-a-bＣｏ_aＮｉ_b）
_100-x-y-zＭ_xＢ_yＴ_zなる 組成式において０.０４２≦ａ
≦０.２９、０.０４２≦ｂ≦０.４３の関係にされてな
るものでも良い。

【００２３】次に、前記元素Ｍが（Ｍ'_1-cＭ''_c）で表
され、Ｍ'はＺｒとＨｆのうちの１種または２種、Ｍ''
はＮｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖのうちの１種または２種
以上からなる元素であり、０≦ｃ≦０.６であることを
特徴とするものでも良い。更に、前記組成においてｃが
０.２≦ｃ≦０.４の範囲であることを特徴とするもので
も良く、前記ｃが０≦ｃ≦０.２の範囲であることを特
徴としても良い。更に本発明において、０.０４２≦ａ
≦０.２５、０.０４２≦ｂ≦０.１であることを特徴と
しても良い。本発明において、軟磁性金属ガラス合金に
４２７℃（７００Ｋ）〜６２７℃（９００Ｋ）で熱処理
が施されてなることを特徴とするものでも良い。この範
囲の温度で熱処理がなされたものは、高い透磁率を示
す。なお、加熱後の冷却時に急冷すると、結晶相が析出
してアモルファス化できないので、熱処理後の冷却速度
はできるだけ遅いものとする必要があり、加熱後に徐冷
するか焼き鈍しするなどの処理が好ましい。また、前記
の組成において原子Ｂの５０％以下をＣで置換しても良
い。

【００２４】「組成限定理由」本発明組成系において、
主成分であるＦｅとＣｏとＮｉは、磁性を担う元素であ
り、高い飽和磁束密度と優れた軟磁気特性を得るために
重要である。また、Ｆｅを多く含む成分系においてΔＴ
xが大きくなり易く、Ｆｅを多く含む成分系においてＣ
ｏ含有量とＮｉ含有量を適正な値とすることで、ΔＴx
の値を６０Ｋ以上にすることができる。具体的には、５
０Ｋ〜６０ＫのΔＴxを確実に得るためには、Ｃｏの組
成比を示すａの値を０≦ａ≦０.２９、Ｎｉの組成比を
示すｂの値を０≦ｂ≦０.４３の範囲、６０Ｋ以上のΔ
Ｔxを確実に得るためには、Ｃｏの組成比を示すａの値
を０.０４２≦ａ≦０.２９、Ｎｉの組成比を示すｂの値
を０.０４２≦ｂ≦０.４３の範囲とすることが好まし
い。また、前記の範囲内において、良好な軟磁気特性を
得るためには、Ｃｏの組成比を示すａの値を０.０４２
≦ａ≦０.２５の範囲とすることが好ましく、高い飽和
磁束密度を得るためには、Ｎｉの組成比を示すｂの値を
０.０４２≦ｂ≦０.１の範囲とすることがより好まし
い。

【００２５】ＭはＺｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｔ
ｉ、Ｖのうちの１種又は２種以上からなる元素である。
これらはアモルファスを生成させるために有効な元素で
あり、５原子％以上、２０原子％以下の範囲であると良
い。更に、高い磁気特性を得るためには、より好ましく
は５原子％以上、１５原子％以下にすると良い。これら
元素Ｍのうち、特にＺｒとＨｆが有効である。Ｚｒ、Ｈ
ｆは、その一部をＮｂ等の元素と置換することができる
が、置換する場合の組成比ｃは、０≦ｃ≦０.６の範囲
であると、高いΔＴxを得ることができるが、特にΔＴx
を８０以上とするには０.２≦ｃ≦０.４の範囲が 好ま
しい。

【００２６】Ｂは、高いアモルファス形成能があり、本
発明では１０原子％以上、２２原子％以下の範囲で添加
する。この範囲を外れると、Ｂが１０原子％未満である
と、ΔＴx が消滅するために好ましくなく、２２原子％
よりも大きくなるとアモルファスが形成できなくなるた
めに好ましくない。より高いアモルファス形成能と良好
な磁気特性を得るためには、１６原子％以上、２０原子
％以下とすることがより好ましい。

【００２７】前記の組成系に更に、Ｔで示される、Ｃ
ｒ、Ｗ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｌ、
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｐのうちの１種又は２種以上の元素を
添加することもできる。本発明ではこれらの元素を０原
子％以上、５原子％以下の範囲で添加することができ
る。これらの元素は主に耐食性を向上させる目的で添加
するもので、この範囲を外れると、軟磁気特性が低下す
る。また、この範囲を外れるとアモルファス形成能が劣
化するために好ましくない。

【００２８】前記強磁性体薄膜１３は、Ｎｉ-Ｆｅ合
金、Ｃｏ-Ｆｅ合金、Ｎｉ-Ｃｏ合金、Ｃｏ、Ｎｉ-Ｆｅ-
Ｃｏ合金などの薄膜からなる。また、強磁性体薄膜１３
をＣｏ薄膜とＮｉ-Ｆｅ合金薄膜との積層構造から構成
することもできる。前記反強磁性体薄膜１４は、例え
ば、ＦｅＭｎ、ＮｉＯ、Ｃｒ-Ａｌあるいは、不規則構
造を有するＸ-Ｍｎ系合金などからなることが好まし
い。ここで前記組成式においてＸは、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉ
ｒ、Ｐｄ、Ｐｔのいずれか１種または２種以上からなる
ことが好ましい。前記各種合金の反強磁性体薄膜１４で
あるならば強磁性体薄膜１３に接するＭＩ効果素子薄膜
１２に交換結合性磁界によるバイアスを印加することが
できる。

【００２９】次に、この実施形態のインダクティブヘッ
ドｈ₂は、下部コア５５の上に、ギャップ層６４が形成
され、その上に平面的に螺旋状となるようにパターン化
されたコイル層６６が形成され、コイル層６６は絶縁材
料層６７に囲まれている。更に、絶縁材料層６７の上に
形成された層状の上部コア６８は、その先端部６８ａを
レール面５１ｂにて層状の下部コア５５に微小間隙をあ
けて対向し、磁気ギャップＧを構成するとともに、上部
コア６８の基端部６８ｂを下部コア５５と磁気的に接続
させて設けられている。また、上部コア６８の上にはア
ルミナなどからなる保護層６９が設けられている。

【００３０】この実施形態で用いられる下部コア５５と
上部コア６８は、従来から用いられている飽和磁束密度
と透磁率の優れた軟磁性材料を用いることができる。一
例としてパーマロイやセンダストあるいはフェライトな
どで良いが、以下に説明する軟磁性金属ガラス合金から
構成しても良い。下部コア５５と上部コア６８を構成す
る軟磁性金属ガラス合金の１つは、一般式においては、
（Ｆｅ_1-a-bＣｏ_aＮｉ_b）_100-x-yＭ_xＢ_yで表記されるも
の、（Ｆｅ_1-a-bＣｏ_aＮｉ_b）_100-x-y-zＭ_xＢ_yＴ_zで表
記されるものである。即ち、これらの合金は先に説明し
たＭＩ素子薄膜１２を構成するために用いた金属ガラス
合金と同一組成のものであり、これらの組成の金属ガラ
ス合金においても優れた軟磁気特性を有するので、コア
として使用することができる。

【００３１】前述の構成のインダクティブヘッドｈ₂で
は、コイル層６６に記録電流が与えられ、コイル層６６
からコア層に記録電流が与えられる。そして、磁気ギャ
ップＧの部分での金属ガラス製の下部コア５５と上部コ
ア６８の先端部からの漏れ磁界によりハードディスクな
どの記録媒体に磁気信号を記録することができる。ま
た、ＭＩ効果素子ヘッドｈ₁においては、ハードディス
クなどの磁気記録媒体からの微小の漏れ磁界の有無によ
りＭＩ効果素子薄膜１２のインピーダンスが変化するの
で、このインピーダンス変化を読み取ることで記録媒体
の記録内容を読み取ることができる。

【００３２】図６は、ＭＩ効果素子薄膜１２のＭＩ効果
を測定するための回路系の一例を示すもので、図６
（Ａ）に示す回路構成ではＭＩ効果素子薄膜１２に対し
て電源ＥacからＭＨｚ帯域の交流電流Ｉacを印加し、こ
の状態でＭＩ効果素子薄膜１２の長さ方向に外部磁界Ｈ
exを印加すると、外部磁界Ｈexが数ガウス程度の微弱磁
界であってもＭＩ効果素子薄膜１２の両端に素材固有の
インピーダンスによる電圧Ｅmiが発生し、その振幅が外
部磁界Ｈexの強度に対応して大きな割合で変化するの
で、微弱磁界検出ができる。

【００３３】次に、ＭＩ効果素子薄膜１２を用いて薄膜
磁気ヘッドＨＡを実際に構成する際には、高周波電流を
使用するので回路の浮遊インピーダンスなどで感度が不
安定にならないように配慮する必要がある。この問題の
一つの解決策として、前述の構成のＭＩヘッドにあって
は、ＭＩヘッドと高周波電源とを一体化した自己発振方
式の磁界検知回路を採用することが好ましい。この自己
発振回路を有する磁界検知回路の一例を図６（Ｂ）に示
す。

【００３４】図６（Ｂ）に示す回路では、ブロックａ、
ｂ、ｃはそれぞれ高周波電源部、外部磁界検出部、増幅
出力部であり、外部磁界検出部ｂに薄膜磁気ヘッドＨＡ
のＭＩ効果素子薄膜１２が接続された構造とされてい
る。高周波電源部ａは、高周波交流電流を発生し外部磁
界検知部ｂに供給するための回路であってその方式は特
に限定されない。ここでは一例として、安定化コルビッ
ツ発振回路を採用したものを掲げる。自己発振方式では
この他に磁気変調を利用した振幅変調（ＡＭ）、周波数
変調（ＦＭ）、または位相変調（ＰＭ）をかけて磁界感
知作動をさせることもできる。外部磁界検知部ｂは、薄
膜磁気ヘッドＨＡのＭＩ効果素子ヘッドｈ₁に設けられ
ているＭＩ効果素子薄膜１２と復調回路とからなり、高
周波電源部ａから供給された高周波交流電流により待機
状態とされたＭＩ効果素子薄膜１２が外部磁界（Ｈex）
に感応して発生したインピーダンス変化を、復調回路に
より復調し、増幅出力部ｃに伝送する。増幅出力部ｃは
差動増幅回路と出力端子とを有する。この磁気センサ回
路は、図示しないが負帰還ループ回路が設けてあり、強
い負帰還をかけることによって高精度・高感度・高速応
答・高安定の微弱磁気センサ回路が形成される。

【００３５】図７と図８は、各種材料の磁界感応性を示
すが、図７においてとで示す曲線が後述の実施例で
示す如く従来合金の特性を示し、図８で示す曲線が本願
発明に係る金属ガラス合金のＭＩ素子薄膜１２の磁界感
応特性を示す。本発明のＭＩ効果素子薄膜１２は、図８
に示したように、外部磁界の極性に係わらず同様のパラ
メータ変化を示し、直線性に優れた特性を示す。従っ
て、線形応答が可能なリニア検出型の薄膜磁気ヘッドを
構成する場合に直流磁界バイアスを印加することが好ま
しい。本発明のＭＩ効果素子薄膜１２は微弱磁界におけ
る直線性が高いため、バイアス磁界も軽微でよい。

【００３６】このバイアス磁界を印加するために図４に
示す反強磁性体薄膜１４が作用させる交換結合性磁界を
利用する。図４に示す構造においては、強磁性体薄膜１
３と反強磁性体薄膜１４の両層の境界面での交換異方性
結合により、強磁性体薄膜１３にバイアスが与えられて
図４のＢ領域（強磁性体薄膜１３と反強磁性体薄膜１４
が接触した領域）はＸ方向へ単磁区化され、これに誘発
されてトラック幅Ｔw内のＡ領域にて強磁性体薄膜１３
がＸ方向へ単磁区化されてバイアスが印加される。この
ようにバイアス磁界により磁化された強磁性体薄膜１３
に隣接するＭＩ効果素子薄膜１２に磁気記録媒体からの
漏れ磁界が与えられると、この漏れ磁界の大きさに比例
してインピーダンス変化が起こるので漏れ磁界を検出で
きる。

【００３７】本発明のＭＩ効果素子薄膜を用いた薄膜磁
気ヘッドＨＡは金属ガラス合金を用いたＭＩ効果素子薄
膜１２の長さ方向（図４のＸ方向）の磁界変化に感応す
る。そして、数１０〜１００％／Ｏｅのインピーダンス
変化率と、１０^-6 Ｏｅの高い分解能と、数ＭＨｚの遮
断周波数とを持つ、高感度な薄膜磁気ヘッドを構成する
ことができる。そして、例えばヘッド長が極小寸法であ
っても磁界検出感度は劣化せず、１Ｈｚ以上の交流磁界
に対する最小検出磁界は１０^-6に達する。

【００３８】また、この形態の薄膜磁気ヘッドＨＡは、
応答の速い磁化の回転による磁束変化を利用することに
なるので高速応答性である。即ち、通過電流を高周波に
すると、表皮効果によってインピーダンスが外部磁界に
依存して鋭敏に変化し高感度化すると共に、磁壁の移動
が強い過電流制動により抑制され、磁化ベクトルの移動
によって磁束が発生するので高速応答性となる。本発明
のＭＩ効果素子薄膜１２を用いてコルピッツ発振回路な
どの自己発振回路を構成し、振幅変調方式のセンサを形
成すると、その遮断周波数は発振周波数の１／１０程度
であり、数十ＭＨｚの発振周波数では直流磁界から数Ｍ
Ｈｚの高周波磁界に至るまで、分解能が約１０^-6Ｏｅの
高感度で安定に検出できるようになり、磁気記録媒体か
らの微小磁界でも好感度で検出可能な薄膜磁気ヘッドを
提供できる。

【００３９】図５は、本発明に係るＭＩ効果素子薄膜の
他の形態を示すもので、この形態の構造は、金属ガラス
合金からなるＭＩ効果素子薄膜２２の両側に磁石層（永
久磁石）２３、２３が配置され、磁石層２３、２３上に
電極膜２５が積層された構造とされていて、磁石層２３
からの漏れ磁束を利用してＭＩ効果素子薄膜２３にバイ
アスを印加する構造とされている。ここで用いられる磁
石層２３は、Ｃｏ-Ｐｔ、Ｃｏ-Ｃｒ-Ｐｔ合金などの硬
質磁性材料（磁石材料）の層から形成されている。図５
に示す構造においても先の形態の場合と同様にバイアス
を印加することができ、ＭＩ効果を利用して先の形態の
構造と同様に磁気記録媒体の磁気情報の読み出しを行う
ことができる。

【００４０】次に前記の形態においては、読出ヘッドｈ
₁を金属ガラス合金からなるＭＩ素子で構成したが、書
込ヘッドの下部コア５５と上部コア６８の少なくとも一
方を金属ガラスから構成した場合に、読出ヘッドｈ₁を
磁気抵抗変化型のＭＲ素子から構成しても良い。図１２
は、薄膜磁気ヘッドＨＡの読出ヘッドｈ₁として、ＭＲ
素子を用いた場合の形態を示す。従来から、磁気抵抗効
果型読み取りヘッド（ＭＲヘッド）として、伝導電子の
スピン依存散乱現象を用いたＧＭＲ（Giant Magnetores
istance：巨大磁気抵抗効果）ヘッドが知られており、
ＧＭＲヘッドの１つの具体例として、低外部磁界で高磁
気抵抗効果を示すスピンバルブ（Spin-Valve）ヘッドが
米国特許第５１５９５１３号明細書に示されている。

【００４１】図１２に示すＭＲ素子はスピンバルブ構造
を応用したＭＲ素子の一例を示すもので、この例の構造
は、フリー強磁性層１と非磁性中間層２とピン止め強磁
性層３と反強磁性層４を基板上に積層し、この積層体の
両側に積層体を挟むようにＣｏ-Ｐｔ等からなる磁石層
５、５を設け、その上に電極層６、６を設けて構成され
ている。また、図１２に示す構造においてピン止め強磁
性層３の磁化方向を図１２のＺ方向に固定させるために
は、比較的大きなバイアス磁界が必要であり、このバイ
アス磁界は大きければ大きいほど良いことになる。図１
２のＺ方向の反磁界に打ち勝ち、磁気媒体からの磁束に
より磁化方向が揺れないためには、少なくとも１００
Ｏｅのバイアス磁界が必要である。このバイアス磁界を
得るために図１２に示す構造にあっては、ピン止め強磁
性層３に反強磁性層４を接触させて設けることにより生
じる交換異方性磁界を利用している。

【００４２】図１２に示す構造であると、フリー強磁性
層１には磁石層５、５によって膜面に対して平行（図１
２のＸ方向：トラック方向）の縦バイアスを印加し単磁
区化した状態でトラック方向に磁化を向けさせるととも
に、ピン止め強磁性層３の磁化方向を図１３中のＺ方
向、即ち、フリー強磁性層１の磁化方向と直交する方向
にバイアスを印加して単磁区化した状態で図中Ｚ方向に
向けさせておく必要がある。前記の縦バイアス印加の目
的はフリー強磁性層１が多数の磁区を形成することによ
って生じるバルクハウゼンノイズを抑制すること、即
ち、磁気媒体からこの磁束に対してノイズの少ないスム
ーズな抵抗変化にするためである。

【００４３】また、磁気媒体からの磁束（図１２のＺ方
向）により、前記ピン止め強磁性層３の磁化方向は変化
してはならず、フリー強磁性層１の方向がピン止め強磁
性層３の磁化方向に対して９０±θ゜の範囲で変化する
ことにより磁気抵抗効果の線形応答性が得られる。以上
のように、スピンバルブヘッドの際のピン止め強磁性層
のバイアス、フリー強磁性層の縦バイアスに反強磁性層
との接触界面で生じる交換異方性磁界を利用することに
より、線形応答性が良く、バルクハウゼンノイズを抑制
した磁気抵抗効果型ヘッドが実現される。このような構
造のＭＲ素子を図４あるいは図５に示すＭＩ素子の代わ
りに用いて読出ヘッドｈ₁を構成しても良い。

【００４４】図１３はＭＲ素子の他の形態を示すもの
で、この形態のＭＲ素子は、フリー強磁性層１と非磁性
中間層２とピン止め強磁性層３と反強磁性層４からなる
積層体Ｓをその両側から挟むようにＮｉ-Ｆｅなどから
なる強磁性層８を設け、該強磁性体８の上に反強磁性層
９と電極層１０を積層した構造である。この構造によれ
ば、反強磁性層９の一方向異方性により、強磁性層８を
単磁区化することで、積層体に接触している強磁性層８
の延出部８ａ側からフリー強磁性層１側に磁束を作用さ
せることができ、これによる交換相互作用で磁気的にフ
リー強磁性層１に縦バイアスを印加することができる。
図１３に示す構造のＭＲ素子を用いた場合であっても、
磁気記録媒体の漏れ磁界に応じて抵抗変化を得ることが
できるので、読出ヘッドｈ₁を構成することができる。

【００４５】

【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳しく説明
する。 （実施例１）高周波マグネトロンスパッタ装置を用い、
Ａｌ₂Ｏ₃膜を被覆したＡｌ₂Ｏ₃-ＴｉＣ（アルチック）
基板（磁気ヘッドのスライダ用として常用される基板）
上に、複数のターゲットを用いて以下に示す構造になる
ようにスパッタして積層体を作成し、それをエッチング
により加工して図４に示す構造のＭＩ効果素子を製造し
た。この際、Ｆｅ₅₆Ｃｏ₇Ｎｉ₇Ｎｂ₄Ｂ₂₀なる組成の厚
さ１００ÅのＭＩ素子薄膜とＮｉ₈₀Ｆｅ₂₀合金からなる
厚さ１００Åの強磁性体薄膜を積層し、更にそれらの上
に厚さ２００Åの反強磁性層（Ｐｔ₅₀Ｍｎ₅₀）と厚さ１
０００Åの電極層をスパッタにより積層し、フォトリソ
グラフィープロセスとイオンミリングによりトラック幅
（Ｔw＝２μｍ）に相当する部分の電極膜と反強磁性体
薄膜を除去して図４に示す構造のＭＩ効果素子薄膜を得
た。

【００４６】前記ＭＩ効果素子薄膜を図６（Ｂ）に示す
磁界検知回路に挿入し、３ＭＨｚの交流電流を印加した
状態で、ＭＩ効果素子薄膜の長さ方向（図４のＸ方向）
に外部磁界Ｈexを印加し、外部磁界Ｈex（Ｏｅ）と発生
した出力電圧（ｍＶ）との関係をプロットした。外部磁
界Ｈexは０ Ｏｅからスタートし、５ Ｏｅ、０ Ｏｅ、
−５ Ｏｅ、０ Ｏｅと連続的に往復変化させた。増幅倍
率は１０倍に設定した。以上の測定結果を図８に示す。
この結果からこの例のＭＩ効果素子は、−５ Ｏｅ〜＋
５ Ｏｅ程度の磁界においてリニアリティの良好な線形
応答性を得ることができ、−２ Ｏｅ〜＋２ Ｏｅ程度の
微弱磁界帯域においても高感度でかつ良好な定量性を示
すことがわかる。

【００４７】次に、図２と図３に断面構造を示す薄膜磁
気ヘッドにおいて、上部コアと下部コアを構成するため
に用いる金属ガラス合金の磁気特性を計測した。図９
は、Ｆｅ₆₀Ｃｏ₃Ｎｉ₇Ｚｒ₁₀Ｂ₂₀、Ｆｅ₅₆Ｃｏ₇Ｎｉ₇Ｚ
ｒ₁₀Ｂ₂₀、Ｆｅ₄₉Ｃｏ₁₄Ｎｉ₇Ｚｒ₁₀Ｂ₂₀、Ｆｅ₄₆Ｃｏ
₁₇Ｎｉ₇Ｚｒ₁₀Ｂ₂₀なる組成の金属ガラス合金薄膜試料
のＤＳＣ曲線を示す。これらのいずれの試料において
も、温度を上昇させてゆくことで広い過冷却液体領域が
存在することを確認でき、その過冷却液体領域を超えて
加熱することで結晶化することが明らかになった。過冷
却液体領域の温度間隔ΔＴxは、ΔＴx＝Ｔx−Ｔgの式で
表されるが、図９に示すＴx−Ｔgの値はいずれの試料で
も６０Ｋを超え、６４〜６８Ｋの範囲になっている。過
冷却液体領域を示す実質的な平衡状態は、発熱ピークに
よる結晶化を示す温度より少し低い５９６℃（８６９
Ｋ）〜６３２℃（９０５Ｋ）の広い範囲で得られた。

【００４８】次に図１０は（Ｆｅ_1-a-bＣｏ_aＮｉ_b）₇₀
Ｍ₁₀Ｂ₂₀なる組成系の合金試料におけるΔＴx（＝Ｔx−
Ｔg）の値に対するＦｅとＣｏとＮｉのそれぞれの含有
量依存性を示す三角組成図である。図１０に示す結果か
ら明らかなように、（Ｆｅ_1-a-bＣｏ_aＮｉ_b）₇₀Ｍ₁₀Ｂ
₂₀なる組成系の全ての範囲においてΔＴxの値は２５Ｋ
を超えている。更に、ΔＴxに関し、図１０に示すよう
にＦｅを多く含む組成系において大きな値になっている
ことがわかり、ΔＴxを６０Ｋ以上にするには、Ｃｏ含
有量を３原子％以上、２０原子％以下、Ｎｉ含有量を３
原子％以上、３０原子％以下にすることが好ましいこと
がわかる。

【００４９】なお、（Ｆｅ_1-a-bＣｏ_aＮｉ_b）₇₀Ｍ₁₀Ｂ
₂₀なる組成式においてＣｏ含有量を３原子％以上にする
には、（Ｆｅ_1-a-bＣｏ_aＮｉ_b）を７０原子％とするの
で、Ｃｏの組成比ａが０.０４２以上、Ｃｏ含有量を２
０原子％以下にするには、Ｃｏの組成比ａが０.２９以
下となる。また、同様にＮｉ含有量を３原子％以上にす
るにはＮｉの組成比ｂが０.０４２以上、３０原子％以
下にするには、Ｎｉの組成比ｂが０.４３以下となる。

【００５０】図１１は、Ｆｅ₅₆Ｃｏ₇Ｎｉ₇Ｚｒ_10-xＮｂ
_xＢ₂₀（x＝０,２,４,６,８,１０原子％）なる組成の合
金薄膜試料の急冷後あるいは５２７℃（８００Ｋ）で５
分間アニールした試料の飽和磁束密度および保磁力のＮ
ｂ含有量依存性と、１ｋＨｚにおける透磁率（μe）と
磁歪λｓのＮｂ含有量依存性を示す。飽和磁束密度はＮ
ｂを添加するに従い低下し、Ｎｂを含まない試料が０.
９（Ｔ）以上、Ｎｂを２原子％含む試料では約０.７５
（Ｔ）であった。また、透磁率の値は、急冷状態の試料
にあってはＮｂを含まない試料が５０３１、Ｎｂを２原
子％含む試料が２２２８であり、Ｎｂを１０原子％含む
試料においては９０６に低下した。しかし、アニールを
施すことにより透磁率は格段に向上し、特にＮｂを２原
子％含む試料にあっては２５０００程度の透磁率を得る
ことができた。

【００５１】更に、保磁力に関し、Ｎｂを含まない試料
とＮｂを２原子％含む試料はいずれも５０Ａ／ｍ（＝
０.６２５ Ｏｅ）と低い値であった。特にＮｂが２原子
％以下の試料は、５Ａ／ｍ（＝０.６２５ Ｏｅ）と非常
に良好な値を示している。更にアニールを施すとＮｂを
４原子％以上含む試料でも良好な保磁力を示した。更
に、本発明の軟磁性金属ガラス合金試料は、ビッカース
硬度を測定したところ、１３００〜１５００Ｈvを示す
ことが判明した。以上のことから前記組成の金属ガラス
合金は硬度が高く、軟磁気特性に優れていることが明ら
かになったので、この金属ガラスを用いて上部コアある
いは下部コアを構成することで、硬度が高く、軟磁気特
性に優れた上部コアと下部コアを形成できることが明ら
かになった。

【００５２】

【発明の効果】以上説明したように本発明において、Δ
Ｔ_xが２０Ｋ以上のＦｅ基金属ガラス合金からなり、外
部磁界によってインピーダンスの変化を生じる磁気イン
ピーダンス効果素子薄膜を外部磁界検出用として備えて
たものは、磁気抵抗効果よりも遥かに大きな変化を示す
ＭＩ効果を利用して磁気記録媒体からの微小な磁界に線
形応答して高感度な読出性能を得ることができる薄膜磁
気ヘッドを得ることができる。また、本発明に係る金属
ガラス合金からなるＭＩ効果素子薄膜は、正負磁界に対
するインピーダンス変化の対称性が良好であり、かつ微
弱磁界域での定量性が良好なために、高感度な読出性能
を得ることができる薄膜磁気ヘッドを得ることができ
る。

【００５３】前記で用いるＦｅ基金属ガラス合金とし
て、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの１種又は２種以上の元素
を主成分とし、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｔｉ、
Ｖのうちの１種又は２種以上の元素とＢを含むことを特
徴とするものを用いることができる。更に、前記温度間
隔ΔＴxが６０Ｋ以上であり、前記Ｆｅ基金属ガラス合
金として（Ｆｅ_1-a-bＣｏ_aＮｉ_b）_100-x-yＭ_xＢ_yなる組
成、あるいは（Ｆｅ_1-a-bＣｏ_aＮｉ_b）_100-x-y-zＭ_xＢ_y
Ｔ_zなる組成のものを用いることができ、この組成式で
表される特定組成のものを用いることで記録特性に優れ
た薄膜磁気ヘッドを得ることができる。

【００５４】次に、スライダに書込ヘッドと読出ヘッド
を設け、書込ヘッドを磁気誘導型構造とし、読出ヘッド
を磁気インピーダンス効果素子薄膜と電極膜から構成す
ることで、磁気記録媒体に対する磁気情報の書き込みが
できるとともに、磁気記録媒体からの漏れ磁界を高感度
で読出可能な薄膜磁気ヘッドを提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係る磁気インピーダンス効果素子薄
膜を備えた薄膜磁気ヘッドの一実施形態の斜視図。

【図２】 図１に示す薄膜磁気ヘッドの要部の断面図。

【図３】 図１に示す薄膜磁気ヘッドの要部の一部を断
面とした斜視図。

【図４】 図１に備えられる磁気インピーダンス効果素
子薄膜の一例を示す断面図。

【図５】 同磁気インピーダンス効果素子薄膜の他の例
を示す断面図。

【図６】 磁気インピーダンス特性の測定回路を示すも
ので、図６（Ａ）はその一例を示す回路図、図６（Ｂ）
は他の例を示す回路図。

【図７】 従来材料からなるＭＩ効果素子の磁界感応性
を示すグラフ。

【図８】 本発明のＭＩ効果素子の一例における磁界感
応性を示すグラフ。

【図９】 Ｆｅ₆₀Ｃｏ₃Ｎｉ₇Ｚｒ₁₀Ｂ₂₀、Ｆｅ₅₆Ｃｏ₇
Ｎｉ₇Ｚｒ₁₀Ｂ₂₀、Ｆｅ₄₉Ｃｏ₁₄Ｎｉ₇Ｚｒ₁₀Ｂ₂₀、Ｆｅ
₄₆Ｃｏ₁₇Ｎｉ₇Ｚｒ₁₀Ｂ₂₀なる各組成の金属ガラス合金
薄帯試料のＤＳＣ曲線を示す図。

【図１０】 （Ｆｅ_1-a-bＣｏ_aＮｉ_b）₇₀Ｍ₁₀Ｂ₂₀なる
組成系におけるΔＴx（＝Ｔx−Ｔg）の値に対するＦｅ
とＣｏとＮｉのそれぞれの含有量依存性を示す三角組成
図である。

【図１１】 Ｆｅ₅₆Ｃｏ₇Ｎｉ₇Ｚｒ_10-xＮｂ_xＢ₂₀（x＝
０,２,４,６,８,１０原子％）なる組成の試料の飽和磁
束密度および保磁力のＮｂ含有量依存性と、１ｋＨｚに
おける透磁率（μe）と磁歪（λｓ）を示す図である。

【図１２】 読出ヘッドを構成するためのＭＲ素子の一
形態を示す断面図。

【図１３】 読出ヘッドを構成するためのＭＲ素子の他
の一形態を示す断面図。

【符号の説明】

ＨＡ・・・薄膜磁気ヘッド、ｈ₁・・・ＭＩ効果素子ヘッド
（読出ヘッド）、ｈ₂・・・インダクティブヘッド（磁気誘
導型磁気ヘッド：書込ヘッド）、１０・・・ＭＩ効果素
子、１２・・・ＭＩ効果素子薄膜、１３・・・強磁性体薄膜、
１４・・・反強磁性体薄膜、１５・・・電極膜、２２・・・ＭＩ
効果素子薄膜、２３・・・磁石層（永久磁石）、２５・・・電
極膜、５０・・・磁気ヘッドコア、５１・・・スライダ、５５
・・・下部コア、６８・・・上部コア。

フロントページの続き (72)発明者 牧野 彰宏 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 井上 明久 宮城県仙台市青葉区川内元支倉35番地 川 内住宅11−806

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ΔＴ_x＝Ｔ_x−Ｔ_g（ただし、Ｔ_xは結晶化
   開始温度、Ｔ_gはガラス遷移温度を示す。）の式で表さ
   れる過冷却液体の温度間隔ΔＴ_xが２０Ｋ以上のＦｅ基
   金属ガラス合金を主体としてなり、外部磁界によってイ
   ンピーダンスの変化を生じる磁気インピーダンス効果素
   子薄膜を外部磁界検出用として備えるとともに、前記Ｆ
   ｅ基金属ガラス合金が、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの１種
   又は２種以上の元素を主成分とし、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、
   Ｈｆ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖのうちの１種又は２種以上の元素
   とＢを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 磁気媒体に媒体対向面を向けて相対移動
   するスライダに書込ヘッドと読出ヘッドが設けられ、前
   記書込ヘッドが薄膜状の上部コアと下部コアとそれらの
   間に介在された磁気ギャップとコイル導体とを具備する
   磁気誘導型構造とされ、前記読出ヘッドが磁気インピー
   ダンス効果素子薄膜とこのインピーダンス効果素子薄膜
   に接続された電極膜を具備して構成されたことを特徴と
   する請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 前記磁気インピーダンス効果素子薄膜に
   バイアス印加手段が付設されてなることを特徴とする請
   求項１または２に記載の薄膜磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 前記バイアス印加手段が、前記磁気イン
   ピーダンス効果素子薄膜に接続された永久磁石からなる
   ことを特徴とする請求項３記載の薄膜磁気ヘッド。
5. 【請求項５】 前記バイアス印加手段が前記磁気インピ
   ーダンス効果素子薄膜に積層された強磁性体薄膜とこの
   強磁性体薄膜に積層された反強磁性体薄膜とを具備して
   構成され、前記バイアスが前記反強磁性体薄膜により前
   記強磁性体薄膜に誘起させた交換結合磁界により印加さ
   れてなることを特徴とする請求項３記載の薄膜磁気ヘッ
   ド。
6. 【請求項６】 前記温度間隔ΔＴxが６０Ｋ以上であ
   り、前記Ｆｅ基金属ガラス合金が下記の組成式で表され
   ることを特徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッド。 （Ｆｅ_1-a-bＣｏ_aＮｉ_b）_100-x-yＭ_xＢ_y 但し、０≦ａ≦０.２９、０≦ｂ≦０.４３、５原子％≦
   x≦２０原子％、１０原子％≦y≦２２原子％であり、Ｍ
   はＺｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖのうちの１
   種又は２種以上からなる元素である。
7. 【請求項７】 前記温度間隔ΔＴxが６０Ｋ以上であ
   り、前記Ｆｅ基金属ガラス合金が下記の組成式で表され
   ることを特徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッド。 （Ｆｅ_1-a-bＣｏ_aＮｉ_b）_100-x-y-zＭ_xＢ_yＴ_z 但し、０≦ａ≦０.２９、０≦ｂ≦０.４３、５原子％≦
   x≦２０原子％、１０原子％≦y≦２２原子％、０原子％
   ≦z≦５原子％であり、Ｍは、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈ
   ｆ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖのうちの１種又は２種以上からなる
   元素、ＴはＣｒ、Ｗ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、
   Ｐｔ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｐのうちの１種又は２種
   以上の元素である。