JPH116752A - 熱式空気流量センサ - Google Patents

熱式空気流量センサ

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JPH116752A
JPH116752A JP9158739A JP15873997A JPH116752A JP H116752 A JPH116752 A JP H116752A JP 9158739 A JP9158739 A JP 9158739A JP 15873997 A JP15873997 A JP 15873997A JP H116752 A JPH116752 A JP H116752A
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Masamichi Yamada
雅通 山田
Kaoru Uchiyama
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 空気流量計測において信号ノイズが少なく且
つコスト低減を図った熱式空気流量センサを提供する。 【解決手段】 熱式空気流量センサ1は、半導体基板に
形成した測温抵抗体3と該半導体基板に設けた空洞5上
に形成した発熱抵抗体4とを含む測定部位を有する半導
体センサ素子2と、測温抵抗体3の温度に対して所定の
温度だけ高くするよう発熱抵抗体4に加熱電流を流す制
御を実行し空気流量を表わす空気流量信号を得る制御回
路11と、該空気流量信号を外部に出力するターミナル10
cとを備え、半導体センサ素子2及び制御回路11を、タ
ーミナル10cを形成するターミナル素材にて空洞5を塞
ぎつつ支持したものであり、閉塞することによりセンサ
の信号ノイズが少なくなり、該閉塞体や支持体等を一体
化することによって部品点数が減り、コスト低減が図ら
れる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱式空気流量セン
サに係り、特に内燃機関の吸入空気量を測定するのに好
適な熱式空気流量センサに関する。
【0002】
【従来の技術】従来より自動車などの内燃機関の電子制
御燃料噴射装置に設けられ吸入空気量を測定する空気流
量センサとして、熱式のものが質量空気量を直接検知で
きることから主流となってきている。この中で特に、半
導体マイクロマシニング技術により製造された空気流量
センサが、コストが低減でき且つ低電力で駆動すること
が出来ることから注目されてきた。
【0003】このような従来の半導体基板を用いた熱式
空気流量センサの技術は、例えば、特開平7ー1745
99号公報に開示されている。該公報における図1の
(B)に記載の従来の熱式空気流量センサの断面を図13
に示した。図13において、半導体センサ素子2は半導
体基板上に形成された発熱抵抗体3と測温抵抗体24と
熱絶縁の為にダイヤフラム6を形成する空洞5とからな
っている。また、10cが外部回路と接続するためのリ
ード(出力端子)、22が半導体センサ素子2とリード1
0cを接続する金バンプ、7がモールド材、そして、2
3はモールド材のはみ出しを防止するダム樹脂膜であ
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術では、半導体センサ素子と外部回路と接続するた
めのリードをモールド成形する例が記載されているが、
半導体センサ素子の実装構造が被測定空気流の流れに十
分考慮されておらず、流量センサの空気流量の測定精度
が十分でなく、また、空気流量を計測する回路が外部回
路となっており半導体センサ素子と別構成になっている
ことから部品点数が増えコスト高である等の問題があっ
た。
【0005】即ち、図13に示す従来例では、被測定空
気流が半導体センサ素子2に平行に(図面に対して垂直
方向に)流れるが特に空洞5の部分において凹凸の形状
によって半導体センサ素子2の下面の空気流に乱流が発
生し、ダイヤフラム6上の発熱抵抗体3の温度揺らぎに
より信号ノイズが発生し、さらには、電波妨害に関して
考慮されていないのでこの点からも信号ノイズが大きく
なるという問題がある。また、空気流量を計測する回路
が外部回路となっており半導体センサ素子と別構成にな
っていることから部品点数が増えコスト高である等の問
題がある。従って、本発明の目的は、上記従来技術の課
題を解決し、信号ノイズが少なくさらにはコスト低減が
図られる熱式空気流量センサを提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する熱式
空気流量センサは、半導体基板に形成した測温抵抗体と
該半導体基板に設けた空洞上に形成した発熱抵抗体とを
含む測定部位を有する半導体センサ素子と、前記測温抵
抗体の温度に対して所定の温度だけ高くするよう前記発
熱抵抗体に加熱電流を流す制御を実行し空気流量を表わ
す空気流量信号を得る制御回路と、該空気流量信号を外
部に出力するターミナルとを備え、前記半導体センサ素
子または前記制御回路のうちの少なくとも前記半導体セ
ンサ素子を、前記ターミナルを形成するターミナル素材
にて前記空洞を塞ぎつつ支持するものである。
【0007】そして、前記ターミナル素材は、前記半導
体センサ素子の前記測定部位と前記ターミナルの出力端
子部位とに対応する当該ターミナル素材部位を除いて、
前記半導体センサ素子及び前記制御回路と共に、電気絶
縁材からなる絶縁体で一体被覆されていることが望まし
い。更に、前記絶縁体は、一体成形可能なるモールド材
であることが好ましい。
【0008】本発明によれば、ターミナルを形成するタ
ーミナル素材にて空洞を塞ぎつつ半導体センサ素子を支
持することにより信号ノイズが少なくなり、そして、そ
のような閉塞体や支持体等を一体化することによって部
品点数が減りコスト低減が図られる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。図1は、本発明による第
一の実施例の熱式空気流量センサを示す平面図である。
図2は、図1の熱式空気流量センサのA−A’断面を示
す図である。図1,2において、熱式空気流量センサ1
は、半導体センサ素子2と、モールド材7と、制御回路
11と、 同一素材から形成されるターミナル素材とし
てのリード10(リードフレームとも呼称する)と、接続
ワイヤ12とを含み構成される。
【0010】そして、半導体センサ素子2は、シリコン
等の半導体基板の下面より異方性エッチングにより電気
絶縁膜からなるダイヤフラム6の境界面まで形成された
空洞5と、空洞5上 即ち ダイヤフラム6上に形成され
た発熱抵抗体4と、半導体基板の先端部に形成されて空
気温度を計測する為の測温抵抗体3と、各抵抗体と外部
回路等とを結ぶ配線接続端子9とを含み構成される。ま
た、制御回路11は、測温抵抗体3の温度に対して所定
の温度だけ高くするように発熱抵抗体4に加熱電流を流
す制御を実行し空気流量を表わす空気流量信号を得るも
のである。
【0011】一方、第一のリード10fは、空洞5を半
導体基板の下面から塞ぎつつ半導体センサ素子2を支持
する位置決めとしてのリード10e(少なくとも片端面)
およびリード10d(両側面)を有するものである。即
ち、第一のリード10fは、半導体センサ素子2の閉塞
体であり支持体である。また、第二のリード10aは、
半導体センサ素子2と制御回路11の回路接続を中継す
るもの(即ち、接続体)であり、 第三のリード10b
は、 制御回路11を支持するもの( 即ち、制御回路1
1の支持体)である。 そして、第四のリード10cは、
制御回路11からの空気流量信号を外部に出力するター
ミナル(即ち、接続体)である。更に、接続ワイヤ12a
は半導体センサ素子2と第二のリード10aとを回路接
続し、接続ワイヤ12bは第二のリード10aと制御回
路11とを回路接続し、接続ワイヤ12cは制御回路1
1と第四のリード10cとを回路接続するものである。
【0012】絶縁体としてのモールド材7は、エポキシ
樹脂等の一体成形可能である電気絶縁材からなり、空気
流を感知する発熱抵抗体4や測温抵抗体3などからなる
半導体センサ素子2の測定部位及び該測定部位に対面し
空洞を塞ぐターミナル素材部位と、出力端子部位として
の第四のリード10cに該当するターミナル素材部位と
を除いて、半導体センサ素子2の測定部位を除く部分,
制御回路11,リード10a,10b,10c,10fおよび接続ワイ
ヤ12a,12b,12cなどを、モールド成形にて一体に覆って
いる。
【0013】ここで、半導体センサ素子2は、以下の様
にして得られる。まず、シリコン半導体基板上に電気絶
縁体からなるダイヤフラム6として二酸化ケイ素、窒化
ケイ素等を約0.5ミクロンの厚さで熱酸化あるいはC
VD等の方法で形成する。 更に、発熱抵抗体4および
測温抵抗体3として白金等の金属薄膜或いは多結晶ケイ
素(Si)、 多結晶炭化ケイ素(SiC)等の半導体薄膜を
約0.1〜1ミクロンの厚さでスパッタ或いはCVD等
の方法で形成後、公知のホトリソグラフィ技術によりレ
ジストを所定の形状に形成した後、反応性イオンエッチ
ング等の方法により発熱抵抗体4および測温抵抗体3を
パターニングする。次に、配線接続端子9をアルミニー
ム、金等で形成した後、配線接続端子9以外の部分を保
護膜として電気絶縁体を先と同様に 約0.5ミクロンの
厚さに形成する。最後に、シリコン半導体基板の裏面よ
り二酸化ケイ素等をマスク材として、異方性エッチング
することにより空洞5を形成し、チップに切断すること
により半導体センサ素子2が得られる。
【0014】次に、図3を参照し、本発明の実施例の動
作について説明する。図3は、本発明による一実施例の
電気回路を示す図である。半導体センサ素子2の各抵抗
体と制御回路11を示した熱式空気流量センサ1の回路
図である。図において、16は電源、15は発熱抵抗体
4に加熱電流を流すためのトランジスタ、17a,17b,17c
は抵抗、 14はA/D変換器等を含む入力回路とD/
A変換器等を含む出力回路と演算処理等を行うCPU及
びメモリ回路とからなる演算回路であり、制御回路11
は、図中の破線で囲まれた回路が集積された半導体集積
回路からなる。
【0015】ここで、発熱抵抗体4、測温抵抗体3、
抵抗17a,17bよりなるブリッジ回路の中間端子B,Cの
電圧が演算回路14に入力され、発熱抵抗体4の温度が
空気温度に対応する測温抵抗体3の温度よりある一定値
(例えばΔTh=150℃)高くなるよう各抵抗17a,17b
の値が設定され演算回路14により制御される。 発熱
抵抗体4の温度が設定値より低い場合には、演算回路1
4の出力によりトランジスタ16がオンし発熱抵抗体4
加熱電流が流れ、設定温度より高くなるとトランジスタ
16がオフするように設定値に一定になるよう制御され
る。空気流が大きくなると発熱抵抗体4がより冷却され
ることから加熱電流が増大する原理により、発熱抵抗体
4に流す加熱電流値(抵抗17bの電位Cに対応)から空
気流量(Q)を計測する。
【0016】本実施例では、半導体センサ素子2として
発熱抵抗体4及び測温抵抗体3のみで構成した直熱方式
を示したが、例えば発熱抵抗体と発熱抵抗体の上下流に
測温抵抗体を配置した温度差検知方式としても、また、
上下流に一対の発熱抵抗体を配置した空気流方向と流量
を検知するような構成にしてもかまわず、少なくとも発
熱抵抗体4と測温抵抗体3を備える構成であれば良い。
また、発熱抵抗体4、測温抵抗体3として多結晶ケイ素
(Si)、多結晶炭化ケイ素(SiC)等の半導体薄膜の様に
抵抗−温度関数のリニアリテイが十分でない場合には、
予め半導体薄膜の抵抗ー温度関数および流量補正データ
を演算回路14のメモリに記憶しておけば、演算回路1
4のCPUにて演算処理することにより空気流量(Q)の
高精度計測が可能となる。
【0017】図4は、本発明による一実施例のセンサ実
装構造を示す断面図である。図1の熱式空気流量センサ
1を実装した熱式空気流量センサの実施例を断面で示し
ている。例えば、自動車等の内燃機関の吸気通路に実装
した熱式空気流量センサ1の実施例を示す断面図であ
る。 熱式空気流量センサ1は、 図のように、吸気通路
18の内部にある副通路19に半導体センサ素子2の発
熱抵抗体4と測温抵抗体3とは被測定空気流に晒される
様に配置される。測定された空気流量信号(Q)は熱式空
気流量センサ1のリード10cからエンジン制御回路に
送られる。
【0018】次に、図1に示した本発明の第一の実施例
の熱式空気流量センサ1の組立工程について説明する。
図5は、第一の実施例の熱式空気流量センサの組立工程
を示す図である。図5(a)に示す工程では、ターミナル
素材からリードフレームとしてのリード10(10a,10b,1
0c,10d,10e,10f)が形成される。 リード10は、半導体
センサ素子2を支持し位置決めするために設けた位置決
め用の リード10e,10dを有する第一のリード10f、半
導体センサ素子2と制御回路11の回路接続を中継する
ための第二のリード10a、制御回路11を支持するた
めの第三のリード10b、制御回路11の出力信号を外
部に出力する為の第四のリード10cとが外周フレーム
で一体化されている。
【0019】位置決め用のリード10e,10dは、 平面上の
リード10fがパターンニングまたは型抜きされた後に
型押しされて、半導体センサ素子2の片端面および両側
面を位置決めするように、図面に垂直方向に折曲げられ
て形成される。即ち、本発明による熱式空気流量センサ
の別の特徴は、半導体センサ素子を支持するための第一
のリード10fは、半導体センサ素子を位置決めするた
めに少なくとも半導体センサ素子の片端面または両側面
に対面するように配置されている位置決め用のリード10
e,10dを有する点にある。
【0020】図5(a)では、一個分の熱式空気流量セン
サ1のリード10を示しているが、一枚の素材に複数個
のリード10が繰り返し連接している構成にすれば、複
数個の熱式空気流量センサ1の一括自動化処理が可能に
なり、更に組立工程の生産性が向上し、熱式空気流量セ
ンサのコスト低減が図れる。
【0021】図5(b)に示す工程では、半導体センサ素
子2と制御回路11が第一のリード10fおよび第三の
リード10b上の所定の位置に配置され、半導体センサ
素子2と第二のリード10aとを回路接続する為の接続
ワイヤ12a、第二のリード10aと制御回路11を回
路接続する為の接続ワイヤ12b、制御回路11と第四
のリード10cを回路接続する為の接続ワイヤ12cが
アルミまたは金等の線材でワイヤボンドされる。
【0022】図5(c)では、半導体センサ素子2の空気
流を感知する各抵抗体3,4などからなる測定部位と第
四のリード10cの出力端子部位(外部接続部)を除い
て、半導体センサ素子2,制御回路11,リード10f,10
a,10b,10c 及び接続ワイヤ12a,12b,12cなどが、エポキ
シ樹脂等のモールド材7によって、 所定の型を用いて
一体成形されて覆われる。そして最終的に、図5(d)の
工程において、リード10の外周フレーム部分が切除さ
れて、熱式空気流量センサ1が得られる。従って、一体
成形可能なるモールド材7が、一体にかつ成形加工で各
構成部品を覆うことによって、各構成部品がバラバラと
ならないようにしっかりと纏めることになる。換言すれ
ば、ターミナルを形成するターミナル素材を閉塞体や支
持体等に利用し、そして、モールド成形にて一体化する
ことによって、部品点数を減らしコスト低減に結び付け
るものであると言える。
【0023】この様に構成された本発明の熱式空気流量
センサ1では、図1,2に示したように、半導体センサ
素子2のダイヤフラム6下の空洞5が リード10fによっ
て塞がれて空気流13に直接晒されることがないので、
従来例のような空洞部位における乱流の発生は防止さ
れ、発熱抵抗体4の熱揺らぎが少なくなるので、出力信
号のノイズの低減が図られる。また、従来例では、制御
回路11が熱式空気流量センサ1とは別構成になってい
たが、本発明では、制御回路11を半導体センサ素子2
及びリード10とモールド材7と共に一体成形したこと
により、部品点数が低減でき、組立工程の生産性が向上
することからコスト低減が可能となる。
【0024】次に、図6は、本発明による第二の実施例
の熱式空気流量センサを示す断面図である。本発明の第
二の実施例の熱式空気流量センサ1の断面を示してい
る。図6に示した第二の実施例の第一の実施例と異なる
点は、ターミナル素材から形成されるリード10aから
10fが絶縁基板8上に一体化されていることにある。
リード10a,10b,10c,10fを絶縁基板8上に一体化したこ
とにより、 リードの強度を増すことができる。また、
リード10fが絶縁基板8の先端部において折曲げられ
て、 凹状のリード10g(リード10fの一部分)が形成さ
れたことにより半導体センサ素子2が4方向(図中の前
後左右方向)の側面で位置決めされるので、位置決め作
業が確実でかつ容易となる。即ち、本発明による熱式空
気流量センサの別の特徴は、 リード10(10a,10b,10c,
10f)が絶縁基板8上にて一体化されていることにある。
【0025】図7は、第二の実施例の熱式空気流量セン
サの組立工程を示す図である。図7(a),(b),(c)に
は第二の実施例である熱式空気流量センサ1の組立工程
を示した。図7(a)に示す工程では、空洞5を塞ぎつつ
半導体センサ素子2を支持する第一のリード10f(含むリ
ード10e,10d,10g)と、 接続体のリード10aと、制御回路
11を支持する10bと、ターミナルとしての第四のリード1
0cとが、前述の様に絶縁基板8上に一体化されている。
絶縁基板8にはアルミナ等のハード材あるいは樹脂等に
よるフレキシブル材が用いられ、基板上のリード10が
所定の形状にパターニングされた後、型整形一体化され
ている。図7(b),(c)では、第一の実施例と同じ様
に、半導体センサ素子2と制御回路11が所定の位置に
配置され、接続ワイヤ12a,12b,12cが接続された後、 モ
ールド材7により所定の型を用いて一体成形される。な
お、リード10の外周フレームの削除工程の説明は省略
している。
【0026】次に、図8は、本発明による第三の実施例
の熱式空気流量センサを示す断面図である。 図9は、
第三の実施例の熱式空気流量センサの組立工程を示す図
である。図8に、本発明の第三の実施例である熱式空気
流量センサ1の断面を、図9(a),(b),(c)に組立工
程を示す。第三の実施例の図1,2に示した第一の実施
例と異なる点は、制御回路11が、第一の実施例では半
導体集積回路からなる半導体チップであったのに対し
て、第三の実施例では絶縁基板20と該基板上に配置さ
れた厚膜配線及び抵抗パターン、半導体集積回路からな
る半導体チップ、チップコンデンサ等の電気部品11a,11
b,11cからなっていること、 また、リード10の第一の
リード10f(含むリード10e,10d,10g) 及び第四のリー
ド10cを絶縁基板8上にて一体化しており、絶縁基板
8上の第一のリード10fと第四のリード10c間に、
制御回路11を固定していることである。
【0027】図9(a)に示す工程で、ターミナル素材か
ら形成されて、空洞5を塞ぎつつ半導体センサ素子2を
支持する第一のリード10f(含むリード10e,10d,10g)およ
びターミナルとしての第四のリード10cが、絶縁基板8
上にて一体化される。 図9(b),(c)では、絶縁
基板8上のリード10fとリード10c間に、絶縁基板
20と、該基板上に配置された厚膜配線,抵抗パターン,
半導体集積回路からなる半導体チップ,チップコンデン
サ等の電気部品11a,11b,11cなどからなる制御回路とが
配置された後に接続ワイヤ12a,12bが接続され、 モール
ド材7によって所定の型を用いて一体成形される。な
お、リード10の外周フレームの削除工程の説明は省略
している。
【0028】この様に構成された第三の実施例である熱
式空気流量センサ1では、制御回路が絶縁基板20上に
厚膜配線、 抵抗パターン及び電気部品11a,11b,11cから
なることにより、 多種用途に適応する場合に電気部品1
1a,11b,11cを各々の用途に適したように交換することが
可能となり、フレキシビリテーが増すと共に、抵抗パタ
ーンを調整抵抗とすることにより抵抗トリミングによる
回路調整がより精密に出来るという利点がある。すなわ
ち、本発明による熱式空気流量センサの別の特徴は、制
御回路11が、絶縁基板と該基板上に配置された厚膜配
線,抵抗パターンおよび半導体集積回路からなる半導体
チップとチップコンデンサ等の電気部品とからなること
にある。
【0029】図10は、本発明による第四の実施例の熱
式空気流量センサの組立工程を示す図である。 図10
(a),(b),(c),(d)に、本発明の第四の実施例である
熱式空気流量センサ1の組立工程を示す。 第四の実施
例は、図6,7に示した第二の実施例のリード10(即
ち、リードフレーム)と同じ構成となっており、半導体
センサ素子2と制御回路11とがリード10の所定の位
置に配置されて、接続ワイヤ12a,12b,12cが接続され
る。 図10(c)では、被測定空気流を半導体センサ素
子2の空気流を感知する各抵抗体3,4に導入するため
の 副通路19を形成するために所定の形状の副通路構
成部材19aが配置され、図10(d)では副通路構成部
材19aを含めてモールド材7により半導体センサ素子
2、制御回路11およびリード10が一体成形される。
【0030】この様に構成された熱式空気流量センサ1
では、副通路構成部材19aを含めてモールド材7によ
り半導体センサ素子2、制御回路11およびリード10
が一体成形されることから、部品点数が低減でき組立工
程の生産性が向上することからコスト低減が可能とな
る。ここで、副通路構成部材19aは図10(c)では矩
形の断面になっているが、円形断面でも、空気流を収束
させる構造でも、U字形の折り返し構造の通路形状でも
任意の形状が可能である。即ち、本発明による熱式空気
流量センサの別の特徴は、被測定空気流に晒す為の副通
路構成部材19aを、半導体センサ素子2の空気流を感
知する各抵抗体3,4とそれに付随した第一のリード1
0fと共に、モールド材7のモールド成形時に一体に成
形することにある。
【0031】図11は、本発明による第五の実施例の熱
式空気流量センサを示す断面図である。図12は、本発
明による第六の実施例の熱式空気流量センサを示す断面
図である。本発明の第五、第六の実施例である熱式空気
流量センサ1の断面を各々示す。第五、第六の実施例で
ある熱式空気流量センサ1は、更に電波妨害等の電磁ノ
イズを低減し、信号対ノイズ比をより向上するものであ
る。エポキシ樹脂等のモールド材7単体では、絶縁材で
あり十分に外部からの電磁ノイズからシールドすること
が難しく、特に自動車等の空気流量センサに適用する場
合の様に過酷な環境では問題となる。そこで、シールド
体をモールド材7で一体成形して保持するものである。
一体成形が可能であるから作業性や強度上から有効であ
る。即ち、本発明による熱式空気流量センサの別の特徴
は、絶縁体としてのモールド材7が、 制御回路11を電
磁シールドするシールド体としての導電体リード10hま
たは導電体21を包含している所にある。
【0032】図11の第五の実施例では、制御回路11
および配線接続部の電波妨害を防止するための電磁シー
ルドとして、半導体センサ素子2、制御回路11および
配線接続部の下部に導電体リード10hを配置し、モー
ルド成形時に一体成形している。導電体リード10h
は、絶縁基板8の下層として制御回路11および配線接
続部を十分に覆うように配置され、最終的には図示して
ない端子を経由してアースされ、且つ、半導体センサ素
子2の支持体としても機能している。この様に構成する
ことにより、半導体センサ素子2、制御回路11および
配線接続部が、導電体リード10hによって下部が接近
して覆われることから、外部から電磁シールドされて、
信号対ノイズ比が向上する。
【0033】図12の第六の実施例では、電磁シールド
として導電体21が制御回路11および配線接続部の上
部に配置され、モールド成形時に一体成形している。こ
の様な構成においても図11の第五の実施例と同様に、
制御回路11および配線接続部が、導電体21によって
上部が接近して覆われることから、外部から電磁シール
ドされて信号対ノイズ比が向上する。
【0034】前記第五,第六の実施例では、制御回路1
1および配線接続部を導電体リード10hと導電体21
によって上部と下部において電磁シールドする構成であ
ったが、当然のことながら上下部両方を電磁シールドす
る構成としても、効果に変わりがない。また、上記の導
電体リード10h、導電体21の様な電磁シールドする
構成に対して、制御回路11内に電磁ノイズを低減する
フィルター回路を内臓するように構成すれば、更に信号
対ノイズ比が向上する。
【0035】
【発明の効果】本発明によれば、 (1)半導体基板上に電
気絶縁膜を介して少なくも発熱抵抗体4、測温抵抗体3
および配線接続端子9を形成した半導体センサ素子2
と、測温抵抗体3の温度に対して所定の温度高く発熱抵
抗体4に加熱電流を流し空気流量を計測する制御回路1
1と、計測された空気流量信号を外部に出力する為のリ
ード10からなり、前記半導体センサ素子2の空気流を
感知する抵抗体部3,4と前記リード10の外部接続部
を除き、少なくとも半導体センサ素子2、制御回路11
およびリード10をモールド成形にて覆ったことによ
り、 (2)また、前記リード10を、少なくとも前記半導
体センサ素子を支持し位置決めするために少なくとも半
導体センサ素子の片端面および両側面に対面する様に位
置決め用のリード10e,10dが配置された第一のリ
ード10fと出力信号を外部に出力する為の第四のリー
ド10cから構成し、前記制御回路11を、半導体集積
回路からなる半導体チップ或いは絶縁基板と該基板上に
配置された厚膜配線および抵抗パターン、半導体集積回
路からなる半導体チップ、チップコンデンサ等の電気部
品から構成し、 (3)更に、被測定空気流導くための副通
路19aと前記制御回路上部或いは下部に配置された電
磁シールド用導電体10h,21或いは制御回路内に電
波妨害を防止するためのフィルター回路を内臓し前記モ
ールド成形時に一体成形したことにより、従来例では問
題になった空洞5が第一のリード10fにより覆われ空
気流の乱れが発生せずまた電磁シールド10h,21を
付加したことにより信号ノイズが少なく、且つ制御回路
が一体化されたことにより部品点数が減り、コスト低減
が図られた熱式空気流量センサが提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による第一の実施例の熱式空気流量セン
サを示す平面図である。
【図2】図1の熱式空気流量センサのA−A’断面を示
す図である。
【図3】本発明による一実施例の電気回路を示す図であ
る。
【図4】本発明による一実施例のセンサ実装構造を示す
断面図である。
【図5】第一の実施例の熱式空気流量センサの組立工程
を示す図である。
【図6】本発明による第二の実施例の熱式空気流量セン
サを示す断面図である。
【図7】第二の実施例の熱式空気流量センサの組立工程
を示す図である。
【図8】本発明による第三の実施例の熱式空気流量セン
サを示す断面図である。
【図9】第三の実施例の熱式空気流量センサの組立工程
を示す図である。
【図10】本発明による第四の実施例の熱式空気流量セ
ンサの組立工程を示す図である。
【図11】本発明による第五の実施例の熱式空気流量セ
ンサを示す断面図である。
【図12】本発明による第六の実施例の熱式空気流量セ
ンサを示す断面図である。
【図13】従来例の熱式空気流量センサを示す断面図で
ある。
【符号の説明】
1…熱式空気流量センサ、2…半導体センサ素子、3,
24…測温抵抗体、4…発熱抵抗体、5…空洞、6…ダ
イヤフラム、7…モールド材、8,20…絶縁基板、9
…配線接続端子、10,10a,10b,10c,10d,10e,10f,10g…リ
ード、10h…導電体リード、11…制御回路、11a,11b,11c
…電気部品、12,12a,12b,12c…接続ワイヤ、13…空気
流、14…演算回路、15…トランジスタ、16…電
源、17a,17b,17c…抵抗、18…吸気通路、19…副通
路、19a…副通路構成部材、21…導電体、22…金バ
ンプ、23…ダム樹脂膜。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体基板に形成した測温抵抗体と該半導
    体基板に設けた空洞上に形成した発熱抵抗体とを含む測
    定部位を有する半導体センサ素子と、前記測温抵抗体の
    温度に対して所定の温度だけ高くするよう前記発熱抵抗
    体に加熱電流を流す制御を実行し空気流量を表わす空気
    流量信号を得る制御回路と、該空気流量信号を外部に出
    力するターミナルとを備え、前記半導体センサ素子また
    は前記制御回路のうちの少なくとも前記半導体センサ素
    子を、前記ターミナルを形成するターミナル素材にて前
    記空洞を塞ぎつつ支持したことを特徴とする熱式空気流
    量センサ。
  2. 【請求項2】請求項1において、前記ターミナル素材
    は、前記半導体センサ素子の前記測定部位と前記ターミ
    ナルの出力端子部位とに対応する当該ターミナル素材部
    位を除いて、前記半導体センサ素子及び前記制御回路と
    共に、電気絶縁材からなる絶縁体で一体被覆されている
    ことを特徴とする熱式空気流量センサ。
  3. 【請求項3】請求項2において、前記絶縁体は、一体成
    形可能なるモールド材であることを特徴とする熱式空気
    流量センサ。
  4. 【請求項4】請求項2において、前記絶縁体は、前記制
    御回路を電磁シールドするシールド体を包含しているこ
    とを特徴とする熱式空気流量センサ。
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Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020033492A (ko) * 2000-10-31 2002-05-07 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 감열식 유량센서
WO2004023126A1 (ja) * 2002-09-03 2004-03-18 Ngk Spark Plug Co., Ltd. シリコン製マイクロセンサの実装方法、製造方法およびシリコン製マイクロセンサ
JP2005140544A (ja) * 2003-11-04 2005-06-02 Denso Corp 流量測定装置
KR100500095B1 (ko) * 1999-09-22 2005-07-11 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 감열식 유량 센서
US7219543B2 (en) 2004-06-18 2007-05-22 Denso Corporation Sensor device having molded signal-outputting portion
JP2008111668A (ja) * 2006-10-27 2008-05-15 Denso Corp 流量センサおよびその製造方法
JP2008164330A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 超音波流量計
US7404321B2 (en) 2005-07-29 2008-07-29 Denso Corporation Sensor device having a buffer element between the molding and the sensing element
JP2009058230A (ja) * 2007-08-29 2009-03-19 Denso Corp センサ装置の製造方法及びセンサ装置
JP2010169460A (ja) * 2009-01-21 2010-08-05 Denso Corp 流量式センサ
EP2339302A2 (en) 2009-12-11 2011-06-29 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Flow sensor, method for manufacturing flow sensor and flow sensor module
JP2012083124A (ja) * 2010-10-07 2012-04-26 Denso Corp センサ装置およびその製造方法
JP2013016686A (ja) * 2011-07-05 2013-01-24 Denso Corp モールドパッケージの製造方法
WO2013084700A1 (ja) * 2011-12-07 2013-06-13 日立オートモティブシステムズ株式会社 熱式流量計
WO2013125274A1 (ja) * 2012-02-21 2013-08-29 日立オートモティブシステムズ株式会社 熱式空気流量測定装置
WO2013151112A1 (ja) * 2012-04-06 2013-10-10 日立オートモティブシステムズ株式会社 流量センサ
JP2014059327A (ja) * 2010-10-13 2014-04-03 Hitachi Automotive Systems Ltd 流量センサモジュール
JP2015132632A (ja) * 2015-04-27 2015-07-23 日立オートモティブシステムズ株式会社 物理量測定装置
US9236276B2 (en) 2011-12-01 2016-01-12 Denso Corporation Semiconductor device and method for manufacturing the same
JPWO2013186910A1 (ja) * 2012-06-15 2016-02-01 日立オートモティブシステムズ株式会社 熱式流量計
EP2677539A4 (en) * 2011-02-15 2016-03-30 Panasonic Ip Man Co Ltd SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
JP2017044712A (ja) * 2016-12-09 2017-03-02 日立オートモティブシステムズ株式会社 物理量測定装置
JP2018004661A (ja) * 2017-10-13 2018-01-11 日立オートモティブシステムズ株式会社 物理量測定装置
JP2019138917A (ja) * 2019-04-23 2019-08-22 日立オートモティブシステムズ株式会社 物理量検出素子
JP2020041815A (ja) * 2018-09-06 2020-03-19 株式会社デンソー 物理量計測装置
DE112013002972B4 (de) 2012-06-15 2021-10-07 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Thermischer Durchflussmesser
DE112013002949B4 (de) 2012-06-15 2024-07-25 Hitachi Astemo, Ltd. Thermischer Durchflussmesser

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4609019B2 (ja) * 2004-09-24 2011-01-12 株式会社デンソー 熱式流量センサ及びその製造方法
JP4894531B2 (ja) * 2007-01-22 2012-03-14 株式会社デンソー 熱式流量センサ
JP4952428B2 (ja) * 2007-08-01 2012-06-13 株式会社デンソー センサ装置
JP5973371B2 (ja) * 2013-03-21 2016-08-23 日立オートモティブシステムズ株式会社 熱式流量計
KR101699333B1 (ko) * 2015-06-09 2017-01-24 주식회사 현대케피코 노이즈 저감을 위한 공기유량센서
JP6406396B2 (ja) * 2017-06-07 2018-10-17 株式会社デンソー 流量センサ

Cited By (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100500095B1 (ko) * 1999-09-22 2005-07-11 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 감열식 유량 센서
KR20020033492A (ko) * 2000-10-31 2002-05-07 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 감열식 유량센서
WO2004023126A1 (ja) * 2002-09-03 2004-03-18 Ngk Spark Plug Co., Ltd. シリコン製マイクロセンサの実装方法、製造方法およびシリコン製マイクロセンサ
JP2005140544A (ja) * 2003-11-04 2005-06-02 Denso Corp 流量測定装置
DE102005025667B4 (de) * 2004-06-18 2013-07-25 Denso Corporation Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung mit einem umgossenen Signalausgabeabschnitt
US7219543B2 (en) 2004-06-18 2007-05-22 Denso Corporation Sensor device having molded signal-outputting portion
US7404321B2 (en) 2005-07-29 2008-07-29 Denso Corporation Sensor device having a buffer element between the molding and the sensing element
JP2008111668A (ja) * 2006-10-27 2008-05-15 Denso Corp 流量センサおよびその製造方法
JP2008164330A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 超音波流量計
JP2009058230A (ja) * 2007-08-29 2009-03-19 Denso Corp センサ装置の製造方法及びセンサ装置
JP2010169460A (ja) * 2009-01-21 2010-08-05 Denso Corp 流量式センサ
EP2339302A2 (en) 2009-12-11 2011-06-29 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Flow sensor, method for manufacturing flow sensor and flow sensor module
CN102162744A (zh) * 2009-12-11 2011-08-24 日立汽车系统株式会社 流量传感器及其制造方法以及流量传感器组件
US11629988B2 (en) 2009-12-11 2023-04-18 Hitachi Astemo, Ltd. Flow sensor, method for manufacturing flow sensor and flow sensor module
US10921169B2 (en) 2009-12-11 2021-02-16 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Flow sensor, method for manufacturing flow sensor and flow sensor module
EP2339302A3 (en) * 2009-12-11 2011-07-06 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Flow sensor, method for manufacturing flow sensor and flow sensor module
EP3660470A1 (en) 2009-12-11 2020-06-03 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Flow sensor and method for manufacturing flow sensor
US9846067B2 (en) 2009-12-11 2017-12-19 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Flow sensor, method for manufacturing flow sensor and flow sensor module
US8969977B2 (en) 2009-12-11 2015-03-03 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Flow sensor, method for manufacturing flow sensor and flow sensor module
JP2012083124A (ja) * 2010-10-07 2012-04-26 Denso Corp センサ装置およびその製造方法
JP2014059327A (ja) * 2010-10-13 2014-04-03 Hitachi Automotive Systems Ltd 流量センサモジュール
EP2677539A4 (en) * 2011-02-15 2016-03-30 Panasonic Ip Man Co Ltd SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
JP2013016686A (ja) * 2011-07-05 2013-01-24 Denso Corp モールドパッケージの製造方法
US9236276B2 (en) 2011-12-01 2016-01-12 Denso Corporation Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9658094B2 (en) 2011-12-07 2017-05-23 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Thermal flow meter
CN103988056A (zh) * 2011-12-07 2014-08-13 日立汽车系统株式会社 热式流量计
WO2013084700A1 (ja) * 2011-12-07 2013-06-13 日立オートモティブシステムズ株式会社 熱式流量計
JP2013120103A (ja) * 2011-12-07 2013-06-17 Hitachi Automotive Systems Ltd 熱式流量計
US10345131B2 (en) 2011-12-07 2019-07-09 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Thermal flow meter
US10012522B2 (en) 2011-12-07 2018-07-03 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Thermal flow meter
CN107101685A (zh) * 2011-12-07 2017-08-29 日立汽车系统株式会社 热式流量计
CN103988056B (zh) * 2011-12-07 2016-12-14 日立汽车系统株式会社 热式流量计
CN107101684A (zh) * 2011-12-07 2017-08-29 日立汽车系统株式会社 热式流量计
US9989390B2 (en) 2012-02-21 2018-06-05 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Thermal airflow measuring device
CN110672170A (zh) * 2012-02-21 2020-01-10 日立汽车系统株式会社 热式空气流量测定装置
DE112013001060B4 (de) * 2012-02-21 2021-06-02 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Thermische Luftmengenmesseinrichtung
JP2013170915A (ja) * 2012-02-21 2013-09-02 Hitachi Automotive Systems Ltd 熱式空気流量測定装置
WO2013125274A1 (ja) * 2012-02-21 2013-08-29 日立オートモティブシステムズ株式会社 熱式空気流量測定装置
CN104094088A (zh) * 2012-02-21 2014-10-08 日立汽车系统株式会社 热式空气流量测定装置
US10670440B2 (en) 2012-02-21 2020-06-02 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Thermal airflow measuring device
CN110672171A (zh) * 2012-02-21 2020-01-10 日立汽车系统株式会社 热式空气流量测定装置
WO2013151112A1 (ja) * 2012-04-06 2013-10-10 日立オートモティブシステムズ株式会社 流量センサ
JP2013217731A (ja) * 2012-04-06 2013-10-24 Hitachi Automotive Systems Ltd 流量センサ
US9322686B2 (en) 2012-04-06 2016-04-26 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Flow sensor
JPWO2013186910A1 (ja) * 2012-06-15 2016-02-01 日立オートモティブシステムズ株式会社 熱式流量計
DE112013002972B4 (de) 2012-06-15 2021-10-07 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Thermischer Durchflussmesser
DE112013002949B4 (de) 2012-06-15 2024-07-25 Hitachi Astemo, Ltd. Thermischer Durchflussmesser
JP2015132632A (ja) * 2015-04-27 2015-07-23 日立オートモティブシステムズ株式会社 物理量測定装置
JP2017044712A (ja) * 2016-12-09 2017-03-02 日立オートモティブシステムズ株式会社 物理量測定装置
JP2018004661A (ja) * 2017-10-13 2018-01-11 日立オートモティブシステムズ株式会社 物理量測定装置
JP2020041815A (ja) * 2018-09-06 2020-03-19 株式会社デンソー 物理量計測装置
JP2019138917A (ja) * 2019-04-23 2019-08-22 日立オートモティブシステムズ株式会社 物理量検出素子

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