JPH1151256A - 半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプライン - Google Patents
半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプラインInfo
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- JPH1151256A JPH1151256A JP10110866A JP11086698A JPH1151256A JP H1151256 A JPH1151256 A JP H1151256A JP 10110866 A JP10110866 A JP 10110866A JP 11086698 A JP11086698 A JP 11086698A JP H1151256 A JPH1151256 A JP H1151256A
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- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16L—PIPES; JOINTS OR FITTINGS FOR PIPES; SUPPORTS FOR PIPES, CABLES OR PROTECTIVE TUBING; MEANS FOR THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16L3/00—Supports for pipes, cables or protective tubing, e.g. hangers, holders, clamps, cleats, clips, brackets
- F16L3/16—Supports for pipes, cables or protective tubing, e.g. hangers, holders, clamps, cleats, clips, brackets with special provision allowing movement of the pipe
- F16L3/20—Supports for pipes, cables or protective tubing, e.g. hangers, holders, clamps, cleats, clips, brackets with special provision allowing movement of the pipe allowing movement in transverse direction
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体製造工程に使用される処理流体を供給
するパイプに直接伝達される振動または衝撃等の要因を
遮断してパイプ内でパーティクルが発生することを防止
する半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプライン
を提供する。 【解決手段】 半導体装置製造工程に使用される処理流
体を供給する処理流体移送用パイプラインを設けるため
のフレーム３０を備え、このフレーム３０にパイプライ
ンの所定経路に沿って装着する支持体３２を設け、この
支持体３２の内部にパイプ３６を配設し、このパイプ３
６に振動または衝撃等が直接伝達することを遮断するた
めに支持体３２とパイプ３６との間に弾性力を有したス
プリング３８を上部及び下部に装着する。
するパイプに直接伝達される振動または衝撃等の要因を
遮断してパイプ内でパーティクルが発生することを防止
する半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプライン
を提供する。 【解決手段】 半導体装置製造工程に使用される処理流
体を供給する処理流体移送用パイプラインを設けるため
のフレーム３０を備え、このフレーム３０にパイプライ
ンの所定経路に沿って装着する支持体３２を設け、この
支持体３２の内部にパイプ３６を配設し、このパイプ３
６に振動または衝撃等が直接伝達することを遮断するた
めに支持体３２とパイプ３６との間に弾性力を有したス
プリング３８を上部及び下部に装着する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置製造設備
の処理流体移送用パイプラインに係り、より詳細には半
導体装置の製造工程に使用されるガス、ケミカル、及び
純水等の処理流体を供給するために設置された半導体装
置製造設備の処理流体移送用パイプラインに関する。
の処理流体移送用パイプラインに係り、より詳細には半
導体装置の製造工程に使用されるガス、ケミカル、及び
純水等の処理流体を供給するために設置された半導体装
置製造設備の処理流体移送用パイプラインに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体産業をはじめとする電気、電子部
品産業や製薬、遺伝子光学、航空宇宙産業、及び化工産
業等の高清浄状態の製造環境が要求される分野におい
て、超高純度ガス、高清浄ケミカル、または純水等の処
理流体の汚染管理は非常に重要である。
品産業や製薬、遺伝子光学、航空宇宙産業、及び化工産
業等の高清浄状態の製造環境が要求される分野におい
て、超高純度ガス、高清浄ケミカル、または純水等の処
理流体の汚染管理は非常に重要である。
【０００３】特に、半導体装置を製造する製造ラインで
使用されるガス、ケミカル、または純水等の処理流体
は、建物の中の安全性等の問題点により、建物の中の特
定な場所、または建物の外の所定空間に保管され、ここ
から処理装置まで特別に設計された処理流体移送用パイ
プライン（以下、パイプラインと称す）で供給される。
使用されるガス、ケミカル、または純水等の処理流体
は、建物の中の安全性等の問題点により、建物の中の特
定な場所、または建物の外の所定空間に保管され、ここ
から処理装置まで特別に設計された処理流体移送用パイ
プライン（以下、パイプラインと称す）で供給される。
【０００４】このようなパイプラインは、短い物は数十
メートル、長い物は数百メートル程度の長さに形成され
ている。ここで、半導体装置を製造する環境で最も重要
とされるパイプラインの条件は、供給地点の供給物（処
理流体）の質が最終到着地点でも同一に維持されなけれ
ばならないということである。しかし、実際には、周囲
の環境障害（例えば、振動、衝撃等）によって、供給物
を供給した地点の質を最後まで満足に保証することは困
難であるという問題点があった。
メートル、長い物は数百メートル程度の長さに形成され
ている。ここで、半導体装置を製造する環境で最も重要
とされるパイプラインの条件は、供給地点の供給物（処
理流体）の質が最終到着地点でも同一に維持されなけれ
ばならないということである。しかし、実際には、周囲
の環境障害（例えば、振動、衝撃等）によって、供給物
を供給した地点の質を最後まで満足に保証することは困
難であるという問題点があった。
【０００５】図１は、このような従来の半導体装置製造
設備の処理流体移送用パイプラインを示す斜視図であ
る。図１に示す従来の半導体装置製造設備の処理流体移
送用パイプラインは、構造物のフレーム１０に支持体１
２がネジ１４により固定されており、支持体１２とフレ
ーム１０との間にパイプ１６が配設されている。
設備の処理流体移送用パイプラインを示す斜視図であ
る。図１に示す従来の半導体装置製造設備の処理流体移
送用パイプラインは、構造物のフレーム１０に支持体１
２がネジ１４により固定されており、支持体１２とフレ
ーム１０との間にパイプ１６が配設されている。
【０００６】ここで、パイプ１６に影響を与える環境障
害、即ち、振動または衝撃等の要因は、建物の内部と建
物の外部とに存在している。建物の内部の要因として
は、給気系統、配管系統、及び排気系統等に区分される
装置によるものがある。一方、建物の外部の要因として
は、冷凍気系統、ボイラ系統等に区分される装置による
ものがある。そこで、パイプ１６を介して各目的地に供
給されるケミカル、純水等の処理流体は、パーティクル
計数機（図示しない）によってパーティクルの含有状態
がチェックされる。
害、即ち、振動または衝撃等の要因は、建物の内部と建
物の外部とに存在している。建物の内部の要因として
は、給気系統、配管系統、及び排気系統等に区分される
装置によるものがある。一方、建物の外部の要因として
は、冷凍気系統、ボイラ系統等に区分される装置による
ものがある。そこで、パイプ１６を介して各目的地に供
給されるケミカル、純水等の処理流体は、パーティクル
計数機（図示しない）によってパーティクルの含有状態
がチェックされる。
【０００７】前述した振動または衝撃等の要因によって
一次的な衝撃や持続的な衝撃が発生すると、その衝撃が
フレーム１０を介して直接パイプ１６に伝達してしま
う。このためパイプ１６の内部には、衝撃によってパー
ティクル等の汚染物質が発生してしまう。また、発生し
たパーティクルは、パイプ１６を介して供給されている
処理流体（ガス、ケミカル、純水等）により最終目的地
まで移送される。これにより、パーティクル計数機でチ
ェックされるパイプ１６内部の１分当りのパーティクル
の数は急激に増加してしまう。
一次的な衝撃や持続的な衝撃が発生すると、その衝撃が
フレーム１０を介して直接パイプ１６に伝達してしま
う。このためパイプ１６の内部には、衝撃によってパー
ティクル等の汚染物質が発生してしまう。また、発生し
たパーティクルは、パイプ１６を介して供給されている
処理流体（ガス、ケミカル、純水等）により最終目的地
まで移送される。これにより、パーティクル計数機でチ
ェックされるパイプ１６内部の１分当りのパーティクル
の数は急激に増加してしまう。
【０００８】図２は、図１に示したパイプラインに加え
られた衝撃により計数機でチェックされたパーティクル
の数の変化を示すグラフである。図２に示すグラフにお
いて、縦軸に１分当りのパーティクルの数を示し、横軸
に衝撃が加わる時間を各々示している。ここで、パイプ
ラインへの衝撃は、最初に持続的に数回の衝撃を加え、
次に一時的な衝撃が加えられ、最後に衝撃を与えずに安
定させている。このように、持続的、または一時的な衝
撃が加わると、この衝撃に比例して急激にパイプライン
内のパーティクルの汚染度が増加していることが分か
る。
られた衝撃により計数機でチェックされたパーティクル
の数の変化を示すグラフである。図２に示すグラフにお
いて、縦軸に１分当りのパーティクルの数を示し、横軸
に衝撃が加わる時間を各々示している。ここで、パイプ
ラインへの衝撃は、最初に持続的に数回の衝撃を加え、
次に一時的な衝撃が加えられ、最後に衝撃を与えずに安
定させている。このように、持続的、または一時的な衝
撃が加わると、この衝撃に比例して急激にパイプライン
内のパーティクルの汚染度が増加していることが分か
る。
【０００９】このように従来の半導体装置製造設備の処
理流体移送用パイプラインは、製造ラインでガス、ケミ
カル、または純水等の処理流体を供給する際に、衝撃が
加わり汚染度が増加しないように十分に考慮して供給し
ていた。
理流体移送用パイプラインは、製造ラインでガス、ケミ
カル、または純水等の処理流体を供給する際に、衝撃が
加わり汚染度が増加しないように十分に考慮して供給し
ていた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプラインで
は、図２に示したグラフのように、衝撃によりパイプラ
イン内で急激にパーティクルの汚染度が増加し、この処
理流体を目的地まで供給してしまうと、半導体装置の生
産収率に莫大な影響を与えるとともに、工程を実行する
クリーンルーム内部の汚染度が急激に変化してしまう問
題点があった。本発明はこのような課題を解決し、半導
体装置製造工程に使用される処理流体を供給するパイプ
に直接伝達される振動または衝撃等の要因を遮断して、
パイプ内でパーティクルが発生することを防止する半導
体装置製造設備の処理流体移送用パイプラインを提供す
ることを目的とする。
半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプラインで
は、図２に示したグラフのように、衝撃によりパイプラ
イン内で急激にパーティクルの汚染度が増加し、この処
理流体を目的地まで供給してしまうと、半導体装置の生
産収率に莫大な影響を与えるとともに、工程を実行する
クリーンルーム内部の汚染度が急激に変化してしまう問
題点があった。本発明はこのような課題を解決し、半導
体装置製造工程に使用される処理流体を供給するパイプ
に直接伝達される振動または衝撃等の要因を遮断して、
パイプ内でパーティクルが発生することを防止する半導
体装置製造設備の処理流体移送用パイプラインを提供す
ることを目的とする。
【００１１】
【発明を解決するための手段】本発明は前述した課題を
解決するため、半導体装置製造工程に使用される処理流
体をパイプにより供給する半導体装置製造設備の処理流
体移送用パイプラインにおいて、パイプを設置するため
のフレームと、このフレームに装着されてパイプを所定
経路に沿って固定するように支持する支持体と、この支
持体の内部に配設するパイプと、支持体とパイプとの間
に装着する弾性力を有した衝撃緩和部材とを備える。こ
こで、支持体は、側面及び底面を有して上面が開口した
略四角の筒状に形成され、フレームにネジにより締結し
て固定するのが好適である。また、パイプは、フレーム
と支持体との間に接触することなく、衝撃緩和部材を上
部及び下部、または上下及び左右のいずれかに装着して
支持体の中心に支持させるのが良い。また、衝撃緩和部
材は、スプリング、ゴムパッド、または空気チューブの
いずれかにより形成するのが良い。さらに、パイプは、
半導体装置製造工程に使用される処理流体である所定の
ガス、所定のケミカル、または純水のいずれかを移送す
るように設けるのが良い。
解決するため、半導体装置製造工程に使用される処理流
体をパイプにより供給する半導体装置製造設備の処理流
体移送用パイプラインにおいて、パイプを設置するため
のフレームと、このフレームに装着されてパイプを所定
経路に沿って固定するように支持する支持体と、この支
持体の内部に配設するパイプと、支持体とパイプとの間
に装着する弾性力を有した衝撃緩和部材とを備える。こ
こで、支持体は、側面及び底面を有して上面が開口した
略四角の筒状に形成され、フレームにネジにより締結し
て固定するのが好適である。また、パイプは、フレーム
と支持体との間に接触することなく、衝撃緩和部材を上
部及び下部、または上下及び左右のいずれかに装着して
支持体の中心に支持させるのが良い。また、衝撃緩和部
材は、スプリング、ゴムパッド、または空気チューブの
いずれかにより形成するのが良い。さらに、パイプは、
半導体装置製造工程に使用される処理流体である所定の
ガス、所定のケミカル、または純水のいずれかを移送す
るように設けるのが良い。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照して本発明
による半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプライ
ンの実施の形態を詳細に説明する。図３は、本発明によ
る半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプラインの
実施の形態を示す斜視図である。図３に示すように、本
発明による半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプ
ラインは、建築物等のフレーム３０に支持体３２がネジ
３４で固定され、フレーム３０と支持体３２との間にパ
イプ３６を配設し、このパイプ３６はフレーム３０と支
持体３２との間に装着されたスプリング３８によって支
持されている。
による半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプライ
ンの実施の形態を詳細に説明する。図３は、本発明によ
る半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプラインの
実施の形態を示す斜視図である。図３に示すように、本
発明による半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプ
ラインは、建築物等のフレーム３０に支持体３２がネジ
３４で固定され、フレーム３０と支持体３２との間にパ
イプ３６を配設し、このパイプ３６はフレーム３０と支
持体３２との間に装着されたスプリング３８によって支
持されている。
【００１３】ここで、支持体３２は、側面及び底面を有
しており、上面を開口した略四角の筒状に形成されてい
る。この支持体３２は、上面の開放した部位をフレーム
３０に当接させてネジ３４により締結して固定されてい
る。また、パイプ３６は、フレーム３０と支持体３２と
の間に接触することなく、スプリング３８を上部及び下
部に装着して支持体３２の中心に位置するように支持さ
れている。また、スプリング３８は、所定の発振源等か
らフレーム３０と支持体３２とに伝達された振動または
衝撃がパイプ３６に直接伝達されることを緩和して遮断
するためのものであり、スプリング３８の弾性力は振動
または衝撃の程度を考慮して設定することが望ましい。
しており、上面を開口した略四角の筒状に形成されてい
る。この支持体３２は、上面の開放した部位をフレーム
３０に当接させてネジ３４により締結して固定されてい
る。また、パイプ３６は、フレーム３０と支持体３２と
の間に接触することなく、スプリング３８を上部及び下
部に装着して支持体３２の中心に位置するように支持さ
れている。また、スプリング３８は、所定の発振源等か
らフレーム３０と支持体３２とに伝達された振動または
衝撃がパイプ３６に直接伝達されることを緩和して遮断
するためのものであり、スプリング３８の弾性力は振動
または衝撃の程度を考慮して設定することが望ましい。
【００１４】図５は、図３に示したスプリング３８の代
わりに空気チューブ４０を使用した他の実施の形態を示
す断面図である。また、図６は、図３に示したスプリン
グ３８の代わりにゴムパッド５０を使用した他の実施の
形態を示す断面図である。図５及び図６に示すように、
スプリング３８は、代替品の衝撃緩和部材として、空気
チューブ４０（図５参照）、またはゴムパッド５０（図
６参照）等が利用できる。このように、スプリング３
８、空気チューブ４０、またはゴムパッド５０等の衝撃
緩和部材は、パイプが配設される全経路にわたって設置
されていなければならない。
わりに空気チューブ４０を使用した他の実施の形態を示
す断面図である。また、図６は、図３に示したスプリン
グ３８の代わりにゴムパッド５０を使用した他の実施の
形態を示す断面図である。図５及び図６に示すように、
スプリング３８は、代替品の衝撃緩和部材として、空気
チューブ４０（図５参照）、またはゴムパッド５０（図
６参照）等が利用できる。このように、スプリング３
８、空気チューブ４０、またはゴムパッド５０等の衝撃
緩和部材は、パイプが配設される全経路にわたって設置
されていなければならない。
【００１５】図７は、図３に示したスプリング３８をＴ
型連結構造のパイプに装着した状態を示す斜視図であ
る。また、図８は、図３に示したスプリング３８をＬ型
連結構造のパイプに装着した状態を示す斜視図である。
図７及び図８に示すように、パイプ３６は、Ｔ型連結構
造またはＬ型連結構造に形成するためにパイプとパイプ
との間を連結するＴ形管６０及びＬ形管７０を利用して
いる。このようにパイプ３６には、Ｔ型またはＬ型の連
結構造においても、図７及び図８に示したようにスプリ
ング３８等の衝撃緩和部材を装着して衝撃を吸収してい
る。
型連結構造のパイプに装着した状態を示す斜視図であ
る。また、図８は、図３に示したスプリング３８をＬ型
連結構造のパイプに装着した状態を示す斜視図である。
図７及び図８に示すように、パイプ３６は、Ｔ型連結構
造またはＬ型連結構造に形成するためにパイプとパイプ
との間を連結するＴ形管６０及びＬ形管７０を利用して
いる。このようにパイプ３６には、Ｔ型またはＬ型の連
結構造においても、図７及び図８に示したようにスプリ
ング３８等の衝撃緩和部材を装着して衝撃を吸収してい
る。
【００１６】図４は、図３に示したパイプラインに加え
られた衝撃により計数機でチェックされたパーティクル
の数の変化を示すグラフである。図４に示すように、パ
イプが配設された全経路に衝撃緩和部材を装着した結
果、パーティクル計数機で計測されるパーティクルは、
持続的な衝撃、一時的な衝撃、または安定した状況で各
々発生するパーティクルの数に大きな差はなく、所定限
界値以下に検出されていることが分かる。
られた衝撃により計数機でチェックされたパーティクル
の数の変化を示すグラフである。図４に示すように、パ
イプが配設された全経路に衝撃緩和部材を装着した結
果、パーティクル計数機で計測されるパーティクルは、
持続的な衝撃、一時的な衝撃、または安定した状況で各
々発生するパーティクルの数に大きな差はなく、所定限
界値以下に検出されていることが分かる。
【００１７】このように、本発明による半導体装置製造
設備の処理流体移送用パイプラインの実施の形態による
と、衝撃緩和部材により振動及び衝撃を吸収するため、
工程に使用されるケミカル、空気、または純水等の処理
流体を供給する際、この処理流体の品質が最初の供給地
点と最終到達地点とで同一の水準で維持され、これによ
りクリーンルーム内部の環境が改善されて生産収率が向
上する。
設備の処理流体移送用パイプラインの実施の形態による
と、衝撃緩和部材により振動及び衝撃を吸収するため、
工程に使用されるケミカル、空気、または純水等の処理
流体を供給する際、この処理流体の品質が最初の供給地
点と最終到達地点とで同一の水準で維持され、これによ
りクリーンルーム内部の環境が改善されて生産収率が向
上する。
【００１８】以上、本発明によってなされた半導体装置
製造設備の処理流体移送用パイプラインの実施の形態を
詳細に説明したが、本発明は前述の実施の形態に限定さ
れるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更可
能である。例えば、スプリング、空気チューブ、または
ゴムパッド等の衝撃緩和部材をパイプの上下に装着した
実施の形態を説明したが、これに限定されるものではな
く、パイプの上下左右に衝撃緩和部材を装着しても良
い。
製造設備の処理流体移送用パイプラインの実施の形態を
詳細に説明したが、本発明は前述の実施の形態に限定さ
れるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更可
能である。例えば、スプリング、空気チューブ、または
ゴムパッド等の衝撃緩和部材をパイプの上下に装着した
実施の形態を説明したが、これに限定されるものではな
く、パイプの上下左右に衝撃緩和部材を装着しても良
い。
【００１９】
【発明の効果】本発明による半導体装置製造設備の処理
流体移送用パイプラインによると、ケミカル、ガス、空
気、または純水等のような処理流体が途中の経路で振動
または衝撃等の要因により影響を受けることがなく、パ
ーティクルの含有状態が所定の限界値以下に維持される
とともに、製造工程またはクリーンルーム等において最
適な工程環境を得ることができる効果がある。
流体移送用パイプラインによると、ケミカル、ガス、空
気、または純水等のような処理流体が途中の経路で振動
または衝撃等の要因により影響を受けることがなく、パ
ーティクルの含有状態が所定の限界値以下に維持される
とともに、製造工程またはクリーンルーム等において最
適な工程環境を得ることができる効果がある。
【図１】従来の半導体装置製造設備の処理流体移送用パ
イプラインを示す斜視図。
イプラインを示す斜視図。
【図２】図１に示したパイプラインに加えられた衝撃に
より計数機でチェックされたパーティクルの数の変化を
示すグラフ。
より計数機でチェックされたパーティクルの数の変化を
示すグラフ。
【図３】本発明による半導体装置製造設備の処理流体移
送用パイプラインの実施の形態を示す斜視図。
送用パイプラインの実施の形態を示す斜視図。
【図４】図３に示したパイプラインに加えられた衝撃に
より計数機でチェックされたパーティクルの数の変化を
示すグラフ。
より計数機でチェックされたパーティクルの数の変化を
示すグラフ。
【図５】図３に示したスプリングの代わりに空気チュー
ブを使用した他の実施の形態を示す断面図。
ブを使用した他の実施の形態を示す断面図。
【図６】図３に示したスプリングの代わりにゴムパッド
を使用した他の実施の形態を示す断面図。
を使用した他の実施の形態を示す断面図。
【図７】図３に示したスプリングをＴ型連結構造のパイ
プに装着した状態を示す斜視図。
プに装着した状態を示す斜視図。
【図８】図３に示したスプリングをＬ型連結構造のパイ
プに装着した状態を示す斜視図。
プに装着した状態を示す斜視図。
３０ フレーム ３２ 支持体 ３４ ネジ ３６ パイプ ３８ スプリング ４０ 空気チューブ ５０ ゴムパッド ６０ Ｔ形管 ７０ Ｌ形管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金 龍 錫 大韓民国京畿道平澤市振威面見山里374番 地 清都アパート３−309
Claims (12)
- 【請求項１】 半導体装置製造工程に使用される処理流
体をパイプにより供給する半導体装置製造設備の処理流
体移送用パイプラインにおいて、 パイプと、 前記パイプを設置するためのフレームと、 前記フレームに設置され、内部に配設された前記パイプ
を所定経路に沿って固定するように支持する支持体と、 前記支持体と前記パイプとの間に装着する弾性力を有し
た衝撃緩和部材と、を備えていることを特徴とする半導
体装置製造設備の処理流体移送用パイプライン。 - 【請求項２】 前記支持体は、側面及び底面を有し、上
面が開口した略四角の筒状に形成されていることを特徴
とする請求項１記載の半導体装置製造設備の処理流体移
送用パイプライン。 - 【請求項３】 前記支持体は、前記フレームにネジによ
り締結し、固定することを特徴とする請求項２記載の半
導体装置製造設備の処理流体移送用パイプライン。 - 【請求項４】 前記パイプは、前記フレームと前記支持
体との間で接触することなく前記支持体の中心に支持さ
れることを特徴とする請求項１記載の半導体装置製造設
備の処理流体移送用パイプライン。 - 【請求項５】 前記パイプは、前記衝撃緩和部材を上部
及び下部に装着して前記支持体の中心に支持されている
ことを特徴とする請求項４記載の半導体装置製造設備の
処理流体移送用パイプライン。 - 【請求項６】 前記パイプは、前記衝撃緩和部材を上下
及び左右に装着して前記支持体の中心に支持されている
ことを特徴とする請求項４記載の半導体装置製造設備の
処理流体移送用パイプライン。 - 【請求項７】 前記衝撃緩和部材は、スプリングである
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置製造設備の
処理流体移送用パイプライン。 - 【請求項８】 前記衝撃緩和部材は、ゴムパッドである
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置製造設備の
処理流体移送用パイプライン。 - 【請求項９】 前記衝撃緩和部材は、空気チューブであ
ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置製造設備
の処理流体移送用パイプライン。 - 【請求項１０】 前記パイプは、半導体装置製造工程に
使用される処理流体である所定のガスを移送するための
ものであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置
製造設備の処理流体移送用パイプライン。 - 【請求項１１】 前記パイプは、半導体装置製造工程に
使用される処理流体である所定のケミカルを移送するた
めのものであることを特徴とする請求項１記載の半導体
装置製造設備の処理流体移送用パイプライン。 - 【請求項１２】 前記パイプは、半導体装置製造工程に
使用される処理流体である純水を移送するためのもので
あることを特徴とする請求項１記載の半導体装置製造設
備の処理流体移送用パイプライン。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1997P-35476 | 1997-07-28 | ||
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