JPH11510895A - マイクロメカニック回転速度センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 シリコン（シリコン化合物あるいはシリコン・ガラス化合物）あるいは他の半導体材料からマイクロメカニックスの技術で作製された回転速度センサが提案されている。この回転速度センサは音叉の形状を有し、この音叉のほぞが半導体ウェハの表面に平行な面内にある。これ等のほぞはウェハ面に垂直な面内で励起されて振動する。音叉の懸架部の捩じれを検知するセンサ素子により、音叉懸架部に平行な軸の周りのセンサの回転の角速度が測定される。

Description

【発明の詳細な説明】 マイクロメカニック回転速度センサ この発明は、シリコン、シリコン化合物、あるいはシリコンとガラスの化合物 または他の半導体材料からマイクロメカニックの技術を用いてパターン作製され るマイクロメカニック回転速度センサに関する。 このような回転速度センサの応用分野は大変多種多様である。即ち、自動車の 分野では、走行力学制御系（ＡＢＳ，ＡＤＳ，ＡＳＳ，ＡＳＲ等），ＧＰＳを補 完する航行系、および自動車の可動部品の相互の回転速度を測定するキーとなる 量としてヨー速度、ピッチ速度およびロール速度を測定する。宇宙航行では、こ のような系は衛星の光学観察装置の焦点面を安定化したり、弾性的な部品の（減 衰しない）振動を測定して安定化するため、重量と占有場所を節約した慣性部品 （慣性プラットホーム）として使用される。 航空飛行では、飛行機の種々の部品（適応性のある翼）の相対運動を測定して 調整することが行われる。更に、応用の可能性は飛行物体の軌道安定化や航行時 に存在する。 鉄道技術では、最適なカーブ走行速度の調整のため、個別ホィール懸架部（ペ ンドリノ[Pendolino]を参照）を有する乗物のピッチ角度とロール角度、つまり 実測値を測定する。 自動制御技術では、ロボットの動きを監視し、ロボットの部品を制御する。 一般的な機械構造では、このような部品は振動測定のため（場合によっては振 動の能動的な制御も）特に運動の「回転成分」に起因した振動する弾性構造体の インピーダンスの成分を測定するために利用される。これには、特に小型化（重 量が小さく占有場所が狭い）が決定的に重要である。 最後に、例えば医療技術で、例えば患者の動きを計測して患者を監視する場合 、外科器具（最小の侵入性の外科）を制御する場合、および車椅子を調整する場 合に応用の可能性がある。 多くの応用可能性は回転速度センサに対する多くの提案を既に提示している。 回転速度を測定する種々の原理は、その間、低コストで作製したり、ビデオカ メラ、乗物あるいは他の移動物体で使用するのに考慮の対象とするため、小型化 されてもいる。圧電アクチエータやセンサ回路を持つ金属、石英、結晶シリコン および多結晶シリコンで既に実現させることが既に知られている。 ドイツ公開特許第 42 28 791号明細書(Bosch)，欧州公開特許第 05 72 976号 明細書（キャノン），ＷＯ 93/14409 号明細書(Sunstrand)には、一つまたはそ れ以上の加速度センサ（ＢＳ）を振動構造体に取り付け、系の回転時に生じるコ リオリ加速度を測定する系が開示されている。この場合、難点と見なされること は、二つのセンサが存在する構造物の剛性が保証されないか、あるいは保証する ことが困難である点にある。更に、センサの部品に対する励起運動の乱れを排除 できない。特に、どの方向にも各一つのＢＳを使用する場合には排除できない。 ドイツ公開特許第 35 09 948号明細書（Draper）および欧州公開特許第 0 422 280号（Draper）は回転速度センサを開示している。このセンサの幾何学構造は 小型化されたカルダン式懸架部（ジンバル）に立て掛けてある。全系を適当な軸 の周りに回転させると、外枠の懸架部の周りの回転振動が、内枠の懸架部の周り の回転振動にカップリングする（および／またはこの逆）。ここで難点と見なさ れることは、センサの機能を最適にするために与えられた三次元幾何学配置が機 械的な応力のない構造体あるいは一定の捩じれを伴う構造体の発生を要求する点 にある。十分大きな測定効果を得るには、センサに慣性質量を特別に配置するこ とを必要とする。このセンサをウェハ面に垂直な軸に対して対称にしてカルダン 式の構造体上に配置する必要がある。このような構造を技術的に実現することは 非常に問題がある。即ち、大きな装填数を狙ってセンサをバッチ処理で作製する には非常にコストがかかる。 ＷＯ 93/05400 号明細書(BEI-Electronics)により、静電あるいは電磁的に励 起される回転速度センサが知られている。このセンサはウェハ面内に小さな周期 的な回転運動を行うディスクで構成されている。ウェハ面に平行な軸の周りに系 が回転するとディスクを運動面に対して傾ける。この傾きはディスクの４つの弾 性的な懸架部のところの圧電抵抗センサにより測定される。種々の難点は、この センサが大きな経費を掛けてのみ機械的な応力なく作製でき、回転座標系でディ スクを傾けると、ディスクの周期的な回転運動の容量性励起の調整に非常にコス トが掛かる点にある。 欧州公開特許第 0 519 404号明細書（ホンダ）には、風力計の原理によるガス 流量センサが開示されている。このセンサでは一対の導体の差動抵抗の変化に対 する回転速度の効果を測定する。この対の導体はガスの流れるＳi 円管の壁のと ころにあり、コリオリ力によるガスの流れの方向変化を測定する。この特許明細 書に見られる難点は、ガスを供給して調整する系が付加的な駆動機構（例えば弁 および／またはポンプ）と、ガスを貯蔵したり導入したりする他の周辺器具を必 要とする点にある。これ等の部材の存在がこの特許明細書で前提条件となってい る。更に、ガスを使用すると温度に対する感度が高くなることが予測される。 既に小型化された幾何学構造と機能には、回転速度を測定する種々のタイプの 音叉センサも付属している。これ等のセンサは、例えば欧州公開特許第 0 574 1 43号明細書(Lucas)，ＷＯ 93/05401 号明細書（Draper），ドイツ公開特許第 40 22 485号明細書、ＷＰ 92/01941 号明細書(Bosch)およびドイツ公開特許第 40 41 582号明細書(Bosch)により周知である。これ等の明細書に記載されている全 ての音叉センサでは、ほぞがウェハ面に平行な振動を励起する。このセンサ系を 回転座標系に導入すると、ほぞの面内の曲がりが励起方向および／またはほぞの 懸架部の捩じれに対して垂直に作用する。 刊行物、ＷＯ 93/05401 号明細書（Draper），ＷＰ 92/01941 号明細書(Bosch )およびドイツ公開特許第 40 41 582号明細書(Bosch)は、二重（両側）に懸架さ れた音叉センサを扱っている。それ故、これ等のセンサは温度に非常に敏感であ ることを予想する必要がある。大抵の具体例で提案されているほぞの静電的な励 起と信号の読取には、制御に非常に経費の掛かる非線形性が含まれている。ＷＯ 93/05401 号明細書の具体例では、更に機械応力のないパターン構造化に問題が ある。 音叉懸架部の捩じれを圧電抵抗的な読取部を有する片側に装着された音叉セン サは、欧州公開特許第 0 574 143号明細書(Lucas)により周知である。この音叉 は内部デジタル構造体を介して静電的にウェハ面内の振動を励起する。（ウェハ 面に垂直な）センサ素子の構造体の深さが浅いため、ここでは、音叉のベースと この方向のほぞの剛性を保証するのに問題がある。しかし、この剛性は音叉の懸 架部の捩じれにより回転速度の信号を読み取るために必要である。 この発明の課題は、運動物体の回転速度（角速度）を測定するため、技術の全 ての分野で使用でき、ニミチヤ化されていて、大量生産で低価格に作製する系を 提供することにある。 上記の課題は請求の範囲の主請求項の特徴部分の構成により解決されている。 この発明の解決策により、特に以下の利点が生じる。 この解決策が低質量で対称な構造であることにより衝撃に対して頑丈であり、 コストを節約し、重量を節約し、占有場所を節約し、エネルギを節約しているの で、小型化を強力に推進できる。 この製造方法は、バッチ処理により大量の装填数と良好な再現性を達成し、コ スト上望ましい。ＣＭＯＳに適合する製造により、センサ電子回路あるいはその 部品、および他の適当なマイクロメカニック部品とのモノリシック集積性の前提 条件も保証される。 センサ電子回路あるいはその部品を頑丈で低価格の回転速度センサにする、例 えば加速度センサをマイクロ慣性部品にするモニリシック集積性は特に有利であ る。 ここに提案するセンサ幾何学配置とそれに応じたウェハ面のほぞに対するセン サ製造方法の他の特別な利点は、ほぞの設計に自由度があり、アクチエータ電子 回路（例えば圧電アクチエータ電子回路、容量性アクチエータ電子回路等）に対 して十分な面があり、フォトリソグラフィー法を使用してウェハ面内にほぞの幾 何学配置を精密に仕上がることにあり、Silicon On Insulator材料（例えば周知 のＢＥＳＯＩあるいはＳＩＭＯＸ法で作製される）を使用して埋め込んだエッチ ング阻止層を利用してほぞの厚さを高精度に調整することにあり、ほぞの面をト リミングできる点にある。 音叉懸架部の捩じれに結び付けて励起運動を読取運動から分離する。 金属や石英のセンサに比べて利点として言えることは、石英部品を電子回路と 必要なハイブリッド集積することがシリコンセンサと同じように製造のコスト低 減の潜在能力を大きく高めることはない。 この発明の他の詳細は、図面に基づき多数の実施例を検討する記載により与え られる。ここに示すのは、 図１a-c, 第一実施例の三次元表示、 a）原理の図面 b）励起モードの図面 c）読取または捩じりモードの図面 図２， 第一実施例の実施態様Ａの横断面の模式図、 図３， この発明の対象部に関する模式平面図、 図４， 図３の対象物の線分Ａ−Ａ′の横断面図、 図５， 第一実施例の実施態様Ｂの横断面の模式図、 図６， 第一実施例の評価部のブロック回路図、 図７a-c, 同調を最適化する幾何学配置の構造上の実施態様、 a）Ｕ字輪郭形状 b）捩じり条片の輪郭形状 c）トリミング質量を伴うほぞ 図８a-b, 差動信号を形成する実施態様 a）二つのエッチング溝内の逆配置 b）一つのエッチング溝内の逆配置 図９a-e, 励起に対する実施態様 a）熱機械的（形状記憶、類似の構造） b）磁歪的 c）静電的 d）均一磁場で電磁的 e）不均一磁場で電磁的 図１０a-c,読取機構の実施態様、 a）静電的 b）光学的（干渉計）および c）圧電的 図１１a-d,モノリシック集積の実施態様（特に感度方向がウェハ面に垂直なＤ ＲＳおよびＢＳ） a）熱機械的（形状記憶、類似の構造） b）磁歪的 c）静電的 d）均一磁場で電磁的 である。 先ず、機能の原理を図１に基づき説明する。 以下でこのセンサ配置により詳しく説明する角速度（回転速度）を測定する可 能性は、コリオリ効果を利用している点にある。図１a-c にはセンサの幾何学配 置が示してあり、基礎となる機能原理が非常に単純な形にして示してある。 このセンサは二重ほぞＺ1 とＺ2 を有する音叉Ｓで構成されている。これ等の ほぞの足元、つまりベースＢは捩じり条片Ｔに懸架されている。この条片自体は 上部ウェハＯＷと下部ウェハＵＷで形成される大きな支持構造体につながってい る。音叉Ｓの上部のほぞＺ1 には、ほぞを励起するアクチエータ層あるいはアク チエータ素子が付けてある。捩じり条片Ｔには、信号を検出するため、つまり捩 じれを測定するため感度の高い層Ｓがある。 コリオリ効果を利用する基本的な前提条件は音叉信号を励起することにある。 これに対応する励起モードあるいは音叉モードは図１b に模式的に示してある。 回転速度ωで捩じり条片の長手軸（ｘ軸）の周りに回転する系にこの種の振動セ ンサを導入すると、ウェハ表面（ｘ−ｙ面）に垂直に行われるほぞＺ1 とＺ2 の プッシュプル振動のために、ｘ軸周りのトルクＤが構造体に働く。この周期的な トルクは捩じり条片Ｔに回転振動を与える。これに相当する捩じりモードあるい は読取モードが図１c に示してある。回転振動の振幅は測定すべき回転速度とほ ぞの速度ｖに直接比例している。 回転速度ωを測定する多くの可能性の一つは、図１a に示すように、捩じり条 片の回転振動により誘起する機械的な剪断応力を圧電抵抗測定することにある。 できる限り大きな測定信号を得るため、励起モードあるいは読取モードの固有周 波数を幾何学的な最適化の枠内で互いに調整する必要がある。この励起自体はで きる限り共振状態で行うべきである。読取モードの良さ（Ｑ値）は信号を最大に するためできる限り大きくすべきである。回転方向は捩じり振動の位相位置から 測定できる。 以下では、第一実施例を二つの実施態様に付いて説明する。二つの実施態様は 、第一実施態様Ａで音叉懸架部の厚さが音叉構造体の厚さに等しいことにより異 なる（図１〜４）。 これに反して、実施態様Ｂでは音叉懸架部の厚さが音叉構造体の厚さより小さ い。つまり、捩じり条片Ｔに刻み目が付けてある（図５）。 共通な構成は以下の点にある。 音叉（センサ手段の部品）は二つのＳi ウェハで形成されている。この構造は （シリコンおよび／またはガラスから成る）ベースウェハとカバーウェハで重ね て作製され、センサの空洞を排気でいるように中間部品にボンディングされてい る（図４）。ボンドフレームはボンドフレーム領域の適当な添加プロファイルを 通して真空封止して電気的にトンネル通されている（図４）。一つのほぞの励起 は、例えばＡlＮ，ＺnＯ₂，ＰＺＴ等から成る圧電薄膜Ａにより行われる（図１ 〜４）。この圧電薄膜Ａは添加されたシリコン（図４）あるいは導電性薄膜を介 して下方に、導電性薄膜を介して上方に接触している。捩じれ条片Ｔ（あるいは 音叉の懸架部）の表面での剪断応力の読取は圧電抵抗的に行われる。これには、 圧電抵抗の四隅で接触することが必要である（図３）。結局、この系は共振アク チエータセンサ系として動作する（図１）。 実施態様ＡとＢに共通に当てはまることは以下の点にある。 半導体産業で普通であり、従来の技術である製造方法が使用され、バッチ処理 でフォトリソグラフィーの完全なウェハ処理をベースにした特別なマイクロメカ ニック処理工程により拡張されている。 初期材料としては、場合によって、埋め込んだ薄膜を有する二つのシリコンウ ェハを使用する。これ等の薄膜は非等方性の湿式化学的エッチングでエッチング を阻止するのに適している。自由に選択できるが、どの添加方式や添加濃度でも 対称な厚さを持つＳＯＩと称する単結晶シリコン（場合によっては、多結晶シリ コンも），好ましくは(100)シリコンを使用すると有利である。 図６は、ブロック回路に基づき、圧電励起と圧電抵抗性の読取を組み合わせる この発明により提唱する読取原理を示す。 ほぞＺ1 とＺ2 を一定振幅の共振励起にするため、圧電層の固有容量と浮遊容 量を補償する時に電流と電圧の間の位相差を０°にする必要がある。これは、例 えば位相補償器により電圧制御された発振器（ＶＣＯ）の周波数追従により得ら れる。第二の可能性は振動系の帰還分岐路の回路にある。ほぞＺ1 とＺ2 の振幅 安定性はピエゾ電流に応じてピエゾ電圧を追従して保証される。初段増幅し、帯 域通過濾波を行った後、圧電抵抗センサの出力信号にほぞの 90 °位相のずれた 励起信号を乗算する。位相同期した整流により、センサの機械的な擾乱を低減で きる。乗算器には帯域制限のため低域フィルタが後続している。必要であれば、 センサを束縛された形として設計することができる。従って、感度と分解能を高 めることができる。 以下に、この発明の対象物の他の実施態様を提案する。 初期材料としては、使用するシリコンウェハをシリコンのエピタキシャル成長 でも補充できる。提示する材料の代わりに、電気化学的にエッチング阻止するた め埋め込んだ p/n接合も使用できる。 幾何学配置に関して、説明したほぞの板状の長方形の構造の代わりに、例えば 図１０a に示すように、狙い通りに減衰させるため、あるいは静電励起や読取の ために付加的な翼構造あるいは片持ち梁も使用できる。 更に、捩じれ条片やほぞの周波数とモード形状を設定したり可変する他の構造 上の処置は図７a-c のように提唱される。つまり、ほぞや捩じれ条片の幾何学配 置に関して、あるいはウェハ面の長方形からずれた、例えばフォーク状の幾何学 関係に付いて提唱される。 ほぞは、例えば図７a のＵ字輪郭形状、中空輪郭形状、Ｈ字輪郭形状等のよう な所定の輪郭形状で形成できる。 更に、捩じれ条片Ｔの横断面は、例えば図７f に示すように、中空輪郭形状に 形成できる。音叉ベースの幾何学配置、特に長さは所定の材料特性に合わせると よい。更に、音叉のほぞに、図７c のように、後で調整するための質量Ｍがある とよい。 機械的な擾乱は捩じれ条片の上で圧電抵抗素子を適当に設計することにより最 小にできる。更に、音叉の懸架部の曲げ応力を測定するため縦方向または横方向 のＰＲ効果を利用する一つまたはそれ以上の圧電抵抗を取り付けて、機械的な擾 乱を測定できる。 最後に、図８a と８b から理解できるように、差動信号、例えばオフセット信 号を形成するため多数のセンサ素子を使用することもできる。 励起機構や読取機構にも種々の実施態様が可能である。 図９a により、埋め込んだ抵抗あるいは薄膜抵抗により熱機械的に励起できる 。図９b には磁歪薄膜、ＴbＦe，ＳmＦe，(ＴbＤy)Ｆe による磁気励起が示して ある。図９d には、例えば均一磁場内の導体ループによる電磁励起が、また図９ e には、例えばほぞの動きに平行な不均一磁場内のコイルによる電磁励起が示し てある。最後に、図９a のように装置内に形状記憶材料も使用できる。 更に、使用するどんなアクチエータ薄膜も音叉の一方のほぞ、あるいは両方の ほぞに取り付けることもできる。 読取の場合にも多数の実施例が可能である。これ等は図１０a-d に提示されて いる。 図１０a の読取は静電的に行われる。この場合、付加的な「翼面」があると有 効である。 更に、読取は光学的、例えば反射層とビーム偏向角により、あるいは光学特性 が層の機械応力に依存する層により、あるいは図１０b のようにマイケルソン干 渉計の構成要素である層により行われる。 最後に、図１０c によれば、圧電読取が可能である。 前記実施例の各々を縛り付けたセンサで構成することも原理的に可能である。 縛り付ける場合に共通に当てはまることは、捩じれ運動が反作用の力で補償され る点にある。そうすると、駆動量は測定量に比例する。この方法では、縛り付け ていないセンサの場合よりも高い感度と分解能が得られる。この力の補償は、静 電的な実施例の場合（図１０a ）や圧電的な実施例の場合（図１０b ）に直接可 能である。何故なら、説明した検知素子は駆動部材としても直ちに使用できるか らである。残りの実施例では、必要な駆動部材は適当に補足される。 図１１a-d に基づき種々の集積の実施態様を説明する。 図１１a によれば、センサ電子回路あるいはこの電子回路の部品を回転速度セ ンサと共にチップの上に集積できる。図１１b の実施例では、角速度の複数の成 分を同時に測定するため少なくとも二つの回転速度センサが組み込まれている。 図１１c の他の実施例では、一つのＤＲＳ1 と少なくとも一つの加速度センサ（ ＢＳ）が同じチップの上に集積されている。この場合、ウェハ面内に、あるいは ウェハ面に垂直な感度方向を持つＢＳが配置されている。この種の集積されたマ イクロ系は、例えば反遠心系の中にヨー速度と横加速度を測定するために使用で きる。 図１１d では、マイクロ系が少なくとも二つのＤＲＳと、少なくとも二つの加 速度センサと、これ等のセンサに付属し、角速度の二つの成分とウェハ面内の加 速度およびウェハ面に垂直な加速度を正確に測定する電子回路とで構成されてい る。 幾何学関係を最適にすることにより、励起モードと読取モードの固有周波数は センサの使用範囲にとって問題となる擾乱スペクトルの外にあるように設定され る。従って、ロックイン原理による周波数選択測定の枠内で、横方向の加速度に 対する不感性が向上する。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ローゼ・マティアス ドイツ連邦共和国、Ｄ−85604 ツォルネ ディング、ヴァッサーブルガー・ラントス トラーセ、１ (72)発明者 シュテンツェル・エルヴィン ドイツ連邦共和国、Ｄ−82041 ダイゼン ホーフェン、ティジンストラーセ、17 (72)発明者 シャルク・ヨーゼフ ドイツ連邦共和国、Ｄ−84051 アルトハ イム、アム・アンゲル、２ (72)発明者 クプケ・ヴィンフリート ドイツ連邦共和国、Ｄ−85521 オットー ブルーン、リィビッヒヴェーク、４ (72)発明者 ザイデル・ヘルムート ドイツ連邦共和国、Ｄ−82319 シュタル ンベルク、モースビィッヒルストラーセ、 １

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．シリコン、シリコン化合物、あるいはシリコン・ガラス化合物あるいは他の 半導体材料から成る部品をマイクロメカニックスの技術を用い形成されているマ イクロメカニック回転速度センサにおいて、 −ほぞ（Ｚ1,Ｚ2）が半導体ウェハの表面（ＯＷ，ＵＷ）に平行な面内にある 音叉（Ｓ）の形状である回転速度センサであり、 −これ等のほぞ（Ｚ1,Ｚ2）をウェハ面に垂直な面内で励起して振動させるこ とができ、 −音叉の懸架部に平行な軸の周りにセンサの回転の角速度を測定するセンサ素 子（Ｓ）を有する、 ことを特徴とする回転速度センサ。 ２．センサ素子は音叉の懸架部の捩じれを感知することを特徴とする請求の範囲 第１項に記載の回転速度センサ。 ３．センサ素子は単結晶Ｓi で作製されていることを特徴とする請求の範囲第２ 項に記載の回転速度センサ。 ４．センサ素子は、例えば多結晶Ｓi，ＳiＣ，窒化シリコン、二酸化シリコン、 ＧaＡs，石英、ＡlＮ，ＰＺＴあるいは金属のようなマイクロメカニックスで作 製される他の材料で構成されていることを特徴とする請求の範囲第２項に記載の 回転速度センサ。 ５．音叉は、場合によっては、ベースウェハとカバーウェハの間にある埋め込ん だ層を伴う二つのシリコンウェハで構成され、音叉を取り囲む空洞を排気できる ように部品が接続されていることを特徴とする請求の範囲第３項または第４項に 記載の回転速度センサ。 ６．音叉の一つのほぞの励起は圧電薄膜により行われ、捩じり条片の剪断応力の 読取は圧電抵抗で行われることを特徴とする請求の範囲第１〜５項の何れか１項 に記載の回転速度センサ。 ７．捩じれ条片（Ｔ）の横断面は中空輪郭形状に形成されていることを特徴とす る請求の範囲第１〜６項の何れか１項に記載の回転速度センサ。 ８．少なくとも一つのほぞ（Ｚ1）の横断面はＵ字輪郭形状であることを特徴と する請求の範囲第１〜７項の何れか１項に記載の回転速度センサ。 ９．少なくとも一つのほぞ（Ｚ1）には調整質量が設けてあることを特徴とする 請求の範囲第１〜８項の何れか１項に記載の回転速度センサ。 10．音叉の一つのほぞの励起は、埋め込んだ加熱抵抗あるいは薄膜抵抗により熱 機械的に行われることを特徴とする請求の範囲第１〜９項の何れか１項に記載の 回転速度センサ。 12．音叉の一つのほぞの励起は、磁歪層により磁気的に行われることを特徴とす る請求の範囲第１〜１１項の何れか１項に記載の回転速度センサ。 13．音叉の一つのほぞの励起は、励起電極により静電的に行われることを特徴と する請求の範囲第１〜１２項の何れか１項に記載の回転速度センサ。 14．音叉の一つのほぞの励起は、磁場内の導体ループにより電磁的に行われるこ とを特徴とする請求の範囲第１〜１３項の何れか１項に記載の回転速度センサ。 15．捩じり条片の剪断応力の読取は静電的に行われることを特徴とする請求の範 囲第１〜１４項の何れか１項に記載の回転速度センサ。 16．捩じり条片の剪断応力の読取は反射層とビームの偏向により光学的に行われ ることを特徴とする請求の範囲第１〜１５項の何れか１項に記載の回転速度セン サ。 17．反射層は干渉計の構成要素であることを特徴とする請求の範囲第１６項に記 載の回転速度センサ。 18．捩じり条片の剪断応力の読取は圧電的に行われることを特徴とする請求の範 囲第１〜１７項の何れか１項に記載の回転速度センサ。 19．駆動電子回路あるいは読取電子回路の少なくとも一部はチップの上に回転速 度センサと共に集積されていることを特徴とする請求の範囲第１〜１８項の何れ か１項に記載の回転速度センサ。 20．回転速度センサは少なくとも一つの他の回転速度センサと共にチップの上に 集積されていることを特徴とする請求の範囲第１〜１９項の何れか１項に記載の 回転速度センサ。 21．回転速度センサは少なくとも一つの加速度センサ（ＢＳ）と共にチップの上 に集積されていることを特徴とする請求の範囲第１〜２０項の何れか１項に記 載の回転速度センサ。 22．回転速度センサは少なくとも一つの加速度センサ（ＢＳ）および一つの回転 速度センサ（ＤＲＳ）と共にチップの上に集積されていることを特徴とする請求 の範囲第１〜２１項の何れか１項に記載の回転速度センサ。 23．音叉懸架部の厚さは音叉構造体の厚さに等しいことを特徴とする請求の範囲 第１〜２２項の何れか１項に記載の回転速度センサ。 24．音叉懸架部の厚さは音叉構造体の厚さより小さいことを特徴とする請求の範 囲第１〜２３項の何れか１項に記載の回転速度センサ。 25．捩じりに関して束縛されたセンサとして形成されていることを特徴とする請 求の範囲第１〜２４項の何れか１項に記載の回転速度センサ。