JPH11503296A - 集積回路全波整流器 - Google Patents

集積回路全波整流器

Info

Publication number
JPH11503296A
JPH11503296A JP8527394A JP52739496A JPH11503296A JP H11503296 A JPH11503296 A JP H11503296A JP 8527394 A JP8527394 A JP 8527394A JP 52739496 A JP52739496 A JP 52739496A JP H11503296 A JPH11503296 A JP H11503296A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pair
transistors
transistor
wave rectifier
full
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8527394A
Other languages
English (en)
Inventor
シェーレン、ヨス
Original Assignee
ブリティッシュ・テクノロジー・グループ・インター−コーポレート・ライセンシング・リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ブリティッシュ・テクノロジー・グループ・インター−コーポレート・ライセンシング・リミテッド filed Critical ブリティッシュ・テクノロジー・グループ・インター−コーポレート・ライセンシング・リミテッド
Publication of JPH11503296A publication Critical patent/JPH11503296A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/0701—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips at least one of the integrated circuit chips comprising an arrangement for power management
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/02—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal
    • H02M7/04—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/12—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/21—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M7/217—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M7/219—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only in a bridge configuration
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S13/00—Systems using the reflection or reradiation of radio waves, e.g. radar systems; Analogous systems using reflection or reradiation of waves whose nature or wavelength is irrelevant or unspecified
    • G01S13/74—Systems using reradiation of radio waves, e.g. secondary radar systems; Analogous systems
    • G01S13/75—Systems using reradiation of radio waves, e.g. secondary radar systems; Analogous systems using transponders powered from received waves, e.g. using passive transponders, or using passive reflectors
    • G01S13/751—Systems using reradiation of radio waves, e.g. secondary radar systems; Analogous systems using transponders powered from received waves, e.g. using passive transponders, or using passive reflectors wherein the responder or reflector radiates a coded signal
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S13/00—Systems using the reflection or reradiation of radio waves, e.g. radar systems; Analogous systems using reflection or reradiation of waves whose nature or wavelength is irrelevant or unspecified
    • G01S13/74—Systems using reradiation of radio waves, e.g. secondary radar systems; Analogous systems
    • G01S13/75—Systems using reradiation of radio waves, e.g. secondary radar systems; Analogous systems using transponders powered from received waves, e.g. using passive transponders, or using passive reflectors
    • G01S13/751—Systems using reradiation of radio waves, e.g. secondary radar systems; Analogous systems using transponders powered from received waves, e.g. using passive transponders, or using passive reflectors wherein the responder or reflector radiates a coded signal
    • G01S13/758—Systems using reradiation of radio waves, e.g. secondary radar systems; Analogous systems using transponders powered from received waves, e.g. using passive transponders, or using passive reflectors wherein the responder or reflector radiates a coded signal using a signal generator powered by the interrogation signal
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/0723—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips the record carrier comprising an arrangement for non-contact communication, e.g. wireless communication circuits on transponder cards, non-contact smart cards or RFIDs
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/02—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal
    • H02M7/04—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/12—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/21—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M7/217—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M7/219—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only in a bridge configuration
    • H02M7/2195—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only in a bridge configuration the switches being synchronously commutated at the same frequency of the AC input voltage

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Near-Field Transmission Systems (AREA)
  • Radar Systems Or Details Thereof (AREA)
  • Rectifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 ＣＭＯＳ技術で構成することができる集積回路全波整流器は、交流入力信号の対向する半サイクルでスイッチするように構成され、ゲートを接続して対向する半サイクルを受取るように構成されたＮチャンネルトランジスタの第１の対(104,106)；および対向する半サイクルでスイッチするように構成され、共通のドレーンモードで接続されたＮチャンネルトランジスタの第２の対を含む。回路は、対向する半サイクルで動作するように構成されたＮチャンネルトランジスタの第３の対(112,114)および第４の対(118,120)を含む電圧制限回路を用意することができ、各対の第１のトランジスタ(114,120)は共通のドレーンモードで接続され、各対の他方のトランジスタ(112,118)のゲートはＰチャンネルトランジスタ(110)から供給され、Ｐチャンネルトランジスタはそのゲートから基準電圧を供給される。

Description

【発明の詳細な説明】 集積回路全波整流器 本発明は、整流器、とくに集積回路内に構成される整流器、より詳しくはＣＭ ＯＳ技術で構成される集積回路に関する。 通常、整流はダイオードを使用して行われるが、ある型式の集積回路、とくに ＣＭＯＳでは、ダイオードは存在しない。複雑な回路が集積回路内で構成される とき、整流回路を別の技法で用意しなければならないとするのは不都合である。 本発明の目的は、ＣＭＯＳで構成できる整流回路を提供することである。 さらに、ＣＭＯＳ回路を含む集積回路では、破損を避けるために印加される電 圧レベルを制限しなければならないことが知られている。ＣＭＯＳ回路は、最大 ４０Ｖで動作することができ、それよりも著しく低い最大電圧、例えば３Ｖだけ が必要とされることも多い。 本発明の別の目的は、整流回路に接続され、ＣＭＯＳ技術で構成可能な電圧制 限回路（リミタ）を提供することである。 集積された整流回路は、文献(Patent Abstract of Japan，volume 012，No.28 7(E-643)，1988 年 8月 5日、およびJP-A-63 064572，田村電機製作所)で開示さ れており、全てのトランジスタは同じ型ではなく、都合悪く、それらを全て同じ シリコンウエル上に配置することはできないので、電圧保護を最大にすることは できない。 FR 2 520 950 Ates.では、トランジスタブリッジ整流回路が開示されているが 、この回路を集積回路内に構成することはできない。 本発明によると、集積された全波整流器は１対のトランジスタを含み、交流入 力信号の対向する半サイクルでスイッチするように構成されており、トランジス タの第１の対と同じ型の第２の対は電流制限モードで構成され、同様に前記信号 の対向する半サイクルで動作する。 好ましくは、このトランジスタは全てＮチャンネルトランジスタであり、その 第１の対は前記交流入力信号の対向する半サイクルを受取るように接続されたゲ ートを有し、また第２の対は共通のドレーンモードで接続されている。 好ましくは、この回路はＣＭＯＳ技術で構成される。 好ましくは、上述の全波整流器に接続された電圧制限回路も提供され、それは 二次コイルによって印加される電圧が所定のレベルを超えたときに、電流制限回 路トランジスタのゲートを接地に接続するように構成されたデプレッショントラ ンジスタで構成されている。 本発明のＣＭＯＳ全波整流器および電圧制限回路の長所は、集積回路が変圧器 を必要とせずにこの回路を介して本線の電圧に接続できることである。この回路 は１１００Ｖまでの電圧で、通常は列車および路面電車電源に使用される６００ Ｖの電圧で使用することができる。 液晶ディスプレイドライバ、リフト、またはエレベータ制御、および交流エン ジンといった多様なＩＣの制御回路が全て変圧器を必要とせずに制御される装置 に直接に接続することができるのが本出願の長所である。 例えば、電車又は路面電車の６００Ｖ電源のサイリスタ制御に応用されるとき 、サイリスタゲートがこの集積回路に接続されるので、サイリスタは２つのみの ピンで動作できるという別の長所がある。これは、M.-L Bendaas、他による文献 （"Safe and Time Optimized Power Transfer Between Two Induction Loads Su pplied by ａ Generator"、IEEE Transactions on Industrial Electronics．Vo l.42，No.5，1995年10月）で開示された構造と対照的である。本発明の構造も、 従来の回路よりも著しく簡単であり、従来技術の回路は制御コンピュータとサイ リスタのゲートとのガルバーニ（直流電気）分離のためのインターフェイスボッ クスを動作する変圧器および関係する電源を必要としている。 別の応用は電源用の計器である。 別の応用では、例えば太陽電池からの直流電力が交流電力に接続されるときに 、変圧器を使用せず、かつそれに関連して電力損失なしに、本発明の回路を使用 することができる。 別の応用は技術的に可能であるが、電圧分離に関する安全規則が販売を規制す ることもある。 ここで本発明を添付の図面を引用して例としてのみ記載する。 図１は、電子識別システムの概略図である。 図２は、図１のシステムをより詳細に示した図である。 図３（ａ）は、ＣＭＯＳ技術で実行することができる半導体全波整流器および 過電圧保護回路の概略図である。 図３（ｂ）および（ｃ）は、図３（ａ）の回路の種々の部分の電圧サイクルを 示している。 図３（ｄ）および（ｅ）は、図３（ａ）の回路の動作中の相対的な電圧の大き さを示している。 図４は、サイリスタ制御電源における本発明の応用を示す。 図１は、インターロゲータ（応答指令信号発生器）10およびパッシブ（受動） トランスポンダ12を含む電子識別システムを示している。インターロゲータは、 参照符号14で示されるように、例えば１５０乃至２５０kHz でトランスポンダに 電力を送り、トランスポンダはこの電力を使用して、既知の技術によって振幅、 周波数、または位相変調により、例えば数百MHz で識別信号16を送信する。 図２は、本発明の第１の態様によるトランスポンダ12を一層詳細に示している 。トランスポンダは３つのアンテナ18,20,22を有し、それぞれはＬＣ回路の形態 であり；アンテナ18は電力アンテナで成り；アンテナ20はデータ受信アンテナで 成り；アンテナ22はデータ送信アンテナを構成している。典型的にはアンテナ18 ,20,および22の各コイル内の巻線数は、１２０：３０：６０である。 電力アンテナ18は、全波整流回路26を介して電力用ストレージキャパシタ24に 接続されており；ここで回路26は４つのダイオードによって示されており、後に 図３ａを引用して一層詳細に記載する。 データ受信アンテナ20はデータ入力回路28に、データ送信アンテナ22はデータ 出力回路30に接続されている。全ての４つの素子（完全体,integer）は電力キャ パシタ24からの電力を供給され、図示されているように、キャパシタ24、入力お よび出力回路28,30は、集積回路（ＩＣ）32として形成されている。 図２もインターロゲータ10の一部分を示しており、そこでは送信アンテナ34は ＩＣ36に接続され、ＩＣ36は通常の直列又は並列データライン38によって信号処 理回路（図示されていない）に接続されている。 動作するときは、アンテナ34は交番磁界を放射して、３つのアンテナ18,20,22 のコイル内にエネルギーを誘起し；電力アンテナ18が実質的に最大数のコイルを 含んでいるので、それが最大量のエネルギーを受取り、このエネルギーは回路26 によって整流され、トランスポンダ12の全ての素子に対する電力源として機能す るキャパシタ24によって蓄積される。 データ受信アンテナ20はより少ない量のエネルギーを受取り、変調信号はアン テナ20に接続された回路28によって変換される。応答して、回路30は識別信号を 変調し、この信号はデータ送信アンテナ22によって送信され、アンテナ34によっ て受信され、その後デコードされてトランスポンダ12を識別する。 インターロゲータ10内では、集積回路36は、データラインインターフェイス42 を介してデータライン38およびデータバファ44に接続されたマイクロプロセッサ 40を含んでおり；バッファ44はデジタル信号解析部46に、デジタル信号解析部46 は出力送信機48に接続され、この出力送信機48はマイクロプロセッサ40およびア ンテナ34の一方の側に接続され；さらにアンテナ34は集積ローカルオシレータ49 に接続されている。 動作するとき、データライン38から送信されてアンテナ34によって受信される データ、すなわちアンテナ34によって受信されるデータは、バッファ44に蓄積さ れ；アンテナ34はデータを送信するために、しかるべく変調し；受信されたデー タはデジタル信号解析部46によって解析される。 図２に示されているトランスポンダの主要な特徴は、それをＣＭＯＳ内に構成 できることである。電力アンテナ18に供給される電力は交流であるので、整流し なければならない。さらに、ＣＭＯＳ技法は低電圧、しばしばたった５Ｖで動作 する。ＩＣがより高い電圧を受取るときは、それはひどく損傷する。実際に使用 するときはインターロゲータ10からトランスポンダ12への距離が著しく変化する ことができるので、容易に上述のようになる可能性がある。したがって電圧制限 回路が必要とされる。 これらの機能の両方を実行し、ＣＭＯＳ内に構成可能な適切な回路は、図３に 示されている。全波整流器（図２の参照符号26で概略的に示されている）をＣＭ ＯＳ内に構成することができる。それは、ブリッジ26のダイオードの代りに４つ のＮチャンネルトランジスタ102,104,106,108 を具備している。 トランジスタ104,106 は、それらのゲートを電力アンテナ18の二次巻線18ａの 両端部に接続して、スイッチとして機能する。トランジスタ102,108 は、共通の ドレーンモードで接続されている。４つのトランジスタは一緒に、整流回路を形 成している。 一方の半サイクル、例えばコイル18ａの左側が正であるとき、電流はトランジ スタ102 を通って電力キャパシタ24の一方の側に流れ；そのゲート上の電圧によ ってトランジスタ104 は閉じられたままになるので、電流はトランジスタを通る ことはできないが、一方でトランジスタ106 は開放しているので；電力キャパシ タ24は充電電流を受取ることができる。他方の半サイクルでは、鏡像配置が適用 される。 図３（ｂ）には電圧変動が示されており；キャパシタ24に印加されるロード電 圧Ｖloadは最初は高いが、Ｖchargeによって示されているように、キャパシタを 充電するときに急速に減少する。トランジスタ104 および108 のゲート間の電圧 差Ｖdiffは周期的であり、始動時に迅速に安定状態に到達する。 よく知られているように、ＣＭＯＳ技術は電圧に敏感であり、電圧制限手段が 組込まれなければならない。したがって回路は追加のトランジスタの対112,114 および118,120 を含み、一方の対はコイル18ａの各端部に接続され、トランジス タの他方の対114,120 も共通ドレーンモードに接続されている。トランジスタ11 2,118 のゲートは、逆型のトランジスタ、すなわちＰチャンネルトランジスタ11 0 から供給され、そのゲートはキャパシタ24から基準電圧ＶRefを供給される。 回路18ａからの電圧がＣＭＯＳ素子にとって高過ぎるとき、対向する半サイクル で動作するトランジスタの対112,114 または118,120 は、コイルから参照符号11 6 で示されている基板への電流を短絡するように構成されている。図３（ｃ）に は、キャパシタ24の電圧Ｖchargeおよび基準電圧ＶRefの必要とされる相関する 大きさが示されている。 ゲート電圧の設定は重大である。始動モードでの動作、すなわち電力キャパシ タ24をロードして、ローカル電力が利用できなくなる前の動作に対して、トラン ジスタ112 および118 のゲートに接続されたデプレッショントランジスタ124 が 用意されている。一方の半サイクルでは、トランジスタ112 がデプレッショント ランジスタ124 を介して基板116 へ接続され、整流回路を保護する。反対の半サ イクルでは、トランジスタ118 が同様の方法で動作する。 回路の種々の部分での電圧と電流の相対的変化は図３（ｄ）に示されている。 トランジスタ102 の電圧は最初はゼロであり、その後約６Ｖまで増加する。11 2 のドレーン電流と全電流の一致によって示されるように、全ての電流が電流制 限回路を通り、キャパシタ24へは通らないとき、トランジスタ118 のゲートの電 圧Ｖ112は最初はゼロであり、遅延後に約２Ｖに増加し、トランジスタは動作し て、トランジスタ118 を通る電流を減少させ；電流制限回路は完全に動作し、一 方でキャパシタ24（ＩＣload）は安定電圧Ｖloadを保持して、安定基準電圧ＶRe f を供給する。 図３（ｅ）は、回路の種々のトランジスタ、すなわちトランジスタ104 および 108 のゲートの電圧、基準電圧、120 のドレーンの電圧、および112 のゲートの 電圧を示し；電圧がそれを動作するのに十分であるとき、トランジスタ112 の電 圧は電流制限回路の動作を示している。 種々のトランジスタの特性は、二次コイル18ａからの予測される電圧およびＣ ＭＯＳ回路が許容できる最大電流によって判断される。 二次コイル18ａの抵抗が低すぎるときには、好ましくは多結晶シリコンから製 造される付加的な抵抗（図示されていない）をそれと直列に接続することができ る。 トランジスタの大半はＮ型であるので、それらを全て最大の電圧保護を行う特 性を有する同じシリコンウエル内に配置することができる。 図４は、サイリスタ制御電源を示している。三相３８０ｖ／５０Hz入力50は、 整流器ブリッジ63として構成されている６つのサイリスタ52,54,56,58,60,62 に 接続されている。６つのサイリスタのゲートは半導体チップ64に接続され、その チップ上では図３ａに示されている全波整流器および電圧制限回路がＣＭＯＳ内 に構成されている。チップ64はさらに、入力50および２つの対のサイリスタ66,6 8,70,72 並びに別のサイリスタ74のゲートにも接続され、これらのサイリスタの 全ては第１のインダクタンス76と一緒にサイリスタブリッジインバータ77を形成 している。ブリッジインバータ77は第２のインダクタンス78を介して整流器ブリ ッジ63に接続されている。 ブリッジインバータ77の出力は、３８０Ｖで動作するロード80に接続されてい る。 図４を参照すると、三相入力によって直接に電力を供給され、サイリスタのゲ ートを直接に制御するチップ64が示されている。 図４に示されている回路は、電源または変圧器を追加せずに単一のハイブリッ ド上で構成することができ、本線の電力またはその他の高電源を制御するために デジタル処理電力が必要とされるとき、環境で使用することができる。 本発明の回路の応用は、上述の例の何れかに制限されず、整流を必要とし過電 圧の保護を行うＣＭＯＳチップで使用することができる。加えて、ダイオードを 適用することができないＩＣ技術に応用することもできる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ， ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，Ｓ Ｚ，ＵＧ)，ＵＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＺ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＨＵ，Ｉ Ｓ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＫ，ＬＲ ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ， ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，Ｓ Ｄ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １．交流入力信号の対向する半サイクルでスイッチするように構成されたトラン ジスタの第１の対(104,106)と、電流制限モードで配置され、同じく前記信号の 対向する半サイクルで動作するトランジスタの第２の対(102,108)とを含むこと を特徴とする集積回路全波整流器。 ２．ＣＭＯＳ内に構成された請求項１記載の集積回路全波整流器。 ３．トランジスタ(102,104,106,108)がＮチャンネルトランジスタであり、その 第１の対(104,106)がゲートを接続して前記交流信号の対向する半サイクルを受 取り、その第２の対(102,108)が共通のドレーンモードで接続されている請求項 １記載の全波整流器。 ４．４０乃至１００Ｖの電圧源に直接接続する手段を含むことを特徴とする請求 項３記載の全波整流器。 ５．トランジスタの第３の対(112,114)、トランジスタの第４の対(118,120)、お よび整流器への入力電圧が所定のレベルを超えるときに電流制限回路トランジス タ(102,108)のゲートを接地に接続するように構成されたデプレッショントラン ジスタ(124)とを有する電圧制限回路をさらに含むことを特徴とする請求項３記 載の全波整流器。 ６．第３の対(112,114)および第４の対(118,120)が対向する半サイクルで動作す るように構成され、各対の第１のトランジスタは共通のドレーンモードで接続さ れ、各対からの第２のトランジスタのゲートが逆型のトランジスタ(110)から供 給され、逆型の前記トランジスタがゲートから基準電圧を供給されることを特徴 とする請求項５記載の全波整流器。 ７．トランジスタの第１、第２、第３、および第４の対(104,106;102,108;112,1 14;118,120)がＮチャンネルトランジスタであり、逆型のトランジスタ(110)がＰ チャンネルトランジスタであることを特徴とする請求項６記載の全波整流器。 ８．交流入力信号の対向する半サイクルでスイッチするように構成されたトラン ジスタの第１の対(104,106)および電流制限モードで配置され、さらに前記信号 の対向する半サイクルで動作するトランジスタの第２の対(102,108)を含む集積 回路全波整流器に接続された電力アンテナ(18)と； 全波整流器に接続され、電力を蓄積し、それを供給してトランスポンダを動 作する電力蓄積手段(24)と； データ受信アンテナ(20)および前記トランスポンダに衝突する放射線からデ ータ信号を抽出する手段(28)と； データ出力信号を送信する送信アンテナ(22)と； 前記データ信号に応答し、トランスポンダを識別する応答信号をデータ送信 アンテナ(22)に供給するデータ蓄積手段(62)とを含むことを特徴とする電子識別 システム用パッシブトランスポンダ。 ９．トランジスタの第３の対(112,114)、トランジスタの第４の対(118,120)、お よび整流器に対する入力電圧が所定のレベルを越えたときに、電流制限回路トラ ンジスタ(102,108)を接地に接続するように構成されたデプレッショントランジ スタ(124)を有する電圧制限回路をさらに含むことを特徴とする請求項８記載の パッシブトランスポンダ。 １０．三相電源(50)に接続可能な三相サイリスタ整流器ブリッジ(63)；交流入力 信号の対向する半サイクルでスイッチするように構成されたトランジスタの第１ の対(104,106)、および電流制限モードで構成され、さらに前記信号の対向する 半サイクルで動作するトランジスタの第２の対(102,108)を含み、入力側で前記 三相電源(50)へ、出力側で整流器ブリッジのサイリスタのゲートに接続され、さ らにサイリスタブリッジインバータ(77)として配置されている２つの対のサイリ スタ(66,68,70,72)並びに別のサイリスタのゲートとインダクタンスとにさらに 接続されている集積回路全波整流器；およびサイリスタブリッジインバータ(77) の出力を三相電源の電圧で動作可能なロード(80)へ接続する手段を含むことを特 徴とするサイリスタ制御電源。 １１．トランジスタの第３の対(112,114)、トランジスタの第４の対(118,120)、 および整流器への入力信号が所定のレベルを越えたときに電流制限回路トランジ スタ(102,108)のゲートを接地に接続するように構成されたデプレッショントラ ンジスタ(124)とを有する電圧制限回路をさらに含むことを特徴とする請求項１ ０記載のサイリスタ制御電源。
JP8527394A 1995-03-16 1996-03-15 集積回路全波整流器 Pending JPH11503296A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GBGB9505350.0A GB9505350D0 (en) 1995-03-16 1995-03-16 Electronic identification system
GB9505350.0 1995-03-16
PCT/GB1996/000620 WO1996028879A1 (en) 1995-03-16 1996-03-15 Integrated circuit full-wave rectifier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11503296A true JPH11503296A (ja) 1999-03-23

Family

ID=10771328

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8527396A Pending JPH11502072A (ja) 1995-03-16 1996-03-15 電子識別システム用トランスポンダ
JP8527394A Pending JPH11503296A (ja) 1995-03-16 1996-03-15 集積回路全波整流器

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8527396A Pending JPH11502072A (ja) 1995-03-16 1996-03-15 電子識別システム用トランスポンダ

Country Status (6)

Country Link
EP (2) EP0815638A1 (ja)
JP (2) JPH11502072A (ja)
KR (2) KR19980702933A (ja)
AU (2) AU5012196A (ja)
GB (1) GB9505350D0 (ja)
WO (2) WO1996028880A2 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2756679B1 (fr) * 1996-11-29 1999-02-12 France Telecom Dispositif de redressement de tension a composants integres
US6054925A (en) * 1997-08-27 2000-04-25 Data Investments Limited High impedance transponder with improved backscatter modulator for electronic identification system
ATE295028T1 (de) * 1997-12-23 2005-05-15 Em Microelectronic Marin Sa TRANSPONDER FÜR ßHALF DUPLEXß-KOMMUNIKATION
US6127929A (en) * 1997-12-23 2000-10-03 Em Microelectronic-Marin Sa Transponder for half-duplex communication
US6659352B1 (en) 1999-06-02 2003-12-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit, a contactless information medium having the semiconductor integrated circuit, and a method of driving the semiconductor integrated circuit
EP1102206A1 (de) * 1999-11-15 2001-05-23 Infineon Technologies AG Kontaktloser Transponder
KR100453721B1 (ko) * 2002-05-27 2004-10-20 주식회사 더즈텍 수동 트랜스폰더 장치
DE10303473A1 (de) * 2003-01-29 2004-08-19 Infineon Technologies Ag Gleichrichter-Schaltkreis, Schaltkreis-Anordnung und Verfahren zum Herstellen eines Gleichrichter-Schaltkreises
US20040164783A1 (en) 2003-02-24 2004-08-26 Neurostream Technologies, Inc. Precision full-wave rectifier circuit for high-density, low-power implantable medical device
FR2923414B1 (fr) * 2007-11-12 2010-06-11 Ldl Technology Procede et dispositif d'identification des capteurs loges dans des pneumatiques

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5953673B2 (ja) * 1977-08-09 1984-12-26 ソニー株式会社 電源回路
SE413826B (sv) * 1978-09-21 1980-06-23 Ellemtel Utvecklings Ab Sett att i ett telekommunikationssystem reglera fasleget hos en styrd signal i forhallande till en referenssignal samt anordning for genomforande av settet
IT1212518B (it) * 1982-01-29 1989-11-22 Ates Componenti Elettron Circuito raddrizzatore a ponte di transistori, con protezione controle sovracorrenti, per uso telefonico.
US4819147A (en) * 1985-01-30 1989-04-04 Maxim Integrated Products Integrated AC to DC power supply
US4605844A (en) * 1985-02-11 1986-08-12 At&T Technologies, Inc. Computerized transaction card with inductive data transfer
JPH0828975B2 (ja) * 1986-09-01 1996-03-21 株式会社田村電機製作所 電話機用電源回路
JPS63221951A (ja) * 1987-03-06 1988-09-14 Omron Tateisi Electronics Co 物品識別システム
US4773085A (en) * 1987-06-12 1988-09-20 Bell Communications Research, Inc. Phase and frequency detector circuits
US5173849A (en) * 1987-09-19 1992-12-22 Magellan Corporation (Australia) Pty. Ltd. Integratable synchronous rectifier
NO175170C (no) * 1988-04-08 1994-09-07 Toppan Printing Co Ltd Informasjonskortsystem
US4876699A (en) * 1988-05-06 1989-10-24 Rockwell International Corporation High speed sampled data digital phase detector apparatus
JP2568429B2 (ja) * 1988-08-31 1997-01-08 山武ハネウエル株式会社 無線応答装置
DE3836532A1 (de) * 1988-10-27 1990-05-03 Telefunken Electronic Gmbh Spannungs-nullpunktdetektor
NL8803170A (nl) * 1988-12-27 1990-07-16 Nedap Nv Identificatiesysteem.
SE466930B (sv) * 1990-02-23 1992-04-27 Roland Braennstroem Mottagar- och saendaranordning foer ett prisinformationssystem
GB9009739D0 (en) * 1990-05-01 1990-06-20 Disys Inc Transponder system
DE4115677A1 (de) * 1991-05-14 1992-11-19 Philips Patentverwaltung Gleichrichterschaltung
JP2690229B2 (ja) * 1991-11-26 1997-12-10 三菱電機株式会社 非接触ｉｃカード
US5272399A (en) * 1992-02-25 1993-12-21 Siemens Aktiengesellschaft Circuit limiting the load current of a power MOSFET
DE59304466D1 (de) * 1992-09-30 1996-12-19 Siemens Ag Integrierbarer Nullpunktdetektor

Also Published As

Publication number Publication date
EP0815638A1 (en) 1998-01-07
KR19980702933A (ko) 1998-09-05
WO1996028880A2 (en) 1996-09-19
KR19980702934A (ko) 1998-09-05
JPH11502072A (ja) 1999-02-16
WO1996028879A1 (en) 1996-09-19
GB9505350D0 (en) 1995-05-03
AU5012196A (en) 1996-10-02
WO1996028880A3 (en) 1996-12-12
EP0815637A1 (en) 1998-01-07
AU5012096A (en) 1996-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7187135B2 (ja) 無線受電装置、無線給電装置、無線電力伝送システム、及び無線受電装置の過大磁界保護方法
EP0398943B1 (en) Shunt regulator
US7703677B2 (en) Rectifier circuit
US10348130B2 (en) Power harvesting for RFID/NFC-applications
US10333354B2 (en) Contactless communication medium and electronic device using the same
JPH11503296A (ja) 集積回路全波整流器
EP2137809A1 (en) Apparatus for supplying isolated regulated dc power to electronics devices
CA1106946A (en) Battery heating system
US20140361636A1 (en) Wireless power receiving apparatus
US11495995B2 (en) Advanced overvoltage protection strategy for wireless power transfer
CN102856988A (zh) 电感谐振耦合的能量传输系统和方法
US20140225450A1 (en) Wireless power receiver
US10608471B2 (en) Multimode wireless power receiver circuit
CA2561506A1 (en) Self powered gate driver system
US20180145541A1 (en) Wireless power supply device, wireless power receiving device, wireless power transmission system, and wireless power supply method
US20230040473A1 (en) Electronic device for carrying out overvoltage protection operation and control method therefor
TW201136088A (en) Non-contact power transmission device
KR101382949B1 (ko) 무선전력 수신장치 및 무선전력 전송 시스템
US9859950B2 (en) Wireless power receiver with magnetic data transaction capability
US6262903B1 (en) Direct-current power supply circuit having control sections with at least one control section having priority over another control section
EP4283829A1 (en) Wireless power reception device having detune circuit
KR101822491B1 (ko) 전압 조정 회로 및 이의 동작 방법
WO2018097474A1 (ko) 무선 전력 수신 기능 및 무선 신호 송신 기능을 포함하는 전자장치
US7034604B2 (en) Communications device powered from host apparatus
US10340786B2 (en) High frequency wireless power rectifier startup circuit design