JPH1149879A

JPH1149879A - 押し出し成形高分子物品のプラズマ処理方法及び装置

Info

Publication number: JPH1149879A
Application number: JP9213068A
Authority: JP
Inventors: Takahiro Nakahigashi; 孝浩中東
Original assignee: Nissin Electric Co Ltd
Current assignee: Nissin Electric Co Ltd
Priority date: 1997-08-07
Filing date: 1997-08-07
Publication date: 1999-02-23
Anticipated expiration: 2017-08-07
Also published as: JP3879191B2

Abstract

(57)【要約】【課題】押し出し成形された高分子材料からなる物品
の表面を清浄に保った状態でその表面にプラズマ処理を
施すことができる押し出し成形高分子物品のプラズマ処
理方法及び装置を提供する。【解決手段】押し出し成形装置４の押し出し口４１か
ら真空容器１内に高分子材料からなる物品Ｓ２を押し出
し成形する。一方、真空容器１内には処理用ガス供給部
３から処理用ガスを導入し、また誘導コイル電極２に高
周波電源２２からマッチングボックス２１を介して電力
供給して処理用ガスをプラズマ化する。物品Ｓ２は送り
ローラ５１ａ、５１ｂ及び送りガイド５２ａにより順次
真空容器１内の処理位置に送り、この間物品Ｓ２のロー
ラ５１ａ、５１ｂ間に配置された部分をプラズマに曝し
て所定の処理を行う。このようにして、押し出し成形物
品Ｓ２に順次プラズマ処理を施す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は押し出し成形された
高分子材料からなる物品の表面に、成膜等のプラズマ処
理を施す押し出し成形高分子物品のプラズマ処理方法及
び装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、押し出し成形された高分子材料か
らなる物品にプラズマＣＶＤ法により成膜を行う場合、
押し出し成形装置から大気中に押し出された物品を、プ
ラズマＣＶＤ装置の真空容器内に搬入して該物品表面に
膜形成する。押し出し成形された物品が棒状や管状等の
ものである場合、材質の柔軟性等に応じて所定長さに切
断するか又はリール等に巻き取り、それから繰り出せる
ようにしておいて、これをプラズマＣＶＤ装置の真空容
器内に搬入して膜形成する。また、押し出し成形された
物品がフィルム状や繊維状等の柔軟なものである場合、
リール等に巻き取ったものを真空容器内に搬入して繰り
出して膜形成する。

【０００３】プラズマＣＶＤを行うための装置は各種知
られているが、棒状、繊維状等の物品の外周面全体に成
膜を行う場合、普通には図６に示す誘導結合型プラズマ
ＣＶＤ装置が用いられる。図６に示す装置は真空容器１
を有し、容器１の外周には誘導コイル電極２が巻き回さ
れている。誘導コイル電極２の両端には図示の例ではマ
ッチングボックス２１を介して高周波電源２２を接続し
てある。

【０００４】また、真空容器１には排気装置１１を接続
してあるとともに、成膜原料ガスのガス供給部３を接続
してある。ガス供給部３には、マスフローコントローラ
３１１、３１２・・・・及び圧力調整弁３２１、３２２
・・・・を介して接続された１又は２以上の成膜原料ガ
スを供給するガス源３３１、３３２・・・・が含まれ
る。

【０００５】この誘導結合型プラズマＣＶＤ装置を用い
て、例えばフィルム状の被処理物品に成膜を行うにあた
っては、繰り出しリールＲ１に巻き付けたフィルム状物
品Ｓ１を真空容器１内に搬入し、容器１内の一端部に設
置する。次いで、容器１内を排気装置１１の運転にて所
定成膜真空度にするとともに、ガス供給部３から成膜原
料ガスを導入する。また、誘導コイル電極２に電源２２
からマッチングボックス２１を介して高周波電力を供給
し、それによって導入されたガスをプラズマ化する。こ
の間、繰り出しリールＲ１からフィルム状物品Ｓ１を繰
り出して巻き取りリールＲ２に巻き取りつつ、両リール
間に配置された部分にプラズマのもとで膜形成する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、押し出
し成形装置から押し出された高分子材料からなる物品を
プラズマＣＶＤ装置の真空容器内に搬入して膜形成する
従来の方法では、被処理物品が一旦大気に曝されるため
該物品表面に大気中の汚染物質や水分等の不純物が付着
又は吸着し易い。このため、プラズマＣＶＤを行うにあ
たっては、通常、前処理として被処理物品の表面を不活
性ガス等のプラズマでクリーニングする。このような不
純物を完全に除去するためには長時間のクリーニングが
必要であり、手間がかかるとともにコスト高につく。

【０００７】以上、押し出し成形品に成膜を行う場合の
問題点を例にとって説明したが、成膜の場合に限らず、
一般に、押し出し成形品にプラズマ処理を施すとき、押
し出し成形品がプラズマ処理前に大気に曝されると、汚
染物質や水分の付着又は吸着があり、プラズマ処理に様
々の支障をきたす。そこで本発明は、押し出し成形高分
子物品に、それへの大気中の汚染物質や水分の付着、吸
着を防止しつつプラズマ処理を施すことができる押し出
し成形高分子物品のプラズマ処理方法及び装置を提供す
ることを課題とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明は、高分子材料を押し出し成形して高分子物品
を得るにあたり、該物品の押し出し成形された部分から
順に、大気に曝すことなく、処理用ガスに電力供給して
得られたプラズマのもとでプラズマ処理を施すことを特
徴とする押し出し成形高分子物品のプラズマ処理方法を
提供する（第１の押し出し成形高分子物品のプラズマ処
理方法）。

【０００９】また前記課題を解決するために本発明は、
高分子材料からなる物品を押し出し成形できる押し出し
成形装置と、該押し出し成形装置の押し出し口（通常は
ダイ）に連設された真空容器と、該真空容器に対し設け
られた排気手段と、該真空容器内において物品の該押し
出し成形装置から押し出された部分を支持しつつ順に処
理位置に送る物品送り手段と、該真空容器内に処理用ガ
スを供給するための処理用ガス供給手段と、該処理用ガ
ス供給手段により該容器内に供給される処理用ガスにガ
スプラズマ化用電力を供給するための電力供給手段とを
備えていることを特徴とする押し出し成形高分子物品の
プラズマ処理装置を提供する（第１の押し出し成形高分
子物品のプラズマ処理装置）。

【００１０】なお、前記真空容器はプラズマ処理の目的
等に応じて複数段に設けられていてもよい。また、前記
物品送り手段には、物品を積極的に送るもののほか、押
し出されてくる物品を前へ進めるに都合のよいように支
持するものも含まれる。前記本発明の第１の押し出し成
形高分子物品のプラズマ処理方法及び装置によると、押
し出し成形された高分子材料からなる物品に、これを大
気に曝すことなくプラズマ処理を施すため、プラズマ処
理前の物品の表面に大気中の汚染物質、水分等の不純物
が付着又は吸着せず、清浄な状態で該物品表面にプラズ
マ処理を施すことができる。これにより、該プラズマ処
理を均一に行うことができる。特に、プラズマ処理とし
て成膜を行う場合は形成される膜の膜厚均一性及び膜密
着性が向上する。

【００１１】また、物品の押し出し成形された部分から
順に連続的にプラズマ処理を施すため、物品全体を押し
出し成形した後に該物品にプラズマ処理を施す場合に比
べて効率良くプラズマ処理を行うことができる。本発明
の第１の方法におけるプラズマ処理としては代表的には
成膜を挙げることができる。このとき本発明装置におい
て、処理用ガス供給手段はプラズマ化により成膜可能な
成膜原料ガスを供給できるものとすればよい。

【００１２】成膜原料ガスには種々のものを用いて種々
の材質の膜を形成できるが、例えば炭素膜形成に一般に
用いられるメタン（ＣＨ₄）、エタン（Ｃ₂Ｈ₆）、プ
ロパン（Ｃ₃Ｈ₈）、ブタン（Ｃ₄Ｈ₁₀）、アセチレン
（Ｃ₂Ｈ₂）、ベンゼン（Ｃ ₆Ｈ₆）、４フッ化炭素
（ＣＦ₄）、６フッ化２炭素（Ｃ₂Ｆ₆）等の炭素化合
物ガス、或いはさらに必要に応じて、これらの炭素化合
物ガスにキャリアガスとして水素（Ｈ₂）ガスや不活性
ガス（Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ａｒガス、Ｋｒガス、Ｘｅ
ガス等）等を混合したものを用いて炭素膜を形成するこ
とができる。

【００１３】このとき、成膜圧力を数１００ｍＴｏｒｒ
程度にすると、被処理物品表面にダイアモンド状炭素
（ＤＬＣ：Diamond Like Carbon ）膜が形成される。Ｄ
ＬＣ膜は、潤滑性、撥水性、離型性等が良好である。ま
た、傷がつき難く且つその厚さを調製することにより被
処理物品が柔軟性を求められるものである場合にも該膜
で被覆された物品の柔軟性を損なわないようにできる程
度の適度な硬度を有するものである。さらに低温で形成
できる等、成膜を容易に行うことができる。

【００１４】プラズマ処理としては、この他クリーニン
グ処理や成膜等を行う前の前処理等であってもよい。こ
のようなプラズマ処理のための処理用ガスとしては、不
活性ガス、フッ素含有ガス、水素ガス及び酸素ガス等を
例示できる。また本発明は、高分子材料を押し出し成形
して高分子物品を得るにあたり、該物品の押し出し成形
された部分から順に、大気に曝すことなく、前処理用ガ
スに電力供給して得られたプラズマのもとで前処理し、
該物品の該前処理された部分から順に、大気に曝すこと
なく、成膜原料ガスに電力供給して得られたプラズマの
もとで膜形成することを特徴とする押し出し成形高分子
物品のプラズマ処理方法を提供する（第２の押し出し成
形高分子物品のプラズマ処理方法）。

【００１５】また本発明はこの方法を実施するための装
置として、高分子材料からなる物品を押し出し成形でき
る押し出し成形装置と、該押し出し成形装置の押し出し
口（通常はダイ）に連設された第１の真空容器と、該第
１の真空容器に対し設けられた第１の排気手段と、該第
１の真空容器内に前処理用ガスを供給するための前処理
用ガス供給手段と、該前処理用ガス供給手段により該第
１の真空容器内に供給される前処理用ガスにガスプラズ
マ化用電力を供給するための第１の電力供給手段と、前
記第１の真空容器に連設された第２の真空容器と、前記
第１の真空容器と該第２の真空容器との間に設けられた
物品通過ゲートと、該第２の真空容器に対し設けられた
第２の排気手段と、該第２の真空容器内にプラズマ化に
より成膜可能な成膜原料ガスを供給するための成膜原料
ガス供給手段と、該成膜原料ガス供給手段により該第２
の真空容器内に供給される成膜原料ガスにガスプラズマ
化用電力を供給するための第２の電力供給手段と、前記
物品の前記押し出し成形装置から押し出された部分を支
持しつつ、前記第１の真空容器内の処理位置に送り、さ
らに前記物品通過ゲートを通して前記第２の真空容器内
の処理位置に送る物品送り手段とを備えていることを特
徴とする押し出し成形高分子物品のプラズマ処理装置を
提供する（第２の押し出し成形高分子物品のプラズマ処
理装置）。

【００１６】なお、前記第１、第２の真空容器のそれぞ
れは、複数段に設けられていてもよい。また、前記物品
送り手段には、物品を積極的に送るものの他、押し出さ
れてくる物品を円滑に前へ進めるに都合のよいように物
品を支持するものも含まれる。本発明の第２の押し出し
成形高分子物品のプラズマ処理方法及び装置によると、
押し出し成形された高分子材料からなる物品を大気に曝
すことなく前処理及び膜形成するため、物品の表面に大
気中の汚染物質、水分等の不純物が付着又は吸着しな
い。また、前処理用の第１の真空容器内に存在する僅か
な不純物が物品の表面に付着又は吸着することがあって
も、該物品を前処理用ガスのプラズマに曝すことにより
これらの不純物を除去することができ、或いはさらに被
処理物品表面の粗度を向上させることができる。これに
より、その後形成される膜の膜厚均一性及び膜密着性が
非常に優れたものとなる。また、前処理用ガスプラズマ
による物品の前処理は短時間で済む。

【００１７】また、物品の押し出し成形された部分から
順に連続的に前処理及び成膜を行うため、物品全体を押
し出し成形した後に前処理及び成膜を行う場合に比べて
効率良く成膜できる。前記前処理用ガスとしては、不活
性ガス、フッ素含有ガス、水素ガス及び酸素ガス等を例
示できる。Ｈｅガス等の不活性ガスは、例えばクリーニ
ング処理に用いることができる。

【００１８】前記フッ素含有ガスとしては、フッ素（Ｆ
₂）ガス、３フッ化窒素（ＮＦ₃）ガス、６フッ化硫黄
（ＳＦ₆）ガス、４フッ化炭素（ＣＦ₄）ガス、４フッ
化ケイ素（ＳｉＦ₄）ガス、６フッ化２ケイ素（Ｓｉ₂
Ｆ₆）ガス、３フッ化塩素（ＣｌＦ₃）ガス、フッ化水
素（ＨＦ）ガス等を挙げることができる。前処理用ガス
としてフッ素含有ガスを採用するときは、物品表面が清
浄化されるとともにこれに加えて物品表面がフッ素終端
される。また水素ガスプラズマを採用するときは、物品
表面が清浄化されるとともにこれに加えて物品表面が水
素終端される。フッ素−炭素結合及び水素−炭素結合は
安定であるため、その後形成する膜が炭素膜である場
合、前記のように終端処理することで膜中の炭素原子が
物品表面部分のフッ素原子又は水素原子と安定に結合を
形成する。そしてこれらのことから、その後形成する炭
素膜と前記物品との密着性を一層向上させることができ
る。

【００１９】また、酸素ガスプラズマを採用するとき
は、物品表面に付着した有機物等の汚れを特に効率良く
除去でき、これらのことからその後形成する膜と前記物
品との密着性を一層向上させることができる。本発明の
第２の方法において、成膜に先立って行う前処理は、同
種類のプラズマを用いて或いは異なる種類のプラズマを
用いて複数回行っても構わない。例えば、被処理物品上
に炭素膜を形成する場合、被処理物品を酸素ガスプラズ
マに曝した後、フッ素含有ガスプラズマ又は水素ガスプ
ラズマに曝し、さらにその上に炭素膜を形成すれば物品
表面がクリーニングされた後、該面がフッ素終端又は水
素終端されて、その後形成する炭素膜と該物品との密着
性は非常に良好なものとなる。

【００２０】この場合、本発明の第２の装置において、
成膜用の真空容器と押し出し形成装置との間に前処理用
の真空容器を複数段連設し、前処理に必要な各手段を各
真空容器に付設したものを用いればよい。また、本発明
の第１及び第２の方法において、ガスプラズマ化を誘導
結合型電極を用いて行うことができ、同様に本発明の第
１及び第２の装置において、前記電力供給手段は誘導結
合型電極を含むものとすることができる。誘導結合型電
極は複雑な断面形状の物品の表面や物品の全周面又は略
全周面等のプラズマ処理に適している。

【００２１】なお、物品に所定のプラズマ処理を施せる
のであれば、平行平板型電極に代表される容量結合型電
極を用いることも勿論構わない。また、本発明の第１の
方法において、処理用ガスに供給する電力を、１３．５
６ＭＨｚ以上の所定周波数の基本高周波電力に該所定周
波数の１万分の１以上１０分の１以下の範囲の変調周波
数で振幅変調を施した状態のものとすることができる。
またこの場合、本発明の第１の装置において、前記電力
供給手段は、１３．５６ＭＨｚ以上の所定周波数の基本
高周波電力に該所定周波数の１万分の１以上１０分の１
以下の範囲の変調周波数で振幅変調を施した状態のもの
を供給できるものとすればよい。

【００２２】ガスプラズマ化のために印加する電力をこ
のような変調を施した高周波電力とすることにより、高
密度のプラズマが得られ、これにより反応率が向上し、
効率良くプラズマ処理を行うことができる。またプラズ
マ処理が成膜である場合、低温成膜が可能となる。また
プラズマ処理が成膜である場合、このような変調を施す
ことにより被処理物品表面での反応が進み、膜密着性が
向上するとともに成膜速度が向上する。

【００２３】また、本発明の第２の方法においても、前
記前処理用ガスに供給する電力及び（又は）前記成膜原
料ガスに供給する電力を、１３．５６ＭＨｚ以上の所定
周波数の基本高周波電力に該所定周波数の１万分の１以
上１０分の１以下の範囲の変調周波数で振幅変調を施し
た状態のものとすることができる。またこの場合、本発
明の第２の装置において、前記第１及び（又は）第２の
電力供給手段を、１３．５６ＭＨｚ以上の所定周波数の
基本高周波電力に該所定周波数の１万分の１以上１０分
の１以下の範囲の変調周波数で振幅変調を施した状態の
ものを供給できるものとすればよい。

【００２４】前処理用ガスのプラズマ化のために供給す
る電力をこのような変調を施した高周波電力とすること
により、高密度のプラズマが得られ、効率良く被処理物
品の前処理を行うことができる。また、成膜原料ガスの
プラズマ化のために印加する電力をこのような変調を施
した高周波電力とすることにより、高密度のプラズマが
得られ、これにより反応率が向上し、低温で成膜でき
る。また、このような変調を施すことにより、被処理物
品表面での反応が進み、膜密着性が向上するとともに成
膜速度が向上する。

【００２５】本発明の第１及び第２の方法及び装置にお
いて、変調前の基本高周波電力の波形は、サイン波、矩
形波、のこぎり波、三角波等とすることができる。ま
た、前記振幅変調は電力印加のオン・オフによるパルス
変調とすることができ、この他パルス状の変調でもよ
い。基本高周波電力として１３．５６ＭＨｚ以上のもの
を用いるのは、これより小さくなってくるとプラズマ密
度が不足しがちになるからである。また、基本高周波電
力の周波数は高周波電源コスト等からして５００ＭＨｚ
程度までとすればよい。

【００２６】また、変調周波数として前記範囲のものを
用いるのは、変調周波数が基本高周波電力の周波数の１
００００分の１より小さくなってくると処理速度が急激
に低下するからであり、１０分の１より大きくなってく
るとマッチングがとり難くなり、プラズマ処理の均一性
が低下するからである。また、前記パルス変調のデュー
ティ比（オン時間／オン時間＋オフ時間）は２０％〜９
０％程度とすればよい。これは、２０％より小さいと処
理速度が低下するからであり、９０％より大きいと電力
印加時間が長くなりすぎ変調高周波電力によるプラズマ
密度向上効果が少なくなるからである。

【００２７】本発明の第１及び第２の方法及び装置にお
いては、押し出し成形物品として棒状物品、管状物品、
フィルム状ないしはシート状物品、繊維状物品、ネット
状物品、その他特殊断面の長尺物品（例えば車両用ワイ
パーブレード等）等を対象物品にできる。また、本発明
の第１及び第２の方法及び装置において、押し出し成形
物品の高分子材料としては樹脂及びゴム等を採用でき
る。

【００２８】樹脂としては例えば次のような熱可塑性樹
脂を例示できる。すなわち、ビニル系樹脂（ポリ塩化ビ
ニル、ポリ２塩化ビニル、ポリビニルブチラート、ポリ
ビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルホルマ
ール等）、ポリ塩化ビニリデン、塩素化ポリエーテル、
ポリエステル系樹脂（ポリスチレン、スチレン・アクリ
ロニトリル共重合体等）、ＡＢＳ、ポリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリアセタール、アクリル系樹脂（ポリメ
チルメタクリレート、変性アクリル等）、ポリアミド系
樹脂（ナイロン６、６６、６１０、１１等）、セルロー
ス系樹脂（エチルセルロース、酢酸セルロース、プロピ
ルセルロース、酢酸・酪酸セルロース、硝酸セルロース
等）、ポリカーボネート、フェノキシ樹脂、フッ素系樹
脂（３フッ化塩化エチレン、４フッ化エチレン、４フッ
化エチレン・６フッ化プロピレン、フッ化ビニリデン
等）、ポリウレタン等である。

【００２９】また、樹脂として例えば次のような熱硬化
性樹脂も例示できる。すなわち、フェノール・ホルムア
ルデヒド樹脂、尿素樹脂、メラミン・ホルムアルデヒド
樹脂、エポキシ樹脂、フラン樹脂、キシレン樹脂、不飽
和ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂、ジアリルフタレ
ート樹脂等である。また、前記ゴムとしては、天然ゴ
ム、ブチルゴム、エチレンプロピレンゴム、クロロプレ
ンゴム、塩素化ポリエチレンゴム、エピクロルヒドリン
ゴム、アクリルゴム、ニトリルゴム、ウレタンゴム、シ
リコーンゴム、フッ素ゴム等を例示できる。

【００３０】本発明の第１の方法及び装置において、前
記真空容器壁の押し出し成形装置の押し出し口が開口し
た側とは反対側に被処理物品通過ゲートを設けておき、
該物品のプラズマ処理を終えた部分から順に該ゲートを
通して真空容器外部に搬出すればよい。また、被処理物
品がフィルム状、繊維状のように柔軟性が高いものであ
れば、前記真空容器内の押し出し成形装置配設側とは反
対側の端に巻き取りリール等を配置しておき、処理を終
えた部分から順にこの巻き取りリール等に巻き取り、処
理後の物品を該リール等ごと真空容器外に搬出すること
もできる。

【００３１】また、本発明の第２の方法及び装置におい
て、前記第２の真空容器壁の第１真空容器配設側とは反
対側に被処理物品通過ゲートを設けておき、物品の前処
理及び成膜を終えた部分から順に該ゲートを通して第２
の真空容器外に搬出すればよい。また、被処理物品がフ
ィルム状、繊維状のように柔軟性が高いものであれば、
前記第２の真空容器内の第１真空容器配設側とは反対側
の端に巻き取りリール等を配置しておき、成膜を終えた
部分から順にこの巻き取りリール等に巻き取り、成膜後
の物品を該リール等ごと第２の真空容器外に搬出するこ
ともできる。

【００３２】なお、比較的耐熱性に劣る高分子材料から
なる被処理物品への膜形成方法としては、プラズマＣＶ
Ｄ法の他スパッタリング法、イオンプレーティング法等
を行うことができるが、本発明の第２の方法及び装置に
よるように、前処理と成膜をともにプラズマを用いて行
うことにより装置構造を簡単にすることができる。ま
た、本発明の第１及び第２の装置において、押し出し成
形装置には通常押し出し成形装置として用いられている
各種のものを採用できる。押し出し成形装置はいずれも
押し出し機と該押し出し機から押し出された流動状態の
高分子材料に所定の形を与えるダイとを備えている。

【００３３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は本発明に係る第１の押し出
し成形高分子物品のプラズマ処理装置の１例の概略構成
を示す図である。この装置は図６の装置において、真空
容器１の一端に押し出し成形装置４が連設されているも
のである。装置４の押し出し口４１は押し出し成形用ダ
イにより提供されており、真空容器１内に開口してい
る。押し出し成形装置４は、押し出し機と該押し出し機
から押し出された流動状態の高分子材料に所定の形を与
えるダイ及びこれらの付属品を備えているが、これらは
図示を省略してある。押し出し成形装置４は、ここでは
管状の物品を成形できるものである。また、真空容器１
壁の他端には成形物品が通過できるだけの大きさの通過
孔１２を形成したゲートが設けられている。さらに、押
し出し口４１付近と通過孔１２付近にはそれぞれ被処理
物品送りローラ５１ａ及び５１ｂが配設され、それらの
間には被処理物品を支持するテーブルタイプの送りガイ
ド５２ａが配設されている。送りガイド５２ａは真空容
器１に固定されている。なお、ガイド５２ａは高さ位置
を調節できるように昇降可能であってもい。その他の構
成は図６の装置と同様であり、同じ部品には同じ参照符
号を付してある。

【００３４】この装置を用いて、管状の成形物品Ｓ２の
外表面に膜形成するにあたっては、容器１内を排気装置
１１の運転により所定の成膜真空度とする。次いで、ガ
ス供給部３から容器１内に成膜原料ガスを導入し、コイ
ル電極２にはマッチングボックス２１を介して高周波電
源２２から高周波電力を印加する。これにより、前記導
入した成膜原料ガスをプラズマ化する。この状態で押し
出し口４１から管状の被処理物品Ｓ２を押し出し成形
し、押し出された部分を送りローラ５１ａ、５１ｂ及び
送りガイド５２ａにより通過孔１２の方向に移動させ
る。この間被処理物品Ｓ２の送りローラ５１ａ、５１ｂ
間に配置された部分に前記発生させたプラズマのもとで
成膜を行う。さらに、被処理物品Ｓ２の膜形成された部
分から順に通過孔１２を通して真空容器１外部に送り出
す。

【００３５】図１の装置及びこの装置を用いた成膜によ
ると、押し出し成形された高分子材料からなる物品Ｓ２
を大気に曝すことなく成膜を行うため、成膜前の物品Ｓ
２の表面に大気中の汚染物質、水分等の不純物が付着又
は吸着せず、清浄な状態で該表面に成膜を行うことがで
きる。これにより、均一に膜形成できるとともに膜密着
性を向上させることができる。また、物品Ｓ２の押し出
し成形された部分から順に連続的に膜形成を行うため、
物品Ｓ２全体を押し出し成形した後に該物品にプラズマ
処理を施す場合に比べて効率が良い。

【００３６】また、図２は本発明に係る第２の押し出し
成形高分子物品のプラズマ処理装置の１例の概略構成を
示す図である。この装置は、押し出し成形装置４に連設
された真空容器１Ａ及び容器１Ａに連設された真空容器
１Ｂを備えている。押し出し成形装置４の押し出し口４
１は真空容器１Ａ内に開口している。容器１Ａ及び容器
１Ｂ間には管状の成形物品Ｓ３が通過できるだけの大き
さの通過孔１３を有するゲートが設けられ、この通過孔
１３とは反対側の容器１Ｂ壁には同様の通過孔１４を有
するゲートが設けられている。

【００３７】また、容器１Ａ内の押し出し口４１付近に
は送りローラ５１ｃが配設され、容器１Ａ内の通過孔１
３付近には送りローラ５１ｄが配設されている。送りロ
ーラ５１ｃ、５１ｄ間にはテーブルタイプの送りガイド
５２ｂが配設されている。また、容器１Ｂ内の通過孔１
３付近には送りローラ５１ｅが配設され、容器１Ｂ内の
通過孔１４付近には送りローラ５１ｆが配設されてい
る。送りローラ５１ｅ、５１ｆ間にはテーブルタイプの
送りガイド５２ｃが配設されている。送りガイド５２
ｂ、５２ｃも定位置配置のものであるが、高さ調節でき
るものでもよい。

【００３８】また、真空容器１Ａ及び１Ｂにはそれぞれ
誘導コイル電極２Ａ及び２Ｂが巻き回されている。誘導
コイル電極２Ａの両端には図示の例ではマッチングボッ
クス２１Ａを介して高周波電源２２Ａを接続してある。
誘導コイル電極２Ｂの両端には図示の例ではマッチング
ボックス２１Ｂを介して高周波電源２２Ｂを接続してあ
る。

【００３９】また、真空容器１Ａには排気装置１１Ａを
接続してあるとともに、前処理用ガスのガス供給部６を
接続してある。ガス供給部６には、マスフローコントロ
ーラ６１１、６１２・・・・及び圧力調整弁６２１、６
２２・・・・を介して接続された１又は２以上の前処理
用ガスを供給するガス源６３１、６３２・・・・が含ま
れる。前処理用ガス供給部６は、不活性ガス、フッ素含
有ガス、水素ガス及び酸素ガスのうち少なくとも１種の
ガスを供給できるものである。真空容器１Ｂには排気装
置１１Ｂを接続してあるとともに、成膜原料ガスのガス
供給部３を配管接続してある。ガス供給部３には、マス
フローコントローラ３１１、３１２・・・・及び圧力調
整弁３２１、３２２・・・・を介して接続された１又は
２以上の成膜原料ガスを供給するガス源３３１、３３２
・・・・が含まれる。

【００４０】排気装置１１Ａ及び１１Ｂはそれぞれ圧力
調整弁及び排気ポンプからなるものである。なお、ここ
では真空容器１Ａ及び１Ｂにはそれぞれ排気装置１１Ａ
及び１１Ｂを接続しているが、各真空容器をそれぞれ別
個の圧力調整弁を介して共通の排気ポンプに接続しても
よい。この装置を用いて、管状の被処理物品Ｓ３の外表
面に膜形成するにあたっては、容器１Ａ及び１Ｂ内を排
気装置１１Ａ及び１１Ｂの運転によりそれぞれ所定の真
空度とする。次いで、ガス供給部６から容器１Ａ内に前
処理用ガスを導入し、コイル電極２Ａにはマッチングボ
ックス２１Ａを介して高周波電源２２Ａから高周波電力
を印加する。これにより、前記導入した前処理用ガスを
プラズマ化する。また、ガス供給部３から容器１Ｂ内に
成膜原料ガスを導入し、コイル電極２Ｂにはマッチング
ボックス２１Ｂを介して高周波電源２２Ｂから高周波電
力を印加する。これにより、前記導入した成膜原料ガス
をプラズマ化する。

【００４１】この状態で押し出し口４１から管状の物品
Ｓ３を真空容器１Ａ内に押し出し成形し、押し出された
部分を送りローラ５１ｃ、５１ｄ及び送りガイド５２ｂ
により通過孔１３に向けて移動させる。この間被処理物
品Ｓ３の送りローラ５１ｃ、５１ｄ間に配置された部分
に前記発生させた前処理用ガスのプラズマのもとで前処
理を行う。そして、物品Ｓ３の前処理用ガスに曝された
部分から順に通過孔１３を通して真空容器１Ｂ内に移動
させる。

【００４２】さらに、この被処理物品Ｓ３を通過孔１３
を通して送りローラ５１ｅ、５１ｆ及び送りガイド５２
ｃにより通過孔１４に向けて移動させる。この間被処理
物品Ｓ３の送りローラ５１ｅ、５１ｆ間に配置された部
分に前記発生させた成膜原料ガスのプラズマのもとで膜
形成する。さらに、被処理物品Ｓ３の膜形成された部分
から順に通過孔１４を通して真空容器１Ｂ外に搬出す
る。

【００４３】図２の装置及びこの装置を用いた成膜によ
ると、押し出し成形された高分子材料からなる物品Ｓ３
を大気に曝すことなく前処理及び膜形成するため、物品
Ｓ３の表面に大気中の汚染物質、水分等の不純物が付着
又は吸着しない。なお、真空容器１Ａ内に存在する僅か
な不純物が物品Ｓ３表面に付着又は吸着することがあっ
ても、この不純物は前処理により除去され、又はさらに
物品表面粗度が向上する。そして、その後の成膜を極め
て均一に行うことができるとともに、膜密着性が非常に
優れたものとなる。また、この前処理は短時間で済む。
また、物品Ｓ３の押し出し成形された部分から順に連続
的に前処理及び成膜を行うため、物品Ｓ３全体を押し出
し成形した後前処理及び成膜を行う場合に比べて効率が
良い。

【００４４】なお、ここでは前処理のための真空容器を
一つ備え、１種類のガスのプラズマでのみ被処理物品の
前処理を行ったが、前処理のための真空容器を複数連設
し、単一種類のガスのプラズマで複数回或いは複数種類
のガスのプラズマで被処理物品の前処理を行ってもよ
い。このようなプラズマ処理装置については、後ほど図
４を参照して説明する。

【００４５】また、図３は本発明に係る第２の押し出し
成形された高分子物品のプラズマ処理装置の他の例の概
略構成を示す図である。この装置は、図２の装置におい
て、誘導コイル電極２Ａにマッチングボックス２１Ａ、
高周波電源２２Ａ及び任意波形発生装置２３Ａがこの順
に接続され、誘導コイル電極２Ｂにマッチングボックス
２１Ｂ、高周波電源２２Ｂ及び任意波形発生装置２３Ｂ
がこの順に接続されたものである。その他の構成は図２
の装置と同様であり、同じ部品には同じ参照符号を付し
てある。

【００４６】この装置を用いて成形物品Ｓ４の前処理を
行うにあたっては、高周波電源２２Ａ及び任意波形発生
装置２３Ａにより形成したパルス変調高周波電力をマッ
チングボックス２１Ａを介して誘導コイル電極２Ａに供
給することにより前処理用ガスをプラズマ化する。ま
た、高周波電源２２Ｂ及び任意波形発生装置２３Ｂによ
り形成したパルス変調高周波電力をマッチングボックス
２１Ｂを介して誘導コイル電極２Ｂに供給することによ
り成膜原料ガスをプラズマ化する。

【００４７】該パルス変調高周波電力は、１３．５６Ｍ
Ｈｚ以上の所定周波数の基本高周波電力に該所定周波数
の１万分の１以上１０分の１以下の範囲の変調周波数で
変調を施した状態のものとする。また、デューティ比
（オン時間／オン時間＋オフ時間）は５０％とする。そ
の他の動作は、図２の装置を用いた成膜と同様である。
図３の装置及びこの装置を用いた成膜によると、前処理
用ガスのプラズマ化のために供給する電力をこのような
変調を施した高周波電力とすることにより、高密度のプ
ラズマが得られ、効率良く前処理を行うことができる。
また、成膜原料ガスのプラズマ化のために供給する電力
をこのような変調を施した高周波電力とすることによ
り、高密度のプラズマが得られ、これにより反応率が向
上し、低温で成膜できる。また、このような変調を施す
ことにより、物品表面での反応が進み、膜密着性が向上
するとともに成膜速度が向上する。

【００４８】なお、ここでは前処理用ガスのプラズマ化
及び成膜原料ガスのプラズマ化の両方をパルス変調高周
波電力の供給により行ったが、いずれか一方のみパルス
変調高周波電力の供給により行い、他方を定常高周波電
力の供給により行ってもよい。また、図１の装置を用い
た成膜においてもガスプラズマ化をこのようなパルス変
調高周波電力の供給により行ってもよい。

【００４９】また、ここでは図１〜図３の装置を用い
て、真空容器壁に設けた孔に成形物品を通すことにより
該物品の各部分に連続して処理を施したが、被処理物品
が例えばフィルム状等の柔軟性を有するものである場
合、処理後の物品を巻き取りリール等に巻き取りつつ該
処理を行ってもよい。次に、図４にプラズマ処理装置の
さらに他の例を示す。このプラズマ処理装置は、図２又
は図３の装置において、真空容器１Ａと真空容器１Ｂと
の間にさらに前処理用の真空容器１Ａ´を接続したもの
である。真空容器１Ａ´には真空容器１Ａと同様の前処
理用ガス供給部６´、排気装置１１Ａ´、送りローラ５
１ｃ´、５１ｄ´及び送りガイド５２ｂ´、誘導コイル
電極２Ａ´、さらにガスプラズマ化用の電力供給部ＰＡ
´を設けてある。また、容器１Ａ´と容器１Ｂとの間に
は通過孔１３´を形成したゲートが設けられている。な
お、図４中、真空容器１Ａに付設の電力供給部ＰＡは、
図２に示すマッチングボックス２１Ａ及び電源２２Ａか
ら構成されるか又は図３に示すマッチングボックス２１
Ａ、電源２２Ａ及び任意波形発生装置２３Ａから構成さ
れる。また、図４中、真空容器１Ｂに付設の電力供給部
ＰＢは、図２に示すマッチングボックス２１Ｂ及び電源
２２Ｂから構成されるか又は図３に示すマッチングボッ
クス２１Ｂ、電源２２Ｂ及び任意波形発生装置２３Ａか
ら構成される。

【００５０】次に、図１〜図４の装置を用いた本発明方
法実施の具体例を説明する。実施例１（図１の装置による）管状の成形物品の外周面に直接炭素膜を形成した。成形物品材質ＥＰＤＭゴムサイズ外径１０ｍｍ×内径６ｍｍの管状（長さは制限なし）コイル電極２サイズコイル直径１０ｍｍ、電極全体幅１００ｍｍ成膜条件成膜原料ガスメタン（ＣＨ₄）１００ｓｃｃｍ高周波電力周波数１３．５６ＭＨｚ、２５Ｗ成膜圧力０．０５Ｔｏｒｒ成膜速度１０００Å／ｍｉｎ（物品停止状態に換算）物品送り速度１０ｃｍ／ｍｉｎ実施例２（図２の装置による）管状の成形物品に水素ガスプラズマによる前処理を施
し、さらに炭素膜を形成した。

【００５１】成形物品材質ＥＰＤＭゴムサイズ外径１０ｍｍ×内径６ｍｍの管状（長さは制限なし）コイル電極２Ａ、２Ｂサイズコイル直径１０ｍｍ、電極全体幅１００ｍｍ前処理条件前処理用ガス水素（Ｈ₂）１００ｓｃｃｍ高周波電力周波数１３．５６ＭＨｚ、５０Ｗ処理圧力０．０５Ｔｏｒｒ物品送り速度１０ｃｍ／ｍｉｎ成膜条件成膜原料ガスメタン（ＣＨ₄）１００ｓｃｃｍ高周波電力周波数１３．５６ＭＨｚ、２５Ｗ成膜圧力０．０５Ｔｏｒｒ成膜速度１０００Å／ｍｉｎ（物品停止状態に換算）物品送り速度１０ｃｍ／ｍｉｎ実施例３（図２の装置による）前記実施例２において、前処理として水素ガスプラズマ
に代えて６フッ化硫黄ガスプラズマに成形物品を曝し
た。成形物品、装置条件及び成膜条件は前記実施例２と
同様とした。

【００５２】前処理条件前処理用ガス６フッ化硫黄（ＳＦ₆）１００ｓｃｃｍ高周波電力周波数１３．５６ＭＨｚ、５０Ｗ処理圧力０．０５Ｔｏｒｒ物品送り速度１０ｃｍ／ｍｉｎ実施例４（図４の装置による）管状の成形物品に酸素ガスプラズマによる第１の前処理
を施し、次いで水素ガスプラズマによる第２の前処理を
施し、さらに炭素膜を形成した。成形物品、装置条件及
び成膜条件は前記実施例２と同様とした。

【００５３】第１前処理条件前処理用ガス酸素（Ｏ₂）１００ｓｃｃｍ高周波電力周波数１３．５６ＭＨｚ、５０Ｗ処理圧力０．０５Ｔｏｒｒ物品送り速度１０ｃｍ／ｍｉｎ第２前処理条件前処理用ガス水素（Ｈ₂）１００ｓｃｃｍ高周波電力周波数１３．５６ＭＨｚ、５０Ｗ処理圧力０．０５Ｔｏｒｒ物品送り速度１０ｃｍ／ｍｉｎ実施例５（図４の装置による）管状の成形物品に酸素ガスプラズマによる第１の前処理
を施し、次いで６フッ化硫黄ガスプラズマによる第２の
前処理を施し、さらに炭素膜を形成した。成形物品、装
置条件及び成膜条件は前記実施例２と同様とした。

【００５４】第１前処理条件前処理用ガス酸素（Ｏ₂）１００ｓｃｃｍ高周波電力周波数１３．５６ＭＨｚ、５０Ｗ処理圧力０．０５Ｔｏｒｒ物品送り速度１０ｃｍ／ｍｉｎ第２前処理条件前処理用ガス６フッ化硫黄（ＳＦ₆）１００ｓｃｃｍ高周波電力周波数１３．５６ＭＨｚ、５０Ｗ処理圧力０．０５Ｔｏｒｒ物品送り速度１０ｃｍ／ｍｉｎ実施例６〜１０（図３の装置等）前記実施例１〜５において、それぞれ成膜原料ガス或い
は前処理用ガス及び成膜原料ガスのプラズマ化用の高周
波電力を、１３．５６ＭＨｚの基本高周波電力に周波数
１０ｋＨｚ、デューティ５０％でパルス変調を施した状
態の変調高周波電力とした。その他の条件は実施例１〜
５と同様にした。比較例１押し出し成形された管状の被処理物品を従来の平行平板
型プラズマＣＶＤ装置に搬入し、その表面に炭素膜を形
成した。

【００５５】被成膜物品材質ＥＰＤＭゴムサイズ外径１０ｍｍ×内径６ｍｍ×長さ４００ｍｍ高周波電極サイズ４０ｃｍ×４０ｃｍ成膜条件成膜原料ガスメタン（ＣＨ₄）１００ｓｃｃｍ高周波電力周波数１３．５６ＭＨｚ、３００Ｗ成膜圧力０．１Ｔｏｒｒ成膜速度２００Å／ｍｉｎ成膜時間２０ｍｉｎ次に、前記実施例１、６及び比較例１により得られた各
炭素膜被覆管状物品について行った膜厚均一性の評価に
ついて説明する。膜厚の均一性は、比較例１については
物品の長さ方向の中央部（Ａ点）、端部（Ｃ点）及びそ
れらの中間点（Ｂ点）の３点での膜厚を測定しばらつき
を求めることで評価した。実施例１、６については被処
理物品の任意の部分で比較例１の被処理物品と同じ４０
０ｍｍの長さに区切り、その中央部（Ａ点）、端部（Ｃ
点）及びこれらの中間点（Ｂ点）の３点での膜厚を測定
しばらつきを求めることで評価した。結果を次表１に示
す。表１膜厚（μｍ）膜厚均一性Ａ点Ｂ点Ｃ点実施例１０．３３０．３５０．３４ ± ５．８％実施例６０．３５０．３５０．３５ ± ０％比較例１０．３５０．２５０．１０ ±５３．６％このように、押し出し成形された被処理物品を大気に曝
さず成膜を行った本発明実施例１では、一旦大気中に押
し出し成形された被処理物品を従来の平行平板型のプラ
ズマＣＶＤ装置に搬入して成膜を施した比較例１に比べ
て、被処理物品の表面が清浄に保たれている分膜厚均一
性が良好であった。また、被処理物品の成膜をパルス変
調高周波電力の供給によりガスをプラズマ化することで
行った本発明実施例６では、さらに膜厚均一性が向上し
た。

【００５６】次に、本発明実施例１〜１０及び比較例１
により得られた各炭素膜被覆管状物品について行った膜
密着性の評価及びアルミニウム材との摩擦係数の評価に
ついて説明する。膜密着性は、各物品のＡ点（中央部）
で測定した。直径５ｍｍの円柱状部材を接着剤を用いて
炭素膜表面に接合させ、該円柱状部材を膜に対して垂直
方向に引っ張って該膜を被処理物品から剥離させ、剥離
に要した力を測定する引っ張り法により評価した。

【００５７】また、摩擦係数は、膜形成物品表面に先端
曲率Ｒ１８ｍｍのアルミニウムからなるピン状物品の先
端部を当接させ、且つ、該ピン状物品に１０ｇの荷重を
かけた状態でこのピンを２０ｍｍ／ｓｅｃの速度で移動
させたときの値を測定した。摩擦係数については比較例
２として、未処理のＥＰＤＭゴムからなる管状物品の摩
擦係数も評価した。

【００５８】結果を次表２に示す。これによると、押し出し成形された被処理物品を大気に
曝さずに成膜を行った本発明実施例１〜１０では、物品
を一旦大気に曝した比較例１に比べて、物品表面が清浄
に保たれている分膜密着性が向上した。また、成膜前に
前処理を施した実施例２〜５は、被処理物品に直接成膜
を行った実施例１より、物品表面が清浄化され或いはさ
らに表面粗度が向上した分、膜密着性が高かった。ま
た、同様に前処理を施した実施例７〜１０は、被処理物
品に直接成膜を行った実施例６より膜密着性が高かっ
た。また、ガスプラズマ化をパルス変調高周波電力の供
給により行った実施例６〜１０ではこれを定常高周波電
力の供給により行った実施例１〜５より膜密着性が向上
した。

【００５９】また、炭素膜を形成した本発明実施例１〜
１０では未処理の被処理物品（比較例２）よりアルミニ
ウム材との摩擦係数が小さくなった。また、前記実施例
６において、パルス変調周波数を１００Ｈｚ〜１００ｋ
Ｈｚの範囲で変化させた場合の成膜速度及び膜密着性の
変化を図５に示す。図５によると、基本高周波電力の周
波数１３．５６ＭＨｚに対して変調周波数が１ｋＨｚよ
り小さくなってくると、すなわち約１００００分の１よ
り小さくなってくると、著しく成膜速度が低くなること
が分かる。また、前記範囲内では変調周波数が１ｋＨｚ
より大きくなってくると、膜密着性が低くなってくるこ
とが分かる。つまり、この例では基本高周波電力の周波
数１３．５６ＭＨｚに対して変調周波数を１ｋＨｚ程度
（約１００００分の１）とすればよいことがわかる。

【００６０】

【発明の効果】本発明によると、押し出し成形高分子物
品に、それへの大気中の汚染物質や水分の付着、吸着を
防止しつつプラズマ処理を施すことができる押し出し成
形高分子物品のプラズマ処理方法及び装置を提供するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る第１のプラズマ処理装置の１例の
概略構成を示す図である。

【図２】本発明に係る第２のプラズマ処理装置の１例の
概略構成を示す図である。

【図３】本発明に係る第２のプラズマ処理装置の他の例
の概略構成を示す図である。

【図４】本発明に係る第２のプラズマ処理装置のさらに
他の例の概略構成を示す図である。

【図５】本発明方法におけるパルス変調周波数と成膜速
度との関係の１例、及びパルス変調周波数と膜密着性と
の関係の１例をそれぞれ示す図である。

【図６】従来の容量結合型プラズマＣＶＤ装置例の概略
構成を示す図である。

【符号の説明】

１、１Ａ、１Ａ´、１Ｂ真空容器１１、１１Ａ、１１Ａ´、１１Ｂ排気装置１２、１３、１３´、１４被処理物品通過孔２、２Ａ、２Ａ´、２Ｂ誘導コイル電極２１、２１Ａ、２１Ｂマッチングボックス２２、２２Ａ、２２Ｂ高周波電源２３Ａ、２３Ｂ任意波形発生装置ＰＡ、ＰＡ´、ＰＢ電力供給部３成膜原料ガス供給部４押し出し成形装置４１押し出し成形装置４の押し出し口５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｃ´、５１ｄ、５１ｄ
´、５１ｅ、５１ｆ物品送りローラ５２ａ、５２ｂ、５２ｂ´、５２ｃ物品送りガイド６、６´ 前処理用ガス供給部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５被処理物品Ｒ１繰り出しリールＲ２巻き取りリール

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】高分子材料を押し出し成形して高分子物
品を得るにあたり、該物品の押し出し成形された部分か
ら順に、大気に曝すことなく、処理用ガスに電力供給し
て得られたプラズマのもとでプラズマ処理を施すことを
特徴とする押し出し成形高分子物品のプラズマ処理方
法。
【請求項２】前記処理用ガスとして、不活性ガス、フ
ッ素含有ガス、水素ガス及び酸素ガスのうち少なくとも
１種のガスを用いる請求項１記載の押し出し成形高分子
物品のプラズマ処理方法。
【請求項３】前記処理用ガスとして、プラズマ化によ
り成膜可能な成膜原料ガスを用いる請求項１記載の押し
出し成形高分子物品のプラズマ処理方法。
【請求項４】前記成膜原料ガスとして、炭素化合物ガ
スを含む炭素膜形成のためのガスを用いる請求項３記載
の押し出し成形高分子物品のプラズマ処理方法。
【請求項５】処理用ガスへの電力供給を誘導結合型電
極を用いて行う請求項１から４のいずれかに記載の押し
出し成形高分子物品のプラズマ処理方法。
【請求項６】処理用ガスへの電力供給を容量結合型電
極を用いて行う請求項１から４のいずれかに記載の押し
出し成形高分子物品のプラズマ処理方法。
【請求項７】処理用ガスに供給する電力を、１３．５
６ＭＨｚ以上の所定周波数の基本高周波電力に該所定周
波数の１万分の１以上１０分の１以下の範囲の変調周波
数で変調を施した状態のものとする請求項１から６のい
ずれかに記載の押し出し成形高分子物品のプラズマ処理
方法。
【請求項８】高分子材料を押し出し成形して高分子物
品を得るにあたり、該物品の押し出し成形された部分か
ら順に、大気に曝すことなく、前処理用ガスに電力供給
して得られたプラズマのもとで前処理し、該物品の該前
処理された部分から順に、大気に曝すことなく、成膜原
料ガスに電力供給して得られたプラズマのもとで膜形成
することを特徴とする押し出し成形高分子物品のプラズ
マ処理方法。
【請求項９】前記前処理用ガスとして、不活性ガス、
フッ素含有ガス、水素ガス及び酸素ガスのうち少なくと
も１種のガスを用いる請求項８記載の押し出し成形高分
子物品のプラズマ処理方法。
【請求項１０】前記成膜原料ガスとして炭素化合物ガ
スを含む炭素膜形成のためのガスを用いる請求項８又は
９記載の押し出し成形高分子物品のプラズマ処理方法。
【請求項１１】前記前処理用ガスへの電力供給及び前
記成膜原料ガスへの電力供給を誘導結合型電極を用いて
行う請求項８、９又は１０記載の押し出し成形高分子物
品のプラズマ処理方法。
【請求項１２】前記前処理用ガスへの電力供給及び前
記成膜原料ガスへの電力供給を容量結合型電極を用いて
行う請求項８、９又は１０記載の押し出し成形高分子物
品のプラズマ処理方法。
【請求項１３】前記前処理用ガスに供給する電力及び
（又は）前記成膜原料ガスに供給する電力を、１３．５
６ＭＨｚ以上の所定周波数の基本高周波電力に該所定周
波数の１万分の１以上１０分の１以下の範囲の変調周波
数で変調を施した状態のものとする請求項８から１２の
いずれかに記載の押し出し成形高分子物品のプラズマ処
理方法。
【請求項１４】高分子材料からなる物品を押し出し成
形できる押し出し成形装置と、該押し出し成形装置の押し出し口に連設された真空容器
と、該真空容器に対し設けられた排気手段と、該真空容
器内において物品の該押し出し成形装置から押し出され
た部分を支持しつつ順に処理位置に送る物品送り手段
と、該真空容器内に処理用ガスを供給するための処理用
ガス供給手段と、該処理用ガス供給手段により該容器内
に供給される処理用ガスにガスプラズマ化用電力を供給
するための電力供給手段とを備えていることを特徴とす
る押し出し成形高分子物品のプラズマ処理装置。
【請求項１５】前記処理用ガス供給手段が、不活性ガ
ス、フッ素含有ガス、水素ガス及び酸素ガスのうち少な
くとも１種のガスを供給できるものである請求項１４記
載の押し出し成形高分子物品のプラズマ処理装置。
【請求項１６】前記処理用ガス供給手段が、プラズマ
化により成膜可能な成膜原料ガスを供給できるものであ
る請求項１４記載の押し出し成形高分子物品のプラズマ
処理装置。
【請求項１７】前記処理用ガス供給手段が成膜原料ガ
スとして炭素化合物ガスを含む炭素膜形成のためのガス
を供給できるものである請求項１６記載の押し出し成形
高分子物品のプラズマ処理装置。
【請求項１８】前記電力供給手段が誘導結合型電極を
含むものである請求項１４から１７のいずれかに記載の
押し出し成形高分子物品のプラズマ処理装置。
【請求項１９】前記電力供給手段が容量結合型電極を
含むものである請求項１４から１７のいずれかに記載の
押し出し成形高分子物品のプラズマ処理装置。
【請求項２０】前記電力供給手段が、１３．５６ＭＨ
ｚ以上の所定周波数の基本高周波電力に該所定周波数の
１万分の１以上１０分の１以下の範囲の変調周波数で変
調を施した状態の電力を供給できるものである請求項１
４から１９のいずれかに記載の押し出し成形高分子物品
のプラズマ処理装置。
【請求項２１】高分子材料からなる物品を押し出し成
形できる押し出し成形装置と、該押し出し成形装置の押し出し口に連設された第１の真
空容器と、該第１の真空容器に対し設けられた第１の排
気手段と、該第１の真空容器内に前処理用ガスを供給す
るための前処理用ガス供給手段と、該前処理用ガス供給
手段により該第１の真空容器内に供給される前処理用ガ
スにガスプラズマ化用電力を供給するための第１の電力
供給手段と、前記第１の真空容器に連設された第２の真空容器と、前
記第１の真空容器と該第２の真空容器との間に設けられ
た物品通過ゲートと、該第２の真空容器に対し設けられ
た第２の排気手段と、該第２の真空容器内にプラズマ化
により成膜可能な成膜原料ガスを供給するための成膜原
料ガス供給手段と、該成膜原料ガス供給手段により該第
２の真空容器内に供給される成膜原料ガスにガスプラズ
マ化用電力を供給するための第２の電力供給手段と、前記物品の前記押し出し成形装置から押し出された部分
を支持しつつ、前記第１の真空容器内の処理位置に送
り、さらに前記物品通過ゲートを通して前記第２の真空
容器内の処理位置に送る物品送り手段とを備えているこ
とを特徴とする押し出し成形高分子物品のプラズマ処理
装置。
【請求項２２】前記第１の真空容器内に前処理用ガス
を供給するための前処理用ガス供給手段が、不活性ガ
ス、フッ素含有ガス、水素ガス及び酸素ガスのうち少な
くとも１種のガスを供給できるものである請求項２１記
載の押し出し成形高分子物品のプラズマ処理装置。
【請求項２３】前記第２の真空容器内に成膜原料ガス
を供給するための成膜原料ガス供給手段が、成膜原料ガ
スとして炭素化合物ガスを含む炭素膜形成のためのガス
を供給できるものである請求項２１又は２２記載の押し
出し成形高分子物品のプラズマ処理装置。
【請求項２４】前記第１及び第２の電力供給手段が誘
導結合型電極を含むものである請求項２１、２２又は２
３記載の押し出し成形高分子物品のプラズマ処理装置。
【請求項２５】前記第１及び第２の電力供給手段が容
量結合型電極を含むものである請求項２１、２２又は２
３記載の押し出し成形高分子物品のプラズマ処理装置。
【請求項２６】前記第１及び（又は）第２の電力供給
手段が、１３．５６ＭＨｚ以上の所定周波数の基本高周
波電力に該所定周波数の１万分の１以上１０分の１以下
の範囲の変調周波数で変調を施した状態の電力を供給で
きるものである請求項２１から２５のいずれかに記載の
押し出し成形高分子物品のプラズマ処理装置。