JPH1149728A - 4,4’,4’’−トリス(n,n−ジアリールアミノ)トリフェニルアミン類の製造方法及び4,4’,4’’−トリス(n−アリールアミノ)トリフェニルアミン類 - Google Patents

4,4’,4’’−トリス(n,n−ジアリールアミノ)トリフェニルアミン類の製造方法及び4,4’,4’’−トリス(n−アリールアミノ)トリフェニルアミン類

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JPH1149728A
JPH1149728A JP9213094A JP21309497A JPH1149728A JP H1149728 A JPH1149728 A JP H1149728A JP 9213094 A JP9213094 A JP 9213094A JP 21309497 A JP21309497 A JP 21309497A JP H1149728 A JPH1149728 A JP H1149728A
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洋 成瀬
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勝 和田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 収率および選択率が高く、工業的に優位な
4,4’,4’’−トリス(N,N−ジアリールジフェ
ニルアミノ)トリフェニルアミン新規製造法を提供す
る。 【解決手段】 水素移動触媒存在下、4,4’,4’’
−トリス(N−アリールアミノ)トリフェニルアミン類
とシクロヘキサノン類とを反応させることを特徴とする
下記式 (式中RおよびR’は水素またはアルキル基を表し、同
一でも異なっていてもよい。)で示される4,4’,
4’’−トリス(N,N−ジアリールアミノ)トリフェ
ニルアミン類の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、4,4’,4’’
−トリス(N,N−ジアリールアミノ)トリフェニルア
ミン類の製造法及びその新規中間体4,4’,4’’−
トリス(N−アリールアミノ)トリフェニルアミン類に
関する。本発明の方法によって得られる4,4’,
4’’−トリス(N,N−ジアリールアミノ)トリフェ
ニルアミン類は有機EL素子に用いられる正孔輸送材料
として有用な化合物である。
【0002】
【従来の技術】従来、これら4,4’,4’’−トリス
(N,N−ジアリールアミノ)トリフェニルアミン類は
トリフェニルアミンをヨウ素化して4,4’,4’’−
トリヨードトリフェニルアミンを得、これにジフェニル
アミン類を反応させて製造されていた(特開平1−22
4353号公報、Chem.Lett.1145(19
89))。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこの方法
によると収率および選択率が低いなどの問題点があっ
た。例えば4,4’,4’’−トリヨードトリフェニル
アミンとジフェニルアミンによる4,4’,4’’−ト
リス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン
の製造については40.2%の収率との記載がある。本
発明の目的は工業的に有利な4,4’,4’’−トリス
(N,N−ジアリールアミノ)トリフェニルアミン類の
製造方法を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者らは工業的に有
利な4,4’,4’’−トリス(N,N−ジアリールア
ミノ)トリフェニルアミン類の製造方法を確立すべく鋭
意検討を行った結果、水素移動触媒の存在下、新規化合
物である4,4’,4’’−トリス(N−アリールアミ
ノ)トリフェニルアミン類とシクロヘキサノン類とを反
応させること、もしくは4,4’,4’’−トリアミノ
トリフェニルアミンとシクロヘキサノン類とを反応させ
て新規化合物である4,4’,4’’−トリス(N−ア
リールアミノ)トリフェニルアミン類を製造し、続いて
シクロヘキサノン類とを反応させることで高収率で4,
4’,4’’−トリス(N,N−ジアリールアミノ)ト
リフェニルアミン類が製造できることを見いだし、本発
明に到達した。
【0005】すなわち本発明は、 (第一の発明) 水素移動触媒存在下、一般式(1)
【0006】
【化10】 (式中、Rは水素原子またはアルキル基を表す。)
【0007】で示される4,4’,4’’−トリス(N
−アリールアミノ)トリフェニルアミン類と一般式
(2)
【0008】
【化11】 (式中、R’は水素原子またはアルキル基を表す)
【0009】で示されるシクロヘキサノン類とを反応さ
せることを特徴とする一般式(3)
【0010】
【化12】 (式中、RおよびR’は水素原子またはアルキル基を表
し、同一でも異なっていてもよい。)
【0011】で示される4,4’,4’’−トリス
(N,N−ジアリールアミノ)トリフェニルアミン類の
製造方法および、 (第二の発明) 下記式(4)
【0012】
【化13】
【0013】で表される4,4’,4’’−トリアミノ
トリフェニルアミンと一般式(5)
【0014】
【化14】 (式中、Rは水素原子またはアルキル基を表す。)
【0015】で表されるシクロヘキサノン類とを反応さ
せて、一般式(1)
【0016】
【化15】 (式中、Rは水素原子またはアルキル基を表す。)
【0017】で表される4,4’,4’’−トリス(N
−アリールアミノ)トリフェニルアミン類を製造し(第
一工程)、続いて、一般式(2)
【0018】
【化16】 (式中、R’は水素原子またはアルキル基を表す。)
【0019】で表されるシクロヘキサノン類とを反応さ
せる(第二工程)ことを特徴とする一般式(3)
【0020】
【化17】 (式中、RおよびR’は水素原子またはアルキル基を表
し、同一でも異なっていてもよい。)
【0021】で示される4,4’,4’’−トリス
(N,N−ジアリールアミノ)トリフェニルアミン類の
製造方法及び、 (第三の発明) その中間体として有用な一般式(1)
【0022】
【化18】 (式中、Rは水素原子またはアルキル基を表す。)
【0023】で表される新規な4,4’,4’’−トリ
ス(N−アリールアミノ)トリフェニルアミン類に関す
る。
【0024】
【発明の実施の形態】第一の発明における一般式(1)
で表される4,4’,4’’−トリス(N−アリールア
ミノ)トリフェニルアミン類の置換基Rは、水素原子も
しくはアルキル基であればいかなる置換基でもよいが、
例えば、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、
イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブ
チル基、t−ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、
特に水素原子、メチル基が好ましい。
【0025】第一の発明に使用される一般式(2)で表
されるシクロヘキサノン類としては、技術上公知のアル
キル基の置換したシクロヘキサノン類であれば問題なく
使用することができる。具体的にはシクロヘキサノン、
2−メチルシクロヘキサノン、3−メチルシクロヘキサ
ノン、4−メチルシクロヘキサノン、2−エチルシクロ
ヘキサノン、3−エチルシクロヘキサノン、4−エチル
シクロヘキサノン、2−プロピルシクロヘキサノン、3
−プロピルシクロヘキサノン、4−プロピルシクロヘキ
サノン、2−イソプロピルシクロヘキサノン、3−イソ
プロピルシクロヘキサノン、4−イソプロピルシクロヘ
キサノン、2−ブチルシクロヘキサノン、3−ブチルシ
クロヘキサノン、4−ブチルシクロヘキサノン、2−イ
ソブチルシクロヘキサノン、3−イソブチルシクロヘキ
サノン、4−イソブチルシクロヘキサノン、2−sec
−ブチルシクロヘキサノン、3−sec−ブチルシクロ
ヘキサノン、4−sec−ブチルシクロヘキサノン、2
−tert−ブチルシクロヘキサノン、3−tert−
ブチルシクロヘキサノン、4−tert−ブチルシクロ
ヘキサノン等の低級アルキル基の置換したシクロヘキサ
ノン類及びこれらの混合物が好ましく、特にシクロヘキ
サノン、3−メチルシクロヘキサノンが好ましい。ま
た、使用するシクロヘキサノン類の入手が困難な場合に
おいても対応するフェノール類(例えば、無置換のシク
ロヘキサノンであれば無置換のフェノール、3−メチル
シクロヘキサノンであればm−クレゾール)が入手可能
であればその対応するフェノール類を水素化することで
使用するシクロヘキサノン類を製造して使用することも
できる。また更に、シクロヘキサノン類の替わりに対応
するフェノール類を用い、シクロヘキサノン類は少量だ
け使用しても良い。この場合反応中に副生してくる水素
によりフェノール類が還元されシクロヘキサノン類とな
り使用されるので極めて効率的である。
【0026】シクロヘキサノン類の使用量は4,4’,
4’’−トリス(N−アリールアミノ)トリフェニルア
ミン類に対して理論量である3.0倍モル以上、好まし
くは4.0倍モル以上が必要となる。ただし、シクロヘ
キサノン類に対応するフェノール類を用いる場合、仕込
みのシクロヘキサノン類としては4,4’,4’’−ト
リス(N−アリールアミノ)トリフェニルアミン類に対
して0.5ないし3.5倍モル、好ましくは1.5ない
し3.0倍モルである。この範囲より少ないとシクロヘ
キサノン類が不足し収率低下を招き、この範囲より多い
と副反応が進行し易くなる。また、この際フェノール類
の使用量は4,4’,4’’−トリス(N−アリールア
ミノ)トリフェニルアミン類に対して3倍モル以上あれ
ば特に問題ないが、通常は溶剤としても使用するのが有
利であり、好ましくは5倍モル以上、特に好ましくは1
0倍モル以上である。
【0027】第一の発明に使用される水素移動触媒とし
ては、公知のいかなる水素化触媒でも良いが、具体的に
は、ラネーニッケル、還元ニッケル、もしくはニッケル
坦持触媒、ラネーコバルト、還元コバルト、もしくはコ
バルト坦持触媒、ラネー銅、還元銅、もしくは銅坦持触
媒、周期律表第8族の貴金属触媒、もしくはその貴金属
が坦体として、炭素、アルミナ、シリカ、マグネシア、
珪藻土、炭酸バリウムなどに坦持された触媒、レニウム
/炭素等のレニウム触媒等が挙げられる。これらの触媒
のうち、好ましくはパラジウムであり、特に、炭素、ア
ルミナ、シリカ、マグネシア等の坦体に坦持されたパラ
ジウム坦持触媒が好ましい。その使用量は原料である
4,4’,4’’−トリス(N−アリールアミノ)トリ
フェニルアミン類の仕込み量に対して、金属量として
0.01〜2.0重量%、好ましくは0.1〜1.0重
量%である。
【0028】第一の発明においては種々の還元性材料の
何れかを水素受容体として使用するのが好ましい。例え
ば、α−メチルスチレン、1−オクテン、クロトン酸等
オレフィン類、フェノール、2−メチルフェノール、3
−メチルフェノール、4−メチルフェノール、2−エチ
ルフェノール、3−エチルフェノール、4−エチルフェ
ノール、2−プロピルフェノール、3−プロピルフェノ
ール、4−プロピルフェノール、2−イソプロピルフェ
ノール、3−イソプロピルフェノール、4−イソプロピ
ルフェノール、2−ブチルフェノール、3−ブチルフェ
ノール、4−ブチルフェノール、2−イソブチルフェノ
ール、3−イソブチルフェノール、4−イソブチルフェ
ノール、2−sec−ブチルフェノール、3−sec−
ブチルフェノール、4−sec−ブチルフェノール、2
−tert−ブチルフェノール、3−tert−ブチル
フェノール、4−tert−ブチルフェノール等のフェ
ノール類等が挙げられる。これらの中で好ましくは、フ
ェノール類、特に好ましくは、一般式(2)で表される
シクロヘキサノン類に対応するフェノール類を使用する
と、反応系内で原料であるシクロヘキサノン類を生成す
るので好ましい。
【0029】反応温度は通常130〜300℃で、好ま
しくは160〜250℃の範囲で選ばれる。これより低
い温度では反応速度が小さく、高い温度では副生成物が
多く生成するので好ましくない。
【0030】反応溶媒としては基質と反応しないもので
あれば技術上公知の溶媒を特に問題なく使用することが
できる。中でも、一般式(2)で表されるシクロヘキサ
ノン類に対応するフェノール類を溶媒として用いると、
フェノール類が水素受容体としても機能し反応系内で原
料であるシクロヘキサノン類を生成するので好ましい。
その使用量はいずれの化合物を製造する場合も用いる
4,4’,4’’−トリス(N−アリールアミノ)トリ
フェニルアミン類に対して5倍モル以上あればよく、好
ましくは10倍モル以上である。
【0031】また、第一の発明においては脱水触媒とし
て酸の添加が有効である。具体的には、塩酸、硫酸、硝
酸、燐酸等の無機酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、オク
チル酸、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタ
ル酸、フェニル酢酸、シュウ酸等の有機酸が挙げられる
がこれらに限定されるものではない。好ましくは安息香
酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸等の芳香族
有機酸である。その使用量は原料のアミン類に対して
0.5〜30重量%、好ましくは1〜20重量%であ
る。
【0032】第一の発明において、脱水反応時に生成す
る水は反応系外に取り除かなくても良いが、ベンゼン、
トルエン、キシレン等の非水系の共沸脱水剤を用いて生
成水を反応系外に取り除くと脱水速度が大きくなり、効
率良く反応が進行するので好ましい。
【0033】以上の方法により生成した4,4’,
4’’−トリス(N,N−ジアリールアミノ)トリフェ
ニルアミン類は反応終了後の混合物から触媒を濾別し、
溶媒や過剰量のシクロヘキサノン類を蒸留により留去し
た後、カラムクロマトグラフィー、晶析等により取り出
すことができる。
【0034】第二の発明に使用される4,4’,4’’
−トリアミノトリフェニルアミンは、例えばトリフェニ
ルアミンを酢酸溶媒中硝酸を用いてニトロ化し、貴金属
触媒を用いて水素還元する等の公知の方法により、容易
に製造することができる。
【0035】第二の発明に使用される一般式(5)で表
されるシクロヘキサノン類としては、技術上公知のアル
キル基の置換したシクロヘキサノン類であれば問題なく
使用することができる。具体的にはシクロヘキサノン、
2−メチルシクロヘキサノン、3−メチルシクロヘキサ
ノン、4−メチルシクロヘキサノン、2−エチルシクロ
ヘキサノン、3−エチルシクロヘキサノン、4−エチル
シクロヘキサノン、2−プロピルシクロヘキサノン、3
−プロピルシクロヘキサノン、4−プロピルシクロヘキ
サノン、2−イソプロピルシクロヘキサノン、3−イソ
プロピルシクロヘキサノン、4−イソプロピルシクロヘ
キサノン、2−ブチルシクロヘキサノン、3−ブチルシ
クロヘキサノン、4−ブチルシクロヘキサノン、2−イ
ソブチルシクロヘキサノン、3−イソブチルシクロヘキ
サノン、4−イソブチルシクロヘキサノン、2−sec
−ブチルシクロヘキサノン、3−sec−ブチルシクロ
ヘキサノン、4−sec−ブチルシクロヘキサノン、2
−tert−ブチルシクロヘキサノン、3−tert−
ブチルシクロヘキサノン、4−tert−ブチルシクロ
ヘキサノン等の低級アルキル基の置換したシクロヘキサ
ノン類及びこれらの混合物が好ましい。特に、一般式
(1)で表される4,4’,4’’−トリス(N−アリ
ールアミノ)トリフェニルアミン類の置換基Rが水素原
子の場合は3−メチルシクロヘキサノンを、また、Rが
3−メチル基の場合はシクロヘキサノンを使用するのが
好ましい。また、使用するシクロヘキサノン類の入手が
困難な場合においても対応するフェノール類(例えば、
無置換のシクロヘキサノンであれば無置換のフェノー
ル、3−メチルシクロヘキサノンであればm−クレゾー
ル)が入手可能であればその対応するフェノール類を水
素化することで使用するシクロヘキサノン類を製造して
使用することもできる。また更に、シクロヘキサノン類
の替わりに対応するフェノール類を用い、シクロヘキサ
ノン類は少量だけ使用しても良い。この場合反応中に副
生してくる水素によりフェノール類が還元されシクロヘ
キサノン類となり使用されるので極めて効率的である。
【0036】シクロヘキサノン類の使用量は4,4’,
4’’−トリス(N−アリールアミノ)トリフェニルア
ミン類に対して理論量である3.0倍モル以上、好まし
くは4.0倍モル以上が必要となる。ただし、シクロヘ
キサノン類に対応するフェノール類を用いる場合、仕込
みのシクロヘキサノン類としては4,4’,4’’−ト
リス(N−アリールアミノ)トリフェニルアミン類に対
して触媒量の0.05ないし1.5当量あれば特に問題
無いが、好ましくは0.1ないし1.0当量である。こ
の範囲より少ないとシクロヘキサノン類が不足し収率低
下を招き、この範囲より多いと副反応が進行し易くな
る。また、この際フェノール類の使用量は4,4’,
4’’−トリス(アリールアミノ)トリフェニルアミン
類に対して3倍モル以上あれば特に問題ないが、通常は
溶剤としても使用するのが有利であり、好ましくは5倍
モル以上、特に好ましくは10倍モル以上である。
【0037】第二の発明の第一工程で使用される水素移
動触媒としては、公知のいかなる水素化触媒でも良い
が、具体的には、ラネーニッケル、還元ニッケル、もし
くはニッケル坦持触媒、ラネーコバルト、還元コバル
ト、もしくはコバルト坦持触媒、ラネー銅、還元銅、も
しくは銅坦持触媒、周期律表第8族の貴金属触媒、もし
くはその貴金属が坦体として、炭素、アルミナ、シリ
カ、マグネシア、珪藻土、炭酸バリウムなどに坦持され
た触媒、レニウム/炭素等のレニウム触媒等が挙げられ
る。これらの触媒のうち、好ましくはパラジウムであ
り、特に、炭素、アルミナ、シリカ、マグネシア等の坦
体に坦持されたパラジウム坦持触媒が好ましい。その使
用量は原料である4,4’,4’’−トリアミノトリフ
ェニルアミンの仕込み量に対して金属量として0.01
〜2.0重量%、好ましくは0.1〜1.0重量%であ
る。
【0038】第二の発明の第一工程においても種々の還
元性材料の何れかを水素受容体として使用するのが好ま
しい。例えば、α−メチルスチレン、1−オクテン、ク
ロトン酸等オレフィン類、フェノール、2−メチルフェ
ノール、3−メチルフェノール、4−メチルフェノー
ル、2−エチルフェノール、3−エチルフェノール、4
−エチルフェノール、2−プロピルフェノール、3−プ
ロピルフェノール、4−プロピルフェノール、2−イソ
プロピルフェノール、3−イソプロピルフェノール、4
−イソプロピルフェノール、2−ブチルフェノール、3
−ブチルフェノール、4−ブチルフェノール、2−イソ
ブチルフェノール、3−イソブチルフェノール、4−イ
ソブチルフェノール、2−sec−ブチルフェノール、
3−sec−ブチルフェノール、4−sec−ブチルフ
ェノール、2−tert−ブチルフェノール、3−te
rt−ブチルフェノール、4−tert−ブチルフェノ
ール等のフェノール類等が挙げられる。これらの中で好
ましくは、フェノール類、特に好ましくは、一般式
(2)で表されるシクロヘキサノン類に対応するフェノ
ール類を使用すると、反応系内で原料であるシクロヘキ
サノン類を生成するので好ましい。
【0039】反応温度は通常130〜300℃で、好ま
しくは160〜250℃の範囲で選ばれる。これより低
い温度では反応速度が小さく、高い温度では副生成物が
多く生成する場合が多く好ましくない。
【0040】第二の発明の第一工程である4,4’,
4’’−トリアミノトリフェニルアミンとシクロヘキサ
ノン類との反応において使用される反応溶媒としては、
基質と反応しないものであれば技術上公知の溶媒を特に
問題なく使用することができる。中でも、一般式(5)
で表されるシクロヘキサノン類に対応するフェノール類
を溶媒として用いると、フェノール類が水素受容体とし
ても機能し反応系内で原料であるシクロヘキサノン類を
生成するので好ましい。その使用量はいずれの化合物を
製造する場合も用いる4,4’,4’’−トリアミノト
リフェニルアミンに対して5倍モル以上あればよく、好
ましくは10倍モル以上である。
【0041】第二の発明の第一工程において、脱水反応
時に生成する水は反応系外に取り除かなくても良いが、
ベンゼン、トルエン、キシレン等の非水系の共沸脱水剤
を用いて生成水を反応系外に取り除くと脱水速度が大き
くなり、効率良く反応が進行するので好ましい。
【0042】第二の発明の第一工程において得られた
4,4’,4’’−トリス(N−アリールアミノ)トリ
フェニルアミン類は反応終了後そのまま次の工程に使用
することもできるが、反応マスから触媒を濾別し、溶媒
や過剰量のシクロヘキサノン類を蒸留により留去した
後、カラムクロマトグラフィー、晶析等により単離する
こともできる。
【0043】上記の方法で得られた一般式(1)で表さ
れる4,4’,4’’−トリス(N−アリールアミノ)
トリフェニルアミンと、一般式(2)で表されるシクロ
ヘキサノン類との反応(第二の発明の第二工程)は、第
一の発明と同様の方法で行うことができる。
【0044】また、第二の発明において、第一工程で使
用されるシクロヘキサノン類と第二工程で使用されるシ
クロヘキサノン類が同一のシクロヘキサノン類である場
合は、第一工程で得られる4,4’,4’’−トリス
(N−アリールアミノ)トリフェニルアミン類を取り出
すことなく連続的に反応を行うこともできる。
【0045】第三発明における一般式(1)で表される
4,4’,4’’−トリス(N−アリールアミノ)トリ
フェニルアミン類としては、例えば、4,4’,4’’
−トリス(N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン、
4,4’,4’’−トリス{N−(2−メチル)フェニ
ルアミノ}トリフェニルアミン、4,4’,4’’−ト
リス{N−(3−メチル)フェニルアミノ}トリフェニ
ルアミン、4,4’,4’’−トリス{N−(4−メチ
ル)フェニルアミノ}トリフェニルアミン、4,4’,
4’’−トリス{N−(2−エチル)フェニルアミノ}
トリフェニルアミン、4,4’,4’’−トリス{N−
(3−エチル)フェニルアミノ}トリフェニルアミン、
4,4’,4’’−トリス{N−(4−エチル)フェニ
ルアミノ}トリフェニルアミン、4,4’,4’’−ト
リス{N−(2−プロピル)フェニルアミノ}トリフェ
ニルアミン、4,4’,4’’−トリス{N−(3−プ
ロピル)フェニルアミノ}トリフェニルアミン、4,
4’,4’’−トリス{N−(4−プロピル)フェニル
アミノ}トリフェニルアミン、4,4’,4’’−トリ
ス{N−(2−イソプロピル)フェニルアミノ}トリフ
ェニルアミン、4,4’,4’’−トリス{N−(3−
イソプロピル)フェニルアミノ}トリフェニルアミン、
4,4’,4’’−トリス{N−(4−イソプロピル)
フェニルアミノ}トリフェニルアミン、4,4’,
4’’−トリス{N−(2−ブチル)フェニルアミノ}
トリフェニルアミン、4,4’,4’’−トリス{N−
(3−ブチル)フェニルアミノ}トリフェニルアミン、
4,4’,4’’−トリス{N−(4−ブチル)フェニ
ルアミノ}トリフェニルアミン、4,4’,4’’−ト
リス{N−(2−イソブチル)フェニルアミノ}トリフ
ェニルアミン、4,4’,4’’−トリス{N−(3−
イソブチル)フェニルアミノ}トリフェニルアミン、
4,4’,4’’−トリス{N−(4−イソブチル)フ
ェニルアミノ}トリフェニルアミン、4,4’,4’’
−トリス{N−(2−sec−ブチル)フェニルアミ
ノ}トリフェニルアミン、4,4’,4’’−トリス
{N−(3−sec−ブチル)フェニルアミノ}トリフ
ェニルアミン、4,4’,4’’−トリス{N−(4−
sec−ブチル)フェニルアミノ}トリフェニルアミ
ン、4,4’,4’’−トリス{N−(2−tert−
ブチル)フェニルアミノ}トリフェニルアミン、4,
4’,4’’−トリス{N−(3−tert−ブチル)
フェニルアミノ}トリフェニルアミン、4,4’,
4’’−トリス{N−(4−tert−ブチル)フェニ
ルアミノ}トリフェニルアミン等が挙げられるが、置換
基Rが水素原子または低級アルキル基であるものが好ま
しい。特に好ましくは、4,4’,4’’−トリス(N
−フェニルアミノ)トリフェニルアミン、4,4’,
4’’−トリス{N−(3−メチル)フェニルアミノ}
トリフェニルアミンである。
【0046】第一の発明および第二の発明の第二工程の
反応は4,4’,4’’−トリス(N−フェニルアミ
ノ)トリフェニルアミンとシクロヘキサノンとの反応を
例にとると下記の反応式により表される。
【0047】
【図18】
【0048】すなわち4,4’,4’’−トリス(N−
フェニルアミノ)トリフェニルアミンの1つのアミノ基
とシクロヘキサノンが脱水縮合してエナミンを生成し、
このエナミンが水素移動触媒により脱水素されて4,
4’−ビス(N−フェニルアミノ)−4’’−ジフェニ
ルアミノトリフェニルアミンが生成、この一連の反応が
段階的に残りのアミノ基でも繰り返されて最終生成物で
ある4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニルア
ミノ)トリフェニルアミンが生成する。
【0049】第二の発明の第一工程の反応についても
4,4’,4’’−トリアミノトリフェニルアミンとシ
クロヘキサノンとの反応を例にとると下記の反応式によ
り表される。
【0050】
【図19】
【0051】4,4’,4’’−トリアミノトリフェニ
ルアミンの1つのアミノ基とシクロヘキサノンが脱水縮
合してシッフ塩基を生成し、このシッフ塩基が水素移動
触媒により脱水素されて4,4’−ジアミノ−4’’−
フェニルアミノトリフェニルアミンが生成、この一連の
反応が残りのアミノ基でも繰り返されてトリス(N−フ
ェニルアミノ)トリフェニルアミンが生成する。
【0052】
【実施例】以下、本発明の方法を実施例によって具体的
に説明する。本発明はこれらに限定されるものではな
い。 実施例1(4,4’,4’’−トリス(N−フェニルア
ミノ)トリフェニルアミンの合成) 分離器を備えた還流冷却器、温度計及び撹拌装置を備え
た200mlの丸底フラスコに、エヌ・イー・ケムキャ
ット社製5%Pd/C(50wet%)5.8g、フェ
ノール94.1g(1.0モル)、シクロヘキサノン
4.9g(0.05モル)、4,4’,4’’−トリア
ミノトリフェニルアミン29.0g(0.1モル)を装
入した。反応器内を撹拌しながら175℃まで昇温し1
5時間反応を行った。この間に生成する水はトルエンを
装入して共沸させ、還流冷却器にて凝縮させた後分離器
より分離した。次いで反応液を冷却し、反応混合液より
5%Pd/Cを濾別した。濾液からトルエン、フェノー
ルを留去し、次いで残渣にトルエンを加えてトルエン溶
液とした。このトルエン溶液をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィーによりトルエン/ヘキサンを展開液として
用いて精製したところ38.9gの結晶が得られた。生
成物は、NMR及びGC−MS、IRにより4,4’,
4’’−トリス(N−フェニルアミノ)トリフェニルア
ミンであることを確認した。また、単離した化合物を標
準品として、高速液体クロマトグラフィーにより反応収
率を分析したところ、題記化合物の収率は89%であっ
た。MS(m/z);518(M+)であり、IR、N
MRの結果を図1、図2に示す。
【0053】実施例2(4,4’,4’’−トリス{N
−(3−メチル)フェニルアミノ}トリフェニルアミン
の合成) 分離器を備えた還流冷却器、温度計及び撹拌装置を備え
た200mlの丸底フラスコに、エヌ・イー・ケムキャ
ット社製5%Pd/C(50wet%)5.8g、m−
クレゾール108.1g(1.0モル)、3−メチルシ
クロヘキサノン5.6g(0.05モル)、4,4’,
4’’−トリアミノトリフェニルアミン29.0g
(0.1モル)を装入した。反応器内を撹拌しながら1
92℃まで昇温し20時間反応を行った。この間に生成
する水はトルエンを装入して共沸させ、還流冷却器にて
凝縮させた後分離器より分離した。次いで反応液を冷却
し、反応混合液より5%Pd/Cを濾別した。濾液から
トルエン、フェノールを留去し、残渣にトルエンを加え
てトルエン溶液とした。このトルエン溶液をシリカゲル
カラムクロマトグラフィーによりトルエン/ヘキサンを
展開液として用いて精製したところ結晶36.5gが得
られた。生成物は、NMR及びGC−MS、IRにより
4,4’,4’’−トリス{N−(3−メチル)フェニ
ルアミノ}トリフェニルアミンであることを確認した。
また、単離した化合物を標準品として、高速液体クロマ
トグラフィーにより反応収率を分析したところ、題記化
合物の収率は80%であった。 MS(m/z);560(M+)であり、IR、NMR
の結果を図1、図2に示す。
【0054】実施例3(4,4’,4’’−トリス{N
−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ}トリ
フェニルアミンの合成) 分離器を備えた還流冷却器、温度計及び撹拌装置を備え
た100mlの丸底フラスコに、エヌ・イー・ケムキャ
ット社製5%Pd/C(50wet%)5.6g、フェ
ノール47.1g(0.5モル)、シクロヘキサノン
9.8g(0.1モル)、4,4’,4’’−トリス
{N−(3−メチル)フェニルアミノ}トリフェニルア
ミン28.0g(0.05モル)、イソフタル酸2.8
gを装入した。反応器内を撹拌しながら175℃まで昇
温し25時間反応を行った。この間に生成する水はトル
エンを装入して共沸させ、還流冷却器にて凝縮させた後
分離器より分離した。次いで反応液を冷却し、反応混合
液より5%Pd/Cを濾別した。濾液を高速液体クロマ
トグラフィーを用いて分析したところ、題記化合物の収
率は80%であった。濾液からトルエン、フェノールを
留去し、次いで残渣にトルエンを加えてトルエン溶液と
した。このトルエン溶液からシリカゲルカラムクロマト
グラフィーによりトルエン/ヘキサンを展開液として用
いて反応生成物を分離し、トルエン/アセトンから再結
晶して精製したところ題記化合物が28.8g(取り出
し収率73%)得られた。
【0055】実施例4(4,4’,4’’−トリス{N
−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ}トリ
フェニルアミンの合成) 分離器を備えた還流冷却器、温度計及び撹拌装置を備え
た100mlの丸底フラスコに、エヌ・イー・ケムキャ
ット社製5%Pd/C(50wet%)5.2g、m−
クレゾール54.1g(0.5モル)、3−メチルシク
ロヘキサノン11.2g(0.1モル)、4,4’,
4’’−トリス(N−フェニルアミノ)トリフェニルア
ミン25.9g(0.05モル)、イソフタル酸2.6
gを装入した。反応器内を撹拌しながら175℃まで昇
温し20時間反応を行った。この間に生成する水はトル
エンを装入して共沸させ、還流冷却器にて凝縮させた後
分離器より分離した。次いで反応液を冷却し、反応混合
液より5%Pd/Cを濾別した。濾液を高速液体クロマ
トグラフィーを用いて分析したところ、題記化合物の収
率は75%であった。濾液からトルエン、フェノールを
留去し、残渣にトルエンを加えてトルエン溶液とした。
このトルエン溶液からシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーによりトルエン/ヘキサンを展開液として用いて反
応生成物を分離し、トルエン/アセトンから再結晶して
精製したところ題記化合物が26.4g(取り出し収率
70%)得られた。
【0056】実施例5(4,4’,4’’−トリス
(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミンの合
成) 分離器を備えた還流冷却器、温度計及び撹拌装置を備え
た200mlの丸底フラスコに、エヌ・イー・ケムキャ
ット社製5%Pd/C(50wet%)5.8g、フェ
ノール94.1g(1.0モル)、シクロヘキサノン
4.9g(0.05モル)、4,4’,4’’−トリア
ミノトリフェニルアミン29.0g(0.1モル)を装
入した。反応器内を撹拌しながら175℃まで昇温し1
2時間反応を行った.反応溶液を高速液体クロマトグラ
フィーを用いて分析したところ、4,4’,4’’−ト
リアミノトリフェニルアミンの転化率は100%であ
り、中間体の4,4’,4’’−トリス(フェニルアミ
ノ)トリフェニルアミンが80%生成していた。そこで
シクロヘキサノン14.7g(0.15モル)およびイ
ソフタル酸2.9gを加えてさらに反応を20時間行っ
た。この間に生成する水はトルエンを装入して共沸さ
せ、還流冷却器にて凝縮させた後分離器より分離した。
次いで反応液を冷却し、反応混合液より5%Pd/Cを
濾別した。濾液を高速液体クロマトグラフィーを用いて
分析したところ、題記化合物の収率は71%であった。
濾液からトルエン、フェノールを留去し、残渣にトルエ
ンを加えてトルエン溶液とした。このトルエン溶液から
シリカゲルカラムクロマトグラフィーによりトルエン/
ヘキサンを展開液として用いて反応生成物を分離し、ト
ルエン/アセトンから再結晶して精製したところ題記化
合物が45.6g(取り出し収率61%)得られた。
【0057】
【発明の効果】本発明により、収率および選択率が高
く、工業的に優位な4,4’,4’’−トリス(N,N
−ジアリールジフェニルアミノ)トリフェニルアミン新
規製造法を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施例1で得られた4,4’,4’’−ト
リス(N−フェニルアミノ)トリフェニルアミンのIR
(KBr錠剤法)スペクトルである。
【図2】 実施例1で得られた4,4’,4’’−ト
リス(N−フェニルアミノ)トリフェニルアミンの1
−NMR(DMSO−d6,400MHz)スペクトル
である。
【図3】 実施例2で得られた4,4’,4’’−ト
リス{N−(3−メチル)フェニルアミノ}トリフェニ
ルアミンのIR(KBr錠剤法)スペクトルである。
【図4】 実施例2で得られた4,4’,4’’−ト
リス{N−(3−メチル)フェニルアミノ}トリフェニ
ルアミンの1H−NMR(DMSO−d6,400MH
z)スペクトルである。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 水素移動触媒存在下、一般式(1) 【化1】 (式中、Rは水素原子またはアルキル基を表す。)で示
    される4,4’,4’’−トリス(N−アリールアミ
    ノ)トリフェニルアミン類と一般式(2) 【化2】 (式中R’は、水素原子またはアルキル基を表す。)で
    示されるシクロヘキサノン類とを反応させることを特徴
    とする一般式(3) 【化3】 (式中、RおよびR’は水素原子またはアルキル基を表
    し、同一でも異なっていてもよい。)で示される4,
    4’,4’’−トリス(N,N−ジアリールアミノ)ト
    リフェニルアミン類の製造方法。
  2. 【請求項2】 RおよびR’のどちらか一方が水素原子
    であり、もう一方が3−メチル基である請求項1記載の
    方法。
  3. 【請求項3】 水素移動触媒の存在下、下記式(4) 【化4】 で表される4,4’,4’’−トリアミノトリフェニル
    アミンと一般式(5) 【化5】 (式中、Rは水素原子またはアルキル基を表す。)で表
    されるシクロヘキサノン類とを反応させて、一般式
    (1) 【化6】 (式中、Rは水素原子またはアルキル基を表す。)で表
    される4,4’,4’’−トリス(N−アリールアミ
    ノ)トリフェニルアミン類を製造し、続いて、一般式
    (2) 【化7】 (式中、R’は水素原子またはアルキル基を表す。)で
    表されるシクロヘキサノン類とを反応させることを特徴
    とする一般式(3) 【化8】 (式中、RおよびR’は水素原子またはアルキル基を表
    し、同一でも異なっていてもよい。)で表される4,
    4’,4’’−トリス(N,N−ジアリールアミノ)ト
    リフェニルアミン類の製造方法。
  4. 【請求項4】 RおよびR’のどちらか一方が水素原子
    であり、もう一方が3−メチル基である請求項3記載の
    方法。
  5. 【請求項5】 一般式(1) 【化9】 (式中、Rは水素原子またはアルキル基を表す。)で表
    される4,4’,4’’−トリス(N−アリールアミ
    ノ)トリフェニルアミン類。
  6. 【請求項6】 Rが水素原子もしくは3−メチル基であ
    る請求項5記載の4,4’,4’’−トリス(N−アリ
    ールアミノ)トリフェニルアミン類。
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