JPH1142856A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
- Publication number
- JPH1142856A JPH1142856A JP9215839A JP21583997A JPH1142856A JP H1142856 A JPH1142856 A JP H1142856A JP 9215839 A JP9215839 A JP 9215839A JP 21583997 A JP21583997 A JP 21583997A JP H1142856 A JPH1142856 A JP H1142856A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- recording medium
- transmitting substrate
- layer
- optical information
- Prior art date
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザー光の照射により幾何異性体を生じ、
金属イオンとの反応により、キレート化合物を生成する
ことによる高密度で安定な光記録媒体およびそれを使用
した光記録ディスクを提供する。 【解決手段】 光透過性基板１０１、光吸収層１０２、
金属イオン担持層１０３、光反射膜１０４、保護膜１０
５とを少なくとも有した光ディスクにおいて、光吸収層
１０２はレーザ光を吸収し幾何異化を起こし、金属イオ
ン担持層から金属イオンをキレートする有機化合物を含
む光ディスク。
金属イオンとの反応により、キレート化合物を生成する
ことによる高密度で安定な光記録媒体およびそれを使用
した光記録ディスクを提供する。 【解決手段】 光透過性基板１０１、光吸収層１０２、
金属イオン担持層１０３、光反射膜１０４、保護膜１０
５とを少なくとも有した光ディスクにおいて、光吸収層
１０２はレーザ光を吸収し幾何異化を起こし、金属イオ
ン担持層から金属イオンをキレートする有機化合物を含
む光ディスク。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光情報記録媒体に
関し、詳しくは、高密度な情報の記録及び再生可能な光
情報記録媒体に関するものである。
関し、詳しくは、高密度な情報の記録及び再生可能な光
情報記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、光ディスクなどに情報を書き込む
方法としては、レーザー光の熱によりディスク内に存在
する希土類ー遷移金属合金などの物質を変化させるもの
で、ヒートモード記録と称せられる方法がある。また、
光自体が持つ波長や偏向の特性により情報を記録しよう
とするフォトンモード記録と称せられる方法もある。前
者の方法では、その密度は集光度によって殆ど決まり、
１００メガビット/ｃｍ2以上の高密度に情報を記録させ
ることが困難であると言われている。一方、後者の方法
では、多重化できるため大量の記録書き込みが可能とな
る。
方法としては、レーザー光の熱によりディスク内に存在
する希土類ー遷移金属合金などの物質を変化させるもの
で、ヒートモード記録と称せられる方法がある。また、
光自体が持つ波長や偏向の特性により情報を記録しよう
とするフォトンモード記録と称せられる方法もある。前
者の方法では、その密度は集光度によって殆ど決まり、
１００メガビット/ｃｍ2以上の高密度に情報を記録させ
ることが困難であると言われている。一方、後者の方法
では、多重化できるため大量の記録書き込みが可能とな
る。
【０００３】上記フォトンモード記録可能な材料は、光
によって分子一個レベルの反応を起こす材料であり、こ
のような材料としては光ホールバーニングやフォトクロ
ミック材料がある。
によって分子一個レベルの反応を起こす材料であり、こ
のような材料としては光ホールバーニングやフォトクロ
ミック材料がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記光フォトバーニン
グ材料は、分子の働きを凍結させた物質中に光によって
反応する色素を分散させ、ある決まった波長のレーザ光
をあてると光化学反応により色素の分子構造が変化し、
吸収スペクトルに小さいホールができて、これを光記録
に利用するものである。記録密度は１ｃｍ2当たり１０
０ギガビットと非常に大きい記録密度が得られる。しか
し、分子の動きを凍結させた中で光化学反応を行うため
-１９６℃以下という温度に冷却しなければ使用できな
いという欠点がある。
グ材料は、分子の働きを凍結させた物質中に光によって
反応する色素を分散させ、ある決まった波長のレーザ光
をあてると光化学反応により色素の分子構造が変化し、
吸収スペクトルに小さいホールができて、これを光記録
に利用するものである。記録密度は１ｃｍ2当たり１０
０ギガビットと非常に大きい記録密度が得られる。しか
し、分子の動きを凍結させた中で光化学反応を行うため
-１９６℃以下という温度に冷却しなければ使用できな
いという欠点がある。
【０００５】一方、有機フォトクロミック材料は、光に
反応して着色、消色を繰り返す化合物である。レーザー
ビームの繰り返し照射により、記録再生が行われるの
で、記録媒体の長寿命化のためには低パワーのレーザー
ビームによっても記録再生が可能なフォトクロミック材
料の開発が必要である。
反応して着色、消色を繰り返す化合物である。レーザー
ビームの繰り返し照射により、記録再生が行われるの
で、記録媒体の長寿命化のためには低パワーのレーザー
ビームによっても記録再生が可能なフォトクロミック材
料の開発が必要である。
【０００６】本発明は以上の背景に鑑みなされたもので
あり、その目的とするところは、超高速度で書き込み可
能な光励起幾何異性に基づくキレーションを利用した光
記録媒体を提供することである。
あり、その目的とするところは、超高速度で書き込み可
能な光励起幾何異性に基づくキレーションを利用した光
記録媒体を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明は、光透過性基板と該光透過性基板
に形成した光吸収層と金属イオン担持層と反射層とを少
なくとも有し、光の照射によって該光透過性基板側から
該情報の読みだしを行う光情報記録媒体において、該光
吸収層が、該光を吸収し幾何異性化を生じ、上記金属イ
オン担持層より金属イオンを取り込みんで金属キレート
を生成するものであることを特徴とするものである。
に、請求項１の発明は、光透過性基板と該光透過性基板
に形成した光吸収層と金属イオン担持層と反射層とを少
なくとも有し、光の照射によって該光透過性基板側から
該情報の読みだしを行う光情報記録媒体において、該光
吸収層が、該光を吸収し幾何異性化を生じ、上記金属イ
オン担持層より金属イオンを取り込みんで金属キレート
を生成するものであることを特徴とするものである。
【０００８】また、請求項２の発明は、光透過性基板と
該光透過性基板上に形成した光吸収層と金属イオン担持
層を有し、光の照射によって該光透過性基板側から該記
録層への情報の書き込み及び読みだしを行う光情報記録
媒体において、該光吸収層が下記一般式で示されるアゾ
化合物を少なくとも含有することを特徴とするものであ
る。
該光透過性基板上に形成した光吸収層と金属イオン担持
層を有し、光の照射によって該光透過性基板側から該記
録層への情報の書き込み及び読みだしを行う光情報記録
媒体において、該光吸収層が下記一般式で示されるアゾ
化合物を少なくとも含有することを特徴とするものであ
る。
【化１】Ａ−Ｎ=Ｎ−Ｂ （式中、Ｎは窒素、Ａは２位に水酸基が置換したフェニ
ル基、ナフチル基、アンスラニル基などのアリール基、
Ｂは置換、無置換のアリール基、置換、無置換のヘテロ
環基である。）
ル基、ナフチル基、アンスラニル基などのアリール基、
Ｂは置換、無置換のアリール基、置換、無置換のヘテロ
環基である。）
【０００９】また、請求項３の発明は、請求項２の光情
報記録媒体において、上記光吸収層が、上記一般式で示
されるアゾ化合物の、蒸着膜、ＬＢ膜若しくは塗布膜、
または、該アゾ化合物を分散した高分子の塗布膜からな
ることを特徴とするものである。
報記録媒体において、上記光吸収層が、上記一般式で示
されるアゾ化合物の、蒸着膜、ＬＢ膜若しくは塗布膜、
または、該アゾ化合物を分散した高分子の塗布膜からな
ることを特徴とするものである。
【００１０】また、請求項４の発明は、光透過性基板と
該光透過性基板上に形成した光吸収層と金属イオン担持
層を有し、光の照射によって該光透過性基板側から該記
録層への情報の書き込み及び読みだしを行う光情報記録
媒体において、上記金属イオン担持層が吸水性高分子化
合物からなることを特徴とするものである。
該光透過性基板上に形成した光吸収層と金属イオン担持
層を有し、光の照射によって該光透過性基板側から該記
録層への情報の書き込み及び読みだしを行う光情報記録
媒体において、上記金属イオン担持層が吸水性高分子化
合物からなることを特徴とするものである。
【００１１】請求項５の発明は、請求項４の光情報記録
媒体において、上記金属イオン担持層に含有する金属イ
オンが遷移金属イオンであることを特徴とするものであ
る。
媒体において、上記金属イオン担持層に含有する金属イ
オンが遷移金属イオンであることを特徴とするものであ
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施形態に係る光
情報記録媒体の説明図である。図１において、この光情
報記録媒体は、光透過性基板１０１と該光透過性基板に
形成した光吸収層１０２と金属イオン担持層１０３と反
射層１０４と保護層１０５を少なくとも有する。この光
記録媒体は、光の照射によって該光透過性基板１０１側
から情報の読みだしを行う。そして、上記光吸収層１０
２は、上記光を吸収し幾何異性化を生じ、上記金属イオ
ン担持層より金属イオンを取り込んで、金属キレートを
生成するものである。このような光吸収層１０２として
は下記一般式で示されるアゾ化合物を少なくとも含有す
るものが好適である。
情報記録媒体の説明図である。図１において、この光情
報記録媒体は、光透過性基板１０１と該光透過性基板に
形成した光吸収層１０２と金属イオン担持層１０３と反
射層１０４と保護層１０５を少なくとも有する。この光
記録媒体は、光の照射によって該光透過性基板１０１側
から情報の読みだしを行う。そして、上記光吸収層１０
２は、上記光を吸収し幾何異性化を生じ、上記金属イオ
ン担持層より金属イオンを取り込んで、金属キレートを
生成するものである。このような光吸収層１０２として
は下記一般式で示されるアゾ化合物を少なくとも含有す
るものが好適である。
【００１３】
【化１】Ａ−Ｎ=Ｎ−Ｂ （式中、Ｎは窒素、Ａは２位に水酸基が置換したフェニ
ル基、ナフチル基、アンスラニル基などのアリール基、
Ｂは置換、無置換のアリール基、置換、無置換のヘテロ
環基である。）
ル基、ナフチル基、アンスラニル基などのアリール基、
Ｂは置換、無置換のアリール基、置換、無置換のヘテロ
環基である。）
【００１４】図２及び図３に化１で示される化合物の具
体的な例を示す。これらに限定されるものではない。図
２及び図３に例示した化合物の一般式において、Ｎは窒
素である。Ｒはアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、
１級または２級アミノ基、置換、無置換のアラルキル
基、置換、無置換のアリール基である。アルキル基とし
ては炭素数１〜２２位までの直鎖または分岐したアルキ
ル基が好ましく、より好ましく炭素数１６〜２２であ
る。アルコキシ基としては、炭素数１〜２２位までの直
鎖または分岐したアルコキシ基が好ましく、そのような
例としてはメトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、イソ
プロピルオキシ、ヘキシルオキシ、１ーメチルヘキシル
オキシオクチルオキシ、ミリスチルオキシ、ステアリル
オキシ、オクタデシルオキシ、ベヘニルオキシなどが挙
げられる。１級または２級アミノ基としては炭素数１〜
２２位までの直鎖または分岐アルキル基が置換したモノ
置換またはジ置換アルキルアミノ基が好ましく、より好
ましくはヘキシル、オクチル、ノニル、デシル、メチル
ーオクチル、メチルーデシル、メチルーミリスチル、メ
チルーステアリル、メチルーオクタデシル、メチルーベ
ヘニルなどの長鎖ー短鎖の炭化水素置換アミンが挙げら
れる。置換、無置換のアラルキル基としては、ベンジ
ル、ヘキシルベンジル、オクチルベンジル、ミリスチル
ベンジル、ステアリルベンジルなどが、置換、無置換の
アリール基としては、フェニル、ナフチル、アンスラニ
ルなどの単環もしくは縮合芳香環、トシル、エチルフェ
ニル、ブチルフェニル、ヘキシルフェニル、オクチルフ
ェニル、ミリスチルフェニル、ステアリルフェニル、オ
クタデシルフェニル、ベヘニルフェニル、エチルナフチ
ル、ブチルナフチル、ヘキシルナフチルなどのアルキル
置換縮合芳香環、ヘキシルアミノフェニル、オクチルア
ミノフェニル、ノニルアミノ、デシルアミノ、メチルオ
クチルアミノ、メチルデシルアミノ、メチルミリスチル
アミノ、メチルステアリルアミノ、メチルオクタデシル
アミノ、メチルベヘニルアミノなどの長鎖ー短鎖のアル
キルアミノフェニルなどのアミン置換単環芳香族、ヘキ
シルアミノナフチル、オクチルアミノナフチル、ノニル
アミノナフチル、デシルアミノナフチル、メチルオクチ
ルアミノナフチル、メチルデシルアミノナフチル、メチ
ルミリスチルアミノナフチル、メチルステアリルアミノ
ナフチル、メチルオクタデシルアミノナフチル、メチル
ベヘニルアミノナフチルなどの長鎖ー短鎖のアルキルモ
ノ置換、アルキルジ置換アミノナフチルなどのアミン置
換縮合環が挙げられるが、これらに限定されるものでは
ない。
体的な例を示す。これらに限定されるものではない。図
２及び図３に例示した化合物の一般式において、Ｎは窒
素である。Ｒはアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、
１級または２級アミノ基、置換、無置換のアラルキル
基、置換、無置換のアリール基である。アルキル基とし
ては炭素数１〜２２位までの直鎖または分岐したアルキ
ル基が好ましく、より好ましく炭素数１６〜２２であ
る。アルコキシ基としては、炭素数１〜２２位までの直
鎖または分岐したアルコキシ基が好ましく、そのような
例としてはメトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、イソ
プロピルオキシ、ヘキシルオキシ、１ーメチルヘキシル
オキシオクチルオキシ、ミリスチルオキシ、ステアリル
オキシ、オクタデシルオキシ、ベヘニルオキシなどが挙
げられる。１級または２級アミノ基としては炭素数１〜
２２位までの直鎖または分岐アルキル基が置換したモノ
置換またはジ置換アルキルアミノ基が好ましく、より好
ましくはヘキシル、オクチル、ノニル、デシル、メチル
ーオクチル、メチルーデシル、メチルーミリスチル、メ
チルーステアリル、メチルーオクタデシル、メチルーベ
ヘニルなどの長鎖ー短鎖の炭化水素置換アミンが挙げら
れる。置換、無置換のアラルキル基としては、ベンジ
ル、ヘキシルベンジル、オクチルベンジル、ミリスチル
ベンジル、ステアリルベンジルなどが、置換、無置換の
アリール基としては、フェニル、ナフチル、アンスラニ
ルなどの単環もしくは縮合芳香環、トシル、エチルフェ
ニル、ブチルフェニル、ヘキシルフェニル、オクチルフ
ェニル、ミリスチルフェニル、ステアリルフェニル、オ
クタデシルフェニル、ベヘニルフェニル、エチルナフチ
ル、ブチルナフチル、ヘキシルナフチルなどのアルキル
置換縮合芳香環、ヘキシルアミノフェニル、オクチルア
ミノフェニル、ノニルアミノ、デシルアミノ、メチルオ
クチルアミノ、メチルデシルアミノ、メチルミリスチル
アミノ、メチルステアリルアミノ、メチルオクタデシル
アミノ、メチルベヘニルアミノなどの長鎖ー短鎖のアル
キルアミノフェニルなどのアミン置換単環芳香族、ヘキ
シルアミノナフチル、オクチルアミノナフチル、ノニル
アミノナフチル、デシルアミノナフチル、メチルオクチ
ルアミノナフチル、メチルデシルアミノナフチル、メチ
ルミリスチルアミノナフチル、メチルステアリルアミノ
ナフチル、メチルオクタデシルアミノナフチル、メチル
ベヘニルアミノナフチルなどの長鎖ー短鎖のアルキルモ
ノ置換、アルキルジ置換アミノナフチルなどのアミン置
換縮合環が挙げられるが、これらに限定されるものでは
ない。
【００１５】遷移金属イオン源としては、ｄ−ブロック
元素全体があげられるが、特に好ましくはクロム、鉄、
ニッケル、銅、亜鉛、などの化合物が好ましく、それら
のハロゲン化物、硝酸塩、塩酸塩、硫酸塩などの無期
塩、酢酸塩、蓚酸塩、安息香酸塩などの有機塩が好まし
い。
元素全体があげられるが、特に好ましくはクロム、鉄、
ニッケル、銅、亜鉛、などの化合物が好ましく、それら
のハロゲン化物、硝酸塩、塩酸塩、硫酸塩などの無期
塩、酢酸塩、蓚酸塩、安息香酸塩などの有機塩が好まし
い。
【００１６】光吸収層に含まれるアゾ化合物が光を吸収
し幾何異性化を生じ、金属イオン担持層より金属イオン
を取り込み、金属キレートを生成する。図４は、図３
（ａ）の化合物を例にとり、その反応メカニズムを示す
ものである。図４に示すように、アゾ化合物（トランソ
イド型）Ａは光照射またはレーザ光照射によりシソイド
型Ｂに幾何異性化する。これにより、フェニル基の水酸
基とアゾ基の水素結合が緩み、金属イオンの接近が容易
になりキレート反応が進行しキレート化合物Ｃが生成す
る。
し幾何異性化を生じ、金属イオン担持層より金属イオン
を取り込み、金属キレートを生成する。図４は、図３
（ａ）の化合物を例にとり、その反応メカニズムを示す
ものである。図４に示すように、アゾ化合物（トランソ
イド型）Ａは光照射またはレーザ光照射によりシソイド
型Ｂに幾何異性化する。これにより、フェニル基の水酸
基とアゾ基の水素結合が緩み、金属イオンの接近が容易
になりキレート反応が進行しキレート化合物Ｃが生成す
る。
【００１７】本実施形態の光記録媒体においては、光照
射によって光吸収層で上記メカニズムの反応が起こる。
この結果、光が照射されて該反応が行った部分では、主
に吸収する光の波長が変化する。よって、光が照射され
た部分とそうでない部分とで主に吸収する光の波長が異
なることになる。これを利用して、情報を記録できる。
この情報記録にあたって使用する照射光としては、吸収
層が主に吸収する波長の光を用いることが望ましい。特
にこのような波長の単波光が望ましい。蛍光灯の光など
も使用可能であるが、特にレーザ光が好適である。そし
て、読み取りにあたって使用する光としては、光記録前
の本来の吸収層が主に吸収する波長の光、あるいは、光
記録で光が照射された部分（主に吸収する光の波長が変
化した部分）が主に吸収する波長の光を用いる。特にこ
のような波長の単波光が望ましい。この読み出しのため
の光としても蛍光灯の光など使用可能であるが、レーザ
ー光が好適である。
射によって光吸収層で上記メカニズムの反応が起こる。
この結果、光が照射されて該反応が行った部分では、主
に吸収する光の波長が変化する。よって、光が照射され
た部分とそうでない部分とで主に吸収する光の波長が異
なることになる。これを利用して、情報を記録できる。
この情報記録にあたって使用する照射光としては、吸収
層が主に吸収する波長の光を用いることが望ましい。特
にこのような波長の単波光が望ましい。蛍光灯の光など
も使用可能であるが、特にレーザ光が好適である。そし
て、読み取りにあたって使用する光としては、光記録前
の本来の吸収層が主に吸収する波長の光、あるいは、光
記録で光が照射された部分（主に吸収する光の波長が変
化した部分）が主に吸収する波長の光を用いる。特にこ
のような波長の単波光が望ましい。この読み出しのため
の光としても蛍光灯の光など使用可能であるが、レーザ
ー光が好適である。
【００１８】
【実施例】更に、実施例をもって本発明を具体的に説明
する。 ［実施例１］ガラス基板上（２ｃｍ2)に蒸着したアルミ
ニウム反射膜上に、図３（ａ）の化合物(Ｒ=オクタデシ
ルオキシ）のＬＢ膜（４０層）を積層させた。ついで、
塩化銅０.１％を含有するポリビニルアルコール２％水
溶液をＬＢ膜上にスピンコートして乾燥後、さらに、そ
の上にガラス基板を圧接し、光記録材料を作成し、その
分光スペクトルを測定すると ４１５ｎｍ に吸収を示し
た。次いで、作成した光記録材料に ４１０ｎｍの光を
照射すると、照射した場所は銅イオンとキレートを生成
し、その分光スペクトルは、５４５, ５８０, ６４０ｎ
ｍに新しく吸収を示した。
する。 ［実施例１］ガラス基板上（２ｃｍ2)に蒸着したアルミ
ニウム反射膜上に、図３（ａ）の化合物(Ｒ=オクタデシ
ルオキシ）のＬＢ膜（４０層）を積層させた。ついで、
塩化銅０.１％を含有するポリビニルアルコール２％水
溶液をＬＢ膜上にスピンコートして乾燥後、さらに、そ
の上にガラス基板を圧接し、光記録材料を作成し、その
分光スペクトルを測定すると ４１５ｎｍ に吸収を示し
た。次いで、作成した光記録材料に ４１０ｎｍの光を
照射すると、照射した場所は銅イオンとキレートを生成
し、その分光スペクトルは、５４５, ５８０, ６４０ｎ
ｍに新しく吸収を示した。
【００１９】［実施例２］ガラス基板上（２ｃｍ2)に蒸
着したアルミニウム反射膜上に、図３（ｈ）の化合物
(Ｒ=水素）を０.３％を含有する１％ポリビニルアルコ
ール水溶液をスピンコートにて塗布し、乾燥後、さらに
塩化ニッケル０.１％を含有するポリアクリロニトリル
２％水溶液をＬＢ膜上にスピンコートして乾燥後、その
上にガラス基板を圧接し、光記録材料を作成した。作成
した光記録材料に４１０ｎｍの光を照射すると、照射し
た場所はニッケルイオンとキレートを生成し、その分光
スペクトルは５７０、６３０ｎｍ に新しく吸収を示し
た。
着したアルミニウム反射膜上に、図３（ｈ）の化合物
(Ｒ=水素）を０.３％を含有する１％ポリビニルアルコ
ール水溶液をスピンコートにて塗布し、乾燥後、さらに
塩化ニッケル０.１％を含有するポリアクリロニトリル
２％水溶液をＬＢ膜上にスピンコートして乾燥後、その
上にガラス基板を圧接し、光記録材料を作成した。作成
した光記録材料に４１０ｎｍの光を照射すると、照射し
た場所はニッケルイオンとキレートを生成し、その分光
スペクトルは５７０、６３０ｎｍ に新しく吸収を示し
た。
【００２０】
【発明の効果】請求項１乃至５の発明によれば、光が照
射された光吸収層部分で、主に吸収する光の波長が変化
することを利用して情報の書き込みや読み出しができ
る。しかも、長期にわたって安定して情報の保持ができ
るという優れた効果がある。
射された光吸収層部分で、主に吸収する光の波長が変化
することを利用して情報の書き込みや読み出しができ
る。しかも、長期にわたって安定して情報の保持ができ
るという優れた効果がある。
【図１】実施形態に係る湿式画像形成装置の要部の説明
図。
図。
【図２】（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ材料例の一般式。
【図３】（ａ）〜（ｈ）それぞれ材料例の一般式。
【図４】光収集層の光照射による反応メカニズムの説明
図。
図。
１０１ 光透過性基板 １０２ 光吸収層 １０３ 金属イオン担持層 １０４ 光反射膜 １０５ 保護膜
Claims (5)
- 【請求項１】光透過性基板と該光透過性基板に形成した
光吸収層と金属イオン担持層と反射層とを少なくとも有
し、光の照射によって該光透過性基板側から該情報の読
みだしを行う光情報記録媒体において、該光吸収層が、
該光を吸収し幾何異性化を生じ、上記金属イオン担持層
より金属イオンを取り込みんで金属キレートを生成する
ものであることを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項２】光透過性基板と該光透過性基板上に形成し
た光吸収層と金属イオン担持層を有し、光の照射によっ
て該光透過性基板側から該記録層への情報の書き込み及
び読みだしを行う光情報記録媒体において、該光吸収層
が下記一般式で示されるアゾ化合物を少なくとも含有す
ることを特徴とする光情報記録媒体。 【化１】Ａ−Ｎ=Ｎ−Ｂ （式中、Ｎは窒素、Ａは２位に水酸基が置換したフェニ
ル基、ナフチル基、アンスラニル基などのアリール基、
Ｂは置換、無置換のアリール基、置換、無置換のヘテロ
環基である。） - 【請求項３】請求項２の光情報記録媒体において、上記
光吸収層が、上記一般式で示されるアゾ化合物の、蒸着
膜、ＬＢ膜若しくは塗布膜、または、該アゾ化合物を分
散した高分子の塗布膜からなることを特徴とする光情報
記録媒体。 - 【請求項４】光透過性基板と該光透過性基板上に形成し
た光吸収層と金属イオン担持層を有し、光の照射によっ
て該光透過性基板側から該記録層への情報の書き込み及
び読みだしを行う光情報記録媒体において、上記金属イ
オン担持層が吸水性高分子化合物からなることを特徴と
する光情報記録媒体。 - 【請求項５】請求項４の光情報記録媒体において、上記
金属イオン担持層に含有する金属イオンが遷移金属イオ
ンであることを特徴とする光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9215839A JPH1142856A (ja) | 1997-07-25 | 1997-07-25 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9215839A JPH1142856A (ja) | 1997-07-25 | 1997-07-25 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1142856A true JPH1142856A (ja) | 1999-02-16 |
Family
ID=16679127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9215839A Withdrawn JPH1142856A (ja) | 1997-07-25 | 1997-07-25 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1142856A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007083732A1 (ja) | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Mitsui Chemicals, Inc. | 光記録媒体およびアゾ金属キレート化合物 |
-
1997
- 1997-07-25 JP JP9215839A patent/JPH1142856A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007083732A1 (ja) | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Mitsui Chemicals, Inc. | 光記録媒体およびアゾ金属キレート化合物 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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