JPH1140653A - 半導体装置の製造方法及び半導体基板吸着保持装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び半導体基板吸着保持装置Info
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- JPH1140653A JPH1140653A JP19248597A JP19248597A JPH1140653A JP H1140653 A JPH1140653 A JP H1140653A JP 19248597 A JP19248597 A JP 19248597A JP 19248597 A JP19248597 A JP 19248597A JP H1140653 A JPH1140653 A JP H1140653A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板を吸着保持、吸着開放した後で、
吸着装置から半導体基板を剥離する際に発生する剥離帯
電による静電気を除去することにより、静電気による半
導体装置の破壊を防止する。 【解決手段】 二次元的に配列された半導体素子を搭載
した基板の複数枚を、基台上に平面的に配列して構成す
る半導体装置の製造方法において、前記半導体素子基板
１の半導体素子面を、吸着機構のある治具４に吸着保持
する工程と、前記半導体素子基板１を前記基台２に実装
した後に前記吸着を開放する工程と、前記半導体素子面
を前記治具４から剥離する際に、前記治具４に内蔵され
たイオナイザー７から、静電気を中和するイオンを放出
する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製
造方法及び半導体基板吸着保持装置。
吸着装置から半導体基板を剥離する際に発生する剥離帯
電による静電気を除去することにより、静電気による半
導体装置の破壊を防止する。 【解決手段】 二次元的に配列された半導体素子を搭載
した基板の複数枚を、基台上に平面的に配列して構成す
る半導体装置の製造方法において、前記半導体素子基板
１の半導体素子面を、吸着機構のある治具４に吸着保持
する工程と、前記半導体素子基板１を前記基台２に実装
した後に前記吸着を開放する工程と、前記半導体素子面
を前記治具４から剥離する際に、前記治具４に内蔵され
たイオナイザー７から、静電気を中和するイオンを放出
する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製
造方法及び半導体基板吸着保持装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法及び製造装置に関し、特に、複数の半導体基板を平
面的に貼り合わせて大面積の半導体装置を作製する方法
及びこれに使用する半導体基板吸着保持装置に関し、大
面積の光電変換装置の製造に好適な製造方法及び製造装
置に関する。
方法及び製造装置に関し、特に、複数の半導体基板を平
面的に貼り合わせて大面積の半導体装置を作製する方法
及びこれに使用する半導体基板吸着保持装置に関し、大
面積の光電変換装置の製造に好適な製造方法及び製造装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ファクシミリや複写機、スキャナ
ーあるいはＸ線撮像装置等の原稿読み取り装置として、
縮小光学系とＣＣＤ型センサを用いた読み取り系が用い
られていたが、近年、水素化アモルファスシリコン（以
下、ａ−Ｓｉと記す）に代表される光電変換半導体材料
の開発により、光電変換素子及び信号処理部を大面積の
基板に形成し、情報源と等倍の光学系で読み取るいわゆ
る密着型センサの開発がめざましい。
ーあるいはＸ線撮像装置等の原稿読み取り装置として、
縮小光学系とＣＣＤ型センサを用いた読み取り系が用い
られていたが、近年、水素化アモルファスシリコン（以
下、ａ−Ｓｉと記す）に代表される光電変換半導体材料
の開発により、光電変換素子及び信号処理部を大面積の
基板に形成し、情報源と等倍の光学系で読み取るいわゆ
る密着型センサの開発がめざましい。
【０００３】特に、ａ−Ｓｉは光電変換材料としてだけ
でなく、薄膜電界効果型トランジスタ（以下ＴＦＴと記
す）としても用いることができるので光電変換半導体層
とＴＦＴの半導体層とを同時に形成することができる利
点を有している。
でなく、薄膜電界効果型トランジスタ（以下ＴＦＴと記
す）としても用いることができるので光電変換半導体層
とＴＦＴの半導体層とを同時に形成することができる利
点を有している。
【０００４】また、同時に形成する薄膜電界効果トラン
ジスタ等のスイッチ素子および容量素子とはマッチング
が良く、同一膜構成のため共通な膜として同時に形成可
能であり、さらに光電変換装置を高ＳＮ化、低コスト化
することができる効果がある。またコンデンサも中間層
に絶縁層を含んでおり良好な特性で形成でき、複数の光
電変換素子で得られた光情報の積分値を簡単な構成で出
力できる高機能の光電変換装置が提供出来る。また低コ
ストで大面積、高機能、高特性のファクシミリやＸ線レ
ントゲン装置を提供できる。
ジスタ等のスイッチ素子および容量素子とはマッチング
が良く、同一膜構成のため共通な膜として同時に形成可
能であり、さらに光電変換装置を高ＳＮ化、低コスト化
することができる効果がある。またコンデンサも中間層
に絶縁層を含んでおり良好な特性で形成でき、複数の光
電変換素子で得られた光情報の積分値を簡単な構成で出
力できる高機能の光電変換装置が提供出来る。また低コ
ストで大面積、高機能、高特性のファクシミリやＸ線レ
ントゲン装置を提供できる。
【０００５】しかしながら、上記大画面の光電変換装置
では、製造時の微小なチリ、特にアモルファスシリコン
層を基板に堆積する時に薄膜堆積装置の壁から剥がれ出
るゴミ、及びメタル層を基板に堆積する時に基板上に残
っているほこりを完全になくすことが不可能であったた
め、配線の不具合、即ち配線のショートまたはオープン
を皆無にすることは不可能であった。
では、製造時の微小なチリ、特にアモルファスシリコン
層を基板に堆積する時に薄膜堆積装置の壁から剥がれ出
るゴミ、及びメタル層を基板に堆積する時に基板上に残
っているほこりを完全になくすことが不可能であったた
め、配線の不具合、即ち配線のショートまたはオープン
を皆無にすることは不可能であった。
【０００６】つまり、大画面の光電変換装置を製作する
ときの１枚の基板が大きくなればなるほど基板１枚あた
りの歩留まりは低くなり、同時に基板１枚あたりの不具
合による損失額も大きくなる。
ときの１枚の基板が大きくなればなるほど基板１枚あた
りの歩留まりは低くなり、同時に基板１枚あたりの不具
合による損失額も大きくなる。
【０００７】そこで、複数枚の基板を平面的に貼り合わ
せて大面積基板とすることにより、基板１枚あたりの歩
留まりを向上させ、かつ基板１枚あたりの不具合による
損失額を少なくし、結果的に大画面の光電変換装置のコ
ストを低減することが行なわれている。
せて大面積基板とすることにより、基板１枚あたりの歩
留まりを向上させ、かつ基板１枚あたりの不具合による
損失額を少なくし、結果的に大画面の光電変換装置のコ
ストを低減することが行なわれている。
【０００８】図５は、このような複数基板を平面的に貼
り合わせて大面積基板を作製するために用いられる、従
来の半導体基板吸着保持装置の模式的断面図である。ま
た、図６は図５の装置の平面図である。
り合わせて大面積基板を作製するために用いられる、従
来の半導体基板吸着保持装置の模式的断面図である。ま
た、図６は図５の装置の平面図である。
【０００９】従来の装置では、光電変換素子を搭載した
基板の光電変換素子面を吸着固定治具４に吸着穴６から
吸引しながら固定し、基台を基台固定治具５に固定しそ
れらを貼り合わせ、接着剤３の硬化固定後に吸着固定治
具４を開放する。
基板の光電変換素子面を吸着固定治具４に吸着穴６から
吸引しながら固定し、基台を基台固定治具５に固定しそ
れらを貼り合わせ、接着剤３の硬化固定後に吸着固定治
具４を開放する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この半
導体基板の吸引固定を開放する際に、従来は、吸引の大
気開放のみであるため、開放時に剥離静電気帯電が発生
し、この静電気帯電で光電変換素子等の半導体素子を破
壊するという問題がある。
導体基板の吸引固定を開放する際に、従来は、吸引の大
気開放のみであるため、開放時に剥離静電気帯電が発生
し、この静電気帯電で光電変換素子等の半導体素子を破
壊するという問題がある。
【００１１】従来、製造中の静電気による素子破壊は、
温度湿度の管理や作業者および装置治具の接地アースで
対応していたが、十分ではなかった。
温度湿度の管理や作業者および装置治具の接地アースで
対応していたが、十分ではなかった。
【００１２】この静電気は、アモルファスシリコン層や
メタル層を破壊し、配線のショートまたはオープンの不
具合が発生し、この不具合を皆無にすることは困難であ
るという解決すべき課題がある。
メタル層を破壊し、配線のショートまたはオープンの不
具合が発生し、この不具合を皆無にすることは困難であ
るという解決すべき課題がある。
【００１３】［発明の目的］本発明の目的は、半導体基
板を吸着保持、吸着開放した後で、吸着装置から半導体
基板を剥離する際に発生する剥離帯電による静電気を除
去することにより、静電気による半導体装置の破壊を防
止することにある。
板を吸着保持、吸着開放した後で、吸着装置から半導体
基板を剥離する際に発生する剥離帯電による静電気を除
去することにより、静電気による半導体装置の破壊を防
止することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するための手段として、二次元的に配列された半導体
素子を搭載した基板の複数枚を、基台上に平面的に配列
して構成する半導体装置の製造方法において、前記半導
体素子基板の半導体素子面を、吸着機構のある治具に吸
着保持する工程と、前記半導体素子基板を前記基台に実
装した後に前記吸着を開放する工程と、前記半導体素子
面を前記治具から剥離する際に、前記治具に内蔵された
イオナイザーから、静電気を中和するイオンを放出する
工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方
法を提供するものである。
決するための手段として、二次元的に配列された半導体
素子を搭載した基板の複数枚を、基台上に平面的に配列
して構成する半導体装置の製造方法において、前記半導
体素子基板の半導体素子面を、吸着機構のある治具に吸
着保持する工程と、前記半導体素子基板を前記基台に実
装した後に前記吸着を開放する工程と、前記半導体素子
面を前記治具から剥離する際に、前記治具に内蔵された
イオナイザーから、静電気を中和するイオンを放出する
工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方
法を提供するものである。
【００１５】また、前記半導体装置は、光電変換素子を
搭載した光電変換装置であることを特徴とする半導体装
置の製造方法でもある。
搭載した光電変換装置であることを特徴とする半導体装
置の製造方法でもある。
【００１６】また、本発明は、上記課題を解決するため
の手段として、半導体基板を吸着保持する手段と、該手
段に内蔵された静電気除去手段と、を有することを特徴
とする半導体基板吸着保持装置を提供するものである。
の手段として、半導体基板を吸着保持する手段と、該手
段に内蔵された静電気除去手段と、を有することを特徴
とする半導体基板吸着保持装置を提供するものである。
【００１７】また、前記半導体基板を吸着保持する手段
は、前記半導体基板の吸着固定治具の吸着面に設けられ
た吸着穴に負圧を発生させて吸着保持することを特徴と
する半導体基板吸着保持手段でもある。
は、前記半導体基板の吸着固定治具の吸着面に設けられ
た吸着穴に負圧を発生させて吸着保持することを特徴と
する半導体基板吸着保持手段でもある。
【００１８】また、前記静電気除去手段は、前記吸着固
定治具に内蔵されたイオナイザーから、前記半導体基板
の静電気を中和するイオンを放出することを特徴とする
半導体基板吸着保持装置でもある。
定治具に内蔵されたイオナイザーから、前記半導体基板
の静電気を中和するイオンを放出することを特徴とする
半導体基板吸着保持装置でもある。
【００１９】また、前記イオナイザーは、前記吸着固定
治具の前記半導体基板の吸着面に直接接触しない凹部に
設けられたことを特徴とする半導体基板吸着保持装置で
もある。
治具の前記半導体基板の吸着面に直接接触しない凹部に
設けられたことを特徴とする半導体基板吸着保持装置で
もある。
【００２０】また、前記吸着固定治具の前記基板吸着面
は、凹凸形状であり、前記吸着穴近傍のみを凸部とした
ことを特徴とする半導体基板吸着保持装置でもある。
は、凹凸形状であり、前記吸着穴近傍のみを凸部とした
ことを特徴とする半導体基板吸着保持装置でもある。
【００２１】［作用］本発明によれば、吸着装置から半
導体基板を剥離する際に、吸着装置に内蔵されたイオナ
イザーから、剥離帯電により発生する静電気を中和する
イオンを放出することにより、静電気を除去することが
できる。
導体基板を剥離する際に、吸着装置に内蔵されたイオナ
イザーから、剥離帯電により発生する静電気を中和する
イオンを放出することにより、静電気を除去することが
できる。
【００２２】このため、静電気による半導体装置の破壊
を防止することができる。
を防止することができる。
【００２３】また、吸着穴を吸着治具の凸部に設け、イ
オナイザーを吸着治具の凹部に設ける構造とすることに
より、半導体基板への接触面積を減少させることができ
るため、半導体基板面への影響を少なくすることができ
るとともに、剥離帯電も少なくすることができる。
オナイザーを吸着治具の凹部に設ける構造とすることに
より、半導体基板への接触面積を減少させることができ
るため、半導体基板面への影響を少なくすることができ
るとともに、剥離帯電も少なくすることができる。
【００２４】
【実施例】以下、本発明の半導体装置の製造方法及び半
導体基板吸着保持装置の実施例として、光電変換装置を
例として説明する。
導体基板吸着保持装置の実施例として、光電変換装置を
例として説明する。
【００２５】［実施例１］ ［構成］図１は、本発明による光電変換装置の基板吸着
保持装置の模式的断面図である。
保持装置の模式的断面図である。
【００２６】図１において、２枚以上で構成されている
光電変換装置１を隙間間隔をあけて基台２に接着剤３で
貼り合わせることにより１つの大きな光電変換装置を構
成している。
光電変換装置１を隙間間隔をあけて基台２に接着剤３で
貼り合わせることにより１つの大きな光電変換装置を構
成している。
【００２７】また、吸着固定治具４には、吸着穴６と静
電気をイオンで中和するイオナイザー７を均等に配置し
てある。また、５は、基台固定治具である。
電気をイオンで中和するイオナイザー７を均等に配置し
てある。また、５は、基台固定治具である。
【００２８】光電変換装置１は、ａ−Ｓｉを用いた光電
変換素子及び薄膜電界効果型トランジスタを二次元的に
等間隔で配置し、光電変換半導体層とＴＦＴの半導体層
とを同時に形成した基板である。これは、情報源と等倍
の光学系で読み取るいわゆる密着型センサとして用いる
ことができるものである。
変換素子及び薄膜電界効果型トランジスタを二次元的に
等間隔で配置し、光電変換半導体層とＴＦＴの半導体層
とを同時に形成した基板である。これは、情報源と等倍
の光学系で読み取るいわゆる密着型センサとして用いる
ことができるものである。
【００２９】図３は、図１の平面図である。図３におい
て、４枚の基板の上に構成されている光電変換装置１
１，１２，１３，１４の４枚を隙間間隔をあけて基台固
定治具５に固定した基台２に貼り合わせることにより１
つの大きな光電変換装置を構成している。
て、４枚の基板の上に構成されている光電変換装置１
１，１２，１３，１４の４枚を隙間間隔をあけて基台固
定治具５に固定した基台２に貼り合わせることにより１
つの大きな光電変換装置を構成している。
【００３０】図７は、イオナイザー７の構造の一例を示
す図であり、駆動配線も簡単に示した図である。
す図であり、駆動配線も簡単に示した図である。
【００３１】図７に示すように、入力電圧をトランスに
て昇圧し、除電電極に高圧を印加する。アース電極と除
電電極間に高圧電界が出来、上部ファンよりの風流によ
りイオン化された空気が発生する。このイオンは、ファ
ンの風流を強化した陽圧噴射により、剥離静電気帯電を
中和する。
て昇圧し、除電電極に高圧を印加する。アース電極と除
電電極間に高圧電界が出来、上部ファンよりの風流によ
りイオン化された空気が発生する。このイオンは、ファ
ンの風流を強化した陽圧噴射により、剥離静電気帯電を
中和する。
【００３２】［方法］このような光電変換装置におい
て、まず、光電変換素子を搭載した基板の光電変換素子
面を吸着固定治具４に吸着穴６から吸引しながら保持
し、基台２上に、平面的に配列する。
て、まず、光電変換素子を搭載した基板の光電変換素子
面を吸着固定治具４に吸着穴６から吸引しながら保持
し、基台２上に、平面的に配列する。
【００３３】それらを接着剤３により基台２に貼り合わ
せ、接着剤３の硬化固定後に吸着固定治具４を開放す
る。
せ、接着剤３の硬化固定後に吸着固定治具４を開放す
る。
【００３４】この際に、発生する剥離静電気を除去する
ため、イオナイザー７から、静電気を中和するためのイ
オンを放出する。
ため、イオナイザー７から、静電気を中和するためのイ
オンを放出する。
【００３５】これは、図７に示すように、イオナイザー
に高電圧を印加して、静電気を中和する＋イオン又は−
イオン、又は＋−両方のイオンを、イオナイザー７か
ら、貼り合わせ基板１に対して放出する。
に高電圧を印加して、静電気を中和する＋イオン又は−
イオン、又は＋−両方のイオンを、イオナイザー７か
ら、貼り合わせ基板１に対して放出する。
【００３６】このイオンは、ファンなどにより風圧をか
けて陽圧噴射することにより、剥離静電気帯電を中和す
る。
けて陽圧噴射することにより、剥離静電気帯電を中和す
る。
【００３７】［実施例２］ ［構成］図２は、吸着接触面積を縮小した実施例の半導
体基板吸着装置の模式的断面図である。
体基板吸着装置の模式的断面図である。
【００３８】図２において、図１と同じ符号の部分につ
いては、実施例１と同様である。
いては、実施例１と同様である。
【００３９】本実施例では、吸着固定治具４の基板吸着
面に凹凸を設け、吸着穴６は凸部８に設けてある。これ
により、半導体素子面への吸着固定治具４の接触面積を
縮小して、影響を小さくするとともに、開放する際に発
生する剥離静電気帯電を低減している。また、イオナイ
ザー７は、吸着固定治具４内の凹部９に内在させた。
面に凹凸を設け、吸着穴６は凸部８に設けてある。これ
により、半導体素子面への吸着固定治具４の接触面積を
縮小して、影響を小さくするとともに、開放する際に発
生する剥離静電気帯電を低減している。また、イオナイ
ザー７は、吸着固定治具４内の凹部９に内在させた。
【００４０】図４は、図２の平面図である。図４におい
て、４枚の基板の上に構成されている光電変換装置１
１，１２，１３，１４の４枚を隙間間隔をあけて基台２
に貼り合わせることにより１つの大きな光電変換装置を
構成している。
て、４枚の基板の上に構成されている光電変換装置１
１，１２，１３，１４の４枚を隙間間隔をあけて基台２
に貼り合わせることにより１つの大きな光電変換装置を
構成している。
【００４１】また、吸着固定治具４の吸着基板に接触す
る凸部の面に吸着穴６を設け、さらに静電気をイオン中
和するイオナイザー７を基板面と接触しない凹部の面に
設け、それぞれ吸着固定治具４内に均等に配置してあ
る。
る凸部の面に吸着穴６を設け、さらに静電気をイオン中
和するイオナイザー７を基板面と接触しない凹部の面に
設け、それぞれ吸着固定治具４内に均等に配置してあ
る。
【００４２】図４のように、４枚の基板上に光電変換素
子を製作し、２枚以上の光電変換装置基板を隙間をあけ
て基台に貼り合わせて大面積の光電変換装置を構成す
る。
子を製作し、２枚以上の光電変換装置基板を隙間をあけ
て基台に貼り合わせて大面積の光電変換装置を構成す
る。
【００４３】また、イオナイザー７の構造及び駆動配線
は、実施例１と同様とした。
は、実施例１と同様とした。
【００４４】［方法］まず、基台２を基台固定治具５に
固定する。
固定する。
【００４５】次に、複数の基板１を吸着保持し、基台２
上に、平面的に配列する。
上に、平面的に配列する。
【００４６】次に、複数の基板１を基台２に貼り合わ
せ、接着剤硬化固定後に吸着固定治具４を開放する。
せ、接着剤硬化固定後に吸着固定治具４を開放する。
【００４７】この際、吸着固定治具４を開放時の吸着終
了とともに、イオナイザー７から、中和されたイオンを
陽圧噴射し、剥離静電気帯電を中和する。
了とともに、イオナイザー７から、中和されたイオンを
陽圧噴射し、剥離静電気帯電を中和する。
【００４８】本実施例では、イオナイザー７が凹部９に
配置されている点が、実施例１と異なるが、構造、駆動
方法は、実施例１と同様である。
配置されている点が、実施例１と異なるが、構造、駆動
方法は、実施例１と同様である。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
吸着装置から半導体基板を剥離する際に、吸着装置に内
蔵されたイオナイザーから、剥離帯電により発生する静
電気を中和するイオンを放出することにより、静電気を
除去することができる。
吸着装置から半導体基板を剥離する際に、吸着装置に内
蔵されたイオナイザーから、剥離帯電により発生する静
電気を中和するイオンを放出することにより、静電気を
除去することができる。
【００５０】このため、静電気による半導体装置の破壊
を防止することができる。
を防止することができる。
【００５１】また、吸着穴を吸着治具の凸部に設け、イ
オナイザーを吸着治具の凹部に設ける構造とすることに
より、半導体基板への接触面積を減少させることができ
るため、半導体基板面への影響を少なくすることができ
るとともに、剥離帯電も少なくすることができる。
オナイザーを吸着治具の凹部に設ける構造とすることに
より、半導体基板への接触面積を減少させることができ
るため、半導体基板面への影響を少なくすることができ
るとともに、剥離帯電も少なくすることができる。
【図１】本発明による実施例１の半導体基板吸着保持装
置の模式的断面図である。
置の模式的断面図である。
【図２】本発明による実施例２の半導体基板吸着保持装
置の模式的断面図である。
置の模式的断面図である。
【図３】図１の平面図である。
【図４】図２の平面図である。
【図５】従来の半導体基板吸着保持装置の模式的断面図
である。
である。
【図６】図５の平面図である。
【図７】イオナイザーの概略構成図である。
１ 光電変換装置 ２ 基台 ３ 接着剤 ４ 光電変換素子面の吸着固定治具 ５ 基台固定治具 ６ 吸着穴 ７ 吸着固定治具４内に内在されたイオナイザー ８ 吸着固定治具凸部 ９ 吸着固定治具凹部
Claims (7)
- 【請求項１】 二次元的に配列された半導体素子を搭載
した基板の複数枚を、基台上に平面的に配列して構成す
る半導体装置の製造方法において、 前記半導体素子基板の半導体素子面を、吸着機構のある
治具に吸着保持する工程と、 前記半導体素子基板を前記基台に実装した後に前記吸着
を開放する工程と、 前記半導体素子面を前記治具から剥離する際に、前記治
具に内蔵されたイオナイザーから、静電気を中和するイ
オンを放出する工程と、を有することを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記半導体装置は、光電変換素子を搭載
した光電変換装置であることを特徴とする請求項１記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 半導体基板を吸着保持する手段と、 該手段に内蔵された静電気除去手段と、を有することを
特徴とする半導体基板吸着保持装置。 - 【請求項４】 前記半導体基板を吸着保持する手段は、
前記半導体基板の吸着固定治具の吸着面に設けられた吸
着穴に負圧を発生させて吸着保持することを特徴とする
請求項３記載の半導体基板吸着保持手段。 - 【請求項５】 前記静電気除去手段は、前記吸着固定治
具に内蔵されたイオナイザーから、前記半導体基板の静
電気を中和するイオンを放出することを特徴とする請求
項４記載の半導体基板吸着保持装置。 - 【請求項６】 前記イオナイザーは、前記吸着固定治具
の前記半導体基板の吸着面に直接接触しない凹部に設け
られたことを特徴とする請求項５記載の半導体基板吸着
保持装置。 - 【請求項７】 前記吸着固定治具の前記基板吸着面は、
凹凸形状とし、前記吸着穴近傍のみを凸部としたことを
特徴とする請求項４記載の半導体基板吸着保持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19248597A JPH1140653A (ja) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | 半導体装置の製造方法及び半導体基板吸着保持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19248597A JPH1140653A (ja) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | 半導体装置の製造方法及び半導体基板吸着保持装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1140653A true JPH1140653A (ja) | 1999-02-12 |
Family
ID=16292090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19248597A Pending JPH1140653A (ja) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | 半導体装置の製造方法及び半導体基板吸着保持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1140653A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8783848B2 (en) | 2011-03-18 | 2014-07-22 | Seiko Epson Corporation | Marking device, manufacturing device, and marking method |
| CN112916976A (zh) * | 2021-01-21 | 2021-06-08 | 杭州海康微影传感科技有限公司 | 预成型焊料的转移方法以及预成型焊料的转移系统 |
-
1997
- 1997-07-17 JP JP19248597A patent/JPH1140653A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8783848B2 (en) | 2011-03-18 | 2014-07-22 | Seiko Epson Corporation | Marking device, manufacturing device, and marking method |
| CN112916976A (zh) * | 2021-01-21 | 2021-06-08 | 杭州海康微影传感科技有限公司 | 预成型焊料的转移方法以及预成型焊料的转移系统 |
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