JPH1137726A - 厚みセンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光源から投射される光の空間的強度分布の非
一様性によらず、高精度、高速応答、かつ、入出力関係
の線形性が高い厚みセンサを提供する 【解決手段】 厚みセンサ１０は、搬送路５０に略平行
な光を投射する発光ダイオード１２、下側が鋭角になっ
ているくさび状の受光面を有する第１のフォトダイオー
ド１４ａと、上側が鋭角になっているくさび状の受光面
を有する第２のフォトダイオード１４ｂとを、絶縁体か
らなる分離層１４ｃを介してそれぞれ９個ずつ交互に配
列した構造を有する２分割型半導体位置検出器１４、ス
リット孔１６ａを有するスリット板１６、鋼球２２と押
しバネ２４からなり、被測定対象５２の厚みによってス
リット板１６を上下に動かすことのできる駆動機構、及
び発光ダイオード１２から投射される光の指向性を無く
すために、発光ダイオード１２とスリット板１６との間
に設けられた光拡散板１８から主に構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、搬送されるシート
状の被測定対象の厚みを光学的に計測する、厚みセンサ
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、紙などのシート状物体の厚み
を計測するセンサは、多数知られている。中でも、遮光
板やスリットなどを有する可動体を被測定対象に接触さ
せ、被測定対象の厚みによって遮光板やスリットが変位
した量を光学的に計測する方法は、構造が簡単で製造コ
ストも安いため、広く用いられている。

【０００３】例えば、特開昭５８−１１３７０４号公
報、特開平８−４３０３５号公報には、被測定対象の厚
みによって変位する可動体に設けられたスリットや遮光
板と光路との位置関係により変化する受光光量を検出
し、被測定対象の厚みを計測する厚みセンサが開示され
ている。また、特開平８−４３０３５号公報には、被測
定対象の厚みによって変位する可動体に投射光を通過さ
せるピンホールを備え、さらに受光素子として半導体位
置検出素子（ＰＳＤ）を用いた厚みセンサが開示されて
いる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記受光光量
の変化により厚みを計測する厚みセンサにおいては、光
源から投射される光の空間的強度分布が一様ではない場
合は、計測誤差が非常に大きくなる。特に、光源にＬＥ
Ｄなどを用いる場合、温度によって光の空間的強度分布
が変化し、計測誤差は大きくなる。

【０００５】また、上記可動体にピンホールを備え、受
光素子としてＰＳＤを用いた厚みセンサにおいては、受
光光量ではなく、ＰＳＤによって検出した位置信号から
厚みを求めているため、上記光の空間的強度分布の非一
様性に起因する誤差は小さくなる。しかし、半導体位置
検出素子としてＰＳＤを用いているため、応答速度が遅
く、また、分解能も悪い。

【０００６】また、上記従来技術のいずれの厚みセンサ
も、その構成から明らかなように、被測定対象の厚みに
対して、出力値（検出光量、ＰＳＤの出力など）の線形
性が低い。従って、被測定対象の厚みに比例した出力値
を得るためには、コンピュータ等を用いて、リニア補正
テーブルを作成し、出力値を変換しなくてはならない。
その結果、センサシステム全体の構成が複雑で高価にな
ってしまい、また、ソフトウェアを介することから、応
答速度が著しく遅くなる。

【０００７】本発明は、上記問題点を解決し、光源から
投射される光の空間的強度分布の非一様性による誤差が
小さく、応答速度が速く、かつ、入出力関係の線形性が
高い厚みセンサを提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の厚みセンサは、くさび型の受光面を有する
第１の半導体受光素子と、くさび型の受光面を有する第
２の半導体受光素子とを、少なくともそれぞれ１つ以上
ずつ、くさびの鋭角がそれぞれ逆に配置されるように、
特定の配列方向に交互に配列して受光面を形成した２分
割型半導体位置検出器と、半導体位置検出器の受光面に
光を投射する光源と、光源から投射された光のうち、上
記の配列方向と平行な線状のスリット光を半導体位置検
出器の受光面に通過させるスリット孔を有するスリット
板と、被測定対象の厚みに応じて、スリット板を上記の
配列方向と垂直方向に駆動する駆動機構とを備えたこと
を特徴としている。

【０００９】被測定対象の厚みに応じて、スリット孔を
有するスリット板を駆動させることにより、半導体位置
検出器の受光面に入射するスリット孔の位置が変化す
る。従って２分割半導体位置検出素子で上記スリット孔
の位置を検出することにより、被測定対象の厚みが計測
できる。また、受光素子として２分割半導体位置検出器
を用いていることにより、ＰＳＤを用いる場合などと比
較して応答速度の速い出力信号が得られる。

【００１０】また、半導体受光素子の配列方向と平行な
線状のスリット光の光強度を、くさび形の受光面を有す
る受光素子を複数個重ねた２分割型半導体位置検出器で
検出することにより、隣り合った各一対の受光素子（第
１の半導体受光素子と第２の半導体受光素子）の範囲で
は、光の空間的強度分布が近似的に均一とみなせる。よ
って、光の空間的強度分布の非一様性に基づく誤差が低
減でき、線形性の高い出力信号が得られる。

【００１１】また、本発明の厚みセンサは、光源とスリ
ット板との間に、光拡散板をさらに備えたことを特徴と
してもよい。

【００１２】光拡散板を備えることにより、光源から投
射された光の指向性を無くすことが可能となり、その結
果、スリット板が多少光軸方向に移動しても、スリット
孔を通過した光が半導体位置検出装置に到達する位置の
ずれが小さくなり、スリット板の前後へのぶれによる計
測誤差が小さくなる。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の実施形態に係る厚みセン
サについて図面を参照して説明する。図１は、本発明の
実施形態に係る厚みセンサの構成図である。厚みセンサ
１０は、光源である発光ダイオード１２、２分割型半導
体位置検出器１４、スリット孔１６ａを有するスリット
板１６、及び光拡散板１８から主に構成されており、筐
体２０内に納められている。また、筐体２０は搬送路５
０と一定の距離を保った状態で、搬送路５０に固定され
ている。

【００１４】光源である発光ダイオード１２は、搬送路
５０に略平行な光軸を持つ投射光を投射できるような向
きをもって、筐体２０に固定されている。

【００１５】２分割型半導体位置検出器１４は、発光ダ
イオード１２から投射された光を受光できるように、発
光ダイオード１２に対向した位置に、アッセンブリ基板
２１を介して筐体２０に固定されている。また、本実施
形態で用いる２分割型半導体位置検出器１４の受光面
は、特公平６−７０５２号公報において開示されている
ように、図２に示すような構造になっている。すなわ
ち、下側が鋭角になっているくさび状の受光面を有する
第１のフォトダイオード１４ａと、上側が鋭角になって
いるくさび状の受光面を有する第２のフォトダイオード
１４ｂとを、絶縁体からなる分離層１４ｃを介してそれ
ぞれ９個ずつ交互に配列した構造になっている。また、
２分割型半導体位置検出器１４は、第１の電極１４ｄ、
第２の電極１４ｅを有しており、第１の電極１４ｄから
は、各々の第１のフォトダイオード１４ａによって発生
した光電流の総和を、第２の電極１４ｅからは、各々の
第２のフォトダイオード１４ｂによって発生した光電流
の総和をそれぞれ外部に取り出せるようになっている。
２分割型半導体位置検出器１４は、第１の電極１４ｄ、
第２の電極１４ｅがそれぞれ上側、下側になるように、
筐体２０に固定されており、また、２分割型半導体位置
検出器１４の受光面以外の部分は、光の反射による影響
を低減するために、光吸収材（アパーチャ）で覆われて
いる。

【００１６】発光ダイオード１２と２分割型半導体位置
検出器１４の間には、発光ダイオード１２から投射され
た光の一部を２分割型半導体位置検出器１４の受光面に
通過させるためのスリット孔１６ａを有するスリット板
１６が設けられている。スリット板１６及びスリット孔
１６ａの具体的な形状は図３に示すようになっている。
スリット板１６は、２分割型半導体位置検出器１４の受
光面全体を覆うための十分な面積を持っており、その中
心部に横長の長方形のスリット孔１６ａを有している。

【００１７】スリット板１６の下部は、Ｌ字型に折れ曲
がっており、このＬ字型に折れ曲がった部分を下から上
に、あるいは上から下に押すことによって、スリット板
１６全体が上下（搬送路５０に垂直方向）に動くことが
できる構造になっている。具体的には、スリット板１６
のＬ字型に折れ曲がった部分は、筐体に上下動及び回転
可能に設置された鋼球２２の上に載せられており、一
方、上部からは筐体２０に設置された押しバネ２４によ
って押さえつけられている。従って、搬送路５０と鋼球
２２との間に、被測定対象である紙などのシート５２が
入ってくると、鋼球２２がシート５２によって押し上げ
られ、その結果、スリット板１６も上に押し上げられ
る。これとは逆に、シート５２が、搬送路５０と鋼球２
２との間から取り除かれると、押しバネ２４の弾性力に
よって、スリット板１６及び鋼球２２は下に押し下げら
れ、もとの位置に戻ることになる。

【００１８】光拡散板１８は、発光ダイオード１２とス
リット板１６との間に設けられており、発光ダイオード
１２から投射された光を散乱させることができるように
なっている。

【００１９】さらに、筐体２０の上部には、発光ダイオ
ード１２への電流供給、及び、２分割型半導体位置検出
器１４によって得られた出力信号を外部に取り出すため
のコネクタ２６が設けられている。

【００２０】また、本実施形態に係る厚みセンサの回路
構成は図４に示すようになっている。発光ダイオード１
２は、ＬＥＤ駆動回路２８によって発光する。また、２
分割型半導体位置検出器１４の第１のフォトダイオード
１４ａによって発生した光電流、及び第２のフォトダイ
オード１４ｂによって発生した光電流はそれぞれ、増幅
部３０で増幅され、Ｉ／Ｖ変換部３２によって電圧信号
に変換された後、ＡＤコンバータ３４に入力される。Ａ
Ｄコンバータ３４は、入力信号をＡＤ変換した後、パソ
コン３６に出力し、パソコン３６は、ＡＤコンバータ３
４の出力に基づき、変位を出力する。

【００２１】続いて、本実施形態に係る厚みセンサの作
用について説明する。発光ダイオード１２から投射され
た光は、光拡散板１８によって散乱され、スリット板１
６のスリット孔１６ａを通過し、２分割型半導体位置検
出器１４の受光面に達する。よって、２分割型半導体位
置検出器１４の受光面には、スリット孔１６ａの位置に
対応した部分のみに光が入射することになる。特に、ス
リット孔１６ａは、横長の長方形であるので、２分割型
半導体位置検出器１４の受光面のうち、スリット孔１６
ａの位置に対応した部分に、横長の線状のスリット光が
入射する。従って、２分割型半導体位置検出器１４の出
力位置信号から、スリット板１６のスリット孔１６ａの
上下方向の位置、つまり高さが検出できる。

【００２２】ところで、搬送路５０に、被測定対象であ
るシート５２が搬送されていないときは、スリット板１
６、及び鋼球２２は押しバネ２４によって下に押し下げ
られているため、スリット孔１６ａは、特定の位置に固
定されている。しかし、搬送路５０に一定の厚みを有す
るシート５２が搬送されると、シート５２によって鋼球
２２が上に押し上げられ、それに伴い、スリット板１６
も上に押し上げられる。従って、スリット孔１６ａの位
置はシート５２の厚みの分だけ上に押し上げられる。よ
って、スリット孔１６ａの高さを２分割型半導体位置検
出器１４によって検出することにより、シート５２の厚
みを計測することが可能となる。

【００２３】ここで、２分割型半導体位置検出器１４に
よる、受光位置計測原理について説明する。まず、簡単
のため、下側が鋭角になっているくさび状の受光面を有
する第１のフォトダイオード１４ａと、上側が鋭角にな
っているくさび状の受光面を有する第２のフォトダイオ
ード１４ｂとを一つずつ組み合わせた２分割型半導体位
置検出器１４を用いて説明する。

【００２４】図５は、下側が鋭角になっているくさび状
の受光面を有する第１のフォトダイオード１４ａと、上
側が鋭角になっているくさび状の受光面を有する第２の
フォトダイオード１４ｂとを一つずつ組み合わせた２分
割型半導体位置検出器１４の受光面を表した図である。
２分割型半導体位置検出器１４の受光面は、２つのくさ
び状の受光面を組み合わせたため、全体として長方形に
なっている。

【００２５】ここで、２分割型半導体位置検出器１４の
受光面に、スリット光５４が入射した場合を考える。ス
リット光５４の幅は、２分割型半導体位置検出器１４の
一辺の長さと比較して十分小さく、スリット光５４は２
分割型半導体位置検出器１４の長方形の受光面のうち１
辺に平行（図５においてはｙ軸に平行）に入射するもの
とする。このとき、第１の電極１４ｄから取り出される
電流、つまり第１のフォトダイオード１４ａによって発
生した光電流をＩ₁、第２の電極１４ｅから取り出され
る電流、つまり第２のフォトダイオード１４ｂによって
発生した光電流をＩ₂、図５に示すｘ−ｙ座標系を考え
たときのスリット光５４の入射するｘ軸方向の位置を
ｘ、スリット光５４がｘの位置に入射するときに、スリ
ット光５４が第１のフォトダイオード１４ａと重なる部
分の長さをＷ（ｘ）、スリット光５４がｘの位置に入射
するときに、スリット光５４が第２のフォトダイオード
１４ｂと重なる部分の長さをＨ（ｘ）とすると、Ｉ₁、
Ｉ₂に関して式（１）、及び、式（２）が成り立つ。

【００２６】

【数１】

【００２７】

【数２】

【００２８】ここで、第１のフォトダイオード１４ａと
第２のフォトダイオード１４ｂの間隔をＩ、２分割型半
導体位置検出器１４の受光面の辺のうち、スリット光５
４に平行な方の一辺の長さをＷとすると、Ｗ（ｘ）とＨ
（ｘ）との間には、式（３）の関係が成立する。

【００２９】

【数３】

【００３０】従って、原点Ｏからｘ軸方向にｘだけ離れ
た点でのＷ（ｘ）、及び、Ｈ（ｘ）は、式（４）、及
び、式（５）で表される。

【００３１】

【数４】

【００３２】

【数５】

【００３３】ここで、Ｌは、２分割型半導体位置検出器
１４の受光面の辺のうち、スリット光５４に垂直な辺の
長さである。

【００３４】また、２分割型半導体位置検出器１４で生
成される全電流をＩ₀とすると、

【００３５】

【数６】 となるので、式（４）、式（５）、式（６）を式
（１）、式（２）に代入すると、Ｉ₁、Ｉ₂はそれぞれ式
（７）、式（８）で表される。

【００３６】

【数７】

【００３７】

【数８】

【００３８】式（７）、式（８）からスリット光５４の
ｘ軸方向の位置ｘは、

【００３９】

【数９】 の様に表せる。従って、全電流Ｉ₀、及び、第１のフォ
トダイオード１４ａによって発生した光電流Ｉ₁と第２
のフォトダイオード１４ｂによって発生した光電流をＩ
₂との差分を計測することによって、スリット光５４の
入射位置が分かることになる。ここで、２分割型半導体
位置検出器１４の受光面の幅、つまり、Ｗ（ｘ）＋Ｈ
（ｘ）はｘによらず一定であるため、Ｉ₁＋Ｉ₂は一定と
なり、ｘはＩ₁−Ｉ₂に対して線形性を持った量として得
られる。また、スリット光の光強度が、時間的に変化す
る場合は、Ｉ₁＋Ｉ₂が一定となるように光源の光量を制
御することにより、上記と同様にｘはＩ₁−Ｉ₂に対して
線形性を持った量として得られることになる。

【００４０】上記構成においては、スリット孔１６ａを
通過する光の強度、つまりスリット光５４の強度が空間
的に一様であれば、Ｉ₁−Ｉ₂はｘに対して理想的な直線
を描く。しかし、実際には、光源から投射された光は空
間的に一様ではなく、従ってスリット光５４も空間的に
一様ではない。この場合の影響を図６を用いて説明す
る。図６（ａ）に示すスリット光が図６（ｂ）に示すよ
うな空間強度分布を持っている場合に第１のフォトダイ
オード１４ａは、５４ａ部分の面積に比例した光電流Ｉ
₁’を発生させ、第２のフォトダイオード１４ｂは、５
４ｂの面積に比例した光電流をＩ₂’を発生させる。こ
のとき、Ｉ₁’、Ｉ₂’は、

【００４１】

【数１０】

【００４２】

【数１１】 となる。ここで、Ｉ₁，Ｉ₂はそれぞれ、全体光量が等し
い状態で光が均一に照射された場合の第１のフォトダイ
オード１４ａによって発生した光電流、第２のフォトダ
イオード１４ｂによって発生した光電流であり、Δｉ
は、光が不均一に照射されることにより第１のフォトダ
イオード１４ａ、及び第２のフォトダイオード１４ｂに
発生する光電流の変化分である。式（１０）、式（１
１）から明らかなように、光が空間的に一様ではない時
は、Ｉ₁’−Ｉ₂’が式（１２）で表され、その不均一度
に応じて大きな誤差成分（−２Δｉ）が発生する。この
誤差により、位置検出精度が著しく低下する。

【００４３】

【数１２】

【００４４】そこで、本実施形態に係る厚みセンサは、
図２に示すように、くさび形の受光面を持つ第１のフォ
トダイオード１４ａと第２のフォトダイオード１４ｂと
を交互に多数個配列して受光面を形成している。このよ
うな構成とした場合は、空間的な光強度の非一様性が問
題となるのは、一対の第１のフォトダイオード１４ａと
第２のフォトダイオード１４ｂの間だけである。よっ
て、この幅を狭くして多数個並べることにより、図７
（ｂ）に示すように、それぞれの一対の第１のフォトダ
イオード１４ａと第２のフォトダイオード１４ｂの範囲
においては近似的に光強度の空間分布を一様にすること
ができる。その結果、位置検出誤差を小さく押さえるこ
とが可能となる。

【００４５】次に、光拡散板１８の作用について説明す
る。図８は光拡散板１８を用いない場合の光の進路を示
した図である。発光ダイオード１２を点光源と仮定する
と、発光ダイオード１２から投射されスリット孔１６ａ
を通過した光は、鋭い指向性を持つ。従って、スリット
孔１６ａが光軸方向にずれた場合、例えば図８に示すよ
うに、スリット板１６がΔｚだけ光源に近づいた場合
（図中点線の位置）は、２分割型半導体位置検出器１４
の受光面に入射するスリット光の位置が、上方にΔｘだ
けずれてしまい、大きな誤差となる。

【００４６】そこで、本実施形態に係る厚みセンサにお
いては、発光ダイオード１２とスリット板１６との間
に、発光ダイオード１２から投射された光を散乱させる
ことができるような光拡散板１８を設けている。発光ダ
イオード１２から投射され、光拡散板１８によって散乱
された光は指向性が無くなる。よって、様々な方向から
の光がスリット孔１６ａを通過し、２分割型半導体位置
検出器１４の受光面に入射するため、スリット板１６の
光軸方向へのずれによる位置検出誤差が低減される。

【００４７】続いて、本実施形態に係る厚みセンサの効
果について説明する。本実施形態に係る厚みセンサ１０
は、受光素子として２分割半導体位置検出器１４を用い
ていることにより、受光素子としてＰＳＤを用いる場合
などと比較して応答速度の速い出力信号が得られる。

【００４８】また、本実施形態に係る厚みセンサは、受
光素子として、第１のフォトダイオード１４ａと第２の
フォトダイオード１４ｂとを交互に配列した２分割型半
導体位置検出器１４を用い、スリット孔１６ａによっ
て、第１のフォトダイオード１４ａと第２のフォトダイ
オード１４ｂとを配列した方向と平行な線状のスリット
光を２分割型半導体位置検出器１４の受光面に入射さ
せ、その入射光強度から被測定対象５２の厚みを計測す
ることにより、隣り合った各一対の受光素子（第１のフ
ォトダイオード１４ａと第２のフォトダイオード１４
ｂ）の範囲では、光の空間的強度分布が近似的に均一と
みなせるため、光の空間的強度分布の非一様性に基づく
誤差が低減でき、線形性の高い出力信号が得られる。

【００４９】さらに、本実施形態に係る厚みセンサ１０
は、発光ダイオード１２とスリット板１６との間に、光
拡散板１８をさらに備えたことにより、光源から投射さ
れた光の指向性を無くすことが可能となり、その結果、
スリット板１６が多少前後に移動しても、スリット孔１
６ａを通過した光が２分割型半導体位置検出装置１４に
到達する位置のずれが小さくなり、スリット板１６の光
軸方向へのぶれによる計測誤差が小さくなる。

【００５０】最後に、本実施形態の厚みセンサにおい
て、半導体位置検出器１４は、下側が鋭角になっている
くさび状の受光面を有する第１のフォトダイオード１４
ａと、上側が鋭角になっているくさび状の受光面を有す
る第２のフォトダイオード１４ｂとを、絶縁体からなる
分離層１４ｃを介してそれぞれ９個ずつ交互に積み重ね
た構造であったが、これは９個ずつでなくてもよい。発
光ダイオード１２の出力特性を考慮し、必要精度が得ら
れるのであれば、第１のフォトダイオード１４ａと第２
のフォトダイオード１４ｂの組は９個より少なくてもよ
い。９個より少ない場合は、製造がより容易になる。一
方、第１のフォトダイオード１４ａと第２のフォトダイ
オード１４ｂの組を９個より多くすることにより、受光
面に対して光強度の空間的非一様性の影響する範囲が小
さくなり、計測精度を上げることができる。

【００５１】

【発明の効果】本発明の厚みセンサは、受光素子として
２分割半導体位置検出器を用いていることにより、ＰＳ
Ｄを用いる場合などと比較して応答速度の速い出力信号
が得られる。

【００５２】また、半導体受光素子の配列方向と平行な
線状のスリット光の光強度を、くさび形の受光面を有す
る受光素子を複数個重ねた２分割型半導体位置検出器で
検出することにより、隣り合った各一対の受光素子（第
１の半導体受光素子と第２の半導体受光素子）の範囲で
は、光の空間的強度分布が近似的に均一とみなせるた
め、光の空間的強度分布の非一様性に基づく誤差が低減
でき、線形性の高い出力信号が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係る厚みセンサの構成図で
ある。

【図２】本発明の実施形態に係る厚みセンサで用いる２
分割型半導体位置検出器の受光面の構成図である。

【図３】本発明の実施形態に係る厚みセンサで用いるス
リット板の平面図である。

【図４】本発明の実施形態に係る厚みセンサの回路構成
図である。

【図５】２分割型半導体位置検出器の受光面の構成図で
ある。

【図６】２分割型半導体位置検出器に空間的に不均一な
スリット光が入射したときの様子を表した図である。

【図７】本発明の実施形態に係る厚みセンサの２分割型
半導体位置検出器に空間的に不均一なスリット光が入射
したときの様子を表した図である。

【図８】本発明の実施形態に係る厚みセンサにおいて、
スリット板の光軸方向のぶれによる誤差の様子を表した
図である。

【符号の説明】

１０…厚みセンサ、１２…発光ダイオード、１４…２分
割型半導体位置検出器、１４ａ…第１のフォトダイオー
ド、１４ｂ…第２のフォトダイオード、１４ｃ…分離
層、１４ｄ…第１の電極、１４ｅ…第２の電極、１６…
スリット板、１６ａ…スリット孔、１８…光拡散板、２
０…筐体、２１…アッセンブリ基板、２２…鋼球、２４
…押しバネ、２８…ＬＥＤ駆動回路、３０…増幅部、３
２…Ｉ／Ｖ変換部、３４…ＡＤコンバータ、３６…パソ
コン、５０…搬送路、５２…被測定対象、５４…スリッ
ト光

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 くさび型の受光面を有する第１の半導体
   受光素子と、 くさび型の受光面を有する第２の半導体受光素子とを、 くさびの鋭角がそれぞれ逆に配置されるように、特定の
   配列方向に交互に複数個ずつ配列して受光面を形成した
   ２分割型半導体位置検出器と、 前記半導体位置検出器の受光面に光を投射する光源と、 前記光源から投射された光のうち、前記配列方向と平行
   な線状のスリット光を前記半導体位置検出器の受光面に
   通過させるスリット孔を有するスリット板と、 被測定対象の厚みに応じて、前記スリット板を前記配列
   方向と垂直方向に駆動する駆動機構と、を備えたことを
   特徴とする厚みセンサ。
2. 【請求項２】 前記光源と前記スリット板との間に、光
   拡散板をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載
   の厚みセンサ。