JPH11354420A

JPH11354420A - 同期精度計測方法

Info

Publication number: JPH11354420A
Application number: JP10165275A
Authority: JP
Inventors: Tsunekimi Hayashi; 恒仁林
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1998-06-12
Filing date: 1998-06-12
Publication date: 1999-12-24

Abstract

(57)【要約】【課題】基板上に転写された転写像に基づき、走査型
露光装置のマスクと基板の同期精度を計測する。【解決手段】長手方向が略走査方向に向いた第１のく
さび状のパターンＰ１と、長手方向が走査方向と略直交
する方向に向いた第２のくさび状のパターンＰ２とを、
マスクと同期して走査される基板上に走査露光し、基板
に転写されたくさび状のパターンの長さを計測すること
で同期精度を求める。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子集積回
路や液晶表示素子等をリソグラフィ工程で製造する際に
使用される走査型露光装置の同期精度計測方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子や液晶表示素子等をリソグラ
フィ工程で製造する際に、露光光のもとでフォトマスク
やレチクル（以下、マスクという）のパターン像をフォ
トレジスト等の感光剤が塗布された半導体ウェハやガラ
スプレート等の感光基板（以下単に基板という）に投影
露光する露光装置が用いられる。露光装置では、パター
ンが微細化されるにつれて、露光光源として紫外域のフ
ッ化クリプトン（ＫｒＦ）エキシマレーザを用いた露光
装置が多用されつつある。また、近年、基板が大型化す
る傾向にあり、大型の基板に露光する場合の露光領域の
拡大に対応するために、マスク及び基板を同期させて露
光する走査型露光装置が開発されている。

【０００３】この走査型露光装置では、装置性能の向上
のために、走査時におけるマスクと基板の同期精度を上
げることが極めて重要であり、簡便で再現性の良い同期
精度の計測方法が求められている。これまでの同期精度
計測方法としては、例えばマスクステージの移動速度及
び移動量と基板ステージの移動速度及び移動量とを、干
渉計等を利用して計測し、その差分を同期精度とする等
の手段が用いられてきた。この方法では、マスクステー
ジの移動速度と基板ステージの移動速度が直接的に計測
され、その差分が分るため、システムの計測速度が高け
れば、同期精度を定量的に求めることができるという利
点がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
の同期精度を計測する方法では、直接的にマスクステー
ジと基板ステージの移動速度の差分が干渉計等によって
計測されるものの、各マスクステージ及び基板ステージ
の移動速度の計測がそれぞれ別個の干渉計等によって計
測されるため、それぞれの計測結果に干渉計等の精度の
誤差が含まれた場合には、実際に露光した場合のレジス
ト像に対する影響を判断することが難しいという問題が
あった。しかも、システムの計測精度を高いものとする
ためには、高価で複雑な計測システムを構築する必要が
あるため、レジスト像を用いて同期精度を計測する簡便
な方法が望まれていた。本発明は、このような従来技術
の問題点に鑑みてなされたもので、走査型露光装置にお
けるマスクと基板の同期精度を、基板上に転写された転
写像に基づいて容易に計測することができる同期精度計
測方法を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の同期精度計測方
法は、マスクと同期して走査される基板にマスクのパタ
ーンを転写する露光装置のマスクと基板の同期精度を計
測する同期精度計測方法において、マスクに形成された
くさび状のパターンをマスクと同期して走査される基板
上に露光し、基板に転写されたくさび状のパターンの長
さを計測することを特徴とする。

【０００６】マスクに形成されたくさび状のパターンを
走査型露光装置によって基板に転写した場合、転写像に
相対的に移動するマスクと基板の同期ずれによる影響が
現われる。そこで、基板に転写されたくさび状のパター
ンの長さを計測することで、マスクと基板との同期精度
を計測することが可能となる。基板上のくさび状のパタ
ーンは必ずしもマスクに形成されたくさび状のパターン
をそのまま走査露光で転写して形成する必要はない。す
なわち、まずマスクに形成された線状パターンなどの第
１のパターンを基板上に走査露光し、続いて別のマスク
に形成された線状パターンなどの第２のパターンを前記
基板上に露光して第１のパターンと第２のパターンとを
２重露光することで、基板上にくさび状のパターンを形
成してもよい。

【０００７】また、基板上に形成されるくさび状のパタ
ーンを、長手方向が略走査方向に向いた第１のくさび状
のパターンと、長手方向が走査方向と略直交する方向に
向いた第２のくさび状のパターンとし、基板に形成され
た第１のくさび状のパターンと第２のくさび状のパター
ンのパターンの長さを計測することで、マスクと基板の
同期精度を計測することができる。第１のくさび状のパ
ターンの長さは走査方向に直交する方向の同期ずれによ
る影響を主に受け、第２のくさび状のパターンの長さは
走査方向の同期ずれによる影響を主に受ける。

【０００８】さらに、基板に形成された第１のくさび状
のパターンの長さと、第２のくさび状のパターンの長さ
の差をとるなど両者の長さを比較することで、現像プロ
セスの変動によるレジストパターンの寸法変化の影響を
排除してマスクと基板の同期精度を計測することができ
る。この場合、第１のくさび状のパターンと第２のくさ
び状のパターンの長さが比較されるため、計測される値
は走査方向におけるマスクと基板の同期精度と走査方向
に垂直な方向のマスクと基板の同期精度を含んだものと
なる。さらにまた、基板に形成されたくさび状のパター
ンの長さを、マスクと基板とが静止しているとき小判上
に形成したくさび状のパターンの長さと比較することで
も走査露光時のマスクと基板の同期精度を計測すること
ができる。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図１は、本発明の対象であるスリ
ット走査露光方式の走査型露光装置の概略図である。光
源１から射出された露光光ＩＬは、ミラー２、視野絞り
３、リレーレンズ４、ミラー５及びコンデンサーレンズ
６を経て、均一な照度でマスク７を照明する。光源系１
は、水銀灯又はレーザ光源等の光源及びオプティカルイ
ンテグレータ等により構成されている。また、視野絞り
３の配置面とマスク７の下面のパターン形成面とは共役
であり、視野絞り３によりマスク７のパターン形成面に
スリット状の照明領域が設定されている。この場合、マ
スク７に平行な面内で図１の紙面に平行な方向をＸ方
向、図１の紙面に垂直な方向をＹ方向として、スリット
状の照明領域の長手方向がＹ方向に設定され、マスク７
とそのスリット状の照明領域の相対走査の方向はＸ方向
であるとする。

【００１０】マスク７は、マスク７にＸ方向及びＹ方向
への移動並びに回転を行なわせるマスクステージ８上に
保持され、マスクステージ８はマスク側ベース９上に摺
動自在に支持されている。マスクステージ８上の相対走
査方向であるＸ方向の一端に移動鏡１０が固定され、Ｘ
軸用のレーザ干渉計１１からのレーザビームが移動鏡１
０により反射される。Ｘ軸用のレーザ干渉計１１は、移
動鏡１０からの反射レーザビームと参照鏡からのレーザ
ビームとの干渉ビームを光電変換することにより、マス
クステージ８のＸ方向の座標を検出している。また、マ
スクステージ８の相対走査方向に垂直なＹ方向の座標及
び回転角は、図示省略した静電容量センサにより計測さ
れている。Ｘ軸用のレーザ干渉計１１の計測座標及び静
電容量センサによる計測結果は主制御系１２に供給さ
れ、主制御系１２はマスクステージ８の移動速度、位置
及び回転角を露光シーケンスに応じて設定する。

【００１１】露光光ＩＬのもとで、マスク８上のパター
ンの像が投影光学系１３を介して基板１４上に投影露光
される。この際、基板１４上の１ショット分の領域に対
して、マスク７上のスリット状の照明領域の共役像、す
なわち投影光学系１３の露光フィールドが小さいので、
マスク７を例えば−Ｘ方向に走査するのに同期して基板
１４をＸ方向に一定速度で走査することにより、基板１
４上の１ショット分の領域への露光が行なわれる。その
ため、基板１４は、基板１４をＸ方向及びＹ方向に移動
する基板ステージ１５上に保持され、基板ステージ１５
は基板側ベース１６上に摺動自在に支持されている。

【００１２】また、基板ステージ１５上のＸ方向の端部
に移動鏡１７が固定され、Ｘ軸用のレーザ干渉計１８か
らのレーザビームが移動鏡１７により反射される。図示
省略するが、基板ステージ１５のＹ方向の端部にも移動
鏡が固定され、Ｘ軸用のレーザ干渉計１８及びＹ軸用の
レーザ干渉計は、それぞれ基板ステージ１５上の移動鏡
からのレーザビームと参照鏡からのレーザビームとの干
渉光を光電変換して、基板ステージ１５のＸ座標及びＹ
座標を検出する。こうして検出された基板ステージ１５
のＸ座標及びＹ座標も主制御系１２に供給される。主制
御系１２は基板ステージ１５の移動速度及び位置を露光
シーケンスに応じて設定する。このようにしてマスク７
と基板１４を同期して走査することで、基板１４上にマ
スク７の全領域のパターンが露光される。

【００１３】次に、図１に示した走査型露光装置におい
て同期して走査されるマスク７と基板１４の同期精度を
測定する方法について説明する。図２に、本発明による
同期精度計測方法に用いるマスク上に形成されるマスク
パターンの一例を示す。ここでは、マスクパターンＰ
１，Ｐ２として、菱形をしたくさび状のパターンを用い
た。マスクパターンＰ１は長手方向が略走査露光方向に
向いた第１のくさび状のパターンであり、マスクパター
ンＰ２は長手方向が走査方向と略直交する方向に向いた
第２のくさび状のパターンである。図には、各マスクパ
ターンＰ１，Ｐ２をそれぞれ３本とした場合を例示して
いるが、各パターンの数は２本以下であっても４本以上
であってもよい。各マスクパターンＰ１，Ｐ２の形状
も、ここに示したくさび状に限らず、幅寸法Ｌ１と長さ
寸法Ｌ２の比が異なる他のくさび状であってもよいし、
菱形のくさびを図のａ−ｂ線で分割した三角形状のくさ
びであってもよい。

【００１４】これら各マスクパターンＰ１，Ｐ２を形成
したマスクを用いて走査露光した場合の基板上のレジス
トパターンの長さを計測した結果を、図３に示す。走査
露光は、各マスクパターンＰ１，Ｐ２を形成した同一の
マスクを用いるとともに、感光剤としてポジレジストを
塗布した基板を用い、マスクと基板が完全に同期した状
態から０ｍｍ〜７０ｍｍまでの同期ずれを故意に発生さ
せて行った。図３の横軸単位はマスク移動距離と相対す
る基板の移動距離の差を表す。長さ計測では、図２の長
さＬ２に相当する寸法を計測した。図３では、基板上の
レジストパターンのうち、長手方向が走査方向（Ｘ方
向）に向いたマスクパターンＰ１が転写されたレジスト
パターン長Ｘを○で示し、長手方向が走査方向と直交す
る方向（Ｙ方向）に向いたマスクパターンＰ２が転写さ
れたレジストパターン長Ｙを□で示している。

【００１５】図３から分かるように、マスクステージの
移動と基板ステージの移動の同期ずれ量が大きくなるに
従って、長手方向が走査方向に略直交する方向に向いた
マスクパターンＰ２が転写されたレジストパターン長Ｙ
の寸法が小さくなっていく。計測結果にうねりが生じて
いるが、これは個々の基板の現像プロセスの違いによる
ものであり、同期のずれによるものではない。このよう
に、同期ずれが生じた場合にレジストパターン長の寸法
が小さくなる理由を図４により説明する。図４は、露光
時の光強度分布に周期的な変化をもたらすライン・アン
ド・スペースのマスクパターンを例示したものである
が、図２のくさび状のマスクパターンＰ１，Ｐ２の場合
も同様に理由付けられる。

【００１６】図４（ａ）は、線幅が０．２０μｍ、ライ
ン幅対スペース幅が１対１のマスクパターン、図４
（ｂ）は、線幅が０．１８５μｍの細いマスクパター
ン、図４（ｃ）は線幅が０．２１５μｍの太いマスクパ
ターンによる露光状態を示している。いずれのマスクパ
ターンも、ピッチは０．４０μｍの一定である。光強度
分布（露光コントラスト）の点線で示す露光量レベルＬ
ａは、図４（ａ）のパターンが１：１のライン・アンド
・スペースパターンとして基板上に転写される露光量レ
ベルである。実線ａは、静止露光又は同期精度が高い場
合の基板上での光強度分布を示し、点線ｂは、同期精度
が下がった場合の基板上での光強度分布を示し、一点鎖
線ｃは、点線ｂの光強度分布を合成したものを示してい
る。

【００１７】図４（ａ）に示すマスクパターンの場合、
露光量レベルＬａに着目すると、実線ａで示す光強度分
布と一点鎖線ｃで示す基板上の合成された光強度分布と
の幅がほぼ一致しているため、基板上にはマスクパター
ンの線幅とほぼ一致する線幅のレジストパターンが形成
される。図４（ｂ）に示す線幅が０．１８５μｍの細い
パターンの場合、実線ａで示す光強度分布のピーク値は
図４（ａ）に示す光強度分布のピーク値に比べて高い。
これは、各マスクパターン間のスペースが広いためであ
り、基板上への露光量は図４（ａ）のパターンの場合に
比べて大きい。

【００１８】露光量レベルＬａでみると、一点鎖線ｃで
示す合成された光強度分布の幅は、実線で示す光強度分
布の幅より広くなっている。つまり、コントラストが低
下した状態となり、基板上のポジレジストの露光領域が
広がった状態で露光されるために、細いマスクパターン
の場合、基板上のレジストパターンはより細い寸法のパ
ターンになる。

【００１９】これに対し、図４（ｃ）に示す線幅が０．
２１５μｍの太いパターンの場合、実線ａで示す光強度
分布のピーク値は図４（ａ）に示す光強度分布のピーク
値に比べて低い。これは、各マスクパターン間のスペー
スが狭いためであり、基板上への露光量は図４（ａ）の
パターンの場合に比べて低下する。露光量レベルＬａに
着目すると、一点鎖線ｃで示す基板上の合成された光強
度分布のピーク値はほぼ露光量レベルＬａ上にある。し
たがって、この場合には、基板上のポジレジストの露光
領域が狭められた状態で露光され、基板上のレジストパ
ターンはより太い寸法のパターンとして転写される。

【００２０】以上のような理由から、図２に示したくさ
び状のマスクパターンＰ１，Ｐ２の線幅を細くしたパタ
ーンを走査露光した場合、マスクステージの移動と基板
ステージの移動の同期ずれ量が大きくなるに従って、マ
スクパターンＰ２が転写されるレジストパターン長Ｙの
寸法が小さくなる。この現象はまた、図５に示すよう
に、走査露光を２重露光で置き換えて考えることによっ
ても説明することができる。

【００２１】図５に実線で示す露光パターンＰＬ１，Ｐ
Ｌ２は、図２のマスクパターンＰ１，Ｐ２によるもので
ある。点線で示す露光パターンＰＬ１，ＰＬ２は、基板
をわずかな距離ｇだけずらして露光したものである。こ
の２重露光は、走査露光において、マスクステージの移
動と基板ステージの移動に同期ずれが生じて露光範囲ｇ
がずれた状態を大雑把に模擬しているものと考えること
ができる。実線の露光パターンから点線の露光パターン
ＰＬ１，ＰＬ２に至るまでの時間が露光時間であり、こ
の露光時間内に得られる光量がレジストを感光させるた
めに必要なエネルギーである。このエネルギーが与えら
れた部分、すなわち実線部と点線部の重なり合った部分
がレジストパターンＰＬｘ，ＰＬｙとして基板上に残
る。

【００２２】図から明らかなように、走査露光時にマス
クと基板の移動に同期ずれが発生すると、レジストパタ
ーンＰＬｘ，ＰＬｙの大きさに差が生じる。すなわち、
長手方向が走査方向と直交する方向（Ｙ方向）に向いた
マスクパターンＰ２が転写されたレジストパターンＰＬ
ｙの長さＹは、長手方向が走査方向（Ｘ方向）に向いた
マスクパターンＰ１が転写されたレジストパターンＰＬ
ｘの長さＸより短くなり、図３の現象が説明される。よ
って、このように基板上に残されたレジストパターンＰ
Ｌｘ，ＰＬｙの長さＸ，Ｙを計測することで、マスクス
テージと基板ステージの同期のずれ量が分かる。

【００２３】図６は、レジストパターンＰＬｘ，ＰＬｙ
の長さＸ，Ｙの差を求め、同期ずれ量に対してプロット
したものである。図６の曲線には、図３にみられたよう
なうねりがない。これは、２つのレジストパターンＰＬ
ｘ，ＰＬｙの長さの差を取ったことで、レジスト現像時
のプロセスの影響が相殺されたためと考えられる。この
ように、長手方向が走査方向（Ｘ方向）に向いたマスク
パターンＰ１が転写されたレジストパターンＰＬｘの長
さＸから、長手方向が走査方向と直交する方向（Ｙ方
向）に向いたマスクパターンＰ２が転写されたレジスト
パターンＰＬｙの長さＹを減算することで、現像プロセ
スに影響されることなく、走査露光時のマスクステージ
と基板ステージの同期ずれを計測することができる。

【００２４】さらに、図２に示したくさび状のマスクパ
ターンＰ１，Ｐ２を、マスクの全域にペアで形成して走
査露光することで、走査の開始位置から終了位置間の任
意の位置におけるマスクステージと基板ステージの同期
精度を検出することができる。すなわち、図７に示すよ
うに、くさび状のマスクパターンＰ１，Ｐ２をペアで形
成したパターンユニットＰｕをマスクｍの全域に形成す
る。そして、このマスクｍ全域を走査露光して基板上に
レジストパターンを形成させ、各パターンユニットにお
けるレジストパターンの長さＸ，Ｙ（図５参照）を計測
する。そして、各パターンユニット毎にその差（Ｘ−
Ｙ）を計算することにより、走査開始位置から終了位置
間での各走査位置におけるマスクステージと基板ステー
ジとの同期精度を計測することができる。

【００２５】以上の実施の形態では、マスク上に形成さ
れるマスクパターンをくさび状とした場合について説明
したが、この例に限らず、基板上に形成されるレジスト
パターンＰＬｘ，ＰＬｙが結果的にくさび状となるよう
な他の形状のマスクパターンを用いても、前記同様にマ
スクステージと基板ステージとの同期精度を計測するこ
とができる。

【００２６】図８は、本発明の同期精度測定方法に使用
されるマスクの他の例を示す図である。図８（ａ）は、
同期精度計測方法に用いる第１マスクｍ１を示し、図８
（ｂ）は同じく第２マスクｍ２を示す。第１マスクｍ１
には線状のパターンＰ３，Ｐ４が形成されており、第２
マスクｍ２には、パターンＰ３，Ｐ４と２重露光したと
きくさび状のレジストパターンを形成するような線状の
パターンＰ５，Ｐ６が形成されている。パターンＰ３，
Ｐ５は、走査方向に対してほぼ平行な方向に伸長した線
状パターンであり、線状パターンＰ４，Ｐ６は走査方向
に対してほぼ垂直な方向に伸長したパターンである。

【００２７】線状パターンＰ３，Ｐ４が形成された第１
マスクｍ１を用いて走査露光により基板上にパターン露
光し、次いで線状パターンＰ５，Ｐ６が形成された第２
マスクｍ２を用いて走査露光により同一基板上にパター
ンを２重露光することで、図９に示すように、長手方向
が走査方向（Ｘ方向）に向いたくさび状のレジストパタ
ーンＰＬｘと、長手方向が走査方向と直交する方向（Ｙ
方向）に向いたくさび状のレジストパターンＰＬｙを形
成することができる。そして、これらレジストパターン
ＰＬｘの長さＸとレジストパターンＰＬｙの長さＹを計
測し、その差を求めることで、図６のようにしてマスク
と基板の同期ずれ量を求めることができる。

【００２８】以上の各実施の形態では、くさび状のマス
クパターンＰ１，Ｐ２を走査露光し、基板上に形成され
たレジストパターンの長さを比較する場合について説明
したが、走査露光によって転写されたくさび状のレジス
トパターンの長さを、マスクと基板とが静止していると
き転写したくさび状のレジストパターンの長さと比較す
ることでも走査露光時のマスクと基板の同期精度を計測
することができる。また、以上の各実施の形態では、基
板上に塗布されるレジストをポジレジストとしたが、基
板上にネガレジストを塗布した場合であっても、上記同
様に、同期のずれ量を計測できることは言うまでもな
い。また、本発明は、超高圧水銀灯やレーザ光源等から
の光によって露光する場合に限らず、Ｘ線や電子ビーム
によって露光する場合に対しても同様に適用することが
できる。

【００２９】露光装置の用途としては半導体製造用の露
光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプ
レートに液晶表示素子パターンを露光する液晶用の露光
装置や、薄膜磁気ヘッドを製造するための露光装置にも
広く適用できる。本実施の形態の露光装置の光源は、ｇ
線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシ
マレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦ₂エキシマレーザ（１
９３ｎｍ）、Ｆ₂レーザ（１５７ｎｍ）のみならず、Ｘ
線や電子線などの荷電粒子線を用いることができる。例
えば、電子線を用いる場合には電子銃として、熱電子放
出型のランタンヘキサボライト（LaB₆）、タンタル（T
a）を用いることができる。

【００３０】投影光学系の倍率は縮小系のみならず等倍
及び拡大系のいずれでもよい。基板ステージやマスクテ
ージにリニアモータを用いる場合は、エアベアリングを
用いたエア浮上型及びローレンツ力又はリアクタンス力
を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、ス
テージは、ガイドに沿って移動するタイプでもよいし、
ガイドを設けないガイドレスでもよい。基板ステージの
移動により発生する反力は、フレーム部材を用いて機械
的に床（大地）に逃がしてもよい。マスクステージの移
動により発生する反力は、フレーム部材を用いて機械的
に床（大地）に逃がしてもよい。

【００３１】

【発明の効果】本発明によると、基板上の転写像に基づ
き、走査型露光装置のマスクと基板の同期精度を容易に
計測することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】走査型露光装置の一例を示す概略図。

【図２】本発明の同期精度計測方法に用いられるマスク
上のパターンの一例を示す図。

【図３】走査露光時の同期ずれによるレジストパターン
長の変化を示す図。

【図４】走査露光時の同期ずれによるレジストパターン
の変化を説明するための図。

【図５】同期ずれによるレジストパターン長の変化を説
明するための図。

【図６】レジストパターンの長さの差と同期ずれの関係
を示す図。

【図７】同期ずれ計測用マスクの一例を示す図。

【図８】同期ずれ計測用マスクパターンの他の例を示す
図。

【図９】同期ずれ計測用マスクによるレジストパターン
を示す図。

【符号の説明】

１…光源、２…ミラー、３…視野絞り、４…リレーレン
ズ、５…ミラー、６…コンデンサーレンズ、７…マス
ク、８…マスクステージ、９…マスク側ベース、１０…
移動鏡、１１…Ｘ軸用のレーザ干渉計、１２…主制御
系、１３…投影光学系、１４…基板、１５…基板ステー
ジ、１６…基板側ベース、１７…移動鏡、１８…Ｘ軸用
のレーザ干渉計、ＩＬ…露光光、Ｌａ…露光量レベル、
ｍ１…第１マスク、ｍ２…第２マスク、Ｐ１〜Ｐ６…マ
スクパターン、ＰＬ１，ＰＬ２…露光パターン、ＰＬ
ｘ，ＰＬｙ…レジストパターン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マスクと同期して走査される基板にマス
クのパターンを転写する露光装置のマスクと基板の同期
精度を計測する同期精度計測方法において、マスクに形成されたくさび状のパターンをマスクと同期
して走査される基板上に露光し、基板に転写されたくさ
び状のパターンの長さを計測することを特徴とする同期
精度計測方法。
【請求項２】マスクと同期して走査される基板にマス
クのパターンを転写する露光装置のマスクと基板の同期
精度を計測する同期精度計測方法において、マスクに形成された第１のパターンと第２のパターンと
をマスクと同期して走査される基板上に２重露光して基
板上にくさび状のパターンを形成し、前記基板に形成さ
れたくさび状のパターンの長さを計測することを特徴と
する同期精度計測方法。
【請求項３】前記くさび状のパターンは、長手方向が
略走査方向に向いた第１のくさび状のパターンと、長手
方向が走査方向と略直交する方向に向いた第２のくさび
状のパターンとからなることを特徴とする請求項１又は
２記載の同期精度計測方法。
【請求項４】前記基板に形成された前記第１のくさび
状のパターンの長さと、第２のくさび状のパターンの長
さを比較することを特徴とする請求項３記載の同期精度
計測方法。
【請求項５】前記基板に形成されたくさび状のパター
ンの長さを、マスクと基板とが静止しているとき形成し
たくさび状のパターンの長さと比較することを特徴とす
る請求項１又は２記載の同期精度計測方法。