JPH11350188A - Material for electric and electronic parts, its production, and electric and electronic parts lising the same - Google Patents

Material for electric and electronic parts, its production, and electric and electronic parts lising the same

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JPH11350188A
JPH11350188A JP10155058A JP15505898A JPH11350188A JP H11350188 A JPH11350188 A JP H11350188A JP 10155058 A JP10155058 A JP 10155058A JP 15505898 A JP15505898 A JP 15505898A JP H11350188 A JPH11350188 A JP H11350188A
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layer
alloy
plating bath
electric
plating
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俊夫 谷
Morimasa Tanimoto
守正 谷本
Hitoshi Tanaka
仁志 田中
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Furukawa Electric Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a material suitable for electric and electronic parts, especially, lead material or contact material, which is excellent in resistance to heat and surface oxidation-discoloration and which exhibits little deterioration in the jointing strength at the jointing part when it is jointed with a solder, and to provide the method for producing the electric and electronic parts using the material. SOLUTION: This material is constituted of a substrate 1 wherein at least surface layer consists of Cu or Cu alloy, an intermediate layer 2 which is formed on the substrate and has at least one layer selected from Cu-layer, Ni-layer Ni alloy-layer or Ag-layer, and a surface layer 3 which is formed on the intermediate layer 2 and consists of a Sn- or Sn alloy-layer having Cu-content of 0.1-3 wt.% and a thickness of 0.5-20 μm.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は電気・電子部品用材
料とその製造方法、およびその材料を用いた電気・電子
部品に関し、更に詳しくは、各種半導体装置用のリード
材料や、端子,コネクタ,スイッチなどのコンタクト材
料として用いて好適な材料とそれを製造する方法、およ
びその材料を用いた電気・電子部品に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a material for an electric / electronic component and a method for producing the same, and an electric / electronic component using the material, and more particularly to a lead material for various semiconductor devices, a terminal, a connector, The present invention relates to a material suitable for use as a contact material for a switch, a method for manufacturing the same, and an electric / electronic component using the material.

【0002】[0002]

【従来の技術】各種の電気・電子機器に組み込まれる部
品の材料としては、従来から、CuまたはCu合金が広
く用いられている。すなわち、その用途は個別半導体や
ICパッケージのリード線やリードピン、またはリード
フレームなどのリード材料を代表例とし、更にはソケッ
ト類やコネクタ,スイッチの端子や接点ばねなどのコン
タクト材料にも及んでいる。これらの用途は、Cuまた
はCu合金が、導電性,熱伝導性が優れているととも
に、機械的な強度や加工性の点でも優れ、また経済的に
も有利であるという性質を利用したものである。
2. Description of the Related Art Conventionally, Cu or Cu alloy has been widely used as a material of components incorporated in various electric and electronic devices. That is, the application is typically lead materials such as lead wires and lead pins of individual semiconductors and IC packages, or lead frames, and also extends to contact materials such as sockets, connectors, switch terminals, and contact springs. . These applications are based on the fact that Cu or Cu alloy has excellent electrical and thermal conductivity, mechanical strength and workability, and is economically advantageous. is there.

【0003】とりわけ、ICパッケージのリード材料に
関しては、各種合金設計のCu合金が開発されている。
そして、それらは、端子や接点ばねなどのコンタクト材
料の分野でも応用されるようになっている。
In particular, Cu alloys of various alloy designs have been developed for lead materials of IC packages.
They are also being applied in the field of contact materials such as terminals and contact springs.

【0004】上記したリード材料としては、従来から、
コバール合金や42アロイに代表されるFe−Ni系合
金,Fe−C系合金などのFe系材料も使用されてい
る。このFe系材料は、前記したCu合金に比べると、
熱伝導性や導電性は劣るものの、機械的な強度が高く、
また熱膨張率がSiチップやパッケージの封止樹脂のそ
れに近似しているので、その表面に厚み数十μm程度の
Cuめっきを施して導電性とはんだ濡れ性を高めた状態
にしてダイオードやコンデンサなどのリード線として用
いられている。
[0004] As the lead material described above, conventionally,
Fe-based materials such as Kovar alloys, Fe-Ni-based alloys represented by 42 alloys, and Fe-C-based alloys are also used. This Fe-based material, compared to the above-mentioned Cu alloy,
Thermal conductivity and conductivity are inferior, but mechanical strength is high,
In addition, since the coefficient of thermal expansion is similar to that of the sealing resin for Si chips and packages, the surface of the diode or capacitor is plated with Cu several tens of μm thick to improve conductivity and solder wettability. It is used as a lead wire.

【0005】また、従来、Cu系材料はその機械的な強
度の点で問題を有していたが、最近では強度特性も向上
したCu合金が開発されている。例えば、NiとSiを
少量含有せしめて、それらをNi2Siなどの形態で析
出させた析出強化型のCu合金が知られている。そし
て、このCu合金は、スタンピング性や応力緩和特性が
優れているので、リード材料,端子やコネクタのコンタ
クト材料として使用されはじめている。
Conventionally, Cu-based materials have had a problem in mechanical strength, but recently Cu alloys having improved strength characteristics have been developed. For example, a precipitation-strengthened Cu alloy in which a small amount of Ni and Si are contained and then precipitated in a form such as Ni 2 Si is known. Since this Cu alloy has excellent stamping properties and stress relaxation properties, it has begun to be used as a lead material, a contact material for terminals and connectors.

【0006】そして、上記した部品材料の場合、その表
面には、めっきに代表される表面処理を施すことにより
材料機能の信頼性を高めて実使用するということが行わ
れている。
[0006] In the case of the above-mentioned component materials, the surface thereof is subjected to a surface treatment represented by plating to enhance the reliability of the material functions and is actually used.

【0007】例えば、はんだ付けによってプリント基板
に部品を実装するときに用いるリード材料の場合、その
表面にSnめっきまたはSn合金めっきを施してはんだ
付け性を高めるという処置が採られている。具体的に
は、ICパッケージを組み立てたのちリードフレームの
アウターリード部に例えばSn−Pb合金を用いて外装
はんだめっきを施したり、個別半導体やコンデンサのリ
ード線にも予めSnめっきやSn−Pb合金めっきを施
し、更に加熱してリフロー処理を行うこともある。
For example, in the case of a lead material used for mounting components on a printed circuit board by soldering, a measure is taken to improve the solderability by applying Sn plating or Sn alloy plating on the surface. Specifically, after assembling the IC package, the outer lead portion of the lead frame is subjected to exterior solder plating using, for example, an Sn-Pb alloy, or the lead wires of individual semiconductors and capacitors are previously subjected to Sn plating or Sn-Pb alloy. In some cases, plating is performed, and reheating is performed by heating.

【0008】更には、基体がCuまたはCu合金から成
る材料の場合、その表面にSnまたはSn合金のめっき
を施すと、得られた材料は前記した特性の外に耐食性,
耐摩耗性も優れ、しかも経済的に有利であるということ
から、リード材料の外に各種端子やコネクタなどの材料
としても多用されている。そして、表面光沢が必要とさ
れる用途分野では、SnまたはSn合金の光沢めっきを
施したものや、更にはリフロー処理を施したものが使用
され、とくにリフロー処理を施したものは、耐ウイスカ
ー性や耐熱性も優れているので、厳しい温度環境で使用
される部品の材料として賞用されはじめている。
Further, when the substrate is made of Cu or Cu alloy, if the surface is plated with Sn or Sn alloy, the obtained material has corrosion resistance,
Since they have excellent wear resistance and are economically advantageous, they are widely used as materials for various terminals and connectors in addition to lead materials. In applications where surface gloss is required, those plated with bright plating of Sn or Sn alloy or those subjected to reflow treatment are used. In particular, those subjected to reflow treatment have whisker resistance. Because of its excellent heat resistance and heat resistance, it has begun to be used as a material for components used in harsh temperature environments.

【0009】例えば、電装品が広く搭載されるようにな
ってきている自動車関連分野の場合、組み込まれる端子
やコネクタなどのコンタクト材料は、エンジンルーム内
をはじめとして、温度100〜170℃程度の高温環境
に曝されることになる。従来、このような分野では、黄
銅やリン青銅の基体の表面にSnめっきやはんだなどの
Sn合金めっきを施した材料が主として使用されてきて
いるが、厳しい使用環境に対しては必ずしも満足すべき
性能ではないということで、強度特性の向上と応力緩和
特性の改善を目的として前記したNiとSiを含有する
Cu合金にSnめっきを施したのちリフロー処理を行っ
た材料が使用されはじめている。
For example, in the field of automobiles in which electric components have been widely mounted, contact materials such as terminals and connectors to be incorporated are in a high temperature range of about 100 to 170 ° C., including in an engine room. You will be exposed to the environment. Conventionally, in such a field, a material obtained by subjecting the surface of a substrate made of brass or phosphor bronze to Sn alloy plating such as Sn plating or solder has been mainly used, but must always be satisfied in a severe use environment. Because it is not the performance, the material which has been subjected to reflow treatment after Sn plating is applied to the above-described Cu alloy containing Ni and Si for the purpose of improving the strength characteristics and the stress relaxation characteristics has begun to be used.

【0010】ところで、CuまたはCu合金の表面にS
nめっきを施した材料の場合には次のような問題があ
る。
On the surface of Cu or Cu alloy, S
In the case of an n-plated material, there are the following problems.

【0011】まず、形成されたSnめっき層にはSnの
ウイスカーが発生しやすく、部品実装したときに短絡事
故を引き起こすことの可能性があるということである。
また、Snの融点は232℃であるため、例えばその材
料部品をプリント基板にはんだ付けして実装する場合、
基板材料(樹脂)はそれ以上の耐熱性を備えることが必
要になると同時に、そのときにSnそれ自体が酸化され
てはんだ付け性の劣化が起こりやすくなるということで
ある。
First, Sn whiskers are liable to occur in the formed Sn plating layer, which may cause a short circuit accident when components are mounted.
Further, since the melting point of Sn is 232 ° C., for example, when soldering and mounting the material component on a printed circuit board,
The substrate material (resin) needs to have higher heat resistance, and at the same time, Sn itself is oxidized at that time, so that the solderability tends to deteriorate.

【0012】また、コンタクト材料の場合には、例えば
リードフレームのアウターリード部の外装はんだ皮膜の
場合とは異なって、通常、表面層であるSnまたはSn
合金層の厚みが1〜1.5μmと薄いために、前記した
ような高温環境下では基体表面のCu成分が前記表面層
まで早期の段階で熱拡散し、その結果、表面層の表層部
の変色や酸化が起こり、相手材との接触抵抗が高くなる
という問題が起こってくる。
In the case of a contact material, unlike the case of, for example, an outer solder film of an outer lead portion of a lead frame, Sn or Sn which is a surface layer is usually used.
Since the thickness of the alloy layer is as thin as 1 to 1.5 μm, the Cu component on the substrate surface is thermally diffused to the surface layer at an early stage in the high temperature environment as described above, and as a result, the surface layer of the surface layer is Discoloration and oxidation occur, resulting in a problem that the contact resistance with the partner material increases.

【0013】更に、コンデンサ用リード線の場合は、溶
接対象の例えばアルミ線との溶接部の肉盛りを行うた
め、めっき層の厚みを厚肉化しているが、そのようなリ
ード線に前記リフロー処理を行うと、処理後に凝固して
形成されたSnめっき層の偏肉が大きくなるという問題
がある。
Further, in the case of a lead wire for a capacitor, the thickness of the plating layer is increased in order to build up a welded portion with, for example, an aluminum wire to be welded. When the treatment is performed, there is a problem that the uneven thickness of the Sn plating layer formed by solidification after the treatment is increased.

【0014】上記したウイスカーの発生という問題はリ
フロー処理を施すことによって略防止することができ、
まためっき層の材料としてSn合金を用いればかなり抑
制することが可能である。このようなSn合金の代表例
ははんだ(Sn−Pb合金)であり、従来から広く用い
られている。
The above problem of whiskers can be substantially prevented by performing a reflow process.
If an Sn alloy is used as the material of the plating layer, it can be suppressed considerably. A typical example of such a Sn alloy is solder (Sn-Pb alloy), which has been widely used in the past.

【0015】しかしながら、はんだに含まれているPb
は人体に悪影響を与える虞があるとのことから、今後
は、その優れた性質を備えているにもかかわらず使用が
敬遠されようとしている。そして、Pbを含有しないS
n合金、具体的には、Sn−Ag系,Sn−Bi系,S
n−In系,Sn−Zn系のものへの移行が検討されて
いる。
However, the Pb contained in the solder
In the future, it is expected that its use will be shunned in spite of its excellent properties because it may adversely affect the human body. And, S which does not contain Pb
n alloy, specifically, Sn-Ag based, Sn-Bi based, S
The transition to the n-In type and Sn-Zn type is under study.

【0016】しかしながら、これらのSn合金でめっき
層を形成した材料には次のような問題がある。
However, the materials in which the plating layers are formed of these Sn alloys have the following problems.

【0017】まず、これら合金の融点がSn−Pb共晶
はんだに比べて比較的低温であったり、高温であったり
する点であり、あるいは、例えばICパッケージの組み
立て時における加熱工程の熱で、基体表面の構成材料で
あるCuなどがこのSn合金めっき層の表層部に熱拡散
してきて、当該Sn合金めっき層のはんだ付け性が劣化
するという問題である。
First, the melting point of these alloys is relatively low or high as compared with the Sn-Pb eutectic solder, or, for example, the heat of a heating step at the time of assembling an IC package is as follows. There is a problem that Cu or the like, which is a constituent material of the substrate surface, is thermally diffused into the surface portion of the Sn alloy plating layer, and the solderability of the Sn alloy plating layer is deteriorated.

【0018】更には、例えば前記したコンデンサリード
の場合、アルミ線と溶接する際に、溶接部の温度は瞬間
的には2000℃近辺の温度になるため、当該溶接部の
近傍では、Sn合金めっき層内のZn,Bi,Inなど
の元素が瞬時にして気化し、その結果、溶接部にはブロ
ーホールが発生し、その溶接強度が低下するという問題
も発生する。しかも、溶接部では、基体表面からCuな
どが熱拡散してリード材の表面にCu−Sn系化合物層
などが形成されることにより、表面の変色とはんだ付け
性の劣化も起こり得る。
Furthermore, for example, in the case of the above-described capacitor lead, when welding with an aluminum wire, the temperature of the welded portion is instantaneously at around 2000 ° C., so the Sn alloy plating is performed near the welded portion. Elements such as Zn, Bi, and In in the layer are instantaneously vaporized, and as a result, a blowhole is generated in the welded portion, which causes a problem that the welding strength is reduced. In addition, in the welded portion, Cu and the like are thermally diffused from the surface of the base to form a Cu-Sn-based compound layer on the surface of the lead material, so that discoloration of the surface and deterioration of solderability may occur.

【0019】なお、Pbを含まないSn合金として例示
した前記した合金のうち、Sn−Ag系,Sn−In系
のものは上記の問題に加えて高価であるという問題があ
る。
Among the above-mentioned alloys exemplified as Sn alloys containing no Pb, Sn-Ag and Sn-In alloys have the problem that they are expensive in addition to the above-mentioned problems.

【0020】そして、Sn−Bi系のものは、耐熱性に
劣り、基体表面へのBiの熱拡散を起こしやすく、また
曲げ加工性にも劣るのでめっき層にクラックが発生しや
すく、更には、はんだ付け後に形成された接合部ではそ
の接合強度が経時的に低下するという問題がある。また
Sn−Zn系のものは、表面酸化を起こしやすく、大気
中におけるはんだ濡れ性が悪いということに加えて、Z
nは熱拡散を起こしやすいので、Sn−Bi系のものと
同じように、やはりはんだ付け後の接合部の接合強度は
経時的に低下する。このように、PbフリーのSn合金
にも多くの課題がある。
The Sn-Bi alloy is inferior in heat resistance, easily causes thermal diffusion of Bi to the substrate surface, and is inferior in bending workability, so that cracks are easily generated in the plating layer. There is a problem that the joining strength of the joint formed after soldering decreases with time. In addition, the Sn—Zn-based alloy is liable to cause surface oxidation and has poor solder wettability in the air.
Since n tends to cause thermal diffusion, the bonding strength of the bonding portion after soldering also decreases with time, as in the case of the Sn-Bi-based one. Thus, the Pb-free Sn alloy also has many problems.

【0021】[0021]

【発明が解決しようとする課題】ところで最近、電気・
電子機器の小型化,軽量化,多機能化の進展に伴い、そ
れらに組み込まれるプリント基板への半導体素子の実装
密度も高まっている。この高密度実装化は不可避的に実
装基板からの放熱量を増大させ、また電気・電子機器の
放熱量を増加させることになる。
However, recently, electricity and
2. Description of the Related Art As electronic devices have become smaller, lighter, and more multifunctional, the mounting density of semiconductor elements on printed circuit boards incorporated therein has increased. This high-density mounting inevitably increases the amount of heat radiation from the mounting substrate, and also increases the amount of heat radiation of electric / electronic devices.

【0022】そのため、前記したリード材料やコンタク
ト材料などに対しては、従来にもましてその耐熱性を高
めることが必要とされるようになっている。しかしなが
ら、最近では、前記したように、CuまたはCu合金の
基体にSnまたはSn合金のめっきを施した材料は、上
記した要求に充分対処し得ていないという指摘がなされ
ている。
For this reason, it is necessary to increase the heat resistance of the above-mentioned lead material, contact material and the like more than ever. However, recently, it has been pointed out that, as described above, a material obtained by plating a substrate of Cu or a Cu alloy with Sn or a Sn alloy cannot sufficiently satisfy the above-mentioned requirements.

【0023】すなわち、リード材料の場合、部品実装後
における部品リードとはんだとの接合部の高温エージン
グ、または部品リードと実装基板の電極との間でヒート
サイクル状態において接合信頼性が低下するという問題
である。換言すれば、最近の高密度実装基板が組み込ま
れている電子機器では、放熱量と前記機器の温度上昇が
大きいので、前記したSnまたはSn合金めっきを施し
たリード材料では、充分な接合信頼性が得られないとい
うケースが多発している。
That is, in the case of a lead material, there is a problem that high-temperature aging of a joint portion between a component lead and a solder after component mounting or a reduction in joint reliability between a component lead and an electrode of a mounting board in a heat cycle state. It is. In other words, in recent electronic devices incorporating a high-density mounting board, the amount of heat radiation and the temperature rise of the device are large, so that the lead material plated with Sn or Sn alloy has sufficient bonding reliability. There are many cases where it is not possible to obtain.

【0024】また、コンタクト材料の場合、高温環境下
で使用したときに、基体表面のCu成分と表面層のSn
成分との相互熱拡散による合金化やCu成分が表面層の
表層部に拡散して酸化することに基づく接触抵抗の上昇
が起こり、もって相手材との接続信頼性が低下するとい
う問題が指摘されている。
In the case of a contact material, when used in a high-temperature environment, the Cu component on the substrate surface and the Sn
It has been pointed out that alloying due to mutual thermal diffusion with the components and an increase in contact resistance due to oxidation and diffusion of the Cu component to the surface layer of the surface layer occur, thereby reducing the connection reliability with the partner material. ing.

【0025】本発明は、CuまたはCu合金を基体と
し、その表面にSnまたはSn合金めっきが施されてい
る従来の材料における上記した問題を解決し、Pbの悪
影響が排除されていることは勿論のこと、表面層はSn
より低融点であり、はんだ付け性に優れ、またウイスカ
ーの発生もなく、はんだ付け後に形成された接合部の接
合強度が高いと同時に、その接合強度の高温下における
経時的な低下も起こりづらいのでリード材料として好適
であり、また高温環境下で使用したときでも接触抵抗の
上昇が抑制され、相手材との間で接続信頼性の低下を招
くこともないのでコンタクト材料としても好適な電気・
電子部品用材料とその製造方法、およびその材料を用い
た電気・電子部品の提供を目的とする。
The present invention solves the above-mentioned problems in the conventional material having Cu or a Cu alloy as a substrate and the surface of which is plated with Sn or an Sn alloy, and of course eliminates the adverse effect of Pb. That the surface layer is Sn
It has a lower melting point, excellent solderability, no whiskers, and high joint strength of the joint formed after soldering, and at the same time, it is difficult for the joint strength to decrease over time at high temperatures. It is suitable as a lead material, and also suppresses an increase in contact resistance even when used in a high-temperature environment, and does not cause a decrease in connection reliability with a mating material.
An object of the present invention is to provide a material for an electronic component, a method for manufacturing the same, and an electric / electronic component using the material.

【0026】[0026]

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明においては、少なくとも表面がCuまた
はCu合金から成る基体の前記表面に、Cu層,Niも
しくはNi合金層またはAg層を少なくとも1層有する
中間層を介して、Cu含有量が0.1〜3重量%である
厚み0.5〜20μmのSn層またはSn合金層から成
る表面層が形成されていることを特徴とする電気・電子
部品用材料、とくに、前記基体の表面に、厚み0.1〜
1μmのNiもしくはNi合金層と厚み0.003〜0.
5μm相当のAg層とがこの順序で積層され、前記Ag
層の上には前記表面層が形成されており、また、前記表
面層のSn合金が、Sn−Ag系合金またはSn−Bi
系合金であり、更には、前記表面層が加熱処理またはリ
フロー処理された層である電気・電子部品用材料が提供
される。
In order to achieve the above object, according to the present invention, a Cu layer, Ni or Ni alloy layer or an Ag layer is formed on at least the surface of a substrate made of Cu or Cu alloy. A surface layer comprising a Sn layer or a Sn alloy layer having a Cu content of 0.1 to 3% by weight and a thickness of 0.5 to 20 μm is formed via an intermediate layer having at least one layer. Materials for electric and electronic parts, particularly, a thickness of 0.1 to 0.1
1 μm Ni or Ni alloy layer and thickness 0.003 to 0.00
An Ag layer equivalent to 5 μm is laminated in this order,
The surface layer is formed on the layer, and the Sn alloy of the surface layer is made of a Sn—Ag alloy or Sn—Bi alloy.
A material for electric / electronic parts, wherein the material is a base alloy, and the surface layer is a layer subjected to a heat treatment or a reflow treatment.

【0027】また、本発明においては、上記した材料を
用いた電気・電子部品が提供される。
Further, the present invention provides an electric / electronic component using the above-mentioned material.

【0028】更に、本発明においては、Cuめっき浴,
Niめっき浴,Ni合金めっき浴,Agめっき浴、およ
びBiめっき浴の群から選ばれる少なくとも1種を用い
て、少なくとも表面がCuまたはCu合金から成る基体
に電気めっきを行ったのち、更に、いずれもCuイオン
を0.2〜50ppm含有するSnめっき浴またはSn合金
めっき浴を用いて電気めっきを行うことを特徴とする電
気・電子部品用材料の製造方法が提供され、とくに、前
記2回目の電気めっきを行ったのちに、得られた材料
に、加熱処理またはリフロー処理を施す電気・電子部品
用材料の製造方法が提供される。
Further, in the present invention, a Cu plating bath,
Using at least one selected from the group consisting of a Ni plating bath, a Ni alloy plating bath, an Ag plating bath, and a Bi plating bath, electroplating is performed on a substrate having at least a surface made of Cu or a Cu alloy. The present invention also provides a method for producing a material for electric / electronic parts, characterized in that electroplating is carried out using a Sn plating bath or a Sn alloy plating bath containing 0.2 to 50 ppm of Cu ions. After the electroplating, a method for producing a material for electric / electronic parts, in which the obtained material is subjected to a heat treatment or a reflow treatment, is provided.

【0029】[0029]

【発明の実施の形態】図1は本発明の材料の基本構造例
Aを示す断面図である。この材料Aは、基体1の表面
に、後述する中間層2を介して、後述するSn層または
Sn合金層が表面層3として形成された層構造になって
いる。
FIG. 1 is a sectional view showing an example A of a basic structure of a material of the present invention. This material A has a layer structure in which a Sn layer or a Sn alloy layer described later is formed as a surface layer 3 on a surface of a base 1 via an intermediate layer 2 described later.

【0030】ここで、材料Aにおける基体1としては、
少なくともその表面がCuまたはCu合金で形成されて
いるものであれば何であってもよい。例えば、Cuまた
はCu合金材そのものや、炭素鋼,Fe−Ni系合金、
Fe−Ni−Co系合金,ステンレス鋼などのFe系材
料を芯材とし、その表面をCuまたはCu合金で被覆し
たものなどをあげることができる。後者の基体の場合、
目的とする部品の用途に求められる機械的な強度や導電
性との関係を勘案して芯材とその表面に形成するCuま
たはCu合金、とりわけCu合金の種類が適宜に選定さ
れる。
Here, as the substrate 1 of the material A,
Any material may be used as long as at least its surface is formed of Cu or a Cu alloy. For example, Cu or Cu alloy material itself, carbon steel, Fe-Ni alloy,
Examples thereof include a core material made of an Fe-based material such as an Fe-Ni-Co-based alloy and stainless steel, the surface of which is coated with Cu or a Cu alloy. In the latter case,
The type of the core material and Cu or a Cu alloy formed on the surface thereof, in particular, the type of the Cu alloy are appropriately selected in consideration of the relationship between mechanical strength and conductivity required for the intended use of the part.

【0031】また、基体1の形状も、部品としての用途
目的や後述する表面層形成方法に対応して、線状,板
状、条など適宜に選定される。
The shape of the base 1 is also appropriately selected, such as linear, plate, or strip, in accordance with the purpose of use as a part or the surface layer forming method described later.

【0032】材料Aは、上記した基体1の表面に中間層
2が形成され、更にその上に表面層3が形成された材料
である。
The material A is a material in which the intermediate layer 2 is formed on the surface of the above-described base 1, and the surface layer 3 is further formed thereon.

【0033】ここで表面層3は、Cuの含有量が0.1
〜3重量%であるSn層(含CuSn層という)または
Cuの含有量が同じく0.1〜3重量%であるSn合金
層(含CuSn合金層という)で構成されている。
The surface layer 3 has a Cu content of 0.1.
It is composed of an Sn layer (referred to as a CuSn-containing layer) of about 3% by weight or a Sn alloy layer (referred to as a Cu-containing Sn alloy layer) having a Cu content of 0.1 to 3% by weight.

【0034】含CuSn層,含CuSn合金層のいずれ
においても、Cuが0.1〜3重量%含有されているこ
とが必要であり、そのことによって、例えば製造した部
品材料をプリント基板にはんだを用いて実装したとき
に、Cuを含有しないSn層またはSn合金層で表面層
が形成されている部品材料の場合に比べて、はんだ接合
部における接合強度は高くなり、その接合信頼性の向上
がもたらされる。
In both the CuSn-containing layer and the CuSn-containing alloy layer, it is necessary that Cu is contained in an amount of 0.1 to 3% by weight. When mounted using, compared to the case of a component material having a surface layer formed of a Cu-free Sn layer or a Sn alloy layer, the bonding strength at the solder bonding portion is increased, and the bonding reliability is improved. Brought.

【0035】また、表面層に高導電率のCuが含有され
ていることにより、この材料をコンタクト材料として用
いた場合には、このCuが相手材との接触抵抗を低くす
ることに寄与し、更にははんだ付けを行ったときに、は
んだ食われの減少とはんだ接合部の耐熱性の向上に寄与
して、接合信頼性の向上が実現される。また、この材料
をICパッケージのリード材料として用いた場合には、
はんだ接合部の耐熱性は同様に向上して、高温環境下で
も実使用することが可能になる。
Further, since the surface layer contains Cu having a high conductivity, when this material is used as a contact material, the Cu contributes to lowering the contact resistance with a counterpart material, Furthermore, when soldering is performed, it contributes to the reduction of solder erosion and the improvement of the heat resistance of the solder joint, thereby realizing the improvement of the joint reliability. When this material is used as a lead material for an IC package,
The heat resistance of the solder joint is similarly improved, and the solder joint can be used in a high-temperature environment.

【0036】これは、SnまたはSn合金にCuが含有
されることにより、表面層3のクリープ特性を含む耐熱
特性や耐ウイスカー性が向上し、またその表面層3の主
成分であるSnと基体1の表面成分であるCuや表面層
の他の元素との相互拡散速度が低下して両者の合金化が
抑制されるため、はんだ接合部における接合強度の経時
的な低下は小さくなり、その結果、接合信頼性が向上し
た現象であると考えられる。
This is because, when Cu is contained in Sn or Sn alloy, the heat resistance including the creep characteristic of the surface layer 3 and the whisker resistance are improved. Since the rate of interdiffusion with Cu, which is the surface component of 1, and other elements of the surface layer is reduced, and the alloying of the two is suppressed, the temporal decrease in the bonding strength at the soldered joint is reduced, and as a result, This is considered to be a phenomenon in which the bonding reliability is improved.

【0037】しかしながら、Cu含有量が0.1重量%
より少なくなると、上に列記した効果は発現しなくな
り、また3重量%より多くなると、表面層3の構成材料
の液相線が過度に高くなり、例えば、均一リフロー性の
低下をはじめ、表面層3ではCu酸化の進展に基づくは
んだ濡れ性の低下や耐食性の低下が起こりやすくなるの
でCu含有量は0.1〜3重量%に設定すべきである。
However, the Cu content is 0.1% by weight.
If the amount is smaller, the above-listed effects will not be exhibited. If the amount is more than 3% by weight, the liquidus of the constituent material of the surface layer 3 will be excessively high. In No. 3, the Cu content should be set to 0.1 to 3% by weight since the solder wettability and the corrosion resistance are likely to be lowered due to the progress of Cu oxidation.

【0038】この表面層3が含CuSn合金層で形成さ
れる場合、母相であるSn合金としては、前記したSn
−Ag系,Sn−Bi系,Sn−In系,Sn−Zn系
などを用いることができる。その場合、Sn−Zn系は
低価格ではあるが、Znの拡散速度は大きく、はんだ接
合部における接合強度の経時低下が大きくなるので高い
接合信頼性が得にくいということや、また耐食性も劣る
という点で難があり、Sn−In系は高価であり、用途
は限定されてしまうという問題がある。このようなこと
から、含CuSn合金層の母相であるSn合金として
は、Sn−Ag系,Sn−Bi系であることが好まし
い。
When the surface layer 3 is formed of a CuSn-containing alloy layer, the Sn alloy serving as a parent phase is formed of the above-described Sn alloy.
-Ag-based, Sn-Bi-based, Sn-In-based, Sn-Zn-based and the like can be used. In that case, although the Sn-Zn system is inexpensive, the diffusion rate of Zn is large, and the temporal decrease of the bonding strength at the solder bonding part is large, so that it is difficult to obtain high bonding reliability and the corrosion resistance is also poor. However, there is a problem that the Sn-In type is expensive and its use is limited. For this reason, it is preferable that the Sn alloy, which is the parent phase of the Cu-containing Sn alloy layer, be of an Sn-Ag type or a Sn-Bi type.

【0039】Sn−Ag系の場合、Agが3.5重量%
程度で共晶組織となり、その融点は221℃を示し、こ
の合金で形成した表面層は金属Snで形成した場合の融
点より11℃程度低くなるに止まり、耐熱性に関しては
不都合を生じない。
In the case of Sn-Ag system, Ag is 3.5% by weight.
Eutectic structure, the melting point of which is 221 ° C., and the surface layer formed of this alloy is only about 11 ° C. lower than the melting point when formed of metal Sn, and there is no inconvenience regarding heat resistance.

【0040】また、Sn−Bi系は経済性の点で有利で
ある。このSn−Bi系の場合、Bi含有量が57重量
%の共晶点139℃まではBi含有量の増加に応じて液
相線温度は低下していく。しかしながら、このことは、
同時に耐熱性の低下も意味している。また、この合金で
表面層を形成した場合には、Bi含有量が5重量%程度
で曲げ加工性の悪化や割れなどが入りやすくなり、更に
は、Bi含有量が多くなると、はんだで接合したとき
に、そのはんだ接合部の耐熱性は低下し、接合部におけ
る接合強度の経時低下も起こって接合信頼性が低くな
る。
The Sn-Bi system is advantageous in terms of economy. In the case of the Sn-Bi system, the liquidus temperature decreases as the Bi content increases up to the eutectic point of 139 ° C. where the Bi content is 57% by weight. However, this means that
At the same time, it also means a decrease in heat resistance. Further, when the surface layer is formed of this alloy, the Bi content is about 5% by weight, bending workability is deteriorated and cracks are liable to be formed. Sometimes, the heat resistance of the soldered joints is reduced, and the bonding strength at the joints is reduced with time, resulting in reduced joint reliability.

【0041】このようなことから、表面層3をSn−A
g系で形成する場合には、その合金組成はSn−1〜4
%Ag合金であることが好ましく、またSn−Bi系で
形成する場合には、その合金組成はSn−1〜5%Bi
合金であることが好ましい。
For this reason, the surface layer 3 is made of Sn-A
When formed in a g-system, the alloy composition is Sn-1 to Sn-4.
% Ag alloy is preferable, and when formed of Sn-Bi alloy, the alloy composition is Sn-1 to 5% Bi.
Preferably, it is an alloy.

【0042】この表面層3の厚みは、材料の使用分野と
必要とされる耐熱性、更には製造コストとの関係でも決
められる。例えば、半導体やICパッケージのアウター
リード部の外装はんだ処理において、はんだによるフロ
ーまたはリフロー処理による部品実装状態の確実性を実
現し、またはんだ接合部の接合信頼性を確保するために
は、その厚みは少なくとも5μmになっていることが必
要である。また、コンタクト材料の場合、そのリフロー
処理品においては、表面層の厚みが0.5μmより薄く
なると、リフロー処理時に基体表面のCuと表面層のS
nとの相互拡散による合金化が進んで、はんだ濡れ性の
確保や接触抵抗を低水準に確保することが困難になり、
また厚い場合には、均一リフロー処理の実現や製造コス
トの点から表面層の厚みは1.5〜2.0μm程度、また
光沢めっき品においては製造コストの点から表面層の厚
みは2.0μm程度が好適である。更に、アウターリー
ドの外装はんだのような場合には、表面層の厚みをあま
り厚くしても、性能は飽和に達し、徒に製造コストの上
昇を招くので、その厚みの上限は20μmに設定され
る。このようなことから、本発明の材料における表面層
の厚みは、0.5〜20μmに設定される。
The thickness of the surface layer 3 is determined by the relationship between the field of use of the material, the required heat resistance, and the production cost. For example, in the case of exterior soldering of the outer lead portion of a semiconductor or IC package, in order to realize the reliability of the component mounting state by solder flow or reflow processing, or to secure the bonding reliability of the soldered joint, its thickness is required. Should be at least 5 μm. In the case of a contact material, if the thickness of the surface layer is less than 0.5 μm in the reflow-treated product, Cu on the substrate surface and S
Alloying by mutual diffusion with n progresses, and it becomes difficult to secure solder wettability and contact resistance at a low level.
When the thickness is large, the thickness of the surface layer is about 1.5 to 2.0 μm from the viewpoint of realizing uniform reflow treatment and the production cost, and the thickness of the surface layer is 2.0 μm in the case of the bright plating product in terms of the production cost. The degree is preferred. Furthermore, in the case of the outer lead outer solder, even if the thickness of the surface layer is too large, the performance reaches saturation and the production cost is increased, so the upper limit of the thickness is set to 20 μm. You. For this reason, the thickness of the surface layer in the material of the present invention is set to 0.5 to 20 μm.

【0043】上記した表面層3と基体1の間に介在する
中間層2としては、次のようなものが選定される。
As the intermediate layer 2 interposed between the surface layer 3 and the base 1, the following is selected.

【0044】まず、Cu層2Aであり、この場合の材料
A1の層構造を図2に示す。
First, the Cu layer 2A, and the layer structure of the material A1 in this case is shown in FIG.

【0045】このCu層2Aは、基体1の表面が黄銅や
丹銅のようなCu−Zn系合金である場合に、この基体
1の表面と表面層3との密着性を確保できるという点で
好適である。また、このCu層2Aが介装されている
と、基体1の表面が粗面であったり、表面に酸化物層が
介在して当該表面にSn層またはSn合金層から成る表
面層を形成したのちにリフロー処理を施したときに観察
される現象、すなわち、表面層が白く曇って鏡面光沢が
得られない現象、いわゆる“Snのはじき”現象を防止
することができる。
The Cu layer 2A is capable of securing the adhesion between the surface of the substrate 1 and the surface layer 3 when the surface of the substrate 1 is a Cu-Zn-based alloy such as brass or copper. It is suitable. When the Cu layer 2A was interposed, the surface of the substrate 1 was rough or an oxide layer was interposed on the surface to form a surface layer made of a Sn layer or a Sn alloy layer on the surface. It is possible to prevent a phenomenon observed when a reflow treatment is performed later, that is, a phenomenon in which the surface layer is white and cloudy and a mirror gloss cannot be obtained, that is, a so-called "Sn repelling" phenomenon.

【0046】いずれの場合においても、Cu層2Aの厚
みが薄すぎると上記したような効果が得られず、また厚
すぎると、上記効果は飽和に達するのみならず、表面層
3へのCuの拡散も起こりはじめて表面層のはんだ濡れ
性の低下,酸化,変色,相手材との接触抵抗の上昇など
を引き起こすようになるので、その厚みは0.1〜1μ
mに設定することが好ましい。
In any case, if the thickness of the Cu layer 2A is too thin, the above-mentioned effects cannot be obtained. If the thickness is too thick, the above-mentioned effects not only reach saturation, but also the Cu layer Diffusion begins to occur, causing a decrease in solder wettability of the surface layer, oxidation, discoloration, and an increase in contact resistance with a mating material, and the like.
It is preferable to set m.

【0047】第2の中間層としては、NiまたはNi合
金層2Bであり、その場合の材料A2の層構造を図3に
示す。
The second intermediate layer is a Ni or Ni alloy layer 2B, and the layer structure of the material A2 in that case is shown in FIG.

【0048】このNiまたはNi合金層2Bは、基体1
と表面層3との密着性の確保に資するとともに、前記し
た“Snのはじき”を防止し、更には基体1の表面のC
uが表面層3に熱拡散してSnと合金化することを抑制
するためのバリアとして機能する。
The Ni or Ni alloy layer 2 B
Contributes to ensuring the adhesion between the substrate 1 and the surface layer 3, prevents the above-mentioned “Sn repelling”, and further reduces the C on the surface of the substrate 1.
It functions as a barrier for suppressing that u is thermally diffused into the surface layer 3 and alloyed with Sn.

【0049】この中間層2BをNi合金で形成する場
合、Ni合金としては上記したバリア効果を発揮するも
のが好ましく、例えば、Ni−Co系,Ni−P系,N
i−B系などをあげることができるが、材料の生産性と
製造コストの問題や基体1と表面層との密着性確保の点
からいうと電気めっきが可能な合金であることが好まし
い。この点から考えると、Ni−P系は電気めっき時に
合金化するための電流密度は小さく、Ni−B系もそれ
ほど高くなく、またNi−Co系は電気めっきは可能で
あるが高価であるという点で難がある。しかしながら、
無電解めっきで表面層を形成することが有利であるよう
な材料の場合には、上記したNi−P系,Ni−B系を
用いることが好適である。このようなことを考えると、
工業的には、中間層2Bの形成においては、Ni単体を
電気めっきすることが好適である。
When the intermediate layer 2B is formed of a Ni alloy, it is preferable that the Ni alloy exhibit the above-described barrier effect. For example, Ni alloys such as Ni—Co, Ni—P, and N
An iB-based alloy can be used, but it is preferable to use an alloy that can be electroplated from the viewpoint of material productivity and manufacturing cost, and from the viewpoint of ensuring adhesion between the substrate 1 and the surface layer. From this point of view, Ni-P-based alloys have a low current density for alloying during electroplating, Ni-B-based alloys are not so high, and Ni-Co-based alloys can be electroplated but are expensive. There is difficulty in point. However,
In the case of a material in which it is advantageous to form the surface layer by electroless plating, it is preferable to use the above-mentioned Ni-P system and Ni-B system. Given this,
Industrially, it is preferable to electroplate Ni alone in forming the intermediate layer 2B.

【0050】中間層2BをNiまたはNi合金で形成し
た場合、Niもまた表面層へ熱拡散してSnと合金化
し、Ni3Sn4をはじめとする化合物層を形成する。し
かしながら、200℃以下の温度におけるその拡散速度
はCuの場合に比べて小さく、しかも、仮に表面層3の
表層部にまで拡散したとしても酸化して表面変色を引き
起こすことはない。
When the intermediate layer 2B is formed of Ni or a Ni alloy, Ni is also thermally diffused into the surface layer and alloyed with Sn to form a compound layer such as Ni 3 Sn 4 . However, its diffusion rate at a temperature of 200 ° C. or less is lower than that of Cu, and even if it diffuses to the surface layer of the surface layer 3, it does not oxidize and cause surface discoloration.

【0051】したがって、この層構造では、Niまたは
Ni合金から成る中間層2BとSnまたはSn合金から
成る表面層3の界面にNi−Sn化合物の層が介在して
いる場合が多く、その介在物層の厚みは加熱処理やリフ
ロー処理などの熱履歴によって決まり、更には、基体表
面からのCuの拡散によりCu−Sn化合物の層が含ま
れていることもある。
Therefore, in this layer structure, a Ni-Sn compound layer is often interposed at the interface between the intermediate layer 2B made of Ni or Ni alloy and the surface layer 3 made of Sn or Sn alloy. The thickness of the layer is determined by heat history such as a heat treatment or a reflow treatment, and further, a layer of a Cu—Sn compound may be included due to diffusion of Cu from the substrate surface.

【0052】このNiまたはNi合金から成る中間層2
Bの厚みが薄すぎると、前記したバリア効果が発揮され
なくなり、また厚すぎると、曲げ加工性が低下して割れ
の発生も多くなるだけではなく製造コストの上昇も招く
ので、その厚みは0.1〜1μmに設定することが好ま
しい。
The intermediate layer 2 made of Ni or Ni alloy
If the thickness of B is too small, the above-mentioned barrier effect is not exhibited. If the thickness is too large, not only the bending workability is reduced and cracks are increased but also the production cost is increased. It is preferable to set the thickness to 0.1 to 1 μm.

【0053】第3の中間層はAg層2Cであり、この場
合の材料A3の層構造を図4に示す。
The third intermediate layer is an Ag layer 2C, and the layer structure of the material A3 in this case is shown in FIG.

【0054】この中間層2CがAg層である場合、この
Ag層2Cが介装されている材料A3は、材料が高温環
境下に長期間曝されていても表面層の酸化に基づく不都
合も起こらず、接触抵抗の上昇という問題も起こらな
い。むしろ逆に、Agが表面層3へ拡散することによ
り、接触抵抗が安定化するだけではなく、低下する場合
が多くなるという効果が得られる。
When the intermediate layer 2C is an Ag layer, the material A3 in which the Ag layer 2C is interposed has a disadvantage due to oxidation of the surface layer even if the material is exposed to a high temperature environment for a long time. Therefore, the problem of an increase in contact resistance does not occur. On the contrary, by diffusing Ag into the surface layer 3, the effect of not only stabilizing the contact resistance but also decreasing it in many cases is obtained.

【0055】また、基体1の表面がリン青銅で形成され
ていて、そしてその材料A3が高温環境下に曝された場
合であっても、Ag層2Cが介在していると、基体1と
表面層3との剥離が起こらなくなる。すなわち、このA
g層2Cは基体1と表面層3との密着性の確保にも大い
に貢献する層である。
Even when the surface of the base 1 is formed of phosphor bronze, and the material A3 is exposed to a high temperature environment, the presence of the Ag layer 2C causes the base 1 and the surface to be in contact with each other. Peeling from the layer 3 does not occur. That is, this A
The g layer 2C is a layer that greatly contributes to ensuring the adhesion between the substrate 1 and the surface layer 3.

【0056】したがって、この材料A3は、自動車関連
分野における電装品のように、高い耐熱性が要求される
分野で使用されるコンタクト材料として好適である。
Therefore, this material A3 is suitable as a contact material used in a field where high heat resistance is required, such as an electrical component in a field related to an automobile.

【0057】このAg層2Cの厚みが薄すぎると上記し
た効果が得にくくなり、また厚すぎると、効果は飽和に
達するのみならず製造コストの上昇を招くようになるの
で、その厚みは0.1〜1μmに設定することが好まし
い。
If the thickness of the Ag layer 2C is too small, it is difficult to obtain the above-mentioned effects. If the thickness is too large, the effect not only reaches saturation but also increases the manufacturing cost. It is preferable to set the thickness to 1 to 1 μm.

【0058】第4の中間層2Dは、図5で示したよう
に、基体1の表面に形成されたNiまたはNi合金層2
Bとその上に形成されたAg層2Cとから成る2層構造
である。
As shown in FIG. 5, the fourth intermediate layer 2D is composed of the Ni or Ni alloy layer 2 formed on the surface of the substrate 1.
It has a two-layer structure including B and an Ag layer 2C formed thereon.

【0059】この中間層2Dを有する材料A4は、材料
A2に関して説明した前記NiまたはNi合金層2Bの
効果と、材料A3に関して説明した前記Ag層2Cの効
果とが同時に発揮されることになり、はんだ接合部の接
合信頼性の向上、高温環境下における接触抵抗の上昇の
抑制、表面酸化や変色の抑制という点で一層優れた効果
を発揮し、リード材料やコンタクト材料のいずれに用い
ても有用な材料になる。
With the material A4 having the intermediate layer 2D, the effect of the Ni or Ni alloy layer 2B described with respect to the material A2 and the effect of the Ag layer 2C described with respect to the material A3 are simultaneously exhibited. It is more effective in improving the bonding reliability of solder joints, suppressing the increase in contact resistance in high-temperature environments, suppressing surface oxidation and discoloration, and is useful as either a lead material or a contact material. Material.

【0060】上記した2層構造において、基体1側に位
置するNiまたはNi合金層2Bの厚みは、そのバリア
効果を発揮させ、またその曲げ加工性などを確保するた
めに0.1〜1μmに設定することが好ましく、この上
に形成されているAg層2Cの厚みは、材料A3の場合
におけるほどの厚みでなくてもよく、0.003〜0.5
μmの範囲内にあれば上記した効果を充分に得ることが
できる。
In the above-described two-layer structure, the thickness of the Ni or Ni alloy layer 2B located on the side of the base 1 is set to 0.1 to 1 μm in order to exert its barrier effect and ensure its bending workability. It is preferable to set the thickness, and the thickness of the Ag layer 2C formed thereon may not be as thick as that of the material A3, and may be 0.003 to 0.5.
If it is within the range of μm, the above-mentioned effects can be sufficiently obtained.

【0061】このようにして製造された材料A1,A
2,A3,A4に対してリフロー処理を施すと、例えば
表面層が含CuSn層で形成される場合に発生すること
もあるウイスカーの存在を解消することができるだけで
はなく、表面層3と基体1の表面間におけるSnとCu
の拡散速度が低下して耐熱性に優れた材料に転化し、結
局、はんだ接合部における接合信頼性を高め、また接触
抵抗の上昇を抑制することができるので好適である。
The materials A1, A thus produced
When reflow treatment is performed on A2, A3, and A4, not only can the presence of whiskers that may occur when the surface layer is formed of a CuSn-containing layer be eliminated, but also the surface layer 3 and the substrate 1 can be eliminated. Sn and Cu between the surfaces of
This is preferable because the diffusion speed of the metal is reduced to convert the material into a material having excellent heat resistance, and after all, the bonding reliability at the solder bonding portion can be increased and the increase in contact resistance can be suppressed.

【0062】なお、前記した中間層の中にはCuが含有
されていても不都合はないが、これら中間層の構成材料
はいずれもSnまたはSn合金のように融点が低くない
ため、材料としての耐熱性の向上に寄与することは少な
く、むしろ、Cuが含有されていることによって耐食性
の低下が引き起こされることもある。
Although there is no disadvantage even if Cu is contained in the above-mentioned intermediate layer, all of the constituent materials of these intermediate layers do not have a low melting point like Sn or Sn alloy. It hardly contributes to the improvement of heat resistance, but rather, the inclusion of Cu may cause a decrease in corrosion resistance.

【0063】本発明の材料は電気めっきで製造すること
ができる。
The material of the present invention can be manufactured by electroplating.

【0064】例えば、材料A1を製造する場合、Cuめ
っき浴を用いて電気めっきを行い基体1に所望厚みのC
uめっき層2Aを形成し、更にその上に、Snめっき浴
またはSn合金めっき浴を用いて電気めっきを行い所望
厚みの表面層を形成すればよい。
For example, when manufacturing the material A1, electroplating is performed using a Cu plating bath, and
The u-plated layer 2A is formed, and electroplating is further performed thereon using a Sn plating bath or a Sn alloy plating bath to form a surface layer having a desired thickness.

【0065】このとき、表面層3にCuを0.1〜3重
量%含有せしめるために、用いるSnめっき浴またはS
n合金めっき浴には、Cuイオンを0.2〜50ppm含有
せしめることが必要である。Cuイオンの含有量が上記
した範囲を外れていると、表面層3であるSnめっき層
またはSn合金めっき層におけるCu含有量は、電流密
度,めっき浴の温度などのめっき条件によっては、0.
1〜3重量%にならないからである。
At this time, in order to make the surface layer 3 contain Cu in an amount of 0.1 to 3% by weight, an Sn plating bath or S
It is necessary that the n-alloy plating bath contains 0.2 to 50 ppm of Cu ions. If the Cu ion content is out of the above range, the Cu content in the Sn plating layer or the Sn alloy plating layer, which is the surface layer 3, may be not more than 0.1 depending on plating conditions such as current density and plating bath temperature.
This is because it does not become 1 to 3% by weight.

【0066】なお、Cuめっき浴としては、Cuめっき
の分野で常用されている硫酸銅主体のめっき浴やシアン
化銅主体のめっき浴などをあげることができる。また、
Snめっき浴やSn合金めっき浴としては、従来から公
知の例えば硫酸すず主体のものや有機酸すず主体のもの
をあげることができる。
Examples of the Cu plating bath include a copper sulfate-based plating bath and a copper cyanide-based plating bath commonly used in the field of Cu plating. Also,
Examples of the Sn plating bath or Sn alloy plating bath include conventionally known ones mainly composed of tin sulfate and those mainly composed of organic acid tin.

【0067】材料A2を製造する場合には、Niめっき
浴またはNi合金めっき浴を用いて電気めっきを行い基
体1に所望厚みのNiめっき層またはNi合金めっき層
2Bを形成し、更にその上に、前記したSnめっき浴ま
たはSn合金めっき浴を用いて電気めっきを行い所望厚
みの表面層3を形成すればよい。
In the case of producing the material A2, electroplating is performed using a Ni plating bath or a Ni alloy plating bath to form a Ni plating layer or Ni alloy plating layer 2B having a desired thickness on the substrate 1, and further thereon. Electroplating may be performed using the above-described Sn plating bath or Sn alloy plating bath to form the surface layer 3 having a desired thickness.

【0068】なお、Niめっき浴またはNi合金めっき
浴としては、従来から公知の例えば硫酸ニッケルや塩化
ニッケル主体のもの、スルファミン酸ニッケル主体のも
のなどをあげることができる。
As the Ni plating bath or Ni alloy plating bath, conventionally known baths mainly containing nickel sulfate or nickel chloride, and those mainly containing nickel sulfamate can be used.

【0069】材料A3を製造する場合には、Agめっき
浴を用いて電気めっきを行い基体1に所望厚みのAgめ
っき層2Cを形成し、更にその上に、前記したSnめっ
き浴またはSn合金めっき浴を用いて電気めっきを行い
表面層3を形成すればよい。
When the material A3 is manufactured, electroplating is performed using an Ag plating bath to form an Ag plating layer 2C having a desired thickness on the substrate 1, and further thereon, the above-described Sn plating bath or Sn alloy plating is formed. The surface layer 3 may be formed by performing electroplating using a bath.

【0070】なお、Agめっき浴としては、従来から公
知のシアン化銀やシアン化銀カリウム主体のもの、また
は市販のノーシアン浴などをあげることができる。
Examples of the Ag plating bath include a conventionally known silver cyanide and potassium silver cyanide-based bath or a commercially available cyanide-free bath.

【0071】材料A4を製造する場合には、前記したN
iめっき浴またはNi合金めっき浴を用いて電気めっき
を行い基体1に所望厚みのNiめっき層またはNi合金
めっき層2Bを形成し、その上に、前記したAgめっき
浴を用いて電気めっきを行ってAgめっき層2Cを形成
し、更にその上に、前記したSnめっき浴またはSn合
金めっき浴を用いて電気めっきを行い表面層3を形成す
ればよい。
When the material A4 is manufactured, the above-described N
Electroplating is performed using an i-plating bath or a Ni-alloy plating bath to form a Ni-plated layer or a Ni-alloy-plated layer 2B having a desired thickness on the substrate 1, and electroplating is performed thereon using the above-described Ag plating bath. Then, an Ag plating layer 2C is formed, and electroplating is further performed thereon using the above-described Sn plating bath or Sn alloy plating bath to form the surface layer 3.

【0072】なお、Sn合金層で表面層3を形成する場
合、上記したように、Sn合金めっき浴を用いて形成す
る方法の外に、次のような方法を採用することもでき
る。
When the surface layer 3 is formed of a Sn alloy layer, the following method can be employed in addition to the method of forming the surface layer 3 using the Sn alloy plating bath as described above.

【0073】例えば、Sn−Ag合金層の形成に際して
は、最初にAgめっきを行い、ついでSnめっきを行う
方法がある。また、Sn−Bi合金層の形成に際して
は、最初にBiめっきを行い、ついでSnめっきを行う
方法がある。更に、加熱処理を施し、これら各層の成分
の拡散合金化を促進させることもできる。このとき、最
初にSnめっきから進める方法もあるが、その上に析出
電位が貴なAgやBiをめっきすると表面ムラを発生す
ることがあるので、この方法はあまり好ましい方法では
ない。
For example, when forming a Sn—Ag alloy layer, there is a method in which Ag plating is performed first, and then Sn plating is performed. In forming the Sn—Bi alloy layer, there is a method of performing Bi plating first, and then performing Sn plating. Furthermore, a heat treatment can be performed to promote the diffusion alloying of the components of these layers. At this time, there is a method of proceeding from Sn plating first, but if Ag or Bi having a noble deposition potential is plated thereon, surface unevenness may occur, so this method is not a very preferable method.

【0074】このようにして製造された材料A1,A
2,A3,A4に対してリフロー処理を施すと、例えば
表面層が含CuSn層で形成される場合に発生すること
もあるウイスカーの存在を解消することができるだけで
はなく、表面層3と基体1の表面間におけるSnとCu
の拡散速度が低下して、結局、はんだ接合部における接
合信頼性を高め、また接触抵抗の上昇を抑制することが
できるので好適である。
The materials A1, A thus produced
When reflow treatment is performed on A2, A3, and A4, not only can the presence of whiskers that may occur when the surface layer is formed of a CuSn-containing layer be eliminated, but also the surface layer 3 and the substrate 1 can be eliminated. Sn and Cu between the surfaces of
This is preferable because the diffusion speed of the solder joint decreases, and eventually, the joint reliability at the solder joint portion can be increased and the increase in contact resistance can be suppressed.

【0075】この加熱処理またはリフロー処理は、通
常、例えばN2雰囲気のような非酸化性雰囲気やCOや
2を含有する雰囲気のような還元性雰囲気中で行われ
る。材料の形状が線状または条であり、それに連続的な
処理を施す場合には、熱風吹き付け炉を用いることが好
適である。
This heat treatment or reflow treatment is usually performed in a non-oxidizing atmosphere such as an N 2 atmosphere or a reducing atmosphere such as an atmosphere containing CO or H 2 . When the material is in the form of a line or a strip and is subjected to continuous processing, it is preferable to use a hot air blowing furnace.

【0076】[0076]

【実施例】実施例1〜21,比較例1〜9 表面が表1〜4で示した組成の合金で構成されている板
材に、アルカリカソード脱脂,10%硫酸による酸洗を
順次施したのち、第1のめっき浴、第2のめっき浴、第
3のめっき浴を収容するめっき槽に順次走行せしめて、
表1〜4で示しためっき層が表面層3として形成されて
いる材料A1,材料A2,材料A3,材料A4をそれぞ
れ製造した。
EXAMPLES Examples 1 to 21 and Comparative Examples 1 to 9 A sheet material whose surface is made of an alloy having the composition shown in Tables 1 to 4 was subjected to alkali cathode degreasing and pickling with 10% sulfuric acid in that order. , A first plating bath, a second plating bath, and a third plating bath.
Materials A1, A2, A3, and A4 in which the plating layers shown in Tables 1 to 4 were formed as the surface layer 3 were manufactured.

【0077】なお、Cuめっき浴としては硫酸銅めっき
浴,Niめっき浴としてはスルファミン酸ニッケルめっ
き浴,Agめっき浴としてはダインシルバーAG−PL
3O(商品名、大和化成(株)製)を用いた。また、S
nめっき浴としては有機酸すずめっき浴を用いた。
The Cu plating bath was a copper sulfate plating bath, the Ni plating bath was a nickel sulfamate plating bath, and the Ag plating bath was Dyne Silver AG-PL.
3O (trade name, manufactured by Daiwa Kasei Co., Ltd.) was used. Also, S
An organic acid tin plating bath was used as the n plating bath.

【0078】得られた各材料表面層の厚みは、アノード
溶解法を適用してそのときの溶解電位と溶解電気量から
算出し、その組成は電子線マイクロアナライザのZAF
補正法で定量分析した。以上の結果を表1〜4に示し
た。
The thickness of each of the obtained material surface layers is calculated from the dissolution potential and the amount of dissolution electricity by applying the anodic dissolution method.
Quantitative analysis was performed using the correction method. The above results are shown in Tables 1 to 4.

【0079】[0079]

【表1】 [Table 1]

【0080】[0080]

【表2】 [Table 2]

【0081】[0081]

【表3】 [Table 3]

【0082】[0082]

【表4】 [Table 4]

【0083】各材料の表面を目視観察し、また各材料を
50℃の大気中で2500時間保持したのち顕微鏡観察
してウイスカーの有無を調べ、更には、各材料に90°
の折り曲げ試験を行ってそのときの曲げ加工性を評価し
た。
The surface of each material was visually observed. Each material was kept in the air at 50 ° C. for 2500 hours, and then observed under a microscope to check for the presence of whiskers.
Was conducted to evaluate the bending workability at that time.

【0084】また、各材料の10個につき、Agプロー
ブを100g荷重で押し付けた状態で10mAを通電して
低温下における接触抵抗を測定した。ついで、各材料を
大気中において温度150℃で100時間保持する熱処
理を施したのちの接触抵抗を同様にして測定した。
Further, a contact current at a low temperature was measured by applying a current of 10 mA to 10 pieces of each material while pressing the Ag probe with a load of 100 g. Then, the contact resistance after subjecting each material to a heat treatment in which it was kept at 150 ° C. for 100 hours in the atmosphere was measured in the same manner.

【0085】以上の結果を一括して表5に示した。Table 5 summarizes the above results.

【0086】[0086]

【表5】 [Table 5]

【0087】実施例22〜31,比較例10〜19 表面が表6,表7で示した組成の合金で構成されている
板材に、アルカリカソード脱脂,10%硫酸による酸洗
を順次施したのち、表6,表7に示しためっき浴を収容
するめっき槽を順次走行せしめて表6,表7で示しため
っき層が表面層3として形成されている材料を製造し
た。
Examples 22 to 31 and Comparative Examples 10 to 19 Plates whose surfaces are made of alloys having the compositions shown in Tables 6 and 7 were sequentially subjected to alkaline cathode degreasing and pickling with 10% sulfuric acid. A plating bath containing the plating baths shown in Tables 6 and 7 was sequentially run to produce a material in which the plating layer shown in Tables 6 and 7 was formed as the surface layer 3.

【0088】なお、Cuめっき浴,Niめっき浴,Ag
めっき浴、Snめっき浴はいずれも実施例1〜21と同
じものを用いた。また、Sn合金めっき浴としては、ダ
インTINSIL−SBB浴(商品名、大和化成(株)
製のSn−Agめっき浴)と、PF浴(商品名、石原薬
品(株)製のSn−Biめっき浴)をそれぞれ用いた。
In addition, Cu plating bath, Ni plating bath, Ag plating bath,
The same plating bath and Sn plating bath as those in Examples 1 to 21 were used. As the Sn alloy plating bath, Dyne TINSIL-SBB bath (trade name, Daiwa Kasei Co., Ltd.)
And a PF bath (trade name, Sn-Bi plating bath manufactured by Ishihara Yakuhin Co., Ltd.).

【0089】各材料の表面層の厚みと組成を実施例1〜
21と同様にして測定した。
The thickness and composition of the surface layer of each material were determined in Examples 1 to
The measurement was performed in the same manner as in Example 21.

【0090】得られた材料を25mm角に切り出し、その
試片に、直径3mmの銅被覆鋼線をはんだで接合した。は
んだとしては、Sn−37%Pbの共晶はんだと、Sn
−3.5%Agの共晶はんだの2種類をそれぞれ用い
た。また、はんだ接合部の大きさは直径6mmと一定にし
た。
The obtained material was cut into a 25 mm square, and a copper coated steel wire having a diameter of 3 mm was joined to the test piece by soldering. As the solder, a eutectic solder of Sn-37% Pb,
Two types of -3.5% Ag eutectic solder were used. The size of the solder joint was constant at a diameter of 6 mm.

【0091】ついで、室温下において、各試料と銅被覆
鋼線とのプル強度(T0)を測定した。そして、はんだ
接合材料を大気中において温度150℃で500時間の
エージングを行って劣化促進処理を施し、そのときの各
試料と銅被覆鋼線とのプル強度(T1)を測定し、(T0
−T1)×100/T0を算出してはんだ接合部における
接合強度の劣化率(%)とした。
Next, the pull strength (T 0 ) between each sample and the copper-coated steel wire was measured at room temperature. Then, the solder bonding material is aged in air at a temperature of 150 ° C. for 500 hours to perform a deterioration accelerating treatment. At that time, a pull strength (T 1 ) between each sample and the copper-coated steel wire is measured, and (T 1 ) 0
−T 1 ) × 100 / T 0 was calculated to be the deterioration rate (%) of the joining strength at the solder joint.

【0092】以上の結果を一括して表6,表7に示し
た。
The above results are collectively shown in Tables 6 and 7.

【0093】[0093]

【表6】 [Table 6]

【0094】[0094]

【表7】 [Table 7]

【0095】実施例32〜35,比較例20,21 直径0.5mmの銅被覆鋼線をカソード脱脂槽,酸洗槽,
めっき槽に順次走行せしめて表8で示した表面層を形成
した。
Examples 32 to 35, Comparative Examples 20 and 21 A copper-coated steel wire having a diameter of 0.5 mm was placed in a cathode degreasing tank, a pickling tank,
The surface layers shown in Table 8 were formed by sequentially running in a plating tank.

【0096】ついで、直径1.2mmのスルーホールの周
囲に外径3mmのCuパッドが形成されているプリント回
路基板の前記スルーホールに各リード線を挿入し、フラ
ックスを塗布したのち、温度250℃のディップ式はん
だ槽にプリント回路基板を3秒間浸漬してから引き上
げ、そのまま自然放冷した。
Next, each lead wire was inserted into the through-hole of the printed circuit board having a Cu pad having an outer diameter of 3 mm formed around the through-hole having a diameter of 1.2 mm, and after applying a flux, a temperature of 250 ° C. The printed circuit board was immersed in the dipping type solder bath for 3 seconds, then pulled up, and allowed to cool naturally.

【0097】なお、はんだとしては、実施例22〜31
と同じ2種類のものを用いた。
The solder used in Examples 22 to 31 was used.
The same two types were used.

【0098】この材料におけるCuパッドと銅被覆鋼線
との接合強度の劣化率を実施例22〜31と同様に算出
した。その結果を表8に示した。
The rate of deterioration of the bonding strength between the Cu pad and the copper-coated steel wire in this material was calculated in the same manner as in Examples 22 to 31. Table 8 shows the results.

【0099】[0099]

【表8】 [Table 8]

【0100】以上の結果から次のことが明らかである。The following is clear from the above results.

【0101】(1)表1〜5から明らかなように、本発
明の材料はいずれも耐熱性が優れていて、熱処理後にあ
っても接触抵抗の上昇が抑制されている。
(1) As is clear from Tables 1 to 5, the materials of the present invention are all excellent in heat resistance, and the increase in contact resistance is suppressed even after heat treatment.

【0102】例えば、表面層が含CuSnめっき層で構
成されている実施例1と表面層にはCuが含有されてい
ない比較例2を対比して明らかなように、両者は同じよ
うに中間層を備えているにもかかわらず、前者は接触抵
抗の上昇が抑制されているが、後者の接触抵抗は大きく
上昇している。これは、表面層を含Snめっき層で形成
したことの効果を立証するものである。
For example, as is clear from comparison between Example 1 in which the surface layer is formed of a CuSn-containing plating layer and Comparative Example 2 in which the surface layer does not contain Cu, both have the same intermediate layer. In spite of the provision of, the former suppresses an increase in contact resistance, but the latter significantly increases. This proves the effect of forming the surface layer with the Sn-containing Sn plating layer.

【0103】また、実施例10と比較例6を対比して明
らかなように、両者はいずれも基体と表面層が同じであ
るにもかかわらず、中間層が介在している実施例10は
表面状態は良好でかつ接触抵抗の上昇が抑制された材料
になっているが、中間層を備えていない比較例6は、S
nはじきが強く起こり、曇りも生じていて製品化が困難
な状態になっている。このようなことから、基体と表面
層の中間には中間層を介在させるべきであることがわか
る。
Further, as is apparent from comparison between Example 10 and Comparative Example 6, although both of them have the same base and surface layer, Example 10 in which the intermediate layer is interposed is used. Although the material is in a good state and the contact resistance is suppressed from increasing, Comparative Example 6 having no intermediate layer has
n is strongly repelled and fogged, which makes it difficult to commercialize the product. From this, it is understood that an intermediate layer should be interposed between the substrate and the surface layer.

【0104】(2)また、表面層が含CuSn層であっ
ても、Cu含有量が3重量%よりも多くなると、比較例
5の場合のように、Snはじきや曇りが生じるようにな
るので、Cu含有量は3重量%までと規制すべきであ
る。そのためには、めっき浴におけるCuイオン濃度を
50ppm以下にすべきである。
(2) Even when the surface layer is a CuSn-containing layer, if the Cu content is more than 3% by weight, Sn repelling and fogging occur as in Comparative Example 5. , Cu content should be regulated up to 3% by weight. For that purpose, the Cu ion concentration in the plating bath should be 50 ppm or less.

【0105】そして、Cu含有量が3重量%以下であっ
ても、その厚みが0.4μmになると、比較例8の場合
のように、接触抵抗は上昇してしまう。このようなこと
から、含CuSn層から成る表面層の厚みは0.5μm
以上にすべきであることがわかる。
Even when the Cu content is 3% by weight or less, when the thickness becomes 0.4 μm, the contact resistance increases as in Comparative Example 8. For this reason, the thickness of the surface layer composed of the CuSn-containing layer is 0.5 μm.
It is understood that the above should be performed.

【0106】(3)表6,表7から明らかなように、本
発明の材料はいずれもはんだ接合部における接合強度の
劣化率が小さく、接合信頼性の高い材料になっている。
(3) As is clear from Tables 6 and 7, all of the materials of the present invention have a small rate of deterioration of the joining strength at the solder joints and have high joining reliability.

【0107】とくに、表面層をSn−Ag系やSn−B
i系で構成したもの(実施例26,28)や表面層と基
体との間にNiめっき層を下層としその上にAg層を積
層して成る中間層を介在させたもの(実施例29)は、
他の実施例の材料に比べて接合強度の劣化率が一段と小
さくなっていて好適である。
In particular, when the surface layer is made of Sn-Ag or Sn-B
i-type (Examples 26 and 28) and an intermediate layer composed of a Ni plating layer as a lower layer and an Ag layer laminated thereon between the surface layer and the substrate (Example 29) Is
It is preferable that the rate of deterioration of the bonding strength is further reduced as compared with the materials of the other examples.

【0108】(4)また表8から明らかなように、表面
層を含CuSn層とSn−Ag系またはSn−Bi系の
含CuSn合金層の2層構造にし、かつ全体に加熱処理
を施すと、実施例32,34の場合のように、はんだ接
合部における接合強度の劣化は一層小さくなって好適で
ある。
(4) As is apparent from Table 8, when the surface layer has a two-layer structure of a CuSn-containing layer and a Sn-Ag-based or Sn-Bi-based Cu-Sn-containing alloy layer, and the entire surface is subjected to heat treatment. As in the case of Examples 32 and 34, the deterioration of the bonding strength at the solder bonding portion is further reduced, which is preferable.

【0109】[0109]

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
材料は、SnまたはSn合金層にPbを含まないので環
境に悪影響を及ぼすことはなく、また、はんだ付けした
ときの接合部における接合強度の劣化は小さく、耐熱性
に優れた材料になっている。したがって、この材料は、
各種の電気・電子部品用の材料とりわけ半導体装置に用
いるリード材料や、端子,コネクタ,スイッチなどのコ
ンタクト材料として、それを用いた各部品もまたその工
業的価値は大である。
As is apparent from the above description, the material of the present invention does not adversely affect the environment because Pb is not contained in the Sn or Sn alloy layer. The deterioration of the bonding strength is small, and the material is excellent in heat resistance. Therefore, this material
As materials for various electric and electronic parts, particularly lead materials used for semiconductor devices, and contact materials for terminals, connectors, switches, and the like, each part using the same has great industrial value.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の材料Aの層構造を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a layer structure of a material A of the present invention.

【図2】本発明の別の材料A1の層構造を示す断面図で
ある。
FIG. 2 is a sectional view showing a layer structure of another material A1 of the present invention.

【図3】本発明の別の材料A2の層構造を示す断面図で
ある。
FIG. 3 is a sectional view showing a layer structure of another material A2 of the present invention.

【図4】本発明の別の材料A3の層構造を示す断面図で
ある。
FIG. 4 is a sectional view showing a layer structure of another material A3 of the present invention.

【図5】本発明の別の材料A4の層構造を示す断面図で
ある。
FIG. 5 is a sectional view showing a layer structure of another material A4 of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基体 2 中間層 2A Cu層 2B Ni層またはNi合金層 2C Ag層 3 表面層(含CuSn層または含CuSn合金層) DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base | substrate 2 Intermediate layer 2A Cu layer 2B Ni layer or Ni alloy layer 2C Ag layer 3 Surface layer (CuSn containing layer or CuSn containing alloy layer)

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも表面がCuまたはCu合金か
ら成る基体の前記表面に、Cu層,NiもしくはNi合
金層またはAg層を少なくとも1層有する中間層を介し
て、Cu含有量が0.1〜3重量%である厚み0.5〜2
0μmのSn層またはSn合金層から成る表面層が形成
されていることを特徴とする電気・電子部品用材料。
1. The method according to claim 1, wherein the Cu content is 0.1 to 0.1 through an intermediate layer having at least one Cu layer, Ni or Ni alloy layer or at least one Ag layer on the surface of the substrate whose surface is made of Cu or Cu alloy. 0.5 to 2% by weight which is 3% by weight
A material for electric / electronic parts, wherein a surface layer made of a Sn layer or a Sn alloy layer having a thickness of 0 μm is formed.
【請求項2】 前記基体の表面に、厚み0.1〜1μm
のNiもしくはNi合金層と厚み0.003〜0.5μm
相当のAg層とがこの順序で積層され、前記Ag層の上
には前記表面層が形成されている請求項1の電気・電子
部品用材料。
2. The method according to claim 1, wherein the thickness of the substrate is 0.1 to 1 μm.
Ni or Ni alloy layer and thickness 0.003-0.5 μm
2. The material for electric / electronic parts according to claim 1, wherein a substantial Ag layer is laminated in this order, and said surface layer is formed on said Ag layer.
【請求項3】 前記表面層のSn合金が、Sn−Ag系
合金またはSn−Bi系合金である請求項1または2の
電気・電子部品用材料。
3. The electric / electronic component material according to claim 1, wherein the Sn alloy of the surface layer is a Sn—Ag alloy or a Sn—Bi alloy.
【請求項4】 前記表面層が加熱処理またはリフロー処
理された層である請求項1から3のいずれかの電気・電
子部品用材料。
4. The material for electric / electronic parts according to claim 1, wherein said surface layer is a layer subjected to a heat treatment or a reflow treatment.
【請求項5】 請求項1〜4のいずれかの電気・電子部
品用材料を用いたことを特徴とする電気・電子部品。
5. An electric / electronic part using the material for electric / electronic parts according to claim 1.
【請求項6】 Cuめっき浴,Niめっき浴,Ni合金
めっき浴,Agめっき浴、およびBiめっき浴の群から
選ばれる少なくとも1種を用いて、少なくとも表面がC
uまたはCu合金から成る基体に電気めっきを行ったの
ち、更に、いずれもCuイオンを0.2〜50ppm含有す
るSnめっき浴またはSn合金めっき浴を用いて電気め
っきを行うことを特徴とする電気・電子部品用材料の製
造方法。
6. At least one surface selected from the group consisting of a Cu plating bath, a Ni plating bath, a Ni alloy plating bath, an Ag plating bath, and a Bi plating bath.
electroplating using a Sn plating bath or a Sn alloy plating bath each containing 0.2 to 50 ppm of Cu ions after performing electroplating on a substrate made of u or Cu alloy.・ Methods of manufacturing materials for electronic components.
【請求項7】 前記2回目の電気めっきを行ったのち
に、得られた材料に、加熱処理またはリフロー処理を施
す請求項6の電気・電子部品用材料の製造方法。
7. The method for producing a material for electric / electronic parts according to claim 6, wherein after the second electroplating is performed, the obtained material is subjected to a heat treatment or a reflow treatment.
JP10155058A 1998-06-03 1998-06-03 Material for electric and electronic parts, its production, and electric and electronic parts lising the same Pending JPH11350188A (en)

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