JPH11345561A - 集束電極付電界放出カソード - Google Patents

集束電極付電界放出カソード

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JPH11345561A
JPH11345561A JP15439598A JP15439598A JPH11345561A JP H11345561 A JPH11345561 A JP H11345561A JP 15439598 A JP15439598 A JP 15439598A JP 15439598 A JP15439598 A JP 15439598A JP H11345561 A JPH11345561 A JP H11345561A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 電子ビームスポットの縦横比を大きくするこ
とができる集束電極付電界放出カソードを提供する。 【解決手段】 引出電極1を縦長形状とするとともに、
引出電極1と電子ビームを集束する集束電極2との間隔
は、引出電極1の長手方向(色選択方向)の間隔bが幅
方向(画素選択方向)の間隔aよりも大きくしたもので
ある。絶縁層3および引出電極1の積層部分に複数の開
口部4を有し、この開口部4内にエミッタチップとして
コーン状エミッタ11が設けられている。集束電極2
は、横方向に等間隔に並んだ窓抜き部を有し、この窓抜
き部内に引出電極1が集束電極2と間隔をおいて配置さ
れることにより、引出電極1は集束電極2に囲まれてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高精細の電界放出
カラーディスプレイなどに用いられる集束電極付電界放
出カソードに関するものである。
【0002】
【従来の技術】金属または半導体表面の印加電界を10
9 [ボルト/m]程度にすると、トンネル効果により電
子が障壁を通過し常温でも真空中に電子放出が行われ
る。これを電界放出(Field Emissin)という。このよ
うな原理で電子を放出するカソードを電界放出カソード
(Field Emissin Cathode)という。半導体微細加工技
術を駆使して、ミクロンサイズの電界放出カソードから
なる面放出型の電界放出カソードを作成することが可能
となり、電界放出ディスプレイ(Field Emissin Displa
y)、リソグラフィー用電子ビーム装置等の電子放出源
として用いられている。
【0003】電界放出ディスプレイにおいては、カソー
ド基板側とアノード基板側とが所定間隔のギャップを隔
てて封着され、内部を真空状態とされている。その電界
放出カソードとしてスピント型の冷陰極を用いるもので
は、引出電極に正のゲート電圧を印加すると、この引出
電極の開口部内に設けられたエミッタチップから電界放
出により電子が放出され、正電圧が印加されたアノード
電極に到達し、アノード電極を被覆する蛍光体が発光し
て表示動作が行われる。その際、集束電極と引出電極と
を絶縁層上の同一平面に形成して、電界放出カソードか
ら放出された電子ビームを集束させる集束電極付きの電
界放出カソードがある。集束電極を設けることにより電
子ビームが隣接する蛍光体ドットやアノード基板のガラ
ス部分に射突する割合を減少させ、位置決め精度の余裕
を持たせることができる。
【0004】図6は、従来の集束電極付電界放出カソー
ドの説明図であり、図6(a)は集束電極付電界放出カ
ソードの平面図、図6(b)はこれに対応するアノ−ド
基板側のアノード発光面の平面図である。図中、1は引
出電極、3は絶縁層、4は開口部、5はコンタクトホー
ル、41は集束電極、21は蛍光体(赤)、22は蛍光
体(緑)、23は蛍光体(青)である。
【0005】図6(a)に示すように、引出電極1は、
集束電極41とともに、絶縁層3の同一平面上に形成さ
れている。引出電極1は長方形状であり、複数の開口部
4内にコーン状エミッタが設けられている。集束電極4
1は、横方向(色選択方向)に等間隔に並んだ長方形の
窓抜き部を有し、この窓抜き部内に引出電極1が集束電
極41と間隔をおいて配置される。窓抜き部は複数個設
けられ、各窓抜き部内に1画素の三原色の1つに対応し
た1個の引出電極1が設けられ、各引出電極1の開口部
4内のエミッタチップから電子ビームが放出される。
【0006】引出電極1と集束電極41との間隔は、引
出電極1の長手方向の間隔bと幅方向の間隔aとが等し
くされている。図示の例では、引出電極1に複数の開口
部4を縦1列に配列したものを示すが、開口部4の列数
および開口部4の個数は特に限定されるものではない。
引出電極1は、絶縁層3を貫くコンタクトホール5を介
して、カソード基板上に形成された図示しない引出線部
に接続され、この引出線部は、集束電極41の下をくぐ
って、引出電極1および集束電極41と同一平面上に形
成された横方向に延びる図示しないゲート配線部に別の
コンタクトホールを介して接続される。引出電極1,引
出線部,ゲート配線部によりゲート電極が構成される。
【0007】図6(b)に示すアノード側においては、
3個の引出電極1に対向して、それぞれ、長方形状の三
原色の蛍光体(赤)21、蛍光体(緑)22、蛍光体
(青)23が各々のアノード電極に被覆形成されること
により、ストライプ配列されて1画素を構成する。エミ
ッタチップから放出された電子ビームは、集束電極41
により集束作用を受けながら、対応する蛍光体(赤)2
1、蛍光体(緑)22、蛍光体(青)23に射突して各
蛍光体を発光させる。
【0008】図7は、図6に示した集束電極付電界放出
カソードによる電子ビームのスポットの説明図である。
アノード基板側における発光面の様子を示している。図
中、図6と同様な部分には同じ符号を付して説明を省略
する。24,25,26は電子ビームのスポットであ
る。電子ビームの集束特性を評価した結果、図6に示し
た集束電極付電界放出カソードを用いると、蛍光体2
1,22,23の長手方向(画素選択方向)が必要以上
に集束されることがわかった。
【0009】蛍光体21,22,23の長手方向の長さ
に一致するように電子ビームを集束させた場合、図7
(a)に示すように、蛍光体21,22,23の幅方向
(色選択方向)の集束が不十分になり、電子ビームのス
ポット24,25,26が隣接する蛍光体21,22,
23を発光させる割合が増加して混色不良となる。色選
択方向は、寸法的に画素選択方向よりも条件がきびしい
ため、位置決め精度の影響を受けやすい。色選択方向の
集束を満足させるために、引出電極1と集束電極41と
の電位差を大きくすると、図7(b)に示すように、画
素選択方向は必要以上に集束するため、発光面積が小さ
くなり、結果的に面平均輝度が小さくなる。
【0010】長方形状の引出電極1の開口部に設けられ
たエミッタチップの数が少ない場合、電子ビームを強く
集束するほど、図7(c)に示すように、電子ビームの
スポット24,25,26は、画素選択方向にバラツキ
が生じ易くなる。これも、輝度や色バランス等の表示品
位に悪影響を及ぼす。また、引出電極1と集束電極41
との電位差を大きくすると、無効となるゲート電極流入
電流が増えるため、引出電極1の長手方向(画素選択方
向)の寸法を大きくしてエミッタチップ数を増やすにも
限度がある。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した問
題点を解決するためになされたもので、電子ビームのス
ポットの縦横比を大きくすることができ、その結果、電
子ビームのスポットの縦横比を蛍光体形状および蛍光体
配列に応じて設定することができる集束電極付電界放出
カソードを提供することを目的とするものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁層、該絶
縁層上に形成された縦長形状の引出電極、前記絶縁層お
よび前記引出電極の積層部分に開けられた複数の開口
部、該開口部内に設けられたエミッタチップ、および、
前記絶縁層上に集束電極を有する集束電極付電界放出カ
ソードであって、前記集束電極は窓抜き部を有し、前記
引出電極は前記窓抜き部内に前記集束電極と間隔をおい
て配置され、前記引出電極の長手方向の前記間隔が前記
引出電極の幅方向の前記間隔よりも長いものである。
【0013】また、本発明は、絶縁層、該絶縁層上に形
成された縦長形状の引出電極、前記絶縁層および前記引
出電極の積層部分に開けられた複数の開口部、該開口部
内に設けられたエミッタチップ、および、前記絶縁層上
に集束電極を有する集束電極付電界放出カソードであっ
て、前記集束電極は前記引出電極の長手方向に延びた縦
長形状であり、前記引出電極を前記引出電極の幅方向に
挟んで配置されているものである。したがって、電子ビ
ームが引出電極の幅方向よりも長手方向に弱く集束され
るため、電子ビームスポットの縦横比を大きくすること
ができる。
【0014】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の第1の実施の形
態の集束電極付き電界放出カソードの構造を説明するた
めの平面図である。図2は、図1に示した構造の切断線
A−Aに沿う部分断面図である。図中、図6と同様な部
分には同じ符号を付して説明を省略する。2は集束電
極、11はコーン状エミッタ、12はカソード基板、1
3は抵抗層である。この実施の形態の集束電極付き電界
放出カソードは、図6,図7を参照して説明した従来の
ものに比べ、アノード側の蛍光体の縦長形状および色配
列に合わせて、引出電極1も縦長形状とするとともに、
引出電極1と電子ビームを集束する集束電極2との間隔
は、引出電極1の長手方向(色選択方向)の間隔bが幅
方向(画素選択方向)の間隔aよりも大きくしたもので
ある。
【0015】図6を参照して説明した従来技術と同様
に、絶縁層3上に形成された引出電極1は長方形状であ
り、絶縁層3および引出電極1の積層部分に複数の開口
部4を有し、この開口部4内にエミッタチップとしてコ
ーン状エミッタ11(図2)が設けられている。集束電
極2は、横方向に等間隔に並んだ窓抜き部を有し、この
窓抜き部内に引出電極1が集束電極2と間隔をおいて配
置されることにより、引出電極1は集束電極2に囲まれ
ている。窓抜き部は、引出電極1の幅方向に3個設けら
れ、各窓抜き部に引出電極が1つの画素の各色に対応し
て1個ずつ設けられている。図示の例では、引出電極1
に複数の開口部4を縦1列に配列したものを示すが、開
口部4の配列数および開口部4の個数は特に限定される
ものではない。
【0016】図2に示すように、引出電極1は、集束電
極2とともに、絶縁層3の同一平面上に形成されてい
る。カソード基板12上に抵抗層13が形成され、開口
部4における抵抗層13の上にコーン状エミッタ11が
形成されている。この断面には現れないが、例えば、図
1における集束電極2の窓抜き部の左右の位置にカソー
ド配線部が、カソード基板12の上に縦方向に形成され
ている。抵抗層13が、このカソード配線部の上を部分
的に覆うことにより、コーン状エミッタ11からカソー
ド配線部にカソード電流が流れる。引出電極1は、コン
タクトホール5を介して、カソード基板上に形成された
図示しない引出線部に接続され、この引出線部は、集束
電極2の下をくぐって、引出電極1および集束電極2と
同一平面上に形成され、横方向に延びる図示しないゲー
ト配線部に別のコンタクトホールを介して接続される。
カソード配線部とゲート配線部とでマトリクスを構成す
ることにより、電子を放出するコーン状エミッタ11群
を選択する。なお、集束電極2に印加する電圧を走査す
ることにより画素の選択を行う場合には、隣接する画素
の集束電極2は分離して形成されるが、このような選択
が不要な場合には、隣接する集束電極2が一体になるよ
うに形成される。
【0017】図1に示すように、引出電極1と集束電極
2との間隔は、引出電極1の長手方向の間隔bが幅方向
の間隔aよりも大きくされている。その結果、電子ビー
ムが引出電極1の幅方向よりも長手方向に弱く集束され
ることになり、電子ビームスポットの縦横比を大きくす
ることができる。
【0018】図3は、図1,図2に示した集束電極付き
電界放出カソードによる電子ビームのスポットの説明図
である。アノード基板側における発光面の様子を示して
いる。図中、図6,図7と同様な部分には同じ符号を付
して説明を省略する。電子ビームのスポット24,2
5,26の大きさを、図3(a)に示すように、蛍光体
(赤)21,蛍光体(緑)22,蛍光体(青)23の各
長手方向の全長に一致するように電子ビームを集束させ
ても、電子ビームの集束が引出電極1の幅方向よりも長
手方向に弱いことから、幅方向の集束も蛍光体の幅に一
致して満足できるものとなる。また、エミッタチップ1
1の数が少ない場合、電子ビームを強く集束するほど、
図3(b)に示すように、寸法が長い長手方向の電子ビ
ームのスポット24,25,26の長さおよび位置にバ
ラツキが生じ易くなるが、長手方向の集束を弱くするこ
とにより、表示品位への影響が緩和される。
【0019】図4は、本発明の第2の実施の形態の集束
電極付電界放出カソードの構造を説明するための平面図
である。図中、図6,図1と同様な部分には同じ符号を
付して説明を省略する。31はゲート電極、31aは引
出線部、31bは引出電極部、32は集束電極である。
この実施の形態の集束電極付き電界放出カソードは、図
6,図7を参照して説明した従来のものに比べ、アノー
ド側の蛍光体の縦長形状および色配列に合わせて、引出
電極部31bを縦長形状とするとともに、集束電極32
は、引出電極31bをこの引出電極31bの幅方向に挟
んで配置した構造である。引出電極31bの長手方向
(画素選択方向)には集束電極32を設けないようにし
ている。
【0020】絶縁層3上に形成された引出電極部31b
は長方形状であり、絶縁層3および引出電極31bの積
層部分に複数の開口部4を有し、開口部4内にコーン状
エミッタが設けられている。引出電極部31bは、長手
方向の上下に延びる引出線部31aにより、図示しない
ゲート配線部に接続されゲート電圧が印加される。引出
線部31aは引出電極部31bの幅よりも細くされてい
る。引出電極部31bは、1つの画素の三原色に対応し
て幅方向に3個設けられる。絶縁層3上に形成された集
束電極32も、1つの画素に対して4個設けられたスト
ライプ形状であり、引出電極部31bの長手方向に引出
電極部31bよりも長く延びており、3個の引出電極部
31bをその幅方向に挟んで配列されている。図示の例
では、引出電極部31bに複数の開口部4を縦1列に配
列したものを示すが、開口部4の配列数および開口部4
の個数は特に限定されるものではない。引出電極部31
b、引出線部31aは、集束電極32とともに絶縁層3
の同一平面上に形成されている。
【0021】断面構造の図示は省略するが、カソード基
板上に抵抗層が形成され、開口部4における抵抗層の上
にコーン状エミッタが形成されている。また、カソード
基板12の上には、図4における集束電極32の位置に
カソード配線部が形成され、抵抗層がこのカソード配線
部の上を部分的に覆うことにより、コーン状エミッタか
らカソード配線部にカソード電流が流れる。この図で
は、引出線部31aを、引出電極部31bおよび集束電
極32と同一平面上に上及び下方向に引き出している。
しかし、引出線部31aは個々にいずれか一方向にのみ
引き出してもよい。また、引出線部31aをカソード基
板上に設け、引出電極部31bをコンタクトホールを用
いて下層の引出線部31aに接続してもよい。なお、集
束電極32に印加する電圧を走査することにより画素の
選択を行う場合には、隣接する画素の集束電極32は分
離して形成されるが、このような選択が不要な場合に
は、隣接する集束電極2が一体になるように形成され
る。
【0022】図5は、本発明の第3の実施の形態の集束
電極付電界放出カソードの構造を説明するための斜視図
である。図中、図6,図1,図2と同様な部分には同じ
符号を付して説明を省略する。この実施の形態の集束電
極付電界放出カソードは、図1,図2,図3に示した第
1の実施の形態のものと比較して、引出電極1と集束電
極2とを絶縁層3の異なる高さの平面上に配置し、集束
電極2が引出電極1よりもアノード側に近い上層に位置
する縦型集束構造である。集束電極2がアノード側に近
く配置される結果、集束電圧が同じでも、全方向に集束
力を強くすることができる。
【0023】さらに、引出電極1と集束電極2との水平
面上の間隔は、引出電極1の長手方向(色選択方向)の
間隔bが幅方向(画素選択方向)の間隔a(図示の例で
は、a=0)よりも大きくされている。そのため、電子
ビームが引出電極1の幅方向よりも長手方向に弱く集束
されることになり、第1の実施の形態における図3
(a)と同様に、蛍光体(赤)21,蛍光体(緑)2
2,蛍光体(青)23の各々の長手方向の全長に一致す
るように電子ビームを集束させても、幅方向の集束も同
時に満足できるものとなる。また、エミッタチップ11
の数が少ない場合、電子ビームを強く集束するほど、寸
法が長い長手方向の電子ビームのスポット24,25,
26にバラツキが生じ易くなるが、図3(b)に示すよ
うに表示品位への影響は緩和される。
【0024】上述した第3の実施の形態は、第1の実施
の形態の集束電極付電界放出カソードを縦型集束構造に
したものであるが、図4を参照して説明した第2の実施
の形態の集束電極付電界放出カソードを縦型集束構造に
してもよい。上述した縦型集束構造は、図2に示したよ
うな積層構造において、集束電極2のないものをまず形
成し、その上層に絶縁層3を再び形成し、その上に集束
電極を形成し、その後、引出電極1の上の絶縁層3のみ
を除去することにより作製することができる。
【0025】
【発明の効果】本発明の集束電極付電界放出カソードに
よれば、上述した説明から明らかなように、電子ビーム
のスポットの縦横比を大きくすることができるという効
果がある。その結果、蛍光体形状および蛍光体配列に応
じて縦横比を設定することができ、特に、高精細の電界
放出カラーディスプレイの電界放出カソードに用いると
好適である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態の集束電極付電界放
出カソードの構造を説明するための平面図である。
【図2】図1に示した構造の切断線A−Aに沿う部分断
面図である。
【図3】図1,図2に示した集束電極付電界放出カソー
ドによる電子ビームのスポットの説明図である。
【図4】本発明の第2の実施の形態の集束電極付電界放
出カソードの構造を説明するための平面図である。
【図5】本発明の第3の実施の形態の集束電極付き電界
放出カソードの構造を説明するための斜視図である。
【図6】従来の集束電極付電界放出カソードの説明図で
あり、図6(a)は集束電極付電界放出カソードの平面
図、図6(b)はこれに対応するアノ−ド基板側のアノ
ード発光面の平面図である。
【図7】図6に示した集束電極付電界放出カソードによ
る電子ビームのスポットの説明図である。
【符号の説明】
1 引出電極、2,32,41 集束電極、3 絶縁
層、4 開口部、5 コンタクトホール、21 蛍光体
(赤)、22 蛍光体(緑)、23 蛍光体(青)、2
4,25,26 電子ビームのスポット、11 コーン
状エミッタ、12カソード基板、13 抵抗層、31ゲ
ート電極、31a 引出線部、31b引出電極部

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁層、該絶縁層上に形成された縦長形
    状の引出電極、前記絶縁層および前記引出電極の積層部
    分に開けられた複数の開口部、該開口部内に設けられた
    エミッタチップ、および、前記絶縁層上に集束電極を有
    する集束電極付電界放出カソードであって、 前記集束電極は窓抜き部を有し、 前記引出電極は前記窓抜き部内に前記集束電極と間隔を
    おいて配置され、前記引出電極の長手方向の前記間隔が
    前記引出電極の幅方向の前記間隔よりも長いことを特徴
    とする集束電極付電界放出カソード。
  2. 【請求項2】 絶縁層、該絶縁層上に形成された縦長形
    状の引出電極、前記絶縁層および前記引出電極の積層部
    分に開けられた複数の開口部、該開口部内に設けられた
    エミッタチップ、および、前記絶縁層上に集束電極を有
    する集束電極付電界放出カソードであって、 前記集束電極は前記引出電極の長手方向に延びた縦長形
    状であり、前記引出電極を前記引出電極の幅方向に挟ん
    で配置されていることを特徴とする集束電極付電界放出
    カソード。
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