JPH11340608A - 導体パターンの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 粒子を均一かつ強固に定着させ、結果として
生産性に優れ、高精度の導体パターンを形成することが
可能な導体パターンの形成方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】 下記工程（Ａ）〜（Ｄ）を順次に含むこ
とを特徴とする導体パターンの形成方法。 （Ａ）金属および金属酸化物あるいはいずれか一方を樹
脂で被覆した絶縁化表面処理金属粒子を用意する工程。 （Ｂ）電子写真法を用いて画像形成を行い、絶縁化表面
処理金属粒子を、形成された画像に対応させてセラミッ
クグリーンシートに転写する工程。 （Ｃ）閃光放電を用いて加熱することにより、絶縁化表
面処理金属粒子をセラミックグリーンシート上に定着さ
せる工程。 （Ｄ）絶縁化表面処理金属粒子における金属および金属
酸化物の融点以上の温度で加熱することにより、導体パ
ターンを形成する工程。。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、導体パターンの形
成方法に関する。より詳しくは、電子写真法を用いた導
体パターン導体パターンの形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、積層コンデンサにおける電極等の
導体パターンを形成する場合、一般に、スクリーン印刷
法を用いて、所定の金属粒を含んだペーストを、セラミ
ック粉末と有機結合剤とからなるセラミックグリーンシ
ート上に塗布することにより、導体パターンを形成して
いた。しかしながら、このように塗布方法を用いた形成
方法は、生産性（生産効率）に乏しいばかりか、メッシ
ュ状の網から構成されるスクリーンを使用するため、い
わゆるスクリーンだれが生じ、印刷精度が低下したり、
微細な導体パターンを形成することが困難であるという
問題が見られた。また、所望の導体パターンごとにスク
リーンを作製しなければならず、導体パターンの形成方
法として不経済であるという問題も見られた。さらに
は、メッシュにペーストが付着して、セラミックグリー
ンシートにペーストを完全に転写することが困難であ
り、材料ロスを生じやすいという問題も見られた。

【０００３】そこで、このような問題を解決するため
に、特開昭５８−２４９９６号公報においては、樹脂と
金属酸化物粉とを混合し、金属酸化物粉を樹脂に分散さ
せた現像剤（粉体樹脂）を、電子写真法を用いてセラミ
ックグリーンシート上に形成し、これを焼成して導電パ
ターンを形成する方法が開示されている。また、本特許
公報の実施例には、セラミックグリーンシート上に粉体
樹脂をフラッシュライトによって、定着させることが開
示されている。しかしながら、この形成方法に使用する
粉体樹脂は、金属酸化物粉を多量の樹脂に分散させて構
成しているために、金属酸化物粉と樹脂とが均一に混合
せず、表面に金属酸化物粉が突出したり、あるいは均一
な粒子径を有する粉体樹脂が得られなかった。したがっ
て、フラッシュライトを用いて、このような粉体樹脂を
セラミックグリーンシート上に定着させた場合に、粉体
樹脂を十分かつ均一に固着させることができず、粉体樹
脂が脱離しやすいという問題が見られた。一方、樹脂全
体を十分に溶融させようとして、大エネルギーを発生す
るフラッシュライトで以て加熱することも提案されてい
る。しかしながら、大エネルギーを発生するフラッシュ
ライトを用いると、セラミックグリーンシートが熱変形
したり、あるいは金属酸化物粉や樹脂が一部溶解してし
まい、高精度の導体パターンを形成することが困難であ
るという問題が見られた。さらに、装置が簡略化できる
という観点から、定着ローラー（ヒートローラー）を用
いた定着法も知られている。しかしながら、定着ローラ
ーを粉体樹脂やセラミックグリーンシートに直接接触さ
せる必要があることから、粉体樹脂が脱離したり、セラ
ミックグリーンシートが熱変形しやすいという問題が見
られた。また、定着ローラーは温度制御が容易でないた
めに、粉体樹脂等が過度に加熱されてしまい、高精度の
導体パターンを形成することが困難であるという問題が
見られた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、表面にのみ
樹脂が被覆された絶縁化表面処理金属粒子を使用するこ
とにより、当該粒子を均一かつ強固にセラミックグリー
ンシートに対して定着できることを見出し、本発明を完
成させたものである。すなわち、本発明は、粒子を均一
かつ強固に定着させ、結果として生産性に優れ、高精度
の導体パターンを形成することが可能な導体パターンの
形成方法を提供することを目的とする。また、本発明の
別な目的は、特定のフラッシュ定着法を用いることによ
り、粒子をより均一かつ強固に定着させ、さらに生産性
に優れ、セラミックグリーンシートや導体パターンの変
形がなく、高精度の導体パターンを形成することが可能
な導体パターンの形成方法を提供することを目的とす
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、導体パターン
の形成方法に関し、下記工程（Ａ）〜（Ｄ）を順次に含
むことを特徴とする。 （Ａ）金属および金属酸化物あるいはいずれか一方を樹
脂で被覆した絶縁化表面処理金属粒子を用意する工程。 （Ｂ）電子写真法を用いて画像形成を行い、前記絶縁化
表面処理金属粒子を、形成された画像に対応させてセラ
ミックグリーンシートに転写する工程。 （Ｃ）閃光放電を用いて加熱することにより、前記絶縁
化表面処理金属粒子をセラミックグリーンシート上に定
着する工程。 （Ｄ）前記絶縁化表面処理金属粒子における金属および
金属酸化物の融点以上の温度で加熱することにより、導
体パターンを形成する工程。 このように絶縁化表面処理金属粒子を用い、かつ閃光放
電を用いた定着工程（Ｃ）を含んで導体パターンを形成
することにより、絶縁化表面処理金属粒子における金属
等を被覆した樹脂のみを、非接触、短時間、低エネルギ
ーで以て、容易かつ均一に軟化あるいは溶融させること
ができる。したがって、フラッシュ定着法を用いて、絶
縁化表面処理金属粒子を基材であるセラミックグリーン
シート上に、均一かつ強固に定着させることができ、結
果として、生産性に優れ、高精度の導体パターンを形成
することができる。

【０００６】また、本発明の導体パターンの形成方法を
実施するにあたり、工程（Ａ）における絶縁化表面処理
金属粒子が、金属および金属酸化物の表面で、樹脂を構
成するモノマーを直接重合して製造したものであること
が好ましい。このようにして製造した絶縁化表面処理金
属粒子は、金属および金属酸化物の表面に、均一な薄膜
層として樹脂を被覆することができ、フラッシュ定着法
により、絶縁化表面処理金属粒子における金属等を被覆
した樹脂のみをより容易かつ均一に軟化あるいは溶融さ
せて、粒子をセラミックグリーンシート上に強固に定着
させることができる。

【０００７】また、本発明の導体パターンの形成方法を
実施するにあたり、工程（Ａ）における絶縁化表面処理
金属粒子の樹脂の融点を、８０〜２００℃の範囲内の値
とすることが好ましい。このように樹脂の融点を制限す
ることにより、フラッシュ定着法を用いて、より容易か
つ均一に軟化あるいは溶融させて、粒子をセラミックグ
リーンシート上に強固に定着させることができる。

【０００８】また、本発明の導体パターンの形成方法を
実施するにあたり、工程（Ａ）における絶縁化表面処理
金属粒子の樹脂が、ポリエチレン系樹脂およびポリプロ
ピレン系樹脂あるいはいずれか一方であることが好まし
い。このように樹脂の種類を制限することにより、フラ
ッシュ定着法を用いて、より容易かつ均一に軟化あるい
は溶融させて、粒子をセラミックグリーンシート上に強
固に定着させることができる。

【０００９】また、本発明の導体パターンの形成方法を
実施するにあたり、工程（Ａ）における絶縁化表面処理
金属粒子の樹脂が、カーボンブラックを含有することが
好ましい。このように樹脂中にカーボンブラックを含有
させることにより、樹脂を黒色化させて、閃光放電によ
る熱エネルギーを吸収しやすくすることができる。した
がって、より容易かつ均一に樹脂を軟化あるいは溶融さ
せることができ、粒子をセラミックグリーンシート上に
強固に定着させることができる。

【００１０】また、本発明の導体パターンの形成方法を
実施するにあたり、工程（Ａ）における絶縁化表面処理
金属粒子の樹脂含有率を４〜２０重量％の範囲内の値と
することが好ましい。このように樹脂の含有率（量）を
制限することにより、フラッシュ定着法を用いて、より
容易かつ均一に軟化あるいは溶融させて、粒子をセラミ
ックグリーンシート上に強固に定着させることができ
る。

【００１１】また、本発明の導体パターンの形成方法を
実施するにあたり、工程（Ａ）における絶縁化表面処理
金属粒子の平均粒径を、２〜２０μｍの範囲内の値とす
ることが好ましい。このように絶縁化表面処理金属粒子
の平均粒径を制限することにより、フラッシュ定着法を
用いて、より容易かつ均一に樹脂を軟化あるいは溶融さ
せて、粒子をセラミックグリーンシート上に強固に定着
させることができる。また、このような絶縁化表面処理
金属粒子を使用することにより、より高精度の導体パタ
ーンを形成することができる。

【００１２】また、本発明の導体パターンの形成方法を
実施するにあたり、工程（Ｃ）における閃光放電による
熱エネルギーを、０．５〜５０Ｊ／ｃｍ² の範囲内の値
とすることが好ましい。このように閃光放電の熱エネル
ギーを制限することにより、セラミックグリーンシート
を変形させることなく、粒子をセラミックグリーンシー
ト上により確実に定着させることができる。また、この
ような範囲の熱エネルギーであれば、より容易かつ安定
して発生させることもできる。

【００１３】また、本発明の導体パターンの形成方法を
実施するにあたり、工程（Ｃ）における閃光放電を、複
数回行うことが好ましい。このように分割して閃光放電
の熱エネルギーを複数回付与することにより、トータル
の熱エネルギーを減少させることなく、閃光放電一回の
熱エネルギーを減少させることができる。したがって、
過度の熱エネルギー付与がなくなり、セラミックグリー
ンシートを変形させることが少なくなる。また、局所的
な熱エネルギー付与がなくなり、より均一に加熱するこ
とができるため、粒子全体をセラミックグリーンシート
上により確実に定着させることができる。

【００１４】また、本発明の導体パターンの形成方法を
実施するにあたり、工程（Ｃ）における閃光放電を、複
数の閃光放電装置を用いて行うことが好ましい。このよ
うに複数の閃光放電装置を用いることにより、迅速に熱
エネルギーを付与することができる。また、局所的な熱
エネルギー付与がなくなり、より均一に加熱することが
できるため、粒子全体をセラミックグリーンシート上に
より確実に定着させることができる。

【００１５】また、本発明の導体パターンの形成方法を
実施するにあたり、工程（Ｃ）における閃光放電が、異
なる熱エネルギーの第１の閃光放電と第２の閃光放電と
を順次に含み、第２の閃光放電における熱エネルギー
を、第１の閃光放電における熱エネルギーよりも大きく
することが好ましい。このように加熱することにより、
まず第１の閃光放電で、比較的低エネルギーで以て一部
の樹脂を軟化あるいは溶融させて、粒子をセラミックグ
リーンシート上に仮定着させることができる。次いで、
比較的高エネルギーで以て樹脂全体をを軟化あるいは溶
融させて、粒子をセラミックグリーンシート上に、強固
に定着させることができる。そして、第１の閃光放電
で、比較的弱いがセラミックグリーンシート上に仮定着
しているため、高エネルギーの第２の閃光放電を行って
も、粒子がセラミックグリーンシート上で移動したり、
飛散したりするおそれが少ない。また、このようにする
とより均一に加熱することができるため、粒子全体をセ
ラミックグリーンシート上にさらに確実に定着させるこ
とができる。

【００１６】また、本発明の導体パターンの形成方法を
実施するにあたり、工程（Ｃ）における閃光放電を、工
程（Ｂ）における絶縁化表面処理金属粒子の転写量に応
じて制御することが好ましい。このように閃光放電の熱
エネルギーを制御することにより、過度の熱エネルギー
付与がなくなり、セラミックグリーンシートを変形させ
ることが少なくなる。

【００１７】また、本発明の導体パターンの形成方法を
実施するにあたり、工程（Ｃ）において、セラミックグ
リーンシートを予備加熱した後、閃光放電により、絶縁
化表面処理金属粒子を定着することが好ましい。このよ
うにするとトータルの熱エネルギーを減少させることな
く、閃光放電一回の熱エネルギーを減少させることがで
きる。したがって、過度の熱エネルギー付与がなくな
り、セラミックグリーンシートを変形させることが少な
くなる。また、局所的な熱エネルギー付与がなくなり、
より均一に加熱することができるため、粒子全体をセラ
ミックグリーンシート上により確実に定着させることが
できる。

【００１８】また、本発明の導体パターンの形成方法を
実施するにあたり、工程（Ｃ）における予備加熱によ
り、セラミックグリーンシートの温度を４０〜９０℃の
範囲内の値とすることが好ましい。このように予備加熱
することにより、セラミックグリーンシートを変形させ
ることがより少なくなり、また、局所的な熱エネルギー
付与がなくなり、より均一に加熱することができるた
め、粒子全体をセラミックグリーンシート上により確実
に定着させることができる。

【００１９】また、本発明の導体パターンの形成方法を
実施するにあたり、工程（Ｃ）における閃光放電を、絶
縁化表面処理金属粒子が転写されたセラミックグリーン
シートを静止した状態で行うことが好ましい。このよう
に閃光放電して熱エネルギーを付与することにより、熱
エネルギーの制御が容易となり、より均一に加熱するこ
とができる。したがって、粒子全体をセラミックグリー
ンシート上により確実に定着させることができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】［第１の実施形態］本発明におけ
る第１の実施形態は、下記工程（Ａ）〜（Ｄ）を順次に
含んでおり、工程（Ｃ）のフラッシュ定着において、単
一の閃光放電装置を用いた態様である。

【００２１】（Ａ）金属および金属酸化物あるいはいず
れか一方の表面を樹脂で被覆した絶縁化表面処理金属粒
子（以下、単に粒子と称する場合がある。）を用意する
工程。ここで、粒子に使用する金属および金属酸化物と
しては、特に制限されるものではないが、好ましい金属
として、銅、タングステン、ニッケル、銀等を挙げるこ
とができる。また、好ましい金属酸化物として、酸化ル
テニウム（ＲｕＯ₂ ）、ルテニウム酸鉛（Ｐｂ₂ Ｒｕ₂
Ｏ_7-n 、ｎはＰｂおよびＲｕの価数の合計）等を挙げる
ことができる。

【００２２】また、上述した金属および金属酸化物を単
独使用することはもちろん、２種以上を組み合わせて使
用することも好ましい。２種以上の金属等を使用するこ
とにより、導体パターンの抵抗を容易に調整することが
できる。その場合、金属および金属酸化物を内包した絶
縁化表面処理金属粒子の配合比率については特に制限さ
れるものではないが、一例として、２種の絶縁化表面処
理金属粒子（第１の絶縁化表面処理金属粒子および第２
の絶縁化表面処理金属粒子と称する。）を組み合わせた
場合、それぞれ重量比（第１の絶縁化表面処理金属粒
子：第２の絶縁化表面処理金属粒子）で、１：９９〜９
９：１の範囲内の値とするのが好ましい。第１あるいは
第２の絶縁化表面処理金属粒子の重量比が１未満（相対
的に、それぞれ重量比が９９超）となると、導体パター
ンにおける導体抵抗の調整が困難となる傾向があるため
である。

【００２３】したがって、導体パターンにおける導体抵
抗の調整がさらに容易となり、また安定した導体抵抗が
得られる観点から、第１の絶縁化表面処理金属粒子：第
２の絶縁化表面処理金属粒子の重量比を、１０：９０〜
９０：１０の範囲内の値とするのがより好ましく、２
０：８０〜８０：２０の範囲内の値とするのがさらに好
ましい。

【００２４】また、金属および金属酸化物を被覆する樹
脂についても特に制限されるものではないが、ポリエチ
レン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、スチレン系樹脂、
ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリアクリ
ル系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂等を単独で使用するこ
とや、あるいは２種以上を組み合わせて使用することが
好ましい。

【００２５】ここで、かかる樹脂の融点を６０〜２００
℃の範囲内の値とすることが好ましく、より好ましくは
７０〜１５０℃の範囲内の値とすることである。このよ
うに樹脂の融点を制限することにより、フラッシュ定着
法を用いて、より容易かつ均一に軟化あるいは溶融させ
て、粒子をセラミックグリーンシート上に強固に定着さ
せることができる。なお、縁化表面処理金属粒子におけ
る樹脂の融点は、示差熱走査型熱量計（ＤＳＣ）を用い
て得られる樹脂の融解ピーク温度から求めることができ
る。

【００２６】また、かかる樹脂において、数平均分子量
を１、０００〜１、０００、０００の範囲内の値とする
ことが好ましい。このような範囲に樹脂の数平均分子量
を制限することにより、一定の耐熱性や形態保持性が得
られるとともに、フラッシュ定着法を用いて、より容易
かつ均一に軟化あるいは溶融させて、絶縁化表面処理金
属粒子をセラミックグリーンシート上に強固に定着させ
ることができる。

【００２７】次に、絶縁化表面処理金属粒子の平均粒子
径について説明する。本発明において、使用する絶縁化
表面処理金属粒子の平均粒子径は特に制限されるもので
はないが、２〜２０μｍの範囲内の値とするのが好まし
い。絶縁化表面処理金属粒子の平均粒子径が２μｍ未満
となると、画像特性において、静電気的な制御が困難と
なり、いわゆる地がぶりが発生しやすくなる傾向がある
ためである。一方、絶縁化表面処理金属粒子の平均粒子
径が２０μｍを超えると、重量が重くなり、均一かつ確
実な定着性が低下する傾向がある。また、画像特性にお
いて、地がぶりが発生しやすくなる傾向があり、さらに
は、微細な導体パターンを形成することが困難となる傾
向がある。

【００２８】この点、表１に示すデータをもとにより詳
細に説明する。このデータは、銅をポレオレフィン系樹
脂で内包した絶縁化表面処理金属粒子（抵抗値１×１０
¹³Ω・ｃｍ、絶縁物含有率６重量％）の平均粒子径を、
１〜２５μｍの範囲内で代えて、図１に示す電子写真画
像形成装置を用いて得られたセラミックシート上の導体
パターンについて、画像特性を評価したものである。表
１中、〇印は、いわゆる地ガブリが発生せず、また、線
幅が７０μｍ、スペースが５０μｍである微細な導体パ
ターンが、再現性良く得られたことを示しており、△は
地ガブリが一部発生したか、または再現性良く導体パタ
ーンが得られなかったことを示しており、×は地ガブリ
が発生し、かつ、微細な導体パターンが得られなかった
ことを示している。

【００２９】表１から容易に理解されるように、絶縁化
表面処理金属粒子の平均粒子径が２〜２０μｍの範囲内
の値であれば、ガブリが発生せず、また微細な導体パタ
ーンが再現性良く得られることが確認された。

【００３０】したがって、画像特性におけるがぶりの発
生を抑制し、かつより微細な導体パターンを形成するこ
とが可能となり、さらには、より優れた定着性を得るこ
とができる観点から、絶縁化表面処理金属粒子の平均粒
子径を３〜１０μｍ（１０μｍは含まない。）の範囲内
の値とするのがより好ましい。なお、絶縁化表面処理金
属粒子の平均粒子径は、光学顕微鏡を介して、画像処理
装置を使用して測定することができる。

【００３１】

【表１】

【００３２】次に、絶縁化表面処理金属粒子の抵抗値
(比抵抗)について説明する。本発明において、絶縁化表
面処理金属粒子の抵抗値は特に制限されるものではない
が、１×１０¹²Ω・ｃｍ以上の値とすることが好まし
い。絶縁化表面処理金属粒子の抵抗値が１×１０¹²Ω・
ｃｍ未満となると、画像特性において、いわゆる地がぶ
りが発生しやすくなったり、転写不良が生じる傾向があ
る。

【００３３】この点、表２に示すデータをもとにより詳
細に説明する。このデータは、銅をポレオレフィン系樹
脂で内包した絶縁化表面処理金属粒子（平均粒子径６μ
ｍ、絶縁物含有率６重量％）の比抵抗を、１×１０⁷ 〜
１×１０¹⁴Ω・ｃｍの範囲内で代えて、図１に示す電子
写真画像形成装置を用いて得られたセラミックシート上
の導体パターンについて、画像特性を評価したものであ
る。表２中、〇印は、いわゆる地ガブリが発生せず、ま
た、転写不良が生じていないことを示しており、△は地
ガブリが一部発生したか、または一部転写不良が生じて
いることを示しており、×は地ガブリが発生し、かつ、
転写不良が生じていることを示している。

【００３４】表２から容易に理解されるように、絶縁化
表面処理金属粒子の比抵抗を、１×１０¹²Ω・ｃｍ以上
の値とすれば、確実に地ガブリが発生せず、また転写不
良が生じないことが確認された。したがって、画像特性
における地がぶりの発生を抑制し、かつ転写不良性をよ
り低減することが可能となることから、絶縁化表面処理
金属粒子の抵抗値（比抵抗）を、１×１０¹³〜１×１０
¹⁴Ω・ｃｍの範囲内の値とするのがより好ましい。

【００３５】なお、絶縁化表面処理金属粒子の比抵抗
（抵抗値）は、以下に示す電気抵抗測定法により測定す
ることができる。すなわち、まず、下方に下部電極が設
けられたセル中に測定試料としての絶縁化表面処理金属
粒子を収容し、ブレードを用いて測定試料表面をすり切
り、次に上部電極を絶縁化表面処理金属粒子上に乗せた
後、この上部電極の上に、１Ｋｇの荷重を乗せる。次い
で、ＤＣ電源を用いて、測定試料を挟んで下部電極と上
部電極との間に、５００Ｖの印加電圧（Ｅ）を与える。
その後、電圧を１分間継続して印加した後、電極間を流
れる電流値の値（Ｉ）を読み取り、下記式から絶縁化表
面処理金属粒子の抵抗値Ｒ（Ω・ｃｍ）を算出した。な
お、Ｓは電極面積（ｃｍ² ）であり、Ｓ／ｌの値は１０
である。 Ｒ（Ω・ｃｍ）＝Ｓ／ｌ・Ｒ1 Ｒ1（Ω）＝Ｅ（Ｖ）／Ｉ（Ａ）

【００３６】

【表２】

【００３７】次に、金属および金属酸化物を被覆する樹
脂の絶縁物含有率について説明する。本発明において絶
縁化表面処理金属粒子における絶縁物含有率、すなわち
使用する樹脂の含有量は特に制限されるものではない
が、４〜２０重量％の範囲内の値であることが好まし
い。絶縁化表面処理金属粒子における絶縁物含有率が４
重量％未満となると、転写不良が生じる傾向があり、ま
た、フラッシュ定着法を用いた場合の定着性が低下する
傾向がある。一方、絶縁物含有率が２０重量％を超える
と、加熱した場合に残留しやすくなり、導体パターンに
おける導体抵抗が高くなる傾向がある。

【００３８】この点、表３に示すデータをもとにより詳
細に説明する。このデータは、銅をポレオレフィン系樹
脂で内包した絶縁化表面処理金属粒子（平均粒子径６μ
ｍ、抵抗値１×１０¹³Ω・ｃｍ）の絶縁物含有率を、４
〜２０重量％の範囲内で代えて、図１に示す電子写真画
像形成装置を用いて得られたセラミックシート上の導体
パターンについて、導体抵抗を評価したものである。表
３中、〇印は、いわゆる導体抵抗が１×１０^-5Ω・ｃｍ
以下と低く、転写不良が生じておらず、△では転写不良
が若干生じていることを示している。すなわち、絶縁化
表面処理金属粒子の絶縁物含有率を、４〜２０重量％の
範囲内の値とすれば、導体抵抗が低くなり、また転写不
良がほとんど生じないことがわかる。したがって、導体
抵抗がより低くなり、また転写不良性をより低減し、さ
らには定着性がより向上することから、絶縁化表面処理
金属粒子の絶縁物含有率を、４〜１５重量％の範囲内の
値とするのがより好ましい。なお、絶縁化表面処理金属
粒子の絶縁物含有率は、ＴＧＡ（熱天秤）を使用し、絶
縁物のみが消失される温度で絶縁化表面処理金属粒子を
一定時間加熱することにより測定することができる。

【００３９】

【表３】

【００４０】次に、金属および金属酸化物を内包した絶
縁化表面処理金属粒子の作製方法について簡単に説明す
る。当該作製方法は特に制限されるものではないが、金
属および金属酸化物あるいはいずれか一方を内包した状
態で、ポリエチレン系樹脂やポリプロピレン系樹脂等の
オレフィン系樹脂を、いわゆる気相重合法を用いて、金
属等の表面に直接的にモノマー（単量体）を重合させる
ことにより、被覆することが好ましい。このようにして
得られた絶縁化表面処理金属粒子は、比抵抗が高く、転
写性に優れているという特徴がある。また、このように
して製造した絶縁化表面処理金属粒子は、金属および金
属酸化物の表面に、均一な薄膜層として樹脂を被覆する
ことができる。したがって、フラッシュ定着法により、
絶縁化表面処理金属粒子における金属等を被覆した樹脂
のみを加熱し、容易かつ均一に軟化あるいは溶融させ
て、粒子をセラミックグリーンシート上に強固に定着さ
せることができる。

【００４１】なお、気相重合法における、単量体の種
類、蒸発速度、重合時間等を調節することにより、絶縁
化表面処理金属粒子の平均粒子径、抵抗値および絶縁物
含有率を適宜変更することができる。

【００４２】（Ｂ）電子写真法を用いて画像形成を行
い、形成された画像に対応させて絶縁化表面処理金属粒
子をセラミックグリーンシートに転写する工程。この工
程は、例えば図１に示す電子写真画像形成装置を用いて
実施することが可能である。かかる図１を参照してこの
工程を詳細に説明すると、電子写真画像形成装置は、感
光体１１、帯電部材１３、画像信号露光部材１５、転写
部材１９、現像部材１７、クリーニングブレード２１、
全面露光部材２３等から構成されている。

【００４３】したがって、絶縁化表面処理金属粒子を、
現像部材１７に収容しておき、次いで、全面露光部材２
３を用いて露光処理した感光体１１を、帯電部材１３を
用いて暗下に全面均一帯電させ、さらに、この感光体１
１上に、画像信号露光部材１５を用いて、所望の導体パ
ターンの静電潜像を形成することができる。

【００４４】次いで、絶縁化表面処理金属粒子を用い
て、静電潜像が形成された感光体１１を現像し、さら
に、感光体１１と転写部材１９との間に、セラミックグ
リーンシートを供給することにより、セラミックグリー
ンシート上に、絶縁化表面処理金属粒子の現像量あるい
はドット密度を調節しながら転写することができる。な
お、絶縁化表面処理金属粒子の現像量は、現像電位を調
節することにより容易に行うことができるが、その他、
感光体の帯電電位、ドラム線速、現像線速あるいは現像
スリーブ回転数を調節することによっても、微妙な調整
を行うことができる。

【００４５】（Ｃ）閃光放電を用いて加熱することによ
り、絶縁化表面処理金属粒子をセラミックグリーンシー
ト上に定着させる工程。この工程は、例えば図２に示す
ような定着装置５０を用いて実施することが可能であ
る。以下、図２を参照しつつ定着方法等の概要を説明す
る。

【００４６】まず、図２に示す定着装置５０は、フラッ
シュランプ５２と、このフラッシュランプ５２を閃光発
光させるための交流電源５４と、フラッシュランプ５２
と交流電源５４とを電気接続するための電気配線５６
と、フラッシュランプ５２とから発光された光を、被射
体（絶縁化表面処理金属粒子）６０に有効に伝えるため
の反射傘５８とから基本的に構成されている。そして、
図２に示す定着装置５０の例では、フラッシュランプ５
２が１本だけ設けてあり、反射傘５８の下方に載置され
た絶縁化表面処理金属粒子６０を、閃光放電に伴う熱エ
ネルギーを利用して、正確に加熱することができる。

【００４７】なお、図２上、フラッシュランプ５２とか
ら発光された光（熱エネルギー）を、記号Ｂで表してい
る。また、この定着装置５０の例では、反射傘５８の下
方にセラミックグリーンシート６２を停止させて、閃光
放電させることにより粒子６０を定着させた後、セラミ
ックグリーンシート６２を図２中、記号Ａで示す方向に
移動させ、次の粒子６０を定着させることができるよう
に構成してある。但し、図２においてセラミックグリー
ンシート６２の移動装置や位置決め装置等については、
省略してある。また、この点は、後述する図３に示す定
着装置７０の例でも同様である。

【００４８】さらに、ここで使用するフラッシュランプ
の種類も特に制限されるものではないが、発光時間が１
／１０００秒前後の短時間で、０．１〜１００Ｊの範囲
内の熱エネルギーを発生できるものが好ましい。また、
フラッシュランプにおける光波長において赤外線領域を
多く含んでいるものが好ましい。

【００４９】したがって、上述した定着装置５０を使用
し、絶縁化表面処理金属粒子６０における樹脂のみを容
易かつ均一に軟化あるいは溶融させて、この粒子６０を
セラミックグリーンシート６２上に強固に定着させるこ
とができる。図２において、セラミックグリーンシート
６２上に転写された絶縁化表面処理金属粒子６０が、閃
光放電による加熱前はほぼ真球であるのに、閃光放電に
よる加熱後は、絶縁化表面処理金属粒子６４、６６が、
真球の７０〜９０％程度に変形しているのは、このこと
を示している。また、この例では、フラッシュランプ５
２が１本だけ設けてあるため温度制御が容易であり、セ
ラミックグリーンシート６２が変形することがより少な
くなる。

【００５０】また、閃光放電による与える熱エネルギー
についても特に制限されるものではないが、０．５〜５
０Ｊ／ｃｍ² の範囲内の値とすることが好ましい。この
ように熱エネルギーを制限することにより、セラミック
グリーンシートの大きさにかかわらず、シートを変形さ
せることなく、粒子をセラミックグリーンシート上によ
り確実に定着させることができる。また、このような範
囲の熱エネルギーであれば、容易に得ることもできる。

【００５１】したがって、セラミックグリーンシートの
変形性や粒子の定着性とのバランスがより良好な観点か
ら、閃光放電による熱エネルギーを、０．６〜３０Ｊ／
ｃｍ² の範囲内の値とすることがより好ましく、１．０
〜２０Ｊ／ｃｍ² の範囲内の値とすることがさらに好ま
しい。なお、閃光放電による熱エネルギーは、セラミッ
クグリーンシート上で露光計を用いて測定することがで
きる。

【００５２】（Ｄ）セラミックグリーンシートを、絶縁
化表面処理金属粒子における金属および金属酸化物の融
点以上の温度で加熱し、導体パターンを形成する工程。
焼結炉（オーブン）等を用いて、絶縁化表面処理金属粒
子が転写されたセラミックグリーンシートを加熱するこ
とにより、セラミックを焼結するとともに、絶縁化表面
処理金属粒子の被覆絶縁材料を加熱蒸発させつつ、粒子
状の金属および金属酸化物を溶融させて、平板状の導体
パターンを形成する工程である。

【００５３】ここで、セラミックグリーンシート等の加
熱温度は、絶縁化表面処理金属粒子における金属および
金属酸化物の融点以上の温度であれば特に制限されるも
のではないが、一例として金属種が銅の場合、還元雰囲
気中、８００〜８５０℃の範囲内の温度で加熱すること
が好ましい。また、金属種がタングテスンの場合、還元
雰囲気中、１６００〜１７００℃の範囲内の温度で加熱
することが好ましい。それぞれ、このような温度範囲お
よび雰囲気で加熱することにより、金属等が酸化するこ
となく適度に融解して、均一形状の導体パターンを容易
に形成することができる。

【００５４】［第２の実施形態］第２の実施形態は、上
述した工程（Ａ）〜（Ｄ）を順次に含んでおり、かつ、
工程（Ｃ）のフラッシュ定着において、複数の閃光放電
装置（フラッシュランプ）を用いている点に特徴があ
る。したがって、第２の実施形態は第１の実施形態にお
ける工程（Ｃ）の変形例であり、この第２の実施形態の
説明において、第１の実施形態と異なる内容を中心に説
明し、同一内容については、適宜省略する。

【００５５】本発明における第２の実施形態は、図３に
示すような定着装置７０を用いて実施することができ
る。この定着装置７０の構成は、図２に示す定着装置５
０の構成と基本的に同様であり、フラッシュランプ７２
と、このフラッシュランプ７２を閃光発光させるための
交流電源７４と、フラッシュランプ７２と交流電源７４
とを電気接続するための電気配線７６と、フラッシュラ
ンプ７２から発光された光を、被射体（絶縁化表面処理
金属粒子）８０に有効に伝えるための反射傘７８とから
基本的に構成されている。但し、図３に示す定着装置７
０においては、閃光放電装置として、フラッシュランプ
７２が３本設けてある点で、図２に示す定着装置５０と
異なっている。また、それに対応して、これらのフラッ
シュランプ７２を独立的に閃光発光させるための交流電
源７４が３つ設けてあり、さらに、３本のフラッシュラ
ンプ７２を収容するために、反射傘７８の容積を大きく
してある。したがって、図３に示す定着装置７０を用い
ると、大面積における被射体（絶縁化表面処理金属粒
子）８０の加熱が可能となる。この点、図３に示すよう
に、３群の絶縁化表面処理金属粒子８４、８６、８８を
反射傘７８が全て覆っていることから容易に理解できる
であろう。

【００５６】また、図３に示す定着装置７０を用いる
と、フラッシュランプが１本の場合に与える熱エネルギ
ーを変えることなく、フラッシュランプ７２の１本あた
りの熱エネルギーを減少させることができる。具体的
に、１２Ｊ／ｃｍ² の熱エネルギーを絶縁化表面処理金
属粒子８０に与えようとする場合、フラッシュランプが
１本では、単位時間当たりに１２Ｊ／ｃｍ² の熱エネル
ギーを発生させて与える必要があるが、図３に示す定着
装置７０を用いると、単位時間当たりに、フラッシュラ
ンプ７２の１本あたりの熱エネルギーを約４Ｊ／ｃｍ²
に減少させることができる。すなわち、絶縁化表面処理
金属粒子８０を飛散させることなく、樹脂のみを容易か
つ均一に、しかも迅速に軟化あるいは溶融させて、この
粒子８０をセラミックグリーンシート８２上に強固に定
着させることができる。図３において、セラミックグリ
ーンシート８２上に転写された絶縁化表面処理金属粒子
８０が、閃光放電による加熱前はほぼ真球であるのに、
閃光放電による加熱後は、絶縁化表面処理金属粒子８
４、８６、８８が、真球の７０〜９０％程度に変形して
いるのは、このことを示している。また、閃光放電電圧
を低下させることができるため、フラッシュランプ７２
の寿命を飛躍的に延ばすこともできる。

【００５７】また、第２の実施形態においても、第１の
実施形態で説明した理由から定着工程における熱エネル
ギーを、０．５〜３０Ｊ／ｃｍ² の範囲内の値とするの
がより好ましく、１．０〜２０Ｊ／ｃｍ² の範囲内の値
とすることがさらに好ましい。さらに、第２の実施形態
の説明において、図３に示すような定着装置７０を用い
たが、図２に示すような定着装置５０を複数個使用して
も良い。

【００５８】［第３の実施形態］第３の実施形態は、上
述した工程（Ａ）〜（Ｄ）を順次に含んでおり、かつ、
工程（Ｃ）のフラッシュ定着において、閃光放電前に、
絶縁化表面処理金属粒子が転写れたセラミックグリーン
シートを一定温度に予備加熱する点に特徴がある。した
がって、第３の実施形態は第１および第２の実施形態に
おける工程（Ｃ）の変形例であり、この第３の実施形態
の説明においては、第１および第２の実施形態と異なる
内容を中心に説明し、同一内容については、適宜省略す
る。

【００５９】本発明の第３の実施形態において、閃光放
電をする前に、セラミックグリーンシートを４０〜９０
℃の範囲内の値に予備加熱することが好ましい。予備加
熱温度が４０℃未満となると、予備加熱効果が得られな
い傾向があり、また、温度制御も容易でなくなる傾向が
ある。すなわち、予備加熱を行うことにより、局所的な
熱エネルギー付与がなくなり、より均一に加熱すること
ができる。したがって、予備加熱温度が４０℃未満とな
ると、粒子全体をセラミックグリーンシート上により確
実に定着させることができるが、このような効果が得ら
れにくい。一方、予備加熱温度が９０℃超となると、セ
ラミックグリーンシートが変形しやすくなる傾向があ
る。したがって、４５〜８０℃の範囲内の値に予備加熱
することがより好ましく、５０〜７０℃の範囲内の値に
予備加熱することがさらに好ましい。

【００６０】次に、予備加熱の手法について説明する。
かかる手法は特に制限されるものではなく、フラッシュ
加熱法、ヒートローラー加熱、オーブン加熱等の手法を
使用することができる。例えば、フラッシュ加熱法を用
いる場合、図２および図３に示す定着装置をそのまま使
用することができる。より具体的には、図２および図３
に示す定着装置を用いた定着工程前に同様の装置を予備
加熱装置として設置するか、あるいは、図２および図３
に示す定着装置をそのまま予備加熱装置として使用し、
予備加熱操作が終了した後、定着操作を続いて実施する
ことができる。

【００６１】

【実施例】以下、実施例に基づいて本発明を更に詳細に
説明する。なお、以下の説明は、本発明の一例を示すの
みであり、言うまでもないが、本発明は、以下の説明に
限定されるものではない。

【００６２】［実施例１］ （１）絶縁化表面処理金属粒子を用意する工程 粒子全体量を１００重量％としたときに、ポリエチレン
モノマが６重量％の割合となるように、タングステンの
表面に気相重合し、平均粒子径が６μｍ、比抵抗が１．
０×１０¹²（Ω・ｃｍ）である絶縁化表面処理金属粒子
を作製した。

【００６３】（２）絶縁化表面処理金属粒子をセラミッ
クグリーンシートに転写する工程 得られた絶縁化表面処理金属粒子を、図１に示す電子写
真画像形成装置における現像部材１７に収容した。な
お、図１における現像部材１７には、絶縁化表面処理金
属粒子のほかに、平均粒子径が７０μｍのフェライト粒
子を、現像剤の全体量に対して９２重量％となるように
収容しておいた。次いで、全面露光部材２３を用いて露
光処理したアモルファス−シリコン感光体（ａ−Ｓｉ感
光体）１１を、帯電部材１３を用いて暗下に、３５０Ｖ
の電位に全面均一帯電し、さらに、このａ−Ｓｉ感光体
１１上に、画像信号露光部材１５を用いて、所望の導体
パターンの静電潜像を形成した。その際、感光体ドラム
線速は、一例として、６０ｍｍ／秒の値とした。次い
で、絶縁化表面処理金属粒子を、ａ−Ｓｉ感光体１１に
対して現像電位が６０Ｖの条件で導体パターン状に現像
処理した。その際、現像線速は、一例として、１２０ｍ
ｍ／秒の値とし、また、現像スリーブ回転数（対ドラム
線速比）を３．０倍とした。さらに、ａ−Ｓｉ感光体１
１と転写部材１９との間に、セラミックグリーンシート
（縦１２０ｍｍ×横１２０ｍｍ）を供給し、このセラミ
ックグリーンシート上に、ａ−Ｓｉ感光体１１から絶縁
化表面処理金属粒子を転写した。

【００６４】（３）絶縁化表面処理金属粒子を、セラミ
ックグリーンシート上に定着させる工程 絶縁化表面処理金属粒子が転写されたセラミックグリー
ンシートを静止した状態（搬送せず。）で、フラッシュ
定着を行った。すなわち、反射傘中に１６０Ｊの円柱状
のランプを３本平行に配列し、それぞれ４回閃光放電
（発光）させた。そして、セラミックグリーンシート上
においた露光計を用いて、閃光放電による熱エネルギー
を測定したところ、１３．４Ｊ／ｃｍ² という値が得ら
れた。さらに、この時点での、絶縁化表面処理金属粒子
やセラミックグリーンシートの外観を以下の基準で評価
した。結果を表４に示す。なお、定着温度については、
短時間で温度変化するために正確に測定することができ
なかった。表４の定着温度の欄に記載されている記号
（−）は、このことを示している。結果から理解される
ように、後述するヒートローラーを用いた場合と比較し
て、絶縁化表面処理金属粒子の顕著な脱離やセラミック
グリーンシートの変形が観察されず、優れた定着性が得
られることが確認された。 〇：絶縁化表面処理金属粒子の脱落やセラミックグリー
ンシートの変形が観察されない。 △：絶縁化表面処理金属粒子のわずかな脱落やセラミッ
クグリーンシートのわずかな変形が観察される。 ×：絶縁化表面処理金属粒子の明らかな脱落やセラミッ
クグリーンシートの明らかな変形が観察される。

【００６５】（４）セラミックグリーンシートを加熱す
る工程 絶縁化表面処理金属粒子が定着されたセラミックグリー
ンシートを、焼結炉を用いて、還元雰囲気（窒素）中
で、温度８００℃、１時間の条件で加熱し、セラミック
グリーンシートを焼成するとともに、タングステンを溶
融させて、導体パターン（ライン幅：７０μｍ、ライン
間スペース：７０μｍ、導体厚さ２０μｍ）を形成し
た。なお、絶縁化表面処理金属粒子表面を被覆していた
ポリエチレン系樹脂は、このような条件で加熱すること
により、完全に消失していることが別途確認されてい
る。そして、画像特性として、得られた導体パターンを
光学顕微鏡で観察し、また、抵抗測定装置を用いて抵抗
値（シート抵抗）を測定して、以下の基準で評価した。
結果を、表４に示す。結果から理解されるように、後述
するヒートローラーを用いた場合と比較して、シート抵
抗値のばらつきが小さく（シート抵抗値が１×１０^-1Ω
／□以下）、精度に優れた導体パターンが得られること
が確認された。

【００６６】〇：精度良く導体パターンが形成されてお
り、また、シート抵抗値が１×１０^-1Ω／□以下の値で
ある。 △：わずかに導体パターンが損壊している部分があり、
また、シート抵抗値が１×１０^-1〜１．０／□の範囲内
の値である。 ×：導体パターンが損壊したり、ライン幅が一定してい
ない箇所があり、また、シート抵抗値が１．０／□以上
の値である。

【００６７】

【表４】

【００６８】［比較例１〜３］実施例１における工程
（Ｃ）のフラッシュ定着を、ヒートローラーを用いて行
い、表４に示すように定着線圧と定着温度とをそれぞれ
変えて実施した。そして、絶縁化表面処理金属粒子やセ
ラミックグリーンシートの外観を、実施例１と同様に評
価した。結果を表４に示す。

【００６９】［実施例２〜６］実施例１の工程（Ｃ）に
おいて、１６０Ｊのランプ１２本を用いて１回閃光放電
（実施例２）、１６０Ｊのランプ２本を用いて６回閃光
放電（実施例３）、１６０Ｊのランプ４本を用いて３回
閃光放電（実施例４）、１６０Ｊのランプ１本を用いて
１２回閃光放電（実施例５）、および１６０Ｊのランプ
２本を用いて１回閃光放電、続いて１６０Ｊのランプ３
本を用いて２回閃光放電、さらに続いて１６０Ｊのラン
プ４本を用いて１回閃光放電（実施例６）させたほか
は、実施例１と同様に、絶縁化表面処理金属粒子を作製
し、転写した後、セラミックグリーンシート上に定着さ
せて評価した。また、実施例１と同様に、絶縁化表面処
理金属粒子が定着されたセラミックグリーンシートを加
熱して、導体パターンを評価した。それぞれ得られた結
果を表５に示す。

【００７０】

【表５】

【００７１】結果から理解されるように、実施例２にお
いては、導体パターン周囲の絶縁化表面処理金属粒子の
飛散が多く観察された。実施例１においては、実施例２
に比べると飛散やや改善され、実施例３〜６について
は、飛散は観察されなかった。したがって、閃光放電を
複数回に分割することにより、絶縁化表面処理金属粒子
をより効率的に定着させることができ、画像特性を向上
させることができることが確認された。

【００７２】［実施例７〜１０］実施例１におけるセラ
ミックグリーンシートの大きさを一定にして、印字面積
を縦１００ｍｍ×横１００ｍｍと、縦２０ｍｍ×横１０
０ｍｍとにそれぞれ変え、さらに、表５に示すように閃
光放電におけるランプ数と発光回数とを変えたほかは、
実施例１と同様に定着性を評価した。すなわち、絶縁化
表面処理金属粒子を作製して、セラミックグリーンシー
ト上に転写した後、粒子を定着させて評価した。また、
実施例１と同様に、絶縁化表面処理金属粒子が定着され
たセラミックグリーンシートを加熱して、導体パターン
を評価した。それぞれの結果を表６に示す。

【００７３】結果から理解されるように、実施例７およ
び１０においては、安定した定着性能を得られることが
確認された。また、実施例８においては、未定着な部分
があり、やや定着不良が観察された。また、実施例９に
おいては、導体パターンの周囲にやや滲みが観察され
た。したがって、セラミックグリーンシートへの印字面
積、すなわち転写の量に対応させて閃光放電させること
により、絶縁化表面処理金属粒子をより効率的に定着さ
せることができることが確認された。

【００７４】

【表６】

【００７５】［実施例１１〜１４］実施例１の工程
（Ｃ）において、閃光放電に先立ち、予備加熱（６０℃
および９０℃）を行ったほかは、実施例１と同様に定着
性を評価した。すなわち、絶縁化表面処理金属粒子を作
製して、セラミックグリーンシート上に転写した後、粒
子を定着させて評価した。また、実施例１と同様に、絶
縁化表面処理金属粒子が定着されたセラミックグリーン
シートを加熱して、導体パターンを評価した。それぞれ
の結果を表７に示す。

【００７６】結果から理解されるように、実施例２にお
いては、絶縁化表面処理金属粒子のわずかな脱落やセラ
ミックグリーンシートのわずかな変形が観察されたが、
実施例３〜４においては、実施例１と同様に、絶縁化表
面処理金属粒子の脱落やセラミックグリーンシートの変
形は観察されなかった。したがって、閃光放電に先立
ち、予備加熱を行うことにより、絶縁化表面処理金属粒
子をより均一に定着させることができることが確認され
た。

【００７７】

【表７】

【００７８】

【発明の効果】本発明の導体パターンの形成方法におい
て、表面が樹脂で被覆された絶縁化表面処理金属粒子を
使用することにより、この粒子を均一かつ強固にセラミ
ックグリーンシートに対して定着できることができるよ
うになった。したがって、生産性に優れ、高精度の導体
パターンを形成することが可能な導体パターンの形成方
法を提供することができるようになった。

【００７９】また、本発明の導体パターンの形成方法に
おいて、複数回に分割して閃光放電させることにより、
粒子をより均一かつ強固に定着させ、さらに生産性に優
れ、セラミックグリーンシートや導体パターンの変形が
なく、高精度の導体パターンを形成することが可能な導
体パターンの形成方法を提供することができるようにな
った。

【００８０】さらに、本発明の導体パターンの形成方法
において、定着工程において、予備加熱工程を組み合わ
せることにより、定着工程において与える熱エネルギー
を減少させることができ、また、粒子をより均一かつ強
固に定着させ、さらに生産性に優れ、セラミックグリー
ンシートや導体パターンの変形がなく、高精度の導体パ
ターンを形成することが可能な導体パターンの形成方法
を提供することができるようになった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明で用いられる電子写真画像形成装置の構
造例である。

【図２】本発明で用いられる定着装置の構造例である
（その１）。

【図３】本発明で用いられる別の定着装置の構造例であ
る（その２）。

【符号の説明】

１１ 感光体 １３ 帯電部材 １５ 画像信号露光部材 １７ 現像部材 １９ 転写部材 ２１ クリーニングブレード ２３ 全面露光部材 ５０、５２ 定着装置 ５２、７２ フラッシュランプ ５４、７４ 交流電源 ５６、７６ 電気配線 ５８、７８ 反射傘 ６０、８０ 絶縁化表面処理金属粒子 ６２、８２ セラミックグリーンシート

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 向高 寿 三重県度会郡玉城町野篠704−19 京セラ 株式会社三重工場内 (72)発明者 三輪 肇 滋賀県八日市市蛇溝町長谷野1166−６ 京 セラ株式会社滋賀工場内

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記工程（Ａ）〜（Ｄ）を順次に含むこ
   とを特徴とする導体パターンの形成方法。 （Ａ）金属および金属酸化物あるいはいずれか一方を樹
   脂で被覆した絶縁化表面処理金属粒子を用意する工程。 （Ｂ）電子写真法を用いて画像形成を行い、前記絶縁化
   表面処理金属粒子を、形成された画像に対応させてセラ
   ミックグリーンシートに転写する工程。 （Ｃ）閃光放電を用いて加熱することにより、前記絶縁
   化表面処理金属粒子をセラミックグリーンシート上に定
   着させる工程。 （Ｄ）前記絶縁化表面処理金属粒子における金属および
   金属酸化物の融点以上の温度で加熱することにより、導
   体パターンを形成する工程。
2. 【請求項２】 前記工程（Ａ）における絶縁化表面処理
   金属粒子が、金属および金属酸化物の表面で、樹脂用の
   モノマーを直接重合して製造したものである請求項１に
   記載の導体パターンの形成方法。
3. 【請求項３】 前記工程（Ａ）における絶縁化表面処理
   金属粒子の樹脂の融点を、６０〜２００℃の範囲内の値
   とすることを特徴とする請求項１または２に記載の導体
   パターンの形成方法。
4. 【請求項４】 前記工程（Ａ）における絶縁化表面処理
   金属粒子の樹脂が、ポリエチレン系樹脂およびポリプロ
   ピレン系樹脂あるいはいずれか一方であることを特徴と
   する請求項１〜３のいずれか一項に記載の導体パターン
   の形成方法。
5. 【請求項５】 前記工程（Ａ）における絶縁化表面処理
   金属粒子の樹脂が、カーボンブラックを含有することを
   特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の導体パ
   ターンの形成方法。
6. 【請求項６】 前記工程（Ａ）における絶縁化表面処理
   金属粒子の樹脂含有率を４〜２０重量％の範囲内の値と
   することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記
   載の導体パターンの形成方法。
7. 【請求項７】 前記工程（Ａ）における絶縁化表面処理
   金属粒子の平均粒径を、２〜２０μｍの範囲内の値とす
   ることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載
   の導体パターンの形成方法。
8. 【請求項８】 前記工程（Ｃ）における閃光放電の熱エ
   ネルギーを、０．５〜５０Ｊ／ｃｍ² の範囲内の値とす
   ることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載
   の導体パターンの形成方法。
9. 【請求項９】 前記工程（Ｃ）における閃光放電を、複
   数回行うことを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項
   に記載の導体パターンの形成方法。
10. 【請求項１０】 前記工程（Ｃ）における閃光放電を、
    複数の閃光放電装置を用いて行うことを特徴とする請求
    項１〜９のいずれか一項に記載の導体パターンの形成方
    法。
11. 【請求項１１】 前記工程（Ｃ）における閃光放電が、
    異なる熱エネルギーの第１の閃光放電と第２の閃光放電
    とを順次に含み、第２の閃光放電における熱エネルギー
    を、第１の閃光放電における熱エネルギーよりも大きく
    することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に
    記載の導体パターンの形成方法。
12. 【請求項１２】 前記工程（Ｃ）における閃光放電を、
    前記工程（Ｂ）における絶縁化表面処理金属粒子の転写
    量に応じて制御することを特徴とする請求項１〜１１の
    いずれか一項に記載の導体パターンの形成方法。
13. 【請求項１３】 前記工程（Ｃ）において、前記セラミ
    ックグリーンシートを予備加熱した後、前記閃光放電に
    より、前記絶縁化表面処理金属粒子を定着することを特
    徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載の導体パ
    ターンの形成方法。
14. 【請求項１４】 前記工程（Ｃ）における予備加熱によ
    り、セラミックグリーンシートの温度を４０〜９０℃の
    範囲内の値とすることを特徴とする請求項１３に記載の
    導体パターンの形成方法。
15. 【請求項１５】 前記工程（Ｃ）における閃光放電を、
    前記セラミックグリーンシートを静止した状態で行うこ
    とを特徴とする請求項１〜１４のいずれか一項に記載の
    導体パターンの形成方法。