JPH11307911A

JPH11307911A - 導体パターンの形成方法

Info

Publication number: JPH11307911A
Application number: JP11050998A
Authority: JP
Inventors: Hisashi Koudaka; 寿向高; Masaki Ishii; 正記石井
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1998-04-21
Filing date: 1998-04-21
Publication date: 1999-11-05

Abstract

(57)【要約】【課題】電子写真法を用いて、導体パターンにおける
導体抵抗を調節することが可能な導体パターンの形成方
法を提供する。【解決手段】下記工程（Ａ）〜（Ｃ）を順次に含むこ
とを特徴とする導体パターンの形成方法。（Ａ）金属および金属酸化物あるいはいずれか一方を内
包した２種以上の絶縁化表面処理金属粒子を用意する工
程。（Ｂ）電子写真法を用いて画像形成を行い、形成された
画像に対応させて２種以上の絶縁化表面処理金属粒子を
セラミックグリーンシートに転写する工程。（Ｃ）前記セラミックグリーンシートを、前記絶縁化表
面処理金属粒子における金属および金属酸化物の融点以
上の温度で加熱し、導体パターンを形成する工程。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、導体パターンの形
成方法に関する。より詳しくは、電子写真法を用いて、
導体パターンにおける導体抵抗を調節することが可能な
導体パターンの形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、積層コンデンサにおける電極等の
導体パターンを形成する場合、一般に、スクリーン印刷
法を用いて、所定の金属粒を含んだペーストを、セラミ
ック粉末と有機結合剤とからなるセラミックグリーンシ
ート上に塗布することにより、導体パターンを形成して
いた。より具体的には、以下の工程により、導体パター
ンを形成していた。（１）銅、タングステン等の金属粒を含んだ、粘度等を
厳格に調整した導体パターン用ペーストを用意する。（２）スクリーン印刷法を用いて、上記ペーストを導体
パターン状にセラミックグリーンシート上に形成する。（３）上記ペーストが印刷されたセラミックグリーンシ
ートを、所定温度で加熱焼成することにより、導体パタ
ーンを形成する。しかしながら、この方法では生産性（生産効率）に乏し
いばかりか、メッシュ状の網から構成されるスクリーン
を使用するため、次のような問題が見られた。すなわ
ち、いわゆるスクリーンだれが生じるため、印刷精度が
低下して、微細な導体パターンを形成することが困難で
ある。また、所望の導体パターンごとにスクリーンを作
製しなければならず、導体パターンの形成方法として不
経済である。さらには、メッシュにペーストが付着し
て、セラミックグリーンシートにペーストを完全に転写
することが困難であり、材料ロスを生じやすい。

【０００３】そこで、このような問題を解決するため
に、特開昭５９−１８９６１７号公報、同５９−２０２
６８２号公報、同６０−１３７８８６号公報および同６
０−１６０６９０号公報においては、電子写真法によ
り、導体粒子の電極パターンを形成し、これを焼成する
方法が開示されている。具体的には、例えばタングステ
ン粉末と、スチレンアクリル樹脂とを混練して混合物を
作り、その後この混合物を粉砕、分級し、粒子径が１０
〜２０μｍの範囲内の値である印刷用粒子（トナー）を
得、これをキャリアと混合した現像剤を用いて、電子写
真法により、導体パターンを形成するものである。しか
しながら、これらの方法における印刷用粒子は、比抵抗
の値が小さく、電荷がリークしやすいため、電子写真装
置に用いた場合に、高精度の導体パターンを形成するこ
とが困難であるという問題が見られた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、金属種ある
いは金属酸化物種が異なる２種以上の絶縁化表面処理金
属粒子を使用することにより、または、平均粒子径が異
なる２種以上の絶縁化表面処理金属粒子を使用すること
により、または絶縁化表面処理金属粒子の現像電位を調
節することにより、あるいはこれらの組み合わせによ
り、導体パターンにおける導体抵抗を容易に調節するこ
とができることを見出し、本発明を完成させたものであ
る。すなわち、本発明は、導体パターンにおける導体抵
抗を調節することが容易で、しかも、生産性に優れ、高
精度の導体パターンを形成することが可能な導体パター
ンの形成方法を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、導体パターン
の形成方法に関し、下記工程（Ａ）〜（Ｃ）を順次に含
むことを特徴とする（第１の方法と称する。）。（Ａ）金属および金属酸化物あるいはいずれか一方を内
包した２種以上の絶縁化表面処理金属粒子を用意する工
程。（Ｂ）電子写真法を用いて画像形成を行い、形成された
画像に対応させて２種以上の絶縁化表面処理金属粒子を
セラミックグリーンシートに転写する工程。（Ｃ）セラミックグリーンシートを、２種以上の絶縁化
表面処理金属粒子における金属および金属酸化物の融点
以上の温度で加熱し、導体パターンを形成する工程。このように金属種あるいは金属酸化物種が異なる２種以
上の絶縁化表面処理金属粒子を組み合わせて使用するこ
とにより、導体パターンにおける導体抵抗を容易に調節
することが可能である。したがって、所望の抵抗値を得
るのに、少数の絶縁化表面処理金属粒子を組み合わせる
だけで充分であり、種々の抵抗値を有する金属種を内包
した絶縁化表面処理金属粒子を用意する必要がなくな
る。

【０００６】また、本発明の形成方法（第１の方法）を
実施するにあたり、絶縁化表面処理金属粒子における金
属および金属酸化物が、銅、タングステン、ニッケル、
銀、酸化ルテニウム、ルテニウム酸鉛から選ばれる少な
くとも一つであることが好ましい。

【０００７】また、本発明の別な態様は、導体パターン
の形成方法に関し、下記工程（Ｄ）〜（Ｆ）を順次に含
むことを特徴とする（第２の方法と称する。）。（Ｄ）平均粒子径が異なる２種以上の絶縁化表面処理金
属粒子を用意する工程。（Ｅ）電子写真法を用いて画像形成を行い、形成された
画像に対応させて前記２種以上の絶縁化表面処理金属粒
子をセラミックグリーンシートに転写する工程。（Ｆ）前記セラミックグリーンシートを、前記絶縁化表
面処理金属粒子における金属および金属酸化物の融点以
上の温度で加熱し、導体パターンを形成する工程。このように平均粒子径が異なる２種以上の絶縁化表面処
理金属粒子を組み合わせて使用することにより、導体パ
ターンにおける導体抵抗を容易に調節することが可能で
ある。したがって、所望の抵抗値を得るのに、少数の絶
縁化表面処理金属粒子を組み合わせるだけで充分であ
り、種々の抵抗値を有する金属種を内包した絶縁化表面
処理金属粒子を用意する必要がなくなる。

【０００８】また、本発明の形成方法（第２の方法）を
実施するにあたり、平均粒子径が異なる２種以上の絶縁
化表面処理金属粒子を、第１の絶縁化表面処理金属粒子
および第２の絶縁化表面処理金属粒子としたときに、当
該第２の絶縁化表面処理金属粒子の平均粒子径を当該第
１の絶縁化表面処理金属粒子の平均粒子径よりも大きく
し、第２の絶縁化表面処理金属粒子を、第１の絶縁化表
面処理金属粒子よりも先に、セラミックグリーンシート
に転写することが好ましい。

【０００９】また、本発明の形成方法（第２の方法）を
実施するにあたり、第１の絶縁化表面処理金属粒子を、
２〜１０μｍ未満の範囲内の値とし、第２の絶縁化表面
処理金属粒子の平均粒子径を１０〜２０μｍの範囲内の
値とすることが好ましい。

【００１０】また、本発明の別な態様は、導体パターン
の形成方法に関し、下記工程（Ｇ）〜（Ｉ）を順次に含
むことを特徴とする（第３の方法と称する。）。（Ｇ）金属および金属酸化物あるいはいずれか一方を内
包した絶縁化表面処理金属粒子を用意する工程。（Ｈ）電子写真法を用いて画像形成を行い、形成された
画像に対応させて、前記絶縁化表面処理金属粒子を少な
くとも２つの現像電圧を用いてセラミックグリーンシー
トに転写する工程。（Ｉ）前記セラミックグリーンシートを、前記絶縁化表
面処理金属粒子における金属および金属酸化物の融点以
上の温度で加熱し、導体パターンを形成する工程。このように現像電圧を変えることだけで導体パターンに
おける導体抵抗を容易に調節、変更することが可能であ
り、所望の抵抗値を得るのに、種々の抵抗値を有する金
属種を内包した絶縁化表面処理金属粒子を用意する必要
がなくなる。

【００１１】また、本発明の形成方法（第１〜３の方
法）を実施するにあたり、セラミックグリーンシートの
加熱温度を、６００〜２０００℃の範囲内の値とするこ
とが好ましい。

【００１２】また、本発明の形成方法（第１〜３の方
法）を実施するにあたり、電子写真法における絶縁化表
面処理金属粒子の転写を、少なくとも２以上の現像装置
を用いて行うことが好ましい。

【００１３】また、本発明の形成方法（第１〜３の方
法）を実施するにあたり、電子写真法における絶縁化表
面処理金属粒子の転写を、中間転写体および転写ドラム
あるいはいずれか一方を用いて行うことが好ましい。

【００１４】また、本発明の形成方法（第１〜３の方
法）を実施するにあたり、絶縁化表面処理金属粒子の平
均粒子径を２〜２０μｍの範囲内の値とすることが好ま
しい。

【００１５】また、本発明の形成方法（第１〜３の方
法）を実施するにあたり、絶縁化表面処理金属粒子の抵
抗値を１×１０¹²Ω・ｃｍ以上の値とすること好まし
い。

【００１６】また、本発明の形成方法（第１〜３の方
法）を実施するにあたり、絶縁化表面処理金属粒子の絶
縁物含有率を４〜２０重量％の範囲内の値とすることが
好ましい。

【００１７】また、本発明の形成方法（第１〜３の方
法）を実施するにあたり、絶縁化表面処理金属粒子にお
ける絶縁物（表面被覆物）を熱可塑性絶縁物とし、絶縁
化表面処理金属粒子をセラミックグリーンシートに転写
した後、２００℃以下の温度に加熱して熱可塑性絶縁物
を軟化せしめ、セラミックグリーンシート表面に、絶縁
化表面処理金属粒子を固着させることが好ましい。

【００１８】なお、本発明の形成方法を実施するにあた
り、より導体抵抗の調整が容易となる観点から、第１の
方法と第２の方法、第１の方法と第３の方法、第２の方
法と第３の方法、あるいは第１の方法と第２の方法と第
３の方法とを、それぞれ組み合わせることも好ましい。

【００１９】

【発明の実施の形態】［第１の実施の形態］第１の実施
の形態は、第１の方法を実施するための態様であり、下
記工程（Ａ）〜（Ｃ）を順次に含んでいる。

【００２０】（Ａ）金属および金属酸化物あるいはいず
れか一方を内包した、少なくとも２種以上の絶縁化表面
処理金属粒子を用意する工程。ここで、絶縁化表面処理金属粒子に内包される金属およ
び金属酸化物としては、特にその種類は制限されるもの
ではないが、好ましい金属として、銅、タングステン、
ニッケル、銀等を挙げることができる。また、好ましい
金属酸化物として、酸化ルテニウム（ＲｕＯ₂ ）、ルテ
ニウム酸鉛（Ｐｂ₂ Ｒｕ₂ Ｏ_7-n 、ｎはＰｂおよびＲｕ
の価数の合計）等を挙げることができる。

【００２１】次に、上述した金属および金属酸化物を内
包した絶縁化表面処理金属粒子の配合比率について説明
する。金属および金属酸化物を内包した絶縁化表面処理
金属粒子の配合比率については特に制限されるものでは
ないが、一例として、２種の絶縁化表面処理金属粒子
（第１の絶縁化表面処理金属粒子および第２の絶縁化表
面処理金属粒子と称する。）を組み合わせた場合、それ
ぞれ重量比（第１の絶縁化表面処理金属粒子：第２の絶
縁化表面処理金属粒子）で、１：９９〜９９：１の範囲
内の値とするのが好ましい。第１あるいは第２の絶縁化
表面処理金属粒子の重量比が１未満（相対的に、それぞ
れ重量比が９９超）となると、導体パターンにおける導
体抵抗の調整が困難となる傾向があるためである。した
がって、導体パターンにおける導体抵抗の調整がさらに
容易となり、また安定した導体抵抗が得られる観点か
ら、第１の絶縁化表面処理金属粒子：第２の絶縁化表面
処理金属粒子の重量比を、１０：９０〜９０：１０の範
囲内の値とするのがより好ましく、２０：８０〜８０：
２０の範囲内の値とするのがさらに好ましい。

【００２２】次に、金属および金属酸化物を内包した絶
縁化表面処理金属粒子の平均粒子径について説明する。
本発明において、使用する絶縁化表面処理金属粒子の平
均粒子径は特に制限されるものではないが、２〜２０μ
ｍの範囲内の値であることが好ましい。絶縁化表面処理
金属粒子の平均粒子径が２μｍ未満となると、画像特性
において、静電気的な制御が困難となり、いわゆる地が
ぶりが発生しやすくなる傾向があるためである。一方、
絶縁化表面処理金属粒子の平均粒子径が２０μｍを超え
ると、同様に画像特性において、地がぶりが発生しやす
くなる傾向があり、さらには、微細な導体パターンを形
成することが困難となる傾向がある。

【００２３】この点、表１に示すデータをもとにより詳
細に説明する。このデータは、銅をポレオレフィン系樹
脂で内包した絶縁化表面処理金属粒子（抵抗値１×１０
¹³Ω・ｃｍ、絶縁物含有率６重量％）の平均粒子径を、
１〜２５μｍの範囲内で代えて、図１に示す電子写真画
像形成装置を用いて得られたセラミックシート上の導体
パターンについて、画像特性を評価したものである。表
１中、〇印は、いわゆる地ガブリが発生せず、また、線
幅が７０μｍ、スペースが５０μｍである微細な導体パ
ターンが、再現性良く得られたことを示しており、△は
地ガブリが一部発生したか、または再現性良く導体パタ
ーンが得られなかったことを示しており、×は地ガブリ
が発生し、かつ、微細な導体パターンが得られなかった
ことを示している。表１から容易に理解されるように、
絶縁化表面処理金属粒子の平均粒子径が２〜２０μｍの
範囲内の値であれば、ガブリが発生せず、また微細な導
体パターンが再現性良く得られることが確認された。

【００２４】したがって、画像特性におけるがぶりの発
生を抑制し、かつより微細な導体パターンを形成するこ
とが可能となることから、絶縁化表面処理金属粒子の平
均粒子径を、３〜１０μｍの範囲内の値とするのがより
好ましい。なお、絶縁化表面処理金属粒子の平均粒子径
は、光学顕微鏡を介して、画像処理装置を使用して測定
することができる。

【００２５】

【表１】

【００２６】次に、金属および金属酸化物を内包した絶
縁化表面処理金属粒子の抵抗値(比抵抗)について説明す
る。本発明において、使用する絶縁化表面処理金属粒子
の抵抗値は特に制限されるものではないが、１×１０¹²
Ω・ｃｍ以上の値であることが好ましい。絶縁化表面処
理金属粒子の抵抗値が１×１０¹²Ω・ｃｍ未満となる
と、画像特性において、いわゆる地がぶりが発生しやす
くなったり、転写不良が生じる傾向があるためである。

【００２７】この点、表２に示すデータをもとにより詳
細に説明する。このデータは、銅をポレオレフィン系樹
脂で内包した絶縁化表面処理金属粒子（平均粒子径６μ
ｍ、絶縁物含有率６重量％）の比抵抗を、１×１０⁷ 〜
１×１０¹⁴Ω・ｃｍの範囲内で代えて、図１に示す電子
写真画像形成装置を用いて得られたセラミックシート上
の導体パターンについて、画像特性を評価したものであ
る。表２中、〇印は、いわゆる地ガブリが発生せず、ま
た、転写不良が生じていないことを示しており、△は地
ガブリが一部発生したか、または一部転写不良が生じて
いることを示しており、×は地ガブリが発生し、かつ、
転写不良が生じていることを示している。表２から容易
に理解されるように、絶縁化表面処理金属粒子の比抵抗
を、１×１０¹²Ω・ｃｍの値とすれば、確実に地ガブリ
が発生せず、また転写不良が生じないことが確認され
た。

【００２８】したがって、画像特性における地がぶりの
発生を抑制し、かつ転写不良性をより低減することが可
能となることから、絶縁化表面処理金属粒子の抵抗値
（比抵抗）を、１×１０¹³〜１×１０¹⁴Ω・ｃｍの範囲
内の値とするのがより好ましい。なお、絶縁化表面処理
金属粒子の比抵抗（抵抗値）は、以下に示す電気抵抗測
定法により測定することができる。すなわち、まず、下
方に下部電極が設けられたセル中に測定試料としての絶
縁化表面処理金属粒子を収容し、ブレードを用いて測定
試料表面をすり切る。次いで、上部電極を絶縁化表面処
理金属粒子上に乗せた後、この上部電極の上に、１Ｋｇ
の荷重を乗せる。次いで、ＤＣ電源を用いて、測定試料
を挟んで下部電極と上部電極との間に、５００Ｖの印加
電圧を与える。その後、電圧を１分間継続して印加した
後、電極間を流れる電流値の値（Ｉ）を読み取り、下記
式から絶縁化表面処理金属粒子の抵抗値Ｒ（Ω・ｃｍ）
を算出した。Ｒ（Ω・ｃｍ）＝Ｓ／ｌ・Ｒ¹（Ｓ／ｌ＝１０）Ｒ¹（Ω）＝Ｅ（Ｖ）／Ｉ（Ａ）

【００２９】

【表２】

【００３０】次に、金属および金属酸化物を内包した絶
縁化表面処理金属粒子における絶縁物含有率について説
明する。本発明において、使用する絶縁化表面処理金属
粒子の絶縁物含有率は特に制限されるものではないが、
４〜２０重量％の範囲内の値であることが好ましい。絶
縁化表面処理金属粒子における絶縁物含有率が４重量％
未満となると、転写不良が生じる傾向があり、一方、絶
縁物含有率が２０重量％を超えると、加熱した場合に残
留しやすくなり、導体パターンにおける導体抵抗を高く
する傾向があるためである。

【００３１】この点、表３に示すデータをもとにより詳
細に説明する。このデータは、銅をポレオレフィン系樹
脂で内包した絶縁化表面処理金属粒子（平均粒子径６μ
ｍ、抵抗値１×１０¹³Ω・ｃｍ）の絶縁物含有率を、４
〜２０重量％の範囲内で代えて、図１に示す電子写真画
像形成装置を用いて得られたセラミックシート上の導体
パターンについて、導体抵抗を評価したものである。表
３中、〇印は、いわゆる導体抵抗が１×１０^-5Ω・ｃｍ
以下と低く、しかも転写不良が生じていないことを示し
ている。表３から容易に理解されるように、絶縁化表面
処理金属粒子の絶縁物含有率を、４〜２０重量％の範囲
内の値とすれば、導体抵抗は低く、また転写不良が生じ
ないことが確認された。

【００３２】

【表３】

【００３３】したがって、導体抵抗は低く、また転写不
良性をより低減することが可能となることから、絶縁化
表面処理金属粒子の絶縁物含有率を、４〜１５重量％の
範囲内の値とするのがより好ましい。なお、絶縁化表面
処理金属粒子の絶縁物含有率は、ＴＧＡ（熱天秤）を使
用し、絶縁物のみが消失される温度で絶縁化表面処理金
属粒子を一定時間加熱することにより測定することがで
きる。

【００３４】次に、金属および金属酸化物を内包した絶
縁化表面処理金属粒子の作製方法について簡単に説明す
る。当該作製方法は特に制限されるものではないが、金
属および金属酸化物あるいはいずれか一方を内包した状
態で、オレフィン系樹脂等を、気相重合法を用いて、金
属等の表面に直接的に単量体を重合させることにより、
被覆することが好ましい。このようにして得られた絶縁
化表面処理金属粒子は、比抵抗が高く、転写性に優れて
いるという特徴がある。なお、気相重合法における、単
量体の種類、蒸発速度、重合時間等を調節することによ
り、絶縁化表面処理金属粒子の平均粒子径、抵抗値およ
び絶縁物含有率を適宜変更することができる。

【００３５】（Ｂ）電子写真法を用いて画像形成を行
い、形成された画像に対応させて２種以上の絶縁化表面
処理金属粒子をセラミックグリーンシートに転写する工
程。この工程は、図１〜図６に示す電子写真画像形成装置を
用いて実施することが可能である。

【００３６】図１に示す電子写真画像形成装置は、感光
体１１、帯電部材１３、画像信号露光部材１５、転写部
材１９、現像部材１７、クリーニングブレード２１、全
面露光部材２３等から構成されている。したがって、ま
ず、２種以上の絶縁化表面処理金属粒子を、現像部材１
７に収容しておき、次いで、全面露光部材２３を用いて
露光処理した感光体１１を、帯電部材１３を用いて暗下
に全面均一帯電させ、さらに、この感光体１１上に、画
像信号露光部材１５を用いて、所望の導体パターンの静
電潜像を形成することができる。次いで、２種以上の絶
縁化表面処理金属粒子を用いて、静電潜像が形成された
感光体１１を現像し、さらに、感光体１１と転写部材１
９との間に、セラミックグリーンシートを供給すること
により、セラミックグリーンシート上に、２種以上の絶
縁化表面処理金属粒子の現像量あるいはドット密度を調
節しながら転写することができる。なお、絶縁化表面処
理金属粒子の現像量は、現像電位を調節することにより
容易に行うことができるが、その他、感光体の帯電電
位、ドラム線速、現像線速あるいは現像スリーブ回転数
を調節することによっても、微妙な調整を行うことがで
きる。

【００３７】また、図２は、電子写真画像形成装置を簡
略化して示してあるが、図１に示す電子写真画像形成装
置と同様に、セラミックグリーンシート上に、２種以上
の絶縁化表面処理金属粒子を転写することができる。ま
た、図２に示す電子写真画像形成装置は、現像部材３０
の容積（大きさ）を感光体３２等と比較して相対的に大
きくしてある。したがって、この現像部材３０の中に、
種類の異なる絶縁化表面処理金属粒子や、平均粒子径が
異なる絶縁化表面処理金属粒子を容易にしかも大量に収
容することができる。そのため、導体パターンにおける
導体抵抗の調整がさらに容易となり、また、大面積の導
体パターンを形成することが容易となる。

【００３８】また、図３は、中間転写方式と呼ばれる電
子写真画像形成装置であり、構成を簡略化して示してあ
るが、図１に示す電子写真画像形成装置と同様に、電子
写真法を用いて、セラミックグリーンシート上に、２種
以上の絶縁化表面処理金属粒子を転写することができる
構成としてある。但し、図１に示す電子写真画像形成装
置と異なり、図３に示す電子写真画像形成装置には現像
部材が２つ設けてあり、現像部材３６、３８に、それぞ
れ種類の異なる絶縁化表面処理金属粒子を収容すること
ができる。したがって、異なる種類の絶縁化表面処理金
属粒子の現像量をそれぞれ別個に調節して現像すること
ができ、また、異なる種類の絶縁化表面処理金属粒子が
不均一に混合されて、導体パターンの抵抗値が所望の値
から変化する傾向も少なくなる。

【００３９】さらに、図３に示す電子写真画像形成装置
は、感光体４０と、転写ローラ４４との間に、中間転写
体４２が設けてある。したがって、感光体４０から絶縁
化表面処理金属粒子を中間転写体４２に一旦転写し、さ
らにこの中間転写体４２から、図３の矢印Ｂに示すよう
に、セラミックグリーンシートを、中間転写体４２と転
写部材４４との間に供給することにより、２種類の絶縁
化表面処理金属粒子を転写することができる。

【００４０】すなわち、まず、１種類の絶縁化表面処理
金属粒子（例えば、現像部材３６内のもの）を用いて感
光体４０を均一に現像した後、感光体４０から中間転写
体４２に対して絶縁化表面処理金属粒子を転写すること
ができる。次いで、感光体４０に残留している絶縁化表
面処理金属粒子のクリーニングを行った後、別の絶縁化
表面処理金属粒子（例えば、現像部材３８内のもの）を
用いて感光体４０を均一に現像し、さらに感光体４０か
ら中間転写体４２に対してこの絶縁化表面処理金属粒子
を転写することができる。よって、中間転写体４２上に
２種類の絶縁化表面処理金属粒子量を調節しつつ載置す
ることができるため、導体パターンにおける導体抵抗の
調整がさらに容易となる。その他、中間転写体４２を設
けることで、異なる種類の絶縁化表面処理金属粒子にお
ける上下方向の重ね合わせ（積層）も容易となる。

【００４１】また、図４は、転写ドラム方式と呼ばれる
電子写真画像形成装置であり、構成を簡略化して示して
あるが、図１に示す電子写真画像形成装置と同様に、電
子写真法を用いて、セラミックグリーンシート上に、２
種以上の絶縁化表面処理金属粒子を転写することができ
る構成としてある。さらに、図４に示す電子写真画像形
成装置には、図３に示す電子写真画像形成装置と同様
に、２つの現像部材４６、４８が設けてあり、異なる種
類の絶縁化表面処理金属粒子の現像量をそれぞれ別個に
調節して現像することができ、また、異なる種類の絶縁
化表面処理金属粒子が不均一に混合されて、導体パター
ンの抵抗値が所望の値から変化する傾向も少なくなる。

【００４２】但し、図４に示す電子写真画像形成装置に
は、図３に示す電子写真画像形成装置と異なり、中間転
写体が設けられておらず、また、転写ローラの代わり
に、転写ドラム５２が設けてある。したがって、まず、
１種類の絶縁化表面処理金属粒子（例えば、現像部材４
６内のもの）を用いて感光体５０を均一に現像した後、
矢印Ｃで示す方向からセラミックグリーンシートを挿入
し、このセラミックグリーンシート上に、転写ドラム５
２と感光体５０との接点位置（転写位置）において、絶
縁化表面処理金属粒子を感光体５０から転写することが
できる。

【００４３】次いで、このセラミックグリーンシートを
一旦、転写ドラム５２に巻き付けて、回転させることに
より、転写位置に戻す。この点、図４では、セラミック
グリーンシートの回転方向を、矢印Ｃ´で表してある。
次いで、感光体５０に残留している絶縁化表面処理金属
粒子のクリーニングを行った後、別の絶縁化表面処理金
属粒子（例えば、現像部材４８内のもの）を用いて感光
体５０を均一に現像し、さらに感光体５０からセラミッ
クグリーンシート上に、別の絶縁化表面処理金属粒子を
転写することができる。よって、２種類以上の絶縁化表
面処理金属粒子の現像量を調節しつつセラミックグリー
ンシート上に転写することができるため、導体パターン
における導体抵抗の調整がさらに容易となる。その他、
異なる種類の絶縁化表面処理金属粒子における上下方向
の重ね合わせ（積層）も容易となる。

【００４４】また、図５は、再搬送方式と呼ばれる電子
写真画像形成装置であり、構成を簡略化して示してある
が、図１に示す電子写真画像形成装置と同様に、電子写
真法を用いて、セラミックグリーンシート上に、２種以
上の絶縁化表面処理金属粒子を転写することができる構
成としてある。さらに、図５に示す電子写真画像形成装
置には、図４等に示す電子写真画像形成装置と同様に、
２つの現像部材５４、５６が設けてある。したがって、
異なる種類の絶縁化表面処理金属粒子の現像量あるいは
ドット密度をそれぞれ別個に調節して現像することがで
き、また、異なる種類の絶縁化表面処理金属粒子が不均
一に混合されて、導体パターンの抵抗値が所望の値から
変化する傾向も少なくなる。

【００４５】但し、図５に示す電子写真画像形成装置に
は、図４に示す電子写真画像形成装置と異なり、転写ド
ラムの代わりに、再搬送部材６２、６４、６６が設けて
ある。したがって、まず、１種類の絶縁化表面処理金属
粒子を用いて感光体５８を均一に現像した後、感光体５
８からセラミックグリーンシートを挿入し、転写ローラ
６０と感光体５８との接点位置（転写位置）において、
セラミックグリーンシート上に、絶縁化表面処理金属粒
子（例えば、現像部材５４内のもの）を転写することが
できる。次いで、このセラミックグリーンシートを再搬
送部材６２、６４、６６を用いて、図中、矢印Ｄで示す
方向に回転させることにより、転写位置に戻す。なお、
転写位置に戻す前に、絶縁化表面処理金属粒子を仮定着
させておくことも、脱落を容易に防止できることから好
ましい。この仮定着は、例えば、再搬送部材６２を加熱
ローラとすることで実現することができる。次いで、感
光体５８に残留している絶縁化表面処理金属粒子のクリ
ーニングを行った後、別の絶縁化表面処理金属粒子（例
えば、現像部材５６内のもの）を用いて感光体５８を均
一に現像し、さらに感光体５８からセラミックグリーン
シート上に、転写ローラ６０の位置（転写位置）におい
て、別の絶縁化表面処理金属粒子を転写することができ
る。よって、２種類以上の絶縁化表面処理金属粒子の現
像量を調節しつつセラミックグリーンシート上に転写す
ることができるため、導体パターンにおける導体抵抗の
調整がさらに容易となる。その他、異なる種類の絶縁化
表面処理金属粒子における上下方向の重ね合わせ（積
層）も容易となる。

【００４６】また、図６は、タンデム方式と呼ばれる電
子写真画像形成装置であり、構成を簡略化して示してあ
るが、図１に示す電子写真画像形成装置と同様に、電子
写真法を用いて、セラミックグリーンシート上に、２種
以上の絶縁化表面処理金属粒子を転写することができる
構成としてある。さらに、図６に示す電子写真画像形成
装置には、図４等に示す電子写真画像形成装置と同様
に、２つの現像部材６８、７０が設けてあり、異なる種
類の絶縁化表面処理金属粒子の現像量をそれぞれ別個に
調節して現像することができ、また、異なる種類の絶縁
化表面処理金属粒子が不均一に混合されて、導体パター
ンの抵抗値が所望の値から変化する傾向も少なくなる。

【００４７】但し、図６に示す電子写真画像形成装置に
は、図４に示す電子写真画像形成装置と異なり、２つの
感光体７２、７４およびそれに対応した２つの転写ロー
ラ７６、７８が設けてある。したがって、まず、１種類
の絶縁化表面処理金属粒子を用いて感光体６８を均一に
現像した後、セラミックグリーンシートを図中、矢印Ｅ
で示す方向から感光体６５と転写ローラ７６との間に挿
入し、セラミックグリーンシート上に、絶縁化表面処理
金属粒子を転写することができる。次いで、別の絶縁化
表面処理金属粒子を用いて感光体７４を均一に現像した
後、既に絶縁化表面処理金属粒子が転写されたセラミッ
クグリーンシートを、感光体７４と転写ローラ７６との
間に挿入し、このセラミックグリーンシート上に、別の
絶縁化表面処理金属粒子を転写することができる。よっ
て、２種類以上の絶縁化表面処理金属粒子の現像量を調
節しつつセラミックグリーンシート上に転写することが
できるため、導体パターンにおける導体抵抗の調整がさ
らに容易となる。その他、異なる種類の絶縁化表面処理
金属粒子における上下方向の重ね合わせ（積層）も容易
となる。また、感光体の綿密なクリーニングが不要とな
るため、２種類以上の絶縁化表面処理金属粒子を、さら
に効率よくセラミックグリーンシート上に転写すること
ができる。

【００４８】（Ｃ）セラミックグリーンシートを、絶縁
化表面処理金属粒子における金属および金属酸化物の融
点以上の温度で加熱し、導体パターンを形成する工程。焼結炉（オーブン）等を用いて、絶縁化表面処理金属粒
子が転写されたセラミックグリーンシートを加熱するこ
とにより、セラミックを焼結するとともに、絶縁化表面
処理金属粒子の被覆絶縁材料を加熱蒸発させつつ、粒子
状の金属および金属酸化物を溶融させて、平板状の導体
パターンを形成する工程である。

【００４９】ここで、セラミックグリーンシート等の加
熱温度は、絶縁化表面処理金属粒子における金属および
金属酸化物の融点以上の温度であれば特に制限されるも
のではないが、一例として金属種が銅の場合、還元雰囲
気中、８００〜８５０℃の範囲内の温度で加熱すること
が好ましい。また、金属種がタングテスンの場合、還元
雰囲気中、１６００〜１７００℃の範囲内の温度で加熱
することが好ましい。それぞれ、このような温度範囲お
よび雰囲気で加熱することにより、金属等が酸化するこ
となく適度に融解して、均一形状の導体パターンを容易
に形成することができる。

【００５０】［第２の実施の形態］第２の実施の形態
は、第２の方法を実施するための態様であり、下記工程
（Ｄ）〜（Ｆ）を順次に含んでいる。

【００５１】（Ｄ）平均粒子径が異なる、少なくとも２
種以上の絶縁化表面処理金属粒子を用意する工程。第２の実施の形態においても、第１の実施の形態で既に
説明したような抵抗値や絶縁物含有率の値を有する絶縁
化表面処理金属粒子を使用することができる。したがっ
て、平均粒子径が異なっていれば、絶縁化表面処理金属
粒子に内包される金属や金属酸化物の種類等は特に制限
させるものではない。

【００５２】また、具体的な平均粒子径の値は特に制限
されるものではないが、平均粒子径が異なる２種類の絶
縁化表面処理金属粒子を、第１の絶縁化表面処理金属粒
子および第２の絶縁化表面処理金属粒子としたときに、
第１の絶縁化表面処理金属粒子の平均粒子径を２〜１０
μｍ未満の範囲内の値とし、第２の絶縁化表面処理金属
粒子の平均粒子径を１０〜２０μｍの範囲内の値とする
ことが好ましい。それぞれの平均粒子径をこのような範
囲内の値とすることにより、導体パターンの導体抵抗の
調節がより容易となる。なお、平均粒子径が異なる絶縁
化表面処理金属粒子の種類は、２種類に限られるもので
なく、３種類であっても、あるいは４種類以上であって
も良い。

【００５３】（Ｅ）電子写真法を用いて画像形成を行
い、形成された画像に対応させて絶縁化表面処理金属粒
子をセラミックグリーンシートに転写する工程。第２の実施の形態においても、第１の実施の形態で説明
したように、図１〜図６に示す電子写真画像形成装置を
用いて絶縁化表面処理金属粒子をセラミックグリーンシ
ートに転写することが可能である。

【００５４】例えば、図１に示す電子写真画像形成装置
における現像部材１７に、平均粒子径が異なる２種以上
の絶縁化表面処理金属粒子を、収容しておき、全面露光
部材２３を用いて露光処理した感光体１１を、帯電部材
１３を用いて暗下に全面均一帯電させ、さらに、この感
光体１１上に、画像信号露光部材１５を用いて、所望の
導体パターンの静電潜像を形成する。次いで、平均粒子
径が異なる２種以上の絶縁化表面処理金属粒子を用い
て、静電潜像が形成された感光体１１を現像し、さら
に、感光体１１と転写部材１９との間に、セラミックグ
リーンシートを供給することにより、セラミックグリー
ンシート上に、２種以上の絶縁化表面処理金属粒子の現
像量あるいはドット密度を調節しながら転写することが
できる。

【００５５】また、第２の実施の形態において、平均粒
子径が異なる２種類の絶縁化表面処理金属粒子を、第１
の絶縁化表面処理金属粒子および第２の絶縁化表面処理
金属粒子としたときに、平均粒子径が大きい第２の絶縁
化表面処理金属粒子を、平均粒子径が小さい第１の絶縁
化表面処理金属粒子よりも先に、セラミックグリーンシ
ートに転写することが好ましい。このようにすると、平
均粒子径が大きい第２の絶縁化表面処理金属粒子に間
に、平均粒子径が小さい絶縁化表面処理金属粒子が容易
に入り込んで、緻密な導体パターンとすることができ
る。また、導体パターンの導体抵抗の調節もより容易と
なる。

【００５６】（Ｆ）前記セラミックグリーンシートを、
絶縁化表面処理金属粒子における金属および金属酸化物
の融点以上の温度で加熱し、導体パターンを形成する工
程。第２の実施の形態においても、第１の実施の形態で説明
したように、焼結炉（オーブン）等を用いて導体パター
ンを形成するこができる。すなわち、絶縁化表面処理金
属粒子が転写されたセラミックグリーンシートを加熱す
ることにより、セラミックを焼結するとともに、絶縁化
表面処理金属粒子の被覆絶縁材料を加熱蒸発させつつ、
粒子状の金属および金属酸化物を溶融させて、平板状の
導体パターンを形成することができる。

【００５７】［第３の実施の形態］第３の実施の形態
は、第３の方法を実施するための態様であり、下記工程
（Ｇ）〜（Ｉ）を順次に含んでいる。

【００５８】（Ｇ）金属および金属酸化物あるいはいず
れか一方を内包した絶縁化表面処理金属粒子を用意する
工程。第３の実施の形態においても、第１および第２の実施の
形態で説明したような平均粒子径や抵抗値を有する絶縁
化表面処理金属粒子を使用することができる。

【００５９】（Ｈ）電子写真法を用いて画像形成を行
い、形成された画像に対応させて、前記絶縁化表面処理
金属粒子を少なくとも２つの現像電圧を用いてセラミッ
クグリーンシートに転写する工程。第３の実施の形態においても、第１の実施の形態で説明
したように、図１〜図６に示す電子写真画像形成装置を
用いて絶縁化表面処理金属粒子をセラミックグリーンシ
ートに転写することが可能である。但し、現像部材が２
つ設けてある電子写真画像形成装置を用い、１種類の絶
縁化表面処理金属粒子を使用する場合には、２つの現像
部材のうちいずれか一方のみを用いても良く、あるい
は、２つの現像部材に同一の絶縁化表面処理金属粒子を
収容しても良い。

【００６０】例えば、図１に示す電子写真画像形成装置
における現像部材１７に、１種類の絶縁化表面処理金属
粒子を収容しておき、全面露光部材２３を用いて露光処
理した感光体１１を、帯電部材１３を用いて暗下に全面
均一帯電させ、さらに、この感光体１１上に、画像信号
露光部材１５を用いて、所望の導体パターンの静電潜像
を形成する。次いで、絶縁化表面処理金属粒子を用い
て、静電潜像が形成された感光体１１を、現像電位を調
節（変化）させて現像し、さらに、感光体１１と転写部
材１９との間に、セラミックグリーンシートを供給する
ことにより、セラミックグリーンシート上に、絶縁化表
面処理金属粒子の現像量を調節しながら転写することが
できる。具体的に、最終的に得られる導体パターンの導
体抵抗をより小さくする場合には、現像電位を高くし
て、絶縁化表面処理金属粒子の現像量を増やすことによ
り達成することができる。一方、最終的に得られる導体
パターンの導体抵抗をより高くする場合には、現像電位
を低くして、絶縁化表面処理金属粒子の現像量を減少さ
せることにより達成することができる。

【００６１】なお、第１の実施の形態で既に説明したよ
うに、絶縁化表面処理金属粒子の現像量は、感光体の帯
電電位、ドラム線速、現像線速あるいは現像スリーブ回
転数を調節することによっても、さらに微妙に変えるこ
とができる。

【００６２】（Ｉ）セラミックグリーンシートを、絶縁
化表面処理金属粒子における金属および金属酸化物の融
点以上の温度で加熱し、導体パターンを形成する工程。第３の実施の形態においても、第１および第２の実施の
形態で説明したように、焼結炉（オーブン）等を用い
て、セラミックグリーンシートを加熱することにより、
所望の導体パターンを形成することができる。

【００６３】

【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
する。なお、以下の説明は、本発明の一例を示すのみで
あり、言うまでもないが、本発明は、以下の説明に限定
されるものではない。

【００６４】［実施例１〜６］（１）絶縁化表面処理金属粒子を用意する工程ルテニウム酸鉛を内包した状態で、ポリエチレン系樹脂
を、粒子全体量に対して６重量％の割合となるように表
面に被覆し、平均粒子径が６μｍであり、比抵抗が１．
０×１０¹²（Ω・ｃｍ）である絶縁化表面処理金属粒子
を作製した。なお、気相重合法を用い、ルテニウム酸鉛
の表面にポリエチレン系単量体を重合させることによ
り、所定の厚さにポリエチレン系樹脂を被覆して、上記
比抵抗の値に調節した。

【００６５】（２）絶縁化表面処理金属粒子をセラミッ
クグリーンシートに転写する工程得られた絶縁化表面処理金属粒子を、図１に示す電子写
真画像形成装置における現像部材１７に収容した。な
お、現像部材１７には、絶縁化表面処理金属粒子のほか
に、平均粒子径が７０μｍのフェライト粒子を、現像剤
の全体量に対して９２重量％となるように収容した。次
いで、全面露光部材２３を用いて露光処理した感光体１
１を、帯電部材１３を用いて暗下に、３５０Ｖの電位に
全面均一帯電し、さらに、この感光体１１上に、画像信
号露光部材１５を用いて、所望の導体パターンの静電潜
像を形成した。その際、感光体ドラム線速は、一例とし
て、６０ｍｍ／秒の値とした。次いで、絶縁化表面処理
金属粒子を、感光体１１に対して現像電位が６０Ｖの条
件で導体パターン状に現像処理した。その際、現像線速
は、一例として、１２０ｍｍ／秒の値とした。さらに、
感光体１１と転写部材１９との間に、セラミックグリー
ンシートを供給し、このセラミックグリーンシート上
に、感光体１１から絶縁化表面処理金属粒子を転写し
た。

【００６６】また、実施例２〜６においては、実施例１
における６０Ｖの現像電位を、それぞれ８０Ｖ（実施例
２）、１００Ｖ（実施例３）、１２０Ｖ（実施例４）、
１４０Ｖ（実施例５）および１６０Ｖ（実施例６）に代
えて、絶縁化表面処理金属粒子を、感光体１１に対して
現像処理し、その後、セラミックグリーンシート上に、
絶縁化表面処理金属粒子を転写した。

【００６７】（３）セラミックグリーンシートを加熱す
る工程得られた６種類のセラミックグリーンシートを、焼結炉
を用いて、還元雰囲気（窒素）中で、温度８００℃、１
時間の条件でそれぞれ加熱し、セラミックグリーンシー
トを焼成するとともに、ルテニウム酸鉛を溶融させて、
導体パターン（ライン幅：７０μｍ、ライン間スペー
ス：７０μｍ、導体厚さ２０μｍ）を形成した。なお、
絶縁化表面処理金属粒子表面を被覆していたポリエチレ
ン系樹脂は、このような条件で加熱されることにより、
完全に消失していることが別途確認されている。

【００６８】（４）導体パターンの抵抗値測定得られた６種類の導体パターンにつき、抵抗測定装置を
用いて抵抗値（シート抵抗）を測定した。結果を、表４
および図７に示す。図７は、横軸に現像電位（Ｖ）を採
って示してあり、縦軸に測定抵抗値をシート抵抗（Ω／
□）として対数で採って示してある。図７の結果から容
易に理解されるように、現像電位を６０〜１６０（Ｖ）
に変化させると、ルテニウム酸鉛からなる導体パターン
のシート抵抗が対数的に逆比例して低下する傾向が見ら
れた。したがって、ルテニウム酸鉛を内包した絶縁化表
面処理金属粒子を用いた場合、現像電位をわずかに変化
させることで、幅広い範囲内で所望のシート抵抗が得ら
れることが確認された。

【００６９】［実施例７〜１２］（１）絶縁化表面処理金属粒子を用意する工程実施例１におけるルテニウム酸鉛の代わりに、実施例１
と同様に、ルテニウム酸を内包した状態で、ポリエチレ
ン系樹脂を、粒子全体量に対して６重量％の割合となる
ように表面に被覆し、平均粒子径が６μｍであり、比抵
抗が１．０×１０¹²（Ω・ｃｍ）である絶縁化表面処理
金属粒子を作製した。

【００７０】（２）絶縁化表面処理金属粒子をセラミッ
クグリーンシートに転写する工程得られた絶縁化表面処理金属粒子を、実施例１と同様
に、図１に示す電子写真画像形成装置１０における現像
部材１７に、フェライト粒子からなるキャリアとともに
収容し、次いで、全面露光部材２３を用いて露光処理し
た感光体１１を、帯電部材１３を用いて暗下に、３５０
Ｖの電位に全面均一帯電し、さらに、この感光体１１上
に、画像信号露光部材１５を用いて、所望の導体パター
ンの静電潜像を形成した。次いで、実施例１〜６と同様
に、それぞれ絶縁化表面処理金属粒子を、感光体１１に
対して現像電位が６０Ｖ〜１６０Ｖの条件で現像処理
し、さらに、感光体１１と転写部材１９との間に、セラ
ミックグリーンシートを供給して、絶縁化表面処理金属
粒子を転写した。

【００７１】（３）セラミックグリーンシートを加熱す
る工程得られた６種類のセラミックグリーンシートを、実施例
１〜６と同様に、焼結炉を用いて、還元雰囲気（窒素）
中で、温度８００℃、１時間の条件でそれぞれ加熱し、
セラミックグリーンシートを焼成するとともに、ルテニ
ウム酸を溶融させて、導体パターンを形成した。なお、
絶縁化表面処理金属粒子表面を被覆していたポリエチレ
ン系樹脂は、このような条件で加熱されることにより、
完全に消失していることが別途確認されている。

【００７２】（４）導体パターンの抵抗値測定得られた６種類の導体パターンにつき、抵抗測定装置を
用いて抵抗値（シート抵抗）を測定した。結果を、表４
および図７に示す。図７の結果から容易に理解されるよ
うに、現像電位（Ｖ）を６０〜１６０（Ｖ）に変化させ
ると、ルテニウム酸鉛からなる導体パターンのシート抵
抗が対数的に、緩やかな曲線を描いて低下する傾向が見
られた。したがって、ルテニウム酸を内包した絶縁化表
面処理金属粒子を用いた場合、現像電位（Ｖ）を変化さ
せることで、幅広い範囲内で、所望のシート抵抗が得ら
れることが確認された。

【００７３】［実施例１３〜３２］（１）絶縁化表面処理金属粒子を用意する工程実施例１と同様に、ルテニウム酸鉛を内包した状態で、
ポリエチレン系樹脂を、粒子全体量に対して６重量％の
割合となるように表面に被覆し、平均粒子径が６μｍで
あり、比抵抗が１．０×１０¹²（Ω・ｃｍ）である絶縁
化表面処理金属粒子を作製した。また、実施例２と同様
に、ルテニウム酸を内包した状態で、ポリエチレン系樹
脂を、粒子全体量に対して６重量％の割合となるように
表面に被覆し、平均粒子径が６μｍであり、比抵抗が
１．０×１０¹²（Ω・ｃｍ）である絶縁化表面処理金属
粒子を作製した。

【００７４】（２）絶縁化表面処理金属粒子をセラミッ
クグリーンシートに転写する工程得られた２種類の絶縁化表面処理金属粒子のうち、ルテ
ニウム酸鉛を内包した絶縁化表面処理金属粒子を図３に
示す電子写真画像形成装置における現像部材３６に、フ
ェライト粒子からなるキャリアとともに収容し、ルテニ
ウム酸を内包した絶縁化表面処理金属粒子を現像部材３
８にフェライト粒子からなるキャリアとともに収容し
た。なお、図３に示す電子写真画像形成装置は、電子写
真画像形成装置を簡略化して示してあり、図１に示す帯
電部材１３、画像信号露光部材１５、クリーニングブレ
ード２１、全面露光部材２３等は省略してある。

【００７５】次いで、実施例１と同様に、全面露光部材
２３を用いて露光処理した感光体１１を、帯電部材１３
を用いて暗下に、３５０Ｖの電位に全面均一帯電し、さ
らに、この感光体１１上に、画像信号露光部材１５を用
いて、所望の導体パターンの静電潜像を形成した。次い
で、ルテニウム酸鉛を内包した絶縁化表面処理金属粒子
を用いて感光体４０を均一に現像した後、感光体４０か
ら中間転写体４２に対して絶縁化表面処理金属粒子を転
写した。次いで、感光体４０に残留している絶縁化表面
処理金属粒子のクリーニングを行った後、ルテニウム酸
を内包した絶縁化表面処理金属粒子を用いて感光体４０
を均一に現像し、さらに感光体４０から中間転写体４２
に対した。したがって、実施例１３〜３２においては、
感光体４０から絶縁化表面処理金属粒子をそれぞれ中間
転写体４２に一旦転写し、さらにこの中間転写体４２か
ら、セラミックグリーンシートに最終的に転写した。す
なわち、図３の矢印Ｂに示すように、セラミックグリー
ンシートを、中間転写体４２と転写部材４４との間に供
給して、２種類の絶縁化表面処理金属粒子をそれぞれ転
写した。なお、ルテニウム酸鉛を内包した絶縁化表面処
理金属粒子およびルテニウム酸を内包した絶縁化表面処
理金属粒子は、それぞれ表１に示す現像電位で以て、現
像処理した。よって、このように２種類の絶縁化表面処
理金属粒子を現像し、中間転写体４２上に２種類の絶縁
化表面処理金属粒子量あるいはドット密度を調節しつつ
載置することができるため、導体パターンにおける導体
抵抗の調整がさらに容易となる。その他、中間転写体４
２を設けることで、異なる種類の絶縁化表面処理金属粒
子における上下方向の重ね合わせ（積層）も容易とな
る。

【００７６】（３）セラミックグリーンシートを加熱す
る工程得られた２０種類のセラミックグリーンシートを、実施
例１〜６と同様に、焼結炉を用いて、還元雰囲気（窒
素）中で、温度８００℃、１時間の条件でそれぞれ加熱
し、セラミックグリーンシートを焼成するとともに、ル
テニウム酸を溶融させて、導体パターンを形成した。な
お、絶縁化表面処理金属粒子表面を被覆していたポリエ
チレン系樹脂は、加熱することにより、完全に消失して
いることがそれぞれ確認された。

【００７７】（４）導体パターンの抵抗値測定得られた２０種類の導体パターンにつき、抵抗測定装置
を用いて抵抗値（シート抵抗）を測定した。結果を、表
５および図８に示す。図８は一部の結果を抜粋して示し
ており、横軸にルテニウム酸鉛を内包した絶縁化表面処
理金属粒子を現像する際の、現像電位（Ｖ）を採って示
してあり、縦軸には測定抵抗値をシート抵抗（Ω／□）
として対数で採って示してある。また、４本の曲線は、
上方から、ルテニウム酸を内包した絶縁化表面処理金属
粒子を現像する際の現像電位が、それぞれ６０Ｖ、１０
０Ｖ、１４０Ｖおよび１６０Ｖの場合である。

【００７８】図８の結果から容易に理解されるように、
ルテニウム酸を内包した絶縁化表面処理金属粒子を現像
する際の現像電位が１６０Ｖの場合に、現像電位を６０
〜１６０（Ｖ）に変化させると、ルテニウム酸鉛からな
る導体パターンのシート抵抗が対数的に、緩やかな曲線
を描いて低下する傾向が見られた。すなわち、ルテニウ
ム酸を内包した絶縁化表面処理金属粒子を比較的高電位
で現像し、さらにルテニウム酸鉛を内包した絶縁化表面
処理金属粒子を現像する電位を微妙に変化させることに
より、所望の導体パターンの導体抵抗（シート抵抗）が
容易に得られることが確認された。

【００７９】一方、ルテニウム酸を内包した絶縁化表面
処理金属粒子を現像する際の現像電位が６０Ｖの場合
に、現像電位を６０〜１６０（Ｖ）に変化させても、シ
ート抵抗の値はほとんど変化しないことが確認された。
すなわち、ルテニウム酸を内包した絶縁化表面処理金属
粒子を低電位で現像することにより、ルテニウム酸鉛を
内包した絶縁化表面処理金属粒子を現像する電位が多少
変化しても、導体パターンにおいて一定のシート抵抗
値、この場合、１．４×１０^-3Ω・ｃｍというシート抵
抗が得られることが確認された。

【００８０】以上のことより、ルテニウム酸鉛を内包し
た絶縁化表面処理金属粒子を現像する際の現像電位と、
ルテニウム酸を内包した絶縁化表面処理金属粒子を現像
する際の現像電位とを、適宜変更することにより、極め
て容易に、しかも安定して所定のシート抵抗を得ること
ができる。

【００８１】

【表４】

【００８２】

【表５】

【００８３】

【発明の効果】本発明の導体パターンの形成方法におい
て、金属種あるいは金属酸化物種が異なる２種以上の絶
縁化表面処理金属粒子を使用することにより、または、
平均粒子径が異なる２種以上の絶縁化表面処理金属粒子
を使用することにより、または絶縁化表面処理金属粒子
の現像電位を調節することにより、あるいはこれらの組
み合わせにより、導体パターンにおける導体抵抗（シー
ト抵抗）を調節することが容易で、しかも生産性に優
れ、高精度の導体パターンを形成することが可能な導体
パターンの形成方法を提供することが可能となった。

【００８４】また、絶縁化表面処理金属粒子における絶
縁物（表面被覆物）として、ポリエチレン等のポレオレ
フィン樹脂に代表される熱可塑性絶縁物を用い、この絶
縁化表面処理金属粒子をセラミックグリーンシートに転
写した後、セラミックグリーンシートを絶縁化表面処理
金属粒子の融点以上の温度で加熱する前に、セラミック
グリーンシートを２００℃以下の温度に加熱して熱可塑
性絶縁物を軟化させて、セラミックグリーンシートと絶
縁化表面処理金属粒子とを固着させる工程を挿入するこ
とにより、高温加熱処理前に、絶縁化表面処理金属粒子
の位置を固定することができる。したがって、より高精
度で、しかも所望の導体抵抗（シート抵抗）を有する導
体パターンを形成することが可能な導体パターンの形成
方法を提供することが可能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明で用いられる電子写真画像形成装置の構
造例である（その１）。

【図２】本発明で用いられる別の電子写真画像形成装置
の構造例である（その２）。

【図３】本発明で用いられる別の電子写真画像形成装置
の構造例である（その３）。

【図４】本発明で用いられる別の電子写真画像形成装置
の構造例である（その４）。

【図５】本発明で用いられる別の電子写真画像形成装置
の構造例である（その５）。

【図６】本発明で用いられる別の電子写真画像形成装置
の構造例である（その６）。

【図７】１種類の絶縁化表面処理金属粒子から形成され
た導体パターンにおける現像電位と、抵抗値（シート抵
抗）との関係を示す図である。

【図８】２種類の絶縁化表面処理金属粒子から形成され
た導体パターンにおける現像電位と、抵抗値（シート抵
抗）との関係を示す図である。

【符号の説明】

１１、３２、４０、５０感光体１３帯電部材１５画像信号露光部材１７、３０、３６、３８、４６、４８、５４、５６、６
８、７０現像部材１９、３４、４４、６０、７６、７８転写部材２１クリーニングブレード２３全面露光部材４２中間転写体５２転写ドラム２３全面露光部材６２、６４、６６再搬送部材

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【手続補正書】

【提出日】平成１０年５月２６日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１０】また、本発明の別な態様は、導体パターン
の形成方法に関し、下記工程（Ｇ）〜（Ｉ）を順次に含
むことを特徴とする（第３の方法と称する。）。（Ｇ）金属および金属酸化物あるいはいずれか一方を内
包した絶縁化表面処理金属粒子を用意する工程。（Ｈ）電子写真法を用いて画像形成を行い、前記絶縁化
表面処理金属粒子を少なくとも２つの現像電圧を用いて
形成した画像に対応させて、セラミックグリーンシート
に転写する工程。（Ｉ）前記セラミックグリーンシートを、前記絶縁化表
面処理金属粒子における金属および金属酸化物の融点以
上の温度で加熱し、導体パターンを形成する工程。このように現像電圧を変えることだけで導体パターンに
おける導体抵抗を容易に調節、変更することが可能であ
り、所望の抵抗値を得るのに、種々の抵抗値を有する金
属種を内包した絶縁化表面処理金属粒子を用意する必要
がなくなる。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１２

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１２】また、本発明の形成方法（第１〜３の方
法）を実施するにあたり、電子写真法における絶縁化表
面処理金属粒子の転写を、少なくとも２以上の現像装置
を用いて形成した像に対応させて行うことが好ましい。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５９

【補正方法】変更

【補正内容】

【００５９】（Ｈ）電子写真法を用いて画像形成を行
い、前記絶縁化表面処理金属粒子を少なくとも２つの現
像電圧を用いて形成した画像に対応させて、セラミック
グリーンシートに転写する工程。第３の実施の形態においても、第１の実施の形態で説明
したように、図１〜図６に示す電子写真画像形成装置を
用いて絶縁化表面処理金属粒子をセラミックグリーンシ
ートに転写することが可能である。但し、現像部材が２
つ設けてある電子写真画像形成装置を用い、１種類の絶
縁化表面処理金属粒子を使用する場合には、２つの現像
部材のうちいずれか一方のみを用いても良く、あるい
は、２つの現像部材に同一の絶縁化表面処理金属粒子を
収容しても良い。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下記工程（Ａ）〜（Ｃ）を順次に含むこ
とを特徴とする導体パターンの形成方法。（Ａ）金属および金属酸化物あるいはいずれか一方を内
包した２種以上の絶縁化表面処理金属粒子を用意する工
程。（Ｂ）電子写真法を用いて画像形成を行い、形成された
画像に対応させて２種以上の絶縁化表面処理金属粒子を
セラミックグリーンシートに転写する工程。（Ｃ）前記セラミックグリーンシートを、前記絶縁化表
面処理金属粒子における金属および金属酸化物の融点以
上の温度で加熱し、導体パターンを形成する工程。
【請求項２】前記絶縁化表面処理金属粒子における金
属および金属酸化物が、銅、タングステン、ニッケル、
銀、酸化ルテニウム、ルテニウム酸鉛から選ばれる少な
くとも一つであることを特徴とする請求項１に記載の導
体パターンの形成方法。
【請求項３】下記工程（Ｄ）〜（Ｆ）を順次に含むこ
とを特徴とする導体パターンの形成方法。（Ｄ）平均粒子径が異なる２種以上の絶縁化表面処理金
属粒子を用意する工程。（Ｅ）電子写真法を用いて画像形成を行い、形成された
画像に対応させて前記２種以上の絶縁化表面処理金属粒
子をセラミックグリーンシートに転写する工程。（Ｆ）前記セラミックグリーンシートを、前記絶縁化表
面処理金属粒子における金属および金属酸化物の融点以
上の温度で加熱し、導体パターンを形成する工程。
【請求項４】前記平均粒子径が異なる２種以上の絶縁
化表面処理金属粒子を、第１の絶縁化表面処理金属粒子
および第２の絶縁化表面処理金属粒子としたときに、当
該第２の絶縁化表面処理金属粒子の平均粒子径を当該第
１の絶縁化表面処理金属粒子の平均粒子径よりも大きく
し、前記第２の絶縁化表面処理金属粒子を、前記第１の
絶縁化表面処理金属粒子よりも先に、セラミックグリー
ンシートに転写することを特徴とする請求項３に記載の
導体パターンの形成方法。
【請求項５】前記第１の絶縁化表面処理金属粒子を、
２〜１０μｍ未満の範囲内の値とし、前記第２の絶縁化
表面処理金属粒子の平均粒子径を１０〜２０μｍの範囲
内の値とすることを特徴とする請求項４に記載の導体パ
ターンの形成方法。
【請求項６】下記工程（Ｇ）〜（Ｉ）を順次に含むこ
とを特徴とする導体パターンの形成方法。（Ｇ）金属および金属酸化物あるいはいずれか一方を内
包した絶縁化表面処理金属粒子を用意する工程。（Ｈ）電子写真法を用いて画像形成を行い、形成された
画像に対応させて、前記絶縁化表面処理金属粒子を少な
くとも２つの現像電圧を用いてセラミックグリーンシー
トに転写する工程。（Ｉ）前記セラミックグリーンシートを、絶縁化表面処
理金属粒子における金属および金属酸化物の融点以上の
温度で加熱し、導体パターンを形成する工程。
【請求項７】前記セラミックグリーンシートの加熱温
度を、６００〜２０００℃の範囲内の値とすることを特
徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の導体パタ
ーンの形成方法。
【請求項８】前記電子写真法における絶縁化表面処理
金属粒子の転写を、少なくとも２以上の現像装置を用い
て行うことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に
記載の導体パターンの形成方法。
【請求項９】前記電子写真法における絶縁化表面処理
金属粒子の転写を、中間転写体および転写ドラムあるい
はいずれか一方を用いて行うことを特徴とする請求項１
〜８のいずれか１項に記載の導体パターンの形成方法。
【請求項１０】前記絶縁化表面処理金属粒子の平均粒
子径を２〜２０μｍの範囲内の値とすることを特徴とす
る請求項１〜９のいずれか１項に記載の導体パターンの
形成方法。
【請求項１１】前記絶縁化表面処理金属粒子の抵抗値
を１×１０¹²Ω・ｃｍ以上の値とすることを特徴とする
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の導体パターンの
形成方法。
【請求項１２】前記絶縁化表面処理金属粒子の絶縁物
含有率を４〜２０重量％の範囲内の値とすることを特徴
とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の導体パタ
ーンの形成方法。
【請求項１３】前記絶縁化表面処理金属粒子における
絶縁物を熱可塑性絶縁物とし、前記絶縁化表面処理金属
粒子をセラミックグリーンシートに転写した後、２００
℃以下の温度に加熱して熱可塑性絶縁物を軟化せしめ、
前記セラミックグリーンシート表面に、前記絶縁化表面
処理金属粒子を固着させることを特徴とする請求項１〜
１２のいずれか１項に記載の導体パターンの形成方法。