JPH11340407A - 樹脂パッケージ型半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ハンダリフローの手法を用いて回路基板など
に半導体装置を実装する場合に、樹脂パッケージ内でワ
イヤが断線してしまわないようにする。 【解決手段】 ダイボンディング領域１ａを有する第１
内部リード１０と、半導体チップ３とワイヤＷを介して
接続されるワイヤボンディング領域２ａを有する第２内
部リード２０と、半導体チップ３およびワイヤＷを封入
する樹脂パッケージ４と、第１内部リード１０に連続し
て樹脂パッケージ４の外部に設けられる第１外部リード
１１と、樹脂パッケージ４における第１外部リード１１
の反対側に設けられる第２外部リード２１とを備えた半
導体装置Ｘにおいて、第１内部リード１０と第２内部リ
ード２０とを平行状とするとともに各ボンディング領域
１ａ，２ａを各内部リード１０，２０が延びる方向と交
差する方向に対向させた。また、半導体チップ３におけ
るワイヤＷとの接続部位に対して第２内部リード２０に
おけるワイヤＷとの接続部位を第１外部リード１１側に
相対的に変移させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本願発明は、面実装可能とさ
れた樹脂パッケージ型半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より採用されている樹脂パッケージ
型の半導体装置の一例を図６および図７に示す。この半
導体装置Ｘは、金属板を打ち抜き形成することによって
得られるリードフレームから製造された、いわゆるフレ
ームタイプの半導体装置Ｘとして構成されたものであ
る。具体的には、それぞれの一端部１ａ，２ａどうしが
対峙するようにして一対のリード端子１，２が設けられ
ており、一方のリード端子１の一端部１ａには半導体チ
ップ３が実装されている一方、この半導体チップ３の上
面３０と他方のリード端子２の一端部２ａとがワイヤＷ
を介して電気的に導通されている。そして、上記半導体
チップ３およびワイヤＷを封入するようにしてエポキシ
樹脂などによって樹脂パッケージ４が形成されており、
上記各リード端子１，２のうちの樹脂パッケージ４に封
入された部位がそれぞれ内部リード１０，２０とされて
いる。一方、上記各リード端子１，２のうちの上記樹脂
パッケージ４から外部に延出する部位は、それぞれ屈曲
形成されて先端側１１ａ，２１ａが上記樹脂パッケージ
の底面と同等高さ位置において所定長さ水平に延びる外
部リード１１，２１とされている。

【０００３】このように構成された半導体チップＸは、
適宜の回路基板５などに面実装されて使用されるが、こ
の実装には、いわゆるハンダリフローの手法が一般的に
採用されている。このハンダリフローの手法では、上記
外部リード１１，２１の先端部１１ａ，２１ａの裏面側
または回路基板５の端子パッド５０上にクリームハンダ
を予め塗布しておき、上記外部リード１１，２１の先端
部１１ａ，２１ａと上記端子パッド５０とを対応させて
半導体装置Ｘを上記回路基板５に載置した状態でリフロ
ー炉に搬入される。このリフロー炉では、ハンダペース
トが２４０℃程度にまで加熱されて再溶融させられる
が、半導体装置Ｘが載置された回路基板５をリフロー炉
から搬出して溶融ハンダを固化させれば上記半導体装置
Ｘが上記回路基板５に実装固定される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ハンダ
ペーストがたとえば１８３℃程度で固化するのに対し
て、上記半導体装置Ｘの樹脂パッケージ４はガラス転移
温度以上（たとえばフィラの混入されていないエポキシ
樹脂では１２０℃以上）において高弾性で、しかも温度
低下にともなって熱収縮する状態とされている。すなわ
ち、樹脂パッケージ４のガラス転移温度以上でハンダペ
ーストの固化温度以下の温度では、上記半導体装置Ｘに
おける各リード端子１，２が回路基板５に固定された状
態であるにもかかわらず、樹脂パッケージ４が温度低下
によってどんどん硬化収縮してしまう。

【０００５】樹脂パッケージ４の熱収縮率は、リード端
子１，２（金属）のそれよりも大きく、しかもリード端
子１，２の端部（外部リード１１，２１）が固定されて
いるため、樹脂パッケージ４の収縮に追従してリード端
子１，２が収縮することができない。このため、各リー
ド端子１，２には、リード端子１，２が延びる方向であ
って樹脂パッケージ４の外方側（図中の矢印方向）に向
けた応力、すなわち上記樹脂パッケージ４から各リード
端子１，２を引き抜くような応力が作用してしまう。し
たがって、各リード端子１，２の一端部１ａ，２ａ間が
ワイヤＷによって繋げられてワイヤＷが延びる方向と各
リード端子１，２の延び方向とが同一方向とされた半導
体装置Ｘでは、ワイヤＷが引き延ばされるような大きな
応力が作用することとなる。このとき、樹脂パッケージ
４は、温度低下によって徐々に硬化するとともに、ファ
ーストボンディング位置（半導体チップ３の上面３０）
とセカンドボンディング位置（他方のリード端子２の一
端部２ａ）の高さが異なるため、ワイヤＷ自体の展性や
可撓性によっては十分に対応することができない。とく
に、セカンドボンディングは、熱や超音波を付与してワ
イヤＷを圧着した後にワイヤＷをキャピラリの先端部に
よって圧しちぎることによって行われるため、ワイヤＷ
の先端部を溶融させてボール状とし、これを熱や超音波
を付与して圧着させるファーストボンディングに比較す
ればセカンドボンディング部位におけるワイヤＷの接続
力が弱い。このため、ワイヤＷに大きな応力が作用した
場合には、セカンドボンディング部位においてワイヤが
断線してしまうことがある。

【０００６】本願発明は、上記した事情のもとで考え出
されたものであって、ハンダリフローの手法を用いて回
路基板などに半導体装置を実装する場合に、樹脂パッケ
ージ内でワイヤが断線してしまわないようにすることを
その課題としている。

【０００７】

【発明の開示】上記の課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。

【０００８】すなわち、本願発明の第１の側面により提
供される樹脂パッケージ型半導体装置は、半導体チップ
が搭載されるダイボンディング領域を有する第１内部リ
ードと、上記半導体チップとワイヤを介して接続される
ワイヤボンディング領域を有する第２内部リードと、上
記半導体チップ、第１内部リード、第２内部リードおよ
びワイヤを封入する樹脂パッケージと、上記第１内部リ
ードに連続して上記樹脂パッケージの外部に設けられる
第１外部リードと、上記第２内部リードに連続するとと
もに、上記樹脂パッケージにおける上記第１外部リード
の反対側に設けられる第２外部リードと、を備えた上記
樹脂パッケージ型半導体装置であって、平面視におい
て、上記第１内部リードと上記第２内部リードとが平行
状とされているとともに、上記ダイボンディング領域と
上記ワイヤボンディング領域とが上記各内部リードが延
びる方向と交差する方向に対向させられていることを特
徴としている。

【０００９】上記構成においては、ダイボンディング領
域とワイヤボンディング領域とが上記各内部リードが延
びる方向と交差する方向に対向していることから、上記
半導体チップと第２内部リードとをワイヤを介して接続
した場合には、このワイヤが上記各内部リードが延びる
方向に対して交差することになる。このようにしてワイ
ヤを上記各内部リードに対して交差状とすれば、たとえ
ば上記半導体装置をハンダリフローの手法によって実装
する場合におけるワイヤの断線を回避することができ
る。

【００１０】上述したように、上記各リード端子（外部
リード）が固定された状態において樹脂パッケージが収
縮した場合には、上記各リード端子（内部リード）を上
記樹脂パッケージから引き抜くような応力が作用する
が、従来の半導体装置では上記各内部リードの延びる方
向と同じ方向にワイヤが延びていることからワイヤにも
比較的に大きな応力が作用していた。これに対して、本
願発明の半導体装置では、ワイヤが上記各内部リードに
対して交差状とされていることから、上記各内部リード
に作用する力の方向とワイヤの延びる方向が交差するか
らワイヤには大きな応力は作用しくい。すなわち、上記
各内部リードを上記樹脂パッケージから引き抜くような
応力が作用した場合には、ワイヤの両端部が固定されて
いることから上記第１内部リードと接続された一端部が
第１内部リードとともに樹脂パッケージの外方側（第１
外部リード側）に移動する一方、ワイヤの他端部は第２
内部リードとともに樹脂パッケージの外方側（第２外部
リード側）に移動する。このとき、上記ワイヤの両端部
の移動方向に対してワイヤが交差する方向に延びるよう
にして固定されていることから、上記各内部リードに対
するワイヤの交差角度が変化することによって、応力に
よるワイヤの両端部の移動に対応することができる。

【００１１】好ましい実施の形態においては、上記半導
体チップにおけるワイヤとの接続部位（ファーストボン
ディング部位）に対して、上記第２内部リードにおける
上記ワイヤとの接続部位（セカンドボンディング部位）
が、上記第１外部リード側に相対的に変移している。

【００１２】上記構成では、ファーストボンディング部
位に対してセカンドボンディング部位が上記第１外部リ
ード側に相対的に変移しており、ワイヤと内部リードと
の交差角度が９０度からずれた状態とされている。すな
わち、上記各内部リードを上記樹脂パッケージから引き
抜くような応力が作用した場合には、ワイヤと上記各内
部リードとの交差角度が９０度に近づくようになされて
いる。交差角度が９０度のときに、上記ファーストボン
ディング部位とセカンドボンディング部位との距離が最
小となることから、ワイヤに応力が作用した場合には、
ファーストボンディング部位とセカンドボンディング部
位とが近づくことになる。すなわち、交差角度が９０度
とされた状態から交差角度が変化する場合（各ボンディ
ング部位が離間する場合）よりも、交差角度が９０に近
づく（各ボンディング部位が近づく）ほうがワイヤに作
用する応力が小さいことから、上記半導体装置ではワイ
ヤボンディング部位に作用する応力を緩和してワイヤの
断線を良好に回避することができる。

【００１３】本願発明の第２の側面により提供される樹
脂パッケージ型半導体装置は、半導体チップが搭載され
るダイボンディング領域を有する第１内部リードと、上
記半導体チップとワイヤを介して接続されるワイヤボン
ディング領域を有する第２内部リードと、上記半導体チ
ップ、第１内部リード、第２内部リードおよびワイヤを
封入する樹脂パッケージと、上記第１内部リードに連続
して上記樹脂パッケージの外部に設けられる第１外部リ
ードと、上記第２内部リードに連続するとともに、上記
樹脂パッケージにおける上記第１外部リードの反対側に
設けられる第２外部リードと、を備えた樹脂パッケージ
型半導体装置であって、平面視において、上記第１内部
リードと上記第２内部リードとが平行状とされ、上記ダ
イボンディング領域が上記第２内部リード側に突出する
ようにして形成されているとともに、上記ワイヤボンデ
ィング領域が上記第１内部リード側に突出するようにし
て形成されており、かつ、上記ダイボンディング領域が
上記ワイヤボンディング領域よりも上記第２外部リード
側に設けられているとともに、上記ダイボンディング領
域と上記ワイヤボンディング領域とが、平面視における
上記各内部リードが延びる方向と同一または略同一方向
に対向していることを特徴としている。

【００１４】上記構成では、上記ダイボンディング領域
が上記ワイヤボンディング領域よりも上記第１外部リー
ド側に設けられているとともに、上記ダイボンディング
領域と上記ワイヤボンディング領域とが、平面視におけ
る上記各内部リードが延びる方向に対向している。この
ため、上記各内部リードを上記樹脂パッケージから引き
抜くような応力が作用した場合には、上記ダイボンディ
ング領域が第１外部リード側（ワイヤボンディング側）
に移動する一方、上記ワイヤボンディング領域が第２外
部リード側（ダイボンディング側）に移動する。すなわ
ち、各ボンディング領域が互いに近づくようにして内部
リードの延び方向に移動するようになされている。しか
も、ワイヤの延び方向が内部リードの延び方向と同じ方
向とされていることから、上記各ボンディング領域の移
動によってワイヤが撓みが大きくなるような恰好とされ
る。したがって、上記構成の半導体装置においては、樹
脂パッケージの収縮時におけるワイヤに作用する応力が
極めて小さいものとされ、ワイヤの断線を良好に回避す
ることができる。

【００１５】本願発明の第３の側面により提供される半
導体装置は、上述した第１または第２の側面に記載され
た樹脂パッケージ型半導体装置において、上記第１外部
リードと上記第２外部リードの形状が異なっていること
を特徴としている。

【００１６】このように構成された半導体装置では、各
外部リードの形状が互いに異なったものとされているこ
とから、極性の区別（陽極および陰極）が容易になると
いった利点が得られる。このため、上記半導体装置を回
路基板などに実装する際に、半導体装置を実装すべき向
きを間違えてしまうといった不具合が回避される。

【００１７】本願発明のその他の特徴および利点は、添
付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より
明らかとなろう。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態を、図面を参照して具体的に説明する。

【００１９】図１は、本願発明に係る半導体装置の第１
の実施形態を表す全体斜視図、図２は、上記半導体装置
の平面図、図３は、図２のIII −III 線に沿う断面図で
ある。なお、これらの図において、従来の半導体装置を
説明するために参照した図面に表された部材および要素
などと同等なものには同一の符号を付してある。

【００２０】上記半導体装置Ｘは、銅や鉄などの金属板
を打ち抜き形成することによって得られるリードフレー
ムから製造された、いわゆるフレームタイプの半導体装
置Ｘとして構成されたものであり、ワイヤＷで電気的に
接続された第１およひ第２のリード端子１ａ，２ａの先
端部側の領域が直方体状とされた樹脂パッケージ４内に
封入された構成とされている。

【００２１】上記第１のリード端子１ａは、一定幅を有
するものとされているとともに、上記樹脂パッケージ４
内に封入された第１内部リード１０と、この第１内部リ
ード１０に連続して上記樹脂パッケージ４の外部に設け
られた第１外部リード１１とを有している。

【００２２】上記第１内部リード２０は、上記樹脂パッ
ケージ４内の所定位置から上記樹脂パッケージ４の底面
４５に対して平行に延びるようにして上記樹脂パッケー
ジ４の側面４１に至るまで連続して形成されており、そ
の先端部には半導体チップ３が実装されるダイボンディ
ング領域１ａが形成されている。このダイボンディング
領域１ａに実装される半導体チップ３は、半導体装置Ｘ
の用途や機能などによって異なるが、たとえば発光素子
や受光素子などが挙げられ、より具体的には発光ダイオ
ードチップやフォトダイオードチップなどが挙げられ
る。もちろん、上記半導体装置Ｘの用途や機能などに応
じて、例示したもの以外の半導体チップ３も適宜実装さ
れる。

【００２３】上記第１外部リード１１は、上記樹脂パッ
ケージ４の側面４１から突出するようにして形成されて
おり、折り曲げ形成されて先端部が水平状とされ、これ
が第１面実装部１１ａとされている。この第１面実装部
１１ａの底面位置は、上記樹脂パッケージ４の底面４５
と略同一高さとされている。

【００２４】上記第２リード端子２ａは、上記第１リー
ド端子１ａよりも細幅の一定幅を有するものとされてい
るとともに、上記樹脂パッケージ４内に封入された第２
内部リード２０と、この第２内部リード２０に連続して
上記樹脂パッケージ４の外部に設けられた第２外部リー
ド２１と、を有している。

【００２５】上記第２内部リード２０は、上記樹脂パッ
ケージ４の底面に対して平行に延びるようにして上記樹
脂パッケージ４の側面４２に至るまで連続して形成され
ており、その先端部がワイヤボンディング領域２ａとさ
れている。平面視においては、上記第２内部リード２０
が上記第１内部リード１０に対しても平行状とされてお
り、側面視においては、このワイヤボンディング領域２
ａが上記第１内部リード１０のダイボンディング領域に
対してオーバーラップしている。すなわち、上記ダイボ
ンディング領域１ａと上記ワイヤボンディング領域２ａ
とは、上記各内部リード１０，２０が延びる方向と交差
する方向に対して対向している。そして、上記ワイヤボ
ンディング領域と上記半導体チップ３の上面３０との間
がワイヤＷを電気的に接続されている。上記ダイボンデ
ィング領域１ａと上記ワイヤボンディング領域２ａとが
上記各内部リード１０，２０の延びる方向に交差する方
向に対して対向状とされていることから、上記ワイヤＷ
の延びる方向は、上記各内部リード１０，２０の延びる
方向に対して略直交している。

【００２６】ワイヤＷによる接続は、従来例においても
述べたように、上記半導体チップ３の上面３０に対して
行われるファーストボンディングと上記ワイヤボンディ
ング領域２ａに対して行われるセカンドボンディングと
からなる。とくに、本実施形態においては、図２に良く
表れているように、上記半導体チップ３の上面３０にお
けるワイヤＷの接続部位（ファーストボンディング部
位）に対して、ワイヤボンディング領域２ａにおけるワ
イヤＷとの接続部位（セカンドボンディング部位）が平
面視において上記第１外部リード１１ａ側に変移するよ
うにしてワイヤＷがボンディングされている。

【００２７】上記第２外部リード２１は、上記樹脂パッ
ケージ４における上記第１外部リード１１の反対側にお
いて、上記第１外部リード１１と同様に上記樹脂パッケ
ージ４の側面４２から突出するようにして形成されてお
り、折り曲げ形成されて先端部が水平状とされ、これが
第２面実装部２１ａとされている。この第２面実装部２
１ａの底面位置もまた、上記第２面実装部１１ａと同様
に上記樹脂パッケージ４の底面４５と略同等高さとされ
ている。また、上記第２端子リード２が上記第１端子リ
ード２よりも細幅とされていることから、上記第２外部
リード２１が上記第１外部リード１１よりも小さくされ
ている。すなわち、上記第１外部リード１１と上記第２
外部リードとは形状が異なるようになされており、上記
半導体装置Ｘの極性の区別（陽極および陰極）を容易に
行うことができるように工夫されている。

【００２８】上記樹脂パッケージ４は、たとえばエポキ
シなどの熱硬化性樹脂を用いた金型成形、たとえばトラ
ンスファ法などによって形成されている。上記樹脂パッ
ケージ４内には、強度（硬度）を高めるべくフィラなど
を混入してもよいが、半導体チップ３として発光素子や
受光素子を使用する場合には上記樹脂パッケージ４の透
明性を確保すべくフィラなどを混入しないほうがよい。
また、赤外光を受光するように構成された半導体装置Ｘ
においては、上記樹脂パッケージ４を形成する材料とし
てとしては赤外光を選択的に透過させる黒色の樹脂など
が好適に採用される。

【００２９】なお、上記のように構成された半導体装置
Ｘを製造する場合、半導体チップ３の実装、ワイヤボン
ディング、および樹脂パッケージングのそれぞれの工程
は、全てリードフレームの状態において行われる。

【００３０】上記半導体装置Ｘは、たとえば回路基板
（図示略）などに面実装されて所定の用途に使用され
る。たとえば、上記半導体チップ３として発光素子が使
用され、上記半導体装置Ｘが発光ダイオードとして構成
されている場合には、この半導体装置Ｘが実装された回
路基板を組み込むことによって光センサの発光部として
使用することができる。ところで、上記半導体装置Ｘの
実装には、ハンダリフローの手法が採用されるのは上述
の通りである。この方法では、半導体装置Ｘの面実装部
１１ａ，１２ａの裏面側、あるいは上記回路基板に形成
された端子パッド上にハンダペーストを予め塗布してお
き、上記半導体装置Ｘを上記回路基板上に位置決め載置
した後にハンダペーストを再溶融・固化させることによ
って上記半導体装置Ｘが回路基板上に実装される。上記
半導体装置Ｘでは、上記各面実装部１１ａ，２１ａ（各
外部リード１１，２１）の形状が異なったものとされて
極性の判断が容易なものとされていることから、上記回
路基板上に半導体装置Ｘを実装する際に実装すべき向き
を間違えるようなことはない。

【００３１】また、従来の半導体装置Ｘの実装において
ハンダリフローの手法を採用した場合には、ワイヤが断
線してしまうことがあるのは上述の通りであるが、本願
発明ではこのような不具合も回避されている。

【００３２】従来の半導体装置Ｘにおいてワイヤが断線
してしまうのは、上記各内部リード１０，２０の延びる
方向とワイヤＷの延びる方向とが同一方向とされていた
ことに起因する。すなわち、上記樹脂パッケージ４の収
縮時において、樹脂パッケージ４に収縮に追従して上記
各内部リード１０，２０が収縮できないため、これらの
内部リード１０，２０を樹脂パッケージ４から引き抜く
よな応力（図１および図２に矢印で示した方向への応
力）が作用し、ワイヤＷには、これを引き延ばすような
大きな応力が作用していた。これに対して、上記半導体
装置Ｘでは、ワイヤＷの延びる方向が上記各内部リード
１０，２０に略直交する方向とされている。このため、
上記各内部リード１０，２０を樹脂パッケージ４から引
き抜くよな応力が作用したとしても、図２に鎖線の矢印
で示したように、それぞれのボンディング部位が上記樹
脂パッケージ４の外側に移動する。すなわち、上記各内
部リード１０，２０に対するワイヤＷの交差角度を変化
させることによってワイヤＷに作用する応力に対応して
いる。

【００３３】とくに、上記半導体装置Ｘでは、セカンド
ボンディング部位が、フォーストボンディング部位に対
して平面視において上記第１外部リード１１側に変移し
ている。このため、たとえば上記各内部リード１０，２
０が上記樹脂パッケージ４の外側に移動使用とした場合
には、上記各内部リード１０，２０に対するワイヤＷの
交差角度が９０度に近づこうとする。ワイヤＷの交差角
度が９０度の場合には、フォーストボンディング部位と
セカンドボンディング部位の距離が最小となるため、ワ
イヤＷの交差角度が９０度に近づこうとするときには、
ワイヤＷが撓もうとしてワイヤＷに作用する応力は小さ
くなる。このように、上記半導体装置Ｘでは、ハンダリ
フロー時における樹脂パッケージ４の収縮によってワイ
ヤＷに作用する応力が格段に低減されており、ワイヤＷ
が断線してしまうといった事態っが回避される。

【００３４】なお、本実施形態においては、上記樹脂パ
ッケージ４が直方体状とされていたが、上記樹脂パッケ
ージ４の形状は半導体装置Ｘの用途などに応じて適宜変
更可能である。たとえば、上記半導体チップ３として発
光素子や受光素子が使用され場合には、上記樹脂パッケ
ージ４の上部に凸レンズ部を設けてもよいし、全体的な
形状を円柱状などとしてもよい。

【００３５】また、上記半導体装置Ｘでは、上記各端子
リード１，２の幅を異なるものとして、上記各外部リー
ド１１，２１の形状を異なるものとしていたが、その他
の手段によって上記各外部リード１１，２１の形状をそ
れぞれ異なるものとしてもよく、各外部リード１１，２
１の形状を同一なものとしてもよいのはいうまでもな
い。

【００３６】さらに、上記半導体装置Ｘにおいては、上
記各内部リード１０，２０を平面視において平行状とす
ることに本願発明の特徴の１つを見出すことができる
が、上記各内部リード１０，２０の形状や配置が、たと
えば図４に示されたようなものも、本願発明でいう平行
状という概念に含まれる。すなわち、上記各内部リード
１０，２０が直線状に形成されていない場合であって
も、全体的にみて上記各内部リード１０，２０が平行状
とされていると認識できれば本願発明でいう平行状とい
う概念に含まれる。

【００３７】次に、本願発明の第２の実施形態に係る半
導体装置Ｙについて図５を参照しつつ説明する。なお、
この図においては、上述した第１の実施形態において説
明した半導体装置Ｘの各部材や部位などと同等なものに
は同一の符号を付してあり、これらのものについての説
明はここでは省略する。

【００３８】本実施形態の半導体装置Ｙの基本的な構成
は、上述した第１の実施形態の半導体装置Ｘと略同様で
ある。本実施形態の半導体装置Ｙが第１の実施形態の半
導体装置Ｘと異なる点、内部リード１０Ａ，２０Ａの形
態であり、ワイヤＷの延びる方向である。

【００３９】上記半導体装置Ｙにおいても第１の実施形
態の半導体装置Ｘと同様に、各内部リード１０Ａ，２０
Ａが平面視において平行状とされており、ダイボンディ
ング領域１ａとワイヤボンディング領域２ａとが対向し
ているが、この対向方向が上記各内部リード１０Ａ，２
０Ａの延びる方向と同一方向とされている点において異
なっている。そして、一方の内部リード１０Ａ（２０
Ａ）の先端部が第２内部リード２０Ａ（１０Ａ）の先端
部にオーバーラップしているが、双方の先端部はそれぞ
れ他方の内部リード１０Ａ，２０Ａ側に突出している。
すなわち、ダイボンディング領域１ａが第１内部リード
２０Ａによって囲まれた恰好とされている一方、ワイヤ
ボンディング領域２ａが第２内部リード２０Ａによって
囲まれた恰好とされている。

【００４０】このような構成においては、ハンダリフロ
ー時における樹脂パッケージ４の収縮によって上記各内
部リード１０Ａ，２０Ａが引き抜かれるような応力が作
用した場合には、上記第１内部リード１０Ａに作用する
応力によって上記ダイボンディング領域１ａが第１外部
リード側に移動しようとし、上記第２内部リード２０Ａ
に作用する応力によって上記ワイヤボンディング領域２
ａが第２外部リード側に移動しようとする。すなわち、
各ボンディング領域１ａ，２ａが互いに近づこうとし、
上記各内部リード１０Ａ，２０Ａに作用する応力によっ
てワイヤＷが撓むような恰好とされる。すなわち、上記
樹脂パッケージ４が収縮しようとした場合には、従来と
は逆にワイヤＷを縮めるような力としてワイヤＷに応力
が作用する。したがって、上記半導体装置Ｘでは、樹脂
パッケージ４の収縮時においてワイヤＷに大きな応力が
作用することがないため、ワイヤＷの断線を良好に回避
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本願発明に係る半導体装置の第１の実施形態を
表す全体斜視図である。

【図２】上記半導体装置の平面図である。

【図３】図２のIII −III 線に沿う断面図である。

【図４】上記半導体装置の変形例を表す平面図である。

【図５】本願発明に係る半導体装置の第２の実施形態を
表す平面図である。

【図６】従来の半導体装置の一例を表す全体斜視図であ
る。

【図７】上記半導体装置を回路基板に実装した状態を表
す断面図である。

【符号の説明】

Ｘ，Ｙ 半導体装置 １ 第１端子リード １ａ ダイボンディング領域 ２ 第２端子リード ２ａ ワイヤボンディング領域 ３ 半導体チップ ４ 樹脂パッケージ １０，１０Ａ 第１内部リード １１ 第１外部リード ２０，２０Ａ 第２内部リード ２１ 第２外部リード

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体チップが搭載されるダイボンディ
   ング領域を有する第１内部リードと、上記半導体チップ
   とワイヤを介して接続されるワイヤボンディング領域を
   有する第２内部リードと、上記半導体チップ、第１内部
   リード、第２内部リードおよびワイヤを封入する樹脂パ
   ッケージと、上記第１内部リードに連続して上記樹脂パ
   ッケージの外部に設けられる第１外部リードと、上記第
   ２内部リードに連続するとともに、上記樹脂パッケージ
   における上記第１外部リードの反対側に設けられる第２
   外部リードと、を備えた樹脂パッケージ型半導体装置で
   あって、 平面視において、上記第１内部リードと上記第２内部リ
   ードとが平行状とされているとともに、上記ダイボンデ
   ィング領域と上記ワイヤボンディング領域とが上記各内
   部リードが延びる方向と交差する方向に対向させられて
   いることを特徴とする、樹脂パッケージ型半導体装置。
2. 【請求項２】 上記半導体チップにおけるワイヤとの接
   続部位に対して、上記第２内部リードにおける上記ワイ
   ヤとの接続部位が、上記第１外部リード側に相対的に変
   移している、請求項１に記載の樹脂パッケージ型半導体
   装置。
3. 【請求項３】 半導体チップが搭載されるダイボンディ
   ング領域を有する第１内部リードと、上記半導体チップ
   とワイヤを介して接続されるワイヤボンディング領域を
   有する第２内部リードと、上記半導体チップ、第１内部
   リード、第２内部リードおよびワイヤを封入する樹脂パ
   ッケージと、上記第１内部リードに連続して上記樹脂パ
   ッケージの外部に設けられる第１外部リードと、上記第
   ２内部リードに連続するとともに、上記樹脂パッケージ
   における上記第１外部リードの反対側に設けられる第２
   外部リードと、を備えた樹脂パッケージ型半導体装置で
   あって、 平面視において、上記第１内部リードと上記第２内部リ
   ードとが平行状とされ、上記ダイボンディング領域が上
   記第２内部リード側に突出するようにして形成されてい
   るとともに、上記ワイヤボンディング領域が上記第１内
   部リード側に突出するようにして形成されており、か
   つ、 上記ダイボンディング領域が上記ワイヤボンディング領
   域よりも上記第２外部リード側に設けられているととも
   に、上記ダイボンディング領域と上記ワイヤボンディン
   グ領域とが、平面視における上記各内部リードが延びる
   方向と同一または略同一方向に対向していることを特徴
   とする、樹脂パッケージ型半導体装置。
4. 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載され
   た樹脂パッケージ型半導体装置において、上記第１外部
   リードと上記第２外部リードの形状が異なっていること
   を特徴とする、樹脂パッケージ型半導体装置。