JP2009158624A - 光半導体装置用パッケージおよびその製造方法 - Google Patents

光半導体装置用パッケージおよびその製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】射出成形の際に、内蔵したサージ保護素子の機能を損なうことなく、電気的特性の信頼性を向上させることが可能な光半導体装置用パッケージとそれを用いた光半導体装置を提供する。
【解決手段】互いに対向する第一のリード11と第二のリード12とを有し、第二のリード12の第二主面側にサージ保護素子13を固定し、サージ保護素子13と第一のリード11の第二主面側とに架けて金属板である第三のリード14を接続することで、射出成形で樹脂外囲器15を形成する際に、第三のリード14の第二主面側から溶融した樹脂を注入しても第三のリード14が押し倒されたり破断することがない。
【選択図】図1

Description

本発明は発光ダイオード(LED)などの発光素子を用いる光半導体装置用パッケージおよびその製造方法に関する。
従来の光半導体装置には、サージ保護素子を内蔵するものがあり、例えば特許文献1に記載するものがある。
図5は、特許文献1に記載された従来の光半導体装置を示すものである。図5において、光半導体装置は、光半導体装置用パッケージが一対のリード101、102を樹脂部103に固定してなり、サージ保護素子である静電気対策保護素子104を一方のリード101の下面に搭載し、かつ樹脂部103の内部に配置しており、静電気対策保護素子104は他方のリード102と金属細線105で電気的に接続している。
他方のリード102の上面にはLEDチップ106を搭載しており、LEDチップ106は双方のリード101、102と金属細線107で電気的に接続し、さらにLEDチップ106と金属細線107とを保護する封止樹脂108を備えている。
この構成によれば、静電気等のサージがLEDチップ106にかかると、静電気対策保護素子104がバイパスの役割を果たしてLEDチップ106を保護し、サージ破壊されることを防止する。
特開2006−339640号公報
しかしながら、上述した従来の構成において、光半導体装置用パッケージの樹脂部104は一般的に熱可塑性樹脂を用いて射出成形方法で形成しており、熱可塑性樹脂は熱硬化性樹脂に比べると溶融時の粘度が高いために、射出に要する圧力が高くなることが知られている。
この場合、良好な樹脂充填性を得るために、特に小型、薄型のパッケージでは、通常パッケージの裏面側から樹脂を注入し、静電気対策保護素子104とリード102を電気的に接続する金属細線105からリード101、102へ向けて樹脂が流れる。
このため、注入時の高い射出圧力を伴った粘土の高い樹脂によって金属細線105が押し倒されて、金属細線105が途中で静電気対策保護素子104、または静電気対策保護素子104を搭載しているリード101と接触して電気的にショートすることや、あるいは金属細線105の接合部が外れることや、金属細線106が破断することなどの不具合が発生する恐れがあった。
本発明は、上記した従来の課題を解決するものであり、射出成形の際にサージ保護素子とリードとの電気的な接続を損なうことがない、信頼性の向上を図った光半導体装置用パッケージおよびその製造方法を提供することを目的とする。
上記した課題を解決するために、本発明の光半導体装置用パッケージは、第一主面側に開口部を形成した樹脂外囲器と、所定の間隙を保って前記樹脂外囲器に一部を包含して配置し、かつ前記開口部に第一主面側の一部が露出する第一のリードおよび第二のリードと、前記第一のリードの第二主面側に電気的に接続して固定配置するサージ保護素子と、前記サージ保護素子の第二主面側と前記第二のリードの第二主面側とに架けて配置して前記第二のリードと前記サージ保護素子との間を電気的に接続する第三のリードとを備え、前記第三のリードは所定板幅および所定板厚を有することを特徴とする。
上記した構成により、サージ保護素子と第二のリードとの電気的接続に金属板である第三のリードを用いるので、従来の金属細線に比べて格段に大きな強度を確保できる。さらにサージ保護素子と第三のリードとの間、第二のリードと第三のリードとの間の接続強度が従来のワイヤー接続に比べて格段に大きくなる。
よって、射出成形の際に樹脂充填性を考慮して、パッケージの第二主面側、つまりサージ保護素子および第三のリードの第2主面側から樹脂を注入する際においても注入時の射出圧力によって第三のリードが押し倒されたり、第二のリードおよびサージ保護素子との接続外れや破断を発生させることが無く、電気的ショートや断線を防止してサージ保護素子の機能を確保できる。
本発明の光半導体装置用パッケージは、第一主面側に開口部を形成した樹脂外囲器と、所定の間隙を保って前記樹脂外囲器に一部を包含して配置し、かつ前記開口部に第一主面側の一部が露出する第一のリードおよび第四のリードと、前記第一のリードの第二主面側に電気的に接続して固定配置するサージ保護素子と、前記樹脂外囲器に包含する前記第四のリードの一端側に所定段差で一体的に形成し、前記サージ保護素子の第二主面側に架けて配置して電気的に接続する前記第四のリードの接続部とを備え、前記接続部は所定板幅および所定板厚を有することを特徴とする。
以上のように、本発明の光半導体装置用パッケージによれば、射出成形の際に、サージ保護素子とリードとの電気的な接続を損なうことがなく、信頼性の向上を図ることができる。
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1における光半導体装置用パッケージとそれを用いた光半導体装置を示し、(a)は光半導体装置用パッケージの断面図、(b)は光半導体装置の断面図である。
図1において、11は第一のリード、12は第二のリード、13はサージ保護素子、14は第三のリード、15は樹脂外囲器、16は光半導体素子、17は金属細線、18はポッティング樹脂を各々示している。
図1(a)において、光半導体装置用パッケージは、所定の間隙を保って対向する第一のリード11と第二のリード12とを樹脂外囲器15が包含しており、第一のリード11と第二のリード12は銅または鉄あるいはそれらを含む合金から成る。
樹脂外囲器15は液晶ポリマーやポリアミド系などの熱可塑性樹脂からなり、第一主面に開口部15aを有している。第一のリード11と第二のリード12は相対向する先端側の第一主面側が樹脂外囲器15の開口部15aの底面に露出し、第一のリード11と第二のリード12の相反する先端側が樹脂外囲器15の両側から突出して露出している。
樹脂外囲器15は第一主面と第二主面とが表裏面をなし、第二のリード12の第二主面側にサージ保護素子13を電気的に接続して固定配置し、樹脂外囲器15がサージ保護素子13を包含している。
第一のリード11とサージ保護素子13とに架けて第三のリード14を配置し、樹脂外囲器15が第三のリード14を包含している。第三のリード14は一端側を第一のリード11の第二主面側に電気的に接続して固定するとともに、他端側をサージ保護素子13の第二主面側に電気的に接続して固定しており、第一のリード11と第二のリード12とがサージ保護素子13を介して電気的に接続している。
ここで、第三のリード14は、鉄または銅あるいはそれらを含む合金から成る所定板幅および所定板厚を有する金属板であり、第一のリード11とサージ保護素子13とに対しては、はんだ等のロー材によるロー付け、あるいは銀ペースト等の導電性ペーストで固定している。
かかる構成によれば、サージ保護素子13と第一のリード11との電気的接続に金属板である第三のリード14を用いることにより、従来の金属細線に比べて格段に大きな強度を確保でき、さらに第三のリード14と第一のリード11との接続、第三のリード14とサージ保護素子13との接続においても従来のワイヤー接続に比べて格段に優れた接続強度を確保できる。
よって、射出成形の際に樹脂充填性を考慮して、パッケージの第二主面側、つまりサージ保護素子13および第三のリード14の第二主面側から溶融した樹脂を注入する場合にあっても、注入時の射出圧力によって第三のリード14が押し倒されたり、第一のリード11およびサージ保護素子13に対する第三のリード14の接続外れや破断を発生させることがない。よって、電気的ショートや断線を防止してサージ保護素子13の十全な機能を確保する光半導体装置用パッケージとすることが出来る。
図1(b)は、図1(a)に示した上述の光半導体装置用パッケージを用いた光半導体装置を示すものであり、樹脂外囲器15の開口部15aの底面に露出する第一のリード11の第一主面側に、光半導体素子16がはんだ等のロー材によるロー付けや銀ペースト等の導電性ペーストにて固定してあり、光半導体素子16と第二のリード12とを金やアルミ等から成る金属細線17にて接続し、開口部15aにポッティング樹脂18を満たし、ポッティング樹脂18が光半導体素子16と金属細線17とを包含して封止している。
かかる構成によれば、サージ保護素子13と第一のリード11とに架けた第三のリード14が金属板からなり、従来の金属細線よりも大きな熱容量を有するので、光半導体素子16の発光に伴う熱は第一のリード11から第三のリード14へ伝導し、さらに第三のリード14を介して第二のリード12にも伝導することと成るので、従来のものよりも放熱性が高まり、より高輝度の光半導体素子16を用いることが可能になる。
なお、本実施の形態において、サージ保護素子13は第二のリード12に搭載しているが、サージ保護素子13の特性に応じて第1のリード11に搭載してもよい。
(実施の形態2)
図2は、本発明の実施の形態2における光半導体装置用パッケージとそれを用いた光半導体装置を示し、(a)は光半導体装置用パッケージの断面図、(b)は光半導体装置の断面図である。図2において、図1と同じ構成要素については同じ符号を用いて説明を省略する。
図2において、19は第四のリードを示しており、図1に示した実施の形態1における第一のリード11と第三のリード14とに換えて配置するものであり、第一のリード11と第三のリード14とを一体的に構成したものである。第四のリード19は銅または鉄あるいはそれらを含む合金から成る。
図2(a)に示すように、光半導体装置用パッケージの第四のリード19は、樹脂外囲器15に包含する一端側に一体的に形成した接続部19aを有している。接続部19aは第四のリード19と同様に銅または鉄あるいはそれらを含む合金から成り、所定板幅および所定板厚を有し、所定段差のクランク状に形成したものであり、所定段差は実質的に第二のリード12とサージ保護素子13とを重ねた厚みに相当する。
第四のリード19は接続部19aをサージ保護素子13の第二主面側に電気的に接続して固定しており、第四のリード19とサージ保護素子13の第一主面側に電気的に接続した第二のリード12とでサージ保護素子13を挟んで、第四のリード19と第二のリード12とがサージ保護素子13を介して電気的に接続している。
実施の形態1と同様に、樹脂外囲器15に形成した開口部15aの底面には、第四のリード19と第二のリード12の第一主面側の一部が露出しており、第四のリード19と第二のリード12の相反する先端側が樹脂外囲器15の両側から突出して露出している。
図2(b)は、図2(a)で示した上述の光半導体装置用パッケージを用いた光半導体装置を示すものであり、開口部15aの底面に露出する第四のリード19の第一主面側に、光半導体素子16がはんだ等のロー材によるロー付けや銀ペースト等の導電性ペーストにて固定してあり、光半導体素子16と第二のリード12とを金やアルミ等から成る金属細線17にて接続し、開口部15aにポッティング樹脂18を満たし、ポッティング樹脂18が光半導体素子16と金属細線17とを包含して封止している。
かかる構成によれば、図1に示した実施の形態1のものに比べて、部品点数を減らし、製造工程の簡略化につなげることが可能である。
(実施の形態3)
図3(a)〜(c)は、図1に示した実施の形態1の半導体装置用パッケージおよび光半導体装置の製造方法を説明するためのものであり、光半導体装置用パッケージおよび光半導体装置の製造工程フローに沿った断面図である。
図3において、11は第一のリード、12は第二のリード、13はサージ保護素子、14は第三のリード、15は樹脂外囲器、16は光半導体素子、17は金属細線、18はポッティング樹脂を各々示している。
図3(a)に示すサージ保護素子搭載工程では、組立治具(図示せず)を用いて第一のリード11と第二のリード12とを同一平面上で所定の間隙を保って対向させて配置する。次に、第二のリード12の第二主面側に、はんだ等のロー材あるいは銀ペースト等の導電性ペーストを介してサージ保護素子13を載置する。次に、加熱炉にて加熱処理を施して第二のリード12の第二主面側にサージ保護素子13を固定して搭載し、サージ保護素子搭載工程を終了する。
図3(b)に示す接続工程では、サージ保護素子搭載工程の後に、第三のリード14を第一のリード11の第二主面側とサージ保護素子13の第二主面側とに架けるようにして、かつ第一のリード11との間および第二のリード12との間にはんだ等のロー材あるいは銀ペースト等の導電性ペーストを介して載置する。次に、加熱炉にて加熱処理を施して第一のリード11とサージ保護素子13とに架けて第三のリード14を接続固定し、接続工程を終了する。
図3(c)に示す射出成形工程では、接続工程の後に、第一のリード11および第二のリード12を射出成形用金型(図示せず)で挟持する。射出成形用金型の樹脂外囲器15を型取って形成したキャビティ内(図示せず)に、第三のリード14の第2主面側に対向する方向(図中、矢印方向)から溶融した樹脂を注入して樹脂外囲器15を形成する。次に、射出成形用金型(図示せず)を開放し、光半導体装置用パッケージを取り出して射出成形工程を終了し、図1(a)に示す光半導体装置用パッケージが完成する。
図3(d)に示す光半導体素子実装工程では、射出成形工程の後に、第一のリード11の第一主面側に光半導体素子16をはんだ等のロー材あるいは銀ペースト等の導電性ペーストを介して載置する。加熱炉等で熱処理を施して第一のリード11の上に光半導体素子16を固定する。次に、光半導体素子16と第二のリード12とをワイヤーボンダーを用いて金やアルミ等から成る金属細線17で接続する。次に、樹脂外囲器15に形成した開口部15aをポッティング樹脂18で満たして光半導体素子実装工程を終了し、図1(b)に示す光半導体装置が完成する。
(実施の形態4)
図4(a)〜(c)は、図2に示した実施の形態2の半導体装置用パッケージおよび光半導体装置の製造方法を説明するためのものであり、光半導体装置用パッケージおよび光半導体装置の製造工程フローに沿った断面図である。図4において、図3と同じ構成要素については同じ符号を用いて説明を省略する。
図4(a)に示すサージ保護素子接続工程では、サージ保護素子13を介して第四のリード19の接続部19aと第二のリード12とを配置し、かつ第四のリード19とサージ保護素子13との間および第二のリード12とサージ保護素子13との間に、はんだ等のロー材あるいは銀ペースト等の導電性ペースト(図示せず)を配置し、サージ保護素子13の両主面側を第二のリード12と第四のリード19とで挟むように組立治具で組上げる。次に、加熱炉にて加熱処理を施して第二のリード12と第四のリード19とサージ保護素子13とを接続固定してサージ保護素子接続工程を終了する。
図4(b)に示す射出成形工程では、サージ保護素子接続工程の後に、第四のリード19および第二のリード12を射出成形用金型(図示せず)で挟持する。射出成形用金型の樹脂外囲器15を型取って形成したキャビティ内(図示せず)に、第四のリード19の第二主面側に対向する方向から溶融した樹脂を注入して樹脂外囲器15を形成する。次に、射出成形用金型(図示せず)を開放し、光半導体装置用パッケージを取り出して射出成形工程を終了し、図2(a)に示す光半導体装置用パッケージが完成する。
図4(c)に示す光半導体素子実装工程では、射出成形工程の後に、射出成形工程の後に、第四のリード19の第一主面側に光半導体素子16をはんだ等のロー材あるいは銀ペースト等の導電性ペーストを介して載置する。加熱炉等で熱処理を施して第四のリード19の上に光半導体素子16を固定する。次に、光半導体素子16と第二のリード12とをワイヤーボンダーを用いて金やアルミ等から成る金属細線17で接続する。次に、樹脂外囲器15に形成した開口部15aをポッティング樹脂18で満たして光半導体素子実装工程を終了し、図2(b)に示す光半導体装置が完成する。
本発明は、光半導体装置に用いるパッケージとして有用であり、特にサージ保護素子を内蔵する小型、薄型のものに適している。
本発明の実施の形態1を示し、(a)は光半導体装置用パッケージの断面図、(b)は光半導体装置の断面図 本発明の実施の形態2を示し、(a)は光半導体装置用パッケージの断面図、(b)は光半導体装置の断面図 本発明の実施の形態3における光半導体装置用パッケージおよび光半導体装置の製造過程を示す断面図 本発明の実施の形態4における光半導体装置用パッケージおよび光半導体装置の製造過程を示す断面図 従来の光半導体装置の断面図
符号の説明
11 第一のリード
12 第二のリード
13 サージ保護素子
14 第三のリード
15 樹脂外囲器
16 光半導体素子
17、105、107 金属細線
18 ポッティング樹脂
19 第四のリード
101 一方のリード
102 他方のリード
103 樹脂部
104 静電気対策保護素子
106 LEDチップ
108 封止樹脂

Claims (5)

  1. 第一主面側に開口部を形成した樹脂外囲器と、所定の間隙を保って前記樹脂外囲器に一部を包含して配置し、かつ前記開口部に第一主面側の一部が露出する第一のリードおよび第二のリードと、前記第一のリードの第二主面側に電気的に接続して固定配置するサージ保護素子と、前記サージ保護素子の第二主面側と前記第二のリードの第二主面側とに架けて配置して前記第二のリードと前記サージ保護素子との間を電気的に接続する第三のリードとを備え、前記第三のリードは所定板幅および所定板厚を有することを特徴とする光半導体装置用パッケージ。
  2. 第一主面側に開口部を形成した樹脂外囲器と、所定の間隙を保って前記樹脂外囲器に一部を包含して配置し、かつ前記開口部に第一主面側の一部が露出する第一のリードおよび第四のリードと、前記第一のリードの第二主面側に電気的に接続して固定配置するサージ保護素子と、前記樹脂外囲器に包含する前記第四のリードの一端側に所定段差で一体的に形成し、前記サージ保護素子の第二主面側に架けて配置して電気的に接続する前記第四のリードの接続部とを備え、前記接続部は所定板幅および所定板厚を有することを特徴とする光半導体装置用パッケージ。
  3. 請求項1または請求項2に記載の光半導体装置用パッケージにおいて、前記開口部に露出する何れかのリードに光半導体素子を搭載し、前記開口部に前記光半導体素子を封止する樹脂を充填したことを特徴とする光半導体装置。
  4. 第一のリードと第二のリードとを所定の間隙を保って対向させて配置し、前記第二のリードの第二主面側にサージ保護素子を電気的に接続して固定するサージ保護素子搭載工程と、第三のリードを前記第一のリードの第二主面側と前記サージ保護素子の第二主面側とに架けて電気的に接続して固定する接続工程と、前記第一のリードおよび前記第二のリードを射出成形用金型で挟持し、前記射出成形用金型のキャビティ内に、前記第三のリードの第2主面側に対向する方向から溶融した樹脂を注入して樹脂外囲器を形成する射出成形工程とを備えることを特徴とする光半導体装置用パッケージの製造方法。
  5. 第四のリードに所定段差で一体的に形成した接続部と第二のリードとをサージ保護素子を介して配置し、前記第二のリードと前記第四のリードと前記サージ保護素子とを電気的に接続して固定するサージ保護素子接続工程と、前記第四のリードおよび前記第二のリードを射出成形用金型で挟持し、前記射出成形用金型のキャビティ内に、前記第四のリードの第二主面側に対向する方向から溶融した樹脂を注入して樹脂外囲器を形成する射出成形工程とを備えることを特徴とする光半導体装置用パッケージの製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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