JPH11340361A - Ｂｇａ型半導体装置、及び同半導体装置のバンプ形成方法 - Google Patents
Ｂｇａ型半導体装置、及び同半導体装置のバンプ形成方法Info
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- JPH11340361A JPH11340361A JP14483898A JP14483898A JPH11340361A JP H11340361 A JPH11340361 A JP H11340361A JP 14483898 A JP14483898 A JP 14483898A JP 14483898 A JP14483898 A JP 14483898A JP H11340361 A JPH11340361 A JP H11340361A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＢＧＡ型半導体装置において、手間をかけずに
容易に半田バンプを形成できるようにすること。 【解決手段】基板１に、ＩＣチップの端子と導通するた
めのスルーホール２を多数形成するとともに、同基板１
上にクリーム半田６若しくは溶融半田6'を盛り付け、同
半田６,6' をスキージ７,7' 等により刷り込んでスルー
ホール２内に充填し、かつ、基板１表面上に半田バンプ
５を形成する。
容易に半田バンプを形成できるようにすること。 【解決手段】基板１に、ＩＣチップの端子と導通するた
めのスルーホール２を多数形成するとともに、同基板１
上にクリーム半田６若しくは溶融半田6'を盛り付け、同
半田６,6' をスキージ７,7' 等により刷り込んでスルー
ホール２内に充填し、かつ、基板１表面上に半田バンプ
５を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、基板上にＩＣチ
ップを設けるとともに、同チップと導通するバンプを基
板に設けたＢＧＡ半導体装置、及び同半導体装置のバン
プ形成方法に関する。
ップを設けるとともに、同チップと導通するバンプを基
板に設けたＢＧＡ半導体装置、及び同半導体装置のバン
プ形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のＢＧＡ（ボール・グリッ
ド・アレイ）型半導体装置Ｘとして、図５に示すものが
一般的によく知られている。
ド・アレイ）型半導体装置Ｘとして、図５に示すものが
一般的によく知られている。
【０００３】図中、100 はＩＣチップ200 を搭載した基
板であり、ガラスエポキシ樹脂等からなり、多数のスル
ーホール110 が形成されるとともに、同スルーホール11
0 内と導通するように基板100 の表面には金属メッキ層
が形成されている。さらに、基板100 の上下面には回路
パターン120 やランド130 が形成され、前記上下の回路
パターン120,120 はスルーホール110 を介して導通して
いる。
板であり、ガラスエポキシ樹脂等からなり、多数のスル
ーホール110 が形成されるとともに、同スルーホール11
0 内と導通するように基板100 の表面には金属メッキ層
が形成されている。さらに、基板100 の上下面には回路
パターン120 やランド130 が形成され、前記上下の回路
パターン120,120 はスルーホール110 を介して導通して
いる。
【０００４】前記ＩＣチップ200 は基板100 のランド13
0 に接着されており、前記回路パターン120 とワイヤボ
ンディングされ、熱硬化性樹脂300 によりモールドされ
て保護されている。400 はボンディングワイヤである。
0 に接着されており、前記回路パターン120 とワイヤボ
ンディングされ、熱硬化性樹脂300 によりモールドされ
て保護されている。400 はボンディングワイヤである。
【０００５】基板100 の下面に形成されたパターンラン
ド140 には、半田ボール500 が装着されており、同半田
ボール500 は、半田付け可能に形成した前記パターンラ
ンド140 に供給されてリフローにより溶着されている。
なお、溶着後も表面張力によって半田ボール500 は球状
に保たれる。
ド140 には、半田ボール500 が装着されており、同半田
ボール500 は、半田付け可能に形成した前記パターンラ
ンド140 に供給されてリフローにより溶着されている。
なお、溶着後も表面張力によって半田ボール500 は球状
に保たれる。
【０００６】そして、この半田ボール500 を介してＢＧ
Ａ型半導体装置Ｘは実装基板に取付けられるが、実装す
る場合もリフローすることによって半田ボール500 を溶
融して溶着している。
Ａ型半導体装置Ｘは実装基板に取付けられるが、実装す
る場合もリフローすることによって半田ボール500 を溶
融して溶着している。
【０００７】また、上記したガラスエポキシ樹脂からな
る基板100 に代えて、フィルムキャリヤテープを用いた
ものもある。
る基板100 に代えて、フィルムキャリヤテープを用いた
ものもある。
【０００８】これは、テープ表面に銅箔等の配線パター
ンを形成するとともに、テープ裏面にはランドを形成
し、両者間をスルーホール110 を介して導通させ、ラン
ド130に半田ボール500 を溶着している。
ンを形成するとともに、テープ裏面にはランドを形成
し、両者間をスルーホール110 を介して導通させ、ラン
ド130に半田ボール500 を溶着している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記した従
来のＢＧＡ型半導体装置Ｘは、未だ下記のような課題が
残されていた。
来のＢＧＡ型半導体装置Ｘは、未だ下記のような課題が
残されていた。
【００１０】すなわち、半田ボール500 をパターンラン
ド140 に供給するには、球状の半田ボール500 を予め形
成しておかなければならず、しかも、かかる半田ボール
500をパターンランド140 に供給するためのスクリーン
マスク等が必要となり、高精度の位置決めがなされなけ
ればならない。
ド140 に供給するには、球状の半田ボール500 を予め形
成しておかなければならず、しかも、かかる半田ボール
500をパターンランド140 に供給するためのスクリーン
マスク等が必要となり、高精度の位置決めがなされなけ
ればならない。
【００１１】さらに、半田ボール500 をパターンランド
140 上に仮固定するためのペーストが必要であったり、
このペーストを半田ボール500 装着後に洗浄しなければ
ならない等の手間がかかる。
140 上に仮固定するためのペーストが必要であったり、
このペーストを半田ボール500 装着後に洗浄しなければ
ならない等の手間がかかる。
【００１２】また、ＢＧＡ型半導体装置Ｘを実装する場
合、隣接する半田ボール500 間にガイド等がないのでリ
フロー時に半田同士がブリッジするおそれがある。
合、隣接する半田ボール500 間にガイド等がないのでリ
フロー時に半田同士がブリッジするおそれがある。
【００１３】本発明は、上記課題を解決することのでき
るＢＧＡ型半導体装置、及び同装置の形成方法を提供す
ることを目的としている。
るＢＧＡ型半導体装置、及び同装置の形成方法を提供す
ることを目的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】そこで、上記課題を解決
するために、請求項１記載の本発明では、基板に形成さ
れたスルーホール中に予め充填した半田の余剰部分でバ
ンプを形成した。したがって、半田ボールを使用するよ
りも端子間ピッチを狭くすることができ、実装密度を向
上させることができる。また、実装時に半田はスルーホ
ールを伝って実装基板と繋がるので横に半田が流出しに
くく、ブリッジのおそれもない。
するために、請求項１記載の本発明では、基板に形成さ
れたスルーホール中に予め充填した半田の余剰部分でバ
ンプを形成した。したがって、半田ボールを使用するよ
りも端子間ピッチを狭くすることができ、実装密度を向
上させることができる。また、実装時に半田はスルーホ
ールを伝って実装基板と繋がるので横に半田が流出しに
くく、ブリッジのおそれもない。
【００１５】また、請求項２記載の本発明では、前記基
板上に、実装時におけるクリアランス形成用突起を設け
た。したがって、ＢＧＡ型半導体装置の実装姿勢を一定
にすることができ、例えば傾いた状態で実装されるなど
の不具合がない。
板上に、実装時におけるクリアランス形成用突起を設け
た。したがって、ＢＧＡ型半導体装置の実装姿勢を一定
にすることができ、例えば傾いた状態で実装されるなど
の不具合がない。
【００１６】また、請求項３記載の本発明では、基板
に、ＩＣチップの端子と導通するためのスルーホールを
多数形成するとともに、同基板上にクリーム半田を盛り
付け、同クリーム半田をスキージ等により刷り込んでス
ルーホール内に充填し、かつ、基板表面上にバンプを形
成することとした。したがって、多数のスルーホールに
略同時に半田を充填することができるので効率的であ
り、しかも半田ボールをランドに供給するときのよう
に、仮固定用のペーストを用いたり、位置決め用のスク
リーンマスク等を用いる手間が不要となる。
に、ＩＣチップの端子と導通するためのスルーホールを
多数形成するとともに、同基板上にクリーム半田を盛り
付け、同クリーム半田をスキージ等により刷り込んでス
ルーホール内に充填し、かつ、基板表面上にバンプを形
成することとした。したがって、多数のスルーホールに
略同時に半田を充填することができるので効率的であ
り、しかも半田ボールをランドに供給するときのよう
に、仮固定用のペーストを用いたり、位置決め用のスク
リーンマスク等を用いる手間が不要となる。
【００１７】また、請求項４記載の本発明では、基板
に、ＩＣチップの端子と導通するためのスルーホールを
多数形成するとともに、同基板上に溶融半田を盛り付
け、同溶融半田をスキージ等により刷り込んでスルーホ
ール内に充填し、かつ、基板表面上にバンプを形成する
こととした。したがって、前記請求項４と同様に手間が
かからず、しかも、バンプが形成されるパターンランド
以外では半田を弾くために半田のブリッジを抑えること
ができる。
に、ＩＣチップの端子と導通するためのスルーホールを
多数形成するとともに、同基板上に溶融半田を盛り付
け、同溶融半田をスキージ等により刷り込んでスルーホ
ール内に充填し、かつ、基板表面上にバンプを形成する
こととした。したがって、前記請求項４と同様に手間が
かからず、しかも、バンプが形成されるパターンランド
以外では半田を弾くために半田のブリッジを抑えること
ができる。
【００１８】また、請求項５記載の本発明では、基板
に、ＩＣチップの端子と導通するためのスルーホールを
多数形成するとともに、同スルーホール中に、溶融半田
を逐次注入して充填し、かつ、基板表面上にバンプを形
成することとした。したがって、余分な半田は表面張力
で基板表面で球状になり、スリーホール中には全て同量
の溶融半田が注入されることになるので半田量の調整も
容易となる。また、ランド以外では半田を弾くために半
田のブリッジも抑えることができる。
に、ＩＣチップの端子と導通するためのスルーホールを
多数形成するとともに、同スルーホール中に、溶融半田
を逐次注入して充填し、かつ、基板表面上にバンプを形
成することとした。したがって、余分な半田は表面張力
で基板表面で球状になり、スリーホール中には全て同量
の溶融半田が注入されることになるので半田量の調整も
容易となる。また、ランド以外では半田を弾くために半
田のブリッジも抑えることができる。
【００１９】また、請求項６記載の本発明では、前記基
板は、リードを形成する金属箔層を有するフィルム体で
あることとした。したがって、ローコストでの量産が可
能となる。
板は、リードを形成する金属箔層を有するフィルム体で
あることとした。したがって、ローコストでの量産が可
能となる。
【００２０】さらに、請求項７記載の本発明では、前記
基板上に、実装時におけるクリアランス形成用突起を予
め設けることとした。したがって、製造されたＢＧＡ型
半導体装置を実装する際に実装姿勢が一定となる。
基板上に、実装時におけるクリアランス形成用突起を予
め設けることとした。したがって、製造されたＢＧＡ型
半導体装置を実装する際に実装姿勢が一定となる。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明に係るＢＧＡ型半導体装置
は、基板に形成されたスルーホール中に予め充填した半
田の余剰部分でバンプを形成したものである。
は、基板に形成されたスルーホール中に予め充填した半
田の余剰部分でバンプを形成したものである。
【００２２】かかるＢＧＡ型半導体装置を製造するため
には、ガラスエポキシ樹脂等からなる基板や、あるい
は、ポリミイドやポリエステル、さらにはガラスエポキ
シ樹脂等からなるフィルムキャリアテープにリードを形
成する金属箔層を設けたものを基板としたものに、ＩＣ
チップの端子と導通するためのスルーホールを多数形成
し、同基板上にクリーム半田を盛り付け、同クリーム半
田をスキージ等により刷り込んで各スルーホール内に充
填し、かつ、基板表面上に表面張力により盛り上がった
余剰部分をバンプとして形成することができる。
には、ガラスエポキシ樹脂等からなる基板や、あるい
は、ポリミイドやポリエステル、さらにはガラスエポキ
シ樹脂等からなるフィルムキャリアテープにリードを形
成する金属箔層を設けたものを基板としたものに、ＩＣ
チップの端子と導通するためのスルーホールを多数形成
し、同基板上にクリーム半田を盛り付け、同クリーム半
田をスキージ等により刷り込んで各スルーホール内に充
填し、かつ、基板表面上に表面張力により盛り上がった
余剰部分をバンプとして形成することができる。
【００２３】かかる方法によれば、多数のスルーホール
に略同時に半田を充填することができるので効率的であ
り、しかも半田ボールをランドに供給するときのよう
に、仮固定用のペーストを用いたり、位置決め用のスク
リーンマスク等を用いる手間が不要となって製造効率が
向上する。特に、基板をフィルムで構成した場合は量産
化が可能となる。
に略同時に半田を充填することができるので効率的であ
り、しかも半田ボールをランドに供給するときのよう
に、仮固定用のペーストを用いたり、位置決め用のスク
リーンマスク等を用いる手間が不要となって製造効率が
向上する。特に、基板をフィルムで構成した場合は量産
化が可能となる。
【００２４】また、前記クリーム半田に代えて、溶融し
た半田を用いることもできる。この場合、バンプを形成
するランド以外では半田を弾くために半田のブリッジを
抑えることができる。
た半田を用いることもできる。この場合、バンプを形成
するランド以外では半田を弾くために半田のブリッジを
抑えることができる。
【００２５】さらに、前記スルーホール中に、溶融半田
を逐次注入して充填し、かつ、基板表面上にバンプを形
成することもできる。この場合、余分な半田は表面張力
で基板表面で球状になり、スルーホール中には全て同量
の溶融半田が注入されることになるので半田量の調整も
容易となる。また、この場合でも、パターンランド以外
では半田を弾くために半田のブリッジも抑えることがで
きる。
を逐次注入して充填し、かつ、基板表面上にバンプを形
成することもできる。この場合、余分な半田は表面張力
で基板表面で球状になり、スルーホール中には全て同量
の溶融半田が注入されることになるので半田量の調整も
容易となる。また、この場合でも、パターンランド以外
では半田を弾くために半田のブリッジも抑えることがで
きる。
【００２６】本発明に係るＢＧＡ型半導体装置は上記の
方法により製造されるので、半田ボールを使用するより
も端子間ピッチを狭くすることができ、実装密度を向上
させることができる。
方法により製造されるので、半田ボールを使用するより
も端子間ピッチを狭くすることができ、実装密度を向上
させることができる。
【００２７】また、実装時に半田はスルーホールを伝っ
て実装基板と繋がるので横に半田が流出しにくく、ブリ
ッジのおそれもない。
て実装基板と繋がるので横に半田が流出しにくく、ブリ
ッジのおそれもない。
【００２８】ところで、前記基板上に、実装時における
クリアランス形成用突起を設けることができる。
クリアランス形成用突起を設けることができる。
【００２９】すなわち、ＢＧＡ型半導体装置を実装する
場合、このクリアランス形成用突起があれば、実装姿勢
を一定にすることができ、例えば傾いた状態で実装され
るなどの不具合がない。
場合、このクリアランス形成用突起があれば、実装姿勢
を一定にすることができ、例えば傾いた状態で実装され
るなどの不具合がない。
【００３０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
具体的に説明する。
具体的に説明する。
【００３１】（第１実施例）図１(a) 〜(e) に第１実施
例に係るＢＧＡ型半導体装置Ａのバンプ形成方法の行程
を示す。
例に係るＢＧＡ型半導体装置Ａのバンプ形成方法の行程
を示す。
【００３２】図１(a) 〜(e) において、１はガラスエポ
キシ樹脂からなる基板であり、多数のスルーホール２を
形成している。また、同スルーホール２内と導通するよ
うに、前記基板１の表面には金属メッキ層が形成されて
いる。なお、図示しないが、基板１の上下面には回路パ
ターンが形成され、上下の回路パターンは前記スルーホ
ール２を介して導通している。
キシ樹脂からなる基板であり、多数のスルーホール２を
形成している。また、同スルーホール２内と導通するよ
うに、前記基板１の表面には金属メッキ層が形成されて
いる。なお、図示しないが、基板１の上下面には回路パ
ターンが形成され、上下の回路パターンは前記スルーホ
ール２を介して導通している。
【００３３】３は熱硬化性を有するモールド樹脂であ
り、内部には、前記基板１に搭載された図示しないＩＣ
チップが樹脂封止され、同ＩＣチップは、前記回路パタ
ーンとワイヤボンディングされている。
り、内部には、前記基板１に搭載された図示しないＩＣ
チップが樹脂封止され、同ＩＣチップは、前記回路パタ
ーンとワイヤボンディングされている。
【００３４】図１(a) において、A'は半田バンプ５形成
前のＢＧＡ型半導体装置であり、半田バンプ５を形成す
るためには、先ず、基板１の裏面に、実装基板とのクリ
アランスを保持するために突起４を形成しておく。そし
て、半田バンプ５形成前のＢＧＡ型半導体装置A'を裏返
して、基板１の裏面にクリーム半田６を盛り付ける。
前のＢＧＡ型半導体装置であり、半田バンプ５を形成す
るためには、先ず、基板１の裏面に、実装基板とのクリ
アランスを保持するために突起４を形成しておく。そし
て、半田バンプ５形成前のＢＧＡ型半導体装置A'を裏返
して、基板１の裏面にクリーム半田６を盛り付ける。
【００３５】なお、前記突起４は、基板１と同素材のも
ので一体的に形成してもよいし、あるいは絶縁材料を用
いて後付けしてもよい。
ので一体的に形成してもよいし、あるいは絶縁材料を用
いて後付けしてもよい。
【００３６】次いで、図１(b) に示すように、スキージ
７等を用いて、クリーム半田６をスルーホール２中に数
回刷り込む。
７等を用いて、クリーム半田６をスルーホール２中に数
回刷り込む。
【００３７】図１(c) に示すように、クリーム半田６
は、基板１の全体にわたるスルーホール２中に押し込ま
れて充填される。そして、基板１上に残った余分な半田
屑60を掻き取る。このスルーホール２内に充填されたク
リーム半田６がリフロー実装時に溶融してスルーホール
２内を下降してバンプを形成することになる。
は、基板１の全体にわたるスルーホール２中に押し込ま
れて充填される。そして、基板１上に残った余分な半田
屑60を掻き取る。このスルーホール２内に充填されたク
リーム半田６がリフロー実装時に溶融してスルーホール
２内を下降してバンプを形成することになる。
【００３８】すなわち、実装する場合は、図１(d) に示
すように、実装基板８上に、ＢＧＡ型半導体装置Ａの半
田バンプ５に対応する半田ペースト９をスクリーン印刷
等で予め塗着しておき、裏面を下方にして、ＢＧＡ型半
導体装置Ａを実装基板８上に位置合わせした上で載置す
る。
すように、実装基板８上に、ＢＧＡ型半導体装置Ａの半
田バンプ５に対応する半田ペースト９をスクリーン印刷
等で予め塗着しておき、裏面を下方にして、ＢＧＡ型半
導体装置Ａを実装基板８上に位置合わせした上で載置す
る。
【００３９】そして、リフロー炉（図示せず）等に通し
てリフローすると、図１(e) に示すように、スルーホー
ル２中の半田が溶融して下降し、前記半田ペースト９と
半田接合する。80は半田接合部である。
てリフローすると、図１(e) に示すように、スルーホー
ル２中の半田が溶融して下降し、前記半田ペースト９と
半田接合する。80は半田接合部である。
【００４０】このときに、半田はスルーホール２を伝っ
て実装基板８と繋がるので横に半田が流出しにくく、ブ
リッジのおそれもない。
て実装基板８と繋がるので横に半田が流出しにくく、ブ
リッジのおそれもない。
【００４１】また、基板１上には、実装基板８とのクリ
アランスを形成する突起４を設けたので、溶融した半田
は円滑に下降して接合するとともに、ＢＧＡ型半導体装
置Ａの実装姿勢を水平状態に一定に保持することがで
き、例えば傾いた状態で実装されるなどの不具合がな
い。
アランスを形成する突起４を設けたので、溶融した半田
は円滑に下降して接合するとともに、ＢＧＡ型半導体装
置Ａの実装姿勢を水平状態に一定に保持することがで
き、例えば傾いた状態で実装されるなどの不具合がな
い。
【００４２】（第２実施例）図２(a) 〜(c) に第２実施
例に係るＢＧＡ型半導体装置Ａのバンプ形成方法の工程
の中途までを示している。なお、第１実施例と同一の構
成要素については同一符号を用いている。ここでは、ク
リーム半田６に代えて、溶融半田6'を用いたことに特徴
がある。
例に係るＢＧＡ型半導体装置Ａのバンプ形成方法の工程
の中途までを示している。なお、第１実施例と同一の構
成要素については同一符号を用いている。ここでは、ク
リーム半田６に代えて、溶融半田6'を用いたことに特徴
がある。
【００４３】すなわち、半田バンプ５形成前のＢＧＡ型
半導体装置A'を裏返して、基板１の裏面に溶融半田6'を
盛り付ける。
半導体装置A'を裏返して、基板１の裏面に溶融半田6'を
盛り付ける。
【００４４】次いで、図２(b) に示すように、加熱機能
を有するスキージ7'を用いて、溶融した状態を維持しつ
つこの溶融半田6'をスルーホール２中に複数回刷り込
む。70は電熱線である。
を有するスキージ7'を用いて、溶融した状態を維持しつ
つこの溶融半田6'をスルーホール２中に複数回刷り込
む。70は電熱線である。
【００４５】図２(c) に示すように、クリーム半田６
は、基板１の全体にわたるスルーホール２中に押し込ま
れて充填され、かつ、充填されたうちの表面部分は表面
張力により球面状に盛り上がり、半田バンプ５が形成さ
れる。また、基板１上に残った余分な溶融半田6'も、基
板１により弾かれるとともに、表面張力により球状の半
田屑60' となるので除去がきわめて容易となる。
は、基板１の全体にわたるスルーホール２中に押し込ま
れて充填され、かつ、充填されたうちの表面部分は表面
張力により球面状に盛り上がり、半田バンプ５が形成さ
れる。また、基板１上に残った余分な溶融半田6'も、基
板１により弾かれるとともに、表面張力により球状の半
田屑60' となるので除去がきわめて容易となる。
【００４６】その後については、第１実施例で説明した
ように、図１(d),(e) と同様な手順で実装基板８上に実
装することができる。
ように、図１(d),(e) と同様な手順で実装基板８上に実
装することができる。
【００４７】（第３実施例）次に、第３実施例に係るＢ
ＧＡ型半導体装置Ａのバンプ形成方法の工程を、図４
(a) 〜(e) を参照しながら説明する。
ＧＡ型半導体装置Ａのバンプ形成方法の工程を、図４
(a) 〜(e) を参照しながら説明する。
【００４８】本実施例が先の第１、第２実施例と異なる
のは、スルーホール２中に半田を充填するのに、スキー
ジ7,7'を用いるのではなく、溶融半田注入具Ｂを用いた
ことにある。
のは、スルーホール２中に半田を充填するのに、スキー
ジ7,7'を用いるのではなく、溶融半田注入具Ｂを用いた
ことにある。
【００４９】すなわち、図４(a) に示すように、溶融半
田注入具Ｂを高速に移動させながら多数のスルーホール
２中に溶融半田6'を注入するのであるが、スルーホール
２から溢れた溶融半田6'は、基板１の表面に球状になっ
て残り、角スルーホール２内に均一の半田量で充填する
ことができるので半田量調整が容易となる。
田注入具Ｂを高速に移動させながら多数のスルーホール
２中に溶融半田6'を注入するのであるが、スルーホール
２から溢れた溶融半田6'は、基板１の表面に球状になっ
て残り、角スルーホール２内に均一の半田量で充填する
ことができるので半田量調整が容易となる。
【００５０】また、半田を注入する際に、高精度な位置
決めを行わなくても半田が自然にスルーホール２中に流
入するのでバンプ形成作業が効率的に行える。
決めを行わなくても半田が自然にスルーホール２中に流
入するのでバンプ形成作業が効率的に行える。
【００５１】ところで、第１〜第３実施例を通して、基
板１には実装基板８とのクリアランスを形成するための
突起４を形成したが、これは必ずしも必要とはしない。
すなわち、図３に示すように、突起４を除いた基板１で
あっても、実装基板８上に位置決め載置してリフローす
れば、ＢＧＡ型半導体装置Ａは実装基板８上に確実に装
着される。
板１には実装基板８とのクリアランスを形成するための
突起４を形成したが、これは必ずしも必要とはしない。
すなわち、図３に示すように、突起４を除いた基板１で
あっても、実装基板８上に位置決め載置してリフローす
れば、ＢＧＡ型半導体装置Ａは実装基板８上に確実に装
着される。
【００５２】また、上記各実施例では、基板１をガラス
エポキシ樹脂からなる板状のものとしたが、これに代え
て、ポリミイドやポリエステル、さらにはガラスエポキ
シ樹脂等からなるフィルムキャリアテープにリードを形
成する金属箔層を設けたものを用いてもよい。
エポキシ樹脂からなる板状のものとしたが、これに代え
て、ポリミイドやポリエステル、さらにはガラスエポキ
シ樹脂等からなるフィルムキャリアテープにリードを形
成する金属箔層を設けたものを用いてもよい。
【００５３】このように、基板１にフィルム体を用いる
と、量産化が図れ、製造コストの低減を図ることができ
る。
と、量産化が図れ、製造コストの低減を図ることができ
る。
【００５４】
【発明の効果】本発明は上記の形態で実施されるもの
で、以下の効果を奏する。
で、以下の効果を奏する。
【００５５】請求項１記載の本発明では、基板に形成
されたスルーホール中に予め充填した半田の余剰部分で
バンプを形成したことにより、半田ボールを基板に取付
けるための高精度な位置決めなどが不要でパンプ形成作
業が容易となり、また、半田ボールを使用するよりも端
子間ピッチを狭くすることができ、実装密度を向上させ
ることができる。また、実装時に半田はスルーホールを
伝って実装基板と繋がるので横に半田が流出しにくく、
ブリッジのおそれもない。さらに、従来のように半田ボ
ールを仮固定するためのペースト等が不要となるので、
ペースト洗浄工程が不要となる。
されたスルーホール中に予め充填した半田の余剰部分で
バンプを形成したことにより、半田ボールを基板に取付
けるための高精度な位置決めなどが不要でパンプ形成作
業が容易となり、また、半田ボールを使用するよりも端
子間ピッチを狭くすることができ、実装密度を向上させ
ることができる。また、実装時に半田はスルーホールを
伝って実装基板と繋がるので横に半田が流出しにくく、
ブリッジのおそれもない。さらに、従来のように半田ボ
ールを仮固定するためのペースト等が不要となるので、
ペースト洗浄工程が不要となる。
【００５６】請求項２記載の本発明では、前記基板上
に、実装時におけるクリアランス形成用突起を設けたこ
とにより、ＢＧＡ型半導体装置の実装姿勢を一定にする
ことができ、例えば傾いた状態で実装されるなどの不具
合がない。
に、実装時におけるクリアランス形成用突起を設けたこ
とにより、ＢＧＡ型半導体装置の実装姿勢を一定にする
ことができ、例えば傾いた状態で実装されるなどの不具
合がない。
【００５７】請求項３記載の本発明では、基板に、Ｉ
Ｃチップの端子と導通するためのスルーホールを多数形
成するとともに、同基板上にクリーム半田を盛り付け、
同クリーム半田をスキージ等により刷り込んでスルーホ
ール内に充填し、かつ、基板表面上にバンプを形成する
こととしたので、多数のスルーホールに略同時に半田を
充填することができるので効率的であり、しかも半田ボ
ールをランドに供給するときのように、仮固定用のペー
ストを用いたり、位置決め用のスクリーンマスク等を用
いる手間が不要となる。
Ｃチップの端子と導通するためのスルーホールを多数形
成するとともに、同基板上にクリーム半田を盛り付け、
同クリーム半田をスキージ等により刷り込んでスルーホ
ール内に充填し、かつ、基板表面上にバンプを形成する
こととしたので、多数のスルーホールに略同時に半田を
充填することができるので効率的であり、しかも半田ボ
ールをランドに供給するときのように、仮固定用のペー
ストを用いたり、位置決め用のスクリーンマスク等を用
いる手間が不要となる。
【００５８】請求項４記載の本発明では、基板に、Ｉ
Ｃチップの端子と導通するためのスルーホールを多数形
成するとともに、同基板上に溶融半田を盛り付け、同溶
融半田をスキージ等により刷り込んでスルーホール内に
充填し、かつ、基板表面上にバンプを形成することとし
たので、前記に加え、バンプが形成されるパターンラ
ンド以外では半田を弾くために半田のブリッジを抑える
ことができる。
Ｃチップの端子と導通するためのスルーホールを多数形
成するとともに、同基板上に溶融半田を盛り付け、同溶
融半田をスキージ等により刷り込んでスルーホール内に
充填し、かつ、基板表面上にバンプを形成することとし
たので、前記に加え、バンプが形成されるパターンラ
ンド以外では半田を弾くために半田のブリッジを抑える
ことができる。
【００５９】請求項５記載の本発明では、基板に、Ｉ
Ｃチップの端子と導通するためのスルーホールを多数形
成するとともに、同スルーホール中に、溶融半田を逐次
注入して充填し、かつ、基板表面上にバンプを形成する
こととしたので、余分な半田は表面張力で基板表面で球
状になり、スルーホール中には全て同量の溶融半田が注
入されることになるので半田量の調整も容易となる。ま
た、ランド以外では半田を弾くために半田のブリッジを
抑えることができる。さらに、半田を注入する際に、高
精度な位置決めを行わなくても半田が自然にスルーホー
ル中に流入するのでバンプ形成作業が効率的に行える。
Ｃチップの端子と導通するためのスルーホールを多数形
成するとともに、同スルーホール中に、溶融半田を逐次
注入して充填し、かつ、基板表面上にバンプを形成する
こととしたので、余分な半田は表面張力で基板表面で球
状になり、スルーホール中には全て同量の溶融半田が注
入されることになるので半田量の調整も容易となる。ま
た、ランド以外では半田を弾くために半田のブリッジを
抑えることができる。さらに、半田を注入する際に、高
精度な位置決めを行わなくても半田が自然にスルーホー
ル中に流入するのでバンプ形成作業が効率的に行える。
【００６０】請求項６記載の本発明では、前記基板
は、リードを形成する金属箔層を有するフィルム体であ
ることとしたので、ＢＧＡ型半導体装置を低コストで量
産することができる。
は、リードを形成する金属箔層を有するフィルム体であ
ることとしたので、ＢＧＡ型半導体装置を低コストで量
産することができる。
【００６１】請求項７記載の本発明では、前記基板上
に、実装時におけるクリアランス形成用突起を予め設け
ることとしたので、製造されたＢＧＡ型半導体装置を実
装する際に実装姿勢が水平な一定状態を保持することが
できる。
に、実装時におけるクリアランス形成用突起を予め設け
ることとしたので、製造されたＢＧＡ型半導体装置を実
装する際に実装姿勢が水平な一定状態を保持することが
できる。
【図１】第１実施例に係るＢＧＡ型半導体装置のバンプ
形成方法の行程を示す説明図である。
形成方法の行程を示す説明図である。
【図２】第２実施例に係るＢＧＡ型半導体装置のバンプ
形成方法の工程の中途までを示す説明図である。
形成方法の工程の中途までを示す説明図である。
【図３】突起を除いた基板を用いて実装した状態を示す
説明図である。
説明図である。
【図４】第３実施例に係るＢＧＡ型半導体装置のバンプ
形成方法の工程を示す説明図である。
形成方法の工程を示す説明図である。
【図５】従来のＢＧＡ型半導体装置の説明図である。
Ａ ＢＧＡ型半導体装置 １ 基板 ２ スルーホール ３ モールド樹脂 ４ 突起 ５ 半田バンプ ６ クリーム半田 6' 溶融半田 ７ スキージ 7' スキージ
Claims (7)
- 【請求項１】 基板に形成されたスルーホール中に予め
充填した半田の余剰部分でバンプを形成したことを特徴
とするＢＧＡ型半導体装置。 - 【請求項２】 基板上に、実装時におけるクリアランス
形成用突起を設けたことを特徴とする請求項１記載のＢ
ＧＡ型半導体装置。 - 【請求項３】 基板に、ＩＣチップの端子と導通するた
めのスルーホールを多数形成するとともに、同基板上に
クリーム半田を盛り付け、同クリーム半田をスキージ等
により刷り込んでスルーホール内に充填し、かつ、基板
表面上にバンプを形成することを特徴とするＢＧＡ型半
導体装置のバンプ形成方法。 - 【請求項４】 基板に、ＩＣチップの端子と導通するた
めのスルーホールを多数形成するとともに、同基板上に
溶融半田を盛り付け、同溶融半田をスキージ等により刷
り込んでスルーホール内に充填し、かつ、基板表面上に
バンプを形成することを特徴とするＢＧＡ型半導体装置
のバンプ形成方法。 - 【請求項５】 基板に、ＩＣチップの端子と導通するた
めのスルーホールを多数形成するとともに、同スルーホ
ール中に、溶融半田を逐次注入して充填し、かつ、基板
表面上にバンプを形成することを特徴とするＢＧＡ型半
導体装置のバンプ形成方法。 - 【請求項６】 基板は、リードを形成する金属箔層を有
するフィルム体であることを特徴とする請求項３〜５の
いずれかに記載のＢＧＡ型半導体装置のバンプ形成方
法。 - 【請求項７】 基板上に、実装時におけるクリアランス
形成用突起を予め設けることを特徴とする請求項３〜６
のいずれかに記載のＢＧＡ型半導体装置のバンプ形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14483898A JPH11340361A (ja) | 1998-05-26 | 1998-05-26 | Ｂｇａ型半導体装置、及び同半導体装置のバンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14483898A JPH11340361A (ja) | 1998-05-26 | 1998-05-26 | Ｂｇａ型半導体装置、及び同半導体装置のバンプ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340361A true JPH11340361A (ja) | 1999-12-10 |
Family
ID=15371619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14483898A Pending JPH11340361A (ja) | 1998-05-26 | 1998-05-26 | Ｂｇａ型半導体装置、及び同半導体装置のバンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11340361A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030070342A (ko) * | 2002-02-25 | 2003-08-30 | 최록일 | 반도체 소자의 솔더볼 형성장치 및 그 탑재방법 |
| JP2008098671A (ja) * | 2007-12-21 | 2008-04-24 | Fujitsu Ltd | はんだバンプの形成方法 |
-
1998
- 1998-05-26 JP JP14483898A patent/JPH11340361A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030070342A (ko) * | 2002-02-25 | 2003-08-30 | 최록일 | 반도체 소자의 솔더볼 형성장치 및 그 탑재방법 |
| JP2008098671A (ja) * | 2007-12-21 | 2008-04-24 | Fujitsu Ltd | はんだバンプの形成方法 |
| JP4558782B2 (ja) * | 2007-12-21 | 2010-10-06 | 富士通セミコンダクター株式会社 | はんだバンプの形成方法 |
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