JPH11337471A - 多結晶物質の結晶品質評価方法 - Google Patents

多結晶物質の結晶品質評価方法

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JPH11337471A
JPH11337471A JP10162996A JP16299698A JPH11337471A JP H11337471 A JPH11337471 A JP H11337471A JP 10162996 A JP10162996 A JP 10162996A JP 16299698 A JP16299698 A JP 16299698A JP H11337471 A JPH11337471 A JP H11337471A
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JP
Japan
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polycrystalline substance
crystal
polycrystalline
crystal quality
image data
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JP10162996A
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Takahiro Mishima
孝博 三島
Takashi Yokoyama
敬志 横山
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Daido Hoxan Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】だれでも簡単に、時間を要することなく即座
に、多結晶物質の結晶状態を高精細度で把握して評価す
ることのできる、優れた評価方法を提供する。 【解決手段】多結晶物質1の結晶表面を、フラットベッ
ド型スキャナ2を用いて直接読み取り、得られた情報を
デジタル信号として情報処理手段3に入力して、縦10
cm×横10cmの面積当たりの画素数が3000×3
000以上となる高解像度の画像データを得、上記画像
データから結晶の粒度分布および粒界分布を解析するこ
とにより上記多結晶物質1の結晶品質を評価するように
した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、多結晶シリコン等
の多結晶物質の結晶品質を評価する方法に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】従来から、太陽電池を作製するための材
料として、単結晶シリコンが最も多く用いられてきた
が、最近、コスト低減の観点から、多結晶シリコンを用
いることが提案され、その品質を高める研究が数多くな
されている。
【0003】すなわち、多結晶シリコンからなるウェー
ハには、多くの結晶粒が含まれているため、結晶粒界の
存在自体による変換効率の低下や、結晶粒界に存在する
欠陥による損失等が問題となるが、結晶作製条件を吟味
して、結晶粒度が比較的大きく欠陥等の少ない高品質の
多結晶シリコンを得ることで、ある程度変換効率を高め
ることができる。
【0004】そこで、多結晶シリコンの粒度分布や粒界
分布等をきめ細かく観察して評価することが重要な作業
となる。
【0005】上記作業は、現在、光学顕微鏡や接写用レ
ンズを用いて得られる試料の拡大画像を、銀塩フィル
ム方式のカメラ(通常のカメラ)によって写真撮影後、
得られた写真画像をスキャナで読み取ってデジタル化す
るか、CCD素子を内蔵したデジタルカメラによって
直接画像をデジタル化する等して、得られたデジタルデ
ータをコンピュータ等の情報処理手段に入力して、画像
として再現して観察するとともに、結晶構造に関する所
定の解析を行うようにしている。あるいは、単に手作業
だけに頼る場合や、ビデオカメラ等を利用する場合もあ
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記
の方法では、写真撮影のための特殊技術に習熟する必要
があり、また撮影および現像に時間と手間がかかるた
め、だれでも簡単に、欲しい画像情報を即座に得ること
ができないという問題がある。また、撮影条件やフィル
ムの感度、現像条件等によっても、得られる画像の鮮明
さが左右され、安定した再現性を確保することができな
いという問題もある。さらに、拡大率に限界があるた
め、高い分解能を必要とする場合には、拡大写真を何枚
も繰り返して撮影しなければならないという手間も問題
である。
【0007】また、上記の方法では、CCD素子の画
素数に限界があり、通常、縦横10cm平方を読み取る
ための画素数が、200×200〜1000×1000
程度に設定されており、結晶粒界を観察するのに充分な
分解能が得られないという問題がある。
【0008】これらの問題は、対象とする試料が大型
化、複雑化するほど顕著になる傾向があり、その解決が
強く望まれている。
【0009】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、だれでも簡単に、時間を要することなく即座
に、多結晶物質の結晶状態を高精細度で把握して評価す
ることのできる、優れた評価方法の提供をその目的とす
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、多結晶物質の結晶品質を評価する方法で
あって、上記多結晶物質の結晶表面を、フラットベッド
型スキャナを用いて直接読み取り、得られた情報をデジ
タル信号として情報処理手段に入力して、縦10cm×
横10cmの面積当たりの画素数が3000×3000
以上となる高解像度の画像データを得、上記画像データ
から結晶の粒度分布および粒界分布を解析することによ
り上記多結晶物質の結晶品質を評価するようにした多結
晶物質の結晶品質評価方法を第1の要旨とする。
【0011】また、上記方法のなかでも、特に、上記画
像データを、上記情報処理手段に接続された所定の画面
上に表示させるか、もしくはプリントアウトすることに
より、縦10cm×横10cmの面積当たりの画素数が
3000×3000以上となる高解像度の再現画像を得
るようにした多結晶物質の結晶品質評価方法を第2の要
旨とする。
【0012】そして、これらの方法のなかでも、特に、
上記多結晶物質が、多結晶シリコンウェーハである多結
晶物質の結晶品質評価方法を第3の要旨とする。
【0013】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態を説
明する。
【0014】まず、本発明が対象とする多結晶物質とし
ては、多結晶構造を有する物質であればどのようなもの
であってもよく、全体が多結晶物質からなるものであっ
ても、その一部が多結晶物質からなるもの(例えば所定
の基板上に多結晶薄膜を形成したもの等)であっても差
し支えはない。そして、多結晶の種類としては、例え
ば、半導体デバイスや太陽電池として多用されているシ
リコン(Si)の外、CdS/CdTe,Cu2 S/C
dS等のII−VI 族多結晶、GaAs,InP/グラフ
ァイト等のIII −V族多結晶、CdZnS/CuinS
2 ,CuinGaSe2 ,CuinS2 ,a−Si/
CuinSe2 等のカルコパイライト等をあげることが
できる。これらのなかでも、特に、シリコン多結晶板を
対象とすることが好適である。すなわち、上記シリコン
多結晶板は、太陽電池用としての需要が大きく、しかも
高品質の多結晶板を得ることが強く望まれているからで
ある。
【0015】本発明は、上記多結晶物質の結晶品質評価
を、例えばつぎのようにして行うものである。すなわ
ち、まず、図1に示すような装置(システム)を準備
し、多結晶物質1の結晶表面に適当な表面処理(例えば
アルカリによるケミカルエッチング等)を施したのち、
その表面を、フラットベッド型スキャナ2を用いて直接
読み取る。そして、得られた情報をデジタル信号とし
て、コンピュータ等の情報処理手段3に入力する。
【0016】上記フラットベッド型スキャナ2とは、写
真原稿,印刷原稿等の画像を、平面状態のまま高精度で
読み取り、デジタル信号に変換する装置で、現在、市場
には、大体、光学解像度,入力解像度がともに300〜
5000dpi(dot per inch)程度、出力解像度が1
00〜10000dpi程度で、画像拡大率が2000
%程度まで可能な、高解像度、高拡大能を備えたものが
出回っている。
【0017】そこで、本発明では、従来は、写真や印刷
物,絵画等の画像の再現や編集に用いられていた上記フ
ラットベッド型スキャナ2を用いて、直接、多結晶物質
1の結晶表面を読み取るようにしたもので、これが本発
明の大きな特徴である。
【0018】上記フラットベッド型スキャナ2からのデ
ジタル信号を受け取る情報処理手段3には、受け取った
デジタル信号の記憶手段,演算手段,それらの制御手段
等を含む画像処理手段6と、上記画像処理手段6によっ
て得られた画像データに基づいて多結晶物質1の結晶品
質を解析する結晶品質解析手段7とが設けられている。
ただし、上記画像データが、縦10cm×横10cmの
面積当たりの画素数が3000×3000以上の高解像
度となるよう、上記フラットベッド型スキャナ2の入力
解像度および出力解像度を調整する必要がある。すなわ
ち、上記高解像度の画像データによれば、例えば10c
m×10cmの多結晶板を対象とした場合、1画素が約
30μm×30μm以下の微細区画となるため、数十ミ
クロン単位で結晶の形状や大きさ、粒界の大きさ等を解
析することができるからである。
【0019】なお、より緻密な結晶品質評価を行うに
は、縦10cm×横10cmの面積当たりの画素数が1
0000×10000以上の高解像度の画像データを得
ることが望ましい。この画像データによれば、1画素が
10μm×10μm以下の微細区画となるため、数ミク
ロン単位の結晶解析を行うことができる。
【0020】そして、上記結晶品質解析手段7には、画
像データから結晶の粒度分布および粒界分布を解析する
ための処理回路が設けられている。これらの処理回路の
原理は、公知の演算処理回路と同様で差し支えない。
【0021】上記結晶の粒度分布および粒界分布から、
サンプルである多結晶物質の、結晶の品質の良し悪しを
評価することができる。
【0022】また、上記情報処理手段3で処理された画
像データは、情報処理手段3に接続されたディスプレイ
4の画面上に表示させたり、プリンター5を用いてプリ
ントアウトして、再現画像として、直接観察することが
できる。このようにして得られる画像は、縦10cm×
横10cmの面積当たりの画素数が3000×3000
以上となる高解像度で再現されているため、肉眼でも数
十ミクロン単位で結晶の形状や大きさ、粒界の大きさ等
を観察することができ、即座に、結晶品質をある程度評
価することができる。この場合も、より緻密な結晶品質
評価を行うには、縦10cm×横10cmの面積当たり
の画素数が10000×10000以上の高解像度の再
現画像を得るようにすることが好適である。
【0023】なお、前記フラットベッド型スキャナ2を
用いて高解像度の再現画像を得る場合、フラットベッド
型スキャナ2には、色の3原色(青,緑,赤)を、各色
8〜16ビット程度の高階調度で読み取ることが可能な
ため、再現される画像も、従来にない、高鮮明な色調の
ものとなる。したがって、より一層、優れた精度の再現
画像を得ることができる。
【0024】また、前記フラットベッド型スキャナ2を
用いて多結晶物質の結晶表面を直接読み取る場合、その
読み取り面は、光学系の焦点ずれを防止するために、で
きるだけ平坦に研磨仕上げされていることが望ましく、
例えば、面粗度(Rmax)1〜2μm程度に仕上げさ
れていることが好適である。
【0025】そして、上記の例では、結晶品質解析手段
7において、結晶の粒度分布と粒界分布の2つについて
解析するようにしたが、これ以外に、結晶の成長方向、
結晶欠損の有無,クラックの有無等を併せて解析するこ
とにより、よりきめ細かな評価を行うことができる。
【0026】また、本発明は、多結晶物質の結晶品質評
価を行うものであるが、これにとどまらず、例えば実際
の多結晶物質(例えばシリコン多結晶板)を材料として
太陽電池を製造する過程において、従来人が目視により
検査を行っていた材料の品質検査に、上記の方法を適用
することができる。そして、一定の品質を満たさない材
料は、情報処理手段3から指示信号が出力され、材料供
給ライン上から除去されるよう装置を組むことで、ライ
ンの自動化を実現することができる。
【0027】つぎに、実施例について、比較例と併せて
説明する。
【0028】
【実施例】下記に示す条件でシリコン多結晶板(1.6
cm×1.6cm×0.5mm)を作製し、上記の例に
従って、その結晶表面の再現画像を得るとともに、その
品質評価を行った。
【0029】〔シリコン多結晶板の製造条件〕 作製法 :キャスト法 冷却速度 :−1℃/min るつぼ形状:100mm×100mm×150mm(有
効内径)
【0030】〔画像再現条件〕 フラットベッド型スキャナ2による読み取り条件:結
晶表面の16mm×16mmの範囲を、5300dpi
の解像度で読み取った。このとき、画像データとして
は、約3340×3340=11155600画素あ
る。 情報処理手段3による画像処理条件:ソフトウェアと
して、汎用画像処理ソフトウェア(Adobe Pho
toshop、アドビシステム社製)と、汎用画像解析
ソフトウェア(Image Pro Plus、プラネ
トロン社製)を用いた。 プリンタ5による印刷条件:出力解像度を200dp
iとした。
【0031】このようにして得られた再現画像(プリン
タ5によってプリントアウトして写真撮影したもの)を
図2に示す。また、この画像のうち、5mm×5mmの
部分を36倍に拡大して得られた再現画像を図3に示
す。そして、図3の画像を解析した結果、その2値化画
像として、図4が得られ、結晶の粒度分布データとし
て、図5に示す面積のヒストグラム、下記の表1,表2
に示す面積の解析データが得られた。
【0032】
【表1】
【0033】
【表2】
【0034】
【比較例】一方、上記実施例と同様のシリコン多結晶板
を、一眼レフカメラ(60mmレンズ付)で撮影して得
られた写真原稿の16mm×16mmの範囲を、所定の
スキャナ装置を用いて読み取った。そして、上記実施例
と同様にして得られた再現画像を図6に示す。また、こ
の画像のうち、5mm×5mmの部分を36倍に拡大し
て得られた再現画像を図7に示す。そして、図7の画像
を解析した結果、その2値化画像として、図8が得ら
れ、結晶の粒度分布データとして、図9に示す面積のヒ
ストグラム、下記の表3に示す面積の解析データが得ら
れた。
【0035】
【表3】
【0036】これらの結果から、比較例に比べて、実施
例で得られた再現画像は、優れた高細精度を備えている
ことがわかる。また、粒度分布データおよび粒界分布デ
ータも、比較例のものが0.1mm単位で得られている
のに対し、実施例では約5ミクロン単位の分解能で得ら
れており、情報量が多いことがわかる。特に、得られた
データから結晶粒子の面積を計算する場合、面積は2乗
で乗算されるので、面積については、比較例では0.0
1mm2 の分解能、実施例では0.000022mm2
の分解能となり、解像度の違いは非常に大きい。
【0037】
【発明の効果】以上のように、本発明の多結晶物質の結
晶品質評価方法は、結晶表面を、解像度の高いフラット
ベッド型スキャナによって直接読み取ることにより、従
来得られなかった高解像度の画像データを得るようにし
たものである。したがって、対象とする多結晶物質の結
晶状態を高精度で把握して評価することができる。しか
も、上記作業は、顕微鏡等による写真撮影とは異なり、
特殊技術の習熟が不要で、撮影条件や現像条件に左右さ
れることもなく、安定した再現性で得られるという利点
を有する。そして、画像の読み取りおよび解析,再生に
要する時間が短時間(例えば数十分)であるため、必要
なデータを即座に得ることができるという利点を有す
る。
【0038】また、上記高解像度の画像データにもとづ
く非常に鮮明な再現画像を、画面上で表示させるか、プ
リントアウトすることにより、その場で、ある程度詳細
な結晶品質評価を行うことができるという簡便性を有し
ている。
【0039】しかも、本発明の方法により、従来は情報
化できなかった微細な部分まで情報として得ることがで
きるため、その解析結果を、より高品質の多結晶物質の
開発に役立てることができ、特に、10cm×10c
m、あるいは30cm×30cm、といった大型の、太
陽電池用の多結晶シリコンウェーハの開発に非常に有用
である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に用いられる装置の構成を示
す説明図である。
【図2】本発明の一実施例によって得られたシリコン多
結晶板の結晶構造を示す写真である。
【図3】上記結晶構造の倍率を高めた写真である。
【図4】上記結晶構造の写真を2値化して得られる模式
的な図である。
【図5】上記結晶構造の写真データを解析して得られる
結晶粒度分布を示すグラフ図である。
【図6】比較例によって得られたシリコン多結晶板の結
晶構造を示す写真である。
【図7】上記結晶構造の倍率を高めた写真である。
【図8】上記結晶構造の写真を2値化して得られる模式
的な図である。
【図9】上記結晶構造の写真データを解析して得られる
結晶粒度分布を示すグラフ図である。
【符号の説明】
1 多結晶物質

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 多結晶物質の結晶品質を評価する方法で
    あって、上記多結晶物質の結晶表面を、フラットベッド
    型スキャナを用いて直接読み取り、得られた情報をデジ
    タル信号として情報処理手段に入力して、縦10cm×
    横10cmの面積当たりの画素数が3000×3000
    以上となる高解像度の画像データを得、上記画像データ
    から結晶の粒度分布および粒界分布を解析することによ
    り上記多結晶物質の結晶品質を評価するようにしたこと
    特徴とする多結晶物質の結晶品質評価方法。
  2. 【請求項2】 上記画像データとして、縦10cm×横
    10cmの面積当たりの画素数が10000×1000
    0以上のものを得るようにした請求項1記載の多結晶物
    質の結晶品質評価方法。
  3. 【請求項3】 上記画像データを、上記情報処理手段に
    接続された所定の画面上に表示させるか、もしくはプリ
    ントアウトすることにより、縦10cm×横10cmの
    面積当たりの画素数が3000×3000以上となる高
    解像度の再現画像を得るようにした請求項1記載の多結
    晶物質の結晶品質評価方法。
  4. 【請求項4】 上記再現画像として、縦10cm×横1
    0cmの面積当たりの画素数が10000×10000
    以上のものを得るようにした請求項3記載の多結晶物質
    の結晶品質評価方法。
  5. 【請求項5】 上記多結晶物質が、多結晶シリコンウェ
    ーハである請求項1〜4のいずれか一項に記載の多結晶
    物質の結晶品質評価方法。
JP10162996A 1998-05-26 1998-05-26 多結晶物質の結晶品質評価方法 Withdrawn JPH11337471A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1314975A1 (de) * 2001-11-22 2003-05-28 Leica Microsystems Semiconductor GmbH Verfahren und Vorrichtung zur Defektanalyse von Wafern

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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