JPH11335131A - 光ファイバ母材の製造方法及び製造装置 - Google Patents
光ファイバ母材の製造方法及び製造装置Info
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- JPH11335131A JPH11335131A JP15832398A JP15832398A JPH11335131A JP H11335131 A JPH11335131 A JP H11335131A JP 15832398 A JP15832398 A JP 15832398A JP 15832398 A JP15832398 A JP 15832398A JP H11335131 A JPH11335131 A JP H11335131A
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- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
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- C03B37/0142—Reactant deposition burners
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- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/04—Multi-nested ports
- C03B2207/06—Concentric circular ports
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- Materials Engineering (AREA)
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- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、例えばＶＡＤ法で光ファイバ母材
を堆積させる際、屈折率分布の調整を行うため多重管バ
ーナを移動させても堆積条件等が急激に変化しないよう
にすることを目的とする。 【解決手段】 母材６に対して斜め姿勢で配置した多重
管バーナ１の中央の吹出し部２ｈからコア堆積部６ｔに
向けて原料ガスを吹出し、その外側の吹出し部３ｈ、４
ｈ、５ｈから水素ガス、シールガス、酸素ガスを吹出し
て、酸水素炎の加水分解反応によりコア母材を堆積する
際、水素ガスを吹出す吹出し部３ｈの幅を円周方向に変
化させ、上方の幅を狭く下方の幅を広くして反応領域Ｒ
の端面（反応開始面ｒ）をコア堆積部６ｔの接面（堆積
面ｓ）と平行にするようにする。
を堆積させる際、屈折率分布の調整を行うため多重管バ
ーナを移動させても堆積条件等が急激に変化しないよう
にすることを目的とする。 【解決手段】 母材６に対して斜め姿勢で配置した多重
管バーナ１の中央の吹出し部２ｈからコア堆積部６ｔに
向けて原料ガスを吹出し、その外側の吹出し部３ｈ、４
ｈ、５ｈから水素ガス、シールガス、酸素ガスを吹出し
て、酸水素炎の加水分解反応によりコア母材を堆積する
際、水素ガスを吹出す吹出し部３ｈの幅を円周方向に変
化させ、上方の幅を狭く下方の幅を広くして反応領域Ｒ
の端面（反応開始面ｒ）をコア堆積部６ｔの接面（堆積
面ｓ）と平行にするようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば気相軸付け
法（ＶＡＤ法）による多孔質母材堆積の技術に関する。
法（ＶＡＤ法）による多孔質母材堆積の技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光ファイバ母材の製造にあたり、
気相軸付け法（ＶＡＤ法）によってコア母材を堆積する
際、図６に示すような同心多重管バーナ５１を使用し、
中央管の吹出し部５２ｈ、及びその外側各層の吹出し部
５３ｈ、５４ｈ、５５ｈから四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ
4 ）、四塩化ゲルマニウム（ＧｅＣｌ4 ）等の原料ガス
や、水素ガス、シールガス、酸素ガスの各ガスを吹出し
て加水分解反応により出発母材の軸方向にＳｉＯ2 ガラ
ス、ＧｅＯ2 等を堆積させるような技術が知られてい
る。
気相軸付け法（ＶＡＤ法）によってコア母材を堆積する
際、図６に示すような同心多重管バーナ５１を使用し、
中央管の吹出し部５２ｈ、及びその外側各層の吹出し部
５３ｈ、５４ｈ、５５ｈから四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ
4 ）、四塩化ゲルマニウム（ＧｅＣｌ4 ）等の原料ガス
や、水素ガス、シールガス、酸素ガスの各ガスを吹出し
て加水分解反応により出発母材の軸方向にＳｉＯ2 ガラ
ス、ＧｅＯ2 等を堆積させるような技術が知られてい
る。
【０００３】この際、同心多重管バーナ５１の姿勢は、
図７に示すように母材５６の軸方向に対して傾斜姿勢と
し、母材５６を回転させながらコア堆積部５６ｔに向け
て斜め上方に原料ガス等を吹付けながら堆積させるのが
一般的であるが、屈折率分布を調整する際は、吹出すガ
スの条件を変更したり、バーナ５１の位置を矢印ｘ方向
に移動させて変更させることで、ドープ材の添加濃度を
調整するようにしている。
図７に示すように母材５６の軸方向に対して傾斜姿勢と
し、母材５６を回転させながらコア堆積部５６ｔに向け
て斜め上方に原料ガス等を吹付けながら堆積させるのが
一般的であるが、屈折率分布を調整する際は、吹出すガ
スの条件を変更したり、バーナ５１の位置を矢印ｘ方向
に移動させて変更させることで、ドープ材の添加濃度を
調整するようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、バーナの位
置を変更することで屈折率分布の調整を行うやり方は、
通常、回転軸に対して対称な曲面が形成されるコア堆積
部が非対称の形状になったり、コア部先端が潰れたり、
堆積効率が急激に悪化したりするような不具合が生じる
ことがあり、安定した光ファイバ母材を製造する上での
大きな妨げとなっていた。
置を変更することで屈折率分布の調整を行うやり方は、
通常、回転軸に対して対称な曲面が形成されるコア堆積
部が非対称の形状になったり、コア部先端が潰れたり、
堆積効率が急激に悪化したりするような不具合が生じる
ことがあり、安定した光ファイバ母材を製造する上での
大きな妨げとなっていた。
【０００５】本発明は上記問題点に鑑みなされたもので
あり、屈折率分布の調整を行うにあたり、上記各種の不
具合が発生するのを防止し、良質の光ファイバ母材を安
定して製造出来るようにすることを目的とする。
あり、屈折率分布の調整を行うにあたり、上記各種の不
具合が発生するのを防止し、良質の光ファイバ母材を安
定して製造出来るようにすることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は、請求項１において、多重管バーナの中央管及
びその外側各層の吹出し部から原料ガスとともに酸水素
炎を斜め方向に吹き付けて出発母材の軸方向に多孔質の
母材を堆積するようにした光ファイバ母材の製造方法に
おいて、多重管バーナの各層の吹出し部のうち少なくと
も１ヵ所の吹出し部の幅を円周方向に変化させ、当該吹
出し部から吹出されるガス流量を円周方向に沿って変化
させるようにした。
本発明は、請求項１において、多重管バーナの中央管及
びその外側各層の吹出し部から原料ガスとともに酸水素
炎を斜め方向に吹き付けて出発母材の軸方向に多孔質の
母材を堆積するようにした光ファイバ母材の製造方法に
おいて、多重管バーナの各層の吹出し部のうち少なくと
も１ヵ所の吹出し部の幅を円周方向に変化させ、当該吹
出し部から吹出されるガス流量を円周方向に沿って変化
させるようにした。
【０００７】すなわち、本発明者等が、図６に示すよう
な同心多重管バーナ５１を使用し、中央管の吹出し部５
２ｈから順にＳｉＣｌ4 、ＧｅＣｌ4 の原料ガス、Ｈ2
ガス、シールガス、Ｏ2 ガスを流すことによってコア母
材を製造する様子を観察したところ、図７に示すよう
に、同心多重管バーナ５１の先端に形成される円筒状の
ＳｉＣｌ4 、ＧｅＣｌ4 の反応領域Ｒの端面（反応開始
面）がコア堆積部５６ｔの接面である堆積面ｓと平行に
ならず、バーナ５１を矢印ｘ方向に移動させた際に、少
し移動させただけでも堆積条件が急変することが判っ
た。
な同心多重管バーナ５１を使用し、中央管の吹出し部５
２ｈから順にＳｉＣｌ4 、ＧｅＣｌ4 の原料ガス、Ｈ2
ガス、シールガス、Ｏ2 ガスを流すことによってコア母
材を製造する様子を観察したところ、図７に示すよう
に、同心多重管バーナ５１の先端に形成される円筒状の
ＳｉＣｌ4 、ＧｅＣｌ4 の反応領域Ｒの端面（反応開始
面）がコア堆積部５６ｔの接面である堆積面ｓと平行に
ならず、バーナ５１を矢印ｘ方向に移動させた際に、少
し移動させただけでも堆積条件が急変することが判っ
た。
【０００８】ここで、ＶＡＤ法は、Ｈ2 ガスの燃焼で発
生したＨ2 Ｏにより、ＳｉＣｌ4 、ＧｅＣｌ4 の原料ガ
スが加水分解され、ここで発生するＳｉＯ2 、Ｇe Ｏ2
が堆積部５６ｔに堆積し、成長するというメカニズムを
利用しているが、多重管バーナ５１から吹出される原料
ガス、水素ガス、酸素ガスのガス流量はバーナ５１の中
心軸を基準にして円周方向に均等であり、しかもバーナ
５１の端面が堆積面ｓと平行でないため、結果的に堆積
面ｓにおいて堆積条件が不均一であることが判った。因
みに、原料ガスにＧｅＣｌ4 が入っている場合は、反応
領域Ｒが円筒状の明るいリングになるのでその形状を容
易に知ることが出来る。
生したＨ2 Ｏにより、ＳｉＣｌ4 、ＧｅＣｌ4 の原料ガ
スが加水分解され、ここで発生するＳｉＯ2 、Ｇe Ｏ2
が堆積部５６ｔに堆積し、成長するというメカニズムを
利用しているが、多重管バーナ５１から吹出される原料
ガス、水素ガス、酸素ガスのガス流量はバーナ５１の中
心軸を基準にして円周方向に均等であり、しかもバーナ
５１の端面が堆積面ｓと平行でないため、結果的に堆積
面ｓにおいて堆積条件が不均一であることが判った。因
みに、原料ガスにＧｅＣｌ4 が入っている場合は、反応
領域Ｒが円筒状の明るいリングになるのでその形状を容
易に知ることが出来る。
【０００９】そこで、所定箇所の吹出し部の幅を変化さ
せて当該吹出し部から吹出されるガス流量を円周方向に
沿って変化させれば、ガス流量が多い箇所では拡散に時
間がかかって相対的に反応開始位置がバーナから遠くな
り、逆にガス流量が少ない箇所では相対的に反応開始位
置がバーナに近くなる。そしてこのように反応開始位置
までの距離を円周方向でずらすことにより、反応開始面
を堆積面と平行にすることができ、堆積面での堆積条件
を均一とすることができる。これにより安定に製造可能
なバーナーの設定範囲が広くなり、したがって屈折率分
布を調整するために行うバーナー位置の変更が容易とな
る。尚、本発明に係る製造方法は、斜め方向から吹き付
けて母材を堆積するのであれば、コア母材の堆積にもク
ラッド母材に堆積にも適用出来るが、特にコア母材の堆
積に好適である。また複数箇所の吹出し部の幅を変化さ
せるようにしても良い。
せて当該吹出し部から吹出されるガス流量を円周方向に
沿って変化させれば、ガス流量が多い箇所では拡散に時
間がかかって相対的に反応開始位置がバーナから遠くな
り、逆にガス流量が少ない箇所では相対的に反応開始位
置がバーナに近くなる。そしてこのように反応開始位置
までの距離を円周方向でずらすことにより、反応開始面
を堆積面と平行にすることができ、堆積面での堆積条件
を均一とすることができる。これにより安定に製造可能
なバーナーの設定範囲が広くなり、したがって屈折率分
布を調整するために行うバーナー位置の変更が容易とな
る。尚、本発明に係る製造方法は、斜め方向から吹き付
けて母材を堆積するのであれば、コア母材の堆積にもク
ラッド母材に堆積にも適用出来るが、特にコア母材の堆
積に好適である。また複数箇所の吹出し部の幅を変化さ
せるようにしても良い。
【００１０】また請求項２では、円周方向の幅を変化さ
せる吹出し部を、水素ガスの吹出し部とし、また請求項
３では、多重管バーナの設置姿勢は水素ガスの吹出し量
の多い方が堆積部から遠くなり、水素ガスの吹出し量の
少ない方が堆積部に近くなるような斜め姿勢で配置する
ようにした。このように水素ガスの吹出し量を円周方向
に沿って変化させれば、効果的に反応開始位置をずらす
ことが出来、また水素ガスの吹出し量の多い方が堆積部
から遠く、少ない方が堆積部に近くなるような位相にす
れば、反応開始面を堆積面と平行にすることが出来る。
せる吹出し部を、水素ガスの吹出し部とし、また請求項
３では、多重管バーナの設置姿勢は水素ガスの吹出し量
の多い方が堆積部から遠くなり、水素ガスの吹出し量の
少ない方が堆積部に近くなるような斜め姿勢で配置する
ようにした。このように水素ガスの吹出し量を円周方向
に沿って変化させれば、効果的に反応開始位置をずらす
ことが出来、また水素ガスの吹出し量の多い方が堆積部
から遠く、少ない方が堆積部に近くなるような位相にす
れば、反応開始面を堆積面と平行にすることが出来る。
【００１１】また請求項４では、多重管バーナの中央管
及びその外側各層の吹出し部から原料ガスとともに酸水
素炎を斜め方向に吹き付けて出発母材の軸方向に多孔質
母材を堆積するようにした光ファイバ母材の製造装置に
おいて、多重管バーナの各層の吹出し部のうち少なくと
も１ヵ所の吹出し部の幅を円周方向に変化させるように
した。このような装置によって上記のような方法により
光ファイバ母材を製造することが出来る。尚、本発明に
係る多重管バーナは、特にコア母材製造用のバーナに適
用すれば好適である。
及びその外側各層の吹出し部から原料ガスとともに酸水
素炎を斜め方向に吹き付けて出発母材の軸方向に多孔質
母材を堆積するようにした光ファイバ母材の製造装置に
おいて、多重管バーナの各層の吹出し部のうち少なくと
も１ヵ所の吹出し部の幅を円周方向に変化させるように
した。このような装置によって上記のような方法により
光ファイバ母材を製造することが出来る。尚、本発明に
係る多重管バーナは、特にコア母材製造用のバーナに適
用すれば好適である。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について添付
した図面に基づき説明する。ここで図１は本発明に係る
多重管バーナの吹出し端面の正面図、図２は本発明に係
る多重管バーナの作用等を説明する吹付け状態図であ
る。
した図面に基づき説明する。ここで図１は本発明に係る
多重管バーナの吹出し端面の正面図、図２は本発明に係
る多重管バーナの作用等を説明する吹付け状態図であ
る。
【００１３】本発明に係る光ファイバ母材の製造技術
は、気相軸付け法（ＶＡＤ法）によって例えば多孔質の
コア母材を堆積するにあたり、屈折率分布の調整のため
コア母材堆積用の多重管バーナを移動させても、コア堆
積部が非対称形状になったり、コア部先端が潰れたり、
堆積効率が急激に悪化する等の不具合が生じるのを防止
することを目的とし、図１に示すような多重管バーナ１
を使用するようにしている。
は、気相軸付け法（ＶＡＤ法）によって例えば多孔質の
コア母材を堆積するにあたり、屈折率分布の調整のため
コア母材堆積用の多重管バーナを移動させても、コア堆
積部が非対称形状になったり、コア部先端が潰れたり、
堆積効率が急激に悪化する等の不具合が生じるのを防止
することを目的とし、図１に示すような多重管バーナ１
を使用するようにしている。
【００１４】この多重管バーナ１は、実施形態では四重
管構造とされ、中央管２の吹出し部２ｈからガラス原料
の四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4 ）及びドーパントの四塩化
ゲルマニウム（ＧｅＣｌ4 ）からなる原料ガスが吹出さ
れるようになり、その外側の第１外側管３の吹出し部３
ｈからＨ2 ガスが吹出されるようになり、更にその外側
の第２外側管４の吹出し部４ｈからシールガスが吹出さ
れるようになり、一番外側の第３外側管５の吹出し部５
ｈからＯ2 ガスが吹出されるようにされている。
管構造とされ、中央管２の吹出し部２ｈからガラス原料
の四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4 ）及びドーパントの四塩化
ゲルマニウム（ＧｅＣｌ4 ）からなる原料ガスが吹出さ
れるようになり、その外側の第１外側管３の吹出し部３
ｈからＨ2 ガスが吹出されるようになり、更にその外側
の第２外側管４の吹出し部４ｈからシールガスが吹出さ
れるようになり、一番外側の第３外側管５の吹出し部５
ｈからＯ2 ガスが吹出されるようにされている。
【００１５】そして第１外側管３、第２外側管４、第３
外側管５はいずれも同心円状に配置され、中央管２のみ
が一方側に偏芯しており、このため、第１外側管３と中
央管２の間の吹出し部３ｈの幅だけが円周方向に変化
し、幅が広い部分ａと狭い部分ｃが意図的に形成されて
いる。
外側管５はいずれも同心円状に配置され、中央管２のみ
が一方側に偏芯しており、このため、第１外側管３と中
央管２の間の吹出し部３ｈの幅だけが円周方向に変化
し、幅が広い部分ａと狭い部分ｃが意図的に形成されて
いる。
【００１６】このような形態の多重管バーナ１から原料
ガス、Ｈ2 ガス、シールガス、Ｏ2ガスを同時に流す
と、吹出し部３ｈから吹出されるＨ2 ガスの吹出し量
は、円周方向に沿って変化することになり、当然、幅の
広い部分ａから多量のＨ2 ガスが吹出され、狭い部分ｃ
からは少量のガスしか吹出されない。
ガス、Ｈ2 ガス、シールガス、Ｏ2ガスを同時に流す
と、吹出し部３ｈから吹出されるＨ2 ガスの吹出し量
は、円周方向に沿って変化することになり、当然、幅の
広い部分ａから多量のＨ2 ガスが吹出され、狭い部分ｃ
からは少量のガスしか吹出されない。
【００１７】そしてこの多重管バーナ１は、図２に示す
ような母材６のコア堆積部６ｔに向けて斜め上方に吹き
付ける際、Ｈ2 ガスの吹出し部３ｈの幅の広い部分ａが
コア堆積部６ｔから遠い側の下側となり、吹出し部３ｈ
の幅の狭い部分ｃがコア堆積部６ｔに近い側の上側にな
るような位相で斜め姿勢で配置される。
ような母材６のコア堆積部６ｔに向けて斜め上方に吹き
付ける際、Ｈ2 ガスの吹出し部３ｈの幅の広い部分ａが
コア堆積部６ｔから遠い側の下側となり、吹出し部３ｈ
の幅の狭い部分ｃがコア堆積部６ｔに近い側の上側にな
るような位相で斜め姿勢で配置される。
【００１８】この際、吹出された原料ガス（ＳｉＣｌ4
及びＧｅＣｌ4 ）は、火炎加水分解反応によって分解さ
れ、この際発生するＳｉＯ2 とＧｅＯ2 がコア母材とな
ってコア堆積部６ｔに堆積していくが、多量のＨ2 ガス
が吹出される下方では拡散に時間がかかり、反応が起き
る位置は、バーナ１から相対的に遠い位置となる。逆に
少量のＨ2 ガスが吹出される上方では、拡散が迅速に行
われ、反応が起きる位置は、相対的にバーナ１に近い位
置になる。
及びＧｅＣｌ4 ）は、火炎加水分解反応によって分解さ
れ、この際発生するＳｉＯ2 とＧｅＯ2 がコア母材とな
ってコア堆積部６ｔに堆積していくが、多量のＨ2 ガス
が吹出される下方では拡散に時間がかかり、反応が起き
る位置は、バーナ１から相対的に遠い位置となる。逆に
少量のＨ2 ガスが吹出される上方では、拡散が迅速に行
われ、反応が起きる位置は、相対的にバーナ１に近い位
置になる。
【００１９】すなわち、この時の反応領域Ｒは、図２に
示す通りであり、反応領域Ｒの端面である反応開始面ｒ
を、コア堆積部６ｔの接面である堆積面ｓと平行にする
ことが出来る。そしてこのような多重管バーナ１を使用
することにより、屈折率分布の調整において多重管バー
ナ１を矢印ｘ方向に移動させても、堆積条件が急激に変
化するような事態がなくなり、良質の光ファイバ母材を
安定して製造することが出来る。
示す通りであり、反応領域Ｒの端面である反応開始面ｒ
を、コア堆積部６ｔの接面である堆積面ｓと平行にする
ことが出来る。そしてこのような多重管バーナ１を使用
することにより、屈折率分布の調整において多重管バー
ナ１を矢印ｘ方向に移動させても、堆積条件が急激に変
化するような事態がなくなり、良質の光ファイバ母材を
安定して製造することが出来る。
【００２０】
【実施例】次に本発明の実施例と比較例について説明す
る。 （実施例１）ステップインデックス型の屈折率分布を有
するシングルモード光ファイバ母材のコアロッドをＶＡ
Ｄ法で製造するにあたり、図１に示すような多重管バー
ナを、図２に示すような位相でセットし、各吹出し部３
ｈ、４ｈ、５ｈからそれぞれのガスを流して点火し、Ｓ
ｉＣｌ4 及びＧｅＣｌ4 からなる原料ガスを共に流した
ところ、明るい円筒状の反応領域Ｒの端面である反応開
始面ｒが、火炎の中心に対応するコア堆積部６ｔの接面
である堆積面ｓと平行になった。
る。 （実施例１）ステップインデックス型の屈折率分布を有
するシングルモード光ファイバ母材のコアロッドをＶＡ
Ｄ法で製造するにあたり、図１に示すような多重管バー
ナを、図２に示すような位相でセットし、各吹出し部３
ｈ、４ｈ、５ｈからそれぞれのガスを流して点火し、Ｓ
ｉＣｌ4 及びＧｅＣｌ4 からなる原料ガスを共に流した
ところ、明るい円筒状の反応領域Ｒの端面である反応開
始面ｒが、火炎の中心に対応するコア堆積部６ｔの接面
である堆積面ｓと平行になった。
【００２１】このような状態で製造したところ、多重管
バーナ１を矢印ｘ方向に５mm移動させても安定して堆積
することが可能となり、図３（Ａ）に示すような屈折率
分布を図３（Ｂ）に示すような屈折率分布に調整するこ
とも可能となった。
バーナ１を矢印ｘ方向に５mm移動させても安定して堆積
することが可能となり、図３（Ａ）に示すような屈折率
分布を図３（Ｂ）に示すような屈折率分布に調整するこ
とも可能となった。
【００２２】（実施例２）階段状サイドコアを有する分
散シフト型光ファイバ母材のコアロッドをＶＡＤ法で製
造するにあたり、図１に示すような多重管バーナを、図
４に示すような前記例と同様の位相でセットし製造し
た。この結果、多重管バーナ１を図４の矢印方向に３．
５mm移動させても安定して堆積することが可能であり、
図５（Ａ）に示すような屈折率分布を図５（Ｂ）に示す
ような屈折率分布に調整することも可能となった。
散シフト型光ファイバ母材のコアロッドをＶＡＤ法で製
造するにあたり、図１に示すような多重管バーナを、図
４に示すような前記例と同様の位相でセットし製造し
た。この結果、多重管バーナ１を図４の矢印方向に３．
５mm移動させても安定して堆積することが可能であり、
図５（Ａ）に示すような屈折率分布を図５（Ｂ）に示す
ような屈折率分布に調整することも可能となった。
【００２３】（比較例１）ステップインデックス型の屈
折率分布を有するシングルモード光ファイバ母材のコア
ロッドをＶＡＤ法で製造するにあたり、コア部の堆積に
図６に示すような同心多重管バーナ５１を使用して製造
した。この結果、安定して移動出来るバーナ５１の可動
距離は２mmであり、この範囲を越えて調整しようとする
と、コア部先端が潰れてしまい製造出来なかった。
折率分布を有するシングルモード光ファイバ母材のコア
ロッドをＶＡＤ法で製造するにあたり、コア部の堆積に
図６に示すような同心多重管バーナ５１を使用して製造
した。この結果、安定して移動出来るバーナ５１の可動
距離は２mmであり、この範囲を越えて調整しようとする
と、コア部先端が潰れてしまい製造出来なかった。
【００２４】（比較例２）ステップインデックス型の屈
折率分布を有するシングルモード光ファイバ母材のコア
ロッドをＶＡＤ法で製造するにあたり、図１に示す多重
管バーナ１を使用し、図２に示す位相と１８０度反転さ
せた状態で、吹出し部３ｈの幅の広い部分ａを上側に向
けて製造した。この結果、安定して堆積出来るバーナ１
の可動距離は１．７mmであり、安定して製造出来る屈折
率分布は、図３（Ａ）のものであり、これを更に調整し
ようとしても堆積効率が悪化するだけで屈折率分布を調
整することは出来なかった。
折率分布を有するシングルモード光ファイバ母材のコア
ロッドをＶＡＤ法で製造するにあたり、図１に示す多重
管バーナ１を使用し、図２に示す位相と１８０度反転さ
せた状態で、吹出し部３ｈの幅の広い部分ａを上側に向
けて製造した。この結果、安定して堆積出来るバーナ１
の可動距離は１．７mmであり、安定して製造出来る屈折
率分布は、図３（Ａ）のものであり、これを更に調整し
ようとしても堆積効率が悪化するだけで屈折率分布を調
整することは出来なかった。
【００２５】（比較例３）階段状サイドコアを有する分
散シフト型光ファイバ母材のコアロッドをＶＡＤ法で製
造するにあたり、コア部の堆積に図６に示すような同心
多重管バーナ５１を使用して製造した。この結果、安定
して堆積出来るバーナ５１の可動距離は２mmであった。
散シフト型光ファイバ母材のコアロッドをＶＡＤ法で製
造するにあたり、コア部の堆積に図６に示すような同心
多重管バーナ５１を使用して製造した。この結果、安定
して堆積出来るバーナ５１の可動距離は２mmであった。
【００２６】（比較例４）階段状サイドコアを有する分
散シフト型光ファイバ母材のコアロッドをＶＡＤ法で製
造するにあたり、コア部の堆積として図１に示す多重管
バーナ１を使用し、図４に示す位相と１８０度反転させ
た状態で、吹出し部３ｈの幅の広い部分ａを上側に向け
て製造した。この結果、安定して堆積出来るバーナ１の
可動距離は１．５mmであり、また安定して製造出来る屈
折率分布は図５（Ａ）のようなものであり、これを更に
調整しようとしてもコア部が回転軸に対して偏芯してし
まい、製造することが出来なくなった。以上のことから
本発明の有効性が立証された。
散シフト型光ファイバ母材のコアロッドをＶＡＤ法で製
造するにあたり、コア部の堆積として図１に示す多重管
バーナ１を使用し、図４に示す位相と１８０度反転させ
た状態で、吹出し部３ｈの幅の広い部分ａを上側に向け
て製造した。この結果、安定して堆積出来るバーナ１の
可動距離は１．５mmであり、また安定して製造出来る屈
折率分布は図５（Ａ）のようなものであり、これを更に
調整しようとしてもコア部が回転軸に対して偏芯してし
まい、製造することが出来なくなった。以上のことから
本発明の有効性が立証された。
【００２７】尚、本発明は、上記実施形態に限定される
ものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の
特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一
な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかな
るものであっても本発明の技術的範囲に包含される。例
えば幅を変化させる吹出し部を複数にしても良く、ま
た、クラッド部堆積用のバーナに適用することも可能で
ある。
ものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の
特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一
な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかな
るものであっても本発明の技術的範囲に包含される。例
えば幅を変化させる吹出し部を複数にしても良く、ま
た、クラッド部堆積用のバーナに適用することも可能で
ある。
【００２８】
【発明の効果】以上のように本発明に係る光ファイバ母
材の製造方法は、請求項１のように、多重管バーナの各
層の吹出し部のうち少なくとも１ヵ所の吹出し部から吹
出されるガス流量を円周方向に沿って変化させるように
したため、反応開始面を堆積面と平行とさせるようにす
ることが出来、バーナを移動させた際の堆積条件の急激
な変化を防止することが出来る。この際、請求項２のよ
うに、円周方向の幅を変化させる吹出し部を、水素ガス
の吹出し部とすれば効果的に反応開始位置をずらすこと
が出来、また請求項３のような位相で配置すれば、反応
開始面を堆積面に一致させることが出来る。そして請求
項４のような装置を使用すれば、上記のような方法によ
って光ファイバ母材を製造することが出来る。
材の製造方法は、請求項１のように、多重管バーナの各
層の吹出し部のうち少なくとも１ヵ所の吹出し部から吹
出されるガス流量を円周方向に沿って変化させるように
したため、反応開始面を堆積面と平行とさせるようにす
ることが出来、バーナを移動させた際の堆積条件の急激
な変化を防止することが出来る。この際、請求項２のよ
うに、円周方向の幅を変化させる吹出し部を、水素ガス
の吹出し部とすれば効果的に反応開始位置をずらすこと
が出来、また請求項３のような位相で配置すれば、反応
開始面を堆積面に一致させることが出来る。そして請求
項４のような装置を使用すれば、上記のような方法によ
って光ファイバ母材を製造することが出来る。
【図１】本発明に係る多重管バーナの吹出し端面の正面
図である。
図である。
【図２】本発明に係る多重管バーナの作用等を説明する
吹付け状態図である。
吹付け状態図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）は、屈折率分布の調整を説明す
るための説明図である。
るための説明図である。
【図４】本発明に係る多重管バーナの作用等を説明する
別の吹付け状態図である。
別の吹付け状態図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）は、屈折率分布の調整を説明す
るための別の説明図である。
るための別の説明図である。
【図６】従来の同心多重管バーナの吹出し端面の正面図
である。
である。
【図７】従来の同心多重管バーナの作用等を説明する吹
付け状態図である。
付け状態図である。
１…多重管バーナ、 ２…中央管、 ２ｈ…吹出し部、
３…第１外側管、３ｈ…吹出し部、 ４…第２外側
管、 ４ｈ…吹出し部、５…第３外側管、 ５ｈ…吹出
し部、 ６…母材、 ６ｔ…コア堆積部、５１…同心多
重管バーナ、 ５２ｈ…吹出し部、 ５３ｈ…吹出し
部、５４ｈ…吹出し部、 ５５ｈ…吹出し部、 ５６…
母材、５６ｔ…コア堆積部、ａ…幅の広い部分、 ｃ…
幅の狭い部分、 ｒ…反応開始面、ｓ…堆積面、ｘ…移
動方向、Ｒ…反応領域。
３…第１外側管、３ｈ…吹出し部、 ４…第２外側
管、 ４ｈ…吹出し部、５…第３外側管、 ５ｈ…吹出
し部、 ６…母材、 ６ｔ…コア堆積部、５１…同心多
重管バーナ、 ５２ｈ…吹出し部、 ５３ｈ…吹出し
部、５４ｈ…吹出し部、 ５５ｈ…吹出し部、 ５６…
母材、５６ｔ…コア堆積部、ａ…幅の広い部分、 ｃ…
幅の狭い部分、 ｒ…反応開始面、ｓ…堆積面、ｘ…移
動方向、Ｒ…反応領域。
Claims (4)
- 【請求項１】 多重管バーナの中央管及びその外側各層
の吹出し部から原料ガスとともに酸水素炎を斜め方向に
吹き付けて出発母材の軸方向に多孔質母材を堆積するよ
うにした光ファイバ母材の製造方法であって、前記多重
管バーナの各層の吹出し部のうち少なくとも１ヵ所の吹
出し部の幅を円周方向に変化させ、当該吹出し部から吹
出されるガス流量を円周方向に沿って変化させることを
特徴とする光ファイバ母材の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光ファイバ母材の製造
方法において、前記円周方向の幅を変化させる吹出し部
は、水素ガスを吹出す吹出し部とされることを特徴とす
る光ファイバ母材の製造方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載の光ファイバ母材の製造
方法において、前記多重管バーナの設置姿勢は、水素ガ
スの吹出し量の多い方が堆積部から遠くなり、水素ガス
の吹出し量の少ない方が堆積部に近くなるような斜め姿
勢で配置されることを特徴とする光ファイバ母材の製造
方法。 - 【請求項４】 多重管バーナの中央管及びその外側各層
の吹出し部から原料ガスとともに酸水素炎を斜め方向に
吹き付けて出発母材の軸方向に多孔質母材を堆積するよ
うにした光ファイバ母材の製造装置であって、前記多重
管バーナの各層の吹出し部のうち少なくとも１ヵ所の吹
出し部の幅は円周方向に変化することを特徴とする光フ
ァイバ母材の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15832398A JP3027360B2 (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | 光ファイバ母材の製造方法及び製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15832398A JP3027360B2 (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | 光ファイバ母材の製造方法及び製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11335131A true JPH11335131A (ja) | 1999-12-07 |
| JP3027360B2 JP3027360B2 (ja) | 2000-04-04 |
Family
ID=15669139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15832398A Expired - Fee Related JP3027360B2 (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | 光ファイバ母材の製造方法及び製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3027360B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020090427A (ja) * | 2018-12-07 | 2020-06-11 | 古河電気工業株式会社 | 多孔質体合成用バーナー及び多孔質体の製造方法 |
-
1998
- 1998-05-22 JP JP15832398A patent/JP3027360B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020090427A (ja) * | 2018-12-07 | 2020-06-11 | 古河電気工業株式会社 | 多孔質体合成用バーナー及び多孔質体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3027360B2 (ja) | 2000-04-04 |
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