JPH11330760A - 高周波機器用筐体及び高出力増幅器及び高出力周波数変換器 - Google Patents

高周波機器用筐体及び高出力増幅器及び高出力周波数変換器

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JPH11330760A
JPH11330760A JP13230598A JP13230598A JPH11330760A JP H11330760 A JPH11330760 A JP H11330760A JP 13230598 A JP13230598 A JP 13230598A JP 13230598 A JP13230598 A JP 13230598A JP H11330760 A JPH11330760 A JP H11330760A
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frequency
circuit board
space
housing
predetermined
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JP13230598A
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English (en)
Inventor
Yoshihiko Imai
芳彦 今井
Tomohiko Sakaguchi
朝彦 坂口
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高周波機器において各基板間のアイソレーシ
ョンを良好に保ちつつ、基板が発生する熱の放熱効率を
良好に維持することができる高周波機器用筐体、及びそ
の筐体を用いた高周波増幅器等を実現する。 【解決手段】 略直方体をなした高周波機器用の筐体1
の上面には出力段増幅回路基板17を収容する空間2が
設けられている。この筐体1の側面には、中間周波数増
幅回路基板16を収容する空間3が設けられている。出
力段増幅回路基板17と中間周波数増幅回路基板16と
が、別の空間に収容されているため、両基板のアイソレ
ーションを良好に保つことができる。更に、筐体1の裏
面には基板が設けられていないため、放熱フィン15を
取り付けることができ、出力段増幅回路基板17が発生
する熱を円滑に放熱することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波回路基板を
収容する高周波機器の筐体に関する。特に、高出力増幅
器や高出力周波数変換器に用いられる筐体であって、い
わゆるアイソレーション特性に優れ、かつ放熱効果に優
れた筐体に関する。
【0002】
【従来の技術】図10には、従来の一般的な高出力高周
波増幅器の構成を表す模式図が示されている。この高出
力高周波増幅器は、小信号増幅回路基板16等を収容す
るための空間2を有する筐体1を備えている。この筐体
1には入力コネクタ13が備えられており、外部から高
周波信号がこの入力コネクタ13を介して増幅装置に供
給される。また、この筐体1には出力コネクタ14が備
えられている。この増幅装置からは、この出力コネクタ
14を介して外部に高周波信号が出力される。
【0003】入力コネクタ13を介して外部から供給さ
れた高周波信号は、小信号増幅回路基板16等に供給さ
れる。この小信号増幅回路基板16は、小信号増幅回路
を搭載しており、この小信号増幅回路が入力された信号
を所定の増幅率で増幅する。小信号増幅回路基板16に
おいて増幅された信号は、出力段増幅回路基板17に供
給される。出力段増幅回路基板17はその上に出力段増
幅回路を搭載しており、この出力段増幅回路は供給を受
けた信号を増幅し、出力コネクタ14に供給する。
【0004】更に、図10に示されているように、筐体
1の内部にはバイアス回路基板19が備えられており、
その上のバイアス回路は、出力段増幅回路などに電力を
供給している。
【0005】更に、同図に示されているように、出力段
増幅回路基板17が発生する熱は筐体1の外部に設けら
れている放熱フィン15に供給され、この放熱フィン1
5から空中に放射される。
【0006】このように、従来の一般的な高周波高出力
増幅装置においては、高周波回路基板を収容する空間が
1つしか設けられていないため、入力と出力の間のアイ
ソレーションが十分にとれないおそれもあった。その結
果、入力信号が出力信号に漏れたり、バイアス回路基板
19の信号が出力信号に漏洩するおそれもあった。
【0007】次に、図11には従来の一般的な高出力周
波数変換器の構成を表す模式図が示されている。上記図
10に示された高出力増幅器と同様に、この周波数変換
器は筐体1を有しており、この筐体1の中には、高周波
回路基板を収容するための空間が設けられている。そし
て、この空間中には各種回路基板が収容されている。
【0008】筐体1には、入力コネクタ13が設けられ
ており、この入力コネクタ13を介して外部から中間周
波数信号が供給されている。また、筐体1には出力コネ
クタ14が備えられており、この出力コネクタ14を介
して外部に周波数変換された高周波信号が出力される。
【0009】入力コネクタ13を介して供給された中間
周波数信号は、中間周波数増幅回路基板16に供給され
る。この中間周波数増幅回路基板16は図10において
説明したのと同様の動作を行い、供給された中間周波数
信号を増幅する。また、図11に示されているように、
この高出力周波数変換器は局部発振器22を備えてお
り、周波数変換のための局部発振波を生成している。こ
の局部発振器22が形成した局部発振波は、ミクサ21
に供給される。ミクサ21は、中間周波数増幅回路基板
16によって増幅された局部発振波と局部発振器22が
生成した信号とを混合し、いわゆる和の周波数の信号と
差の周波数の信号とをそれぞれ作り出す。これらの信号
は帯域通過フィルタ10に供給される。帯域通過フィル
タ10は所望の周波数の信号のみを選択し、選択した信
号を出力段増幅回路基板17に供給する。出力段増幅回
路基板17においては、選択した所望の周波数の信号だ
けが増幅され、出力コネクタ14を介して外部に出力さ
れる。
【0010】この図11に示されているような従来の高
出力周波数変換器においては、出力コネクタ14からは
所望の周波数変換後の信号だけが取り出される必要があ
る。そのため、局部発振器22が生成した局部発振波や
入力コネクタ13を介して入力した中間周波数などが出
力コネクタ14から漏れることは、極力防止しなければ
ならない。そのため、図11に示されているように、局
部発振器22の周囲にはシールドが設けられる場合が多
い。また、図10と同様に、入力コネクタ13や中間周
波数増幅回路基板16を出力コネクタ14からなるべく
離間させ、入力する中間周波数信号が出力コネクタ14
に漏れてくるのを極力防止している。
【0011】以上図10や図11において説明したよう
に、一般に高周波回路装置においては、各機能ブロック
(具体的には、各回路基板)の間のアイソレーションを
十分にとる必要がある。このようないわゆるアイソレー
ションを十分にとるには、各回路基板毎に別の筐体に収
容し、各筐体の間を所定の信号ケーブルで接続するとい
う構成も望ましい。しかしながら、このような構成では
装置全体の大きさが大きくなってしまい、また、信号ケ
ーブルで各筐体を接続するため取り扱いに不便であるな
どの問題がある。
【0012】以上のような点を考慮して、筐体1の内部
の空間を表面と裏面で分ける構造、及び仕切板で表面あ
るいは裏面のそれぞれの空間を仕切る手法が提案されて
いる。
【0013】例えば図12及び図13には、特開昭58
−173298号公報に記載されているシールドケース
の構造を表す模式図が示されている。
【0014】先ず、図12(a)には、かかるシールド
ケースの正面図が示されている。また、図12(b)に
は、このシールドケースの平面図が示されている。この
平面図に示されているように、このシールドケースの筐
体1は、表側の空間29や27の他に、裏側の空間も設
けられている。この表側の空間と裏側の空間を仕切板2
3によって仕切っているのである。図12(a)には、
シールドケースの正面図が示されており、表側の空間2
9と27が仕切板25によって仕切られている様子が示
されている。なお、図12(a)には裏面の空間を仕切
る仕切板24も破線で示されている。この仕切板24に
よって裏側の空間も空間28と空間26とに分けられて
いるのである(図12(c)参照)。図12(c)に
は、このシールドケースの筐体1の左側面図が示されて
おり、表側と裏側の空間を仕切る仕切板23の他に裏側
の空間を空間28と26とに分けている仕切板24が示
されている。
【0015】図12(a)に示されているように、表側
の空間を仕切る仕切板25と、裏側の空間を仕切る仕切
板24とは互いに直交している。このように、同号公報
に記載されているシールドケースは高周波回路基板を収
容する空間を、表と裏に分け、かつ表側の空間について
は更に仕切板25によって2つの空間に完全に分割して
いる。また裏側の空間についても仕切板24によって2
つの空間に完全に分離させている。
【0016】図13には、図12に示されているような
シールドケースを用いて高周波回路装置を構成した場合
の信号の流れを表す説明図が示されている。この筐体1
には入力端子13が設けられており、この入力端子13
を介して外部から処理すべき高周波信号が入力される。
入力された高周波信号は、まず裏側の空間のひとつであ
る空間26に供給される。そのため、この空間26に設
けられている高周波回路基板上の回路によって増幅など
の信号処理が行われる。信号処理が行われた後、信号
は、今度は表側の空間27に供給される。図に示されて
いるように、この信号は、空間27と空間26との間に
設けられている貫通端子30を介して空間26から空間
27に供給される。このように、同号公報に記載されて
いるシールドケースは、この貫通端子30のみで各空間
が接続されており、それ以外の部分は完全に遮断されて
おり、良好なアイソレーションが実現されると述べられ
ている。
【0017】空間27に供給されてきた高周波信号は、
この空間27にある高周波回路基板における回路で別の
信号処理が行われた後、貫通端子30を介して今度は裏
側の別の空間28に供給される。空間28においても所
定の信号処理が行われ、次に再び貫通端子30を介して
表側の空間29に信号は供給される。この空間29にお
いて最後の信号処理が行われた後、出力端子14を介し
て処理後の高周波信号が外部に出力される。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】このように、特開昭5
8−173298号公報に記載されているシールドケー
スによれば、高周波回路基板を収容する空間を表側と裏
側に分け、更に表側は仕切板によって2つの空間に分
け、裏側についても仕切板24によって2つの空間に分
けられている。
【0019】しかしながら、図10において示したよう
な従来の一般的な高出力高周波増幅器においては、単純
に筐体の一面に面する空間を仕切板23〜25で仕切
り、複数の空間を設けてそれぞれ高周波基板を収容した
のでは、一般に箱の幅が広くなる傾向にあり、装置の小
型化を図ることが困難な場合も想定される。
【0020】さらに、一般に高出力増幅器の場合は出力
段増幅回路から発生する熱を外部に放熱する必要があ
り、図12のように筐体表面に空間を設けることは、放
熱上困難である。
【0021】本発明は、これらの課題に鑑みなされたも
のであり、その目的は高周波機器に用いられる筐体であ
って、各基板の間のアイソレーションを十分に達成する
ことができる筐体であって、かつ放熱がしやすく、また
筐体の小型化を図ることができるような構造を実現する
ことである。
【0022】
【課題を解決するための手段】本発明は、高周波機器用
筐体において、前記高周波機器用筐体の第1の面には、
高周波回路基板を収容する所定の収容空間が設けられ、
前記第1の面に隣接する第2の面にも、他の高周波回路
基板を収容する所定の他の収容空間が設けられているこ
とを特徴とするものである。
【0023】本発明は、前記第1の面には、高周波回路
基板を収容する収容空間を2以上設けられていることを
特徴とするものである。本発明は、前記第1の面に隣接
する第3の面にも、他の高周波回路基板を収容する所定
の他の収容空間が設けられていることを特徴とするもの
である。
【0024】本発明は、前記高周波機器用筐体は直方体
をなしていることを特徴とするものである。
【0025】本発明は、高周波機器用筐体と、前記高周
波機器用筐体に収容された高周波基板と、を備えた高出
力増幅器において、前記高周波機器用筐体は、前記高周
波機器用筐体の所定の面には、高周波回路基板を収容す
る所定の収容空間が設けられ、前記所定の面に隣接する
他の面にも、他の高周波回路基板を収容する所定の他の
収容空間が設けられており、前記高周波基板は、前記所
定の収容空間に収容されている出力段増幅回路基板と、
前記他の所定の収容空間に収容されており、前記出力段
増幅回路を励振する小信号増幅基板と、を含むことを特
徴とするものである。
【0026】本発明は、前記高周波基板は、前記所定の
収容空間に収容されている出力段増幅回路基板と、前記
他の所定の収容空間に収容されており、前記出力段増幅
回路のバイアスを設定するバイアス回路基板と、を含む
ことを特徴とするものである。
【0027】本発明は、前記高周波機器用筐体は直方体
をなしており、前記所定の面は、前記直方体の6面の内
の1つの面であり、前記他の面は前記所定の面に隣接す
る他の1面であることを特徴とするものである。
【0028】本発明は、前記所定の面に対向する裏面に
設けられた放熱フィン、を含み、前記所定の収容空間に
収容されている基板が発生する熱が、前記放熱フィンを
介して空中に放射されることを特徴とするものである。
【0029】本発明は、前記高周波基板は、前記所定の
収容空間に収容されている出力段増幅回路基板と、前記
他の所定の収容空間に収容されており、前記出力段増幅
回路に所定の周波数の信号を供給する周波数変換回路基
板と、を含むことを特徴とするものである。
【0030】本発明は、前記高周波機器用筐体は直方体
をなしており、前記所定の面は、前記直方体の6面の内
の1つの面であり、前記他の面は前記所定の面に隣接す
る他の1面であることを特徴とするものである。
【0031】本発明は、前記所定の面に対向する裏面に
設けられた放熱フィン、を含み、前記所定の収容空間に
収容されている基板が発生する熱が、前記放熱フィンを
介して空中に放射されることを特徴とするものである。
【0032】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態を図面に基づいて説明する。
【0033】実施の形態1.図1には、本発明の好まし
い実施の形態に係る筐体1の斜視図が示されている。こ
の図に示されているように、この筐体1は基本的な形状
として直方体をなしている。そして、その直方体の上面
に高周波回路基板を収容する空間2が設けられている。
【0034】本実施の形態において特徴的なことは、こ
の空間2が設けられている面(上面)に隣接する面(側
面の1つ)に他の基板を収容する空間3が設けられてい
ることである。
【0035】なお、請求項1の第1の面は、この上面に
相当する。また、請求項1の第2の面は、この側面が相
当する。
【0036】このように本実施の形態においては、互い
に隣接する面に対して高周波回路基板を収容する空間2
及び3を設けたので、それぞれの回路基板の間のアイソ
レーションを良好に確保することができる。更に、空間
2が設けられている面の裏側の面にはこのような基板を
収容する空間は設けられていないため、放熱フィンなど
を自由に取り付けることができ、優れた放熱特性を有す
る。
【0037】図1におけるII−IIにおける断面図が図2
に示されている。この図2に示されているように筐体1
には高周波回路基板を収容する空間2と、他の基板を収
容する空間3とが設けられている。そして、これらの空
間2、3は互いに隣接する面に対して設けられている。
空間2に対しては高周波回路基板4が収容されている。
また、空間3に対しては、他の基板が収容されている。
それぞれの空間に対しては、カバー板5、7が設けられ
ている。すなわち、空間2はカバー板5によって覆われ
ており、空間3はカバー板7によって覆われている。
【0038】空間2に収容されている高周波回路基板4
と空間3に収容されている他の基板6との間の電気的な
接続は、同軸貫通端子8によって実現されている。この
同軸貫通端子8は、筐体1にあけられている穴の中の絶
縁体で支持されており、筐体1そのものとは絶縁されて
いる。この同軸貫通端子8を介して基板4と基板6とが
接続されている。
【0039】このように、同軸貫通端子8でのみ両基板
4、6は接続されている。それ以外の手段による接続は
一切無く、空間2及び空間3によって完全に隔離されて
いる。その結果、本実施の形態に係る筐体1を用いれ
ば、アイソレーションに優れた高周波機器を構成するこ
とができる。
【0040】更に、図1及び図2に示されているよう
に、空間2が設けられている面(上面)に対向する裏側
の面には、基板を収容するための他の空間は一切設けら
れていない。従って、この対向する面には放熱フィン等
を設けることが容易であり、放熱性に優れた筐体1を実
現することができる。
【0041】実施の形態2.次に、上記実施の形態1で
説明した筐体を用いて、高周波高出力増幅器を構成した
場合の例を以下に説明する。
【0042】図3には本実施の形態2に係る高周波高出
力増幅器の回路構成のブロック図が示されている。この
図に示されているように、この高周波高出力増幅器は、
上記空間3に収容される回路部分と、上記空間2に収容
される回路部分との2つに大きく分けられる。空間3に
収容されるのは、入力端子13を介して供給されてきた
高周波信号を高い増幅率で増幅する単位増幅器9と、所
定の帯域の信号のみを通過させる帯域通過フィルタ10
からなる回路である(図3参照)。この単位増幅器9
は、微弱な高周波信号を高い増幅率で増幅するものであ
る。また、帯域通過フィルタ10は、所望の信号のみを
増幅するために、入力端子13から侵入してくるノイズ
等を除去するためのものである。この空間3に収容され
ている回路において増幅された信号は、上述した同軸貫
通端子8を介して空間2に収容されている基板に供給さ
れる。この空間2における回路は、単位増幅器9と電力
分配器11及び電力合成器12と、を備えた電力増幅回
路である。すなわち、単位増幅器9を並列に接続し、大
きな出力電力を確保しているものである。この並列接続
されている単位増幅器9に対し、等しく高周波信号を供
給するために、電力分配器11が用いられている。ま
た、並列に増幅された高周波信号を1つの信号に合成す
るため、電力合成器12が設けられている。この電力合
成器12において合成された高周波信号は、出力端子1
4を介して外部に出力される。
【0043】この図3に示されているような回路構成を
筐体1に取り付けた場合の斜視図が図4に示されてい
る。この図に示されているように、空間3には入力コネ
クタ13を介して高周波信号が供給されるのである。こ
の入力コネクタ13を介して空間3の内部に供給された
高周波信号は、小信号増幅回路基板16上の単位増幅器
9等によって大きな増幅率で増幅される。十分に増幅さ
れた高周波信号は、同軸貫通端子8を介して今度は空間
2の内部に供給される。空間2の中に供給された高周波
信号は、出力段増幅回路基板17上の単位増幅器9等に
よって電力増幅される。そして、最終的に電力増幅され
た高周波信号は、空間2に対して設けられている出力コ
ネクタ14を介して外部に出力される。
【0044】この出力段増幅回路基板17が収容されて
いる空間2は、出力段増幅回路基板17が発生する熱を
迅速に外部に放出しなければならない。そこで、図4に
示されているようにこの空間に設けられている面と対向
する裏面には放熱フィン15が設けられている。このよ
うに空間2の裏面には高周波回路基板を収容するための
他の空間が設けられていないため、放熱フィン15を取
り付けることが容易であり、空間2内部の出力段増幅回
路基板17から発生する熱を効率的に外部に放出するこ
とができる。
【0045】図4におけるV−Vにおける断面図が図5
に示されている。この断面図の向きは、図2に示されて
いる断面図とほぼ同様である。そして、隣接する面、す
なわち上面と側面に、それぞれ空間2及び空間3が設け
られている。そして、空間2に収容されている出力段増
幅回路基板17は、空間3に収容されている小信号増幅
回路基板16と同軸貫通端子8を介して電気的に接続さ
れている。また、空間2は、カバー板5によってカバー
され、空間3はカバー板7によってカバーされている。
出力段増幅回路基板17上には、電力増幅するための高
出力増幅器18が設けられている。この高出力増幅器1
8は、一般に、電力増幅のために大きな熱を発生する。
図5に示されているように、この発生した熱は筐体1を
介して空間2が設けられている面と対向する裏面に設け
られている放熱フィン15に伝達する。放熱フィン15
は伝達されてきた熱を空間に放出する。これによって、
放熱のよい高周波高出力増幅器が実現されている。更
に、放熱が良好だけでなく、小信号増幅回路基板16
と、出力段増幅回路基板17とが収容される空間が完全
に別個の空間となっているため、両基板の間のアイソレ
ーションを良好に保つことができる。更に、単に1つの
面に2つの空間を設けたのに比べ、筐体1の上面の投影
面積を小さくすることができ、装置の小型化に寄与する
ことができる。
【0046】実施の形態3.上記実施の形態においては
隣接する面に対して基板を収容するための空間を設け、
高いアイソレーションを実現した。この隣接する面は必
ずしも1面に限られず隣接する複数の面に上記収容する
ための空間を設けることも好ましい。例えば直方体の場
合には、上面に隣接する面は正面と背面及び左側面と右
側面の合計4面ある。
【0047】以下、左側面と右側面の2つの面に収容空
間を設けた例について説明する。
【0048】なお、請求項1の第2の面は、左側面に相
当する。また、請求項3の第3の面は、右側面に相当す
る。
【0049】図6には、このように隣接する2つの面に
収容空間を設けた筐体1に対して、格納される高周波高
出力増幅器の回路構成を表す構成ブロック図が示されて
いる。この図に示されているように、まず、上面の出力
段増幅回路基板17を収容する空間2には単位増幅器9
や帯域通過フィルタ10などを含む増幅回路が収容され
る。ここに収容される増幅回路は、上記実施の形態2と
同様に、複数の単位増幅器9を並列に接続し、出力可能
な電力の大きさを大きくするようにしている。このた
め、上記実施の形態2と同様に電力分配器11を用いて
高周波信号を2つに分配し、2組の単位増幅器9a、9
bでそれぞれ増幅を行っている。増幅したそれぞれの高
周波信号は、電力合成器12において単一の信号に合成
され、出力端子14から外部に出力される。
【0050】なお、この高周波高出力増幅器における増
幅の対象となる高周波信号(入力信号)は、上記実施の
形態1や2と同様に入力端子13を介して供給される。
供給された高周波信号は単位増幅器9によって増幅さ
れ、帯域通過フィルタ10によってノイズなどの余分な
信号が除去されるのである。
【0051】さて、本実施の形態3において特徴的なこ
とは、電力増幅に用いられる単位増幅器9に対する電力
を供給するバイアス回路基板19が上面に隣接する他の
面(左側面及び右側面)に設けられている空間3a、3
bに収容されていることである。バイアス回路基板19
a、19bは電力増幅器のための電力を単位増幅器9
a、9bに供給するが、2組ある単位増幅器9a、9b
に対して1組毎にこのバイアス回路基板19a、19b
がそれぞれ設けられているのである。本実施の形態3に
おいては、1組の単位増幅器9aに電力を供給する1枚
のバイアス回路基板19aが右側面に設けられた空間3
aに収容され、他の1組の単位増幅器9bに電力を供給
するバイアス回路基板19bが左側面に設けられた空間
3bにそれぞれ収容されているのである。
【0052】図7には、このような高周波高出力増幅器
が筐体1内に収容されている様子の断面図が示されてい
る。この断面図は、図5と同様の方向に筐体1を切った
場合の断面図である。この図に示されているように、筐
体1には右側面にバイアス回路基板19aを収容する空
間3aが設けられており、左側面に対してはバイアス回
路基板19bを収容する空間3bが設けられている。そ
して、筐体1の上面には出力段増幅回路基板17aと1
7bを収容する空間2が設けられている。出力段増幅回
路基板17aには図6に示されている単位増幅器9aが
搭載されており、その単位増幅器9aの高出力増幅器1
8aが図7の断面図に示されている。出力段増幅回路基
板17bは、図6に示されている単位増幅器9bを搭載
している。そして、この単位増幅器9bの高出力増幅器
18bが図7の断面図に表されている。
【0053】図5において示した例と同様に、本実施の
形態においても、空間2と空間3aとの間には、同軸貫
通端子8aが設けられており、電気的な接続が行われて
いる。同様に、空間2と空間3bとの間にも同軸貫通端
子8bが設けられており、電気的な接続がなされてい
る。これら同軸貫通端子8a、8bは、具体的には貫通
コンデンサ20a、20bで実現されている。また、図
5において示した例と同様に、空間2はカバー板5によ
って覆われており、また、空間3aは、カバー板7aで
覆われている。また、空間3bはカバー板7bで覆われ
ている。筐体1の下面には、図5で示されている例と同
様に放熱フィン15が設けられている。このような構成
により高出力増幅器18a、18bが発した熱は、筐体
1を伝搬していき、放熱フィン15に到達する。そし
て、この放熱フィン15から空中に熱が放出されるので
ある。
【0054】本実施の形態3において特徴的なことは、
図5に示した例と異なり、2つの側面に対して空間3a
と3bとがそれぞれ設けられていることである。そし
て、それぞれの空間3a、3bに対してバイアス回路基
板19a、19bを設けたのである。このバイアス回路
基板19a、19bは、それぞれ対応する出力段増幅回
路基板17a、17bの回路に対して電力を供給する。
このように、バイアス回路基板19a、19bを出力段
増幅回路基板17a、17bと別空間に収容したため出
力段増幅回路基板17a、17bが発生する熱の影響を
直接受けることがなくなる。その結果、より安定したバ
イアス電圧を出力段増幅回路基板17a、17bの単位
増幅器9a、9bに供給することができるのである。
【0055】また、出力段増幅回路基板17a,17b
からの高周波信号がバイアス回路基板19a,19bに
もれるのを抑えることができ、回路を安定に動作させる
ことができる。
【0056】以上述べたように、本実施の形態によれ
ば、図5に示した例と同様に高出力増幅器18a、18
bからの熱を良好に放熱させることができ、かつ、バイ
アス回路基板19a、19bを出力段増幅回路基板17
a、17bと別空間に収容したため、熱の影響及び高周
波信号と電源との相互干渉を受けずに安定したバイアス
を供給することができる。
【0057】実施の形態4.次に、上記実施の形態1に
係る筐体を高出力周波数変換器に応用した場合の例につ
いて説明する。
【0058】図8には、本実施の形態4に係る高出力周
波数変換器の回路構成を表す構成ブロック図が示されて
いる。この図に示されているように、この高出力周波数
変換器は3枚の基板から構成されている。
【0059】まず、周波数変換の対象である中間周波数
信号は、入力端子13を介して中間周波数増幅回路基板
16に供給される。この中間周波数増幅回路基板16
は、後述するように空間2に収容される。中間周波数増
幅回路基板16の上には、単位増幅器9cが搭載されて
おり、所定の増幅率で入力されてきた中間周波数信号を
増幅する。増幅された中間周波数信号は同軸貫通端子8
aを介して周波数変換回路基板52に供給される。この
周波数変換回路基板52は、後述するように空間3に収
容されている。この周波数変換回路基板52において、
入力されてきた中間周波数信号はミクサ21に供給され
る。ミクサ21は、入力した中間周波数信号と局部発振
器22が生成した局部発振波とを乗算し、これらの信号
の和の周波数の信号と差の周波数の信号とを出力する。
この和の周波数と差の周波数の信号は、帯域通過フィル
タ10に供給され、帯域通過フィルタ10は所望の周波
数の信号のみを通過させて出力する。このような動作に
より、所望の周波数変換が達成される。
【0060】周波数変換後の信号(帯域通過フィルタ1
0の出力信号)は、同軸貫通端子8bを介して空間2b
に収容されている出力段増幅回路基板17に対して供給
される。この出力段増幅回路基板17は、単位増幅器9
dを備えている。入力されてきた周波数変換後の高周波
信号は、この単位増幅器9dでまず増幅される。次に、
増幅された信号は電力分配器11によって2つに分配さ
れる。そして、一方の高周波信号は単位増幅器9aにお
いて増幅され、他方の高周波信号は単位増幅器9bにお
いて増幅される。増幅されたそれぞれの信号は電力合成
器12において再び1つの信号に合成される。合成後の
電力増幅された高周波信号は、出力端子14を介して外
部に出力される。
【0061】本実施の形態4に係る高出力周波数変換器
が筐体1に収容されている様子をあらわす斜視図が図9
に示されている。この図に示されているように、本実施
の形態4において特徴的なことは、周波数変換回路基板
52を収容する空間3が、上面に隣接する側面に設けら
れていることである。そして、上面には中間周波数増幅
回路基板16を収容する空間2aと、出力段増幅回路基
板17を収容する空間2bが設けられている。このよう
に、本実施の形態4においては周波数変換回路基板52
を収容する空間を、出力段増幅回路基板17や中間周波
数増幅回路基板16が収容される空間が設けられている
面とは別の面に設けている。その結果、この周波数変換
回路基板52における局部発振器22等の信号が出力段
増幅回路基板17側に回り込んでしまうのを効果的に防
止することができる。すなわち、各基板間のアイソレー
ションを良好に維持することができる。
【0062】さらに、本実施の形態4においては、各基
板を収容する空間を筐体1の上面と下面に設けずに、上
面とその上面に隣接する側面に設けている。その結果、
下面に放熱フィン15を設けることができ、この放熱フ
ィン15を介して出力段増幅回路基板17から発生する
熱を効率よく空中に放出することができる。
【0063】このように、本実施の形態4によれば、高
出力周波数変換器において、局部発振器が生成する周波
数の信号が出力段に漏れてくるのを効果的に防止するこ
とができるとともに、出力段における発生した熱の放出
を円滑に行うことができるという効果を奏する。
【0064】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、第
1の面と、この第1の面に隣接する第2の面にも基板を
収容する空間を設けたので、基板間のアイソレーション
を良好に保つことができる。
【0065】また、第1の面に基板を収容する空間を2
以上設ければ、それぞれの空間に収容した基板の間のア
イソレーションを良好に保つことができる。
【0066】また、第1の面に隣接する面が2以上ある
場合に、上記第2の面だけでなく第3の面にも基板を収
容する空間を設ければ、これらの空間に収容された基板
の間のアイソレーションを良好に保つことができる。
【0067】特に、高周波機器用筐体が直方体をなして
いれば、所定の第1の面に対して隣接する面は4面存在
する。この4面の中から、上記第2の面や第3の面を容
易に選択することができる。また、第1の面において収
容空間を2つ以上設けることも容易にすることができ
る。
【0068】また、本発明によれば、高周波機器用筐体
が直方体をなしている場合に、第1の面に隣接する第2
や第3の面にのみ、収容する空間を設けたので、第1の
面の裏面に放熱用フィンを設けることができ、第1の面
に収容した基板からの熱を効率よく放熱することができ
る。
【0069】また、本発明によれば、出力段増幅回路基
板と、小信号増幅基板とを、別の空間に収容したため、
両基板の間のアイソレーションを良好に保つことができ
る高周波高出力増幅器が得られる。
【0070】また、本発明によれば、バイアス回路基板
を、出力段増幅回路基板と別空間に収容したため、両基
板の間のアイソレーションを良好に保つことができ、バ
イアス回路が出力段増幅回路の熱の影響などを受けない
高周波高出力増幅器が得られる。
【0071】また、本発明によれば、高周波機器用筐体
として直方体を使用したため、直方体の1つの面に出力
段増幅回路基板を収容し、隣接する他の面にバイアス回
路基板や小信号増幅回路基板を収容することができる高
周波高出力増幅器が得られる。
【0072】また、本発明によれば、出力段増幅回路基
板が収容されている面の裏面に対して放熱フィンが設け
られているため各基板間のアイソレーションを良好に保
ちつつ、出力段増幅回路からの熱を良好に放熱し得る高
周波高出力増幅器が得られる。
【0073】また、本発明によれば、出力段増幅回路基
板と、周波数変換回路基板とを別の収容空間に収容した
ため、周波数変換回路における周波数変換のための周波
数の信号などが出力段に漏れることを防止することがで
きる高出力周波数変換器が得られる。
【0074】また、本発明によれば、高周波機器用筐体
として直方体を採用し、その所定の面に出力段増幅回路
基板を収容し、その面に隣接する他の面に周波数変換回
路基板を収容したため、両基板間のアイソレーションを
良好に保つことができる高出力周波数変換器が得られ
る。
【0075】また、本発明によれば、出力段増幅回路基
板が収容されている所定の面の裏面に放熱フィンが設け
られているため、出力段増幅回路基板が発生する熱をこ
の放熱フィンから良好に放熱させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の好ましい実施の形態1に係る筐体斜
視図である。
【図2】 図1に示された筐体の断面図である。
【図3】 本実施の形態2に係る高周波高出力増幅器の
回路ブロック図である。
【図4】 本実施の形態2に係る高周波増幅器の斜視図
である。
【図5】 図4におけるV−V断面図である。
【図6】 本実施の形態3に係る高周波増幅器の回路ブ
ロック図である。
【図7】 本実施の形態3に係る高周波増幅器の筐体の
断面図である。
【図8】 本実施の形態4に係る高出力周波数変換器の
回路ブロック図である。
【図9】 本実施の形態4に係る高出力周波数変換器の
斜視図である。
【図10】 従来の高周波増幅器の模式図である。
【図11】 従来の高出力周波数変換器の模式図であ
る。
【図12】 従来の高周波機器用筐体の構造を表す説明
図である。
【図13】 従来の高周波機器用筐体の利用方法を説明
する説明図である。
【符号の説明】
1 筐体、2、3 空間、4 高周波回路基板、5、7
カバー板、6 他の高周波回路基板、8 同軸貫通端
子、9a、9b、9c、9d、9e 単位増幅器、10
帯域通過フィルタ、11 電力分配器、12 電力合
成器、13 入力端子、14 出力端子、15 放熱フ
ィン、16 中間周波数増幅回路基板、17 出力段増
幅回路基板、18 高出力増幅器、19a、19b バ
イアス回路基板、20a、20b 貫通コンデンサ、2
1 ミクサ、22 局部発振器、23、24、25 仕
切板、26、27、28、29 空間、30 貫通端
子、52 周波数変換回路基板。

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 高周波機器用筐体において、 前記高周波機器用筐体の第1の面には、高周波回路基板
    を収容する所定の収容空間が設けられ、 前記第1の面に隣接する第2の面にも、他の高周波回路
    基板を収容する所定の他の収容空間が設けられているこ
    とを特徴とする高周波機器用筐体。
  2. 【請求項2】 前記第1の面には、高周波回路基板を収
    容する収容空間を2以上設けられていることを特徴とす
    る請求項1記載の高周波機器用筐体。
  3. 【請求項3】 前記第1の面に隣接する第3の面にも、
    他の高周波回路基板を収容する所定の他の収容空間が設
    けられていることを特徴とする請求項1又は2記載の高
    周波機器用筐体。
  4. 【請求項4】 前記高周波機器用筐体は直方体をなして
    いることを特徴とする請求項1、2、3のいずれかに記
    載の高周波機器用筐体。
  5. 【請求項5】 高周波機器用筐体と、 前記高周波機器用筐体に収容された高周波基板と、を備
    えた高出力増幅器において、 前記高周波機器用筐体は、 前記高周波機器用筐体の所定の面には、高周波回路基板
    を収容する所定の収容空間が設けられ、 前記所定の面に隣接する他の面にも、他の高周波回路基
    板を収容する所定の他の収容空間が設けられており、 前記高周波基板は、 前記所定の収容空間に収容されている出力段増幅回路基
    板と、 前記他の所定の収容空間に収容されており、前記出力段
    増幅回路を励振する小信号増幅基板と、を含むことを特
    徴とする高出力増幅器。
  6. 【請求項6】 前記高周波基板は、 前記所定の収容空間に収容されている出力段増幅回路基
    板と、 前記他の所定の収容空間に収容されており、前記出力段
    増幅回路のバイアスを設定するバイアス回路基板と、を
    含むことを特徴とする請求項5記載の高出力増幅器。
  7. 【請求項7】 前記高周波機器用筐体は直方体をなして
    おり、前記所定の面は、前記直方体の6面の内の1つの
    面であり、前記他の面は前記所定の面に隣接する他の1
    面であることを特徴とする請求項5又は6記載の高出力
    増幅器。
  8. 【請求項8】 前記所定の面に対向する裏面に設けられ
    た放熱フィン、 を含み、前記所定の収容空間に収容されている基板が発
    生する熱が、前記放熱フィンを介して空中に放射される
    ことを特徴とする請求項7記載の高出力増幅器。
  9. 【請求項9】 前記高周波基板は、 前記所定の収容空間に収容されている出力段増幅回路基
    板と、 前記他の所定の収容空間に収容されており、前記出力段
    増幅回路に所定の周波数の信号を供給する周波数変換回
    路基板と、を含むことを特徴とする高出力周波数変換
    器。
  10. 【請求項10】 前記高周波機器用筐体は直方体をなし
    ており、前記所定の面は、前記直方体の6面の内の1つ
    の面であり、前記他の面は前記所定の面に隣接する他の
    1面であることを特徴とする請求項9記載の高出力周波
    数変換器。
  11. 【請求項11】 前記所定の面に対向する裏面に設けら
    れた放熱フィン、 を含み、前記所定の収容空間に収容されている基板が発
    生する熱が、前記放熱フィンを介して空中に放射される
    ことを特徴とする請求項9又は10記載の高出力周波数
    変換器。
JP13230598A 1998-05-14 1998-05-14 高周波機器用筐体及び高出力増幅器及び高出力周波数変換器 Pending JPH11330760A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010054412A (ko) * 1999-12-06 2001-07-02 박종섭 절첩식 알 에프 리모트 유니트
US6624692B2 (en) 2000-04-20 2003-09-23 Alps Electric Co., Ltd. Radio frequency amplifier with a waveguide filter for isolating amplifying elements
KR100454544B1 (ko) * 2002-05-24 2004-11-03 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 고주파 회로 및 그 제조 방법
JP2006332186A (ja) * 2005-05-24 2006-12-07 Nec Corp 高周波回路装置の実装構造
JP2008235775A (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Mitsubishi Electric Corp 高周波モジュール

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