JPH11326092A - マイクロデバイスのフィルタ構造およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体製造プロセス技術により作られるマイ
クロセンサまたはマイクロアクチュエータ等のマイクロ
デバイスにおいて気体または流体の導入口を介して微小
なゴミが内部空間へ入るのを防止し、デバイスの信頼性
を高め、寿命を長くする。 【解決手段】 真空センサ21はシリコン基板24とその両
側に固定されたパイレックス基板25,26 からなる積層構
造を有する。中間のシリコン基板24には圧力を受ける電
極部１が設けられる。パイレックス基板25に内部空間Ｓ
１と外部を通じる導入口22が形成され、この導入口を通
して外部から内部空間Ｓ１に気体または流体が導入され
る。シリコン基板に半導体製造プロセス技術を応用して
例えば格子状孔からなるフィルタ23を作り、このフィル
タ23を陽極接合によって導入口の内側開口部に設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造プロセ
ス技術で製造されるマイクロセンサまたはマイクロアク
チュエータ等のマイクロデバイスにおいて内部空間へ気
体または流体を導入する孔のフィルタ構造とその製造方
法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体製造プロセス技術によっ
て、小型かつ測定範囲の広い圧力測定用センサが開発さ
れてきた。例えばIEEE Electron Device Societyにおい
て開催されたTRANSDUCER'97 の1997 International Con
ference on Solid-State Sensorand Actuators Chicag
o, June 16-19, 1997 講演予稿集 Volume 2, p.1457-p.
1460などに発表されたサーボ式静電容量型真空センサが
ある。この真空センサの構造を図５に示す。図５では実
際のセンサ構造に比較して厚みを誇張して示している。

【０００３】図５において真空センサは、シリコン基板
１３１と、シリコン基板１３１の両側に接合されたパイ
レックス基板１３２，１３３で構成されている。中間の
シリコン基板１３１にはダイアフラム状の電極部１３４
が形成される。電極部１３４と上側のパイレックス基板
１３２の間には内部空間１３９が形成され、電極部１３
４と下側のパイレックス基板１３３との間には内部空間
１４０が形成されている。内部空間１３９には導入口１
４１を通して外部から測定対象である気体または流体が
導入される。内部空間１４０はゲッター材１５４が収容
されたゲッター室１５３と通じており、内部空間１４０
とゲッター室１５３はゲッター材１５４によって排気さ
れ、高真空状態に保持されている。電極部１３４は、内
部空間１３９に導入された気体または流体の圧力を受け
る。電極部１３４は、その中央部下側に肉厚部１３５を
有し、肉厚部１３５の周囲に肉薄部１３６を有する。肉
厚部１３５は下方に凸状となっている。電極部１３４
は、肉厚部１３５と肉薄部１３６の全体が変位する可動
電極である。電極部１３４では、気体または流体の圧力
を受けると、下側の内部空間１４０が高真空状態に保持
されているので、肉薄部１３６が下方向へ変形し、中央
の肉厚部１３５が下方へ変位する。

【０００４】上記構造を有する電極部１３４は、一定の
厚みを有するシリコン基板１３１の両面を半導体製造プ
ロセス技術を応用してエッチングすることにより形成さ
れる。また上記パイレックス基板１３２，１３３はパイ
レックスガラスで形成され、絶縁性と高剛性を有してい
る。パイレックス基板１３２における内部空間１３９側
の面にはサーボ電極１３７が設けられている。サーボ電
極１３７はｐ＋＋シリコン層で形成される。サーボ電極
１３７は電極部１３４に対向している。パイレックス基
板１３３における内部空間１４０側の面には固定電極１
３８が設けられている。固定電極１３８は肉厚部１３５
に対向している。肉厚部１３５は固定電極１３８に対す
る電極として機能し、肉厚部１３５と固定電極１３８の
間で間隔に応じた静電容量が決まる。

【０００５】上側のパイレックス基板１３２には、導電
性端子を形成するための３つの貫通孔が形成される。第
１の貫通孔にはＡｌ（アルミニウム）電極１４２が設け
られかつサーボ電極１３７に接続される導電性エポキシ
樹脂１４３が充填されている。第２の貫通孔にはＡｌ電
極１４４が設けられかつシリコン部１４５を介して電極
部１３４に接続される導電性エポキシ樹脂１４６が充填
されている。第３の貫通孔にはＡｌ電極１４７が設けら
れかつシリコン部１４８を介して固定電極１３８に接続
される導電性エポキシ樹脂１４９が充填されている。各
エポキシ樹脂１４３，１４６，１４９にはそれぞれリー
ド線１５０，１５１，１５２が電気的に接続されてい
る。リード線１５０，１５１，１５２はそれぞれ図示し
ない外部回路に接続される。詳しくは、リード線１５０
は外部回路内のサーボ電圧出力部に接続され、リード線
１５１は外部回路内の基準電位部に接続され、リード線
１５２は外部回路内の検出部に接続される。サーボ電極
１３７にはリード線１５０を通してサーボ電圧が印加さ
れる。

【０００６】上記構成において、導入口１４１を通して
気体または流体が内部空間１３９に導入されると、電極
部１３４は気体または流体の圧力を受け、前述のごとく
肉薄部１３６が下方向へ変形し、肉厚部１３５が内部空
間１４０側へ変位する。その結果、電極部１３４の肉厚
部１３５と固定電極１３８との間の間隔が変化し、肉厚
部１３５と固定電極１３８の間の静電容量が変化する。
この静電容量の変化は例えば交流ブリッジ回路からなる
検出部によって検出される。検出部の検出作用に基づい
て、電極部１３４に加わる圧力と釣り合うように、パイ
レックス基板１３２のサーボ電極１３７にサーボ電圧が
印加される。電極部１３４においてサーボ電圧による静
電引力と気体または流体による圧力との間に釣り合いが
生じ、電極部１３４は中央位置に保たれる。印加された
サーボ電圧の２乗と上記圧力の間には比例関係があるた
め、サーボ電極１３７に与えられたサーボ電圧を測定す
ることにより、上記真空センサに加わった気体または流
体の圧力を測定することができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従来のサーボ式静電容
量型真空センサでは導入口１４１を通して直接に外部に
通じている。従って導入口１４１を通して真空センサ中
に気体または流体を取り込むと、気体または流体に含ま
れる微小なゴミも入ってくる。また導入口１４１を通し
て微小なゴミが単独で入ってくる場合もある。このよう
な微小なゴミが内部空間１３９に入り込むと、微小なゴ
ミによって内部空間１３９が塞がれる。このため、圧力
に対応した容量変化が発生せず、正確な圧力が測定でき
なくなるおそれが生じる。また極端な場合には真空セン
サの寿命が短くなる。

【０００８】上記ではサーボ式静電容量型真空センサで
の問題を説明したが、同様な問題は、導電性材料基板を
利用して作られる同様な微細構造を有したマイクロセン
サあるいはマイクロアクチュエータ（以下、総称して
「マイクロデバイス」という）において、気体または流
体を導入口を通して内部空間に導入するときに一般的に
起きる。

【０００９】本発明の目的は、上記の問題を解決するこ
とにあり、半導体製造プロセス技術により作られるマイ
クロセンサやマイクロアクチュエータのごときマイクロ
デバイスにおいて、導入口を介して微小なゴミが内部空
間へ入るのを防止し、測定の信頼性を保ち、デバイスの
寿命を長くしたマイクロデバイスのフィルタ構造および
その製造方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段および作用】本発明に係る
マイクロデバイスのフィルタ構造およびその製造方法
は、上記目的を達成するため、次のように構成される。
第１のフィルタ構造（請求項１に対応）は、外部と内部
空間を連通する孔が形成された絶縁性外側基板を備え、
孔を通して外部から内部空間に気体または流体を導入す
るように構成されたマイクロデバイスに適用されるもの
であり、導電性材料基板に半導体製造プロセスを適用し
て作られた例えば格子状の複数の微細孔からなるフィル
タを外側基板の孔に陽極接合で固定したことを特徴とす
る。上記のごとく内部空間につながる孔にフィルタを設
けるようにしたため、微小なゴミが内部空間に入るを防
止できる。第２のフィルタ構造（請求項２に対応）は、
上記第１の構成において、好ましくは、導電性材料基板
はシリコン基板であり、フィルタは当該シリコン基板で
作られることを特徴とする。第１のフィルタ構造の製造
方法（請求項３に対応）は、外部と内部空間を連通する
孔が形成された絶縁性外側基板を備え、孔を通して外部
から内部空間に気体または流体を導入するように構成さ
れたマイクロデバイスに設けられるフィルタ構造の製造
方法であって、導電性材料基板を用意し、この導電性材
料基板に酸化膜を形成し、レジストを塗布し、例えば格
子状孔からなるパターニングを行い、酸化膜のウェット
エッチングを行い、拡散層を形成し、拡散層の表面と絶
縁性外側基板における孔の周辺部とを陽極接合し、導電
性材料基板をウェットエッチングして拡散層を残し、こ
れにより孔に例えば格子状の複数の微細孔からなるフィ
ルタを形成する方法である。この方法によれば、マイク
ロデバイスを作るための半導体製造プロセス技術をその
まま使用して、フィルタ構造も設けることが可能とな
る。第２のフィルタ構造の製造方法（請求項４に対応）
は、上記第１の方法において、好ましくは、導電性材料
基板はシリコン基板であり、フィルタは当該シリコン基
板で作られることを特徴とする。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の好適な実施形態
を添付図面に基づいて説明する。

【００１２】図１および図２を参照して本発明に係るフ
ィルタ構造を説明する。図１は平面図、図２は図１にお
けるＡ−Ａ線矢視断面図である。図１および図２におい
て、１１は板状のパイレックスガラスであり、このパイ
レックスガラス１１には一例として２つの孔１２，１３
が形成されている。図示されたパイレックスガラス１１
は、全体のパイレックスガラスのうちの一部が示されて
いる。板状パイレックスガラス１１は絶縁性と高剛性を
有する。パイレックスガラス１１の両側は空間Ｓ１，Ｓ
２となっており、空間Ｓ２から空間Ｓ１に対して孔１
２，１３を通して圧力（Ｐ）が加わっている。空間Ｓ２
の側に存在する気体または流体は圧力Ｐにより空間Ｓ２
と空間Ｓ１の間を移動する。

【００１３】本発明に係るフィルタ構造は、パイレック
スガラス１１の空間Ｓ１側の表面に設けられている。１
４がフィルタである。フィルタ１４は、図１および図２
に示されるものでは、全体として板状の形態を有してい
るが、実際上その厚みはごく微小なものであって実質的
には膜状のものである。フィルタ１４には、この例では
前述の孔１２，１３に対応して格子状孔部１５，１６が
形成されている。格子状孔部１５，１６は、平面形状が
例えばほぼ円形の領域において、格子状に配列された多
数の微細な孔によって形成されている。なお孔部１５，
１６は必ずしも格子状である必要はなく、フィルタ作用
を有する複数の微細孔であれば任意の孔部を用いること
ができる。格子状孔部１５，１６の平面から見た大きさ
は任意であり、通常、パイレックスガラス１１に形成さ
れた孔１２，１３の大きさに対応して決められる。上記
フィルタ１４は、パイレックスガラス１１の表面に固定
されている。

【００１４】以上の構成によれば、パイレックスガラス
１１によって仕切られた両側の２つの空間Ｓ１，Ｓ２の
間で、空間Ｓ２から圧力Ｐによって気体または流体が空
間Ｓ１へ導入されるとき、気体または流体の中に微小な
ゴミが含まれているとすると、パイレックスガラス１１
の空間Ｓ１側に設けられたフィルタ１４の格子状孔部１
５，１６によって当該ゴミは排除され、気体または流体
のみが空間Ｓ１側へ導入されることになる。従って好ま
しくないゴミが空間Ｓ１へ入り込むことが防止される。
上記フィルタ１４の製造方法は後で説明される。

【００１５】なお上記実施形態では２つの接近した孔１
２，１３に対して２つの孔を一緒にしてフィルタ１４を
形成したが、マイクロセンサ等の孔（導入口）の大きさ
および数に従って本発明のフィルタの形状は任意に変更
することができる。

【００１６】次に図３を参照して前述した本発明に係る
フィルタ構造をサーボ式静電容量型真空センサに用いた
例について説明する。以下ではサーボ静電容量型真空セ
ンサを単に真空センサと呼ぶ。この真空センサは、従来
技術の箇所でも説明した通り内部に外部から気体または
流体を導入する空間を有しており、気体または流体を導
入するための導入口を有している。図１および図２で説
明したフィルタ１４は導入口に付設される。図３におい
て２１は真空センサであり、２２は導入口であり、２３
はフィルタである。この実施形態で示されたフィルタ２
３は上記フィルタ１４に比較して１つの格子状孔部を有
した構造となっている。

【００１７】図３に示すように真空センサ２１は三層の
積層構造を有している。中間に位置する層は導電性材料
であるシリコン基板２４である。シリコン基板２４の上
側および下側にはパイレックス基板２５，２６が設けら
れている。パイレックス基板２５，２６はパイレックス
ガラスで作られた板状の部材であり、前述のパイレック
スガラス１１に相当する。パイレックス基板２５，２６
は絶縁性と高い剛性を有している。パイレックス基板２
５，２６はシリコン基板２４の上下に陽極接合される。
このシリコン基板２４には電極部１が設けられる。電極
部１の両側には内部空間Ｓ３，Ｓ４が形成される。上側
のパイレックス基板２５には導入口２２が形成されてお
り、その導入口２２の内側開口部にはフィルタ２３が設
けられている。

【００１８】パイレックス基板２５の内部空間Ｓ３側の
面にはほぼ中央部に凸状のサーボ電極２７が設けられ
る。サーボ電極２７は、別に用意したシリコン基板に既
存の半導体製造プロセス技術を適用して形成される。サ
ーボ電極２７には、シリコン層２８ａとＡｌ電極２８ｂ
を介して外部からサーボ電圧が印加される。

【００１９】下側のパイレックス基板２６には電極ピン
２９，３０，３１，３２が接続される。各電極ピン２９
〜３２はそれぞれパイレックス基板２６に形成された対
応する孔にて導電性のエポキシ樹脂３３にて固定されて
いる。またパイレックス基板２６の内部空間Ｓ４側の面
には、上記電極部１が固定され、固定電極３５と参照電
極３６が設けられている。電極部１は、ほぼ中央に位置
する肉薄の可動電極３４ａと、可動電極３４ａの周囲に
位置して可動電極３４ａを支持する肉厚の周囲電極３４
ｂとからなる。可動電極３４ａは例えば５μｍの厚みを
有する薄膜であり、周囲電極３４ｂは例えば４００μｍ
未満の厚みを有する厚膜である。電極部１は、周囲電極
３４ｂの周縁部がパイレックス基板２６に接合される。
電極部１がパイレックス基板２６に接合されることによ
り内部空間Ｓ４は封止空間として形成される。内部空間
Ｓ４内にはゲッター材４１を収納したゲッター室４０が
形成されている。ゲッター材４１によって内部空間Ｓ４
は高真空の状態に保持される。

【００２０】上記の固定電極３５と参照電極３６は内部
空間Ｓ４内に配置される。参照電極３６は例えば固定電
極３５の周囲に固定電極を囲むように設けられている。
固定電極３５は可動電極３４ａに対向し、参照電極３６
は周囲電極３４ｂに対向している。可動電極３４ａと固
定電極３５の間、周囲電極３４ｂと参照電極３６の間に
は、それぞれ、間隔および電極面積に応じた静電容量が
設定される。

【００２１】上記電極ピン２９は電極部１に接続され、
上記電極ピン３０は固定電極３５に接続され、上記電極
ピン３１は参照電極３６に接続されている。なお電極ピ
ン２９，３０，３１，３２の接続部では、そのエポキシ
樹脂３３の周囲に、パイレックス基板２６との境界部を
形成するＡｌ電極３７が設けられている。電極ピン３２
は、シリコンで形成された接続部３８を介して前述のＡ
ｌ電極２８ｂに接続されている。

【００２２】電極部１では、肉薄の可動電極３４ａが肉
厚の周囲電極３４ｂで支持されかつ可動電極３４ａと周
囲電極３４ｂの下面が同一面になるように形成された電
極部１の形態上、可動電極３４ａに上側に凹所３９が形
成される。可動電極３４ａは凹所３９を通して内部空間
Ｓ３に臨んでいる。可動電極３４ａの上側の内部空間Ｓ
３は導入口２２を通して外部に通じ、下側の内部空間Ｓ
４は高真空に保持されている。導入口２２を通して外部
から気体または流体が内部空間Ｓ３に導入されると、気
体または流体の圧力は可動電極３４ａに加わる。可動電
極３４ａに圧力が加わると、可動電極３４ａは下方へ変
位する。このとき周囲電極３４ｂで変位は生じない。

【００２３】図３において、２４ａはシリコンによって
全周囲に作られた支持壁部、また前述の接続部３８もシ
リコンで形成された部分である。内部空間Ｓ３は支持壁
部２４ａよって囲まれている。

【００２４】図３に示した構造では導電性材料のシリコ
ン基板２４に対しパイレックス基板２５，２６を接合し
た積層構造としたが、積層される両側の基板はパイレッ
クスガラス（コーニング（株）社製）に限定されず、そ
の代わりにシリコン基板の材料と同じあるいは非常に近
い熱膨張係数を持つ材料、例えばＳＤガラス（ホウケイ
酸ガラス；ホーヤ（株）社製）を用いることもできる。
さらに本発明に係るフィルタ構造は、この実施形態で説
明する真空センサ２１すなわちマイクロセンサだけでは
なく、気体または流体を導入するようにした他の構造
体、例えばマイクロアクチュエータに応用することがで
きる。本発明に係るフィルタ構造は一般的にマイクロセ
ンサおよびマイクロアクチュエータを含むマイクロデバ
イスに応用できる。

【００２５】上記のように構成された真空センサ２１に
おいて、導入口２２から気体または流体が導入される
と、気体または流体の圧力に比例した変位が電極部１の
可動電極３４ａに生じ、固定電極３５と可動電極３４ａ
の間の静電容量が変化する。これを電極ピン２９，３０
に接続した外部回路（図示せず）を利用して検出し、電
極３２、接続部３８、Ａｌ電極２８ｂ、シリコン層２８
ａを経由してフィードバックさせ、サーボ電極２７にサ
ーボ電圧を印加する。サーボ電圧に基づく静電引力が気
体または流体の圧力と釣り合うようにすることにより、
可動電極３４ａは常に中立位置に保持される。この状態
を維持しながら、サーボ電極２７に印加したサーボ電圧
を計測することにより、電極部１の可動電極３４ａに加
わった気体または流体の圧力を検出することが可能とな
る。

【００２６】前述の実施形態では、導入口２２に、例え
ば格子状に配列した微細孔からなるフィルタ２３が設け
られたため、気体または流体に含まれるゴミはフィルタ
２３で排除され、導入口２２を通過して内部空間Ｓ３内
に入ることがない。このためゴミが可動電極３４ａとサ
ーボ電極２７の間の隙間に詰まることがなく、真空セン
サ２１の測定の信頼性を高め、センサ寿命を長くするこ
とができる。

【００２７】本実施形態によるフィルタ２３の平面形状
は例えば四角形であってその寸法は２．５ｍｍ×４．５
ｍｍ、厚みは例えば５μｍ、格子状孔部の径は例えば２
ｍｍである。

【００２８】本発明によるフィルタ構造は、半導体製造
プロセス技術を用いてマイクロセンサまたはマイクロア
クチュエータ等を製造する時に、そのプロセスを変更し
たり、あるいは増したりすることなしに、従来の方法を
そのまま用いて作製することができるという特徴を有し
ている。

【００２９】次に図４を参照して本発明に係るフィルタ
構造を備えたサーボ式静電容量型真空センサ２１の作製
方法におけるフィルタ構造部分の作製方法を説明する。

【００３０】まず両面研磨した例えば３７０μｍの厚み
のシリコン基板５１に対してマスク用に例えば１μｍの
厚みの酸化膜５２を形成し、配線用とフィルタ構造用に
パターニングした後、拡散技術によりｐ型（あるいはｎ
型）シリコン層５３ａ，５３ｂを５μｍの厚みで形成す
る（図４（ａ））。上面の酸化膜５２をパターニング
し、ｐ型（あるいはｎ型）シリコン層５３ａ，５３ｂの
選択エッチングを行う。その後に酸化膜５２をフッ酸等
でエッチングし、さらにシリコン基板５１を３μｍ程度
の厚みでエッチングする（図４（ｂ））。ここにおいて
上記ｐ型（あるいはｎ型）シリコン層５３ａには例えば
格子状に配列した孔が形成される。図４（ｂ）において
５４は格子状孔からなるフィルタ構造が形成されたｐ型
（あるいはｎ型）シリコン層であり、５５は３μｍ程度
の厚み（ｄ）を有するエッチング部である。この後、シ
リコン基板５１におけるｐ型（あるいはｎ型）シリコン
層５３ｂおよびフィルタ構造であるｐ型（あるいはｎ
型）シリコン層５４（前述のフィルタ２３に対応）と、
孔２２が加工されたパイレックス基板２５とを対向さ
せ、シリコン基板５１とパイレックス基板２５を陽極接
合する（図４（ｃ））。シリコン基板５１をＥＰＷ（エ
チレン・ジアミン・ピロカテコール水溶液）等のエッチ
ング溶液で選択エッチングし、その後、酸化膜５２を除
去する（図４（ｄ））。なおｐ型（あるいはｎ型）シリ
コン層はＥＰＷに対するエッチング速度が極端に遅いの
で、ＥＰＷで選択エッチングが行える。これにより、格
子状に配列した孔からなるフィルタ２３が形成される。
この部分の拡大平面図および拡大平面図は図１および図
２に示した格子状孔部と同じである。以上のごとくマイ
クロデバイスのフィルタ構造は、半導体製造プロセス技
術を利用して精度良く作製することができる。

【００３１】上記実施形態ではシリコン基板２４を用い
たが、導電性材料基板であれば他のものを用いることも
できる。

【００３２】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように本発明によ
れば、半導体製造プロセス技術で製造されたマイクロセ
ンサまたはマイクロアクチュエータ等のマイクロデバイ
スであって導入口を通して内部空間に気体または流体を
導入するように構成されたマイクロデバイスにおいて、
導入口に微細な例えば格子状の構造を有するフィルタを
半導体製造プロセス技術を利用して設けるようにしたた
め、気体または流体が持ち込む微小なゴミあるいは直接
に導入口から入ってくる微小なゴミを阻止することがで
き、マイクロデバイスの測定信頼性を高めかつ寿命を長
くすることができる。このフィルタ構造を備えたマイク
ロセンサでは、発塵を伴うようなプロセス、例えばＣＶ
Ｄ等にも応用することができる。さらに、マイクロセン
サ等の製造過程においてプロセスを増やすことなく製造
することができ、しかも、半導体製造プロセス技術によ
り微細加工が可能であるため、フィルタ構造自身を超小
型かつ微細な網目にすることができる。従ってマイクロ
センサ等のサイズを大きくすることなく、内蔵すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るフィルタ構造の平面図である。

【図２】図１におけるＡ−Ａ線矢視断面図である。

【図３】本発明に係るフィルタ構造を備えたサーボ式静
電容量型真空センサの要部縦断面図である。

【図４】本発明に係るフィルタ構造の製造方法を示す工
程図である。

【図５】従来のサーボ式静電容量型真空センサの要部縦
断面図である。

【符号の説明】

１ 電極部 １１ パイレックスガラス １２，１３ 孔 １４ フィルタ １５，１６ 格子状孔部 ２１ 真空センサ ２２ 導入口 ２３ フィルタ ２４ シリコン基板 ２５，２６ パイレックス基板 ２７ サーボ電極 ３４ａ 可動電極 ３４ｂ 周囲電極 ３５ 固定電極 ３６ 参照電極 Ｓ１，Ｓ２ 空間 Ｓ３ 導入口につながる内部空間 Ｓ４ 高真空に保持された内部空間

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 葭村 昭子 東京都府中市四谷５丁目８番１号 アネル バ株式会社内 (72)発明者 江刺 正喜 宮城県仙台市太白区八木山南１丁目11番地 ９

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 外部と内部空間を連通する孔が形成され
   た絶縁性外側基板を備え、前記孔を通して外部から前記
   内部空間に気体または流体を導入するように構成された
   マイクロデバイスにおいて、 導電性材料基板に半導体製造プロセスを適用して作られ
   た複数の微細孔からなるフィルタを前記絶縁性外側基板
   の前記孔に陽極接合で固定したことを特徴とするマイク
   ロデバイスのフィルタ構造。
2. 【請求項２】 前記導電性材料基板はシリコン基板であ
   り、前記フィルタは前記シリコン基板で作られることを
   特徴とする請求項１記載のマイクロデバイスのフィルタ
   構造。
3. 【請求項３】 外部と内部空間を連通する孔が形成され
   た絶縁性外側基板を備え、前記孔を通して外部から前記
   内部空間に気体または流体を導入するように構成された
   マイクロデバイスに設けられるフィルタ構造の製造方法
   であって、 導電性材料基板を用意し、この導電性材料基板に酸化膜
   を形成し、レジストを塗布し、複数の微細孔からなるパ
   ターニングを行い、前記酸化膜のウェットエッチングを
   行い、拡散層を形成し、前記拡散層の表面と前記絶縁性
   外側基板における前記孔の周辺部とを陽極接合し、前記
   導電性材料基板をウェットエッチングして前記拡散層を
   残し、これにより前記孔に複数の微細孔からなるフィル
   タを形成したことを特徴とするフィルタ構造の製造方
   法。
4. 【請求項４】 前記導電性材料基板はシリコン基板であ
   り、前記フィルタは当該シリコン基板で作られることを
   特徴とする請求項３記載のフィルタ構造の製造方法。