JPH11322898A - 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 - Google Patents
封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置Info
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- JPH11322898A JPH11322898A JP11972598A JP11972598A JPH11322898A JP H11322898 A JPH11322898 A JP H11322898A JP 11972598 A JP11972598 A JP 11972598A JP 11972598 A JP11972598 A JP 11972598A JP H11322898 A JPH11322898 A JP H11322898A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】配線板への実装の際、特定の前処理をすること
なく、はんだ付けを行うことができ、耐リフロー性、耐
湿性などの信頼性に優れた封止用エポキシ樹脂成形材料
を提供する。 【解決手段】（Ａ）次式（Ｉ）で示されるエポキシ樹
脂、 【化１】 （Ｒ1〜Ｒ4は水素または炭素数１〜４のアルキル基から
選ばれ、互いに同じでも異なっていてもよい） （Ｂ）次式（II）で示される１分子中に２個以上のフェ
ノール性水酸基を有する化合物、 【化２】 （ｎは０〜１０を示し、Ｒ1〜Ｒ3は水素または炭素数１
〜４のアルキル基から選ばれ、互いに同じでも異なって
いてもよい） （Ｃ）第三ホスフィンとキノン類との付加物、（Ｄ）無
機充填剤を必須成分とし、（Ｄ）成分の無機充填剤の含
有量が成形材料全体の６５〜８５体積％であることを特
徴とする封止用エポキシ樹脂成形材料。
なく、はんだ付けを行うことができ、耐リフロー性、耐
湿性などの信頼性に優れた封止用エポキシ樹脂成形材料
を提供する。 【解決手段】（Ａ）次式（Ｉ）で示されるエポキシ樹
脂、 【化１】 （Ｒ1〜Ｒ4は水素または炭素数１〜４のアルキル基から
選ばれ、互いに同じでも異なっていてもよい） （Ｂ）次式（II）で示される１分子中に２個以上のフェ
ノール性水酸基を有する化合物、 【化２】 （ｎは０〜１０を示し、Ｒ1〜Ｒ3は水素または炭素数１
〜４のアルキル基から選ばれ、互いに同じでも異なって
いてもよい） （Ｃ）第三ホスフィンとキノン類との付加物、（Ｄ）無
機充填剤を必須成分とし、（Ｄ）成分の無機充填剤の含
有量が成形材料全体の６５〜８５体積％であることを特
徴とする封止用エポキシ樹脂成形材料。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に表面実装型プ
ラスチックパーケージの素子の封止に好適な成形材料、
及びその封止用成形材料により素子を封止して得られる
電子部品装置に関する。
ラスチックパーケージの素子の封止に好適な成形材料、
及びその封止用成形材料により素子を封止して得られる
電子部品装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、トランジスタ、ＩＣなどの電
子部品封止の分野ではエポキシ樹脂成形材料が広く用い
られている。この理由としては、エポキシ樹脂が電気特
性、耐湿性、耐熱性、機械特性、インサート品との接着
性などの諸特性にバランスがとれているためである。と
くに、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂とフ
ェノールノボラック硬化剤の組み合わせはこれらのバラ
ンスに優れており、ＩＣ封止用成形材料のベース樹脂と
して主流になっている。
子部品封止の分野ではエポキシ樹脂成形材料が広く用い
られている。この理由としては、エポキシ樹脂が電気特
性、耐湿性、耐熱性、機械特性、インサート品との接着
性などの諸特性にバランスがとれているためである。と
くに、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂とフ
ェノールノボラック硬化剤の組み合わせはこれらのバラ
ンスに優れており、ＩＣ封止用成形材料のベース樹脂と
して主流になっている。
【０００３】近年、電子部品のプリント配線板への高密
度実装化が進んでいる。これに伴い、電子部品装置は従
来のピン挿入型のパッケージから、表面実装型のパッケ
ージが主流になっている。ＩＣ、ＬＳＩなどの表面実装
型ＩＣは実装密度を高くし、実装高さを低くするために
薄型、小型のパッケージになっており、素子のパッケー
ジに対する占有体積が大きくなり、パッケージの肉厚は
非常に薄くなってきた。さらに、これらのパッケージは
従来のピン挿入型のものと実装方法が異なっている。即
ち、従来のピン挿入型パッケージはピンを配線板に挿入
した後、配線板裏面からはんだ付けを行うため、パッケ
ージが直接高温にさらされることがなかった。しかし、
表面実装型ＩＣは配線板表面に仮止めを行い、はんだバ
スやリフロー装置などで処理されるため、直接はんだ付
け温度にさらされる。この結果、ＩＣパッケージが吸湿
した場合、はんだ付け時に吸湿水分が急激に膨張しパッ
ケージをクラックさせてしまい、この現象が表面実装型
ＩＣに係わる大きな問題となっている。
度実装化が進んでいる。これに伴い、電子部品装置は従
来のピン挿入型のパッケージから、表面実装型のパッケ
ージが主流になっている。ＩＣ、ＬＳＩなどの表面実装
型ＩＣは実装密度を高くし、実装高さを低くするために
薄型、小型のパッケージになっており、素子のパッケー
ジに対する占有体積が大きくなり、パッケージの肉厚は
非常に薄くなってきた。さらに、これらのパッケージは
従来のピン挿入型のものと実装方法が異なっている。即
ち、従来のピン挿入型パッケージはピンを配線板に挿入
した後、配線板裏面からはんだ付けを行うため、パッケ
ージが直接高温にさらされることがなかった。しかし、
表面実装型ＩＣは配線板表面に仮止めを行い、はんだバ
スやリフロー装置などで処理されるため、直接はんだ付
け温度にさらされる。この結果、ＩＣパッケージが吸湿
した場合、はんだ付け時に吸湿水分が急激に膨張しパッ
ケージをクラックさせてしまい、この現象が表面実装型
ＩＣに係わる大きな問題となっている。
【０００４】また、はんだ付け工程でＩＣパッケージが
クラックしないまでもＩＣ素子と封止用エポキシ樹脂界
面に剥離が生じた場合、ＩＣの耐湿性が大幅に低下して
しまう。これは、剥離した部分に吸湿した水分が水膜を
生成し、ここに封止用エポキシ樹脂中からイオン性不純
物が抽出され、ＩＣ素子上にアルミ蒸着で形成されてい
る配線やボンディングパッドが腐食するためである。一
般的に、ＩＣの信頼性試験としては高温高湿試験、バイ
アス型高温高湿試験、ＰＣＴ（Pressure Cooker Tes
t）、ＨＡＳＴ（Highly Accelerated Humidity and Str
ess Test）などが行われ、これらの耐湿性試験で発生す
る不良モードは殆どがＩＣの素子上に形成されているア
ルミ配線の腐食による断線である。この内、高温高湿試
験やＰＣＴなどの放置型耐湿性試験に関しては、封止用
エポキシ樹脂成形材料の純度管理や接着性向上により不
良の発生は少なくなってきたが、バイアス型高温高湿試
験やＨＡＳＴなどの電圧印加下での耐湿性試験ではアル
ミ配線腐食不良が発生しやすい。
クラックしないまでもＩＣ素子と封止用エポキシ樹脂界
面に剥離が生じた場合、ＩＣの耐湿性が大幅に低下して
しまう。これは、剥離した部分に吸湿した水分が水膜を
生成し、ここに封止用エポキシ樹脂中からイオン性不純
物が抽出され、ＩＣ素子上にアルミ蒸着で形成されてい
る配線やボンディングパッドが腐食するためである。一
般的に、ＩＣの信頼性試験としては高温高湿試験、バイ
アス型高温高湿試験、ＰＣＴ（Pressure Cooker Tes
t）、ＨＡＳＴ（Highly Accelerated Humidity and Str
ess Test）などが行われ、これらの耐湿性試験で発生す
る不良モードは殆どがＩＣの素子上に形成されているア
ルミ配線の腐食による断線である。この内、高温高湿試
験やＰＣＴなどの放置型耐湿性試験に関しては、封止用
エポキシ樹脂成形材料の純度管理や接着性向上により不
良の発生は少なくなってきたが、バイアス型高温高湿試
験やＨＡＳＴなどの電圧印加下での耐湿性試験ではアル
ミ配線腐食不良が発生しやすい。
【０００５】現行のベース樹脂組成で封止したＩＣパッ
ケージでは、これらの問題が避けられないためＩＣを防
湿梱包して出荷したり、配線板へ実装する前に予めＩＣ
を十分乾燥して使用するなどの方法がとられている。し
かし、これらの方法は手間がかかり、コストも高くな
る。
ケージでは、これらの問題が避けられないためＩＣを防
湿梱包して出荷したり、配線板へ実装する前に予めＩＣ
を十分乾燥して使用するなどの方法がとられている。し
かし、これらの方法は手間がかかり、コストも高くな
る。
【０００６】本発明はかかる状況に鑑みなされたもの
で、配線板への実装の際、特定の前処理をすることな
く、はんだ付けを行うことができ、耐リフロー性、耐湿
性などの信頼性に優れた封止用エポキシ樹脂成形材料を
提供しようとするものである。
で、配線板への実装の際、特定の前処理をすることな
く、はんだ付けを行うことができ、耐リフロー性、耐湿
性などの信頼性に優れた封止用エポキシ樹脂成形材料を
提供しようとするものである。
【０００７】発明者らは上記の課題を解決するために鋭
意検討を重ねた結果、ベース樹脂としてビフェニル骨格
を有する特定のエポキシ樹脂、キシリレン骨格を有する
特定の硬化剤、及び第三ホスフィンとキノン類との付加
物を配合することにより上記の目的を達成しうることを
見いだし、本発明を完成するに至った。
意検討を重ねた結果、ベース樹脂としてビフェニル骨格
を有する特定のエポキシ樹脂、キシリレン骨格を有する
特定の硬化剤、及び第三ホスフィンとキノン類との付加
物を配合することにより上記の目的を達成しうることを
見いだし、本発明を完成するに至った。
【０００８】すなわち、本発明は、（１）（Ａ）次式
（Ｉ）で示されるエポキシ樹脂、
（Ｉ）で示されるエポキシ樹脂、
【化４】 （Ｒ1〜Ｒ4は水素または炭素数１〜４のアルキル基から
選ばれ、互いに同じでも異なっていてもよい） （Ｂ）次式（II）で示される１分子中に２個以上のフェ
ノール性水酸基を有する化合物、
選ばれ、互いに同じでも異なっていてもよい） （Ｂ）次式（II）で示される１分子中に２個以上のフェ
ノール性水酸基を有する化合物、
【化５】 （ｎは０〜１０を示し、Ｒ1〜Ｒ3は水素または炭素数１
〜４のアルキル基から選ばれ、互いに同じでも異なって
いてもよい） （Ｃ）第三ホスフィンとキノン類との付加物、 （Ｄ）無機充填剤を必須成分とし、（Ｄ）成分の無機充
填剤の含有量が成形材料全体の６５〜８５体積％である
ことを特徴とする封止用エポキシ樹脂成形材料、（２）
（Ｃ）成分が第三ホスフィンとｐ−ベンゾキノンとの付
加物およびまたは第三ホスフィンと１，４−ナフトキノ
ンとの付加物である上記（１）記載の封止用エポキシ樹
脂成形材料、（３）陰イオン交換体（Ｅ）をさらに含む
ことを特徴とする上記（１）または（２）記載の封止用
エポキシ樹脂成形材料、（４）陰イオン交換体（Ｅ）が
次式（III）で示されるハイドロタルサイト類である上
記（３）記載の封止用エポキシ樹脂成形材料、
〜４のアルキル基から選ばれ、互いに同じでも異なって
いてもよい） （Ｃ）第三ホスフィンとキノン類との付加物、 （Ｄ）無機充填剤を必須成分とし、（Ｄ）成分の無機充
填剤の含有量が成形材料全体の６５〜８５体積％である
ことを特徴とする封止用エポキシ樹脂成形材料、（２）
（Ｃ）成分が第三ホスフィンとｐ−ベンゾキノンとの付
加物およびまたは第三ホスフィンと１，４−ナフトキノ
ンとの付加物である上記（１）記載の封止用エポキシ樹
脂成形材料、（３）陰イオン交換体（Ｅ）をさらに含む
ことを特徴とする上記（１）または（２）記載の封止用
エポキシ樹脂成形材料、（４）陰イオン交換体（Ｅ）が
次式（III）で示されるハイドロタルサイト類である上
記（３）記載の封止用エポキシ樹脂成形材料、
【化６】 Ｍｇ1-XＡｌX（ＯＨ）2（ＣＯ3）X/2・ｍＨ2Ｏ ……（III） （０＜Ｘ≦０．５、ｍは正数） （５）陰イオン交換体（Ｅ）がマグネシウム、アルミニ
ウム、チタン、ジルコニウム、ビスマスから選ばれる少
なくとも一つの元素の含水酸化物である上記（３）記載
の封止用エポキシ樹脂成形材料、（６）無機充填剤
（Ｄ）の平均粒径が１０〜３０μｍであって、１００μ
ｍ以上の成分が無機充填剤全体の０．５重量％以下、５
μｍ以下の成分が無機充填剤全体の２０〜４０重量％で
あり、かつ無機充填剤（Ｄ）の７０重量％以上が球状粒
子であることを特徴とする上記（１）〜（５）記載のい
ずれかの封止用エポキシ樹脂成形材料、（７）上記
（１）〜（６）記載のいずれかの封止用エポキシ樹脂成
形材料により素子を封止して得られる電子部品装置、で
ある。
ウム、チタン、ジルコニウム、ビスマスから選ばれる少
なくとも一つの元素の含水酸化物である上記（３）記載
の封止用エポキシ樹脂成形材料、（６）無機充填剤
（Ｄ）の平均粒径が１０〜３０μｍであって、１００μ
ｍ以上の成分が無機充填剤全体の０．５重量％以下、５
μｍ以下の成分が無機充填剤全体の２０〜４０重量％で
あり、かつ無機充填剤（Ｄ）の７０重量％以上が球状粒
子であることを特徴とする上記（１）〜（５）記載のい
ずれかの封止用エポキシ樹脂成形材料、（７）上記
（１）〜（６）記載のいずれかの封止用エポキシ樹脂成
形材料により素子を封止して得られる電子部品装置、で
ある。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明のエポキシ樹脂（Ａ）は、
次式（Ｉ）で示されるビフェニル骨格のジエポキシ樹脂
であり、
次式（Ｉ）で示されるビフェニル骨格のジエポキシ樹脂
であり、
【化７】 式中のＲ1〜Ｒ4は、水素またはメチル基、エチル基、イ
ソプロピル基、ｔ−ブチル基などの炭素数１〜４のアル
キル基を示し、互いに同じであっても異なっていてもよ
い。これらのエポキシ樹脂は４，４’−ビスヒドロキシ
ビフェニル、４，４’−ビスヒドロキシ３，３’，５，
５’−テトラメチルビフェニル、４，４’−ビスヒドロ
キシ３，３’，５，５’−テトラ（ｔ−ブチル）ビフェ
ニルなどのビフェノール類をエピクロルヒドリンを用い
てエポキシ化することで得ることができる。これらのビ
フェニル型エポキシ樹脂の中で本発明の主目的である耐
リフロー性に対して特に優れた効果を示すものとして
は、４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−
３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニルが挙げら
れ、成形性や耐熱性の良好なものとしては、４，４’−
ビス（２，３−エポキシプロポキシ）ビフェニルが挙げ
られるが、特に構造を限定するものではない。また、こ
れらのビフェニル型エポキシ樹脂は単独または併用して
使用できる。
ソプロピル基、ｔ−ブチル基などの炭素数１〜４のアル
キル基を示し、互いに同じであっても異なっていてもよ
い。これらのエポキシ樹脂は４，４’−ビスヒドロキシ
ビフェニル、４，４’−ビスヒドロキシ３，３’，５，
５’−テトラメチルビフェニル、４，４’−ビスヒドロ
キシ３，３’，５，５’−テトラ（ｔ−ブチル）ビフェ
ニルなどのビフェノール類をエピクロルヒドリンを用い
てエポキシ化することで得ることができる。これらのビ
フェニル型エポキシ樹脂の中で本発明の主目的である耐
リフロー性に対して特に優れた効果を示すものとして
は、４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−
３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニルが挙げら
れ、成形性や耐熱性の良好なものとしては、４，４’−
ビス（２，３−エポキシプロポキシ）ビフェニルが挙げ
られるが、特に構造を限定するものではない。また、こ
れらのビフェニル型エポキシ樹脂は単独または併用して
使用できる。
【００１０】これらビフェニル型エポキシ樹脂の純度に
関しては、特に加水分解性塩素量はＩＣなど素子上のア
ルミ配線腐食に係わるため少ない方がよく、耐湿性の優
れた電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料を得るために
は５００ｐｐｍ以下であることが好ましい。ここで、加
水分解性塩素量とは試料のエポキシ樹脂１ｇをジオキサ
ン３０ｍｌに溶解し、１Ｎ−ＫＯＨメタノール溶液５ｍ
ｌを添加して３０分間リフラックス後、電位差滴定によ
り求めた値を尺度としたものである。
関しては、特に加水分解性塩素量はＩＣなど素子上のア
ルミ配線腐食に係わるため少ない方がよく、耐湿性の優
れた電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料を得るために
は５００ｐｐｍ以下であることが好ましい。ここで、加
水分解性塩素量とは試料のエポキシ樹脂１ｇをジオキサ
ン３０ｍｌに溶解し、１Ｎ−ＫＯＨメタノール溶液５ｍ
ｌを添加して３０分間リフラックス後、電位差滴定によ
り求めた値を尺度としたものである。
【００１１】本発明においては上記（Ａ）成分のエポキ
シ樹脂の他に、封止用エポキシ樹脂成形材料で一般に使
用されているエポキシ樹脂を組合せて使用してもよい。
それを例示すればフェノールノボラック型エポキシ樹
脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂をはじ
めとするフェノール、クレゾール、キシレノール、レゾ
ルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノー
ルＦなどのフェノール類及び／またはα−ナフトール、
β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトー
ル類とホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオ
ンアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド
等のアルデヒド類とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させ
て得られるノボラック樹脂をエポキシ化したもの、ビス
フェノールＡ、ビスフェノールＢ、ビスフェノールＦ、
ビスフェノールＳなどのジグリシジルエーテル、フェノ
ール・アラルキル樹脂をエポキシ化したもの、フェノー
ル類とジシクロペンタジエンやテルペン類との付加物ま
たは重付加物をエポキシ化したもの、フタル酸、ダイマ
ー酸などの多塩基酸とエピクロルヒドリンの反応により
得られるグリシジルエステル型エポキシ樹脂、ジアミノ
ジフェニルメタン、イソシアヌル酸などのポリアミンと
エピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルア
ミン型エポキシ樹脂、オレフィン結合を過酢酸などの過
酸で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂、及び脂
環族エポキシ樹脂などが挙げられ、これらを適宜何種類
でも併用することができる。
シ樹脂の他に、封止用エポキシ樹脂成形材料で一般に使
用されているエポキシ樹脂を組合せて使用してもよい。
それを例示すればフェノールノボラック型エポキシ樹
脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂をはじ
めとするフェノール、クレゾール、キシレノール、レゾ
ルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノー
ルＦなどのフェノール類及び／またはα−ナフトール、
β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトー
ル類とホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオ
ンアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド
等のアルデヒド類とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させ
て得られるノボラック樹脂をエポキシ化したもの、ビス
フェノールＡ、ビスフェノールＢ、ビスフェノールＦ、
ビスフェノールＳなどのジグリシジルエーテル、フェノ
ール・アラルキル樹脂をエポキシ化したもの、フェノー
ル類とジシクロペンタジエンやテルペン類との付加物ま
たは重付加物をエポキシ化したもの、フタル酸、ダイマ
ー酸などの多塩基酸とエピクロルヒドリンの反応により
得られるグリシジルエステル型エポキシ樹脂、ジアミノ
ジフェニルメタン、イソシアヌル酸などのポリアミンと
エピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルア
ミン型エポキシ樹脂、オレフィン結合を過酢酸などの過
酸で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂、及び脂
環族エポキシ樹脂などが挙げられ、これらを適宜何種類
でも併用することができる。
【００１２】これらのエポキシ樹脂を併用する場合、本
発明の（Ａ）成分のエポキシ樹脂の配合比は、エポキシ
樹脂全体の３０重量％以上が好ましく、さらに好ましく
は５０重量％以上である。３０重量％未満では本発明の
目的である耐リフロー性に対して効果が少なく、特に有
効な効果を発揮するためには５０重量％以上が必要とな
るためである。
発明の（Ａ）成分のエポキシ樹脂の配合比は、エポキシ
樹脂全体の３０重量％以上が好ましく、さらに好ましく
は５０重量％以上である。３０重量％未満では本発明の
目的である耐リフロー性に対して効果が少なく、特に有
効な効果を発揮するためには５０重量％以上が必要とな
るためである。
【００１３】本発明の本発明における（Ｂ）成分の次式
（II）でで示されるフェノール性水酸基を２個以上有す
る化合物は、
（II）でで示されるフェノール性水酸基を２個以上有す
る化合物は、
【化８】 （ｎは０〜１０を示し、Ｒ1〜Ｒ3は水素または炭素数１
〜４のアルキル基から選ばれ、互いに同じでも異なって
いてもよい）エポキシ樹脂の硬化剤であり、フェノー
ル、クレゾール等のフェノール類とジメトキシキシレン
あるいはアルキル置換ジメトキシキシレンとの縮合など
の方法により得ることができる。ここで、ｎが１０を越
えた場合は（Ｂ）成分の溶融粘度が高くなるため、封止
用エポキシ樹脂成形材料の溶融成形時の粘度も高くな
り、未充填不良やボンディングワイヤ（素子とリードを
接続する金線）の変形を引き起こしやすくなる。したが
って、ｎは０〜１０の範囲であることが必要であるが、
さらに好ましくは１〜４の範囲である。
〜４のアルキル基から選ばれ、互いに同じでも異なって
いてもよい）エポキシ樹脂の硬化剤であり、フェノー
ル、クレゾール等のフェノール類とジメトキシキシレン
あるいはアルキル置換ジメトキシキシレンとの縮合など
の方法により得ることができる。ここで、ｎが１０を越
えた場合は（Ｂ）成分の溶融粘度が高くなるため、封止
用エポキシ樹脂成形材料の溶融成形時の粘度も高くな
り、未充填不良やボンディングワイヤ（素子とリードを
接続する金線）の変形を引き起こしやすくなる。したが
って、ｎは０〜１０の範囲であることが必要であるが、
さらに好ましくは１〜４の範囲である。
【００１４】これらの化合物を例示すれば、次式（I
V）、（Ｖ）、（VI）で示されるようなフェノール樹脂
等が挙げられ、
V）、（Ｖ）、（VI）で示されるようなフェノール樹脂
等が挙げられ、
【化９】 特に式（IV）及び式（Ｖ）で示される化合物が耐リフロ
ー性及び成形性の観点から好ましい。
ー性及び成形性の観点から好ましい。
【００１５】本発明においては（Ｂ）成分のフェノール
化合物の他に、封止用エポキシ樹脂成形材料で一般に使
用されているエポキシ樹脂の硬化剤を併用して用いるこ
とができる。これらを例示すると、フェノール、クレゾ
ール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビスフ
ェノールＡ、ビスフェノールＦなどのフェノール類及び
／またはα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキ
シナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド、ア
セトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデ
ヒド、サリチルアルデヒドなどのアルデヒド類とを酸性
触媒下で縮合反応させて得られるノボラック型フェノー
ル樹脂、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフ
ェノールＡＤ、ビスフェノールＳなどのビスフェノール
類、フェノール類とジシクロペンタジエンやテルペン類
との付加物または重付加物、ポリパラビニルフェノール
樹脂などの、１分子中に２個以上のフェノール性水酸基
を有するフェノール化合物が挙げられ、単独または２種
類以上併用してもよい。
化合物の他に、封止用エポキシ樹脂成形材料で一般に使
用されているエポキシ樹脂の硬化剤を併用して用いるこ
とができる。これらを例示すると、フェノール、クレゾ
ール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビスフ
ェノールＡ、ビスフェノールＦなどのフェノール類及び
／またはα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキ
シナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド、ア
セトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデ
ヒド、サリチルアルデヒドなどのアルデヒド類とを酸性
触媒下で縮合反応させて得られるノボラック型フェノー
ル樹脂、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフ
ェノールＡＤ、ビスフェノールＳなどのビスフェノール
類、フェノール類とジシクロペンタジエンやテルペン類
との付加物または重付加物、ポリパラビニルフェノール
樹脂などの、１分子中に２個以上のフェノール性水酸基
を有するフェノール化合物が挙げられ、単独または２種
類以上併用してもよい。
【００１６】これらのフェノール化合物を併用する場
合、（Ｂ）成分のフェノール化合物の配合量はフェノー
ル化合物全体の３０重量％以上が好ましく、さらには５
０重量％以上が好ましい。３０重量％未満では本発明の
目的である耐リフロー性に対して効果が少なく、特に有
効な効果を発揮するためには５０重量％以上が必要とな
るためである。
合、（Ｂ）成分のフェノール化合物の配合量はフェノー
ル化合物全体の３０重量％以上が好ましく、さらには５
０重量％以上が好ましい。３０重量％未満では本発明の
目的である耐リフロー性に対して効果が少なく、特に有
効な効果を発揮するためには５０重量％以上が必要とな
るためである。
【００１７】本発明において（Ａ）成分を含むエポキシ
樹脂の総量と（Ｂ）成分を含むフェノール化合物の総量
との配合比率は、全エポキシ樹脂の当量に対し、全フェ
ノール化合物の当量の比率が０．６〜１．４の範囲が耐
熱性、硬化性の観点から望ましく、さらに好ましい範囲
は０．８〜１．２である。
樹脂の総量と（Ｂ）成分を含むフェノール化合物の総量
との配合比率は、全エポキシ樹脂の当量に対し、全フェ
ノール化合物の当量の比率が０．６〜１．４の範囲が耐
熱性、硬化性の観点から望ましく、さらに好ましい範囲
は０．８〜１．２である。
【００１８】本発明において用いられる（Ｃ）成分の第
三ホスフィンとキノン類との付加物は、エポキシ樹脂と
フェノール性水酸基を有する化合物との硬化反応を促進
する硬化促進剤であり、特に（Ａ）成分のエポキシ樹
脂、硬化剤として（Ｂ）成分のフェノール化合物、６５
体積％以上の充填剤を配合した成形材料に用いた場合、
良好な耐リフロー性、耐湿性、成形性を発揮する。
（Ｃ）成分に用いられる第三ホスフィンとしては特に限
定するものではないが、ジブチルフェニルホスフィン、
ブチルジフェニルホスフィン、エチルジフェニルホスフ
ィン、トリフェニルホスフィン、トリス（４−メチルフ
ェニル）ホスフィン、トリス（４−メトキシフェニル）
ホスフィンなどのアリール基を有する第三ホスフィンが
好ましい。また（Ｃ）成分に用いられるキノン類として
はｏ−ベンゾキノン、ｐ−ベンゾキノン、ジフェノキノ
ン、１，４−ナフトキノン、アントラキノンなどが挙げ
られ、なかでもｐ−ベンゾキノン、１，４−ナフトキノ
ンが耐湿性、成形性、保存安定性の点から好ましい。
三ホスフィンとキノン類との付加物は、エポキシ樹脂と
フェノール性水酸基を有する化合物との硬化反応を促進
する硬化促進剤であり、特に（Ａ）成分のエポキシ樹
脂、硬化剤として（Ｂ）成分のフェノール化合物、６５
体積％以上の充填剤を配合した成形材料に用いた場合、
良好な耐リフロー性、耐湿性、成形性を発揮する。
（Ｃ）成分に用いられる第三ホスフィンとしては特に限
定するものではないが、ジブチルフェニルホスフィン、
ブチルジフェニルホスフィン、エチルジフェニルホスフ
ィン、トリフェニルホスフィン、トリス（４−メチルフ
ェニル）ホスフィン、トリス（４−メトキシフェニル）
ホスフィンなどのアリール基を有する第三ホスフィンが
好ましい。また（Ｃ）成分に用いられるキノン類として
はｏ−ベンゾキノン、ｐ−ベンゾキノン、ジフェノキノ
ン、１，４−ナフトキノン、アントラキノンなどが挙げ
られ、なかでもｐ−ベンゾキノン、１，４−ナフトキノ
ンが耐湿性、成形性、保存安定性の点から好ましい。
【００１９】（Ｃ）成分の付加物の製造方法としては、
原料となる第三ホスフィンとキノン類がともに溶解する
溶媒中で両者を撹拌混合する方法が挙げられる。この場
合の製造条件としては、室温から８０℃の範囲で、原料
の溶解度が高く生成した付加物の溶解度が低いメチルイ
ソブチルケトン、メチルエチルケトン、アセトンなどの
ケトン類などの溶媒中で、１時間〜１２時間撹拌し、付
加反応させることが好ましい。
原料となる第三ホスフィンとキノン類がともに溶解する
溶媒中で両者を撹拌混合する方法が挙げられる。この場
合の製造条件としては、室温から８０℃の範囲で、原料
の溶解度が高く生成した付加物の溶解度が低いメチルイ
ソブチルケトン、メチルエチルケトン、アセトンなどの
ケトン類などの溶媒中で、１時間〜１２時間撹拌し、付
加反応させることが好ましい。
【００２０】本発明の主目的である耐リフロー性と耐湿
性に優れ、硬化性、保存安定性にも良好な（Ｃ）成分と
しては、ｎ−ブチルジフェニルホスフィンとｐ−ベンゾ
キノンとの付加物、ｎ−ブチルジフェニルホスフィンと
１，４−ナフトキノンとの付加物、トリフェニルホスフ
ィンとｐ−ベンゾキノンとの付加物、トリフェニルホス
フィンと１，４−ナフトキノンとの付加物、トリス（４
−メチルフェニル）ホスフィンとｐ−ベンゾキノンとの
付加物、トリス（４−メチルフェニル）ホスフィンと
１，４−ナフトキノンとの付加物、トリス（４−メトキ
シフェニル）ホスフィンとｐ−ベンゾキノンとの付加
物、トリス（４−メトキシフェニル）ホスフィンと１，
４−ナフトキノンとの付加物、トリス（２，６−メトキ
シフェニル）ホスフィンとｐ−ベンゾキノンとの付加
物、トリス（２，６−メトキシフェニル）ホスフィンと
１，４−ナフトキノンとの付加物が挙げられ、これら
は、単独でも２種以上併用して用いても良い。
性に優れ、硬化性、保存安定性にも良好な（Ｃ）成分と
しては、ｎ−ブチルジフェニルホスフィンとｐ−ベンゾ
キノンとの付加物、ｎ−ブチルジフェニルホスフィンと
１，４−ナフトキノンとの付加物、トリフェニルホスフ
ィンとｐ−ベンゾキノンとの付加物、トリフェニルホス
フィンと１，４−ナフトキノンとの付加物、トリス（４
−メチルフェニル）ホスフィンとｐ−ベンゾキノンとの
付加物、トリス（４−メチルフェニル）ホスフィンと
１，４−ナフトキノンとの付加物、トリス（４−メトキ
シフェニル）ホスフィンとｐ−ベンゾキノンとの付加
物、トリス（４−メトキシフェニル）ホスフィンと１，
４−ナフトキノンとの付加物、トリス（２，６−メトキ
シフェニル）ホスフィンとｐ−ベンゾキノンとの付加
物、トリス（２，６−メトキシフェニル）ホスフィンと
１，４−ナフトキノンとの付加物が挙げられ、これら
は、単独でも２種以上併用して用いても良い。
【００２１】また本発明の成形材料には、（Ｃ）成分以
外に、エポキシ樹脂とフェノール性水酸基を有する化合
物の硬化反応を促進する硬化促進剤として一般に用いら
れているものを１種以上併用することができる。これら
の硬化促進剤としては、例えば、１，８−ジアザビシク
ロ（５，４，０）ウンデセン−７、１，６−ジアザビシ
クロ（４，３，０）ノネン−５などのジアザビシクロア
ルケン及びその誘導体、トリエチレンジアミン、ベンジ
ルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルア
ミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェ
ノールなどの第三アミン類、２−メチルイミダゾール、
２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル
イミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾールなどのイ
ミダゾール類、トリブチルホスフィン、メチルジフェニ
ルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（４−
メチルフェニル）ホスフィン、トリフェニルホスフィン
・トリフェニルボロン錯体などの有機ホスフィン類また
は有機ホスフィン類と有機ボロン類との錯体、テトラフ
ェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、テトラ
フェニルホスホニウム・エチルトリフェニルボレート、
テトラブチルホスホニウム・テトラブチルボレートなど
のテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート、２−
エチル−４−メチルイミダゾール・テトラフェニルボレ
ート、Ｎ−メチルモルホリン・テトラフェニルボレート
などのテトラフェニルボロン塩などが挙げられる。
外に、エポキシ樹脂とフェノール性水酸基を有する化合
物の硬化反応を促進する硬化促進剤として一般に用いら
れているものを１種以上併用することができる。これら
の硬化促進剤としては、例えば、１，８−ジアザビシク
ロ（５，４，０）ウンデセン−７、１，６−ジアザビシ
クロ（４，３，０）ノネン−５などのジアザビシクロア
ルケン及びその誘導体、トリエチレンジアミン、ベンジ
ルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルア
ミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェ
ノールなどの第三アミン類、２−メチルイミダゾール、
２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル
イミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾールなどのイ
ミダゾール類、トリブチルホスフィン、メチルジフェニ
ルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（４−
メチルフェニル）ホスフィン、トリフェニルホスフィン
・トリフェニルボロン錯体などの有機ホスフィン類また
は有機ホスフィン類と有機ボロン類との錯体、テトラフ
ェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、テトラ
フェニルホスホニウム・エチルトリフェニルボレート、
テトラブチルホスホニウム・テトラブチルボレートなど
のテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート、２−
エチル−４−メチルイミダゾール・テトラフェニルボレ
ート、Ｎ−メチルモルホリン・テトラフェニルボレート
などのテトラフェニルボロン塩などが挙げられる。
【００２２】これらの硬化促進剤を併用する場合、
（Ｃ）成分の配合量は、全硬化促進剤量に対して６０重
量％以上が好ましく、さらに好ましくは８０重量％以上
である。（Ａ）成分のエポキシ樹脂と（Ｂ）成分のフェ
ノール化合物を使用した成形材料においては、上記第三
アミン類は（Ｃ）成分を用いた場合と比較し耐湿性、保
存安定性が悪くなり、上記有機ホスフィン類は酸化によ
る硬化性低下の影響を受けやすい欠点があり、上記テト
ラフェニルボロン塩を用いた場合は接着性に欠点が出や
すいため、（Ｃ）成分の配合量が６０％未満であると本
発明の効果が少なくなる。
（Ｃ）成分の配合量は、全硬化促進剤量に対して６０重
量％以上が好ましく、さらに好ましくは８０重量％以上
である。（Ａ）成分のエポキシ樹脂と（Ｂ）成分のフェ
ノール化合物を使用した成形材料においては、上記第三
アミン類は（Ｃ）成分を用いた場合と比較し耐湿性、保
存安定性が悪くなり、上記有機ホスフィン類は酸化によ
る硬化性低下の影響を受けやすい欠点があり、上記テト
ラフェニルボロン塩を用いた場合は接着性に欠点が出や
すいため、（Ｃ）成分の配合量が６０％未満であると本
発明の効果が少なくなる。
【００２３】（Ｃ）成分を含む硬化促進剤の全配合量
は、硬化促進効果が達成される量であれば特に限定され
るものではないが、成形材料全体に対して０．００５〜
２重量％が好ましく、さらに好ましくは０．０１〜０．
５重量％である。
は、硬化促進効果が達成される量であれば特に限定され
るものではないが、成形材料全体に対して０．００５〜
２重量％が好ましく、さらに好ましくは０．０１〜０．
５重量％である。
【００２４】本発明の（Ｄ）成分の無機充填剤は、吸湿
性、線膨張係数低減、熱伝導性向上及び強度向上のため
に成形材料に配合されるものであり、結晶シリカ、溶融
シリカ、ガラス、アルミナ、ジルコン、珪酸カルシウ
ム、炭酸カルシウム、炭化珪素、窒化珪素、窒化アル
ミ、窒化ホウ素、ベリリア、ジルコニア、ジルコン、フ
ォステライト、ステアタイト、スピネル、ムライト、チ
タニアなどの粉体、またはこれらを球形化したビーズな
どが使用でき、１種類以上用いることができる。さら
に、難燃効果のある無機充填剤としては水酸化アルミニ
ウム、水酸化マグネシウム、硼酸亜鉛などが挙げられ、
これらを単独または併用して用いることもできる。上記
の無機充填剤の中で、線膨張係数低減の観点からは溶融
シリカが、高熱伝導性の観点からはアルミナが好まし
い。
性、線膨張係数低減、熱伝導性向上及び強度向上のため
に成形材料に配合されるものであり、結晶シリカ、溶融
シリカ、ガラス、アルミナ、ジルコン、珪酸カルシウ
ム、炭酸カルシウム、炭化珪素、窒化珪素、窒化アル
ミ、窒化ホウ素、ベリリア、ジルコニア、ジルコン、フ
ォステライト、ステアタイト、スピネル、ムライト、チ
タニアなどの粉体、またはこれらを球形化したビーズな
どが使用でき、１種類以上用いることができる。さら
に、難燃効果のある無機充填剤としては水酸化アルミニ
ウム、水酸化マグネシウム、硼酸亜鉛などが挙げられ、
これらを単独または併用して用いることもできる。上記
の無機充填剤の中で、線膨張係数低減の観点からは溶融
シリカが、高熱伝導性の観点からはアルミナが好まし
い。
【００２５】無機充填剤（Ｄ）の配合量は、成形材料全
体の６５〜８５体積％であることが必要である。６５体
積％未満では吸湿性低減および強度向上の効果が十分に
発揮されないため耐リフロー性が低下し、８５体積％を
越えた場合は成形時の流動性に支障をきたす。
体の６５〜８５体積％であることが必要である。６５体
積％未満では吸湿性低減および強度向上の効果が十分に
発揮されないため耐リフロー性が低下し、８５体積％を
越えた場合は成形時の流動性に支障をきたす。
【００２６】流動性の観点からは、（Ｄ）成分の無機充
填剤の７０重量％以上を球状粒子とし、無機充填剤全体
の平均粒径を１０〜３０μｍ、１００μｍ以上の成分を
無機充填剤全体の０．５重量％以下、５μｍ以下の成分
を無機充填剤全体の２０〜４０重量％とすることが好ま
しく、さらには１μｍ以下の成分を無機充填剤全体の８
〜１５重量％とすることが好ましく、さらに好ましくは
１０〜１５重量％である。
填剤の７０重量％以上を球状粒子とし、無機充填剤全体
の平均粒径を１０〜３０μｍ、１００μｍ以上の成分を
無機充填剤全体の０．５重量％以下、５μｍ以下の成分
を無機充填剤全体の２０〜４０重量％とすることが好ま
しく、さらには１μｍ以下の成分を無機充填剤全体の８
〜１５重量％とすることが好ましく、さらに好ましくは
１０〜１５重量％である。
【００２７】本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料に
は、ＩＣの耐湿性を向上させる観点からは、陰イオン交
換体（Ｅ）を添加することが好ましい。ここで問題とす
る耐湿性とはＩＣの耐湿信頼性であり、特にバイアス型
高温高湿試験、ＨＡＳＴ（Highly Accelerated Humidit
y and Stress Test）などの電圧印加下での耐湿性試験
が対象である。これらの耐湿性試験で発生する不良モー
ドは殆どがＩＣの素子上に形成されているアルミ配線の
腐食による断線であるが、本発明の（Ａ）成分のエポキ
シ樹脂、（Ｂ）成分のフェノール化合物、（Ｃ）成分の
硬化促進剤及び（Ｄ）成分の特定配合量の無機充填剤の
組合せからなる封止用エポキシ樹脂成形材料を使用する
ことで良好な耐湿信頼性を得ることができる。しかし、
更に優れた電圧印加型の耐湿性を得るためには陰イオン
交換体の添加が有効である。電圧印加型耐湿試験の場合
は陽極側のアルミ配線が特に腐食しやすく、この原因と
しては以下の現象が考えられる。陽極側の配線またはボ
ンディングパッドは水分が存在する場合、水の電気分解
により発生する酸素により陽極酸化を受け、表面に安定
な酸化アルミの皮膜が形成されるためアルミ腐食は進行
しないはずである。しかし、微量でも塩素などのハロゲ
ンイオンが存在すると酸化アルミ膜を可溶化するため、
下地のアルミが溶解する孔食腐食となる。この陽極側の
孔食腐食は陰極側の粒界腐食と比較し進行が速いため、
電圧印加型耐湿試験では陽極側のアルミ配線腐食が先に
進行し不良となる。そこで、陽極側の腐食を防止するた
めには微量のハロゲンイオンを捕捉できる陰イオン交換
体の添加が有効になる。
は、ＩＣの耐湿性を向上させる観点からは、陰イオン交
換体（Ｅ）を添加することが好ましい。ここで問題とす
る耐湿性とはＩＣの耐湿信頼性であり、特にバイアス型
高温高湿試験、ＨＡＳＴ（Highly Accelerated Humidit
y and Stress Test）などの電圧印加下での耐湿性試験
が対象である。これらの耐湿性試験で発生する不良モー
ドは殆どがＩＣの素子上に形成されているアルミ配線の
腐食による断線であるが、本発明の（Ａ）成分のエポキ
シ樹脂、（Ｂ）成分のフェノール化合物、（Ｃ）成分の
硬化促進剤及び（Ｄ）成分の特定配合量の無機充填剤の
組合せからなる封止用エポキシ樹脂成形材料を使用する
ことで良好な耐湿信頼性を得ることができる。しかし、
更に優れた電圧印加型の耐湿性を得るためには陰イオン
交換体の添加が有効である。電圧印加型耐湿試験の場合
は陽極側のアルミ配線が特に腐食しやすく、この原因と
しては以下の現象が考えられる。陽極側の配線またはボ
ンディングパッドは水分が存在する場合、水の電気分解
により発生する酸素により陽極酸化を受け、表面に安定
な酸化アルミの皮膜が形成されるためアルミ腐食は進行
しないはずである。しかし、微量でも塩素などのハロゲ
ンイオンが存在すると酸化アルミ膜を可溶化するため、
下地のアルミが溶解する孔食腐食となる。この陽極側の
孔食腐食は陰極側の粒界腐食と比較し進行が速いため、
電圧印加型耐湿試験では陽極側のアルミ配線腐食が先に
進行し不良となる。そこで、陽極側の腐食を防止するた
めには微量のハロゲンイオンを捕捉できる陰イオン交換
体の添加が有効になる。
【００２８】本発明において用いることのできる（Ｅ）
成分の陰イオン交換体としては、次式（III）で示され
るハイドロタルサイト類や、
成分の陰イオン交換体としては、次式（III）で示され
るハイドロタルサイト類や、
【化１０】 Ｍｇ1-XＡｌX（ＯＨ）2（ＣＯ3）X/2・ｍＨ2Ｏ ……（III） （０＜Ｘ≦０．５、ｍは正数） マグネシウム、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、
ビスマスから選ばれる元素の含水酸化物が好ましく、こ
れらを単独またはいくつでも併用して用いることができ
る。
ビスマスから選ばれる元素の含水酸化物が好ましく、こ
れらを単独またはいくつでも併用して用いることができ
る。
【００２９】ハイドロタルサイト類は、ハロゲンイオン
などの陰イオンを構造中のＣＯ3と置換することで捕捉
し、結晶構造の中に組み込まれたハロゲンイオンは約３
５０℃以上で結晶構造が破壊するまで脱離しない性質を
持つ化合物である。この様な性質を持つハイドロタルサ
イト類を例示すれば、天然物として産出されるＭｇ6Ａ
ｌ2（ＯＨ）16ＣＯ3・４Ｈ2Ｏや合成品としてＭｇ4.3Ａ
ｌ2（ＯＨ）12.6ＣＯ3・ｍＨ2Ｏが挙げられる。また、
本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料は（Ｂ）のフェノ
ール化合物の影響で、純水を使用した硬化物の抽出液が
ｐＨ値３〜５と酸性を示す。したがって、両性金属であ
るアルミに対しては腐食しやすい環境となるが、ハイド
ロタルサイト類は酸を吸着する作用も持つことから抽出
液を中性に近づける作用もあり、この作用効果もハイド
ロタルサイト類添加がアルミ腐食防止に対し有効に働く
要因であると推察できる。
などの陰イオンを構造中のＣＯ3と置換することで捕捉
し、結晶構造の中に組み込まれたハロゲンイオンは約３
５０℃以上で結晶構造が破壊するまで脱離しない性質を
持つ化合物である。この様な性質を持つハイドロタルサ
イト類を例示すれば、天然物として産出されるＭｇ6Ａ
ｌ2（ＯＨ）16ＣＯ3・４Ｈ2Ｏや合成品としてＭｇ4.3Ａ
ｌ2（ＯＨ）12.6ＣＯ3・ｍＨ2Ｏが挙げられる。また、
本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料は（Ｂ）のフェノ
ール化合物の影響で、純水を使用した硬化物の抽出液が
ｐＨ値３〜５と酸性を示す。したがって、両性金属であ
るアルミに対しては腐食しやすい環境となるが、ハイド
ロタルサイト類は酸を吸着する作用も持つことから抽出
液を中性に近づける作用もあり、この作用効果もハイド
ロタルサイト類添加がアルミ腐食防止に対し有効に働く
要因であると推察できる。
【００３０】マグネシウム、アルミニウム、チタン、ジ
ルコニウム、ビスマス、アンチモンから選ばれる元素の
含水酸化物も、ハロゲンイオンを水酸イオンと置換する
ことで捕捉でき、さらにこれらのイオン交換体は酸性側
で優れたイオン交換能を示す。本発明の封止用エポキシ
樹脂成形材料については、前述のように抽出液が酸性側
となることから、これらの含水酸化物もアルミ腐食防止
に対し特に有効である。これらを例示すればＭｇＯ・ｎ
Ｈ2Ｏ、Ａｌ2Ｏ3・ｎＨ2Ｏ、ＴｉＯ2・ｎＨ2Ｏ、ＺｒＯ
2・ｎＨ2Ｏ、Ｂｉ2Ｏ3・ｎＨ2Ｏ、Ｓｂ2Ｏ5・ｎＨ2Ｏな
どの含水酸化物が挙げられる。
ルコニウム、ビスマス、アンチモンから選ばれる元素の
含水酸化物も、ハロゲンイオンを水酸イオンと置換する
ことで捕捉でき、さらにこれらのイオン交換体は酸性側
で優れたイオン交換能を示す。本発明の封止用エポキシ
樹脂成形材料については、前述のように抽出液が酸性側
となることから、これらの含水酸化物もアルミ腐食防止
に対し特に有効である。これらを例示すればＭｇＯ・ｎ
Ｈ2Ｏ、Ａｌ2Ｏ3・ｎＨ2Ｏ、ＴｉＯ2・ｎＨ2Ｏ、ＺｒＯ
2・ｎＨ2Ｏ、Ｂｉ2Ｏ3・ｎＨ2Ｏ、Ｓｂ2Ｏ5・ｎＨ2Ｏな
どの含水酸化物が挙げられる。
【００３１】（Ｅ）成分の陰イオン交換体の配合量は、
ハロゲンイオンなどの陰イオンを捕捉できる十分量であ
れば特に限定されるものではないが、成形材料全体に対
して０．００２〜３重量％が好ましく、さらに好ましく
は０．００５〜１重量％である。
ハロゲンイオンなどの陰イオンを捕捉できる十分量であ
れば特に限定されるものではないが、成形材料全体に対
して０．００２〜３重量％が好ましく、さらに好ましく
は０．００５〜１重量％である。
【００３２】本発明の成形材料には、高級脂肪酸、高級
脂酸金属塩、エステル系ワックス、低分子量ポリエチレ
ンなどの離型剤を用いることができるが、特に良好な離
型性、連続成形性が必要な場合には、ポリエチレン系ワ
ックス、ポリエチレン系ワックスとカルナバワックスと
からなる離型剤、ポリエチレン系ワックスとモンタン酸
系ワックスとからなる離型剤を１種以上配合することが
好ましい。離型剤の配合量はエポキシ樹脂１００重量部
に対して、０．５〜５重量部が好ましい。
脂酸金属塩、エステル系ワックス、低分子量ポリエチレ
ンなどの離型剤を用いることができるが、特に良好な離
型性、連続成形性が必要な場合には、ポリエチレン系ワ
ックス、ポリエチレン系ワックスとカルナバワックスと
からなる離型剤、ポリエチレン系ワックスとモンタン酸
系ワックスとからなる離型剤を１種以上配合することが
好ましい。離型剤の配合量はエポキシ樹脂１００重量部
に対して、０．５〜５重量部が好ましい。
【００３３】さらに、その他の添加剤として、染料、カ
ーボンブラックなどの着色剤、エポキシシラン、アミノ
シラン、ウレイドシラン、ビニルシラン、アルキルシラ
ン、有機チタネート、アルミニウムアルコレートなどの
カップリング剤等の表面処理剤、ブロム化樹脂、酸化ア
ンチモン、リン酸エステル、メラミンをはじめとする含
窒素化合物等の難燃剤、シリコーンオイルやシリコーン
ゴム粉末等の応力緩和剤等を必要に応じて成形材料に配
合することができる。
ーボンブラックなどの着色剤、エポキシシラン、アミノ
シラン、ウレイドシラン、ビニルシラン、アルキルシラ
ン、有機チタネート、アルミニウムアルコレートなどの
カップリング剤等の表面処理剤、ブロム化樹脂、酸化ア
ンチモン、リン酸エステル、メラミンをはじめとする含
窒素化合物等の難燃剤、シリコーンオイルやシリコーン
ゴム粉末等の応力緩和剤等を必要に応じて成形材料に配
合することができる。
【００３４】本発明における成形材料は、各種原材料を
均一に分散混合できるのであれば、いかなる手法を用い
ても調製できるが、一般的な手法として、所定の配合量
の原材料をミキサー等によって十分混合した後、ミキシ
ングロール、押出機等によって溶融混練した後、冷却、
粉砕する方法を挙げることができる。成形条件に合うよ
うな寸法及び重量でタブレット化すると使いやすい。
均一に分散混合できるのであれば、いかなる手法を用い
ても調製できるが、一般的な手法として、所定の配合量
の原材料をミキサー等によって十分混合した後、ミキシ
ングロール、押出機等によって溶融混練した後、冷却、
粉砕する方法を挙げることができる。成形条件に合うよ
うな寸法及び重量でタブレット化すると使いやすい。
【００３５】本発明で得られる封止用エポキシ樹脂成形
材料により素子を封止して得られる電子部品装置として
は、リードフレーム上に半導体素子を固定し、素子の端
子部（ボンディングパッドなど）とリード部をワイヤボ
ンディングやバンプなどで接続した後、電子部品封止用
エポキシ樹脂成形材料を用いてトランスファ成形などに
より封止してなる、一般的な樹脂封止型ＩＣが挙げられ
る。これを例示すればＤＩＰ（Dual Inline Packag
e）、ＰＬＣＣ（Plastic Leaded Chip Carrier）、ＱＦ
Ｐ（Quad Flat Package）、ＳＯＰ（Small Outline Pac
kage）、ＳＯＪ（Small Outline J-lead package）、Ｔ
ＳＯＰ（Thin Small Outline Package）、ＴＱＦＰ（Th
in Quad Flat Package）などが挙げられ、特に表面実装
法により配線板に実装される電子部品装置に適用した場
合、優れた信頼性を発揮できる。中でも薄型表面実装型
の樹脂封止型半導体装置、すなわち、Ｓｉチップ面積が
２５ｍｍ2以上又は一辺の長さが５ｍｍ以上で、かつパ
ッケージの厚さが３ｍｍ以下である半導体装置で本発明
の封止用成形材料は有効である。また、上記に示したリ
ード（外部接続端子）を有する樹脂封止型パッケージの
形態であれば、封止される素子はトランジスタ、サイリ
スタ、ＩＣなどの半導体素子ばかりでなく、抵抗体、抵
抗アレイ、コンデンサ、ポリスイッチなどのスイッチ類
なども対象となり、これらの素子に対しても優れた信頼
性を提供できるとともに、各種素子や電子部品をセラミ
ック基板に搭載した後に全体を封止してなるハイブリッ
トＩＣについても優れた信頼性を得ることができる。さ
らには、裏面に配線板接続用の端子を形成した有機基板
の表面に素子を搭載し、バンプまたはワイヤボンディン
グにより素子と有機基板に形成された配線を接続した
後、電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料を用いて素子
を封止してなる、ＢＧＡ（BallGrid Array）やＣＳＰ
（Chip Size Package）などの電子部品装置についても
優れた信頼性を得ることができる。本発明で得られる成
形材料を用いて、電子部品装置を封止する方法として
は、低圧トランスファー成形法が最も一般的であるが、
インジェクション成形法、圧縮成形法等を用いてもよ
い。
材料により素子を封止して得られる電子部品装置として
は、リードフレーム上に半導体素子を固定し、素子の端
子部（ボンディングパッドなど）とリード部をワイヤボ
ンディングやバンプなどで接続した後、電子部品封止用
エポキシ樹脂成形材料を用いてトランスファ成形などに
より封止してなる、一般的な樹脂封止型ＩＣが挙げられ
る。これを例示すればＤＩＰ（Dual Inline Packag
e）、ＰＬＣＣ（Plastic Leaded Chip Carrier）、ＱＦ
Ｐ（Quad Flat Package）、ＳＯＰ（Small Outline Pac
kage）、ＳＯＪ（Small Outline J-lead package）、Ｔ
ＳＯＰ（Thin Small Outline Package）、ＴＱＦＰ（Th
in Quad Flat Package）などが挙げられ、特に表面実装
法により配線板に実装される電子部品装置に適用した場
合、優れた信頼性を発揮できる。中でも薄型表面実装型
の樹脂封止型半導体装置、すなわち、Ｓｉチップ面積が
２５ｍｍ2以上又は一辺の長さが５ｍｍ以上で、かつパ
ッケージの厚さが３ｍｍ以下である半導体装置で本発明
の封止用成形材料は有効である。また、上記に示したリ
ード（外部接続端子）を有する樹脂封止型パッケージの
形態であれば、封止される素子はトランジスタ、サイリ
スタ、ＩＣなどの半導体素子ばかりでなく、抵抗体、抵
抗アレイ、コンデンサ、ポリスイッチなどのスイッチ類
なども対象となり、これらの素子に対しても優れた信頼
性を提供できるとともに、各種素子や電子部品をセラミ
ック基板に搭載した後に全体を封止してなるハイブリッ
トＩＣについても優れた信頼性を得ることができる。さ
らには、裏面に配線板接続用の端子を形成した有機基板
の表面に素子を搭載し、バンプまたはワイヤボンディン
グにより素子と有機基板に形成された配線を接続した
後、電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料を用いて素子
を封止してなる、ＢＧＡ（BallGrid Array）やＣＳＰ
（Chip Size Package）などの電子部品装置についても
優れた信頼性を得ることができる。本発明で得られる成
形材料を用いて、電子部品装置を封止する方法として
は、低圧トランスファー成形法が最も一般的であるが、
インジェクション成形法、圧縮成形法等を用いてもよ
い。
【００３６】
【実施例】次に本発明の実施例を示すが、本発明の範囲
はこれらの実施例に限定されるものではない。
はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００３７】実施例１〜２２、比較例１〜１３ 次式（VII）〜（IX）で示されるエポキシ樹脂−１（エ
ポキシ当量１９５）、エポキシ樹脂−２（エポキシ当量
１３５）、エポキシ樹脂−３（エポキシ当量２００、軟
化点６８℃）、
ポキシ当量１９５）、エポキシ樹脂−２（エポキシ当量
１３５）、エポキシ樹脂−３（エポキシ当量２００、軟
化点６８℃）、
【化１１】
【００３８】次式（Ｘ）〜（XII）で示される硬化剤−
１（水酸基当量１７０、軟化点７２℃）、硬化剤−２
（水酸基当量２００、軟化点７６℃）、硬化剤−３（水
酸基当量１０６、軟化点７５℃）、
１（水酸基当量１７０、軟化点７２℃）、硬化剤−２
（水酸基当量２００、軟化点７６℃）、硬化剤−３（水
酸基当量１０６、軟化点７５℃）、
【化１２】
【００３９】トリフェニルホスフィンとｐ−ベンゾキノ
ンとの付加物（促進剤−１）、トリフェニルホスフィン
と１，４−ナフトキノンとの付加物（促進剤−２）、ト
リス（４−メチルフェニル）ホスフィンとｐ−ベンゾキ
ノンとの付加物（促進剤−３）、トリス（４−メトキシ
フェニル）ホスフィンとｐ−ベンゾキノンとの付加物
（促進剤−４）、トリフェニルホスフィン（促進剤−
５）、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセ
ン−７のフェノール塩（促進剤−６）、２−フェニル−
４−メチルイミダゾール（促進剤−７）、ハイドロタル
サイトとしてＭｇ4.3Ａｌ2（ＯＨ）12.6ＣＯ3・ｍＨ
2Ｏ、含水酸化物として東亜合成化学社製のＩＸＥ５０
０（含水酸化物−１）、ＩＸＥ６００（含水酸化物−
２）、臭素比率５０重量％、エポキシ当量３７５の臭素
化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、三酸化アンチモ
ン、カルナバワックス、カーボンブラック、シランカッ
プリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキ
シシラン、溶融シリカを、表１〜表４に示す割合で配合
し、１０インチ径の加熱ロールを使用して、混練温度８
０〜９０℃、混練時間７〜１０分の条件で実施例１〜２
２、比較例１〜１３のエポキシ樹脂成形材料を作製し
た。なお、表１〜表４に示した配合量の単位は、溶融シ
リカは体積％であり、それ以外は重量部または重量％で
ある。
ンとの付加物（促進剤−１）、トリフェニルホスフィン
と１，４−ナフトキノンとの付加物（促進剤−２）、ト
リス（４−メチルフェニル）ホスフィンとｐ−ベンゾキ
ノンとの付加物（促進剤−３）、トリス（４−メトキシ
フェニル）ホスフィンとｐ−ベンゾキノンとの付加物
（促進剤−４）、トリフェニルホスフィン（促進剤−
５）、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセ
ン−７のフェノール塩（促進剤−６）、２−フェニル−
４−メチルイミダゾール（促進剤−７）、ハイドロタル
サイトとしてＭｇ4.3Ａｌ2（ＯＨ）12.6ＣＯ3・ｍＨ
2Ｏ、含水酸化物として東亜合成化学社製のＩＸＥ５０
０（含水酸化物−１）、ＩＸＥ６００（含水酸化物−
２）、臭素比率５０重量％、エポキシ当量３７５の臭素
化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、三酸化アンチモ
ン、カルナバワックス、カーボンブラック、シランカッ
プリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキ
シシラン、溶融シリカを、表１〜表４に示す割合で配合
し、１０インチ径の加熱ロールを使用して、混練温度８
０〜９０℃、混練時間７〜１０分の条件で実施例１〜２
２、比較例１〜１３のエポキシ樹脂成形材料を作製し
た。なお、表１〜表４に示した配合量の単位は、溶融シ
リカは体積％であり、それ以外は重量部または重量％で
ある。
【００４０】
【表１】
【００４１】
【表２】
【００４２】
【表３】
【００４３】
【表４】
【００４４】得られたエポキシ樹脂成形材料について、
以下に示す（１）〜（６）の各種特性試験を行った。結
果を表５〜表８に示す。 （１）スパイラルフロー ＡＳＴＭ Ｄ３１２３に準拠したスパイラルフロー金型
を使用し、１８０℃、６．９Ｍｐａの条件で流動長さを
測定した。 （２）バリ特性 ３０、２０、１０、２μｍの各スリットを持つ金型を使
用し、１８０℃、６．９Ｍｐａの条件で成形し、各スリ
ットに流出した距離を測定し、その最大値をバリの値と
した。 （３）ワイヤスウィープ ８０ピンの４２アロイリードフレームに、シリコンサブ
ストレート上にアルミ配線を施してなる８×１０×０．
４（ｍｍ）のテスト素子を接続し、リード部と素子上の
ボンディングパッドを２５μｍの金線でボンディングし
た後、トランスファ成形により１８０℃、６．９Ｍｐ
ａ、９０秒の条件でエポキシ樹脂成形材料を成形して外
形寸法１４×２０×２（ｍｍ）の評価用ＱＦＰ得た。得
られた評価用ＱＦＰの金線の変形量（ワイヤスウィープ
量）をソフトＸ線観察により求めた。ワイヤスウィープ
量はリードフレーム面に対し垂直方向から観察を行い、
第一ボンディング部と第二ボンディング部を結ぶ直線上
からの最大の変形量を当該直線長で除した値を百パーセ
ント表示することにより示した。 （４）耐リフロー性 上記（３）ワイヤスウィープ評価に用いたものと同仕様
のＱＦＰを作製し、８５℃、８５％ＲＨにて所定時間加
湿した後、２１５℃のＶＰＳ（Vapor Phase Solderin
g）にて９０秒リフロー処理を行い、パッケージクラッ
クの有無を顕微鏡観察より評価した。 （５）耐湿性 耐湿性の評価に用いたＩＣは３５０ｍｉｌ幅、４２アロ
イ２８ピンのＳＯＰであり、１０μｍ幅のアルミ配線を
施した５×１０×０．４（ｍｍ）テスト素子を搭載し、
２５μｍの金線を用いてワイヤボンディングしたもので
ある。試験条件は８５℃、８５％ＲＨで７２時間加湿
し、２１５℃のＶＰＳにて９０秒リフロー処理した後、
２気圧、１２１℃、１００％ＲＨの条件で所定時間加湿
し、アルミ配線腐食による断線不良を調べた。 （６）ＰＣＢＴ 上記（５）耐湿性評価に用いたものと同仕様のＳＯＰを
８５℃、８５％ＲＨにて７２時間加湿し、２１５℃のＶ
ＰＳにて９０秒リフロー処理した後、２気圧、１２１
℃、１００％ＲＨ、ＤＣ２０Ｖ加電圧の条件で所定時間
加湿し、アルミ配線腐食による断線不良を調べた。
以下に示す（１）〜（６）の各種特性試験を行った。結
果を表５〜表８に示す。 （１）スパイラルフロー ＡＳＴＭ Ｄ３１２３に準拠したスパイラルフロー金型
を使用し、１８０℃、６．９Ｍｐａの条件で流動長さを
測定した。 （２）バリ特性 ３０、２０、１０、２μｍの各スリットを持つ金型を使
用し、１８０℃、６．９Ｍｐａの条件で成形し、各スリ
ットに流出した距離を測定し、その最大値をバリの値と
した。 （３）ワイヤスウィープ ８０ピンの４２アロイリードフレームに、シリコンサブ
ストレート上にアルミ配線を施してなる８×１０×０．
４（ｍｍ）のテスト素子を接続し、リード部と素子上の
ボンディングパッドを２５μｍの金線でボンディングし
た後、トランスファ成形により１８０℃、６．９Ｍｐ
ａ、９０秒の条件でエポキシ樹脂成形材料を成形して外
形寸法１４×２０×２（ｍｍ）の評価用ＱＦＰ得た。得
られた評価用ＱＦＰの金線の変形量（ワイヤスウィープ
量）をソフトＸ線観察により求めた。ワイヤスウィープ
量はリードフレーム面に対し垂直方向から観察を行い、
第一ボンディング部と第二ボンディング部を結ぶ直線上
からの最大の変形量を当該直線長で除した値を百パーセ
ント表示することにより示した。 （４）耐リフロー性 上記（３）ワイヤスウィープ評価に用いたものと同仕様
のＱＦＰを作製し、８５℃、８５％ＲＨにて所定時間加
湿した後、２１５℃のＶＰＳ（Vapor Phase Solderin
g）にて９０秒リフロー処理を行い、パッケージクラッ
クの有無を顕微鏡観察より評価した。 （５）耐湿性 耐湿性の評価に用いたＩＣは３５０ｍｉｌ幅、４２アロ
イ２８ピンのＳＯＰであり、１０μｍ幅のアルミ配線を
施した５×１０×０．４（ｍｍ）テスト素子を搭載し、
２５μｍの金線を用いてワイヤボンディングしたもので
ある。試験条件は８５℃、８５％ＲＨで７２時間加湿
し、２１５℃のＶＰＳにて９０秒リフロー処理した後、
２気圧、１２１℃、１００％ＲＨの条件で所定時間加湿
し、アルミ配線腐食による断線不良を調べた。 （６）ＰＣＢＴ 上記（５）耐湿性評価に用いたものと同仕様のＳＯＰを
８５℃、８５％ＲＨにて７２時間加湿し、２１５℃のＶ
ＰＳにて９０秒リフロー処理した後、２気圧、１２１
℃、１００％ＲＨ、ＤＣ２０Ｖ加電圧の条件で所定時間
加湿し、アルミ配線腐食による断線不良を調べた。
【００４５】
【表５】
【００４６】
【表６】
【００４７】
【表７】
【００４８】
【表８】
【００４９】表５〜表７の実施例１〜２２に示すよう
に、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料を用いること
により、成形時の流動性を損なうことなく、優れた耐リ
フロークラック性及び耐湿性を得ることができる。とく
に、イオン補足剤の適用による耐湿性の向上効果と充填
剤の球形化比率、粒度を調製することで得られる流動性
向上の効果は顕著である。
に、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料を用いること
により、成形時の流動性を損なうことなく、優れた耐リ
フロークラック性及び耐湿性を得ることができる。とく
に、イオン補足剤の適用による耐湿性の向上効果と充填
剤の球形化比率、粒度を調製することで得られる流動性
向上の効果は顕著である。
【００５０】
【発明の効果】本発明によって得られた封止用エポキシ
樹脂成形材料は、流動性を損なうことなく充填剤の高充
填化が可能になるため、表面実装型電子部品に最も強く
要求される耐リフロークラック性及びリフロー後の耐湿
性が従来のものと比べ大幅に改善できる。とくに厳しく
要求される耐リフロークラック性に関しては、本発明の
封止用エポキシ樹脂成形材料を使用することで、大半の
電子部品が防湿梱包をせず出荷可能なレベルとなりその
工業的価値は大きい。
樹脂成形材料は、流動性を損なうことなく充填剤の高充
填化が可能になるため、表面実装型電子部品に最も強く
要求される耐リフロークラック性及びリフロー後の耐湿
性が従来のものと比べ大幅に改善できる。とくに厳しく
要求される耐リフロークラック性に関しては、本発明の
封止用エポキシ樹脂成形材料を使用することで、大半の
電子部品が防湿梱包をせず出荷可能なレベルとなりその
工業的価値は大きい。
Claims (7)
- 【請求項１】（Ａ）次式（Ｉ）で示されるエポキシ樹
脂、 【化１】 （Ｒ1〜Ｒ4は水素または炭素数１〜４のアルキル基から
選ばれ、互いに同じでも異なっていてもよい） （Ｂ）次式（II）で示される１分子中に２個以上のフェ
ノール性水酸基を有する化合物、 【化２】 （ｎは０〜１０を示し、Ｒ1〜Ｒ3は水素または炭素数１
〜４のアルキル基から選ばれ、互いに同じでも異なって
いてもよい） （Ｃ）第三ホスフィンとキノン類との付加物、 （Ｄ）無機充填剤、を必須成分とし、（Ｄ）成分の無機
充填剤の含有量が成形材料全体の６５〜８５体積％であ
ることを特徴とする封止用エポキシ樹脂成形材料。 - 【請求項２】（Ｃ）成分が第三ホスフィンとｐ−ベンゾ
キノンとの付加物およびまたは第三ホスフィンと１，４
−ナフトキノンとの付加物である請求項１記載の封止用
エポキシ樹脂成形材料。 - 【請求項３】陰イオン交換体（Ｅ）をさらに含むことを
特徴とする請求項１または請求項２記載の封止用エポキ
シ樹脂成形材料。 - 【請求項４】陰イオン交換体（Ｅ）が次式（III）で示
されるハイドロタルサイト類である請求項３記載の封止
用エポキシ樹脂成形材料。 【化３】 Ｍｇ1-XＡｌX（ＯＨ）2（ＣＯ3）X/2・ｍＨ2Ｏ ……（III） （０＜Ｘ≦０．５、ｍは正数） - 【請求項５】陰イオン交換体（Ｅ）がマグネシウム、ア
ルミニウム、チタン、ジルコニウム、ビスマスから選ば
れる少なくとも一つの元素の含水酸化物である請求項３
記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。 - 【請求項６】無機充填剤（Ｄ）の平均粒径が１０〜３０
μｍであって、１００μｍ以上の成分が無機充填剤全体
の０．５重量％以下、５μｍ以下の成分が無機充填剤全
体の２０〜４０重量％であり、かつ無機充填剤（Ｄ）の
７０重量％以上が球状粒子であることを特徴とする請求
項１〜５各項記載のいずれかの封止用エポキシ樹脂成形
材料。 - 【請求項７】請求項１〜６各項記載のいずれかの封止用
エポキシ樹脂成形材料により素子を封止して得られる電
子部品装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11972598A JP4051758B2 (ja) | 1998-01-13 | 1998-04-28 | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP466498 | 1998-01-13 | ||
| JP10-61835 | 1998-03-13 | ||
| JP6183598 | 1998-03-13 | ||
| JP10-4664 | 1998-03-13 | ||
| JP11972598A JP4051758B2 (ja) | 1998-01-13 | 1998-04-28 | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11322898A true JPH11322898A (ja) | 1999-11-26 |
| JP4051758B2 JP4051758B2 (ja) | 2008-02-27 |
Family
ID=27276392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11972598A Expired - Lifetime JP4051758B2 (ja) | 1998-01-13 | 1998-04-28 | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4051758B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001114872A (ja) * | 1999-08-06 | 2001-04-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
| JP2001151866A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
| JP2002128991A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2006299246A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-11-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP5050310B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2012-10-17 | 日立化成工業株式会社 | 新規なシリコーン重合体の製造法、その方法により製造されたシリコーン重合体、熱硬化性樹脂組成物、樹脂フィルム、絶縁材料付金属箔、両面金属箔付絶縁フィルム、金属張積層板、多層金属張積層板及び多層プリント配線板 |
-
1998
- 1998-04-28 JP JP11972598A patent/JP4051758B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001114872A (ja) * | 1999-08-06 | 2001-04-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
| JP2001151866A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
| JP5050310B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2012-10-17 | 日立化成工業株式会社 | 新規なシリコーン重合体の製造法、その方法により製造されたシリコーン重合体、熱硬化性樹脂組成物、樹脂フィルム、絶縁材料付金属箔、両面金属箔付絶縁フィルム、金属張積層板、多層金属張積層板及び多層プリント配線板 |
| JP2002128991A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2006299246A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-11-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4051758B2 (ja) | 2008-02-27 |
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