JPH11317430A - 半導体装置の検査方法 - Google Patents
半導体装置の検査方法Info
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- JPH11317430A JPH11317430A JP12453898A JP12453898A JPH11317430A JP H11317430 A JPH11317430 A JP H11317430A JP 12453898 A JP12453898 A JP 12453898A JP 12453898 A JP12453898 A JP 12453898A JP H11317430 A JPH11317430 A JP H11317430A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 配線層等の上層の金属膜で被覆された不良箇
所をディレイヤーすることなく、金属配線層の下部領域
の詳細な故障解析が可能な素子解析法を提供する。 【解決手段】 半導体基板１０を一定の傾斜角だけ傾斜
させて集束イオンビームを照射し、所定の素子領域を掘
削加工する工程と、前記掘削加工によって形成した掘削
面を金属蒸着し、金属蒸着反射膜５を形成する工程と、
前記半導体集積回路にバイアス電源によって電圧を印加
すると共に、前記金属蒸着反射膜５を介して光ビームを
検査対象の素子領域に照射する工程と、前記半導体集積
回路のウエル内のｐｎ接合４において、前記光ビームが
光起電力効果によって励起する電子正孔が流すＯＢＩＣ
電流を検出する工程と、前記ＯＢＩＣ電流の分布を表示
する工程とを有する。
所をディレイヤーすることなく、金属配線層の下部領域
の詳細な故障解析が可能な素子解析法を提供する。 【解決手段】 半導体基板１０を一定の傾斜角だけ傾斜
させて集束イオンビームを照射し、所定の素子領域を掘
削加工する工程と、前記掘削加工によって形成した掘削
面を金属蒸着し、金属蒸着反射膜５を形成する工程と、
前記半導体集積回路にバイアス電源によって電圧を印加
すると共に、前記金属蒸着反射膜５を介して光ビームを
検査対象の素子領域に照射する工程と、前記半導体集積
回路のウエル内のｐｎ接合４において、前記光ビームが
光起電力効果によって励起する電子正孔が流すＯＢＩＣ
電流を検出する工程と、前記ＯＢＩＣ電流の分布を表示
する工程とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の故障
解析方法に関し、特に、金属配線層下部の素子解析技術
に関する。
解析方法に関し、特に、金属配線層下部の素子解析技術
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の微細化及び高集積化が進む
一方で、半導体装置の加工形状評価および不良解析は、
益々困難になってきている。現在のようにディープサブ
ミクロンレベルで加工された不良解析を行う場合は、光
学顕微鏡による不良箇所の発見は非常に困難である。
一方で、半導体装置の加工形状評価および不良解析は、
益々困難になってきている。現在のようにディープサブ
ミクロンレベルで加工された不良解析を行う場合は、光
学顕微鏡による不良箇所の発見は非常に困難である。
【０００３】そこで、半導体集積回路の不良解析する場
合、素子の上部から光（又は、レーザー）ビームを照射
して、励起電流の変化から不良箇所を検出する方法や、
故障部位を外部からの電位や信号により動作させ、高感
度光検出器(IIF、CCD 等) により発光現象を検出する手
法等による検査方法が用いられている。そのため、能動
的なＯＢＩＣ(Optical Beam Induced Current)解析のた
めの光励起電流を検解析する装置や、受動的なＥＭＳ(E
mission Micro Scope)解析のための微弱な光を検出解析
する装置が利用されている。
合、素子の上部から光（又は、レーザー）ビームを照射
して、励起電流の変化から不良箇所を検出する方法や、
故障部位を外部からの電位や信号により動作させ、高感
度光検出器(IIF、CCD 等) により発光現象を検出する手
法等による検査方法が用いられている。そのため、能動
的なＯＢＩＣ(Optical Beam Induced Current)解析のた
めの光励起電流を検解析する装置や、受動的なＥＭＳ(E
mission Micro Scope)解析のための微弱な光を検出解析
する装置が利用されている。
【０００４】ＯＢＩＣ解析のための光（又は、レーザ
ー）ビーム照射による励起電流あるいはＥＭＳ解析にお
ける電圧印加によって放出される微弱な光は、共に解析
部位の上に配線等の金属や絶縁膜等が被覆されている
と、図３に示すように前記金属や絶縁膜等による反射及
び散乱によって測定が困難である。
ー）ビーム照射による励起電流あるいはＥＭＳ解析にお
ける電圧印加によって放出される微弱な光は、共に解析
部位の上に配線等の金属や絶縁膜等が被覆されている
と、図３に示すように前記金属や絶縁膜等による反射及
び散乱によって測定が困難である。
【０００５】このために、一般に、観察したい配線層の
上層の膜を除去（以後、ディレイヤーと呼ぶ）する必要
がある。そのため、絶縁膜であるパシベーション膜に穴
を開けて、配線を剥き出しにしてから、剥き出しにした
配線に新たに電極を形成して、その電極にプローブ針を
立て、半導体集積回路の動作を検査する例などがある。
上層の膜を除去（以後、ディレイヤーと呼ぶ）する必要
がある。そのため、絶縁膜であるパシベーション膜に穴
を開けて、配線を剥き出しにしてから、剥き出しにした
配線に新たに電極を形成して、その電極にプローブ針を
立て、半導体集積回路の動作を検査する例などがある。
【０００６】また前記パシベーション膜を除去すること
なく不良箇所、原因を解析する方法として、半導体集積
回路に交流信号を印加し、パシベーション膜が交流信号
の正負の電位をその表面に表すため、放出される二次電
子が補足されたり加速されることによって、電子イオン
ビーム照射による前記二次電子による配線電位のコント
ラストを生じる。このコントラストの画像を観測するこ
とによって不良箇所を特定する方法等が特開平５−１６
０２１２号公報に開示されている。
なく不良箇所、原因を解析する方法として、半導体集積
回路に交流信号を印加し、パシベーション膜が交流信号
の正負の電位をその表面に表すため、放出される二次電
子が補足されたり加速されることによって、電子イオン
ビーム照射による前記二次電子による配線電位のコント
ラストを生じる。このコントラストの画像を観測するこ
とによって不良箇所を特定する方法等が特開平５−１６
０２１２号公報に開示されている。
【０００７】また半導体ウエーハを動作状態で半導体ウ
エ−ハの表面から電流検出、裏面から光学的解析検査を
同時に行って、不良箇所を検出する等の方法が特開平７
−１４８９８号公報に開示されている。
エ−ハの表面から電流検出、裏面から光学的解析検査を
同時に行って、不良箇所を検出する等の方法が特開平７
−１４８９８号公報に開示されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
検査方法では、不良箇所の特定はできても、不良箇所の
細部についての詳しい情報を直接得るには不十分であっ
た。本発明は、前記課題を解決するたに、半導体集積回
路の故障解析において、配線層等の上層の金属膜で被覆
された不良箇所をディレイヤーすることなく、金属配線
層の下部領域の詳細な故障解析が可能な素子解析法を提
供することを目的とする。
検査方法では、不良箇所の特定はできても、不良箇所の
細部についての詳しい情報を直接得るには不十分であっ
た。本発明は、前記課題を解決するたに、半導体集積回
路の故障解析において、配線層等の上層の金属膜で被覆
された不良箇所をディレイヤーすることなく、金属配線
層の下部領域の詳細な故障解析が可能な素子解析法を提
供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の検
査方法は、半導体集積回路チップを一定の傾斜角だけ傾
斜させて集束イオンビームを照射し、所定の素子領域を
掘削加工する工程と、前記掘削加工によって形成した掘
削面を金属蒸着し、金属蒸着反射膜を形成する工程と、
前記半導体集積回路にバイアス電源によって電圧を印加
すると共に、前記金属蒸着反射膜を介して光ビームを検
査対象の素子領域に照射する工程と、前記半導体集積回
路のウエル内のｐｎ接合において、前記光ビームが光起
電力効果によって励起する電子正孔が流すＯＢＩＣ電流
を検出する工程と、前記ＯＢＩＣ電流の分布を表示する
工程とを有する。
査方法は、半導体集積回路チップを一定の傾斜角だけ傾
斜させて集束イオンビームを照射し、所定の素子領域を
掘削加工する工程と、前記掘削加工によって形成した掘
削面を金属蒸着し、金属蒸着反射膜を形成する工程と、
前記半導体集積回路にバイアス電源によって電圧を印加
すると共に、前記金属蒸着反射膜を介して光ビームを検
査対象の素子領域に照射する工程と、前記半導体集積回
路のウエル内のｐｎ接合において、前記光ビームが光起
電力効果によって励起する電子正孔が流すＯＢＩＣ電流
を検出する工程と、前記ＯＢＩＣ電流の分布を表示する
工程とを有する。
【００１０】本発明の半導体装置の検査方法は、半導体
集積回路チップを一定の傾斜角だけ傾斜させて集束イオ
ンビームを照射し、所定の素子領域を掘削加工する工程
と、前記掘削加工によって形成した掘削面を金属蒸着
し、金属蒸着反射膜を形成する工程と、前記半導体集積
回路にバイアス電源もしくはＬＳＩテスタによって電圧
もしくはテスト信号を印加する工程と、前記半導体集積
回路から放出される微弱な光を前記金属蒸着反射膜を介
して検出する工程と、前記微弱な光を画像処理して表示
する工程とを有する。
集積回路チップを一定の傾斜角だけ傾斜させて集束イオ
ンビームを照射し、所定の素子領域を掘削加工する工程
と、前記掘削加工によって形成した掘削面を金属蒸着
し、金属蒸着反射膜を形成する工程と、前記半導体集積
回路にバイアス電源もしくはＬＳＩテスタによって電圧
もしくはテスト信号を印加する工程と、前記半導体集積
回路から放出される微弱な光を前記金属蒸着反射膜を介
して検出する工程と、前記微弱な光を画像処理して表示
する工程とを有する。
【００１１】本発明の半導体装置の検査方法の一態様例
において、前記傾斜角は、３０°〜６０°の範囲内であ
る。
において、前記傾斜角は、３０°〜６０°の範囲内であ
る。
【００１２】本発明の半導体装置の検査方法の一態様例
において、前記金属蒸着反射膜は、アルミニウム又はク
ロミウムである。
において、前記金属蒸着反射膜は、アルミニウム又はク
ロミウムである。
【００１３】
【作用】本発明の構成による解析対象素子領域下部に設
けた傾斜を持つ蒸着金属膜は外部からの励起光を反射
し、解析対象領域の素子の断面に的確に励起光を与える
ことができると共に、電気的外部信号に伴う発光現象に
よる素子領域からの微弱な光を反射し、上部の検出器に
導くことができる。
けた傾斜を持つ蒸着金属膜は外部からの励起光を反射
し、解析対象領域の素子の断面に的確に励起光を与える
ことができると共に、電気的外部信号に伴う発光現象に
よる素子領域からの微弱な光を反射し、上部の検出器に
導くことができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に本発明の一実施形態を、図
面を参照しながら具体的に説明する。図１及び図２は本
発明の一実施形態に係わる光（又は、レーザー）ビーム
（ＦＩＢ）装置の概略断面図を示す。図１は本発明のＯ
ＢＩＣ解析に係わる一実施形態を示す概略断面図で、図
１に従って、その解析手順を具体的に述べる。
面を参照しながら具体的に説明する。図１及び図２は本
発明の一実施形態に係わる光（又は、レーザー）ビーム
（ＦＩＢ）装置の概略断面図を示す。図１は本発明のＯ
ＢＩＣ解析に係わる一実施形態を示す概略断面図で、図
１に従って、その解析手順を具体的に述べる。
【００１５】半導体基板１０上に形成されたウエル内の
ソース電極／ドレイン電極（Ｓ／Ｄ）４及びウエル上部
に金属配線１で覆われたソース／ドレイン電極４間のゲ
ート誘電体膜（酸化膜）３を介して接続されたゲート電
極２を有する高密度の半導体集積回路において、素子解
析するサンプルの解析部位の近傍をＦＩＢで４５°の角
度で掘削加工する。この掘削加工はサンプル自体を４５
°の角度に傾けることで実現する。次いで、前記掘削加
工によって形成した４５°の角度で傾斜した面に、アル
ミニウムやクロミウム等の金属ガス中でレーザービーム
を照射して金属蒸着反射膜５を形成する。
ソース電極／ドレイン電極（Ｓ／Ｄ）４及びウエル上部
に金属配線１で覆われたソース／ドレイン電極４間のゲ
ート誘電体膜（酸化膜）３を介して接続されたゲート電
極２を有する高密度の半導体集積回路において、素子解
析するサンプルの解析部位の近傍をＦＩＢで４５°の角
度で掘削加工する。この掘削加工はサンプル自体を４５
°の角度に傾けることで実現する。次いで、前記掘削加
工によって形成した４５°の角度で傾斜した面に、アル
ミニウムやクロミウム等の金属ガス中でレーザービーム
を照射して金属蒸着反射膜５を形成する。
【００１６】ＯＢＩＣ観察を行って解析するには、前記
半導体集積回路にバイアス電源によって電圧を印加し、
半導体基板上部から所定の走査を行いつつＯＢＩＣレー
ザー６を照射する。前記ＯＢＩＣレーザー６の励起光を
解析するメタル配線下の検査対象の素子の側断面に金属
蒸着反射膜５を介して的確に照射し、前記半導体集積回
路のウエル内のｐｎ接合において、前記光ビームが光起
電力効果によって励起する電子正孔が流すＯＢＩＣ電流
の変化を検出し、前記ＯＢＩＣ電流の分布を表示するこ
とで故障部位を特定する。
半導体集積回路にバイアス電源によって電圧を印加し、
半導体基板上部から所定の走査を行いつつＯＢＩＣレー
ザー６を照射する。前記ＯＢＩＣレーザー６の励起光を
解析するメタル配線下の検査対象の素子の側断面に金属
蒸着反射膜５を介して的確に照射し、前記半導体集積回
路のウエル内のｐｎ接合において、前記光ビームが光起
電力効果によって励起する電子正孔が流すＯＢＩＣ電流
の変化を検出し、前記ＯＢＩＣ電流の分布を表示するこ
とで故障部位を特定する。
【００１７】図２は本発明のＥＭＳ解析に係わる一実施
形態を示す概略断面図で、図２に従って、その解析手順
を具体的に述べる。半導体基板１０上に形成されたウエ
ル内のソース電極／ドレイン電極（Ｓ／Ｄ）４及びウエ
ル上部に金属配線１で覆われたソース／ドレイン電極４
間のゲート誘電体膜（酸化膜）３を介して接続されたゲ
ート電極２を有する高密度の半導体集積回路において、
素子解析するサンプルの解析部位の近傍を前記ＯＢＩＣ
解析に係わる実施形態の図１と同様な方法で掘削加工す
る。次いで、前記掘削加工によって形成した４５°の角
度で傾斜した面に、アルミニウムやクロム等の金属ガス
中でレーザービームを照射して金属蒸着反射膜５を形成
する。
形態を示す概略断面図で、図２に従って、その解析手順
を具体的に述べる。半導体基板１０上に形成されたウエ
ル内のソース電極／ドレイン電極（Ｓ／Ｄ）４及びウエ
ル上部に金属配線１で覆われたソース／ドレイン電極４
間のゲート誘電体膜（酸化膜）３を介して接続されたゲ
ート電極２を有する高密度の半導体集積回路において、
素子解析するサンプルの解析部位の近傍を前記ＯＢＩＣ
解析に係わる実施形態の図１と同様な方法で掘削加工す
る。次いで、前記掘削加工によって形成した４５°の角
度で傾斜した面に、アルミニウムやクロム等の金属ガス
中でレーザービームを照射して金属蒸着反射膜５を形成
する。
【００１８】この金属蒸着反射膜５を形成したサンプル
上部にＥＭＳ解析のために高感度光検出器７を設置す
る。前記半導体集積回路にバイアス電源もしくはＬＳＩ
テスタによって電圧もしくはテスト信号を印加し、この
電圧による電位や信号を加えることによる発光現象に伴
って、メタル配線下の検査対象の素子の側断面から発生
する微弱な光を金属蒸着反射膜５を介して、前記高感度
光検出器７に導き検出し、画像処理して表示することに
よって、故障部位を特定する。
上部にＥＭＳ解析のために高感度光検出器７を設置す
る。前記半導体集積回路にバイアス電源もしくはＬＳＩ
テスタによって電圧もしくはテスト信号を印加し、この
電圧による電位や信号を加えることによる発光現象に伴
って、メタル配線下の検査対象の素子の側断面から発生
する微弱な光を金属蒸着反射膜５を介して、前記高感度
光検出器７に導き検出し、画像処理して表示することに
よって、故障部位を特定する。
【００１９】また、上記実施形態ではＯＢＩＣ解析やＥ
ＭＳ解析への適用をそれぞれ個別に述べたが、前記両解
析を前記金属蒸着反射膜５を介して同時に適用して故障
部位を特定する検査方法も無論実施される。
ＭＳ解析への適用をそれぞれ個別に述べたが、前記両解
析を前記金属蒸着反射膜５を介して同時に適用して故障
部位を特定する検査方法も無論実施される。
【００２０】更に、上記実施形態では素子解析するサン
プルの解析部位の近傍をＦＩＢで４５°の角度で掘削加
工したが、３０°〜６０°の範囲であればよい。
プルの解析部位の近傍をＦＩＢで４５°の角度で掘削加
工したが、３０°〜６０°の範囲であればよい。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、金属配線下の素子解析
がディレイヤーすることなく可能である。また、ディレ
イヤーで金属を除去しないので、ＯＢＩＣやＥＭＳ解析
等有効な解析法の適用が可能で、故障部位の特定及び詳
細な金属配線下の素子解析が行える。
がディレイヤーすることなく可能である。また、ディレ
イヤーで金属を除去しないので、ＯＢＩＣやＥＭＳ解析
等有効な解析法の適用が可能で、故障部位の特定及び詳
細な金属配線下の素子解析が行える。
【図１】本発明の一実施形態のＯＢＩＣ解析に係わる概
略断面図である。
略断面図である。
【図２】本発明の一実施形態のＥＭＳ解析に係わる概略
断面図である。
断面図である。
【図３】従来例の金属配線層によるＯＢＩＣレーザー光
の反射及び散乱を示す概略断面図である。
の反射及び散乱を示す概略断面図である。
１ 金属配線 ２ ゲート電極 ３ ゲート酸化膜 ４ ソース／ドレイン（Ｓ／Ｄ） ５ 金属蒸着反射膜 ６ ＯＢＩＣレーザー ７ ＥＭＳ光検出器 １０ 半導体基板
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体集積回路チップを一定の傾斜角だ
け傾斜させて集束イオンビームを照射し、所定の素子領
域を掘削加工する工程と、 前記掘削加工によって形成した掘削面を金属蒸着し、金
属蒸着反射膜を形成する工程と、 前記半導体集積回路にバイアス電源によって電圧を印加
すると共に、前記金属蒸着反射膜を介して光ビームを検
査対象の素子領域に照射する工程と、 前記半導体集積回路のウエル内のｐｎ接合において、前
記光ビームが光起電力効果によって励起する電子正孔が
流すＯＢＩＣ電流を検出する工程と、 前記ＯＢＩＣ電流の分布を表示する工程とを有すること
を特徴とする半導体装置の検査方法。 - 【請求項２】 半導体集積回路チップを一定の傾斜角だ
け傾斜させて集束イオンビームを照射し、所定の素子領
域を掘削加工する工程と、 前記掘削加工によって形成した掘削面を金属蒸着し、金
属蒸着反射膜を形成する工程と、 前記半導体集積回路にバイアス電源もしくはＬＳＩテス
タによって電圧もしくはテスト信号を印加する工程と、 前記半導体集積回路から放出される微弱な光を前記金属
蒸着反射膜を介して検出する工程と、 前記微弱な光を画像処理して表示する工程とを有するこ
とを特徴とする半導体装置の検査方法。 - 【請求項３】 前記傾斜角は、３０°〜６０°の範囲内
であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体
装置の検査方法。 - 【請求項４】 前記金属蒸着反射膜は、アルミニウム又
はクロミウムであることを特徴とする請求項１又は２に
記載の半導体装置の検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12453898A JPH11317430A (ja) | 1998-05-07 | 1998-05-07 | 半導体装置の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12453898A JPH11317430A (ja) | 1998-05-07 | 1998-05-07 | 半導体装置の検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11317430A true JPH11317430A (ja) | 1999-11-16 |
Family
ID=14887963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12453898A Withdrawn JPH11317430A (ja) | 1998-05-07 | 1998-05-07 | 半導体装置の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11317430A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013120075A (ja) * | 2011-12-06 | 2013-06-17 | Mitsubishi Electric Corp | 故障解析装置および故障解析方法ならびにスクリーニングテスト装置およびスクリーニングテスト方法 |
-
1998
- 1998-05-07 JP JP12453898A patent/JPH11317430A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013120075A (ja) * | 2011-12-06 | 2013-06-17 | Mitsubishi Electric Corp | 故障解析装置および故障解析方法ならびにスクリーニングテスト装置およびスクリーニングテスト方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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