JPH11312695A - 針突き装置 - Google Patents
針突き装置Info
- Publication number
- JPH11312695A JPH11312695A JP10119517A JP11951798A JPH11312695A JP H11312695 A JPH11312695 A JP H11312695A JP 10119517 A JP10119517 A JP 10119517A JP 11951798 A JP11951798 A JP 11951798A JP H11312695 A JPH11312695 A JP H11312695A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- needle
- sheet
- semiconductor chip
- center
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
- H01L2221/68322—Auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 中央部分が重要で傷付きやすいチップに対し
ても使用可能で、チップのウェーハシートからの分離取
り外しに効果があり、かつ吸着保持具による安定した保
持を可能にする針突き装置の実現を課題とする。 【解決手段】 粘着性の延伸シート３上のレーザダイオ
ードチップ１を裏側から針状のピンで突き上げて分離し
やすくする針突き装置において、ニードル５の突き上げ
をレーザダイオードチップ１の発光部のある中心から離
れた位置において行うようにする。
ても使用可能で、チップのウェーハシートからの分離取
り外しに効果があり、かつ吸着保持具による安定した保
持を可能にする針突き装置の実現を課題とする。 【解決手段】 粘着性の延伸シート３上のレーザダイオ
ードチップ１を裏側から針状のピンで突き上げて分離し
やすくする針突き装置において、ニードル５の突き上げ
をレーザダイオードチップ１の発光部のある中心から離
れた位置において行うようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置製造過
程における針突き装置に関し、特にレーザダイオード製
造過程における針突き装置に関する。
程における針突き装置に関し、特にレーザダイオード製
造過程における針突き装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置のダイシング工程からマウン
ティング工程間の製造過程においては、ダイシングされ
たチップを搬送用のフィルムである粘着性のウェーハシ
ート上に張り付けて搬送し、続いて搬送されたチップを
リードフレームに実装する。このとき個々のチップをウ
ェーハシートからコレットなどの吸着保持具でピックア
ップして取り出すが、このときチップとウェーハシート
との分離をよくするため、針突き装置を用い、シートの
下面からチップを針状の工具で突き上げてやることがよ
く行われている。
ティング工程間の製造過程においては、ダイシングされ
たチップを搬送用のフィルムである粘着性のウェーハシ
ート上に張り付けて搬送し、続いて搬送されたチップを
リードフレームに実装する。このとき個々のチップをウ
ェーハシートからコレットなどの吸着保持具でピックア
ップして取り出すが、このときチップとウェーハシート
との分離をよくするため、針突き装置を用い、シートの
下面からチップを針状の工具で突き上げてやることがよ
く行われている。
【０００３】ところで、従来の方法ではこの針突きは、
チップが傾くのを避けるためにチップの中央部分を突き
上げるようにしていた。この中央を突き上げる方法はシ
リコンチップなどではとくに問題はない。しかし、Ｇａ
Ａｓなどのレーザダイオード（Laser Diode ：以下ＬＤ
で表す）ではチップの中心部分に発光部があり、この部
分が重要でかつ傷付きやすいため、中央を針突きするこ
とは避けなければならない。
チップが傾くのを避けるためにチップの中央部分を突き
上げるようにしていた。この中央を突き上げる方法はシ
リコンチップなどではとくに問題はない。しかし、Ｇａ
Ａｓなどのレーザダイオード（Laser Diode ：以下ＬＤ
で表す）ではチップの中心部分に発光部があり、この部
分が重要でかつ傷付きやすいため、中央を針突きするこ
とは避けなければならない。
【０００４】図５に、ＬＤチップの外観図を示す。ＬＤ
はＰＮ接合（ダブルヘテロ接合）から構成され、中央に
幅が数μｍから１０μｍ程度の狭いストライプ状の領域
があり、ここに注入電流が集中するような構造になって
いて、この領域内で電子と正孔が再結合して光を発する
ようになっている。さらに、チップの１対の端面が鏡面
状になっていてレーザ共振器が構成され、光はこの共振
器内を往復する過程で増幅されて、チップ外部に取り出
される構造になっている。しかし、針突き装置で針がチ
ップの中心以外の部分を突上げるようにするとすると、
ピックアップ動作に影響しないように、突上げ量や突上
げ針の先端の形状など工夫する必要がある。
はＰＮ接合（ダブルヘテロ接合）から構成され、中央に
幅が数μｍから１０μｍ程度の狭いストライプ状の領域
があり、ここに注入電流が集中するような構造になって
いて、この領域内で電子と正孔が再結合して光を発する
ようになっている。さらに、チップの１対の端面が鏡面
状になっていてレーザ共振器が構成され、光はこの共振
器内を往復する過程で増幅されて、チップ外部に取り出
される構造になっている。しかし、針突き装置で針がチ
ップの中心以外の部分を突上げるようにするとすると、
ピックアップ動作に影響しないように、突上げ量や突上
げ針の先端の形状など工夫する必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述のごとく、従来の
ウェーハシートからチップをピックアップする際の針突
き装置では、チップの中央部分を突き上げるようにして
いるため、レーザダイオードなどのように中央部分が重
要で傷付きやすいチップに対してそのまま適用すること
は好ましくなかった。
ウェーハシートからチップをピックアップする際の針突
き装置では、チップの中央部分を突き上げるようにして
いるため、レーザダイオードなどのように中央部分が重
要で傷付きやすいチップに対してそのまま適用すること
は好ましくなかった。
【０００６】本発明は、この点を解決して、比較的簡単
な方法で、中央部分が重要で傷付きやすいチップに対し
ても使用可能で、チップのウェーハシートからの分離取
り外しに効果があり、かつ吸着保持具による安定した保
持を可能にする針突き装置を実現することを課題とす
る。
な方法で、中央部分が重要で傷付きやすいチップに対し
ても使用可能で、チップのウェーハシートからの分離取
り外しに効果があり、かつ吸着保持具による安定した保
持を可能にする針突き装置を実現することを課題とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を達成するた
め、本発明は、半導体装置のダイシング工程からマウン
ティング工程間の製造過程において、粘着性のテープ上
に保持されて搬送された半導体チップを吸着保持具で個
々に吸着して移送する際に、前記粘着性テープ上の半導
体チップを裏側から針状のピンで突き上げて分離しやす
くする針突き装置において、前記針状ピンの突き上げを
前記半導体チップの中心から離れた位置において行うこ
とを特徴とする。
め、本発明は、半導体装置のダイシング工程からマウン
ティング工程間の製造過程において、粘着性のテープ上
に保持されて搬送された半導体チップを吸着保持具で個
々に吸着して移送する際に、前記粘着性テープ上の半導
体チップを裏側から針状のピンで突き上げて分離しやす
くする針突き装置において、前記針状ピンの突き上げを
前記半導体チップの中心から離れた位置において行うこ
とを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる針突き装置
を添付図面を参照にして詳細に説明する。図１は、本発
明の針突き装置が適用されるマイクロペレットマウンタ
の構成図である。図１において、１はＬＤチップ、２は
コレット、３は塩化ビニールなどの延伸シート（ウェー
ハシート）、４はシート吸着ステージ、５はニードル
（針）である。
を添付図面を参照にして詳細に説明する。図１は、本発
明の針突き装置が適用されるマイクロペレットマウンタ
の構成図である。図１において、１はＬＤチップ、２は
コレット、３は塩化ビニールなどの延伸シート（ウェー
ハシート）、４はシート吸着ステージ、５はニードル
（針）である。
【０００９】ＬＤチップ１は延伸シート３に接着された
状態でマイクロペレットマウンタに輸送されてくる。マ
イクロペレットマウンタでは、図示しないカメラでチッ
プ１の画像を取り込んでチップ１の位置合わせを行い、
シート吸着ステージ４でチップ１の搭載部分の延伸シー
ト３を吸着しながら、延伸シート３の裏面からニードル
５でチップ１を突き上げて、チップ１を延伸シート３か
ら分離離脱させてコレット２で吸着してマウンティング
工程に移送する。
状態でマイクロペレットマウンタに輸送されてくる。マ
イクロペレットマウンタでは、図示しないカメラでチッ
プ１の画像を取り込んでチップ１の位置合わせを行い、
シート吸着ステージ４でチップ１の搭載部分の延伸シー
ト３を吸着しながら、延伸シート３の裏面からニードル
５でチップ１を突き上げて、チップ１を延伸シート３か
ら分離離脱させてコレット２で吸着してマウンティング
工程に移送する。
【００１０】図２に、本発明の針突き装置の一実施の形
態のでの針突き位置の従来との比較を示す。従来は図２
（ａ）のように針５をチップ１の中央に配して突き上げ
るようにしていた。しかし、本発明の実施の形態では図
２（ｂ）のように、針突きの位置としてチップ１の中央
部を避けて、ほぼ全長の１／４の箇所を突き上げるよう
にして針がＬＤチップ１の発光部に触れないようにす
る。これによりＬＤチップ１にとって最も重要な場所を
傷付けるおそれがなくなる。
態のでの針突き位置の従来との比較を示す。従来は図２
（ａ）のように針５をチップ１の中央に配して突き上げ
るようにしていた。しかし、本発明の実施の形態では図
２（ｂ）のように、針突きの位置としてチップ１の中央
部を避けて、ほぼ全長の１／４の箇所を突き上げるよう
にして針がＬＤチップ１の発光部に触れないようにす
る。これによりＬＤチップ１にとって最も重要な場所を
傷付けるおそれがなくなる。
【００１１】図３に、本実施の形態での針の先端形状を
示す。また、図４に、この針５での延伸シート３とチッ
プ１の持ち上げの様子を示す。従来は図３（ａ）のよう
に針５の先端の曲率半径は３０μｍＲであった。このよ
うに先端が細いとチップ１の突き上げ位置がチップ１の
中央でない本実施の形態のような場合には、図４（ａ）
のように延伸シート３の持ち上げ角度が急であり、突き
上げ量を多くすると、延伸シート３を破くおそれがあ
る。また、針５の先端の曲率半径が細いと突き上げ位置
の位置合わせに厳密性が必要になり、位置がずれるとチ
ップ１を回転させる方向に力が働いてしまって、分離に
際してチップ１を傾斜させてしまい、コレット２による
吸着動作が正常に行われない場合が生まれる。
示す。また、図４に、この針５での延伸シート３とチッ
プ１の持ち上げの様子を示す。従来は図３（ａ）のよう
に針５の先端の曲率半径は３０μｍＲであった。このよ
うに先端が細いとチップ１の突き上げ位置がチップ１の
中央でない本実施の形態のような場合には、図４（ａ）
のように延伸シート３の持ち上げ角度が急であり、突き
上げ量を多くすると、延伸シート３を破くおそれがあ
る。また、針５の先端の曲率半径が細いと突き上げ位置
の位置合わせに厳密性が必要になり、位置がずれるとチ
ップ１を回転させる方向に力が働いてしまって、分離に
際してチップ１を傾斜させてしまい、コレット２による
吸着動作が正常に行われない場合が生まれる。
【００１２】本発明の実施の形態では、図３（ｂ）のよ
うに、針５の先端の曲率半径を６０μｍＲにした。これ
により、図４（ｂ）のように延伸シート３の持ち上げ角
度が緩やかになり、突き上げ量を通常の場合よりも大き
く、例えば０．３ｍｍ程度までとってもチップ１を傾斜
させたり、延伸シート３を破く等のおそれが少なくな
る。
うに、針５の先端の曲率半径を６０μｍＲにした。これ
により、図４（ｂ）のように延伸シート３の持ち上げ角
度が緩やかになり、突き上げ量を通常の場合よりも大き
く、例えば０．３ｍｍ程度までとってもチップ１を傾斜
させたり、延伸シート３を破く等のおそれが少なくな
る。
【００１３】以上のように本発明では、チップの突き上
げ位置を中心からずらすと共に、針先の曲率を太くする
ようにしたので、中心に発光部を有するＬＤチップ１の
突き上げを、チップの品質を損なうことなく可能にし、
また突き上げ動作を安定にして、コレット２によるチッ
プ吸着を安定に行うことができる。
げ位置を中心からずらすと共に、針先の曲率を太くする
ようにしたので、中心に発光部を有するＬＤチップ１の
突き上げを、チップの品質を損なうことなく可能にし、
また突き上げ動作を安定にして、コレット２によるチッ
プ吸着を安定に行うことができる。
【００１４】以上の説明では、処理対象となる半導体チ
ップとしてＬＤチップをあげて説明したが、ＬＤチップ
以外でも中心部分が脆かったり、中心部分がダメージを
嫌うような特殊なチップには、この発明の針突き装置の
利用が有効であることは明らかである。
ップとしてＬＤチップをあげて説明したが、ＬＤチップ
以外でも中心部分が脆かったり、中心部分がダメージを
嫌うような特殊なチップには、この発明の針突き装置の
利用が有効であることは明らかである。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１の
発明は、半導体装置のダイシング工程からマウンティン
グ工程間の製造過程において、粘着性のテープ上に保持
されて搬送された半導体チップを吸着保持具で個々に吸
着して移送する際に、粘着性テープ上の半導体チップを
裏側から針状のピンで突き上げて分離しやすくする針突
き装置において、針状ピンの突き上げを半導体チップの
中心から離れた位置において行うことを特徴とする。こ
れにより、中心部分が脆かったり、中心部分がダメージ
を嫌うようなＬＤチップなどにも用いることができ、チ
ップのウェーハシートからの分離取り外しに有効で、か
つ吸着保持具による安定した保持を可能にする針突き装
置を実現することができる。
発明は、半導体装置のダイシング工程からマウンティン
グ工程間の製造過程において、粘着性のテープ上に保持
されて搬送された半導体チップを吸着保持具で個々に吸
着して移送する際に、粘着性テープ上の半導体チップを
裏側から針状のピンで突き上げて分離しやすくする針突
き装置において、針状ピンの突き上げを半導体チップの
中心から離れた位置において行うことを特徴とする。こ
れにより、中心部分が脆かったり、中心部分がダメージ
を嫌うようなＬＤチップなどにも用いることができ、チ
ップのウェーハシートからの分離取り外しに有効で、か
つ吸着保持具による安定した保持を可能にする針突き装
置を実現することができる。
【００１６】本発明の請求項２の発明は、針状ピンの先
端を突き上げ位置が半導体チップの中心にある場合より
も太くすることを特徴とする。これにより、チップとシ
ートの接触面積を広くするようにして、シートを破く虞
が少なく、分離に際してチップを傾けて、コレットによ
る吸着動作が安定して行える針突き装置を実現すること
ができる。
端を突き上げ位置が半導体チップの中心にある場合より
も太くすることを特徴とする。これにより、チップとシ
ートの接触面積を広くするようにして、シートを破く虞
が少なく、分離に際してチップを傾けて、コレットによ
る吸着動作が安定して行える針突き装置を実現すること
ができる。
【００１７】本発明の請求項３の発明は、半導体チップ
がレーザダイオードチップであることを特徴とする。こ
れにより、中央部分に発光部を有するレーザダイオード
チップにも用いることができる針突き装置を実現するこ
とができる。
がレーザダイオードチップであることを特徴とする。こ
れにより、中央部分に発光部を有するレーザダイオード
チップにも用いることができる針突き装置を実現するこ
とができる。
【図１】本発明の針突き装置が適用されるマイクロペレ
ットマウンタの構成図。
ットマウンタの構成図。
【図２】本発明の針突き装置の一実施の形態のでの針突
き位置の従来との比較を示す図。
き位置の従来との比較を示す図。
【図３】本実施の形態での針の先端形状を示す図。
【図４】本実施の形態での延伸シートとチップの持ち上
げの様子を示す図。
げの様子を示す図。
【図５】レーザダイオードチップの外観図。
１…ＬＤチップ、２…コレット、３…延伸シート（ウェ
ーハシート）、４…シート吸着ステージ、５…ニードル
（針）。
ーハシート）、４…シート吸着ステージ、５…ニードル
（針）。
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体装置のダイシング工程からマウン
ティング工程間の製造過程において、粘着性のテープ上
に保持されて搬送された半導体チップを吸着保持具で個
々に吸着して移送する際に、前記粘着性テープ上の半導
体チップを裏側から針状のピンで突き上げて分離しやす
くする針突き装置において、 前記針状ピンの突き上げを前記半導体チップの中心から
離れた位置において行うことを特徴とする針突き装置。 - 【請求項２】 前記針状ピンの先端を突き上げ位置が半
導体チップの中心にある場合よりも太くすることを特徴
とする請求項１に記載の針突き装置。 - 【請求項３】 前記半導体チップがレーザダイオードチ
ップであることを特徴とする請求項１または請求項２に
記載の針突き装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10119517A JPH11312695A (ja) | 1998-04-28 | 1998-04-28 | 針突き装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10119517A JPH11312695A (ja) | 1998-04-28 | 1998-04-28 | 針突き装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11312695A true JPH11312695A (ja) | 1999-11-09 |
Family
ID=14763241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10119517A Pending JPH11312695A (ja) | 1998-04-28 | 1998-04-28 | 針突き装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11312695A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016139652A (ja) * | 2015-01-26 | 2016-08-04 | 旭化成株式会社 | 窒化物半導体発光素子の製造方法及び窒化物半導体発光素子 |
-
1998
- 1998-04-28 JP JP10119517A patent/JPH11312695A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016139652A (ja) * | 2015-01-26 | 2016-08-04 | 旭化成株式会社 | 窒化物半導体発光素子の製造方法及び窒化物半導体発光素子 |
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